KR20180046843A - 체적 음향 공진기 및 이의 제조방법 - Google Patents

체적 음향 공진기 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20180046843A
KR20180046843A KR1020170036662A KR20170036662A KR20180046843A KR 20180046843 A KR20180046843 A KR 20180046843A KR 1020170036662 A KR1020170036662 A KR 1020170036662A KR 20170036662 A KR20170036662 A KR 20170036662A KR 20180046843 A KR20180046843 A KR 20180046843A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
forming
substrate
membrane
resonator
Prior art date
Application number
KR1020170036662A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102105386B1 (ko
Inventor
경제홍
손진숙
이화선
이상현
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to US15/704,225 priority Critical patent/US10715099B2/en
Priority to CN201710999415.8A priority patent/CN108023560B/zh
Publication of KR20180046843A publication Critical patent/KR20180046843A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102105386B1 publication Critical patent/KR102105386B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02614—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

기판 보호층이 상면에 형성되는 기판과, 상기 기판과 함께 캐비티를 형성하는 멤브레인층 및 상기 멤브레인층 상에 형성되는 공진부를 포함하며, 상기 멤브레인층은 제1층과, 상기 제1층과 동일한 재질로 이루어지며 제1층보다 밀도가 큰 제2층을 구비하는 체적 음향 공진기가 개시된다.

Description

체적 음향 공진기 및 이의 제조방법{Bulk-acoustic wave resonator and method for manufacturing the same}
본 발명은 체적 음향 공진기 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
체적 음향 공진기 소자(BAW, Bulk-Acoustic Wave resonator)에 있어, 압전 박막의 결정특성은 다양한 체적 음향 공진 성능 항목에 지배적인 영향을 미친다. 따라서, 압전 박막의 결정 특성을 향상시킬 수 있는 다양한 방법이 현재 고안 중에 있다.
그 중 가장 일반적인 방법은 압전층인 질화알루미늄(AlN)의 증착 공정을 최적화하여 결정특성을 향상시키는 것인데, 이는 증착 공정의 특성 상 개선에 한계가 존재한다. 일예로서, 통상 질화알루미늄(AlN) 등과 같은 압전 박막의 결정특성을 향상시킬 수 있는 방법으로 압전층 증착 공정의 최적화나 하부층인 전극 및 시드(seed)층의 종류나 증착 공정의 개선을 통해 결정성을 확보하는 방법이 있다.
또한, 질화알루미늄(AlN)의 하부층인 전극박막의 결정성을 향상시켜 압전층의 결정특성을 개선하는 방법을 사용하는데, 전극 박막 또한 증착 공정의 최적화만으로는 결정성 개선에 한계가 있다.
결국, 체적 음향 공진 성능을 향상시킬 수 있는 압전 박막의 결정 특성을 향상시킬 수 있는 구조 및 제조방법의 개발이 필요한 실정이다.
일본 등록특허공보 제4044545호
공진 특성을 향상시킬 수 있는 체적 음향 공진기 및 이의 제조방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기는 기판 보호층이 상면에 형성되는 기판과, 상기 기판과 함께 캐비티를 형성하는 멤브레인층 및 상기 멤브레인층 상에 형성되는 공진부를 포함하며, 상기 멤브레인층은 제1층과, 상기 제1층과 동일한 재질로 이루어지며 제1층보다 밀도가 큰 제2층을 구비할 수 있다.
공진 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기를의 효과를 설명하기 위한 그래프이다.
도 5 내지 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 제조방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기(100)는 일예로서, 기판(110), 멤브레인층(120), 공진기(130), 페시베이션층(170) 및 금속패드(180)를 포함하여 구성될 수 있다.
기판(110)은 실리콘이 적층된 기판일 수 있다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)가 기판으로 이용될 수 있다. 한편, 기판(110)에는 캐비티(Cavity, C)에 대향 배치되는 기판 보호층(112)이 구비될 수 있다.
기판 보호층(112)은 캐비티(C)의 형성 시 손상을 방지하는 역할을 수행한다.
일예로서, 기판 보호층(112)은 질화실리콘(Si3N4) 또는 산화실리콘(SiO2)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다.
