JP7036487B2 - 弾性波フィルタ装置及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、弾性波フィルタ装置及びその製造方法に関するものである。
弾性波フィルタ共振器装置（ＢＡＷＲ）は、圧電誘電体物質の圧電特性を用いて共振を誘発させる薄膜形態の素子に関するものである。例えば、圧電誘電体物質は、シリコンウェハのような半導体基板に蒸着されることができる。弾性波フィルタ装置は、上記ＢＡＷＲの構成を有する薄膜形態の素子をフィルタに実現して実現することができる。
誘導された縦方向の波は、作用する電場の方向に形成されるが、縦方向の波に対して直交する側面方向の波の寄生共振（Ｓｐｕｒｉｏｕｓ ｒｅｓｏｎａｎｃｅｓ）または振動成分は、弾性波フィルタ装置の平面方向における寄生共振に起因する振動の側面方向の波を有する弾性波フィルタ装置と関連する共振周波数及び周りの周波数領域に現れ、かかる共振周波数及び周りの周波数領域に影響を及ぼす。
特開２００２－３５９５３９号公報
本発明の目的は、水平振動の共振を抑制することができる弾性波フィルタ装置及びその製造方法を提供することである。
本発明の一実施形態による弾性波フィルタ装置は、基板の上部に配置される下部電極と、上記下部電極の少なくとも一部を覆うように形成される圧電体層と、上記圧電体層の少なくとも一部を覆うように形成される上部電極と、を含み、上記上部電極は、上記圧電体層の活性化中に、上記圧電体層とともに変形し振動する弾性波フィルタ装置の活性領域の中央部を除いた上記上部電極の少なくとも一部分に配置される密度低減層を有し、上記密度低減層は上記上部電極の他の部分の密度よりも密度が低ければよい。
上記密度低減層は酸化物を含むことができる。
上記上部電極は伝導体を含むことができ、上記密度低減層は上記上部電極の伝導体の選択酸化の結果物であってもよい。
上記上部電極は、上記圧電体層を覆う電極層と、上記電極層上に積層されるフレーム層と、を含むことができ、上記密度低減層は、上記活性領域に対応する電極層の内部領域とフレーム層の間に配置される電極層の一部分に形成することができる。
上記電極層の一部分に形成された上記密度低減層は、フレーム層の内周面の内部、及び内部領域の外周にバンド状を有することができる。
上記フレーム層は上記電極層の厚さよりも厚い厚さを有することができる。
上記上部電極は、上記圧電体層を覆う電極層と、上記電極層上に積層されるフレーム層と、を含むことができ、上記密度低減層は、フレーム層、及び上記フレーム層と上記電極層の内部領域の間に形成することができる。
上記フレーム層は、内部領域の円周の外部にバンド状を有することができる。
上記弾性波フィルタ装置は、上記基板とともにエアギャップを形成する第１層と、下部電極の下部にエアギャップが配置されるように上記第１層上に形成される第２層と、をさらに含むことができる。
上記弾性波フィルタ装置は、上記上部電極上に形成される第１金属パッド、及び上記下部電極上に形成される第２金属パッドと、上記金属パッドが形成された弾性波フィルタ装置の一部分を除いた弾性波フィルタ装置の全体の領域に形成されるパッシベーション層と、をさらに含むことができる。
上記弾性波フィルタ装置において、上記上部電極は、モリブデン（Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ：Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ：Ｒｕ）、タングステン（Ｔｕｎｇｓｔｅｎ：Ｗ）、イリジウム（Ｉｒｉｄｉｕｍ：Ｉｒ）、プラチナ（Ｐｌａｔｉｎｕｍ：Ｐｔ）のいずれかであるか、またはモリブデン（Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ：Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ：Ｒｕ）、タングステン（Ｔｕｎｇｓｔｅｎ：Ｗ）、イリジウム（Ｉｒｉｄｉｕｍ：Ｉｒ）、プラチナ（Ｐｌａｔｉｎｕｍ：Ｐｔ）のうち少なくとも二つの合金材料を含むことができる。
上記弾性波フィルタ装置は、内部にエアギャップを有し、上記基板上に形成されるエアギャップ形成層と、上記下部電極の下部に配置され、上記エアギャップ形成層に形成される第１保護層と、をさらに含むことができる。
本発明の一実施形態による弾性波フィルタ装置の製造方法は、犠牲層、下部電極、圧電体層、及び上部電極を含む弾性波フィルタ装置の複数個の層を形成する段階と、上記上部電極の中央部を除いた上記上部電極を露出させるようにフォトレジストを形成する段階と、上記フォトレジストから外部に露出している上記上部電極の一部分を酸化させることにより密度低減層を形成する段階と、を含む。
上記上部電極を形成する段階は、上記圧電体層を覆うように電極層を形成し、上記電極層上に積層されるフレーム層を形成する段階をさらに含み、上記密度低減層は、上記フレーム層と上記電極層の内部領域の間に配置される電極層の選択部分に形成することができる。
上記上部電極を形成する段階は、上記圧電体層を覆う電極層を形成し、上記電極層上に積層されるフレーム層を形成する段階をさらに含み、上記密度低減層は、上記フレーム層、及び上記フレーム層と上記電極層の内部領域の間に配置される電極層の選択部分に形成することができる。
上記上部電極は、モリブデン（Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ：Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ：Ｒｕ）、タングステン（Ｔｕｎｇｓｔｅｎ：Ｗ）、イリジウム（Ｉｒｉｄｉｕｍ：Ｉｒ）、プラチナ（Ｐｌａｔｉｎｕｍ：Ｐｔ）のいずれかであるか、またはモリブデン（Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ：Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ：Ｒｕ）、タングステン（Ｔｕｎｇｓｔｅｎ：Ｗ）、イリジウム（Ｉｒｉｄｉｕｍ：Ｉｒ）、プラチナ（Ｐｌａｔｉｎｕｍ：Ｐｔ）のうち少なくとも二つの合金材料を含むことができる。
上記密度低減層を形成する段階は、上記上部電極の一部分に伝導体を酸化させるアッシング工程を行う段階を含むことができる。
本発明の他の実施形態による弾性波フィルタ装置は、キャビティを支持するか含む基板と、上記キャビティ上部の第１電極と、上記キャビティ上部の圧電体層と、上記キャビティ上部の第２電極と、上記第１電極の少なくとも一部分、上記圧電体層の少なくとも一部分、及び上記第２電極の少なくとも一部分に現れる活性領域の外部円周の上記第１電極上部のフレームと、上記フレームの内周内側及び活性領域の内部領域の外部の上記第１電極上の低密度部材と、を含み、上記フレーム及び上記低密度部材は、活性領域において生産される縦方向の共振よりも偽の共振を抑制するように構成する。
上記低密度部材は、活性領域において励起された水平波を抑制するように構成することができる。
上記低密度部材は、第１電極の密度よりも低い密度を有することができる。
上記低密度部材は、第１電極の伝導体の酸化物であり、第１電極から形成することができる。
上記圧電体層は窒化アルミニウムを含むことができる。
