KR20160121351A - 체적 음향 공진기 및 이를 포함하는 필터 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 43
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
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- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02062—Details relating to the vibration mode
- H03H9/0207—Details relating to the vibration mode the vibration mode being harmonic
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1035—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by two sealing substrates sandwiching the piezoelectric layer of the BAW device
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/462—Microelectro-mechanical filters
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기는 기판, 상기 기판 상에 마련되어 에어 캐비티를 형성하는 멤브레인; 및 상기 멤브레인 상에 마련되고, 순차 적층되는 제1 전극, 압전층 및 제2 전극을 포함하는 공진부; 를 포함하고, 상기 에어 케비티는 단면은 단변, 상기 단변과 마주하는 장변 및 상기 단변과 상기 장변을 연결하는 두 개의 측변을 가지고, 상기 두 개의 측변은 경사지게 형성되고, 상기 제1 전극, 상기 압전층 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나의 표면 거칠기는 1nm 초과 100nm 미만일 수 있다.
Description
본 발명은 체적 음향 공진기 및 이를 포함하는 필터에 관한 것이다.
최근 이동통신기기, 화학 및 바이오기기 등의 급속한 발달에 따라, 이러한 기기에서 사용되는 소형 경량필터, 오실레이터(Oscillator), 공진소자(Resonant element), 음향공진 질량센서(Acoustic Resonant Mass Sensor) 등의 수요도 증대하고 있다.
이러한 소형 경량필터, 오실레이터, 공진소자, 음향공진 질량센서 등을 구현하는 수단으로는 박막 체적 음향 공진기(Film Bulk Acoustic Resonator: 이하 "FBAR"이라 함)가 알려져 있다. FBAR은 최소한의 비용으로 대량 생산이 가능하며, 초소형으로 구현할 수 있다는 장점이 있다. 또한, 필터의 주요한 특성인 높은 품질 계수(Quality Factor: Q)값을 구현하는 것이 가능하고, 마이크로 주파수 대역에서도 사용이 가능하며, 특히 PCS(Personal Communication System)와 DCS(Digital Cordless System) 대역까지도 구현할 수 있다는 장점이 있다.
일반적으로, FBAR은 기판상에 제1 전극, 압전층(Piezoelectric layer) 및 제2 전극을 차례로 적층하여 구현되는 공진부를 포함하는 구조로 이루어진다.
FBAR의 동작원리를 살펴보면, 먼저 제1 및 2전극에 전기에너지를 인가하여 압전층 내에 전계를 유기시키면, 이 전계는 압전층의 압전 현상을 유발시켜 공진부가 소정 방향으로 진동하도록 한다. 그 결과, 진동방향과 동일한 방향으로 음향파(Bulk Acoustic Wave)가 발생하여 공진을 일으키게 된다.
본 발명의 과제는 기판에 적층되는 막 또는 층의 크랙 형성을 방지하고, 정상적인 결정 성장을 유도할 수 있는 체적 음향 공진기 및 이를 포함하는 필터를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기는 기판, 상기 기판 상에 마련되어 에어 캐비티를 형성하는 멤브레인; 및 상기 멤브레인 상에 마련되고, 순차 적층되는 제1 전극, 압전층 및 제2 전극을 포함하는 공진부; 를 포함하고, 상기 에어 케비티는 단면은 단변, 상기 단변과 마주하는 장변 및 상기 단변과 상기 장변을 연결하는 두 개의 측변을 가지고, 상기 두 개의 측변은 경사지게 형성되고, 상기 제1 전극, 상기 압전층 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나의 표면 거칠기는 1nm 초과 100nm 미만일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기 및 이를 포함하는 필터는 기판에 적층되는 막 또는 층의 크랙 형성을 방지하고, 정상적인 결정 성장을 유도할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1의 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 일부 확대도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 에어 캐비티의 형태를 설명하기 위하여 제공되는 도이다.
도 6 및 도 7는 본 발명의 일 실시예들에 따른 필터의 개략적인 회로도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1의 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 일부 확대도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 에어 캐비티의 형태를 설명하기 위하여 제공되는 도이다.
도 6 및 도 7는 본 발명의 일 실시예들에 따른 필터의 개략적인 회로도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타낸 단면도이고, 도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타낸 단면도이다.
먼저, 도 1을 참조하면, 본 발명의 체적 음향 공진기(100)는 박막 체적 음향 공진기(Film Bulk Acoustic Resonator: 이하 "FBAR"이라 함)일 수 있으며, 기판(110), 절연층(120), 에어 캐비티(112), 및 공진부(135)를 포함할 수 있다.
기판(110)은 통상의 실리콘 기판으로 구성될 수 있고, 기판(110)의 상면에는 기판(110)에 대해 공진부(135)를 전기적으로 격리시키는 절연층(120)이 마련될 수 있다. 절연층(120)은 이산화규소(SiO2)나 산화알루미늄(Al2O2)을 화학 기상 증착법(Chemical vapor deposition), RF 마그네트론 스퍼터링(RF Magnetron Sputtering)법, 또는 에바포레이션(Evaporation) 법으로 기판(110) 상에 증착하는 것에 의해 형성된다.
절연층(120)상에는 에어 캐비티(112)가 배치된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 에어 캐비티(112)는 대략 사다리꼴의 형상일 수 있다. 마주하는 두 변이 평행할 수 있고, 마주하는 두 변을 연결하는 다른 두 변은 소정의 각도를 가질 수 있다. 이 때, 상변 보다 하변의 길이가 길 수 있고, 사다리꼴 형상은 상변 및 하변의 중점을 기준으로 대칭일 수 있다.
절연층(120)과 에어 캐비티(112) 사이에는 식각 저지층(125)이 추가적으로 형성될 수 있다. 식각 저지층(125)은 식각 공정으로부터 기판(110) 및 절연층(120)을 보호하는 역할을 하고, 식각 저지층(125) 상에 다른 여러 층이 증착되는데 필요한 기단 역할을 할 수 있다.
에어 캐비티(112)는 정방향(평행하는 두 변 중 장변이 하측에 위치하는 방향)으로 배치될 수 있다. 에어 캐비티(112)는 공진부(135)가 소정 방향으로 진동할 수 있도록 공진부(135)의 하부에 위치한다. 에어 캐비티(112)는 절연층(120)상에 에어 캐비티 희생층 패턴을 형성한 다음 에어 캐비티 희생층 패턴 상에 멤브레인(130)을 형성한 후 에어 캐비티 희생층 패턴을 에칭하여 제거하는 공정에 의해 형성된다. 멤브레인(130)은 산화 보호막으로 기능하거나, 기판(110)을 보호하는 보호층으로 기능할 수 있다.
또한, 도 2를 참조하면, 에어 캐비티(112)는 역방향(평행하는 두 변 중 장변이 상측에 위치하는 방향)으로 배치될 수 있다. 에어 캐비티(112)는 기판(110)의 일부를 에칭하여 기판(110) 내로 매립되는 형태로 마련될 수 있다. 도 2의 체적 음향 공진기는 도 1의 체적 음향 공진기와 유사하므로 자세한 설명은 생략하도록 한다.
공진부(135)는 에어 캐비티(112)의 상부에 위치되도록 차례로 적층된 제1 전극(140), 압전층(150) 및 제2 전극(160)을 구비한다.
제1 전극(140)은 멤브레인(130)의 일부를 덮도록 멤브레인(130)의 상면에 형성된다. 제1 전극(140)은 금속과 같은 통상의 도전성 물질로 형성된다. 구체적으로, 제1전극(140)은 금(Au), 티탄(Ti), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 백금(Pt), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 또는 니켈(Ni)로 구성될 수 있다.
압전층(150)은 멤브레인(130)의 일부 및 제1 전극(140)의 일부를 덮도록 멤브레인(130) 및 제1 전극(140)의 상면에 형성된다. 압전층(150)은 전기적 에너지를 탄성파 형태의 기계적 에너지로 변환하는 압전효과를 일으키는 부분으로, 질화알루미늄(AlN), 산화아연(ZnO), 납 지르코늄 티타늄 산화물(PZT; PbZrTiO) 등으로 형성된다.
제2 전극(160)은 압전층(150) 상에 형성된다. 제2 전극(160)은 제1 전극(140)과 마찬가지로, 금(Au), 티탄(Ti), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 백금(Pt), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 또는 니켈(Ni)과 같은 도전성 물질로 형성된다.
공진부(135)는 활성 영역과 비활성 영역으로 구분된다. 공진부(135)의 활성영역은 제1 및 제2 전극(140, 160)에 RF(Radio Frequency) 신호와 같은 전기 에너지가 인가되어 압전층(150) 내에 전계가 유기될 때 압전 현상에 의해 소정 방향으로 진동하여 공진하는 영역으로, 에어 캐비티(112) 위쪽에서 제1 전극(140), 압전층(150) 및 제2 전극(160)이 모두 수직방향으로 중첩된 영역에 해당한다. 공진부(135)의 비활성영역은 제1 및 제2 전극(140, 160)에 전기에너지가 인가되더라도 압전 현상에 의해 공진하지 않는 영역으로, 활성 영역 외측의 영역에 해당한다.
이와 같이 구성된 공진부(135)는 상술한 압전층(150)의 압전(piezo electric) 효과를 이용하여 특정 주파수의 무선신호를 필터링한다.
공진부(135)는 제1 전극(140)과 제2 전극(160)에 인가되는 RF 신호에 따라 압전층(150)을 공진시켜 특정 공진 주파수 및 반공진 주파수를 가지는 음향파를 생성할 수 있다. 압전층(150)의 공진 현상은 인가된 RF 신호 파장의 1/2이 압전층(150)의 두께와 일치하는 경우 발생하는데, 공진 현상 발생시에 전기적 임피던스가 급격하게 변화므로, 본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기는 주파수를 선택할 수 있는 필터로 사용될 수 있다. 구체적으로, 공진부(135)는 압전층(150)에 발생하는 진동에 따른 일정한 공진 주파수를 가지므로, 입력된 RF 신호 중 공진부(135)의 공진 주파수와 일치하는 신호만이 출력되게 된다.
보호층(170)은 공진부(135)의 제2 전극(160)상에 배치되어, 제2 전극층(160)이 외부에 노출되어 산화되는 것을 방지할 수 있으며, 외부로 노출된 제1 전극(140) 및 제2 전극(160)에는 전기적 신호를 인가하기 위한 전극 패드(180)가 형성될 수 있다.
도 3은 도 1의 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 일부 확대도이다. 도 3(a)는 도 1의 영역 X의 확대도이고, 도 3(b)는 도 1의 영역 Y의 확대도이다.
에어 캐비티(112)는 대략 사다리꼴 형상으로 형성된다. 사다리꼴 형상에서, 마주하는 두 변 - 상변 및 하변 - 이 평행할 수 있고, 마주하는 두 변을 연결하는 다른 두 변 - 측변 - 은 소정의 각도를 가질 수 있다.
에어 캐비티(112)의 사다리꼴 형상의 측변의 형상, 측변과 상변 및 하변 중 적어도 하나가 이루는 각도에 의해 에어 캐비티(112)의 측변 부근에 적층되는 제1 전극(140), 압전층(150), 제2 전극(160) 및 메탈 패드(180)에 크랙(Crack)이 형성되는 현상이 발생한다. 이 외에도, 에어 캐비티(112)의 측변 부근에 적층되는 압전층(150)의 결정이 비정상적으로 성장될 수 있는데, 이로 인하여, 체적 음향 공진기의 삽입 손실(Insertion Loss) 특성 및 감쇄(Attenuation) 특성이 열화되는 문제점이 발생한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 에어 캐비티(112)의 단면의 측변의 형상과, 측변과 상변 및 하변 중 적어도 하나가 이루는 각도를 변경하여, 체적 음향 공진기의 삽입 손실 및 감쇄 특성을 개선할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 에어 캐비티(112)를 형성하기 위한 에어 캐비티 희생층 패턴의 표면 거칠기(Ra) 값을 1nm 초과 100nm 미만으로 설정하여, 에어 캐비티 희생층 패턴 상에 형성되는 멤브레인(130)의 크랙을 방지할 수 있다. 나아가, 멤브레인(130), 제1 전극(140), 압전층(150) 및 제2 전극(160)의 표면 거칠기(Ra) 값을 1nm 초과 100nm 미만으로 설정하여, 경사 부근에서 순차 적층되는 전극 또는 층의 크랙을 방지할 수 있다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 에어 캐비티의 형태를 설명하기 위하여 제공되는 도이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 에어 캐비티(112)의 단면의 측변의 형상과, 측변과 상변 및 하변 중 적어도 하나가 이루는 각도는 다양하게 변경될 수 있다.
에어 캐비티(112)의 사다리꼴 형상은 상변 및 하변의 중점을 기준으로 대칭이므로, 도 4 및 도 5에서는 두 개의 측변 중 우측의 측변만을 나타내었다.
후술할 본 발명의 일 실시예에 따른 에어 캐비티(112)의 형상은 도 1과 같은 체적 음향 공진기에 적용될 수 있을 뿐만 아니라, 도 2와 같은 체적 음향 공진기에 적용될 수 있다. 도 1의 체적 음향 공진기의 경우, 에어 캐비티(112)의 단면에 있어서, 장변(L)이 하변에 대응될 수 있고, 단변(S)이 상변에 대응될 수 있다. 도 2의 체적 음향 공진기의 경우 장변(L)이 상변에 대응될 수 있고, 단변(S)이 하변에 대응될 수 있다.
이 하, 설명의 편의상, 에어 캐비티(112)의 장변(L)이 하변에 대응되고 단변(S)이 상변에 대응되는 것을 가정하여 설명하도록 한다.
에어 캐비티(112)의 단면은 장변(L)과 단변(S) 및 장변(L)과 단변(S)을 연결하는 두 개의 측변을 포함하는데, 두 개의 측변 각각은 적어도 하나의 선분을 포함할 수 있다. 또한, 단변(S)과 측변이 만나는 제1 접점, 장변(L)과 측변이 만나는 제2 접점을 포함할 수 있다.
도 4(a) 내지 도 4(c)는 단변(S)과 측변의 관계에서 제1 접점의 각도 및 측변의 모양을 설명하기 위하여 제공되는 도이다.
도 4(a) 내지 도 4(c)를 참조하면, 에어 캐비티(112)의 측변은 적어도 하나의 선분으로 구성될 수 있다.
도 4(a)를 참조하면, 에어 캐비티(112)의 측변은 하나의 선분으로 구성될 수 있고, 제1 접점의 각도는 90도 미만 180도 초과일 수 있다.
도 4(b)를 참조하면, 에어 캐비티(112)의 측변은 적어도 두 개의 선분으로 구성되어 사다리꼴 형상의 측변은 대략 볼록할 수 있다. 이 때, 에어 캐비티(112)의 측변이 단변(S)과 순차적으로 연결되는 세 개의 선분 A, B 및 C로 구성되는 경우, 선분 A 및 선분 B가 이루는 각도는 90도 미만 180도 초과일 수 있다.
도 4(C)를 참조하면, 에어 캐비티(112)의 측변은 적어도 두 개의 선분으로 구성되어 사다리꼴 형상의 측변은 대략 오목할 수 있다. 이 때, 에어 캐비티(112)의 측변이 단변(S)과 순차적으로 연결되는 네 개의 선분 A, B, C 및 D로 구성되는 경우, 선분 A와 선분 B가 이루는 각도는 90도 미만 180도 초과일 수 있고, 선분 A의 연장선과 선분 C의 연장선이 이루는 각도는 90도 미만 180도 초과일 수 있다.
도 5(a) 내지 도 5(d)는 장변(L)과 측변의 관계에서 제2 접점의 각도 및 측변의 모양을 설명하기 위하여 제공되는 도이다.
도 5(a) 내지 도 5(d)를 참조하면, 에어 캐비티(112)의 측변은 적어도 하나의 선분으로 구성될 수 있다.
도 5(a)를 참조하면, 에어 캐비티(112)의 측변은 하나의 선분으로 구성될 수 있고, 제2 접점의 각도는 0도 미만 70도 초과일 수 있다.
도 5(b) 및 도 5(c)를 참조하면, 에어 캐비티(112)의 측변은 적어도 두 개의 선분으로 구성되어 사다리꼴 형상의 측변은 대략 볼록할 수 있다. 이 때, 에어 캐비티(112)의 측변이 장변(L)과 순차적으로 연결되는 두 개의 선분 A 및 B로 구성되는 경우, 장변(L)과 선분 A가 이루는 각도는 0도 미만 70도 초과일 수 있고, 장변(L)의 연장선과 선분 B의 연장선이 이루는 각도는 0도 미만 70도 초과일 수 있다.
도 5(d)를 참조하면, 에어 캐비티(112)의 측변은 적어도 두 개의 선분으로 구성되어 사다리꼴 형상의 측변은 대략 오목할 수 있다. 이 때, 에어 캐비티(112)의 측변이 장변(L)과 순차적으로 연결되는 네 개의 선분 A, B, C 및 D로 구성되는 경우, 장변(L)과 선분 A가 이루는 각도는 0도 미만 70도 초과일 수 있고, 장변(L)의 연장선과 선분 B의 연장선이 이루는 각도는 0도 미만 70도 초과일 수 있다.
도 6 및 도 7는 본 발명의 일 실시예들에 따른 필터의 개략적인 회로도이다.
도 6 및 도 7의 필터에 채용되는 복수의 체적 음향 공진기 각각은 도 1에 도시된 체적 음향 공진기에 대응한다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 필터(1000)는 래더 타입(ladder type)의 필터 구조로 형성될 수 있다. 구체적으로, 필터(1000)는 복수의 체적 음향 공진기(1100,1200)를 포함한다.
제1 체적 음향 공진기(1100)는 입력 신호(RFin)가 입력되는 신호 입력단과 출력 신호(RFout)가 출력되는 신호 출력단 사이에 직렬 연결될 수 있고, 제2 체적 음향 공진기(1200)는 상기 신호 출력단과 접지 사이에 연결된다.
도 7를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 필터(2000)는 래티스 타입(lattice type)의 필터 구조로 형성될 수 있다. 구체적으로, 필터(2000)는 복수의 체적 음향 공진기(2100,2200,2300,2400)를 포함하여, 밸런스드(balanced) 입력 신호(RFin+,RFin-)를 필터링하여 밸런스드 출력 신호(RFout+,RFout-)를 출력할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 에어 캐비티(112)의 측변의 경사의 형상 및 각도를 조절하여, 에어 캐비티(112) 측부로 적층되는 층 또는 막에 크랙이 형성되는 것을 방지하고, 비이상적인 방향으로 결정이 성장되는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 체적 음향 공진기의 삽입 손실(Insertion Loss) 특성 및 감쇄(Attenuation) 특성을 개선할 수 있다.
이상에서 본 발명이 구체적인 구성요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명이 상기 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형을 꾀할 수 있다.
따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등하게 또는 등가적으로 변형된 모든 것들은 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
110: 기판
112: 에어 캐비티
120: 절연층
130: 멤브레인
135: 공진부
140: 제1전극
150: 압전층
160: 제2 전극
170: 보호층
180: 전극패드
1000, 2000: 필터
1100, 1200, 2100, 2200, 2300, 2400: 체적 음향 공진기
112: 에어 캐비티
120: 절연층
130: 멤브레인
135: 공진부
140: 제1전극
150: 압전층
160: 제2 전극
170: 보호층
180: 전극패드
1000, 2000: 필터
1100, 1200, 2100, 2200, 2300, 2400: 체적 음향 공진기
Claims (15)
- 기판,
상기 기판 상에 마련되는 에어 캐비티; 및
상기 에어 캐비티 상에 마련되고, 순차 적층되는 제1 전극, 압전층 및 제2 전극을 포함하는 공진부; 를 포함하고,
상기 에어 캐비티는 단면은 단변, 상기 단변과 마주하는 장변 및 상기 단변과 상기 장변을 연결하는 두 개의 측변을 가지고, 상기 두 개의 측변은 경사지게 형성되고,
상기 제1 전극, 상기 압전층 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나의 표면 거칠기는 1nm 초과 100nm 미만인 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
상기 두 개의 측변 각각과 상기 단변이 이루는 각도는 90도 초과 180도 미만인 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
상기 두 개의 측변 각각과 상기 장변이 이루는 각도는 0도 초과 70도 미만인 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
상기 두 개의 측변 각각은 적어도 두 개의 선분으로 구성되는 체적 음향 공진기.
- 제4항에 있어서,
상기 적어도 두 개의 측변은 볼록한 형태인 체적 음향 공진기.
- 제5항에 있어서,
상기 적어도 두 개의 측변은 상기 단변과 순차적으로 연결되는 제1 선분, 제2 선분 및 제3 선분을 포함하고,
상기 제1 선분과 상기 제2 선분이 이루는 각도는 90도 초과 180도 미만인 체적 음향 공진기.
- 제5항에 있어서,
상기 적어도 두개의 측변은 상기 장변과 순차적으로 연결되는 제1 선분 및 제2 선분을 포함하고,
상기 장변과 상기 제1 선분이 이루는 각도는 0도 초과 70도 미만인 체적 음향 공진기. - 제5항에 있어서,
상기 적어도 두 개의 측변은 상기 장변과 순차적으로 연결되는 제1 선분 및 제2 선분을 포함하고,
상기 장변의 연장선과 상기 제2 선분의 연장선이 이루는 각도는 0도 초과 70도 미만인 체적 음향 공진기.
- 제4항에 있어서,
상기 적어도 두 개의 측변은 오목한 형태인 체적 음향 공진기.
- 제9항에 있어서,
상기 적어도 두 개의 측변은 상기 단변과 순차적으로 연결되는 제1 선분, 제2 선분, 제3 선분 및 제4 선분을 포함하고,
상기 제1 선분과 상기 제2 선분이 이루는 각도는 90도 초과 180도 미만인 체적 음향 공진기.
- 제9항에 있어서,
상기 적어도 두 개의 측변은 상기 단변과 순차적으로 연결되는 제1 선분, 제2 선분, 제3 선분 및 제4 선분을 포함하고,
상기 제1 선분의 연장선과 상기 제3 선분의 연장선이 이루는 각도는 90도 초과 180도 미만인 체적 음향 공진기.
- 제9항에 있어서,
상기 적어도 두 개의 측변은 상기 장변과 순차적으로 연결되는 제1 선분, 제2 선분, 제3 선분 및 제4 선분을 포함하고,
상기 장변과 상기 제1 선분이 이루는 각도는 0도 초과 70도 미만인 체적 음향 공진기.
- 제9항에 있어서,
상기 적어도 두 개의 측변은 상기 장변과 순차적으로 연결되는 제1 선분, 제2 선분, 제3 선분 및 제4 선분을 포함하고,
상기 장변의 연장선과 상기 제2 선분의 연장선이 이루는 각도는 0도 초과 70도 미만인 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
상기 장변 및 상기 단변은 상기 에어 캐비티의 상변 및 하변 중 서로 다른 변에 대응되는 체적 음향 공진기.
- 복수의 체적 음향 공진기를 포함하는 필터에 있어서,
상기 복수의 체적 음향 공진기 각각은,
기판,
상기 기판 상에 마련되어 에어 캐비티를 형성하는 멤브레인; 및
상기 멤브레인 상에 마련되고, 순차 적층되는 제1 전극, 압전층 및 제2 전극을 포함하는 공진부; 를 포함하고,
상기 에어 케비티는 단면은 단변, 상기 단변과 마주하는 장변 및 상기 단변과 상기 장변을 연결하는 두 개의 측변을 가지고, 상기 두 개의 측변은 경사지게 형성되고,
상기 제1 전극, 상기 압전층 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나의 표면 거칠기는 1nm 초과 100nm 미만인 필터.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610040724.8A CN106059524B (zh) | 2015-04-10 | 2016-01-21 | 体声波谐振器及包括该体声波谐振器的滤波器 |
| US15/007,725 US10069472B2 (en) | 2015-04-10 | 2016-01-27 | Bulk acoustic wave resonator and filter including the same |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150051129 | 2015-04-10 | ||
| KR20150051129 | 2015-04-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160121351A true KR20160121351A (ko) | 2016-10-19 |
| KR101901696B1 KR101901696B1 (ko) | 2018-09-28 |
Family
ID=57250868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150090654A KR101901696B1 (ko) | 2015-04-10 | 2015-06-25 | 체적 음향 공진기 및 이를 포함하는 필터 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101901696B1 (ko) |
| CN (1) | CN106059524B (ko) |
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| US10903814B2 (en) | 2016-11-30 | 2021-01-26 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonator |
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- 2015-06-25 KR KR1020150090654A patent/KR101901696B1/ko active IP Right Grant
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- 2016-01-21 CN CN201610040724.8A patent/CN106059524B/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101901696B1 (ko) | 2018-09-28 |
| CN106059524B (zh) | 2019-10-15 |
| CN106059524A (zh) | 2016-10-26 |
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|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
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