멤브레인층(120)은 기판(110)과 함께 캐비티(C)를 형성한다. 멤브레인층(120)은 후술할 희생층(190, 도 6 참조)의 상부에 형성되며, 희생층(190)의 제거에 의해 멤브레인층(120)은 기판 보호층(112)과 함께 캐비티(C)를 형성한다. 한편, 멤브레인층(120)은 실리콘 계열의 희생층(190)을 제거하기 위한 불소(F), 염소(Cl) 등의 할라이드계의 에칭가스와 반응성이 낮은 재질로 이루어질 수 있다.
일예로서, 멤브레인층(120)은 질화실리콘(Si3N4) 또는 산화실리콘(SiO2)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다.
멤브레인층(120)은 제1층(122)과, 제1층(122)과 동일한 재질로 이루어지며 제1층(122)보다 밀도가 큰 제2층(124)을 구비한다. 또한, 제1층(122)의 두께가 제2층(124)의 두께보다 두껍게 형성될 수 있다. 다시 말해, 제2층(124)은 제1층(122)의 상부에 배치되며, 표면처리에 의해 제1층(122)이 제2층(124)으로 변형될 수 있다.
일예로서, 제2층(124)은 소프트 에칭(Soft etch) 공정에 의해 형성된다. 즉, 공진부(130)의 형성 전 멤브레인층(120)에 소프트 에칭 공정을 수행하여 제2층(124)을 형성한다.
소프트 에칭 공정은 플라즈마(plasma) 상태에서 전원(RF-bias)을 기판(110)에 인가하여 아르곤 입자(Ar+)가 멤브레인층(120) 표면에 충돌되도록 함으로써 수행된다. 이에 따라, 멤브레인층(120)의 상부에 제2층(124)이 형성되는 것이다.
공진부(130)는 멤브레인층(120) 상에 형성된다. 일예로서, 공진부(130)는 하부전극(140), 압전체층(150) 및 상부전극(160)을 포함하여 구성될 수 있다.
하부전극(140)은 멤브레인층(120) 상에 형성된다. 보다 상세하게는 하부전극(140)은 일부분이 캐비티(C)의 상부에 배치되도록 멤브레인층(120)에 형성된다.
일예로서, 하부전극(140)은 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt) 등과 같이 전도성 재질, 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다.
또한, 하부전극(140)은 RF(Radio Frequency) 신호 등의 전기적 신호를 주입하는 입력 전극 및 출력 전극 중 어느 하나로 이용될 수 있다. 예를 들어, 하부전극(140)이 입력 전극인 경우 상부전극(160)은 출력 전극일 수 있으며, 하부전극(140)이 출력 전극인 경우 상부전극(160)은 입력 전극일 수 있다.
압전체층(150)은 하부전극(140)의 적어도 일부를 덮도록 형성된다. 그리고, 압전체층(150)은 하부전극(140) 또는 상부전극(160)을 통해 입력되는 신호를 탄성파로 변환하는 역할을 수행한다. 즉, 압전체층(150)은 전기적 신호를 물리적 진동에 의한 탄성파로 변환하는 역할을 수행한다.
일예로서, 압전체층(150)은 알루미늄 질화물(Aluminum Nitride), 도핑 알루미늄 질화물(Doped Aluminum Nitride), 산화아연(Zinc Oxide) 또는 지르콘 티탄산 납(Lead Zirconate Titanate)을 증착함에 따라 형성될 수 있다.
또한, 질화알루미늄 (AlN) 압전층(150)은 희토류 금속(Rare earth metal)을 더 포함할 수 있다. 일 예로, 희토류 금속은 스칸듐(Sc), 에르븀(Er), 이트륨(Y), 및 란탄(La) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그리고 질화알루미늄 (AlN) 압전층 (140)은 전이 금속(transition metal)을 더 포함할 수도 있다. 일 예로, 전이 금속은 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 마그네슘(Mg), 하프늄(Hf) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상부전극(160)은 압전체층(150)을 덮도록 형성되며, 하부전극(140)과 같이 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt) 등과 같이 전도성 재질, 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다.
한편, 상부전극(160)에는 프레임부(162)가 구비될 수 있다. 프레임부(162)는 상부전극(160)의 나머지 부분보다 두꺼운 두께를 가지는 상부전극(160)의 일부분을 말한다. 또한, 프레임부(162)는 활성 영역(S)의 중앙부를 제외한 영역에 배치되도록 상부전극(160)에 구비될 수 있다.
그리고, 프레임부(162)는 공진 시 발생되는 측면파(Lateral Wave)를 활성 영역(S) 내부로 반사시켜 공진 에너지를 활성 영역(S)에 가두어 두는 역할을 수행한다. 다시 말해, 프레임부(162)는 활성 영역(S)의 가장자리에 배치되도록 형성되어 활성 영역(S)으로부터 진동이 외부로 빠져나가는 것을 방지하는 역할을 수행한다.
여기서, 활성 영역(S)을 정의하면, 활성 영역(S)이라 함은, 하부전극(140), 압전체층(150), 상부전극(160)의 세 개의 층 모두가 적층된 영역을 말한다.
페시베이션층(170)은 하부전극(140)과 상부전극(160)의 일부분을 제외한 영역에 형성된다. 한편, 페시베이션층(170)은 공정 중 상부전극(160) 및 하부전극(140)이 손상되는 것을 방지하는 역할을 수행한다.
나아가, 페시베이션층(170)은 최종 공정에서 주파수 조절을 위해 식각에 의해 페시베이션층(170)의 두께가 조절될 수 있다. 패시베이션층(170)은 일예로, 산화망간(MgO), 산화지르코늄(ZrO2), 질화알루미늄(AlN), 티탄산 리르콘산 연(PZT), 갈륨비소(GaAs), 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO) 중 어느 하나의 재질을 함유하는 유전체층(Dielectric layer)이 사용될 수 있다.
금속패드(180)는 하부전극(140)과 상부전극(160)의 상기한 페시베이션층(170)이 형성되지 않은 일부분에 형성된다. 일예로서, 금속패드(180)는 금(Au), 금-주석(Au-Sn) 합금, 구리(Cu), 구리-주석(Cu-Sn) 합금 등의 재질로 이루어질 수 있다.
상기한 바와 같이, 멤브레인층(120)이 제1층(122)과 제2층(124)으로 이루어지므로, 제2층(124)의 상부에 배치되도록 형성되는 압전체층(150)의 결정성이 향상될 수 있다.
이에 따라, 도 2 내지 4에 도시된 바와 같이 종래의 체적 음향 공진기와 비교하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기(100)의 성능들(kt2, IL, Attenuation)이 향상됨을 알 수 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 5 내지 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 제조방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
먼저, 도 5에 도시된 바와 같이 기판(110) 상에 희생층(190)을 형성한다. 희생층(190)은 기판(110)의 일부 영역에 형성되며, 희생층(190)의 가장자리에는 경사면이 형성된다.
이후, 도 6에 도시된 바와 같이 희생층(190)을 덮도록 멤브레인층(120)이 형성된다. 멤브레인층(120)은 질화실리콘(Si3N4) 또는 산화실리콘(SiO2)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다.
이후, 도 7에 도시된 바와 같이 소프트 에칭(Soft etch) 공정에 의해 멤브레인층(120)이 제1층(122)과 제2층(124)으로 구성되도록 한다. 소프트 에칭 공정은 플라즈마(plasma) 상태에서 전원(RF-bias)을 기판(110)에 인가하여 아르곤 입자(Ar+)가 멤브레인층(120) 표면에 충돌되도록 함으로써 수행된다. 이에 따라, 멤브레인층(120)의 상부에 제2층(124)이 형성되는 것이다.
이후, 도 8에 도시된 바와 같이 하부전극(140)이 멤브레인층(120) 상에 형성된다. 즉, 하부전극(140)은 멤브레인층(120)의 제2층(124) 상에 형성된다. 그리고, 하부전극(140)은 일부분이 희생층(190)의 상부에 배치되도록 멤브레인층(120) 상에 형성된다.
이후, 도 9에 도시된 바와 같이, 압전체층(150)이 형성된다. 압전체층(150)은 알루미늄 질화물(Aluminum Nitride), 도핑 알루미늄 질화물(Doped Aluminum Nitride), 산화아연(Zinc Oxide) 또는 지르콘 티탄산 납(Lead Zirconate Titanate)을 증착함에 따라 형성될 수 있다.