本発明のさらに他の実施形態による弾性波フィルタ装置は、キャビティを支持するか含む基板と、上記キャビティ上部の第１電極と、上記キャビティ上部の圧電体層と、上記キャビティ上部の第２電極と、上記共振領域の内部領域の外部、上記第２電極の一部分、上記圧電体層の一部分、及び上記第１電極の少なくとも一部分に現れ、活性領域の円周に対して配列された上記第１電極上の低密度部材と、を含み、上記低密度部材は、上記活性領域に励起される水平波を抑制するように構成することができる。
上記低密度部材は上記第１電極よりも密度が低ければよい。
上記低密度部材は、上記伝導体よりも低い密度を有する第１電極から形成し、第１電極の伝導体の酸化物であってもよい。
上記低密度部材は、活性領域に残存する全体の整列された厚さよりも薄く、電極層の厚さよりも厚い厚さを有すことができる。
上記キャビティは、上記基板の上部に形成されるように、基板上に形成されたギャップ形成層の一部分の間に形成する。
本発明によると、水平振動の共振を抑制することができるという効果がある。
本発明の第１実施形態による弾性波フィルタ装置を示す概略断面図である。 本発明の第１実施形態による弾性波フィルタ装置によるノイズの低減を説明するためのグラフである。 本発明の第１実施形態による弾性波フィルタ装置に備えられる密度低減層の形成工程を説明するための説明図である。 本発明の第１実施形態による弾性波フィルタ装置に備えられる密度低減層の形成工程を説明するための説明図である。 本発明の第１実施形態による弾性波フィルタ装置に備えられる密度低減層の形成工程を説明するための説明図である。 本発明の第２実施形態による弾性波フィルタ装置を示す概略断面図である。 本発明の第２実施形態による弾性波フィルタ装置に備えられる密度低減層の形成工程を説明するための説明図である。 本発明の第３実施形態による弾性波フィルタ装置を示す概略断面図である。
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがある。
弾性波共振器は、印加された電場を変換するために、圧電体において生成された縦方向の波を用いる。例えば、弾性波フィルタは、印加されたＲＦ信号に対して図１の構成を有する垂直方向の波に対応する縦方向の波を電波することができる。しかし、弾性波フィルタ装置に対応する共振周波数及び周りの周波数領域に現れる側波（ｌａｔｅｒａｌ ｗａｖｅ）の寄生共振（ｓｐｕｒｉｏｕｓ ｒｅｓｏｎａｎｃｅｓ）として振動成分を有する側波（例えば、図１の構成に対して水平方向の波に対応し、縦方向の波に直交する）も上記過程中に励起される。これにより、上述の側面振動共振現象は、弾性波フィルタ装置の通過帯域内において好ましくない寄生共振ノイズを誘発する可能性があり、品質係数値（Ｑ ｆａｃｔｏｒ）を減少させるおそれがある。したがって、側波の振動による寄生共振またはノイズを低減させることで、弾性波フィルタ装置の通過帯域において均一で低い挿入損失の特性を確保するとともに、高い品質係数値（Ｑ ｆａｃｔｏｒ）及び結合係数を確保することが好ましい。
また、一つ以上の実施形態において、例えば、弾性波フィルタは側波により減少した寄生共振及びノイズを提供するとともに、高い品質係数値（Ｑ ｆａｃｔｏｒ）及び結合係数も有することができる。
図１は本発明の第１実施形態による弾性波フィルタ装置を示す概略断面図である。
図１を参照すると、弾性波フィルタ装置は、一例として、エアギャップＳ、基板１１０、第１層１２０、第２層１３０、下部電極１４０、圧電体層１５０、上部電極１６０、電極層１７０、フレーム層１８０、密度低減層１９０、パッシベーション層２００、及び金属パッド２１０を含んで構成することができる。
基板１１０は、シリコンが積層された基板であってもよい。例えば、シリコンウェハ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｗａｆｅｒ）を基板として用いることができる。一方、基板１１０の上面に、シリコンを保護するための保護層１１２を形成することができる。犠牲層の除去工程中に、例えば、図３の犠牲層２２０は、エアギャップＳ、一例として、溝を形成するために用いられる。例えば、保護層１１２は、後述の上記除去工程中の基板１１０のエッチングを防止する。
第１層１２０は、基板１１０及びエアギャップＳ上に形成する。すなわち、第１層１２０は、基板１１０上に形成される後述の犠牲層２２０を覆うように基板１１０及び犠牲層２２０上に形成する。後で、犠牲層２２０が除去されると、第１層１２０の下部にはエアギャップ（Ｃａｖｉｔｙ）Ｓが形成されるようになる。
一例として、第１層１２０は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）または酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含有する材料からなることができる。一方、第１層１２０は、犠牲層２２０の除去工程時に、下部電極１４０の下端部のエッチングを防止する役割も果たす。エアギャップＳを有する弾性波フィルタ装置１１０は、薄膜弾性波フィルタであってもよいが、これに限定されるものではない。
第２層１３０は、エアギャップＳの上部に配置されるように、第１層１２０上に形成する。一方、第２層１３０は、窒化シリコン（ＳｉＮ）または窒化シリコン（ＳｉＮ）を含有する材料からなることができる。また、第２層１３０は、第１層１２０とともに共振領域（換言すると、活性領域）に配置される構成によるストレスを補償することができ、活性領域に配置される構造の変形を低減させる役割を果たす。
ここで、活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）とは、図１に示すように、圧電体層１５０の変形時に圧電体層１５０とともに変形して振動する領域のことである。例えば、活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）は、図示されている活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）の範囲と直交して整列され、圧電体層１５０の変形とともに振動する圧電体層１５０、下部電極１４０、及び上部電極１６０が少なくとも重なる部分を含むように考えられることができる。
下部電極１４０は第２層１３０上に形成する。一例として、下部電極１４０は、モリブデン（Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ：Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ：Ｒｕ）、タングステン（Ｔｕｎｇｓｔｅｎ：Ｗ）、イリジウム（Ｉｒｉｄｉｕｍ：Ｉｒ）、プラチナ（Ｐｌａｔｉｎｕｍ：Ｐｔ）などのような導電性材料、またはその合金を用いて形成することができる。
また、下部電極１４０は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号などの電気信号を注入する入力電極及び出力電極のいずれかとして用いることができる。例えば、下部電極１４０が入力電極である場合、上部電極１６０は出力電極であることができ、下部電極１４０が出力電極である場合、上部電極１６０は入力電極であることができる。
圧電体層１５０は、下部電極１４０の少なくとも一部を覆うように形成する。また、圧電体層１５０は、下部電極１４０または上部電極１６０から入力される電気信号を弾性波（Ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ）に変換する役割を果たす。
例えば、上部電極１６０に、時間の経過に伴って変化する電界が誘導されると、圧電体層１５０は上部電極１６０に入力された電気信号を活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）において弾性波（Ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ）として現れる物理的振動に変換することができる。よって、時間の経過に伴う上部電極１６０への電界変化は、圧電体層１５０により、主に厚さ方向（図示された垂直方向）の縦方向の弾性波（Ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ）として誘導されるものと考えられることができる。下部電極１４０と圧電体層１５０の間の変化において、弾性波（Ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ）は圧電体層１５０により下部電極１４０に対応する電界変化に変換される。ここで、圧電体層１５０は、誘導された電界により圧電体層１５０の厚さ方向において縦方向の体積弾性波を発生させる。
このように、圧電体層１５０は、体積弾性波を発生させることで電気信号を弾性波に変換することができる。
この際、圧電体層１５０は、下部電極１４０の上部に窒化アルミニウム（Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｎｉｔｒｉｄｅ）、酸化亜鉛（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、またはジルコンチタン酸鉛（Ｌｅａｄ Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ Ｔｉｔａｎａｔｅ）を蒸着することで形成することができる。
圧電体層１５０が窒化アルミニウム（ＡｌＮ）材料からなる場合、圧電体層１５０は希土類金属（Ｒａｒｅ ｅａｒｔｈ ｍｅｔａｌ）をさらに含むことができる。一例として、希土類金属は、スカンジウム（Ｓｃ）、エルビウム（Ｅｒ）、イットリウム（Ｙ）、及びランタン（Ｌａ）のうち少なくとも一つを含むことができる。
上部電極１６０は、圧電体層１５０の少なくとも一部を覆うように形成する。一例として、上部電極１６０は、圧電体層１５０を覆う電極層１７０と、電極層１７０上に形成されるフレーム層１８０と、を備えることができる。
一方、フレーム層１８０の厚さは、電極層１７０の厚さよりも厚く形成することができる。また、図１に示すように、単一のフレーム層１８０だけで構成することができ、弾性波フィルタを囲むバンド状であってもよい。例えば、各フレーム層１８０は、フレーム層１８０と直交して整列された電極層の対応部分よりも厚い厚さを有することができる。フレーム層１８０は、活性領域の中央部を除いた領域に配置されるように電極層１７０上に形成することができる。換言すると、弾性波フィルタ装置１００の製造工程中に、少なくともフレーム層１８０の一部分及び電極層１７０の一部分がともに外部に露出するようにフレーム層１８０は弾性波フィルタ装置１００の一部分を構成する。
一例として、フレーム層１８０は、電極層１７０と同一の材料からなることができる。但し、これに限定されず、フレーム層１８０は、異なる材料からなってもよい。
フレーム層１８０は、共振時に発生する側波（Ｌａｔｅｒａｌ Ｗａｖｅ）を活性領域の内部に反射させて共振エネルギーを活性領域に閉じ込める役割を果たす。換言すると、電極層１７０の外側にフレーム層１８０を形成して、活性領域で発生した振動が外側に抜け出ることを防止する役割を果たす。また、フレーム層１８０は、弾性波フィルタ装置１００の品質係数（Ｑ ｆａｃｔｏｒ）を増加させることができる。
一例として、上部電極１６０は、モリブデン（Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ：Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ：Ｒｕ）、タングステン（Ｔｕｎｇｓｔｅｎ：Ｗ）、イリジウム（Ｉｒｉｄｉｕｍ：Ｉｒ）、プラチナ（Ｐｌａｔｉｎｕｍ：Ｐｔ）のいずれかであるか、またはモリブデン（Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ：Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ：Ｒｕ）、タングステン（Ｔｕｎｇｓｔｅｎ：Ｗ）、イリジウム（Ｉｒｉｄｉｕｍ：Ｉｒ）、プラチナ（Ｐｌａｔｉｎｕｍ：Ｐｔ）のうち少なくとも二つの合金材料からなることができる。
密度低減層１９０は、弾性波フィルタ装置１００の一部分である上部電極１６０の内部または上部にそれぞれ配置され、活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）の中央部の外側にそれぞれ配列される。また、図１に示すように構成された単一の密度低減層１９０であってもよい。例えば、弾性波フィルタ装置１００をバンド化する。一例として、密度低減層１９０は酸化により形成されることができる。
例えば、密度低減層１９０は、上部電極１６０の選択酸化により形成されることができる。例えば、密度低減層１９０は、フレーム層１８０の周り、例えば、活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）の中心（すなわち、横方向の中心）に向かう方向においてフレーム層１８０を超えて配置され、活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）の中央部を除いた領域に配置される上部電極１６０の一部分に形成されることができる。
また、密度低減層１９０はバンド状を有することができる。例えば、上部から見たとき、弾性波フィルタ装置１００は、円形、楕円形、長方形または不規則な形状を有することができ、一例として、活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）の中心に中心を置くことができる。フレーム層１８０は、活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）の円周に沿ってバンド状のように形成してもよく、活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）の円周内に、同様に他のバンド状に形成される密度低減層１９０を有するように形成してもよい。
但し、密度低減層１９０を形成する方法は、上述の方式に限定されず、電極層１７０に酸化物からなる密度低減層１９０を積層して形成することもできる。
このような場合、密度低減層１９０は、上部電極１６０にほぼ直交して整列され、上部電極１６０の表面に露出しないように形成することができる。
さらに、密度低減層１９０は、必ずしも酸化物からなる必要はなく、上部電極１６０よりも密度が低い材料が積層されてなることもできる。
すなわち、密度低減層１９０の形成方法は多様に変更することができる。
