KR20210126966A - 체적 음향 공진기 - Google Patents
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Abstract
제1 전극과, 적어도 일부가 상기 제1 전극의 상부에 배치되는 압전층 및 상기 압전층의 적어도 일부를 덮도록 배치되는 제2 전극을 포함하며, 상기 제2 전극에는 상기 제1 전극, 상기 압전층 및 상기 제2 전극이 모두 겹쳐지게 배치되는 활성영역의 가장자리에 배치되도록 프레임이 구비되며, 상기 프레임은 활성영역의 가장자리에 배치되는 벽부와, 상기 벽부의 내측에 배치되는 트렌치를 구비하며, 상기 트렌치를 상부에서 바라볼 때 상기 트렌치의 내측 경계선은 요철 형상을 가지는 체적 음향 공진기가 개시된다.
Description
본 발명은 체적 음향 공진기에 관한 것이다.
일반적으로, 작은 공진기는 면적이 큰 공진기에 비해 상대적으로 파형에 스퓨리어스 노이즈(spurious noise)가 증가하거나 노치(notch) 크기가 증가하는 등 성능이 열화 되기 쉬운데, 이는 공진기 크기가 작을수록 공진기 면적 대비 테두리 영역의 비중이 증가하여, 테두리로부터 받는 영향이 상대적으로 더욱 커지기 때문이다.
이러한 경향의 원인은, 공진기의 테두리는 공진기 진동으로 발생된 음향(acoustic) 에너지가 공진기의 내부에서 외부로 누출되는 경계이자 구조적으로도 불연속적인 곳이므로 공진기 자체의 진동 형상에 큰 영향을 주므로, 테두리 영역이 공진기의 성능과 직결되기 때문이다.
따라서, 스퓨리어스 노이즈를 억제하면서 노치 발현을 억제할 수 있는 구조의 개발이 필요한 실정이다.
스퓨리어스 노이즈를 억제하면서 노치 발현을 억제하는 체적 음향 공진기가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기는 제1 전극과, 적어도 일부가 상기 제1 전극의 상부에 배치되는 압전층 및 상기 압전층의 적어도 일부를 덮도록 배치되는 제2 전극을 포함하며, 상기 제2 전극에는 상기 제1 전극, 상기 압전층 및 상기 제2 전극이 모두 겹쳐지게 배치되는 활성영역의 가장자리에 배치되도록 프레임이 구비되며, 상기 프레임은 활성영역의 가장자리에 배치되는 벽부와, 상기 벽부의 내측에 배치되는 트렌치를 구비하며, 상기 트렌치를 상부에서 바라볼 때 상기 트렌치의 내측 경계선은 요철 형상을 가질 수 있다.
스퓨리어스 노이즈를 억제하면서 노치 발현을 억제하는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 활성영역에 배치되는 제2 전극을 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 2의 A-A'선에 따른 단면도이다.
도 4는 도 2의 B-B'선에 따른 단면도이다.
도 5 내지 도 6은 트렌치의 형상에 대한 변형 실시예들을 나타내는 평면도이다.
도 7은 트렌치 형상에 대한 변형 실시예에 따른 성능 변화를 나타내는 그래프이다.
도 8 내지 도 18는 트렌치의 형상에 대한 또 다른 변형 실시예를 나타내는 설명도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 활성영역에 배치되는 제2 전극을 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 2의 A-A'선에 따른 단면도이다.
도 4는 도 2의 B-B'선에 따른 단면도이다.
도 5 내지 도 6은 트렌치의 형상에 대한 변형 실시예들을 나타내는 평면도이다.
도 7은 트렌치 형상에 대한 변형 실시예에 따른 성능 변화를 나타내는 그래프이다.
도 8 내지 도 18는 트렌치의 형상에 대한 또 다른 변형 실시예를 나타내는 설명도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 활성영역에 배치되는 제2 전극을 나타내는 평면도이고, 도 3은 도 2의 A-A'선에 따른 단면도이고, 도 4는 도 2의 B-B'선에 따른 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기(100)는 일예로서, 기판(120), 멤브레인층(130), 제1 전극(140), 압전층(150), 제2 전극(160), 페시베이션층(170) 및 금속패드(180)를 포함하여 구성될 수 있다.
기판(120)은 실리콘 기판일 수 있다. 예를 들어, 기판(120)으로는 실리콘 웨이퍼가 이용되거나, SOI(Silicon On Insulator) 타입의 기판이 이용될 수 있다.
기판(120)의 상면에는 절연층(122)이 형성될 수 있으며, 상부에 배치되는 구성과 기판(120)을 전기적으로 격리시킬 수 있다. 또한, 절연층(122)은 제조과정에서 캐비티(C)를 형성하는 경우 에칭가스에 의해 기판(120)이 식각되는 것을 방지하는 역할을 수행한다.
이 경우, 절연층(122)은 이산화규소(SiO2), 실리콘 나이트라이드(Si3N4), 산화 알루미늄(Al2O2), 및 질화 알루미늄(AlN) 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 화학 기상 증착(Chemical vapor deposition), RF 마그네트론 스퍼터링(RF Magnetron Sputtering), 및 에바포레이션(Evaporation) 중 어느 하나의 공정을 통해 형성될 수 있다.
멤브레인층(130)은 기판(120)과 함께 캐비티(C)를 형성한다. 또한, 멤브레인층(130)은 희생층(미도시)의 제거 시 에칭가스와 반응성이 낮은 재질로 이루어질 수 있다. 한편, 멤브레인층(130)은 질화실리콘(Si3N4), 산화실리콘(SiO2), 산화망간(MgO), 산화지르코늄(ZrO2), 질화알루미늄(AlN), 티탄산 리르콘산 연(PZT), 갈륨비소(GaAs), 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO) 중 어느 하나의 재질을 함유하는 유전체층(Dielectric layer)이 사용될 수 있다.
한편, 멤브레인층(130) 상에는 질화 알루미늄(AlN)으로 이루어지는 시드층(미도시)이 형성될 수 있다. 즉, 시드층은 멤브레인층(130)과 제1 전극(140) 사이에 배치될 수 있다. 시드층은 질화 알루미늄(AlN) 이외에도 HCP 결정 구조를 가지는 유전체 또는 금속을 이용하여 형성될 수 있다. 일예로서, 시드층이 금속일 경우 시드층은 티타늄(Ti)으로 형성될 수 있다.
제1 전극(140)은 멤브레인층(130) 상에 형성되며, 일부분이 캐비티(C)의 상부에 배치된다. 또한, 제1 전극(140)은 RF(Radio Frequency) 신호 등의 전기적 신호를 입출력하는 입력 전극 및 출력 전극 중 어느 하나로 이용될 수 있다.
한편, 제1 전극(140)은 일예로서, 몰리브덴(molybdenum : Mo)과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 제1 전극(140)은 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt), 구리(Copper : Cu), 티타늄 (Titanium : Ti), 탄탈 (Tantalum : Ta), 니켈 (Nickel : Ni) , 크롬 (Chromium : Cr) 등과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금으로 이루어질 수 있다.
압전층(150)은 적어도 캐비티(C)의 상부에 배치되는 제1 전극(140)을 덮도록 형성된다. 한편, 압전층(150)은 전기적 에너지를 탄성파 형태의 기계적 에너지로 변환하는 압전 효과를 일으키는 부분으로, 질화 알루미늄(AlN), 산화아연(ZnO), 납 지르코늄 티타늄 산화물(PZT; PbZrTiO) 중 하나로 형성될 수 있다. 특히, 압전층(150)이 질화 알루미늄(AlN)로 구성되는 경우 압전층(150)은 희토류 금속(Rare earth metal)을 더 포함할 수 있다. 일 예로, 희토류 금속은 스칸듐(Sc), 에르븀(Er), 이트륨(Y), 및 란탄(La) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 일 예로, 전이 금속은 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 탄탈륨 (Ta), 니오비윰 (Nb) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 2가 금속인 마그네슘(Mg)도 포함될 수 있다.