또한, 질화알루미늄 (AlN) 압전층(150)은 희토류 금속(Rare earth metal)을 더 포함할 수 있다. 일 예로, 희토류 금속은 스칸듐(Sc), 에르븀(Er), 이트륨(Y), 및 란탄(La) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그리고 질화알루미늄 (AlN) 압전층 (140)은 전이 금속(transition metal)을 더 포함할 수도 있다. 일 예로, 전이 금속은 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 마그네슘(Mg), 하프늄(Hf) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이후, 도 10에 도시된 바와 같이, 압전체층(150) 상에 상부전극(160)을 형성하고, 순차적으로 페시베이션층(170) 및 금속패드(180)를 형성한다.
이후, 도 11에 도시된 바와 같이, 희생층(190)을 제거하여 멤브레인층(120) 하부에 캐비티(C)를 형성한다.
상기한 바와 같이, 멤브레인층(120)이 제1층(122)과 제2층(124)으로 이루어지므로, 제2층(124)의 상부에 배치되도록 형성되는 압전체층(150)의 결정성이 향상될 수 있다.
이에 따라, 체적 음향 공진기(100)의 성능이 향상될 수 있다.
도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 체적 음향 공진기(200)는 일예로서, 기판(210), 캐비티 형성층(220), 멤브레인층(230), 공진부(240), 페시베이션층(280) 및 금속패드(290)를 포함하여 구성될 수 있다.
기판(210)은 실리콘이 적층된 기판일 수 있다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)가 기판으로 이용될 수 있다. 한편, 기판(210)의 상면에는 실리콘의 보호를 위한 기판 보호층(212)이 형성될 수 있다.
기판 보호층(212)은 캐비티(C)의 형성 시 손상을 방지하는 역할을 수행한다.
일예로서, 기판 보호층(112)은 질화실리콘(Si3N4) 또는 산화실리콘(SiO2)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다.
캐비티 형성층(220)은 기판(210) 상에 형성되고, 캐비티 형성층(220)의 캐비티 형성홈(222)과, 멤브레인층(230)에 의해 캐비티(Cavity,C)가 형성된다. 즉, 캐배티 형성층(220)의 캐비티 형성홈(222) 내에 희생층이 형성된 후 희생층이 제거됨으로써 캐비티(C)가 형성되는 것이다.
이와 같이, 캐비티 형성층(220)에 캐비티(C)가 형성되므로, 캐비티 형성층(220)의 상부에 형성되는 공진부(240), 예를 들어, 하부전극(250), 압전체층(260) 등이 플랫한 형상으로 형성될 수 있다.
한편, 캐비티 형성홈(222)의 가장자리에는 희생층의 제거 시 식각을 방지하기 위한 식각방지층(224)을 구비할 수 있다.
멤브레인층(230)은 기판(210)과 함께 캐비티(C)를 형성한다. 멤브레인층(230)은 희생층의 상부에 형성되며, 희생층의 제거에 의해 멤브레인층(230)은 기판 보호층(212)과 함께 캐비티(C)를 형성한다. 한편, 멤브레인층(220)은 실리콘 계열의 희생층을 제거하기 위한 불소(F), 염소(Cl) 등의 할라이드계의 에칭가스와 반응성이 낮은 재질로 이루어질 수 있다.
일예로서, 멤브레인층(230)은 질화실리콘(Si3N4) 또는 산화실리콘(SiO2)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다.
멤브레인층(230)은 제1층(232)과, 제1층(232)과 동일한 재질로 이루어지며 제1층(232)보다 밀도가 큰 제2층(234)을 구비한다. 또한, 제1층(232)의 두께가 제2층(234)의 두께보다 두껍게 형성될 수 있다. 다시 말해, 제2층(234)은 제1층(232)의 상부에 배치되며, 표면처리에 의해 제1층(232)이 제2층(234)으로 변형될 수 있다.
일예로서, 제2층(234)은 소프트 에칭(Soft etch) 공정에 의해 형성된다. 즉, 공진부(240)의 형성 전 멤브레인층(230)에 소프트 에칭 공정을 수행하여 제2층(234)을 형성한다.
소프트 에칭 공정은 플라즈마(plasma) 상태에서 전원(RF-bias)을 기판(210)에 인가하여 아르곤 입자(Ar+)가 멤브레인층(230) 표면에 충돌되도록 함으로써 수행된다. 이에 따라, 멤브레인층(230)의 상부에 제2층(234)이 형성되는 것이다.
공진부(240)는 멤브레인층(230) 상에 형성된다. 일예로서, 공진부(240)는 하부전극(250), 압전체층(260) 및 상부전극(270)을 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 공진부(240)의 구성들, 즉 하부전극(250), 압전체층(260) 및 상부전극(270)은 상기에서 설명한 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기(100)에서 설명한 하부전극(140), 압전체층(150) 및 상부전극(160)과 실질적으로 동일한 구성요소이므로 여기서는 자세한 설명을 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
그리고, 페시베이션층(280)과 금속패드(290)는 상기에서 설명한 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기(100)에서 설명한 페시베이션층(170) 및 금속패드(180)와 실질적으로 동일한 구성요소이므로 여기서는 자세한 설명을 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
상기한 바와 같이, 멤브레인층(120)이 제1층(122)과 제2층(124)으로 이루어지므로, 제2층(124)의 상부에 배치되도록 형성되는 압전체층(150)의 결정성이 향상될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
100, 200 : 체적 음향 공진기
110, 210 : 기판
120, 230 : 멤브레인층
130, 240 : 공진부
140, 250 : 하부전극
150, 260 : 압전체층
160, 270 : 상부전극
170, 280 : 페시베이션층
180, 290 : 금속패드

Claims (16)

  1. 기판 보호층이 상면에 형성되는 기판;
    상기 기판과 함께 캐비티를 형성하는 멤브레인층; 및
    상기 멤브레인층 상에 형성되는 공진부;
    를 포함하며,
    상기 멤브레인층은 제1층과, 상기 제1층과 동일한 재질로 이루어지며 제1층보다 밀도가 큰 제2층을 구비하는 체적 음향 공진기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 멤브레인층에 구비되는 제2층은 플라즈마 상태에서 기판에 전원(RF-bias)을 인가한 후 아르곤 입자를 제공하여 형성하는 체적 음향 공진기.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 멤브레인층은 질화실리콘 또는 산화실리콘을 함유하는 재질로 이루어지는 체적 음향 공진기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 공진부는
    상기 멤브레인층 상에 형성되는 하부전극;
    상기 하부전극의 적어도 일부분을 덮도록 형성되는 압전체층; 및
    상기 압전체층 상부에 배치되도록 형성되는 상부전극;
    을 구비하는 체적 음향 공진기.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 상부전극과 상기 하부전극의 일부분이 제외한 영역에 형성되는 페십이션층; 및
    상기 페시베이션층이 형성되지 않은 상기 상부전극과 상기 하부전극 상에 형성되는 금속패드;
    를 더 포함하는 체적 음향 공진기.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 상부전극에는 활성영역의 가장자리에 배치되는 프레임부를 구비하는 체적 음향 공진기.
  7. 기판 상에 희생층을 형성하는 단계;
    상기 희생층을 덮도록 멤브레인층을 형성하는 단계;
    상기 멤브레인층을 소프트 에칭(Soft etch) 공정에 의해 제1층과 제2층으로 구성되도록 형성하는 단계; 및
    상기 멤브레인층 상에 공진부를 형성하는 단계;
    를 포함하는 체적 음향 공진기의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2층은 상기 제1층보다 밀도가 큰 체적 음향 공진기의 제조방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제2층은 플라즈마 상태에서 기판에 전원(RF-bias)을 인가한 후 아르곤 입자를 제공하여 형성하는 체적 음향 공진기의 제조방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 공진부를 형성하는 단계는
    상기 멤브레인층 상에 하부전극을 형성하는 단계;
    상기 하부전극의 적어도 일부분을 덮도록 형성되는 압전체층을 형성하는 단계; 및
    상기 압전체층 상부에 배치되도록 형성되는 상부전극을 형성하는 단계;
    를 구비하는 체적 음향 공진기의 제조방법.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 멤브레인층은 질화실리콘 또는 산화실리콘을 함유하는 재질로 이루어지는 체적 음향 공진기의 제조방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 상부전극과 상기 하부전극의 일부분을 노출하도록 페시베이션층을 형성하는 단계; 및
    외부로 노출된 상부전극과 상기 하부전극 상에 금속패드를 형성하는 단계;
    를 더 포함하는 체적 음향 공진기의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 희생층은 실리콘 계열의 재질로 이루어지며,
    상기 희생층은 할라이드계의 에칭 가스에 의해 제거되어 캐비티를 형성하는 체적 음향 공진기의 제조방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 상부전극을 형성하는 단계는 활성영역의 가장자리에 배치되도록 프레임부를 형성하는 단계를 구비하는 체적 음향 공진기의 제조방법.
  15. 제7항에 있어서,
    상기 제2층은 상기 제1층의 두께보다 얇은 체적 음향 공진기의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제2층의 표면조도는 상기 제1층의 표면조도보다 낮은 체적 음향 공진기의 제조방법.
KR1020170036662A 2016-10-28 2017-03-23 체적 음향 공진기 및 이의 제조방법 KR102105386B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/704,225 US10715099B2 (en) 2016-10-28 2017-09-14 Bulk acoustic wave resonator and method for manufacturing the same
CN201710999415.8A CN108023560B (zh) 2016-10-28 2017-10-24 体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160142331 2016-10-28
KR20160142331 2016-10-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180046843A true KR20180046843A (ko) 2018-05-09
KR102105386B1 KR102105386B1 (ko) 2020-04-29

Family

ID=62200877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170036662A KR102105386B1 (ko) 2016-10-28 2017-03-23 체적 음향 공진기 및 이의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102105386B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200011170A (ko) * 2018-07-24 2020-02-03 삼성전기주식회사 탄성파 필터 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040084478A (ko) * 2003-03-28 2004-10-06 김수길 고주파용 박막 체적 탄성파 공진기 소자 및 그 제조 방법
JP4044545B2 (ja) 2003-09-09 2008-02-06 三星電子株式会社 薄膜共振器と薄膜共振器の製造方法及び薄膜共振器を備えたフィルタ
KR20160121351A (ko) * 2015-04-10 2016-10-19 삼성전기주식회사 체적 음향 공진기 및 이를 포함하는 필터

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040084478A (ko) * 2003-03-28 2004-10-06 김수길 고주파용 박막 체적 탄성파 공진기 소자 및 그 제조 방법
JP4044545B2 (ja) 2003-09-09 2008-02-06 三星電子株式会社 薄膜共振器と薄膜共振器の製造方法及び薄膜共振器を備えたフィルタ
KR20160121351A (ko) * 2015-04-10 2016-10-19 삼성전기주식회사 체적 음향 공진기 및 이를 포함하는 필터

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200011170A (ko) * 2018-07-24 2020-02-03 삼성전기주식회사 탄성파 필터 장치
CN110784190A (zh) * 2018-07-24 2020-02-11 三星电机株式会社 声波滤波器装置
US10812040B2 (en) 2018-07-24 2020-10-20 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Acoustic wave filter device
CN110784190B (zh) * 2018-07-24 2023-09-12 三星电机株式会社 声波滤波器装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR102105386B1 (ko) 2020-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102369434B1 (ko) 체적 음향 공진기 및 이의 제조방법
US10715099B2 (en) Bulk acoustic wave resonator and method for manufacturing the same
US11251767B2 (en) Bulk acoustic resonator and filter including the same
US11271543B2 (en) Bulk acoustic wave resonator
KR20190084008A (ko) 음향 공진기 및 그 제조 방법
JP2019193168A (ja) バルク音響共振器及びその製造方法
US20180102751A1 (en) Bulk-acoustic wave resonator and method for manufacturing the same
US10903817B2 (en) Bulk acoustic wave resonator and method of manufacturing the same
US20180138888A1 (en) Bulk acoustic wave resonator and method of manufacturing the same
KR20200032362A (ko) 체적 음향 공진기 및 이의 제조방법
KR102449355B1 (ko) 음향 공진기 및 그의 제조 방법
KR20200106143A (ko) 체적 음향 공진기 및 이를 구비하는 필터
KR102066958B1 (ko) 필터
KR101952868B1 (ko) 체적 음향 공진기 및 이의 제조방법
KR102105386B1 (ko) 체적 음향 공진기 및 이의 제조방법
KR102272592B1 (ko) 체적 음향 공진기
KR20210054889A (ko) 체적 음향 공진기
KR20210045588A (ko) 체적 음향 공진기
JP2019201305A (ja) 音響共振器
KR102369435B1 (ko) 체적 음향 공진기
KR102107024B1 (ko) 음향 공진기
KR20210124707A (ko) 체적 음향 공진기
KR20210126966A (ko) 체적 음향 공진기
KR20210123567A (ko) 체적 음향 공진기
TW202112066A (zh) 體聲波共振器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant