KR102029503B1 - 체적 음향 공진기 및 필터 - Google Patents

체적 음향 공진기 및 필터 Download PDF

Info

Publication number
KR102029503B1
KR102029503B1 KR1020140175270A KR20140175270A KR102029503B1 KR 102029503 B1 KR102029503 B1 KR 102029503B1 KR 1020140175270 A KR1020140175270 A KR 1020140175270A KR 20140175270 A KR20140175270 A KR 20140175270A KR 102029503 B1 KR102029503 B1 KR 102029503B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
volume acoustic
reflective layer
thickness
layer
electrode
Prior art date
Application number
KR1020140175270A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160069377A (ko
Inventor
신제식
손상욱
김덕환
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020140175270A priority Critical patent/KR102029503B1/ko
Priority to US14/934,619 priority patent/US10110197B2/en
Publication of KR20160069377A publication Critical patent/KR20160069377A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102029503B1 publication Critical patent/KR102029503B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/173Air-gaps
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02007Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02086Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02102Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/54Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/54Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/58Multiple crystal filters
    • H03H9/582Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques
    • H03H9/586Means for mounting to a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/587Air-gaps
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/021Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the air-gap type
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/175Acoustic mirrors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/54Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/58Multiple crystal filters
    • H03H9/582Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques
    • H03H9/586Means for mounting to a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/589Acoustic mirrors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따르면, 보호층 또는 반사층의 일부 두께가 다르게 형성된 체적 음향 공진기 및 필터가 제공된다.
본 발명의 일실시예에 따른 체적 음향 공진기는 압전층을 갖는 체적 음향 공진부; 및 상기 체적 음향 공진부에 인가된 신호에 기초하여 상기 압전층에서 발생되는 공진 주파수의 웨이브를 반사시키는 반사층을 포함하고, 상기 반사층은 일부 영역의 두께와 나머지 영역의 두께가 상이할 수 있다.

Description

체적 음향 공진기 및 필터{BULK ACOUSTIC WAVE RESONATOR AND FILTER}
본 발명은 체적 음향 공진기 및 필터에 관한 것이다.
휴대폰과 같은 이동 통신 시스템에서 주파수 자원의 제한으로 인해, 사용 주파수를 할당받는데 막대한 비용이 소비된다.
송신 주파수와 수신 주파수 사이에는 송수신 신호의 간섭을 배제하기 위한 일정량의 주파수 간격(밴드갭(band gap))을 두고 사용하고 있다.
상술한 바와 같이, 사용 주파수를 할당받는데 막대한 비용이 소비되므로, 주파수 자원의 효율적인 사용을 위해, 송신 주파수와 수신 주파수 사이의 밴드갭을 줄일 필요가 있다.
일반적인 무선 통신 시스템에서는 송신 신호와 수신 신호를 분리해주는 듀플렉서를 구현하여 밴드갭을 줄이나, 높은 Q팩터(factor)가 요구된다.
또한, 주변 온도의 변화에도 불구하고 안정적인 무선 통신을 구현하기 위해서는 무선 신호 필터의 온도에 다른 주파수 변화 즉, TCF(Temperature Coefficient of Frequency) 매우 중요하여, 무선 신호 필터의 TCF값이 '0'에 근접하도록 하는 기술이 요구된다.
한편, 무선 신호 필터에는 체적 음향 공진기가 채용되는데, 하기의 선행 기술 문헌에 개시된 바와 같이, 온도 보상층이 부가되어 낮은 TCF값을 구현할 수 있으나, 온도 보상층에 의하여 원하지 않는 주파수 대역에서 노이즈 피크가 발생되는 문제점이 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2011-120839호
본 발명의 일 실시예에 따르면, 보호층 또는 반사층의 일부 두께가 다르게 형성된 체적 음향 공진기 및 필터가 제공된다.
상술한 본 발명의 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일실시예에 따른 체적 음향 공진기는 압전층을 갖는 체적 음향 공진부; 및 상기 체적 음향 공진부에 인가된 신호에 기초하여 상기 압전층에서 발생되는 공진 주파수의 웨이브를 반사시키는 반사층을 포함하고, 상기 반사층은 일부 영역의 두께와 나머지 영역의 두께가 상이할 수 있다.
더하여, 본 발명의 일실시예에 따른 필터는, 복수의 체적 음향 공진기를 포함하여, 입력 신호를 상기 복수의 체적 음향 공진기에 의한 주파수 대역으로 필터링하고, 상기 복수의 체적 음향 공진기 각각은 공진 주파수를 형성하는 체적 음향 공진부와 상기 공진 주파수의 웨이브를 반사시키는 반사층 및 기판 상에 증착된 보호층을 구비하되, 상기 복수의 체적 음향 공진기 중 적어도 하나의 체적 음향 공진기의 반사층 또는 보호층 중 적어도 하나의 두께는 나머지 체적 음향 공진기의 반사층 또는 보호층의 두께가 상이할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 온도 보상 기능이 있으면서 노이즈 피크를 저감하는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 구조를 나타낸 도면이다.
도 2a는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 구조를 나타낸 도면이고, 도 2b 및 도 2c는 본 발명의 다른 일 실시예들에 따른 체적 음향 공진기의 반사층 또는 보호층의 수평도이다.
도 3 내지 도 10는 본 발명의 일 실시예들에 따른 체적 음향 공진기의 구조를 나타낸 도면이다.
도 11a 내지 도 11c는 본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기에 따른 주파수 특성을 나타내는 그래프이다.
도 12 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예들에 따른 필터의 개략적인 회로도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 구조를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기(100)는 기판(110), 체적 음향 공진부(220), 반사층(130)을 포함할 수 있으며, 공기 공동(140)을 포함할 수 있다.
기판(110)은 실리콘 또는 SOI(Silicon On Insulator) 타입으로 형성될 수 있다. 체적 음향 공진부(120)는 제1 전극(121), 압전층(122) 및 제2 전극(123)을 포함할 수 있다.
제1 전극(121) 및 제2 전극(123)에 전기적 에너지를 인가하여 압전층(122) 내에 시간적으로 변화하는 전계를 유기하고, 이 전계가 압전층(122) 내에서 체적 음향 공진부(120)의 진동방향과 동일한 방향으로 음향파(Bulk Acoustic Wave)를 유발시켜 공진을 발생시킬 수 있다.
반사층(130)은 체적 음향 공진부(120)의 온도 계수(Temperature Coefficient of Frequency) 값과 합하여 제로(zero)에 근접한 값을 가지도록 하는 온도 계수 특성의 물질로 형성될 수 있다.
예를 들어, 반사층(130)은 체적 음향 공진부(120)의 온도 계수 값의 부호와 반대되는 부호의 온도 계수 특성을 가지는 물질을 적어도 하나 포함하여 형성될 수 있다. 즉, 체적 음향 공진부(120)의 온도 계수 값이 마이너스(-)인 경우에, 반사층(130)은 플러스(+)의 온도 계수 값을 가지는 물질로 형성될 수 있다.
반사층(130)은 실리콘 옥사이드(Silicon Oxide)계열, 실리콘 나이트라이드(Silicon Nitride), 알루미늄 옥사이드(Aluminum Oxide) 계열 또는 알류미늄 나이트라이드(Aluminum Nitride) 계열의 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, SiO2, Si3N4, ZnO, AlN, Al, Au 및 Al2O3와 같은 물질로 형성될 수 있다.
또한, 반사층(130)은 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 텅스텐(W), 백금(Pt) 중 적어도 하나 또는 적어도 두 개의 화합물을 포함하는 물질로 형성될 수 있다.
반사층(130)은 제1 전극(121)과 제2 전극(123)에 인가되는 신호에 기초하여 압전층(122)에서 발생하는 공진 주파수의 웨이브(wave)를 반사시킬 수 있다.
반사층(130)은 제1 전극(121) 및 제2 전극(123)에 인가되는 전압에 따라 압전층(122)에서 발생하는 공진 주파수의 파장의 1/4에 근접한 두께로 형성될 수 있다.
예를 들어, 반사층(130)은 제1 전극(121)의 하부에 위치하여 낮은 음향 임피던스 특성을 가지는 제1 반사층과, 상기 제1 반사층의 하부에 위치하여 높은 음향 임피던스 특성을 가지는 제2 반사층을 포함할 수 있다. (제1 및 제2 반사층에 관해서는 도면을 참조하여 후술하도록 한다.)
상기 제1 반사층 및 상기 제2 반사층의 결합 구조를 통해 제2 전극(123)에서 제1 전극(121) 방향으로 발생하는 음향파가 음향 임피던스의 차이에 따라 공기 공동(air cavity)(140)으로 손실되지 않고, 전반사 되어 압전층(122)에 유지될 수 있다. 공기 공동(140)는 기판(110)으로 전달되는 누설 에너지를 차단할 수 있다.
한편, 반사층(130)의 일부 영역(b)의 두께(t2)는 나머지 영역(a)의 두께(t2)와 상이할 수 있다.
이는 주파수 피크(peak)를 분산시킴으로써 특정 주파수 대역의 피크의 크기를 줄일수 있으며, 이에 따라, 원하지 않는 주파수 대역의 피크를 감소시킬 수 있다.
도 2a는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 구조를 나타낸 도면이고, 도 2b 및 도 2c는 본 발명의 다른 일 실시예들에 따른 체적 음향 공진기의 반사층 또는 보호층의 수평도이다.
도 2a를 참조하면, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기(200)의 반사층(230)은 예를 들어, 각각 두께(t1,t2,t3)가 다른 세 영역(a,b,c)으로 형성될 수 있다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 반사층(230)은 중심에서 외곽으로 갈수록 각각 두가 서로 다른 세 영역(a,b,c)으로 형성될 수 있으며, 도 2c에 도시된 바와 같이, 균등하게 세 영역(a,b,c)이 구분되어, 각 영역의 두께가 서로 다르게 형성될 수도 있다.
상술한 체적 음향 공진기는 반사층에 더하여 보호층을 더 구비할 수 있으며, 보호층 또한 일부 영역의 두께가 나머지 영역의 두께와 상이할 수 있으며, 반사층의 모든 영역의 두께는 일정하고, 보호층의 일부 영역의 두께만 나머지 영역의 두께와 상이할 수도 있다.
이에 관해서는, 도면을 참조하여 후술하도록 한다.
도 3 내지 도 10는 본 발명의 일 실시예들에 따른 체적 음향 공진기의 구조를 나타낸 도면이다.
도 1에서의 반사층(130)의 일부 영역(b)의 두께(t2)는 나머지 영역(a)의 두께(t1)보다 얇은 경우와 반대로, 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예들에 따른 체적 음향 공진기(300)의 반사층(330)의 일부 영역(b)의 두께(t2)는 나머지 영역(a)의 두께(t1)보다 두꺼울 수 있다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예들에 따른 체적 음향 공진기(400)의 반사층(430)은 적어도 두 가지 특성을 가지는 반사층들의 결합구조로 형성될 수 있다. 제1 반사층(431)은 상대적으로 낮은 음향 임피던스(Low acoustic impedance)를 가질 수 있으며, 제2 반사층(432)는 상대적으로 높은 음향 임피던스(High acoustic impedance)를 가질 수 있다.
제2 반사층(432)의 일부 영역(b)의 두께(t2)는 나머지 영역(a)의 두께(t1)와 상이할 수 있다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예들에 따른 체적 음향 공진기(500)의 반사층(530)의 제1 반사층(531)의 일부 영역(b)의 두께(t2)는 나머지 영역(a)의 두께(t1)와 상이할 수 있다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예들에 따른 체적 음향 공진기(600)의 반사층(630)의 하부에 보호층(650)을 포함할 수 있다.
보호층(650)는 공기 공동 형성을 위한 에칭과정에서 에칭 방지막(Etching stop layer)의 역할을 수행할 수 있다.
도시되지 않았지만,일 실시예들에 따른 체적 음향 공진기(600)가 멤브레인층을 더 포함하는 경우 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 보호층(650)의 일부 영역(b)의 두께(t2)는 나머지 영역(a)의 두께(t1)와 상이할 수 있다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예들에 따른 체적 음향 공진기(700)의 반사층(730)의 제1 및 제2 반사층(731,732)과 보호층(750)의 일부 영역(b,d,f)의 두께(t2,t4,t6)는 나머지 영역(a,c,e)의 두께(t1,t3,t5)와 상이할 수 있다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예들에 따른 체적 음향 공진기(800)의 체적 음향 공진부(820)의 상부에는 반사층(860)이 형성될 수 있으며, 반사층(860)의 제1 및 제2 반사층(861,862) 중 하나의 반사층의 일부 영역(b)의 두께(t2)는 나머지 영역(a)의 두께(t1)와 상이할 수 있다.
더하여, 체적 음향 공진부(820)의 하부에도 반사층(830)이 형성될 수 있다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시예들에 따른 체적 음향 공진기(900)의 체적 음향 공진부(920)의 상부에는 반사층(960)이 형성될 수 있으며, 반사층(960)의 제1 및 제2 반사층(961,962) 중 하나의 반사층의 일부 영역(b)의 두께(t2)는 나머지 영역(a)의 두께(t1)와 상이할 수 있다.
또한, 체적 음향 공진부(920)의 하부에 형성된 반사층(930)의 하부에는 보호층(950)이 형성될 수 있으며, 보호층(950)의 일부 영역(d)의 두께(t4)는 나머지 영역(a)의 두께(t3)와 상이할 수 있다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시예들에 따른 체적 음향 공진기(1000)의 체적 음향 공진부(1020)의 상부에는 반사층(1060)이 형성될 수 있으며, 반사층(1060)의 제1 및 제2 반사층(1061,1062) 중 하나의 반사층의 일부 영역(h)의 두께(t8)는 나머지 영역(g)의 두께(t7)와 상이할 수 있다.
또한, 체적 음향 공진부(1020)의 하부에 형성된 반사층(1030)의 제1 및 제2 반사층(1031,1032) 중 하나의 반사층의 일부 영역(b,d)의 두께(t2,t4)는 나머지 영역(a,c)의 두께(t1,t3)와 상이할 수 있다.
반사층(1030)의 하부에는 보호층(1050)이 형성될 수 있으며, 보호층(1050)의 일부 영역(f)의 두께(t6)는 나머지 영역(e)의 두께(t5)와 상이할 수 있다.
도 11a 내지 도 11c는 본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기에 따른 주파수 특성을 나타내는 그래프이다.
도 11a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기 또는 이를 갖는 필터의 특정 주파수 대역을 확대해보면 도 11b와 같이 대략 840MHz 대역의 원하지 않는 주파수 대역의 피크의 경우, 도 11c에 도시된 바와 같이 피크가 저감되는 것을 볼 수 있다.
도 12 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예들에 따른 필터의 개략적인 회로도이다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 일 실시예들에 따른 필터(2000)는 복수의 체적 음향 공진기(2100,2200)을 포함할 수 있다.
제1 체적 음향 공진기(2100)는 입력 신호(RFin)가 입력되는 신호 입력단과 출력 신호(RFout)가 출력되는 신호 출력단 사이에 직렬 연결될 수 있고, 제2 체적 음향 공진기(2200)는 상기 신호 출력단과 접지 사이에 연결되어, 본 발명의 일 실시예들에 따른 필터(2000)는 래더 타입(ladder type)의 필터 구조로 형성될 수 있다.
예를 들어, 제1 체적 음향 공진기(2100)의 반사층(2130)의 두께(t1)은 제2 체적 음향 공진기(2200)의 반사층(2230)의 두께(t2)와 상이하게 형성될 수 있다.
물론, 도 1 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 필터(2000)에 포함된 복수의 체적 음향 공진기(2100,2200) 중 적어도 하나의 체적 음향 공진기의 반사층의 일부 영역의 두께는 나머지 영역의 두께와 상이하게 형성될 수 있다.
이에 따라, 필터(2000)의 원하지 않는 주파수 대역의 피크를 저감시킬 수 있다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 일 실시예들에 따른 필터(3000)는 복수의 체적 음향 공진기(3100,3200,3300,3400)을 포함할 수 있다.
복수의 체적 음향 공진기(3100,3200,3300,3400)은 래더 타입의 필터 구조를 형성할 수 있고, 복수의 체적 음향 공진기(3100,3200,3300,3400) 각각은 반사층(3130,3230,3330,3430)과 보호층(3150,3250,3350,3450)을 포함할 수 있으며, 적어도 하나의 체적 음향 공진기의 반사층 또는 보호층의 두께는 나머지 체적 음향 공진기의 반사층 또는 보호층의 두께와 상이할 수 있다.
예를 들어, 제3 체적 음향 공진기(3300)의 반사층(3330)의 두께(t1) 또는 보호층(3350)의 두께(t2)는 나머지 제1,제2 및 제4 체적 음향 공진기(3100,3200,3400)의 반사층(3130,3230,3430)의 두께(t3,t5,t7) 또는 보호층(3150,3250,3450)의 두께(t4,t6,t8)와 상이할 수 있다.
물론, 도 1 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 필터(3000)에 포함된 복수의 체적 음향 공진기(3100,3200,3300,3400) 중 적어도 하나의 체적 음향 공진기의 반사층 또는 보호층의 일부 영역의 두께는 나머지 영역의 두께와 상이하게 형성될 수 있다.
도 14를 참조하면, 본 발명의 일 실시예들에 따른 필터(4000)는 복수의 체적 음향 공진기(4100,4200,4300,4400)을 포함할 수 있다.
복수의 체적 음향 공진기(4100,4200,4300,4400)은 밸런스드(balanced) 입력 신호(RFin+,RFin-)를 필터링하여 밸런스드 출력 신호(RFout+,RFout-)를 출력하는 래티스 타입(lattice type)의 필터 구조를 형성할 수 있다.
도 12 및 도 13에 도시된 바와 동일하게, 도 14의 복수의 체적 음향 공진기(4100,4200,4300,4400) 또한 적어도 하나의 체적 음향 공진기의 반사층 또는 보호층의 두께는 나머지 체적 음향 공진기의 반사층 또는 보호층의 두께와 상이할 수 있다.
물론, 도 1 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 필터(4000)에 포함된 복수의 체적 음향 공진기(4100,4200,4300,4400) 중 적어도 하나의 체적 음향 공진기의 반사층 또는 보호층의 일부 영역의 두께는 나머지 영역의 두께와 상이하게 형성될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 온도 보상 기능이 있으면서 노이즈 피크를 저감할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고 후술하는 특허청구범위에 의해 한정되며, 본 발명의 구성은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 그 구성을 다양하게 변경 및 개조할 수 있다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 쉽게 알 수 있다.
100,200,300,400,500,600,700,800,900,1000,2100,2200,3100,3200,3300,3400,4100,4200,4300,4400: 체적 음향 공진기
2000,3000,4000:필터
110: 기판
120: 체적 음향 공진부
121: 제1 전극
122: 압전층
123: 제2 전국
130: 반사층
140: 공기 공동

Claims (18)

  1. 기판;
    상기 기판에 마련되는 공기 공동;
    상기 공기 공동을 덮도록, 상기 기판 상에 순차적으로 적층되는 제1 전극, 압전층, 및 제2 전극을 포함하는 체적 음향 공진부; 및
    상기 체적 음향 공진부에 인가된 신호에 기초하여 상기 압전층에서 발생되는 공진 주파수의 웨이브를 반사시키는 반사층; 을 포함하고,
    상기 공기 공동, 상기 제1 전극, 상기 압전층, 및 상기 제2 전극이 공통적으로 중첩되는 영역 내에서, 상기 반사층의 일부 영역의 두께는 나머지 영역의 두께와 상이한 체적 음향 공진기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반사층은 상기 체적 음향 공진부의 상부 또는 하부 중 적어도 한곳에 위치하는 체적 음향 공진기.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 반사층은
    제1 음향 임피던스를 갖는 제1 반사층; 및
    상기 제1 음향 임피던스보다 임피던스가 높은 제2 음향 임피던스를 갖는 제2 반사층
    을 포함하는 체적 음향 공진기.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 반사층 또는 제2 반사층 중 적어도 하나의 반사층은 일부 영역의 두께와 나머지 영역의 두께가 상이한 체적 음향 공진기.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상에 증착되는 보호층을 더 포함하는 체적 음향 공진기.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 보호층은 일부 영역의 두께와 나머지 영역의 두께가 상이한 체적 음향 공진기.
  7. 기판;
    상기 기판에 마련되는 공기 공동;
    상기 공기 공동을 덮도록, 상기 기판 상에 순차적으로 적층되는 제1 전극, 압전층, 및 제2 전극을 포함하는 체적 음향 공진부;
    상기 체적 음향 공진부에 인가된 신호에 기초하여 상기 압전층에서 발생되는 공진 주파수의 웨이브를 반사시키는 반사층; 및
    상기 기판 상에 증착되는 보호층; 을 포함하고,
    상기 공기 공동, 상기 제1 전극, 상기 압전층, 및 상기 제2 전극이 공통적으로 중첩되는 영역 내에서, 상기 반사층의 일부 영역의 두께는 나머지 영역의 두께와 상이한 체적 음향 공진기.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 반사층은 상기 체적 음향 공진부의 상부 또는 하부 중 적어도 한곳에 위치하는 체적 음향 공진기.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 반사층은
    제1 음향 임피던스를 갖는 제1 반사층; 및
    상기 제1 음향 임피던스보다 임피던스가 높은 제2 음향 임피던스를 갖는 제2 반사층
    을 포함하는 체적 음향 공진기.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 반사층 또는 제2 반사층 중 적어도 하나의 반사층은 일부 영역의 두께와 나머지 영역의 두께가 상이한 체적 음향 공진기.
  11. 복수의 체적 음향 공진기를 포함하여, 입력 신호를 상기 복수의 체적 음향 공진기에 의한 주파수 대역으로 필터링하고,
    상기 복수의 체적 음향 공진기 각각은 기판에 마련되는 공기 공동, 상기 공기 공동을 덮도록, 상기 기판 상에 순차적으로 적층되는 제1 전극, 압전층, 및 제2 전극을 포함하여, 공진 주파수를 형성하는 체적 음향 공진부와 상기 공진 주파수의 웨이브를 반사시키는 반사층을 구비하되,
    상기 복수의 체적 음향 공진기 중 적어도 하나의 체적 음향 공진기의 반사층의 두께는 나머지 체적 음향 공진기의 반사층의 두께와 상이하고,
    상기 적어도 하나의 체적 음향 공진기의 상기 공기 공동, 상기 제1 전극, 상기 압전층, 및 상기 제2 전극이 공통적으로 중첩되는 영역 내에서, 상기 반사층의 일부 영역의 두께가 나머지 영역의 두께와 상이한 필터.
  12. 삭제
  13. 제11항에 있어서,
    상기 복수의 체적 음향 공진기는 래더 타입(ladder type) 또는 래티스 타입(lattice type)을 구성되는 필터.
  14. 복수의 체적 음향 공진기를 포함하여, 입력 신호를 상기 복수의 체적 음향 공진기에 의한 주파수 대역으로 필터링하고,
    상기 복수의 체적 음향 공진기 각각은 기판에 마련되는 공기 공동, 상기 공기 공동을 덮도록, 상기 기판 상에 순차적으로 적층되는 제1 전극, 압전층, 및 제2 전극을 포함하여, 공진 주파수를 형성하는 체적 음향 공진부와 상기 공진 주파수의 웨이브를 반사시키는 반사층 및 상기 기판 상에 증착된 보호층을 구비하되,
    상기 복수의 체적 음향 공진기 중 적어도 하나의 체적 음향 공진기의 반사층의 두께는 나머지 체적 음향 공진기의 반사층의 두께가 상이하고,
    상기 적어도 하나의 체적 음향 공진기의 상기 공기 공동, 상기 제1 전극, 상기 압전층, 및 상기 제2 전극이 공통적으로 중첩되는 영역 내에서, 상기 반사층의 일부 영역의 두께는 나머지 영역의 두께와 상이한 필터.
  15. 삭제
  16. 제14항에 있어서,
    상기 복수의 체적 음향 공진기는 래더 타입(ladder type) 또는 래티스 타입(lattice type)을 구성되는 필터.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 반사층의 온도 계수 값과 상기 체적 음향 공진부의 온도 계수 값은 서로 다른 부호를 가지는 체적 음향 공진기.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 반사층의 온도 계수 값의 절대값과 상기 체적 음향 공진부의 온도 계수 값의 절대값은 동일한 체적 음향 공진기.

KR1020140175270A 2014-12-08 2014-12-08 체적 음향 공진기 및 필터 KR102029503B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140175270A KR102029503B1 (ko) 2014-12-08 2014-12-08 체적 음향 공진기 및 필터
US14/934,619 US10110197B2 (en) 2014-12-08 2015-11-06 Bulk acoustic wave resonator and filter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140175270A KR102029503B1 (ko) 2014-12-08 2014-12-08 체적 음향 공진기 및 필터

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160069377A KR20160069377A (ko) 2016-06-16
KR102029503B1 true KR102029503B1 (ko) 2019-11-08

Family

ID=56095244

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140175270A KR102029503B1 (ko) 2014-12-08 2014-12-08 체적 음향 공진기 및 필터

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10110197B2 (ko)
KR (1) KR102029503B1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180017941A (ko) * 2016-08-11 2018-02-21 삼성전기주식회사 탄성파 필터 장치 및 그 제조방법
US10734968B2 (en) * 2016-08-26 2020-08-04 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk acoustic resonator and filter including the same
KR101867285B1 (ko) * 2016-09-21 2018-07-19 삼성전기주식회사 음향 공진기 및 필터
TWI611604B (zh) * 2017-01-03 2018-01-11 穩懋半導體股份有限公司 體聲波濾波器及調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法
KR102109884B1 (ko) * 2018-05-17 2020-05-12 삼성전기주식회사 체적 음향 공진기 및 이의 제조방법
KR20200032362A (ko) * 2018-09-18 2020-03-26 삼성전기주식회사 체적 음향 공진기 및 이의 제조방법
CN116671013A (zh) * 2020-12-31 2023-08-29 华为技术有限公司 滤波器以及滤波器的制备方法
IT202100007364A1 (it) * 2021-03-25 2022-09-25 Spectron Microsystems S R L Risonatore acustico
CN113395051B (zh) * 2021-07-09 2024-03-26 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司 一种薄膜体声波谐振器和高频射频器件

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006121259A (ja) * 2004-10-20 2006-05-11 Seiko Epson Corp 弾性表面波装置
JP2010021914A (ja) * 2008-07-14 2010-01-28 Murata Mfg Co Ltd 分波器
US20130038408A1 (en) * 2011-02-28 2013-02-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte.Ltd. Bulk acoustic wave resonator device comprising an acoustic reflector and a bridge

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6051907A (en) * 1996-10-10 2000-04-18 Nokia Mobile Phones Limited Method for performing on-wafer tuning of thin film bulk acoustic wave resonators (FBARS)
US5873154A (en) * 1996-10-17 1999-02-23 Nokia Mobile Phones Limited Method for fabricating a resonator having an acoustic mirror
US6107721A (en) * 1999-07-27 2000-08-22 Tfr Technologies, Inc. Piezoelectric resonators on a differentially offset reflector
JP2001127584A (ja) * 1999-10-28 2001-05-11 Kyocera Corp 圧電共振子
US6441703B1 (en) * 2000-01-18 2002-08-27 Texas Instruments Incorporated Multiple frequency acoustic reflector array and monolithic cover for resonators and method
JP2002198856A (ja) 2000-12-27 2002-07-12 Kyocera Corp 送受信制御回路
US6407649B1 (en) * 2001-01-05 2002-06-18 Nokia Corporation Monolithic FBAR duplexer and method of making the same
KR100616508B1 (ko) * 2002-04-11 2006-08-29 삼성전기주식회사 Fbar 소자 및 그 제조방법
KR100506729B1 (ko) * 2002-05-21 2005-08-08 삼성전기주식회사 박막 벌크 어코스틱 공진기(FBARs)소자 및 그제조방법
JP4321754B2 (ja) * 2003-07-31 2009-08-26 Tdk株式会社 圧電共振器およびそれを用いたフィルタ
KR100662865B1 (ko) * 2003-10-08 2007-01-02 삼성전자주식회사 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법
US7235915B2 (en) * 2003-11-18 2007-06-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Acoustic resonator device, filter device, manufacturing method for acoustic resonator device, and communication apparatus
DE602004013534D1 (de) * 2004-03-09 2008-06-19 Infineon Technologies Ag Akustischer Volumenwellen - Filter und Verfahren zur Vermeidung unerwünschter Seitendurchgänge
US7561009B2 (en) 2005-11-30 2009-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation
JP2007325205A (ja) * 2006-06-05 2007-12-13 Toshiba Corp 薄膜圧電共振子およびその製造方法
US7639103B2 (en) * 2006-06-26 2009-12-29 Panasonic Corporation Piezoelectric filter, antenna duplexer, and communications apparatus employing piezoelectric resonator
DE102006047698B4 (de) * 2006-10-09 2009-04-09 Epcos Ag Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator
JP2008219237A (ja) * 2007-03-01 2008-09-18 Seiko Epson Corp バルク音響振動子
US9479139B2 (en) 2010-04-29 2016-10-25 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Resonator device including electrode with buried temperature compensating layer
KR101856060B1 (ko) * 2011-12-01 2018-05-10 삼성전자주식회사 체적 음향 공진기
KR101919118B1 (ko) 2012-01-18 2018-11-15 삼성전자주식회사 체적 음향 공진기

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006121259A (ja) * 2004-10-20 2006-05-11 Seiko Epson Corp 弾性表面波装置
JP2010021914A (ja) * 2008-07-14 2010-01-28 Murata Mfg Co Ltd 分波器
US20130038408A1 (en) * 2011-02-28 2013-02-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte.Ltd. Bulk acoustic wave resonator device comprising an acoustic reflector and a bridge

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160069377A (ko) 2016-06-16
US10110197B2 (en) 2018-10-23
US20160164489A1 (en) 2016-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102029503B1 (ko) 체적 음향 공진기 및 필터
US11177787B2 (en) Lamb wave resonator and other type of acoustic wave resonator included in one or more filters
CN110383682B (zh) 弹性波装置、高频前端电路、通信装置及弹性波装置的制造方法
KR101919118B1 (ko) 체적 음향 공진기
US9621126B2 (en) Bulk acoustic resonator device including temperature compensation structure comprising low acoustic impedance layer
WO2021120499A1 (zh) 电极具有空隙层与温补层的体声波谐振器、滤波器及电子设备
CN103988427B (zh) 体声波谐振器
US6710677B2 (en) Band reject filters
CN104253592B (zh) 双工器
US9985606B2 (en) Acoustic wave filter, duplexer, and module
US11082023B2 (en) Multi-layer raised frame in bulk acoustic wave device
US9236848B2 (en) Filter, duplexer, communication module and communication device
KR101918282B1 (ko) 체적 음향 공진기를 이용한 rf 필터 및 rf 트랜시버
US20080048804A1 (en) Coupled lamb wave resonators filter
KR20030076977A (ko) 필터디바이스
CN104639087A (zh) 压电薄膜共振器、滤波器和双工器
JP6515042B2 (ja) 弾性波デバイス
US20140273881A1 (en) Border ring mode suppression in solidly-mounted bulk acoustic wave resonator
US10658998B2 (en) Piezoelectric film transfer for acoustic resonators and filters
CN209844929U (zh) 带断裂结构体声波谐振器、滤波器和电子设备
CN113992180B (zh) 体声波谐振装置及其形成方法、滤波装置及射频前端装置
CN110999078B (zh) 多工器
US10873319B2 (en) Compensation structures for radio frequency filtering devices
WO2019049608A1 (ja) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US7242130B2 (en) Piezoelectric device, antenna duplexer, and method of manufacturing piezoelectric resonators used therefor

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant