KR20200032362A - 체적 음향 공진기 및 이의 제조방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 359
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 158
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 71
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 58
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 42
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 42
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 15
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 10
- BLIQUJLAJXRXSG-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-3-(trifluoromethyl)pyrrolidin-1-ium-3-carboxylate Chemical compound C1C(C(=O)O)(C(F)(F)F)CCN1CC1=CC=CC=C1 BLIQUJLAJXRXSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 5
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 23
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 17
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 16
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 16
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 15
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910017755 Cu-Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017927 Cu—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 aluminum-germanium Chemical compound 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGUQQOOKFJPJRS-UHFFFAOYSA-N lead silicon Chemical compound [Si].[Pb] ZGUQQOOKFJPJRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
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- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
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- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
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Abstract
기판 보호층을 구비하는 기판과, 상기 기판 보호층 상에 배치되는 제1 층과, 상기 제1 층의 외측에 배치되는 제2 층과, 상기 기판 및 상기 제1 층과 함께 캐비티를 형성하는 멤브레인층 및 상기 멤브레인층 상부에 배치되는 공진부를 포함하며, 상기 기판 보호층과 상기 멤브레인층 중 적어도 하나는 상기 캐비티 내에 배치되는 돌기부를 구비하는 체적 음향 공진기가 개시된다.
Description
본 발명은 체적 음향 공진기 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
공진기는 특정주파수에서 에너지가 공진하는 장치를 의미하며, 주로 필터, 발진기, 주파수 카운터 등에 사용된다. 공진기를 이용하여 공진을 하기 위한 구조는 여러 가지가 있지만, 최근에 탄성파(acoustic wave)를 이용한 공진구조가 매우 각광을 받고 있다.
그리고, 최근에는 기본적으로 멤브레인 형태의 공진기, 즉 공진부 하부에 에어갭(cavity)이 형성된 구조를 채용하고 있다.
한편, 공진부와 에어갭의 하부에 배치되는 기판과의 접합(stiction)이 발생되면, 기계적, 전기적 특성의 열화가 발생된다. 그런데, 제조 시 공진부와 에어갭의 하부에 배치되는 기판이 밀착되어 정상적인 주파수 특성에 비하여 열화되고 노이즈가 발생되는 문제가 있다.
결국, 공진부와 에어갭의 하부에 배치되는 기판과의 접합을 억제할 수 있는 구조의 개발이 필요한 실정이다.
공진부의 변형에 의한 기판과 공진부의 접합을 방지할 수 있는 체적 음향 공진기 및 이의 제조방법이 제공된다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기는 기판 보호층을 구비하는 기판과, 상기 기판 보호층 상에 배치되는 제1 층과, 상기 제1 층의 외측에 배치되는 제2 층과, 상기 기판 및 상기 제1 층과 함께 캐비티를 형성하는 멤브레인층 및 상기 멤브레인층 상부에 배치되는 공진부를 포함하며, 상기 기판 보호층과 상기 멤브레인층 중 적어도 하나는 상기 캐비티 내에 배치되는 돌기부를 구비할 수 있다.
공진부의 변형에 의한 기판과 공진부의 접합을 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 제조방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 8 내지 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 제조방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 13 내지 도 19는 본 발명의 제3 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 제조방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 제조방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 8 내지 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 제조방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 13 내지 도 19는 본 발명의 제3 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 제조방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기(100)는 일예로서, 기판(110), 제1 층(120), 제2 층(130), 멤브레인층(140), 하부전극(150), 압전층(160), 상부전극(170), 삽입층(180), 페시베이션층(190), 금속패드(195)를 포함하여 구성될 수 있다.
기판(110)은 실리콘이 적층된 기판일 수 있다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)가 기판으로 이용될 수 있다. 한편, 기판(110)에는 적어도 캐비티(Cavity, C)의 하부에 배치되는 기판 보호층(112)이 구비될 수 있다.
기판 보호층(112)은 캐비티(C)의 형성 시 기판 보호층(112)의 하부에 배치되는 기판(110)의 손상을 방지하는 역할을 수행한다.
기판 보호층(112)은 질화규소(Si3N4), 산화망간(MgO), 산화지르코늄(ZrO2), 질화알루미늄(AlN), 티탄산 리르콘산 연(PZT), 갈륨비소(GaAs), 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO) 중 적어도 어느 하나의 재질을 함유하는 유전체층(Dielectric layer) 또는 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 백금(Pt), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf) 중 적어도 어느 하나의 재질을 함유하는 금속층으로 이루어질 수 있으며, 화학 기상 증착(Chemical vapor deposition), RF 마그네트론 스퍼터링(RF Magnetron Sputtering), 및 에바포레이션(Evaporation) 중 어느 하나의 공정을 통해 형성될 수 있다.
기판 보호층(112)에는 캐비티(C) 내에 배치되는 돌기부(105)가 구비될 수 있다. 돌기부(105)는 후술할 제2 층(130)의 기둥부(132, 도 5 참조)에 의해 형성된다. 즉, 제1 층(120)의 일부를 제거하는 경우 에칭가스 또는 에칭액에 의해 일예로서, 질화규소(Si3N4) 재질 또는 질화규소(Si3N4)를 함유하는 재질로 이루어지는 기판 보호층(112)이 미세하게 식각될 수 있다. 다시 말해, 기둥부(132)가 형성된 영역을 제외하고 제1 층(120)의 식각을 위한 에칭가스 또는 에칭액에 의해 기판 보호층(112)이 미세하게 식각되면서 경사면이 형성될 수 있다. 이후, 제2 층(130)의 기둥부(132)를 제거하기 위한 에칭가스 또는 에칭액에 의해 다시 한번 기판 보호층(112)이 미세하게 식각된다. 즉, 제2 층(130)의 일부를 제거하는 경우 에칭가스 또는 에칭액에 의해 일예로서, 질화규소(Si3N4) 재질 또는 질화규소(Si3N4)를 함유하는 재질로 이루어지는 기판 보호층(112)이 미세하게 식각된다. 이에 따라, 기둥부(132)를 제거한 후, 기판 보호층(112)에 기둥부(132)에 의한 돌기부(105)가 형성되는 것이다.
제1 층(120)은 기판 보호층(112) 상에 형성되며, 제1 층(120)의 내측에 캐비티(Cavity, C)가 배치된다. 한편, 제1 층(120)은 할라이드계 에칭액 또는 에칭가스 중 플루오르화 수소(HF)를 함유하는 에칭액 또는 에칭가스에 의해 제거되는 재질, 일예로서 이산화규소(SiO2) 등과 같은 산화물을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
제2 층(130)은 제1 층(120)의 외측에 배치되도록 기판(110) 상에 형성된다. 즉, 제2 층(130)은 제1 층(120)을 감싸도록 배치된다. 한편, 제2 층(130)은 할라이드계 에칭액 또는 에칭가스 중 2플루오르화 크세논(XeF2)을 함유하는 에칭액 또는 에칭가스에 의해 제거되는 재질, 일예로서 폴리 실리콘을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다. 한편, 제2 층(130)은 제조 과정에서만 존재는 기둥부(132, 도 5 참조)를 통해 멤브레인층(140)과 기판(110)의 접합을 방지할 수 있다. 즉, 제조 공정 시 제2 층(130)에는 기둥부(132)가 구비되며, 기둥부(132)는 캐비티(C)의 중앙부에서 멤브레인층(140)을 지지한다. 이에 따라, 페시베이션층(190)의 트리밍 공정 시 발생될 수 있는 멤브레인층(140)과 기판(110)의 접합을 방지할 수 있는 것이다.
한편, 본 실시예에서는 제1 층(120)이 이산화규소(SiO2) 등과 같은 산화물을 포함하는 재질로 이루어지고 제2 층(130)이 폴리 실리콘을 포함하는 재질로 이루어지는 경우를 예로 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않으며 제1 층(120)이 폴리 실리콘을 포함하는 재질로 이루어지며 제2 층(130)이 이산화규소(SiO2) 등과 같은 일예로서, 이산화규소(SiO2) 등과 같은 산화물을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
멤브레인층(140)은 기판(110) 및 제1 층(120)과 함께 캐비티(C)를 형성한다. 또한, 멤브레인층(140)은 제1,2 층(120,130)의 제거 시 에칭액 또는 에칭가스와 반응성이 낮은 재질로 이루어질 수 있다. 일예로서, 멤브레인층(140)은 질화규소(Si3N4), 산화망간(MgO), 산화지르코늄(ZrO2), 질화알루미늄(AlN), 티탄산 리르콘산 연(PZT), 갈륨비소(GaAs), 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO) 중 적어도 어느 하나의 재질을 함유하는 유전체층(Dielectric layer) 또는 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 백금(Pt), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf) 중 적어도 어느 하나의 재질을 함유하는 금속층으로 이루어질 수 있다.
멤브레인층(140) 상에는 질화 알루미늄(AlN)으로 이루어지는 시드층(미도시)이 형성될 수 있다. 즉, 시드층은 멤브레인층(140)과 제1 전극(150) 사이에 배치될 수 있다. 시드층은 질화 알루미늄(AlN) 이외에도 HCP 결정 구조를 가지는 유전체 또는 금속을 이용하여 형성될 수 있다. 일예로서, 시드층이 금속일 경우 시드층은 티타늄(Ti)으로 형성될 수 있다.
멤브레인층(140)에도 캐비티(C) 내에 배치되는 돌기부(105)가 구비될 수 있다. 돌기부(105)는 후술할 제2 층(130)의 기둥부(132, 도 5 참조)에 의해 형성된다. 즉, 제1 층(120)의 일부를 제거하는 경우 에칭액 또는 에칭가스에 의해 일예로서, 질화규소(Si3N4) 재질 또는 질화규소(Si3N4)를 함유하는 재질로 이루어지는 멤브레인칭(140)이 미세하게 식각될 수 있다. 다시 말해, 기둥부(132)가 형성된 영역을 제외하고 제1 층(120)의 식각을 위한 에칭액 또는 에칭가스에 의해 기판 보호층(112)이 미세하게 식각되면서 경사면이 형성될 수 있다. 이후, 제2 층(130)의 기둥부(132)를 제거하기 위한 에칭액 또는 에칭가스에 의해 다시 한번 질화규소(Si3N4) 재질 또는 질화규소(Si3N4)를 함유하는 재질로 이루어지는 멤브레인층(140)이 미세하게 식각된다. 이에 따라, 기둥부(132)를 제거한 후, 멤브레인층(140)에 기둥부(132)에 의한 돌기부(105)가 형성되는 것이다.
돌기부(105)에 대하여 살펴보면, 기판 보호층(112)에 형성되는 제1 돌기부(105a)와, 제1 돌기부(105a)에 대향 배치되도록 멤브레인층(140)에 형성되는 제2 돌기부(105b)를 구비한다. 제1,2 돌기부(105a,105b)는 기둥부(132)의 형상에 따라 형상 및 크기가 다양하게 변경 가능할 것이다.
이와 같이, 돌기부(105)는 서로 다른 에칭액 또는 에칭 가스에 의해 제1,2 층(120,130)의 일부가 제거됨으로써 기판 보호층(112)과 멤브레인층(140)에 형성되는 것이다.
한편, 기판 보호층(112)에서 제1 돌기부(105a)가 형성된 부분의 두께와 기판 보호층(112)에서 에칭액 또는 에칭 가스에 의해 식각이 가장 많이 일어난 부분의 두께의 차이(두께 편차)는 0 ~ 500Å 일 수 있다. 그리고, 멤브레인층(140)에서 제2 돌기부(105b)가 형성된 부분의 두께와 멤브레인층(140)에서 에칭액 또는 에칭 가스에 의해 식각이 가장 많이 일어난 부분의 두께의 차이(두께 편차)도 0 ~ 500Å 일 수 있다.
하부전극(150)은 멤브레인층(140) 상에 형성되며, 일부분이 캐비티(C)의 상부에 배치된다. 또한, 하부전극(150)은 RF(Radio Frequency) 신호 등의 전기적 신호를 입출력하는 입력 전극 및 출력 전극 중 어느 하나로 이용될 수 있다.
하부전극(150)은 일예로서, 몰리브덴(molybdenum : Mo)과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 하부전극(150)은 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt), 구리(Copper : Cu), 티타늄 (Titanium : Ti), 탄탈 (Tantalum : Ta), 니켈 (Nickel : Ni) , 크롬 (Chromium : Cr), 알루미늄(Al) 등과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금으로 이루어질 수 있다.
압전층(160)은 적어도 캐비티(C)의 상부에 배치되는 하부전극(150)을 덮도록 형성된다. 한편, 압전층(160)은 전기적 에너지를 탄성파 형태의 기계적 에너지로 변환하는 압전 효과를 일으키는 부분으로, 질화 알루미늄(AlN), 산화아연(ZnO), 납 지르코늄 티타늄 산화물(PZT; PbZrTiO) 중 하나로 형성될 수 있다. 특히, 압전층(160)이 질화 알루미늄(AlN)로 구성되는 경우 압전층(160)은 희토류 금속(Rare earth metal)을 더 포함할 수 있다. 일 예로, 희토류 금속은 스칸듐(Sc), 에르븀(Er), 이트륨(Y), 및 란탄(La) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 일 예로, 전이 금속은 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 탄탈륨 (Ta), 니오비윰 (Nb) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 2가 금속인 마그네슘(Mg)도 포함될 수 있다.
한편, 압전층(160)은 평탄부(S)에 배치되는 압전부(162), 그리고 확장부(E)에 배치되는 굴곡부(164)를 포함한다.
압전부(162)는 하부전극(150)의 상부면에 직접 적층되는 부분이다. 따라서 압전부(162)는 하부전극(150)과 상부전극(170) 사이에 개재되어 하부전극(150), 상부전극(170)과 함께 편평한 형태로 형성된다.
굴곡부(164)는 압전부(162)에서 외측으로 연장되어 확장부(E) 내에 위치하는 영역으로 정의될 수 있다.
굴곡부(164)는 후술되는 삽입층(180) 상에 배치되며, 삽입층(180)의 형상을 따라 융기되는 형태로 형성된다. 이에 압전층(160)은 압전부(162)와 굴곡부(164)의 경계에서 굴곡되며, 굴곡부(164)는 삽입층(180)의 두께와 형상에 대응하여 융기된다.
굴곡부(164)는 경사부(164a)와 연장부(164b)로 구분될 수 있다.
경사부(164a)는 후술되는 삽입층(180)의 경사면(L)을 따라 경사지게 형성되는 부분을 의미한다. 그리고 연장부(164b)는 경사부(164a)에서 외측으로 연장되는 부분을 의미한다.
경사부(164a)는 삽입층(180) 경사면(L)과 평행하게 형성되며, 경사부(164a)의 경사각은 삽입층(180) 경사면(L)의 경사각(θ)과 동일하게 형성될 수 있다.
상부전극(170)은 적어도 캐비티(C)의 상부에 배치되는 압전체층(160)을 덮도록 형성된다. 상부전극(170)은 RF(Radio Frequency) 신호 등의 전기적 신호를 입출력하는 입력 전극 및 출력 전극 중 어느 하나로 이용될 수 있다. 즉, 하부전극(150)이 입력 전극으로 이용되는 경우 상부전극(170)은 출력 전극으로 이용되며, 하부전극(150)이 출력 전극으로 이용되는 경우 상부전극(170)은 입력 전극으로 이용될 수 있다.
상부전극(170)은 일예로서, 몰리브덴(molybdenum : Mo)과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 하부전극(150)은 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt), 구리(Copper : Cu), 티타늄 (Titanium : Ti), 탄탈 (Tantalum : Ta), 니켈 (Nickel : Ni) , 크롬 (Chromium : Cr), 알루미늄(Al) 등과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금으로 이루어질 수 있다.
여기서, 공진부라 함은 하부전극(150), 압전층(160) 및 상부전극(170)을 포함하는 구성을 의미하며, 특정주파수에서 에너지가 공진되도록 하는 역할을 수행하는 구성을 의미한다.
삽입층(180)은 하부전극(150)과 압전층(160) 사이에 배치된다. 삽입층(180)은 산화규소(SiO2), 질화알루미늄(AlN), 산화알루미늄(Al2O3), 질화규소(Si3N4), 산화망간(MgO), 산화지르코늄(ZrO2), 티탄산 지르콘산 연(PZT), 갈륨비소(GaAs), 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO)등의 유전체로 형성될 수 있으나, 압전층(160)과는 다른 재질로 형성된다. 또한, 필요에 따라 삽입층(180)이 구비되는 영역을 빈 공간(air)으로 형성하는 것도 가능하다. 이는 제조 과정에서 삽입층(180)을 제거함으로써 구현될 수 있다.
본 실시예에서 삽입층(180)의 두께는 하부전극(150)의 두께와 동일하거나, 유사하게 형성될 수 있다. 또한, 삽입층(180)의 두께는 압전층(160)의 두께와 유사하거나 압전층(160) 보다 얇게 형성될 수 있다. 예를 들어 삽입층(180)은 100Å 이상의 두께로 형성되되 압전층(160)의 두께보다는 얇게 형성될 수 있다. 그러나 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 삽입층(180)은 멤브레인층(140)과 하부전극(150), 그리고 식각 방지부(130)에 의해 형성되는 표면을 따라 배치된다.
삽입층(180)은 평탄부(S)의 주변에 배치되어 압전층(160)의 굴곡부(164)를 지지한다. 따라서 압전층(160)의 굴곡부(164)는 삽입층(180)의 형상을 따라 경사부(164a)와 연장부(164b)로 구분될 수 있다.
삽입층(180)은 평탄부(S)를 제외한 영역에 배치된다. 예를 들어 삽입층(180)은 평탄부(S)를 제외한 영역 전체에 배치되거나, 일부 영역에 배치될 수 있다.
또한 삽입층(180)은 적어도 일부가 압전층(160)과 하부전극(150) 사이에 배치된다.
평탄부(S)의 경계를 따라 배치되는 삽입층(180)의 측면은 평탄부(S)에서 멀어질수록 두께가 두꺼워지는 형태로 형성된다. 이로 인해 삽입층(180)은 평탄부(S)와 인접하게 배치되는 측면이 일정한 경사각(θ)을 갖는 경사면(L)으로 형성된다.
삽입층(180) 측면의 경사각(θ)이 5°보다 작게 형성되면, 이를 제조하기 위해서는 삽입층(180)의 두께를 매우 얇게 형성하거나 경사면(L)의 면적을 과도하게 크게 형성해야 하므로, 실질적으로 구현이 어렵다.
또한 삽입층(180) 측면의 경사각(θ)이 70°보다 크게 형성되면, 삽입층(180) 상에 적층되는 압전층(160)의 경사부(164a) 경사각도 70°보다 크게 형성된다. 이 경우 압전층(160)이 과도하게 굴곡되므로, 압전층(160)의 굴곡 부분에서 크랙(crack)이 발생될 수 있다.
페시베이션층(190)은 하부전극(150)과 상부전극(170)의 일부분을 제외한 영역에 형성된다. 한편, 페시베이션층(190)은 공정 중 상부전극(170) 및 하부전극(150)이 손상되는 것을 방지하는 역할을 수행한다.
나아가, 페시베이션층(190)은 최종 공정에서 주파수 조절을 위해 식각에 의해 페시베이션층(190)의 두께가 조절될 수 있다. 페시베이션층(190)은 멤브레인층(140)에 사용되는 물질과 동일 물질을 사용할 수있다. 일 예로, 이산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4), 산화망간(MgO), 산화지르코늄(ZrO2), 질화알루미늄(AlN), 티탄산 리르콘산 연(PZT), 갈륨비소(GaAs), 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO) 중 어느 하나의 재질을 함유하는 유전체층(Dielectric layer)이 사용될 수 있다.
금속패드(195)는 하부전극(150)과 상부전극(170)의 상기한 페시베이션층(190)이 형성되지 않은 일부분에 형성된다. 일예로서, 금속패드(170)는 금(Au), 금-주석(Au-Sn) 합금, 구리(Cu), 구리-주석(Cu-Sn) 합금, 알루미늄(Al) 및 알루미늄 합금 등의 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 알루미늄 합금은 알루미늄-게르마늄(Al-Ge) 합금일 수 있다.
상기한 바와 같이, 서로 다른 에칭액 또는 에칭가스에 의해 제거되는 제1,2 층(120,130)을 통해 캐비티(C)의 상부에 배치되는 공진부와 기판(110)의 접합을 방지할 수 있다. 다시 말해, 제2 층(130)의 기둥부를 통해 제조 시 공진부의 중앙부를 지지하고 최종적으로 기둥부가 제거됨으로써 페시베이션층(190)의 트리밍 공정 시 공진부와 기판(110)의 접합을 방지할 수 있는 것이다.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 제조방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(110)의 기판보호층(112) 상에 제2 층(130)을 형성한다. 한편, 제2 층(130)은 캐비티(C, 도 1 참조)의 중앙에 배치되는 기둥부(132)를 구비한다. 또한, 제2 층(130)에는 제1 층(120, 도 3 참조)이 삽입 배치되는 삽입홈(134)이 형성된다.
이후, 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 층(130)의 내측에 배치되도록 제1 층(120)이 형성된다. 즉, 제2 층(130)의 캐비티(C) 및 삽입홈(134)을 채우도록 제1 층(120)이 형성된다.
이후, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1,2 층(120,130) 상에 멤브레인층(140), 하부전극(150), 압전층(160), 상부전극(170), 삽입층(180), 페시베이션층(190) 및 금속패드(195)가 형성된다.
이후, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 층(120)의 일부가 제거된다. 다시 말해, 제2 층(130)의 삽입홈(134) 내에 배치되는 제1 층(120)과 제2 층(130)의 기둥부(132)를 제외하고 공진부 하부에 배치되는 제1 층(120)이 제거된다. 이때, 제2 층(130)의 삽입홈(134) 내에 배치되는 제1 층(120)은 캐비티(C)를 감싸는 제2 층(130)에 의해 제거되지 않을 수 있다.
그리고, 제1 층(120)은 플루오르화 수소(HF)를 함유하는 에칭액 또는 에칭가스에 의해 제거될 수 있다. 이때, 에칭액 또는 에칭가스에 의해 일예로서, 질화규소(Si3N4) 재질 또는 질화규소(Si3N4)를 함유하는 재질로 이루어지는 기판 보호층(112)과 멤브레인층(140)이 미세하게 식각될 수 있다. 다시 말해, 기둥부(132)가 형성된 영역을 제외하고 제1 층(120)의 식각을 위한 에칭액 또는 에칭가스에 의해 기판 보호층(112)과 멤브레인층(140)이 미세하게 식각되면서 경사면이 형성될 수 있다.
이후, 도면에는 도시하지 않았으나, 페시베이션층(190)의 트리밍 공정이 수행될 수 있다. 즉, 주파수 보정을 위하여 페시베이션층(180)의 에칭공정이 수행될 수 있다.
이후, 최종적으로 도 6에 도시된 바와 같이, 제2 층(130)의 기둥부(132) 및 제1 층(120)의 내측에 배치되는 제2 층(130)을 제거한다. 이때, 제2 층(130)의 기둥부(132)와 제1 층(120)의 내측에 배치되는 제2 층(130)은 할라이드계 에칭액 또는 에칭가스 중 2플루오르화 크세논(XeF2)을 함유하는 에칭액 또는 에칭가스에 의해 제거될 수 있다.
한편, 제1 층(120)의 외측에 배치되는 제2 층(130)은 제1 층(120)에 의해 제거되지 않을 수 있다.
이때, 제2 층(130)의 기둥부(132)를 제거하기 위한 에칭액 또는 에칭가스에 의해 다시 한번 기판 보호층(112)과 멤브레인층(140)이 미세하게 식각된다. 이에 따라, 기둥부(132)를 제거한 후, 기판 보호층(112)과 멤브레인층(140)에 기둥부(132)에 의한 돌기부(105)가 형성되는 것이다.
한편, 기판 보호층(112)에서 제1 돌기부(105a)가 형성된 부분의 두께와 기판 보호층(112)에서 에칭액 또는 에칭 가스에 의해 식각이 가장 많이 일어난 부분의 두께의 차이(두께 편차)는 0 ~ 500Å 일 수 있다. 그리고, 멤브레인층(140)에서 제2 돌기부(105b)가 형성된 부분의 두께와 멤브레인층(140)에서 에칭액 또는 에칭 가스에 의해 식각이 가장 많이 일어난 부분의 두께의 차이(두께 편차)도 0 ~ 500Å 일 수 있다.
상기한 바와 같이, 서로 다른 에칭액 또는 에칭가스에 의해 제거되는 제1,2 층(120,130)을 통해 캐비티(C)의 상부에 배치되는 공진부와 기판(110)의 접합을 방지할 수 있다. 다시 말해, 제2 층(130)의 기둥부(132)를 통해 제조 시 공진부의 중앙부를 지지하고 최종적으로 기둥부(132)가 제거됨으로써 공진부와 기판(110)의 접합을 방지할 수 있는 것이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 체적 음향 공진기(200)는 일예로서, 기판(110), 제1 층(220), 멤브레인층(140), 하부전극(150), 압전층(160), 상부전극(170), 삽입층(180), 페시베이션층(190) 및 금속패드(195)를 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 기판(110), 멤브레인층(140), 하부전극(150), 압전층(160), 상부전극(170), 삽입층(180), 페시베이션층(190) 및 금속패드(195)는 상기에서 설명한 구성요소와 동일한 구성요소로서 상기의 설명에 갈음하고 여기서는 자세한 설명을 생략하기로 한다.
제1 층(220)은 기판(110) 및 멤브레인층(140)과 함께 캐비티(C)를 형성한다. 즉, 제1 층(220)은 캐비티(C)를 감싸도록 배치된다. 한편, 제1 층(220)은 할라이드계 에칭액 또는 에칭가스 중 2플루오르화 크세논(XeF2)을 함유하는 에칭액 또는 에칭가스에 의해 제거되는 재질, 일예로서 폴리 실리콘을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
한편, 도면에는 도시하지 않았으나, 제조 시 제2 층(230, 도 9 내지 10 참조)이 캐비티(C) 내에 형성될 수 있다. 이후, 최종 공정에서 제거되어 도 7에 도시된 바와 같이, 캐비티(C) 내에는 제2 층(230)이 존재하지 않는 것이다.
일예로서, 제2 층(230)은 할라이드계 에칭액 또는 에칭가스 중 플루오르화 수소(HF)를 함유하는 에칭액 또는 에칭가스에 의해 제거되는 재질, 일예로서 일예로서, 이산화규소(SiO2) 등과 같은 산화물을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 제1 층(220)이 폴리 실리콘을 포함하는 재질로 이루어지며 제2 층(230)이 일예로서, 이산화규소(SiO2) 등과 같은 산화물을 포함하는 재질로 이루어지는 경우를 예로 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않으며 제1 층(220)이 일예로서, 이산화규소(SiO2) 등과 같은 산화물을 포함하는 재질로 이루어지고 제2 층(230)이 폴리 실리콘을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
멤브레인층(140)의 저면에는 돌기부(204)가 형성된다. 돌기부(205)는 후술할 제2 층(230)의 기둥부(232, 도 10 참조)에 의해 형성된다. 즉, 제1 층(220)의 일부를 제거하는 경우 에칭액 또는 에칭가스에 의해 기판 보호층(112)이 미세하게 식각될 수 있다. 다시 말해, 기둥부(232)가 형성된 영역을 제외하고 제1 층(220)의 식각을 위한 에칭액 또는 에칭가스에 의해 기판 보호층(112)이 미세하게 식각되면서 경사면이 형성될 수 있다.
이후, 제2 층(130)의 기둥부(232)를 제거하기 위한 에칭액 또는 에칭가스에 의해 다시 한번 멤브레인층(140)이 미세하게 식각된다. 이에 따라, 기둥부(232)를 제거한 후, 멤브레인층(140)에 기둥부(232)에 의한 돌기부(205)가 형성되는 것이다.
한편, 멤브레인층(140)에서 돌기부(205)가 형성된 부분의 두께와 멤브레인층(140)에서 에칭액 또는 에칭 가스에 의해 식각이 가장 많이 일어난 부분의 두께의 차이(두께 편차)는 0 ~ 500Å 일 수 있다.
상기한 바와 같이, 서로 다른 에칭액 또는 에칭가스에 의해 제거되는 제1,2 층(220,230)을 통해 캐비티(C)의 상부에 배치되는 공진부와 기판(110)의 접합을 방지할 수 있다. 다시 말해, 제2 층(230)을 통해 제조 시 공진부의 중앙부를 지지하여 공진부와 기판(110)의 접합을 방지할 수 있는 것이다.
도 8 내지 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 제조방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 기판(110)의 기판보호층(112) 상에 제1 층(220)을 적층하고, 제1 층(220)에 홈(221)을 형성한다. 홈(221)은 띠 형상을 가지는 제1 홈(221a)과 제1홈(221a)의 중앙부에 배치되는 제2 홈(221b)을 구비할 수 있다. 한편, 제1 층(220)은 할라이드계 에칭액 또는 에칭가스 중 2플루오르화 크세논(XeF2)을 함유하는 에칭액 또는 에칭가스에 의해 제거되는 재질, 일예로서 폴리 실리콘을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
이후, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 층(220)의 제1,2 홈(221a,221b) 내에 제2 층(230)이 형성된다. 한편, 제2 층(230)은 할라이드계 에칭액 또는 에칭가스 중 플루오르화 수소(HF)를 함유하는 에칭액 또는 에칭가스에 의해 제거되는 재질, 일예로서 일예로서, 이산화규소(SiO2) 등과 같은 산화물을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다. 그리고, 제2 층(230)은 공진부를 지지하는 기둥부(232)와, 제2 층(230)의 외측에 배치되는 제1 층(220)의 식각을 방지하기 위한 식각방지부(234)를 구비할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 제1 층(220)이 폴리 실리콘을 포함하는 재질로 이루어지며 제2 층(230)이 일예로서, 이산화규소(SiO2) 등과 같은 산화물을 포함하는 재질로 이루어지는 경우를 예로 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않으며 제1 층(220)이 일예로서, 이산화규소(SiO2) 등과 같은 산화물을 포함하는 재질로 이루어지고 제2 층(230)이 폴리 실리콘을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
이후, 도 10에 도시된 바와 같이, 제1,2 층(220,230) 상에 멤브레인층(140), 하부전극(150), 압전층(160), 상부전극(170), 삽입층(180), 페시베이션층(190) 및 금속패드(195)가 형성된다. 그리고, 제1 층(220)의 일부가 제거된다. 다시 말해, 제2 층(230)의 내측, 즉 공진부의 하부에 배치되는 제1 층(220)이 제거된다. 이때, 제2 층(230)의 외측에 배치되는 제1 층(220)은 제2 층(230)에 의해 제거되지 않을 수 있다.
그리고, 제1 층(220)은 할라이드계 에칭액 또는 에칭가스 중 2플루오르화 크세논(XeF2)을 함유하는 에칭액 또는 에칭가스에 의해 제거된다.
멤브레인층(140)의 저면에는 돌기부(204)가 형성된다. 돌기부(205)는 후술할 제2 층(230)의 기둥부(232, 도 10 참조)에 의해 형성된다. 즉, 제1 층(220)의 일부를 제거하는 경우 에칭액 또는 에칭가스에 의해 기판 보호층(112)이 미세하게 식각될 수 있다. 다시 말해, 기둥부(232)가 형성된 영역을 제외하고 제1 층(220)의 식각을 위한 에칭액 또는 에칭가스에 의해 기판 보호층(112)이 미세하게 식각되면서 경사면이 형성될 수 있다.
이후, 도면에는 도시하지 않았으나, 페시베이션층(190)의 트리밍 공정이 수행될 수 있다. 즉, 주파수 보정을 위하여 페시베이션층(180)의 에칭공정이 수행될 수 있다.
이후, 최종적으로 도 11에 도시된 바와 같이, 제2 층(230)을 제거한다. 이때, 제2 층(230)은 할라이드계 에칭액 또는 에칭가스 중 플루오르화 수소(HF)를 함유하는 에칭액 또는 에칭가스에 의해 제거된다. 이때, 제2 층(130)의 기둥부(232)를 제거하기 위한 에칭액 또는 에칭가스에 의해 다시 한번 멤브레인층(140)이 미세하게 식각된다. 이에 따라, 기둥부(232)를 제거한 후, 멤브레인층(140)에 기둥부(232)에 의한 돌기부(205)가 형성되는 것이다.
한편, 멤브레인층(140)에서 돌기부(205)가 형성된 부분의 두께와 멤브레인층(140)에서 에칭액 또는 에칭 가스에 의해 식각이 가장 많이 일어난 부분의 두께의 차이(두께 편차)는 0 ~ 500Å 일 수 있다.
상기한 바와 같이, 서로 다른 에칭액 또는 에칭가스에 의해 제거되는 제1,2 층(220,230)을 통해 캐비티(C)의 상부에 배치되는 공진부와 기판(110)의 접합을 방지할 수 있다. 다시 말해, 제2 층(230)을 통해 제조 시 공진부의 중앙부를 지지하여 공진부와 기판(110)의 접합을 방지할 수 있는 것이다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 체적 음향 공진기(300)는 일예로서, 기판(110), 제1 층(320), 제2 층(330), 멤브레인층(140), 하부전극(150), 압전층(160), 상부전극(170), 삽입층(180), 페시베이션층(190), 금속패드(195) 및 코팅층(400)을 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 기판(110), 멤브레인층(140), 하부전극(150), 압전층(160), 상부전극(170), 삽입층(180), 페시베이션층(190) 및 금속패드(195)는 상기에서 설명한 구성요소와 동일한 구성요소로서 상기의 설명에 갈음하고 여기서는 자세한 설명을 생략하기로 한다.
제1 층(320)은 기판 보호층(112) 상에 형성된다. 한편, 제1 층(320)은 할라이드계 에칭액 또는 에칭가스 중 플루오르화 수소(HF)를 함유하는 에칭액 또는 에칭가스에 의해 제거되는 재질, 일예로서 일예로서, 이산화규소(SiO2) 등과 같은 산화물을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다. 한편, 제1 층(320)은 캐비티(C) 내에 배치되는 딤플부(322)와, 제2 층(330)의 식각을 방지하는 식각방지부(324)를 구비할 수 있다.
제2 층(330)은 제1 층(320)의 외측에 배치되도록 기판(110) 상에 형성된다. 즉, 제2 층(330)은 제1 층(320)을 감싸도록 배치된다. 한편, 제2 층(330)은 할라이드계 에칭액 또는 에칭가스 중 2플루오르화 크세논(XeF2)을 함유하는 에칭액 또는 에칭가스에 의해 제거되는 재질, 일예로서 폴리 실리콘을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
다만, 도면에는 도시하지 않았으나, 제2 층(330)은 딤플부(322)를 덮도록 형성되며 제조 시 공진부를 지지하는 기둥부(미도시)를 구비할 수 있다. 그리고, 기둥부는 제조 공정 중 제거될 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 제1 층(320)이 일예로서, 이산화규소(SiO2) 등과 같은 산화물을 포함하는 재질로 이루어지고 제2 층(330)이 폴리 실리콘을 포함하는 재질로 이루어지는 경우를 예로 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않으며 제1 층(320)이 폴리 실리콘을 포함하는 재질로 이루어지며 제2 층(330)이 일예로서, 이산화규소(SiO2) 등과 같은 산화물을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
멤브레인층(140)의 저면에는 돌기부(305)가 형성된다. 돌기부(305)는 후술할 제2 층(230)의 기둥부(332, 도 14 참조)에 의해 형성된다. 즉, 제1 층(320)의 일부를 제거하는 경우 에칭액 또는 에칭가스에 의해 멤브레인층(140)이 미세하게 식각될 수 있다. 다시 말해, 기둥부(332)가 형성된 영역을 제외하고 제1 층(320)의 식각을 위한 에칭액 또는 에칭가스에 의해 멤브레인층(140)이 미세하게 식각되면서 경사면이 형성될 수 있다.
이후, 제2 층(330)의 기둥부(332)를 제거하기 위한 에칭액 또는 에칭가스에 의해 다시 한번 멤브레인층(140)이 미세하게 식각된다. 이에 따라, 기둥부(332)를 제거한 후, 멤브레인층(140)에 기둥부(332)에 의한 돌기부(305)가 형성되는 것이다.
한편, 멤브레인층(140)에서 돌기부(205)가 형성된 부분의 두께와 멤브레인층(140)에서 에칭액 또는 에칭 가스에 의해 식각이 가장 많이 일어난 부분의 두께의 차이(두께 편차)는 0 ~ 500Å 일 수 있다.
코팅층(400)은 캐비티(C)의 내부에 적층되며, 발수층으로 이루어질 수 있다. 코팅층(400)은 딤플부(322)와 함께 공진부와 기판(110)의 접합을 보다 더 방지하는 역할을 수행한다.
도 13 내지 도 19는 본 발명의 제3 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 제조방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
도 13에 도시된 바와 같이, 기판(110)의 기판보호층(112) 상에 제1 층(320)의 일부분, 즉 제1 층(320)의 딤플부(322)를 형성한다. 딤플부(322)는 할라이드계 에칭액 또는 에칭가스 중 플루오르화 수소(HF)를 함유하는 에칭액 또는 에칭가스에 의해 제거되는 재질, 일예로서 일예로서, 이산화규소(SiO2) 등과 같은 산화물을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
이후, 도 14에 도시된 바와 같이, 제2 층(330)이 형성된다. 즉, 제1 층(320)의 딤플부(322)를 덮도록 제2 층(330)의 기둥부(332)를 형성한다. 그리고, 제2 층(330)에는 캐비티(C)와, 제1 층(320)의 식각방지부(324, 도 15 참조)를 형성하기 위한 삽입홈(334)이 형성된다. 한편, 제2 층(330)은 할라이드계 에칭액 또는 에칭가스 중 2플루오르화 크세논(XeF2)을 함유하는 에칭액 또는 에칭가스에 의해 제거되는 재질, 일예로서 폴리 실리콘을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
이후, 도 15에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 딤플부(322)를 제외한 제1 층(320)이 형성된다. 즉, 캐비티(C)와 삽입홈(334) 내에 배치되도록 제1 층(320)이 형성된다. 그리고, 제1 층(320)은 할라이드계 에칭액 또는 에칭가스 중 플루오르화 수소(HF)를 함유하는 에칭액 또는 에칭가스에 의해 제거되는 재질, 일예로서 일예로서, 이산화규소(SiO2) 등과 같은 산화물을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
이후, 도 16에 도시된 바와 같이, 제1,2 층(220,230) 상에 멤브레인층(140), 하부전극(150), 압전층(160), 상부전극(170), 삽입층(180), 페시베이션층(190) 및 금속패드(195)가 형성된다.
이후, 도 17에 도시된 바와 같이, 기둥부(332)를 감싸는 제1 층(320)을 제거한다. 이때, 제1 층(320)은 할라이드계 에칭액 또는 에칭가스 중 플루오르화 수소(HF)를 함유하는 에칭액 또는 에칭가스에 의해 제거될 수 있다.
이때, 에칭액 또는 에칭가스에 의해 멤브레인층(140)이 미세하게 식각될 수 있다. 다시 말해, 기둥부(332)가 형성된 영역을 제외하고 제1 층(320)의 식각을 위한 에칭액 또는 에칭가스에 의해 멤브레인층(140)이 미세하게 식각되면서 경사면이 형성될 수 있다.
이후, 도면에는 도시하지 않았으나, 페시베이션층(190)의 트리밍 공정이 수행된다. 즉, 주파수 조절을 위하여 페시베이션층(190)의 일부분에 식각 공정이 수행된다.
이후, 도 18에 도시된 바와 같이, 제1 층(320)의 식각방지부(324) 내측에 배치되는 제2 층(330)이 제거된다. 즉, 딤플부(332)를 덮도록 형성되는 기둥부(332) 및 식각방지부(324) 내측에 배치되는 제2 층(330)이 제거된다.
이때, 제2 층(330)의 기둥부(332)를 제거하기 위한 에칭액 또는 에칭가스에 의해 다시 한번 멤브레인층(140)이 미세하게 식각된다. 이에 따라, 기둥부(332)를 제거한 후, 멤브레인층(140)에 기둥부(332)에 의한 돌기부(305)가 형성되는 것이다.
이후, 도 19에 도시된 바와 같이, 코팅층(400)이 캐비티(C) 내에 형성된다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
100, 200, 300 : 체적 음향 공진기
110 : 기판
120, 220, 320 : 제1 층
130, 230, 330 : 제2 층
140 : 멤브레인층
150 : 하부전극
160 : 압전층
170 : 상부전극
180 : 삽입층
190 : 페시베이션층
195 : 금속패드
110 : 기판
120, 220, 320 : 제1 층
130, 230, 330 : 제2 층
140 : 멤브레인층
150 : 하부전극
160 : 압전층
170 : 상부전극
180 : 삽입층
190 : 페시베이션층
195 : 금속패드
Claims (16)
- 기판 보호층을 구비하는 기판;
상기 기판 보호층 상에 배치되는 제1 층;
상기 제1 층의 외측에 배치되는 제2 층;
상기 기판 및 상기 제1 층과 함께 캐비티를 형성하는 멤브레인층; 및
상기 멤브레인층 상부에 배치되는 공진부;
를 포함하며,
상기 기판 보호층과 상기 멤브레인층 중 적어도 하나는 상기 캐비티 내에 배치되는 돌기부를 구비하는 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
상기 돌기부는 상기 기판 보호층에 형성되는 제1 돌기부와, 상기 제1 돌기부에 대향 배치되도록 상기 멤브레인층에 형성되는 제2 돌기부를 구비하는 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
상기 돌기부는 복수개가 상기 캐비티 내에 상호 이격 배치되는 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 층은 산화물 또는 폴리 실리콘을 포함하는 재질로 이루어지는 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 층 및 상기 제2 층은 각각 산화물 또는 폴리 실리콘을 포함하는 재질 중 선택적으로 어느 하나로 이루어지는 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 층은 플루오르화 수소(HF)을 함유하는 에칭액 또는 에칭가스, 또는 2플루오르화 크세논(XeF2)을 함유하는 에칭액 또는 에칭가스 중 어느 하나에 의해 식각되는 재질로 이루어지는 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 층 및 상기 제2 층은 각각 플루오르화 수소(HF)을 함유하는 에칭액 또는 에칭가스, 또는 2플루오르화 크세논(XeF2)을 함유하는 에칭액 또는 에칭가스 중 선택적으로 어느 하나에 의해 식각되는 재질로 이루어지는 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
상기 기판보호층과 상기 멤브레인층은 질화규소(Si3N4), 산화망간(MgO), 산화지르코늄(ZrO2), 질화알루미늄(AlN), 티탄산 리르콘산 연(PZT), 갈륨비소(GaAs), 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO) 중 적어도 어느 하나의 재질을 함유하는 유전체층(Dielectric layer) 또는 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 백금(Pt), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf) 중 적어도 어느 하나의 재질을 함유하는 금속층으로 이루어지는 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
상기 1층은 상기 캐비티의 내부에 배치되는 딤플부와, 상기 캐비티를 감싸도록 배치되는 식각방지부를 구비하는 체적 음향 공진기.
- 제9항에 있어서,
상기 캐비티 내에 형성되는 코팅층을 더 포함하는 체적 음향 공진기.
- 서로 다른 에칭액 또는 에칭가스에 의해 식각되는 재질로 이루어지는 제1,2 희생층을 기판 상에 형성하는 단계;
상기 제1,2 희생층의 상부에 멤브레인층 및 공진부를 형성하는 단계;
상기 제1,2 희생층 중 어느 하나의 일부를 식각하여 캐비티 내에 기둥부를 형성하는 단계;
상기 기둥부를 식각하는 단계;
를 포함하는 체적 음향 공진기의 제조방법.
- 제11항에 있어서,
상기 제1,2 희생층을 기판 상에 형성하는 단계는
상기 기판 상에 기둥부를 구비하는 제2 희생층을 형성하는 단계; 및
상기 기둥부를 감싸도록 제1 희생층을 형성하는 단계;
를 구비하는 체적 음향 공진기의 제조방법.
- 제12항에 있어서,
상기 제1 희생층은 일부가 상기 제2 희생층의 삽입홈 내에 배치되는 체적 음향 공진기의 제조방법.
- 제11항에 있어서,
상기 제1,2 희생층을 기판 상에 형성하는 단계는
띠 형상을 가지는 제1 홈과, 제1 홈의 중앙부에 배치되는 제2 홈을 가지는 제1 희생층을 형성하는 단계; 및
상기 제1,2 홈 내에 제2 희생층을 형성하는 단계;
를 구비하는 체적 음향 공진기의 제조방법.
- 제14항에 있어서,
상기 기둥부는 상기 제2 희생층의 일부를 식각하여 형성되는 체적 음향 공진기의 제조방법.
- 제11항에 있어서,
상기 제1,2 희생층을 기판 상에 형성하는 단계는
상기 제1 희생층의 딤플부를 형성하는 단계;
상기 딤플부를 덮도록 제2 희생층을 형성하는 단계;
상기 딤플부가 내부에 배치되는 기둥부와, 삽입홈을 제2 희생층에 형성하는 단계:
상기 기둥부의 주위와 상기 삽입홈 내에 제1 희생층을 형성하는 단계;
를 구비하는 체적 음향 공진기의 제조방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180111290A KR20200032362A (ko) | 2018-09-18 | 2018-09-18 | 체적 음향 공진기 및 이의 제조방법 |
| US16/356,164 US11424729B2 (en) | 2018-09-18 | 2019-03-18 | Bulk-acoustic wave resonator and method for manufacturing the same |
| CN201910593109.3A CN110912528A (zh) | 2018-09-18 | 2019-07-03 | 体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180111290A KR20200032362A (ko) | 2018-09-18 | 2018-09-18 | 체적 음향 공진기 및 이의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200032362A true KR20200032362A (ko) | 2020-03-26 |
Family
ID=69773377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180111290A KR20200032362A (ko) | 2018-09-18 | 2018-09-18 | 체적 음향 공진기 및 이의 제조방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11424729B2 (ko) |
| KR (1) | KR20200032362A (ko) |
| CN (1) | CN110912528A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220163777A (ko) * | 2021-06-03 | 2022-12-12 | (주)와이솔 | 기계적, 전기적 및 열역학적 특성이 향상된 음향 공진기 및 이의 제조방법 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11764750B2 (en) * | 2018-07-20 | 2023-09-19 | Global Communication Semiconductors, Llc | Support structure for bulk acoustic wave resonator |
| CN111554800B (zh) * | 2020-04-23 | 2022-07-26 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 平坦化方法 |
| CN111554799A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-08-18 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 平坦化方法 |
| US20220103157A1 (en) * | 2021-11-26 | 2022-03-31 | Newsonic Technologies | Lithium niobate or lithium tantalate fbar structure and fabricating method thereof |
| CN117544127A (zh) * | 2023-11-21 | 2024-02-09 | 武汉敏声新技术有限公司 | 一种体声波谐振器及其制备方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100306718B1 (ko) | 1998-05-02 | 2001-12-17 | 장광현 | 교각을이용한공기막형박막공진기및그제조방법 |
| KR20050072576A (ko) | 2004-01-07 | 2005-07-12 | 엘지전자 주식회사 | 박막 용적 탄성파 공진기 필터 및 그 제조방법 |
| JP2007221588A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振器及び薄膜圧電共振器の製造方法 |
| JP2008035119A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振子及びその製造方法 |
| JP2009124640A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 薄膜圧電バルク波共振器およびその製造方法、並びに薄膜圧電バルク波共振器を用いた薄膜圧電バルク波共振器フィルタ |
| KR102029503B1 (ko) * | 2014-12-08 | 2019-11-08 | 삼성전기주식회사 | 체적 음향 공진기 및 필터 |
| US10734968B2 (en) * | 2016-08-26 | 2020-08-04 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic resonator and filter including the same |
| US10715099B2 (en) * | 2016-10-28 | 2020-07-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonator and method for manufacturing the same |
| US20180138888A1 (en) * | 2016-11-17 | 2018-05-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonator and method of manufacturing the same |
-
2018
- 2018-09-18 KR KR1020180111290A patent/KR20200032362A/ko not_active Application Discontinuation
-
2019
- 2019-03-18 US US16/356,164 patent/US11424729B2/en active Active
- 2019-07-03 CN CN201910593109.3A patent/CN110912528A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220163777A (ko) * | 2021-06-03 | 2022-12-12 | (주)와이솔 | 기계적, 전기적 및 열역학적 특성이 향상된 음향 공진기 및 이의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20200091888A1 (en) | 2020-03-19 |
| US11424729B2 (en) | 2022-08-23 |
| CN110912528A (zh) | 2020-03-24 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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