一方、密度低減層１９０は、一例として、上部電極１６０がモリブデン（Ｍｏ）材料からなる場合、二酸化モリブデン（ＭｏＯ２）や三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）などの酸化膜からなることができる。
また、密度低減層１９０の密度は、上部電極１６０の残りの部分の密度または密度低減層１９０に直交して整列された上部電極１６０の残りの部分に対して約３分の１レベルであることができる。さらに、一例として、密度低減層１９０は酸化条件に応じて数ｎｍ～数十ｎｍの深さを有するように形成することができる。
このように、密度低減層１９０は、活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）において水平波（ｌａｔｅｒａｌ ｗａｖｅ）の励起（ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ）により起因する寄生共振を抑制できるように作用することができる。例えば、密度低減層１９０の全体の厚さは、活性領域に直交して整列された残りの部分、例えば、密度低減層１９０の下部に直交して整列される活性領域の部分または単に密度低減層１８０を除いた活性領域の全体の厚さより薄ければよい。よって、密度低減層１８０に対応する弾性波フィルタ装置１００の直交する領域において密度低減層１９０の全体の厚さが活性領域の残りの部分または密度低減層１９０と直交して整列される弾性波フィルタ装置１００の厚さよりも薄く形成されるため、エネルギーが水平波を励起させることを抑制することで、縦方向の波の変位サイズまたは振幅を密度低減層１９０がない場合と比較して急激に変化させることができる。例えば、活性領域から遠くなるにつれて幾何級数的に減少できる縦方向の波の自然な減少エネルギー分布をフレーム層１８０と直交して整列された領域に及ぶ前にさらに急激に減少させることができる。また、縦方向の波の変位サイズを調整することにより、縦方向の波が活性領域の大部分にわたって均一な形状を有するようにすることができる。
これにより、密度低減層１９０、及び活性領域の内部からフレーム層１８０までの距離による縦方向の波の変位量の変化を誘導することにより、寄生共振を抑制することができる。よって、密度低減層１９０により、共振周波数よりも低い周波数における縦方向の振動または波からの寄生共振の発生が抑制される。
例えば、図１に示す弾性波フィルタ装置１００の一実施形態において密度低減層１９０により寄生共振またはノイズを減少させることができることを図２に示す。一例として、密度低減層１９０がない弾性波フィルタ装置の場合はノイズが約０．３６ｄＢであるが、密度低減層１９０を有する図１に示す弾性波フィルタ装置１００の一実施形態の場合はノイズが約０．０７ｄＢである。このように、寄生共振及びノイズを低減させることで、品質係数（Ｑ ｆａｃｔｏｒ）が高く結合係数が大きい弾性波フィルタ装置１００の通過帯域内における挿入損失の特性を確保することができる。
パッシベーション層（Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）２００は、フレーム層１８０及び電極層１７０を覆うように形成する。一方、パッシベーション層２００は、工程中のフレーム層１８０及び電極層１７０が損傷することを防止する役割を果たす。さらに、最終の工程では、周波数を調節するために、エッチングしてパッシベーション層２００の厚さを調節することができる。
また、パッシベーション層２００は、金属パッド２１０が形成される領域を除いた他のすべての領域に形成してもよい。
金属パッド２１０は、下部電極１４０及び上部電極１６０と電気的に接続されるように形成する。
上述のとおり、密度低減層１９０により水平波または水平方向の振動の寄生共振を抑制することができる。これにより、非定形なノイズ（Ｓｐｕｒｉｏｕｓ Ｎｏｉｓｅ）を改善し、弾性波フィルタ装置の通過帯域内において均一で低い挿入損失（Ｉｎｓｅｒｔｉｏｎ Ｌｏｓｓ）の特性を確保することができる。
一方、本発明の第１実施形態による弾性波フィルタ装置１００は、携帯通信機器のフロントエンドモジュール（Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）のためのＲＦフィルタとして用いることができる。すなわち、複数の共振器を信号入力端と出力端の間に直列接続し、直列接続された共振器と接地の間に複数の共振器を並列接続することでＲＦフィルタに構成することができる。
このような場合、水平波共振によるノイズを抑制し、通過帯域（ｐａｓｓ ｂａｎｄ）の全領域にわたって均一な信号入力特性を示すことができる。
以下、図面を参照して、上述の密度低減層１９０の形成方法について簡単に説明する。
図３～図５は本発明の第１実施形態による弾性波フィルタ装置に備えられる密度低減層の形成工程を説明するための説明図である。
まず、図３に示すように、基板１１０の上部に、犠牲層２２０、第１層１２０、第２層１３０、下部電極１４０、圧電体層１５０、上部電極１６０を順に積層する。
次に、図４に示すように、上部電極１６０上にフォトレジスト層１０を積層する。フォトレジスト層１０は、密度低減層１９０を形成するための酸化工程中に、活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）の中央部及びフレーム層１８０の酸化を防止するための構成で、フォトレジスト層１０が形成されない領域に密度低減層１９０が形成される。
例えば、密度低減層１９０は、電極層１７０の酸化によって形成され、電極層１７０の選択部分に対するアッシング（Ａｓｈｉｎｇ）工程による表面処理で形成することができる。すなわち、密度低減層１９０は酸化物からなることができる。
一例として、密度低減層１９０は電極層１７０の酸化により形成されることができ、密度低減層１９０は、活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）の円周の形状またはフレーム層１８０の内周面の形状に対応するバンド状を有することができる。
一方、密度低減層１９０は、一例として、上部電極１６０がモリブデン（Ｍｏ）材料からなる場合、二酸化モリブデン（ＭｏＯ２）や三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）などの酸化膜からなることができる。
また、密度低減層１９０の密度は、上部電極１６０の残りの部分の密度に対して約３分の１レベルであることができる。さらに、密度低減層１９０の厚さは、実施形態、様々な利用できる構成、及び活性領域の残存層の特性に依存する酸化条件に応じて数ｎｍ～数十ｎｍの深さに調節することができる。
その後、図５に示すように、フォトレジスト層１０を除去した後、上部電極１６０上に密度低減層１９０、一例として、酸化モリブデン層を形成する。
以下、図面を参照して、本発明の第２実施形態による弾性波フィルタ装置について説明する。一方、上述の構成要素と同一の構成要素については上記使用した符号を用いて図面に示し、ここでは詳細な説明を省略する。
図６は本発明の第２実施形態による弾性波フィルタ装置を示す概略断面図である。
図６を参照すると、本発明の第２実施形態による弾性波フィルタ装置３００は、一例として、エアギャップＳ、基板１１０、第１層１２０、第２層１３０、下部電極１４０、圧電体層１５０、上部電極１６０、電極層１７０、フレーム層１８０、密度低減層２９０、パッシベーション層２００、及び金属パッド２１０を含んで構成することができる。
一方、本発明の第２実施形態による弾性波フィルタ装置３００は、密度低減層３９０だけが異なる構成であるため、ここでは密度低減層３９０についてだけ説明する。
密度低減層２９０は、フレーム層１８０に形成されることができ、フレーム層１８０の周り、例えば、活性領域の中央部を除いた活性領域の中央部に向かう方向においてフレーム層１８０を越えて電極層１７０の一部分内に、または上部に形成することができる。ここで、図１に示すように構成された単一の密度低減層２９０だけを残すことができ、例えば、弾性波フィルタ装置３００をバンド化する。一例として、それぞれの密度低減層２９０は電極層１７０の活性領域の中心部を除いた弾性波フィルタ装置３００の一部分に形成されることができ、酸化物により形成されることができる。
密度低減層２９０は、上部電極１６０、例えば、電極層１７０とフレーム層１８０のそれぞれの酸化により形成されることができる。密度低減層２９０は、バンド状を有することができる。
さらに、それぞれのフレーム層１８０の厚さは、電極層１７０の厚さよりも厚く形成されることができる。例えば、フレーム層１８０は、上記フレーム層１８０に対して直交して整列された電極層１７０の一部分よりも厚い厚さを有することができる。
また、密度低減層２９０は、一例として、上部電極１６０がモリブデン（Ｍｏ）材料からなる場合、二酸化モリブデン（ＭｏＯ２）や三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）などの酸化膜からなることができるが、これに限定されるものではない。
また、密度低減層２９０の密度は、上部電極１６０の残りの部分の密度または密度低減層２９０に直交して整列された上部電極１６０の残りの部分に対して約３分の１レベルであることができる。さらに、一例として、密度低減層２９０の厚さは酸化条件に応じて数ｎｍ～数十ｎｍの深さに形成することができる。
このように、密度低減層２９０は、活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）において水平波（ｌａｔｅｒａｌ ｗａｖｅ）の励起（ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ）により起因する寄生共振を抑制するように作用することができる。例えば、密度低減層２９０の全体の厚さは、活性領域に直交して整列された残りの部分、例えば、密度低減層２９０の下部に直交して整列される活性領域の部分または単に密度低減層２９０を除いた活性領域の全体の厚さよりも薄ければよい。よって、密度低減層２９０に対応する弾性波フィルタ装置３００の直交する領域において密度低減層２９０の全体の厚さが活性領域の残りの部分または密度低減層２９０と直交して整列される弾性波フィルタ装置３００の厚さよりも薄く形成されるため、エネルギーが水平波を励起させることを抑制することにより、縦方向の波の変位サイズまたは振幅を密度低減層２９０がない場合と比較して急激に変化させることができる。例えば、活性領域から遠くなるにつれて幾何級数的に減少できる縦方向の波の自然な減少エネルギー分布をフレーム層１８０と直交して整列された領域に及ぶ前にさらに急激に減少させることができる。また、縦方向の波の変位サイズを調整することにより、縦方向の波が活性領域の大部分にわたって均一な形状を有するようにすることができる。
これにより、密度低減層２９０、及び活性領域の内部からフレーム層１８０までの距離による縦方向の波の変位量の変化を誘導することにより寄生共振を抑制することができる。よって、密度低減層２９０により、共振周波数よりも低い周波数における縦方向の振動または波からの寄生共振の発生が抑制される。
以下、図面を参照して、上述の密度低減層３９０の形成方法について簡単に説明する。
図７は本発明の第２実施形態による弾性波フィルタ装置に備えられる密度低減層の形成工程を説明するための説明図である。
図７を参照すると、上部電極１６０上にフォトレジスト層１０を積層する。フォトレジスト層１０は、密度低減層３９０を形成するための酸化工程中に、活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）の中央部に配置される電極層１７０の酸化を防止するための構成で、フォトレジスト層１０が形成されない領域に密度低減層３９０が形成される。
例えば、密度低減層３９０は、電極層１７０及びフレーム層１８０の酸化によって形成される。一例として、密度低減層３９０は、電極層１７０の選択部分、またはフレーム層１８０の全体の幅に対するアッシング（Ａｓｈｉｎｇ）工程による表面処理で形成することができる。すなわち、密度低減層３９０は酸化物からなることができる。
例えば、電極層１７０及びフレーム層１８０がともにモリブデン（Ｍｏ）からなる場合、密度低減層３９０の全体が上部電極１６０上に形成される酸化モリブデンであってもよい。
次に、フォトレジスト層１０を除去した後、例えば、パッシベーション層２００は、上部電極１６０、フレーム層１８０、及び密度低減層３９０上に形成する。
以下、図面を参照して、本発明の第３実施形態による弾性波フィルタ装置について説明する。
図８は本発明の第３実施形態による弾性波フィルタ装置を示す概略断面図である。
図８を参照すると、本発明の第３実施形態による弾性波フィルタ装置５００は、一例として、エアギャップＳ、基板５１０、エアギャップ形成層５２０、第１保護層５３０、下部電極５４０、圧電体層５５０、上部電極５６０、電極層５７０、フレーム層５８０、密度低減層５９０、パッシベーション層６００、及び金属パッド６１０を含んで構成することができる。
基板５１０は、シリコンが積層された基板であってもよい。例えば、シリコンウェハ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｗａｆｅｒ）を基板として用いることができる。一方、基板５１０の上面に、シリコンを保護するための保護層５１２を形成することができる。すなわち、後述の犠牲層（図示せず）の除去工程時に、基板５１０のエッチングを防止するために、基板５１０の上面に保護層５１２を形成する。
エアギャップ形成層５２０は基板５１０上に形成され、エアギャップ形成層５２０のそれぞれのテーパ面の間の空間により形成される溝部がエアギャップ形成層５２０に形成されることができる。ここで、溝部は、エアギャップ形成層５２０においてテーパの生成を通じて形成されることができる。例えば、エアギャップ形成層５２０の溝部に犠牲層を形成し、第１保護層５３０を溝部上に形成した後、犠牲層を、例えば、エッチングによって除去すると、エアギャップＳが形成されることができる。
このように、エアギャップ形成層５２０にエアギャップＳが形成されるため、エアギャップ形成層５２０の上部に形成される他の構成が平らな形状に形成されることができる。同様に、第１保護層５３０は平らな形状を有することができる。これにより、第１保護層５３０上に形成される他の構成も平らな形状を有することができる。
第１保護層５３０は、エアギャップ形成層５２０及びエアギャップＳ上に形成する。すなわち、第１保護層５３０は、犠牲層を覆うようにエアギャップ形成層５２０上に形成する。その後、犠牲層が除去されると、第１保護層５３０の下部にエアギャップＳが形成される。
一例として、第１保護層５３０は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）または酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含有する材料からなることができる。一方、第１保護層５３０は、犠牲層の除去工程時に、下部電極５４０の下端部のエッチングを防止する役割も果たす。
下部電極５４０は第１保護層５３０上に形成する。一例として、下部電極５４０は、モリブデン（Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ：Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ：Ｒｕ）、タングステン（Ｔｕｎｇｓｔｅｎ：Ｗ）、イリジウム（Ｉｒｉｄｉｕｍ：Ｉｒ）、プラチナ（Ｐｌａｔｉｎｕｍ：Ｐｔ）などのような導電性材料、またはその合金を用いて形成することができる。
また、下部電極５４０は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号などの電気信号を注入する入力電極及び出力電極のいずれかとして用いることができる。例えば、下部電極５４０が入力電極である場合、上部電極５６０は出力電極であることができ、下部電極５４０が出力電極である場合、上部電極５６０は入力電極であることができる。
圧電体層５５０は、下部電極５４０の少なくとも一部を覆うように形成する。また、圧電体層５５０は、下部電極５４０または上部電極５６０から入力される電気信号を弾性波（Ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ）に変換する役割を果たす。
例えば、上部電極５６０に、時間の経過に伴って変化する電界が誘導されると、電体層５５０は、上部電極５６０に入力された電気信号を活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）において弾性波（Ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ）として現れる物理的振動に変換することができる。よって、時間の経過に伴う上部電極５６０への電界変化は、圧電体層５５０により、主に厚さ方向（図示された垂直方向）の縦方向の弾性波（Ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ）として誘導されるものと考えられることができる。下部電極５４０と圧電体層５５０との間の変化において、弾性波（Ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ）は圧電体層５５０により下部電極５４０に対応する電界変化に変換される。ここで、圧電体層５５０は、誘導された電界により圧電体層５５０の厚さ方向において縦方向の体積弾性波を発生させる。
この際、圧電体層５５０は、下部電極５４０の上部に窒化アルミニウム（Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｎｉｔｒｉｄｅ）、酸化亜鉛（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、またはジルコンチタン酸鉛（Ｌｅａｄ Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ Ｔｉｔａｎａｔｅ）を蒸着することで形成することができる。
上部電極５６０は、圧電体層５５０の少なくとも一部を覆うように形成する。一例として、上部電極５６０は、圧電体層５５０を覆う電極層５７０と、電極層５７０上に形成されるフレーム層５８０と、を備えることができる。
一方、フレーム層５８０の厚さは、電極層５７０の厚さよりも厚く形成することができる。また、図８に示すように構成された単一のフレーム層５８０だけで構成することができ、弾性波フィルタを囲むバンド状であってもよい。例えば、各フレーム層５８０は、フレーム層５８０と直交して整列された電極層の対応部分よりも厚い厚さを有することができる。換言すると、弾性波フィルタ装置５００の製造工程中に、少なくともフレーム層５８０の一部分及び電極層５７０の一部分がともに外部に露出するようにフレーム層５８０は弾性波フィルタ装置５００の一部分を構成する。
一例として、フレーム層５８０は、電極層５７０と同一の材料からなることができる。但し、これに限定されず、フレーム層５８０は、異なる材料からなってもよい。
フレーム層５８０は、共振時に発生する側波（Ｌａｔｅｒａｌ Ｗａｖｅ）を共振領域の内部に反射させて共振エネルギーを共振領域に閉じ込める役割を果たす。換言すると、電極層５７０の外側にフレーム層５８０を形成して、共振領域で発生した振動が活性領域の外側に抜け出ることを防止する役割を果たす。また、フレーム層５８０は、弾性波フィルタ装置１００の品質係数（Ｑ ｆａｃｔｏｒ）を増加させることができる。
一例として、上部電極５６０は、モリブデン（Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ：Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ：Ｒｕ）、タングステン（Ｔｕｎｇｓｔｅｎ：Ｗ）、イリジウム（Ｉｒｉｄｉｕｍ：Ｉｒ）、プラチナ（Ｐｌａｔｉｎｕｍ：Ｐｔ）のいずれかであるか、またはモリブデン（Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ：Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ：Ｒｕ）、タングステン（Ｔｕｎｇｓｔｅｎ：Ｗ）、イリジウム（Ｉｒｉｄｉｕｍ：Ｉｒ）、プラチナ（Ｐｌａｔｉｎｕｍ：Ｐｔ）のうち少なくとも二つの合金材料からなることができる。
一方、上部電極５６０には、圧電体層５５０の変形時にともに変形して振動する活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）の中央部を除いた領域に配置され、酸化物からなる密度低減層５９０が備えられることができる。密度低減層５９０は酸化によって形成されることができる。
例えば、密度低減層５９０は、上部電極５６０の選択酸化により形成されることができ、図８に示すように構成された単一の密度低減層５９０であってもよく、弾性波フィルタ装置５００をバンド化する。例えば、密度低減層５９０は、フレーム層１８０の周り、例えば、活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）の中心（すなわち、横方向の中心）に向かう方向においてフレーム層５８０を超えて配置され、活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）の中央部を除いた領域に配置される上部電極５７０の一部分に形成されることができる。例えば、上部から見たとき、弾性波フィルタ装置５００は、円形、楕円形、長方形または不規則な形状を有することができ、例えば、活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）の中心に中心を置くことができる。フレーム層５８０は、活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）の円周に沿ってバンド状のように形成してもよく、活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）の円周内に、同様に他のバンド状に形成される密度低減層５９０を有するように形成してもよい。
但し、密度低減層５９０を形成する方法は、上述の方式に限定されず、電極層５７０に酸化物からなる密度低減層５９０を積層して形成することもできる。
一方、密度低減層５９０は、一例として、上部電極５６０がモリブデン（Ｍｏ）材料からなる場合、二酸化モリブデン（ＭｏＯ２）や三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）などの酸化膜からなることができる。
また、密度低減層５９０の密度は、上部電極５６０の残りの部分の密度または密度低減層５９０に直交して整列された上部電極５７０の残りの部分に対して約３分の１レベルであることができる。さらに、一例として、密度低減層５９０は酸化条件に応じて数ｎｍ～数十ｎｍの深さを有するように形成することができる。
このように、密度低減層５９０は、活性領域（Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）において水平波（ｌａｔｅｒａｌ ｗａｖｅ）の励起（ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ）により起因する寄生共振を抑制するように作用することができる。例えば、密度低減層５９０の全体の厚さは、活性領域に直交して整列された残りの部分、例えば、密度低減層５９０の下部に直交して整列される活性領域の部分または単に密度低減層５９０を除いた活性領域の全体の厚さよりも薄ければよい。よって、密度低減層５９０に対応する弾性波フィルタ装置５００の直交する領域において密度低減層５９０の全体の厚さが活性領域の残りの部分または密度低減層５９０と直交して整列される弾性波フィルタ装置５００の厚さよりも薄く形成されるため、エネルギーが水平波を励起させることを抑制することで、縦方向の波の変位サイズまたは振幅を密度低減層５９０がない場合と比較して急激に変化させることができる。例えば、活性領域から遠くなるにつれて幾何級数的に減少できる縦方向の波の自然な減少エネルギー分布をフレーム層５８０と直交して整列された領域に及ぶ前にさらに急激に減少させることができる。また、縦方向の波の変位サイズを調整することにより、縦方向の波が活性領域の大部分にわたって均一な形状を有するようにすることができる。
これにより、密度低減層５９０、及び活性領域の内部からフレーム層５８０までの距離による縦方向の波の変位量の変化を誘導することにより、寄生共振を抑制することができる。よって、密度低減層５９０により、共振周波数よりも低い周波数における縦方向の振動または波からの寄生共振の発生が抑制される。
パッシベーション層（Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）６００は、フレーム層５８０及び電極層５７０を覆うように形成する。一方、パッシベーション層６００は、工程中のフレーム層５８０及び電極層５７０が損傷することを防止する役割を果たす。さらに、最終の工程では、周波数を調節するために、エッチングしてパッシベーション層６００の厚さを調節することができる。
また、パッシベーション層６００は、金属パッド６１０が形成される領域を除いた他のすべての領域に形成してもよい。
金属パッド６１０は、下部電極５４０及び上部電極５６０と電気的に接続されるように形成する。
上述のとおり、密度低減層５９０により水平波または水平方向の振動の寄生共振を抑制することができる。これにより、非定形なノイズ（Ｓｐｕｒｉｏｕｓ Ｎｏｉｓｅ）を改善し、弾性波フィルタ装置の通過帯域内において均一で低い挿入損失（Ｉｎｓｅｒｔｉｏｎ Ｌｏｓｓ）の特性を確保することができる。
一方、本発明の第１実施形態による弾性波フィルタ装置１００は、携帯通信機器のフロントエンドモジュール（Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）のためのＲＦフィルタとして用いることができる。すなわち、複数の共振器を信号入力端と出力端の間に直列接続し、直列接続された共振器と接地の間に複数の共振器を並列接続することでＲＦフィルタに構成することができる。
このような場合、水平波共振によるノイズを抑制し、通過帯域（ｐａｓｓ ｂａｎｄ）の全領域にわたって均一な信号入力特性を示すことができる。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で様々な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有するものには明らかである。
１００、３００、５００ 弾性波フィルタ装置
１１０、５１０ 基板
１２０ 第１層
１３０ 第２層
１４０ 下部電極
１５０ 圧電体層
１６０ 上部電極
１７０ 電極層
１８０ フレーム層
１９０、３９０、５９０ 密度低減層
２００、６００ パッシベーション層
２１０、６１０ 金属パッド
２２０ 犠牲層

Claims (23)

  1. 基板と、
    前記基板上の下部電極と、
    前記下部電極の少なくとも一部を覆う圧電体層と、
    前記圧電体層の少なくとも一部を覆う上部電極と、を含み、
    前記上部電極は、前記圧電体層の活性化中に、前記圧電体層とともに変形し振動する共振領域の中央部を除いた前記上部電極の少なくとも一部分に配置される密度低減層を有し、
    前記密度低減層は、前記上部電極の他の部分の密度よりも低い密度を有し、
    前記密度低減層は酸化物からなり、
    前記上部電極は伝導体を含み、
    前記密度低減層は前記上部電極の伝導体の選択酸化の結果物である、弾性波フィルタ装置。
  2. 前記上部電極は、前記圧電体層を覆う電極層と、前記電極層上に積層されるフレーム層と、を含み、
    前記密度低減層は、前記共振領域に対応する電極層の内部領域とフレーム層の間に形成される、請求項１に記載の弾性波フィルタ装置。
  3. 前記電極層の一部分に形成された前記密度低減層は、フレーム層の内周面内部及び前記電極層の内部領域の外周にバンド状を有する、請求項２に記載の弾性波フィルタ装置。
  4. 前記フレーム層は、前記電極層の厚さよりも厚い厚さを有する、請求項２または３に記載の弾性波フィルタ装置。
  5. 前記上部電極は、前記圧電体層を覆う電極層と、前記電極層上に積層されるフレーム層と、を含み、
    前記密度低減層は、前記フレーム層、及び前記フレーム層と前記電極層の内部領域の間に形成される、請求項１に記載の弾性波フィルタ装置。
  6. 基板と、
    前記基板上の下部電極と、
    前記下部電極の少なくとも一部を覆う圧電体層と、
    前記圧電体層の少なくとも一部を覆う上部電極と、を含み、
    前記上部電極は、前記圧電体層の活性化中に、前記圧電体層とともに変形し振動する共振領域の中央部を除いた前記上部電極の少なくとも一部分に配置される密度低減層を有し、
    前記密度低減層は、前記上部電極の他の部分の密度よりも低い密度を有し、
    前記上部電極は、前記圧電体層を覆う電極層と、前記電極層上に積層されるフレーム層と、を含み、
    前記密度低減層は、前記フレーム層、及び前記フレーム層と前記共振領域に対応する前記電極層の内部領域の間に形成される、弾性波フィルタ装置。
  7. 前記フレーム層は、内部領域の円周の外部にバンド状を有する、請求項２に記載の弾性波フィルタ装置。
  8. 前記基板とともにエアギャップが形成される第１層と、下部電極の下部のエアギャップ上に配置されるように前記第１層上に形成される第２層と、をさらに含む、請求項１から７いずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。
  9. 前記上部電極上に形成される第１金属パッド、及び前記下部電極上に形成される第２金属パッドと、
    前記第１金属パッド及び前記第２金属パッドが形成された弾性波フィルタ装置の一部分を除いた前記弾性波フィルタ装置の全体の領域に形成されるパッシベーション層（Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）と、をさらに含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。
  10. 前記上部電極は、モリブデン（Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ：Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ：Ｒｕ）、タングステン（Ｔｕｎｇｓｔｅｎ：Ｗ）、イリジウム（Ｉｒｉｄｉｕｍ：Ｉｒ）、プラチナ（Ｐｌａｔｉｎｕｍ：Ｐｔ）のいずれかであるか、またはモリブデン（Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ：Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ：Ｒｕ）、タングステン（Ｔｕｎｇｓｔｅｎ：Ｗ）、イリジウム（Ｉｒｉｄｉｕｍ：Ｉｒ）、プラチナ（Ｐｌａｔｉｎｕｍ：Ｐｔ）のうち少なくとも二つの合金材料からなる、請求項１から９のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。
  11. 前記基板上に形成され、内部にエアギャップを有するエアギャップ形成層と、
    前記エアギャップ形成層上に形成され、前記下部電極の下部に配置される第１保護層と、をさらに含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。
  12. 犠牲層、下部電極、圧電体層、及び上部電極を含む弾性波フィルタ装置の複数の層を形成する段階と、
    前記上部電極の中央部を除いた前記上部電極を露出させるようにフォトレジストを形成する段階と、
    前記フォトレジストにより外部に露出している前記上部電極の一部分を酸化させて密度低減層を形成する段階と、
    前記フォトレジストを除去する段階と、を含む、弾性波フィルタ装置の製造方法。
  13. 前記上部電極を形成する段階は、
    圧電体層を覆う電極層を形成し、前記電極層上に積層されるフレーム層を形成し、
    前記密度低減層は、前記フレーム層と前記電極層の内部領域の間に配置される電極層の選択された部分に形成する、請求項１２に記載の弾性波フィルタ装置の製造方法。
  14. 前記上部電極を形成する段階は、
    圧電体層を覆う電極層を形成し、前記電極層上に積層されるフレーム層を形成し、
    前記密度低減層は、前記フレーム層、及び前記フレーム層と前記電極層の内部領域の間に配置される電極層の選択された部分に形成する、請求項１２または１３に記載の弾性波フィルタ装置の製造方法。
  15. 前記上部電極は、モリブデン（Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ：Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ：Ｒｕ）、タングステン（Ｔｕｎｇｓｔｅｎ：Ｗ）、イリジウム（Ｉｒｉｄｉｕｍ：Ｉｒ）、プラチナ（Ｐｌａｔｉｎｕｍ：Ｐｔ）のいずれかであるか、またはモリブデン（Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ：Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ：Ｒｕ）、タングステン（Ｔｕｎｇｓｔｅｎ：Ｗ）、イリジウム（Ｉｒｉｄｉｕｍ：Ｉｒ）、プラチナ（Ｐｌａｔｉｎｕｍ：Ｐｔ）のうち少なくとも二つの合金材料からなる、請求項１２から１４のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置の製造方法。
  16. 前記密度低減層を形成する段階は、前記上部電極の一部分に伝導体を酸化させるアッシング（Ａｓｈｉｎｇ）工程を行う段階を含む、請求項１２から１５のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置の製造方法。
  17. キャビティを支持するか含む基板と、
    前記キャビティ上部の第１電極と、
    前記キャビティ上部の圧電体層と、
    前記キャビティ上部の第２電極と、
    前記第１電極の少なくとも一部分、前記圧電体層の少なくとも一部分、及び前記第２電極の少なくとも一部分に現れる共振領域の外部円周の前記第１電極上部のフレームと、
    前記フレームの内周内側及び共振領域の内部領域の外部の前記第１電極上の、前記第１電極よりも密度が低い低密度部材と、を含み、
    前記フレーム及び前記低密度部材は、共振領域において生成される縦方向の共振よりも寄生共振を抑制するように構成され、
    前記低密度部材は前記第１電極の伝導体の酸化物である、弾性波フィルタ装置。
  18. 前記低密度部材は、共振領域において励起された水平波を抑制するように構成される、請求項１７に記載の弾性波フィルタ装置。
  19. 前記低密度部材は、第１電極から形成される、請求項１７または１８に記載の弾性波フィルタ装置。
  20. 前記圧電体層は窒化アルミニウムを含み、
    前記圧電体層は、スカンジウム（Ｓｃ）、エルビウム（Ｅｒ）、イットリウム（Ｙ）、及びランタン（Ｌａ）のうち少なくとも一つをさらに含む、請求項１７から１９のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。
  21. キャビティを支持するか含む基板と、
    前記キャビティ上部の第１電極と、
    前記キャビティ上部の圧電体層と、
    前記キャビティ上部の第２電極と、
    共振領域の内部領域の外部、前記第２電極の一部分、前記圧電体層の一部分、及び前記第１電極の少なくとも一部分に現れ、前記共振領域の円周に対して配列された前記第１電極上の、前記第１電極よりも密度が低い低密度部材と、を含み、
    前記低密度部材は、前記共振領域に励起される水平波を抑制するように構成され、
    前記低密度部材は、前記第１電極の伝導体の酸化物である、弾性波フィルタ装置。
  22. 前記低密度部材は、前記伝導体よりも低い密度を有する第１電極から形成される、請求項２１に記載の弾性波フィルタ装置。
  23. 前記キャビティは、前記基板の上部に形成されるように、基板上に形成されたギャップ形成層の一部分の間に形成される、請求項２１または２２に記載の弾性波フィルタ装置。
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