제2 전극(160)은 적어도 캐비티(C)의 상부에 배치되는 압전층(150)을 덮도록 형성된다. 제2 전극(160)은 RF(Radio Frequency) 신호 등의 전기적 신호를 입출력하는 입력 전극 및 출력 전극 중 어느 하나로 이용될 수 있다. 즉, 제1 전극(140)이 입력 전극으로 이용되는 경우 제2 전극(160)은 출력 전극으로 이용되며, 제1 전극(140)이 출력 전극으로 이용되는 경우 제2 전극(160)은 입력 전극으로 이용될 수 있다.
제2 전극(160)은 일예로서, 몰리브덴(molybdenum : Mo)과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 제1 전극(160)은 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt), 구리(Copper : Cu), 티타늄 (Titanium : Ti), 탄탈 (Tantalum : Ta), 니켈 (Nickel : Ni) , 크롬 (Chromium : Cr) 등과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금으로 이루어질 수 있다.
한편, 제2 전극(160)에는 활성영역(S)의 가장자리에 배치되는 프레임(162)이 구비될 수 있다. 여기서, 활성영역(S)이라 함은 제1 전극(140), 압전층(150) 및 제2 전극(160)이 모두 겹쳐지게 배치되는 영역을 말한다.
또한, 프레임(162)은 활성영역(S)의 가장자리에 배치되는 벽부(163)와, 벽부(163)의 내측에 배치되는 트렌치(164)를 구비한다. 한편, 벽부(163)는 제2 전극(160)의 나머지 부분의 두께보다 두껍게 형성된다. 일예로서, 트렌치(164)를 상부에서 바라볼 때 트렌치(164)의 내측 경계선(X, 도 2 참조)은 요철 형상을 가질 수 있다. 일예로서, 트렌치(164)의 내측 경계선의 요철 형상은 톱니 형상일 수 있다.
한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 트렌치(164)의 내측 경계선의 경사각(θ)이 15˚일 수 있다.
이와 같이, 프레임(162)이 벽부(163)와 트렌치(164)를 구비하며, 트렌치(164)의 내측 경계선(X)이 톱니 형상을 가진다. 이에 따라, 스퓨리어스 노이즈(spurious noise)를 억제할 수 있으며 노치(notch) 발생을 억제할 수 있다. 다시 말해, 벽부(163)에 의해 트렌치(164)의 경사각(θ)이 증가될 수 있어 노치(notch) 발생을 억제할 수 있다. 그리고, 프레임(162)이 벽부(163)를 구비하지 않고 트렌치(164)만이 구비하는 경우 반공진주파수에서의 공진기 성능이 열화되는 문제가 있다. 하지만, 프레임(162)에 벽부(163)를 구비하므로 반공진주파수에서의 공진기 성능 열화를 방지할 수 있다.
페시베이션층(170)은 제1 전극(140)과 제2 전극(160)의 일부분을 제외한 영역에 형성된다. 한편, 페시베이션층(170)은 공정 중 제2 전극(160) 및 제1 전극(140)이 손상되는 것을 방지하는 역할을 수행한다.
나아가, 페시베이션층(170)은 최종 공정에서 주파수 조절을 위해 식각에 의해 일부분이 제거될 수 있다. 즉, 페시베이션층(170)의 두께가 조절될 수 있다. 페시베이션층(170)은 일예로서, 질화실리콘(Si3N4), 산화실리콘(SiO2), 산화망간(MgO), 산화지르코늄(ZrO2), 질화알루미늄(AlN), 티탄산 리르콘산 연(PZT), 갈륨비소(GaAs), 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO) 중 어느 하나의 재질을 함유하는 유전체층(Dielectric layer)이 사용될 수 있다.
금속패드(180)는 페시베이션(170)으로부터 노출되는 제1 전극(140)과 제2 전극(160)에 연결된다. 일예로서, 금속패드(180)는 금(Au), 금-주석(Au-Sn) 합금, 구리(Cu), 구리-주석(Cu-Sn) 합금 및 알루미늄(Al), 알루미늄 합금 등의 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 알루미늄 합금은 알루미늄-게르마늄(Al-Ge) 합금일 수 있다.
상기한 바와 같이, 프레임(162)이 벽부(163)와 트렌치(164)를 구비하며, 트렌치(164)의 내측 경계선(X)이 톱니 형상을 가진다. 이에 따라, 스퓨리어스 노이즈(spurious noise)를 억제할 수 있으며 노치(notch) 발생을 억제할 수 있다.
여기에서, 프레임에 의한 효과에 대하여 보다 자세하게 살펴보기로 한다.
도 5 내지 도 6은 트렌치의 형상에 대한 변형 실시예들을 나타내는 평면도이고, 도 7은 트렌치 형상에 대한 변형 실시예에 따른 성능 변화를 나타내는 그래프이다.
먼저, 도 2, 및 도 5 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 트렌치(163,263,363)의 경사각(θ)이 15˚, 25˚, 45˚, 60˚, 75˚, 80˚로 변경될 수 있다. 이러한 경우, 경사각(θ)이 증가할수록 트렌치의 개수가 증가함을 알 수 있다. 다시 말해, 트렌치(163,263,363)의 경사각(θ)은 15˚~ 80˚일 수 있다.
이러한 경우, 도 7에 도시된 바와 같이, 종래기술과 비교하여 종래기술에 의한 스퓨리어스 노이즈(spurious noise)와 유사한 수준으로 스퓨리어스 노이즈(spurious noise)를 억제하면서도 노치(notch)에 의한 파형 왜곡이 개선되는 것을 확인할 수 있다.
나아가, 경사각(θ)이 증가할 경우, 노치(notch)에 의한 파형 변형이나 노이즈(noise)의 크기는 유사한데 공진점에서의 손실(loss)은 감소하는 등 성능의 추가 향상이 가능함을 볼 수 있다.
도 8은 트렌치의 형상에 대한 또 다른 변형 실시예를 나타내는 설명도이다.
도 8을 참조하면, 프레임(462)은 벽부(463)와, 벽부(463)의 내측에 배치되는 트렌치(464)를 구비할 수 있다. 한편, 트렌치(464)의 내측 경계선(X)은 물결 형상을 가질 수 있다. 그리고, 트렌치(464)의 내측 경계선(X)은 상부에서 바라볼 때 벽부(463)와 접촉된 후 이격되는 반복적인 형상을 가질 수 있다. 그리고, 도 8에서 θ는 상기한 실시예에서의 경사각을 의미한다.
도 9는 트렌치의 형상에 대한 또 다른 변형 실시예를 나타내는 설명도이다.
도 9를 참조하면, 프레임(562)은 벽부(563)와, 벽부(563)의 내측에 배치되는 트렌치(564)를 구비할 수 있다. 한편, 트렌치(564)의 내측 경계선(X)은 물결 형상을 가질 수 있다. 그리고, 트렌치(564)의 내측 경계선(X)은 상부에서 바라볼 때 벽부(563)와 접촉된 후 이격되는 반복적인 형상을 가질 수 있다. 또한, 트렌치(564)의 개수는 도 8의 트렌치(464)의 개수와 비교하여 증가할 수 있다. 그리고, 도 9에서 θ는 상기한 설명에서의 경사각을 의미한다.
도 10은 트렌치의 형상에 대한 또 다른 변형 실시예를 나타내는 설명도이다.
도 10을 참조하면, 프레임(662)은 벽부(663)와, 벽부(663)의 내측에 배치되는 트렌치(664)를 구비할 수 있다. 한편, 트렌치(664)의 내측 경계선(X)은 물결 형상을 가질 수 있다. 그리고, 트렌치(664)의 내측 경계선(X)은 상부에서 바라볼 때 벽부(663)와 접촉된 후 이격되는 반복적인 형상을 가질 수 있다. 또한, 트렌치(664)의 개수는 도 9의 트렌치(564)의 개수와 비교하여 증가할 수 있다. 그리고, 도 10에서 θ는 상기한 설명에서의 경사각을 의미한다.
도 11은 트렌치의 형상에 대한 또 다른 변형 실시예를 나타내는 설명도이다.
도 11을 참조하면, 프레임(762)은 벽부(763)와, 벽부(763)의 내측에 배치되는 트렌치(764)를 구비할 수 있다. 한편, 트렌치(764)의 내측 경계선(X)은 물결 형상을 가질 수 있다. 또한, 트렌치(764)의 내측 경계선(X)은 상부에서 바라볼 때 벽부(763)으로부터 이격 배치된다. 그리고, 도 11에서 θ는 상기한 설명에서의 경사각을 의미한다.
도 12는 트렌치의 형상에 대한 또 다른 변형 실시예를 나타내는 설명도이다.
도 12를 참조하면, 프레임(862)은 벽부(863)와, 벽부(863)의 내측에 배치되는 트렌치(864)를 구비할 수 있다. 한편, 트렌치(864)의 내측 경계선(X)은 물결 형상을 가질 수 있다. 또한, 트렌치(864)의 내측 경계선(X)은 상부에서 바라볼 때 벽부(863)으로부터 이격 배치된다. 한편, 도 12의 내측 경계선(X)은 도 11의 내측 경계선(X)보다 벽부(863)으로부터 보다 멀리 이격되어 배치될 수 있다. 그리고, 도 12에서 θ는 상기한 설명에서의 경사각을 의미한다.
도 13은 트렌치의 형상에 대한 또 다른 변형 실시예를 나타내는 설명도이다.
도 13을 참조하면, 프레임(962)은 벽부(963)와, 벽부(963)의 내측에 배치되는 트렌치(964)를 구비할 수 있다. 한편, 트렌치(964)의 내측 경계선(X)은 원호 형상을 가질 수 있다. 그리고, 도 13에서 θ는 상기한 설명에서의 경사각을 의미한다.
도 14는 트렌치의 형상에 대한 또 다른 변형 실시예를 나타내는 설명도이다.
도 14를 참조하면, 프레임(1062)은 벽부(1063)와, 벽부(1063)의 내측에 배치되는 트렌치(1064)를 구비할 수 있다. 한편, 트렌치(1064)의 내측 경계선(X)은 원호 형상을 가질 수 있다. 다만, 트렌치(1064)의 내측 경계선(X)은 원호 형상을 가지며 벽부(1063)에 접하도록 배치될 수 있다. 그리고, 도 14에서 θ는 상기한 설명에서의 경사각을 의미한다.
도 15는 트렌치의 형상에 대한 또 다른 변형 실시예를 나타내는 설명도이다.
도 15를 참조하면, 프레임(1162)은 벽부(1163)와, 벽부(1163)의 내측에 배치되는 트렌치(1164)를 구비할 수 있다. 한편, 트렌치(1164)는 비정형 다각형 형상을 가지며, 복수개가 반복적으로 연결되도록 배치될 수 있다. 그리고, 도 15에서 θ는 상기한 설명에서의 경사각을 의미한다.
도 16은 트렌치의 형상에 대한 또 다른 변형 실시예를 나타내는 설명도이다.
도 16을 참조하면, 프레임(1262)은 벽부(1263)와, 벽부(1263)의 내측에 배치도는 트렌치(1264)를 구비할 수 있다. 한편, 트렌치(1264)는 비정형 다각형 형상을 가지며, 복수개가 반복적으로 연결되도록 배치될 수 있다. 다만, 도 16에 도시된 트렌치(1264)는 도 15에 도시된 트렌치(1164)의 비정형 다각형 형상과는 다른 비정형 다각형 형상을 가질 수 있다. 그리고, 도 16에서 θ는 상기한 설명에서의 경사각을 의미한다.
도 17은 트렌치의 형상에 대한 또 다른 변형 실시예를 나타내는 설명도이다.
도 17을 참조하면, 프레임(1362)은 벽부(1363)와, 벽부(1363)의 내측에 배치도는 트렌치(1364)를 구비할 수 있다. 한편, 트렌치(1364)는 복수개가 구비되며, 복수개의 트렌치(1364)는 크기와 형상이 다른 복수개의 종류로 이루어질 수 있다. 한편, 트렌치(1364)는 내측 경계선이 톱니 형상을 가질 수 있다. 그리고, 트렌치(1364)는 제1 트렌치(1364a)와, 제1 트렌치(1364a)와 크기 및 형상이 차이가 있는 제2 트렌치(1364b)를 구비할 수 있다.
한편, 제1 트렌치(1364a)는 두 개가 연속적으로 배치되며, 제1 트렌치(1364a)의 양측에는 제2 트렌치(1364b)가 배치될 수 있다. 다만, 본 실시예에서는 트렌치(1364)가 제1,2 트렌치(1364a,1364b)를 구비하는 경우를 예로 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않으며, 트렌치(1364)는 다양한 종류의 복수개의 트렌치로 이루어질 수 있다. 그리고, 도 17에서 θ는 상기한 설명에서의 경사각을 의미한다.
도 18은 트렌치의 형상에 대한 또 다른 변형 실시예를 나타내는 설명도이다.
도 18을 참조하면, 프레임(1462)은 벽부(1463)와, 벽부(1463)의 내측에 배치도는 트렌치(1464)를 구비할 수 있다. 한편, 트렌치(1464)는 복수개가 구비되며, 복수개의 트렌치(1464)는 크기와 형상이 다른 복수개의 종류로 이루어질 수 있다. 한편, 트렌치(1464)는 내측 경계선이 톱니 형상을 가질 수 있다. 그리고, 도 18에서 θ는 상기한 설명에서의 경사각을 의미한다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
100 : 체적 음향 공진기
120 : 기판
130 : 멤브레인층
140 : 제1 전극
150 : 압전층
160 : 제2 전극
162 : 프레임
163, 263, 363, 463, 563, 663, 763, 863, 963, 1063, 1163, 1263, 1363, 1463 : 벽부
164, 264, 364, 464, 564, 664, 764, 864, 964, 1064, 1164, 1264, 1364, 1464 : 트렌치
170 : 페시베이션층
180 : 금속패드
120 : 기판
130 : 멤브레인층
140 : 제1 전극
150 : 압전층
160 : 제2 전극
162 : 프레임
163, 263, 363, 463, 563, 663, 763, 863, 963, 1063, 1163, 1263, 1363, 1463 : 벽부
164, 264, 364, 464, 564, 664, 764, 864, 964, 1064, 1164, 1264, 1364, 1464 : 트렌치
170 : 페시베이션층
180 : 금속패드
Claims (16)
- 제1 전극;
적어도 일부가 상기 제1 전극의 상부에 배치되는 압전층; 및
상기 압전층의 적어도 일부를 덮도록 배치되는 제2 전극;
을 포함하며,
상기 제2 전극에는 상기 제1 전극, 상기 압전층 및 상기 제2 전극이 모두 겹쳐지게 배치되는 활성영역의 가장자리에 배치되도록 프레임이 구비되며,
상기 프레임은 활성영역의 가장자리에 배치되는 벽부와, 상기 벽부의 내측에 배치되는 트렌치를 구비하며,
상기 트렌치를 상부에서 바라볼 때 상기 트렌치의 내측 경계선은 요철 형상을 가지는 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
상기 트렌치 내측 경계선의 요철 형상은 톱니 형상인 체적 음향 공진기.
- 제2항에 있어서,
상기 트렌치 내측 경계선의 경사각은 15˚~ 80˚인 체적 음향 공진기.
- 제2항에 있어서,
상기 트렌치는 복수개가 구비되는 체적 음향 공긴기.
- 제4항에 있어서,
상기 복수개의 트렌치는 크기 또는 형상 중 적어도 하나가 다른 복수개의 종류로 이루어지는 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
상기 트렌치를 상부에서 바라볼 때 상기 트렌치의 내측 경계선은 상기 벽부와 접촉된 후 이격되는 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
상기 트렌치를 상부에서 바라볼 때 상기 트렌치의 내측 경계선은 상기 벽부로부터 이격 배치되는 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
상기 트렌치의 내측 경계선의 요철 형상은 물결 형상인 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
상기 트렌치의 내측 경계선의 요철 형상은 원호 형상인 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
상기 트렌치의 내측 경계선의 요철 형상은 비정형 다각형인 체적 음향 공진기.
- 제1 전극;
적어도 일부가 상기 제1 전극의 상부에 배치되는 압전층; 및
상기 압전층의 적어도 일부를 덮도록 배치되는 제2 전극;
을 포함하며,
상기 제2 전극에는 상기 제1 전극, 상기 압전층 및 상기 제2 전극이 모두 겹쳐지게 배치되는 활성영역의 가장자리에 배치되는 트렌치가 구비되며,
상기 트렌치는 상부에서 바라볼 때 적어도 내측 경계선이 요철 형상을 가지는 체적 음향 공진기.
- 제11항에 있어서,
상기 제2 전극에는 상기 트렌치의 외측에 배치되는 벽부가 더 구비되는 체적 음향 공진기.
- 제11항에 있어서,
상기 트렌치의 내측 경계선의 요철 형상은 톱니 형상인 체적 음향 공진기.
- 제11항에 있어서,
상기 트렌치의 내측 경계선의 요철 형상은 물결 형상인 체적 음향 공진기.
- 제11항에 있어서,
상기 트렌치를 상부에서 바라볼 때 상기 트렌치의 내측 경계선은 상기 벽부와 접촉된 후 이격되는 체적 음향 공진기.
- 제11항에 있어서,
상기 트렌치를 상부에서 바라볼 때 상기 트렌치의 내측 경계선은 상기 벽부로부터 이격 배치되는 체적 음향 공진기.
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0513227A (ja) | 1991-07-01 | 1993-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 静磁波デバイス用材料 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7388454B2 (en) | 2004-10-01 | 2008-06-17 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure |
WO2008126473A1 (ja) | 2007-04-11 | 2008-10-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電薄膜フィルタ |
US10284173B2 (en) | 2011-02-28 | 2019-05-07 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Acoustic resonator device with at least one air-ring and frame |
KR101918031B1 (ko) | 2013-01-22 | 2018-11-13 | 삼성전자주식회사 | 스퓨리어스 공진을 감소시키는 공진기 및 공진기 제작 방법 |
US9571063B2 (en) | 2014-10-28 | 2017-02-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator device with structures having different apodized shapes |
KR102642910B1 (ko) | 2016-05-18 | 2024-03-04 | 삼성전기주식회사 | 음향 공진기 및 그 제조 방법 |
SG10202004451PA (en) * | 2019-05-23 | 2020-12-30 | Skyworks Global Pte Ltd | Film bulk acoustic resonator including recessed frame with scattering sides |
-
2020
- 2020-04-13 KR KR1020200044725A patent/KR20210126966A/ko not_active Application Discontinuation
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0513227A (ja) | 1991-07-01 | 1993-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 静磁波デバイス用材料 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11558025B2 (en) | 2023-01-17 |
US20210320644A1 (en) | 2021-10-14 |
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