CN117674755A - 体声波谐振器以及体声波谐振器制造方法 - Google Patents

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CN117674755A CN202310467838.0A CN202310467838A CN117674755A CN 117674755 A CN117674755 A CN 117674755A CN 202310467838 A CN202310467838 A CN 202310467838A CN 117674755 A CN117674755 A CN 117674755A
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Abstract

本公开提供一种体声波谐振器以及体声波谐振器制造方法。所述体声波(BAW)谐振器包括中央部分和延伸部分，在所述中央部分中，第一电极、压电层和第二电极顺序地堆叠在基板上，所述延伸部分从所述中央部分向外延伸，并且插入层和防损膜在所述延伸部分中设置在所述基板与所述第二电极之间。所述防损膜形成为具有至的厚度。所述插入层堆叠在所述防损膜上，并且具有与所述中央部分相对的侧表面，所述侧表面形成为具有第一倾斜角度的第一倾斜表面。所述防损膜具有与所述中央部分相对的侧表面，所述防损膜的所述侧表面形成为具有第二倾斜角度的第二倾斜表面。所述第二倾斜角度形成为大于所述第一倾斜角度。

Description

体声波谐振器以及体声波谐振器制造方法
本申请要求于2022年9月6日提交到韩国知识产权局的第10-2022-0112716号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
以下描述涉及一种体声波(BAW)谐振器和BAW谐振器制造方法。
背景技术
鉴于无线通信装置的小型化，已经积极地进行高频率组件的小型化。例如，可实现利用制造半导体薄膜晶片的技术的体声波(BAW)谐振器形式的滤波器。
BAW谐振器是实现为滤波器的薄膜型器件，其使用沉积在硅晶片(半导体基板)上的压电介电材料的压电特性来引起谐振。
对5G通信技术的关注已经增加，并且已经积极地开发了可在候选频段中实现的技术。例如，除了4GHz至6GHz频段之外，还期望在多种频段(诸如2GHz至3GHz频段)中作为滤波器平稳地运行的BAW谐振器。因此，期望改善BAW谐振器的滤波器性能。
发明内容
提供本发明内容以按照简化的形式对所选择的构思进行介绍，并在下面的具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总体方面，一种体声波(BAW)谐振器包括：中央部分，在所述中央部分中，第一电极、压电层和第二电极顺序堆叠在基板上；以及延伸部分，从所述中央部分向外延伸，并且插入层和防损膜在所述延伸部分中设置在所述基板与所述第二电极之间，其中，所述防损膜形成为具有至/>的厚度，其中，所述插入层堆叠在所述防损膜上，并且具有与所述中央部分相对的侧表面，并且所述侧表面形成为具有第一倾斜角度的第一倾斜表面，其中，所述防损膜具有与所述中央部分相对的侧表面，并且所述防损膜的所述侧表面形成为具有第二倾斜角度的第二倾斜表面，并且其中，所述第二倾斜角度大于所述第一倾斜角度。
所述第二倾斜表面可从所述第一倾斜表面延伸。
所述插入层和所述防损膜可在所述延伸部分中设置在所述第一电极和所述压电层之间。
所述防损膜可包括氮化铝(AlN)。
所述插入层和所述防损膜可在所述延伸部分中设置在所述压电层与所述第二电极之间。
所述防损膜可利用金属材料形成。
所述插入层和所述防损膜可在所述延伸部分中设置在所述基板与所述第一电极之间。
所述BAW谐振器还可包括：种子层，设置在所述第一电极的下部上，其中，所述种子层的至少一部分设置在所述插入层与所述第一电极之间。
所述防损膜的所述第二倾斜角度可等于或大于50°。
所述防损膜可利用与所述压电层的材料相同的材料形成。
所述第二倾斜表面的上端可与所述第一倾斜表面的下端间隔开预定距离，以与所述插入层的下表面接触。
在另一总体方面，一种制造体声波(BAW)谐振器(所述体声波谐振器包括中央部分和延伸部分，多个薄膜层堆叠在所述中央部分中，所述延伸部分从所述中央部分向外延伸并且插入层附加地设置在所述延伸部分中)的方法包括：形成第一薄膜层；在所述第一薄膜层上形成防损膜；在所述防损膜的整个区域上形成所述插入层；在所述防损膜的整个区域上形成所述插入层之后，去除所述插入层的设置在所述中央部分中的部分；通过去除所述防损膜的暴露在所述插入层外部的部分来暴露所述第一薄膜层；以及在所述第一薄膜层的暴露的部分上形成第二薄膜层，其中，所述防损膜形成为具有至/>的厚度，其中，所述插入层的去除包括将所述插入层的与所述中央部分相对的侧表面形成为第一倾斜表面，其中，所述防损膜的去除包括将所述防损膜的与所述中央部分相对的侧表面形成为第二倾斜表面，并且其中，所述第二倾斜表面从所述第一倾斜表面延伸。
可通过干蚀刻法执行所述插入层的去除，并且可通过湿蚀刻法执行所述防损膜的去除。
在形成所述防损膜时，所述第二倾斜表面可具有等于或大于50°的倾斜角度。
所述第一薄膜层可以是下电极，并且所述第二薄膜层可以是压电层。
所述第一薄膜层可以是压电层，并且所述第二薄膜层可以是上电极。
通过以下具体实施方式和附图，其他特征和方面将是易于理解的。
附图说明
图1示出根据一个或更多个实施例的示例体声波(BAW)谐振器的平面图。
图2示出沿着图1的线I-I’截取的截面图。
图3示出图2的A部分的放大图。
图4至图8是示出制造图2中示出的示例BAW谐振器的方法的图。
图9示出根据一个或更多个实施例的示例BAW谐振器的截面图。
图10示出根据一个或更多个实施例的示例BAW谐振器的截面图。
图11示出根据一个或更多个实施例的示例BAW谐振器的局部截面图。
在所有的附图和具体实施方式中，除非另有描述或提供，否则相同的附图标记可被理解为表示相同的要素、特征和结构。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明及便利起见，可夸大附图中的要素的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后，在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、变型及等同方案将是易于理解的。例如，在此描述的操作的顺序仅是示例，并且不限于在此阐述的顺序，而是除了必须按照特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本申请的公开内容之后将是易于理解的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略对已知特征的描述。
本文所描述的特征可以以不同的形式实现，并且将不被解释为局限于本文所描述的示例。更确切的说，已经提供本文所描述的示例仅仅为示出在理解本申请的公开内容后将是易于理解的实现本文所描述的方法、设备和/或系统的很多可行的方式中的一些方式。
在整个说明书中，当组件、元件或层被描述为“位于”另一组件、元件或层“上”、“连接到”另一组件、元件或层、“结合到”另一组件、元件或层或者“接合到”另一组件、元件或层时，该组件、元件或层可直接“位于”另一组件、元件或层“上”、直接“连接到”另一组件、元件或层、直接“结合到”另一组件、元件或层或者直接“接合到”另一组件、元件或层，或者可合理存在介于两者之间的一个或更多个其他组件、元件和层。当组件、元件或层被描述为“直接位于”另一组件、元件或层“上”、“直接连接到”另一组件、元件或层、“直接结合到”另一组件、元件或层或者“直接接合到”另一组件、元件或层时，不存在介于两者之间的其他组件、元件或层。类似地，可像如上所述的那样解释例如“在……之间”、“直接在……之间”、“与……邻近”和“与……紧邻”的表述。
如本文所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一项或任意两项或更多项的任意组合。短语“A、B和C中的至少一个”、“A、B或C中的至少一个”等旨在具有析取的含义，并且这些短语“A、B和C中的至少一个”、“A、B或C中的至少一个”等还包括其中可存在A、B和/或C中的每个中的一者或更多者(例如，A、B和C中的每个中的一者或更多者的任意组合)的示例，除非相应的描述和实施例需要将这样的所列项(例如，“A、B和C中的至少一个”)解释为具有合取的含义。
尽管可在本文中使用诸如“第一”、“第二”和“第三”等的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语的限制。例如，这些术语中的每个术语不用于限定相应构件、组件、区域、层或部分的本质、顺序或次序，而仅用于将相应构件、组件、区域、层或部分与其他构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，本文所描述的示例中所称的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
本文使用的术语仅用于描述各个示例且不用于限制本公开。除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也意图包括复数形式。作为非限制性示例，术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
由于制造技术和/或公差，可能发生附图中所示的形状的变化。因此，本文描述的示例不限于附图中所示的特定形状，而是包括在制造期间发生的形状变化。
除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员基于对本申请的公开内容的理解通常理解的含义相同的含义。术语(诸如在常用词典中定义的术语)应被解释为具有与其在相关领域和本申请的公开内容的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过度正式的意义解释，除非在本文中明确地如此定义。本文中关于示例或实施例的术语“可”的使用(例如，关于示例或实施例可包括或实现什么)意味着存在包括或实现这样的特征的至少一个示例或实施例，而并不限于所有示例或实施例包括或实现这样的特征。
为了易于描述，本文可使用诸如“上方”、“上面”、“下方”和“下面”的空间相对术语来描述如附图中所示的一个要素与另一要素的关系。这样的空间相对术语意在除了包括附图中描绘的方位之外还包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一要素在“上方”或“上面”的要素于是将相对于所述另一要素在“下方”或“下面”。因此，术语“上方”根据装置的空间方位包括“上方”和“下方”两种方位。装置还可按照其他方式(例如，旋转90度或者处于其他方位)定位，并且将相应地解释本文使用的空间相对术语。
一个或更多个示例提供一种具有改善性能的体声波(BAW)谐振器。
一个或更多个示例还提供一种制造BAW谐振器的方法，所述方法防止下电极在制造工艺期间损耗。
图1示出根据一个或更多个实施例的示例声波谐振器的平面图，图2是沿着图1的线I-I’截取的截面图，并且图3是图2的A部分的放大图。
参照图1至图3，根据一个或更多个实施例的示例声波谐振器100可以是体声波(BAW)谐振器，并且可通过在基板110上堆叠多个薄膜层来形成。
在示例中，基板110可以是硅基板。在非限制性示例中，硅晶片或绝缘体上硅(SOI)型基板可用作基板110。
绝缘层115可形成在基板110的上表面上，以使基板110与谐振部120彼此电隔离。另外，当在制造声波谐振器的工艺中形成腔C时，绝缘层115还可防止基板110被蚀刻气体蚀刻。
在非限制性示例中，绝缘层115可利用二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)和氮化铝(AlN)中的至少一种形成，并且仅作为示例，可通过化学气相沉积、RF磁控溅射和蒸镀中的一种工艺形成。
多个薄膜层可堆叠在绝缘层115上。多个薄膜层可包括支撑层140、膜层150以及形成谐振部120的第一电极121、压电层123和第二电极125。
支撑层140可形成在绝缘层115上，并且可设置在腔C和蚀刻停止部145周围以围绕腔C和蚀刻停止部145。
腔C可形成为空的空间，并且可通过去除在形成支撑层140的工艺中形成的牺牲层的一部分来形成。因此，支撑层140可利用易蚀刻材料(诸如多晶硅或聚合物)形成，但是示例不限于此。
蚀刻停止部145可沿着腔C的边界设置。可提供蚀刻停止部145以防止在形成腔C的工艺中蚀刻进行到腔区域之外。
膜层150可形成在支撑层140上，并且可形成腔C的上表面。因此，膜层150也可利用在形成腔C的工艺中不容易去除的材料形成。
例如，当使用包括氟(F)或氯(Cl)的基于卤化物的蚀刻气体来去除支撑层140的一部分(例如，腔区域)时，膜层150可利用与上述蚀刻气体具有低反应性的材料形成。在该示例中，膜层150可包括二氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)中的至少一种。
另外，膜层150可利用包含氧化镁(MgO)、二氧化锆(ZrO2)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、二氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、二氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)中的至少一种的介电层形成，或者可利用包含铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、铂(Pt)、镓(Ga)和铪(Hf)中的至少一种的金属层形成。然而，示例不限于此。
利用氮化铝(AlN)形成的种子层(未示出)可形成在膜层150上以沉积第一电极121。具体地，种子层可设置在膜层150和第一电极121之间。除了AlN之外，还可使用具有密排六方(HCP)结构的电介质或金属来形成种子层。当使用金属时，种子层可利用例如钛(Ti)形成。
谐振部120可包括第一电极121、压电层123和第二电极125。在谐振部120中，第一电极121、压电层123和第二电极125可在从底部开始的方向上顺序地堆叠。因此，在谐振部120中，压电层123可设置在第一电极121和第二电极125之间。
由于谐振部120形成在膜层150上，因此膜层150、第一电极121、压电层123和第二电极125可顺序地堆叠在绝缘层115的上部上以形成谐振部120。膜层150可以是谐振部120的一部分。
谐振部120可根据施加到第一电极121和第二电极125的信号使压电层123谐振，以产生谐振频率或反谐振频率。
如图2所示，谐振部120可根据堆叠结构被划分为中央部分S和延伸部分E。
作为其中第一电极121、压电层123和第二电极125基本上平坦堆叠的区域的中央部分S可以是设置在谐振部120的中央处的区域，并且可以是主要产生谐振的谐振有效区域。例如，中央部分S可以是谐振部120的未设置插入层170(将在下面描述)的区域。
作为在中央部分S外部从中央部分S延伸的区域的延伸部分E可以是包括插入层170的区域。更具体地，延伸部分E可以是包括插入层170和压电层123的区域，并且还可包括第一电极121和第二电极125中的至少一个。
基于中央部分S和延伸部分E之间的边界，延伸部分E可形成为具有从中央部分S的外部沿着上述边界的连续环形形状。然而，根据需要，延伸部分E可形成为具有不连续的环形形状(其中一些区域是断开的)。
因此，如图2所示，在穿过中央部分S截取的谐振部120的截面中，延伸部分E可设置在中央部分S的相对端中的每端处。另外，插入层170可设置在延伸部分E中，延伸部分E设置在中央部分S的相对端处。
在延伸部分E中，压电层123和第二电极125可设置在插入层170上。
参照图3，插入层170可具有第一倾斜表面L1，插入层170的与第一倾斜表面L1对应的部分的厚度随着距中央部分S的距离增加而增加。另外，在本示例实施例中，压电层123的上表面可平坦地形成。因此，位于延伸部分E中的压电层123可形成为具有厚度沿着插入层170的倾斜表面朝向外部减小的形状。
在本示例实施例中，延伸部分E可被视为包括在谐振部120中，因此，在延伸部分E中也可发生谐振。然而，示例不限于此，并且根据延伸部分E的结构，在延伸部分E中可不发生谐振，并且可仅在中央部分S中发生谐振。
第一电极121和第二电极125可利用导体形成，例如，可利用诸如金、钼、钌、铱、铝、铂、钛、钨、钯、钽、铬或镍的金属形成，或者可利用包括金、钼、钌、铱、铝、铂、钛、钨、钯、钽、铬和镍中的至少一种的合金形成，但本公开不限于此。
在谐振部120中，第一电极121可形成为具有比第二电极125的面积大的面积，并且第一金属层180可沿着第一电极121的外周形成在第一电极121上。因此，第一金属层180可与第二电极125间隔开预定距离，并且可被设置为围绕谐振部120。
在中央部分S中，第一电极121可设置在膜层150上，并且可形成为总体平坦的。另外，由于第二电极125设置在压电层123上，因此第二电极125可根据压电层123的形状形成为总体平坦的。因此，在中央部分S中，第一电极121与第二电极125之间的距离可形成为总体恒定的。
作为下电极的第一电极121可被实现为输入诸如射频(RF)信号的电信号的输入电极和输出诸如射频(RF)信号的电信号的输出电极中的一者。
作为上电极的第二电极125可完全设置在中央部分S内，或者可部分地设置在延伸部分E内。更具体地，在本示例实施例中，第二电极125可被设置为覆盖压电层123的位于中央部分S中的整个部分。在延伸部分E中，第二电极125可被设置为使得第二电极125的形成端部的侧表面位于插入层170的第一倾斜表面L1上方。例如，第二电极125的侧表面可沿着压电层123的与插入层170的第一倾斜表面L1相对应的部分设置。
在本示例实施例中，第二电极125的侧表面可指在图2所示的截面图中示出为侧表面的部分。因此，在谐振部120的穿过中央部分S截取的截面中，第二电极125的端部(侧表面)可设置在延伸部分E内。另外，第二电极125的设置在延伸部分E内的端部的至少一部分可被设置为与插入层170叠置。更具体地，第二电极125的端部可被设置为与插入层170的第一倾斜表面L1叠置。
这里，叠置可以指当第二电极125投影在其上设置有插入层170的平面上时，第二电极125的投影在该平面上的形状与插入层170的第一倾斜表面L1重叠。
如图2所示，第二电极125的至少一部分可连接到第二金属层190。因此，在第二电极125的连接到第二金属层190的部分中，第二电极125的端部可不设置在延伸部分E内。
因此，在本示例实施例中，第二电极125的端部可指第二电极125的除了连接到第二金属层190的部分之外的剩余部分的侧表面。
第二电极125可被实现为输入诸如射频(RF)信号的电信号的输入电极和输出诸如射频(RF)信号的电信号的输出电极中的任意一者。也就是说，当第一电极121被实现为输入电极时，第二电极125可被实现为输出电极，并且当第一电极121被实现为输出电极时，第二电极125可被实现为输入电极。
当第二电极125的端部位于延伸部分E内时，谐振部的局部结构的声阻抗从中央部分S可形成为小/大/小。横向波反射到谐振部120中的反射率可增大。因此，大多数横向波不会逸出到谐振部120外部，并且可被反射到谐振部120中，使得BAW谐振器可具有改善的性能。
在示例中，横向波可包括在谐振部120的表面方向上传播时形成寄生谐振的波。
压电层123(引起压电效应(其中电能被转换成弹性波形式的机械能)的部分)可形成在第一电极121和插入层170(下面将描述)上。
作为压电层123的材料，可选择性地使用诸如但不限于氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)、掺杂氮化铝、锆钛酸铅、石英等的材料。当使用掺杂氮化铝时，还可包括稀土金属、过渡金属或碱土金属。稀土金属可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的至少一种。过渡金属可包括铪(Hf)、钛(Ti)、锆(Zr)、钽(Ta)和铌(Nb)中的至少一种，但不限于此。另外，碱土金属可包括镁(Mg)。
在本示例实施例中，压电层123可通过将氮化铝(AlN)与钪(Sc)掺杂来实现。在该示例中，可增大压电常数，使得可增大声波谐振器的机电耦合系数(Kt 2)。
根据本示例实施例的压电层123可包括设置在中央部分S中的压电部分123a和设置在延伸部分E中的弯曲部分123b。
压电部分123a可以是直接堆叠在第一电极121的上表面上的部分。因此，压电部分123a可介于第一电极121和第二电极125之间，因此可与第一电极121和第二电极125一起形成。
弯曲部分123b可被定义为从压电部分123a向外延伸以定位在延伸部分E内的区域。
弯曲部分123b可设置在下面将描述的插入层170上，并且可形成为其上表面沿着插入层170的形状升高的形式。因此，压电层123可形成为在压电部分123a和弯曲部分123b之间的边界处弯曲，并且弯曲部分123b可升高插入层170的高度，并且具有与插入层170对应的形状。
弯曲部分123b可被分成倾斜部分1231和延伸部分1232。
倾斜部分1231可指形成为沿着下面将描述的插入层170的第一倾斜表面L1倾斜的部分。另外，延伸部分1232可指从倾斜部分1231向外延伸的部分。
倾斜部分1231可形成为平行于插入层170的第一倾斜表面L1，并且倾斜部分1231的倾斜角度可形成为等于第一倾斜表面L1的第一倾斜角度θ1。
在本示例实施例中，插入层170可设置在第一电极121和第二电极125之间，并且可设置在下面描述的防损膜160上。插入层170可部分地设置在谐振部120内，并且插入层170的至少一部分可设置在第一电极121与压电层123之间。
在本示例实施例中，插入层170可设置在除了中央部分S之外的区域中。例如，插入层170可在除了中央部分S之外的区域的一部分中设置在基板110上方，或者可设置在除了中央部分S之外的整个区域上。
插入层170可设置在中央部分S的外侧，并且可设置在多个薄膜层之间。在本示例实施例中，插入层170可堆叠在防损膜160上。然而，示例不限于此。
插入层170的与中央部分S相对的侧表面可形成为具有第一倾斜角度θ1的第一倾斜表面L1。因此，插入层170的与第一倾斜表面L1对应的部分可形成为具有随着距中央部分S的距离增加而增加的厚度。
当在制造BAW谐振器的工艺中对压电层进行图案化时，插入层170还可起到保护第一电极121的作用，因此插入层170可形成为具有预定厚度或更大的厚度。另外，当插入层170过厚时，在谐振部120外侧执行的工艺的难度水平可能增加。考虑到这种情况，在本示例实施例中，插入层170的厚度可形成在至/>的范围内，但是一个或更多个示例不限于此。
另外，当插入层170的第一倾斜角度θ1过小(例如，5°或更小)时，插入层170可能需要形成为具有过小的厚度，或者第一倾斜表面L1可能需要形成为具有大面积以便制造插入层170，使得实际实施可能是困难的。
相反，当第一倾斜角度θ1过大(例如，70°或更大)时，沉积在插入层170的上表面上的压电层123的结晶度可能降低，并且在弯曲部分中可能发生裂纹等。因此，在本示例实施例中，第一倾斜表面L1的第一倾斜角度θ1可形成为在5°至70°的范围内。
插入层170可利用电介质(诸如但不限于二氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氧化镁(MgO)、二氧化锆(ZrO2)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、二氧化铪(HfO2)、二氧化钛(TiO2)或氧化锌(ZnO))形成，插入层170可利用与压电层123的材料不同的材料形成。
另外，插入层170可用金属材料实现。当根据本示例实施例的BAW谐振器被实现用于5G通信时，由于在谐振部120中产生了大量热量，因此可能需要顺利耗散谐振部120中产生的热量。因此，根据本示例实施例的插入层170可利用包含钪(Sc)的铝合金材料形成。
另外，插入层170可利用其中注入了氮(N)或氟(F)的SiO2薄膜形成。
由于设置了插入层170，因此与中央部分S相比，延伸部分E的声阻抗失配可增大。因此，延伸部分E可用作将在中央部分S中产生的横向弹性波中的朝向谐振部120的外侧的横向弹性波反射到中央部分S的框架，从而减少弹性波的能量损失。因此，可确保高Q因子。
在利用BAW谐振器实现滤波器或双工器时，高Q因子可提高其他频段的阻挡特性。
在根据本示例实施例的声波谐振器中，防损膜160可设置在插入层170的下部上。在本示例实施例中，防损膜160可设置在多个薄膜层之间，并且可设置在第一电极121和插入层170之间。因此，插入层170可基本上设置在防损膜160上。
在示例中，防损膜160可形成在第一电极121的整个表面上，以在使插入层170图案化的工艺中保护第一电极121。当插入层170的图案化完成时，防损膜160的设置在插入层170以外的区域(例如，设置在中央部分中的区域)中的部分可被去除。因此，在制造完的BAW谐振器中，防损膜160可仅设置在插入层170的下部上。
通常，在没有防损膜160的情况下，插入层170可直接设置在第一电极121上。因此，由于在制造BAW谐振器的工艺中在第一电极121上沉积插入层170并且使插入层170图案化的工艺中使用的蚀刻气体(例如，O2或Cl2)，第一电极121的一部分可能与插入层170一起被去除。结果，位于中央部分S中的第一电极121可能具有增加的表面粗糙度，这可能成为在压电层123的沉积/生长期间的晶体取向的不利条件。
因此，在本示例实施例中，防损膜160可利用相对于插入层170的材料具有高干蚀刻选择性的材料形成，从而改善因第一电极121的损耗引起的频散。防损膜160也可利用与插入层170的材料相同的材料形成，防损膜160的至少一部分可在蚀刻插入层170的过程中被去除，从而防止第一电极121被直接蚀刻。
作为示例，根据本示例实施例的防损膜160可包括氮化铝(AlN)。然而，一个或更多个示例不限于此，并且除了氮化铝(AlN)之外，防损膜160还可利用具有HCP结构的电介质或金属形成。
具有HCP结构的介电材料(诸如氮化铝(AlN))可相对于插入层170具有高干蚀刻选择性，从而有效地起到防损膜160的作用。
然而，一个或更多个示例不限于此，并且防损膜160的材料或厚度不受限制，只要防损膜160保护第一电极121而不在蚀刻插入层170的工艺中被去除即可。例如，防损膜160可利用相对于插入层170具有高干蚀刻选择性的各种材料形成，诸如二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氧化镁(MgO)、二氧化锆(ZrO2)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、二氧化铪(HfO2)、二氧化钛(TiO2)、氧化锌(ZnO)等。
参照图3，防损膜160的与中央部分S相对的侧表面可形成为具有第二倾斜角度θ2的第二倾斜表面L2。因此，防损膜160的包括第二倾斜表面L2的部分具有随着距中央部分S的距离增加而增加的厚度。防损膜160的第二倾斜表面L2可在通过蚀刻工艺部分地去除防损膜160的工艺中形成。在本示例实施例中，可通过湿蚀刻法去除防损膜160。因此，第二倾斜表面L2的第二倾斜角度θ2可大于通过干蚀刻法形成的插入层170的第一倾斜表面L1的第一倾斜角度θ1。第二倾斜角度θ2可以等于或大于50°。
在本示例实施例中，第二倾斜表面L2的第二倾斜角度θ2可形成为锐角。然而，在一些示例中，第二倾斜表面L2的第二倾斜角度θ2也可形成为钝角。
另外，在示例中，根据本示例实施例的防损膜160可形成为比插入层170薄。
然而，当防损膜160过薄时，防损膜160可能不容易形成为具有均匀的厚度。结果，在使插入层170图案化的工艺中，防损膜160可能与插入层170一起被损耗，使得第一电极121可能暴露。在该示例中，可能无法适当地起到防损膜160的防止第一电极121损耗的作用，因此在本示例实施例中防损膜160可形成为具有或更大的厚度。
另外，当防损膜160过厚时，BAW谐振器可能由于防损膜160而具有劣化的性能。通过实验，可确认当防损膜160的厚度超过时，BAW谐振器具有快速劣化的滤波器性能(例如，插入损耗增加)。这可能是因为由于防损膜160的厚度增加导致在插入层170和第一电极121之间的边界处的台阶差增加，因此在压电层123的弯曲部分中(例如，在压电部分和弯曲部分之间的边界处)可能出现不必要的凹槽或裂纹。
因此，在本示例实施例中，防损膜160可形成为具有至/>的厚度，并且可形成为具有/>至/>的厚度，以提高制造可靠性。
在制造声波谐振器的工艺中，可通过向入口孔(图1中的H)供应蚀刻气体(或蚀刻溶液)以去除支撑层140的一部分来形成腔C。
保护膜127可沿着声波谐振器100的表面设置，以保护声波谐振器100免受外部的影响。保护膜127可沿着由第二电极125和压电层123的弯曲部分123b形成的表面设置。
作为保护膜127，可使用包含氮化硅(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)、二氧化锆(ZrO2)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、二氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、二氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)中的一种材料的介电层，但是一个或更多个示例不限于此。
在示例中，保护膜127可形成为单层，但是根据需要也可通过堆叠利用不同材料形成的两层来形成。另外，保护膜127可在最终工艺中被部分地去除以用于频率控制。例如，可在后续工艺中调整保护膜127的厚度。
第一电极121和第二电极125可在谐振部120的外部延伸。另外，第一金属层180和第二金属层190可分别设置在第一电极121和第二电极125的延伸部分的上表面上。
第一金属层180和第二金属层190可利用诸如但不限于金(Au)、金-锡(Au-Sn)合金、铜(Cu)、铜-锡(Cu-Sn)合金、铝(Al)和铝合金的材料形成。在示例中，铝合金可以是铝-锗(Al-Ge)合金或铝-钪(Al-Sc)合金。
第一金属层180和第二金属层190可被实现为连接线(用于将根据本示例实施例的声波谐振器的电极121和125电连接到被设置为与其相邻的另一声波谐振器的电极)或用于基板110上的外部连接的端子。然而，一个或更多个示例不限于此。
第一金属层180可穿过保护膜127以结合到第一电极121。另外，在谐振部120中，第一电极121可形成为具有比第二电极125的面积大的面积，并且第一金属层180可形成在第一电极121的外周部分上。因此，第一金属层180可沿着谐振部120的外周设置，并且可被设置为围绕第二电极125。然而，一个或更多个示例不限于此。
将描述根据一个或更多个实施例的制造BAW谐振器的方法。
图4至图8是示出制造图2中示出的BAW谐振器的方法的图。
首先，参照图4，在制造根据一个或更多个实施例的BAW谐振器的方法中，可在基板110上形成绝缘层115和牺牲层140a，并且可形成穿过牺牲层140a的图案P。因此，绝缘层115可通过图案P暴露在外部。
绝缘层115可利用氧化镁(MgO)、二氧化锆(ZrO2)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、二氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、二氧化钛(TiO2)、氧化锌(ZnO)、氮化硅(SiN)或二氧化硅(SiO2)形成。然而，一个或更多个示例不限于此。
形成在牺牲层140a上的图案P可具有梯形截面，该梯形截面的上表面的宽度比下表面的宽度宽。
牺牲层140a的一部分可通过随后的蚀刻工艺去除以形成腔(图2中的C)，并且牺牲层140a的剩余部分可形成支撑层140。因此，牺牲层140a可利用易蚀刻材料(诸如多晶硅或聚合物)形成。然而，一个或更多个示例不限于此。
随后，可在牺牲层140a上形成膜层150。膜层150可形成为沿着牺牲层140a的表面具有均匀的厚度。膜层150的厚度可小于牺牲层140a的厚度。
膜层150可利用二氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)中的至少一种形成。另外，膜层150可利用介电层或金属层形成，但是不限于此，介电层包含氧化镁(MgO)、二氧化锆(ZrO2)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、二氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、二氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)中的至少一种，金属层包含铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、铂(Pt)、镓(Ga)和铪(Hf)中的至少一种，膜层150可利用与牺牲层140a的材料不同的材料形成。
随后，如图5中所示，可在膜层150上形成蚀刻停止层145a。在该示例中，蚀刻停止层145a也可填充在图案P中。
蚀刻停止层145a可形成为具有完全填充图案P的厚度。因此，蚀刻停止层145a可形成为比牺牲层140a厚。
蚀刻停止层145a可利用与绝缘层115的材料相同的材料形成。然而，一个或更多个示例不限于此。
随后，可去除蚀刻停止层145a以向外暴露膜层150。
在该示例中，蚀刻停止层的在图案P中填充的部分可保留，并且剩余的蚀刻停止层145a可用作蚀刻停止部145。
随后，如图6所示，可在膜层150的上表面上形成第一电极121。
在本示例实施例中，第一电极121可利用导体形成，例如，可利用金属(包括但不限于金、钼、钌、铱、铝、铂、钛、钨、钯、钽、铬、镍)形成，或者可利用包括金、钼、钌、铱、铝、铂、钛、钨、钯、钽、铬和镍中的至少一种的合金形成。然而，一个或更多个示例不限于此。
可通过形成导体层以覆盖整个膜层150并且去除任何不必要的部分来形成第一电极121。
随后，参照图6，可在第一电极121的上表面上形成防损膜160。
可形成防损膜160以防止第一电极121在使插入层170图案化的工艺中被损坏。因此，防损膜160可形成在第一电极121的整个表面上，并且可根据需要延伸到膜层150的上部。
如上所述，防损膜160可利用电介质(诸如但不限于氮化铝(AlN)、二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氧化镁(MgO)、二氧化锆(ZrO2)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、二氧化铪(HfO2)、二氧化钛(TiO2)或氧化锌(ZnO))形成，并且可利用与插入层170的材料不同的材料形成。
在本示例实施例中，可形成防损膜160以防止第一电极121在使插入层170图案化期间被损耗或损坏。因此，防损膜160利用在干蚀刻工艺中不被蚀刻或去除的材料形成可以是有利的，并且只要防损膜160能够在干蚀刻工艺中保护第一电极121，则防损膜160可形成为尽可能薄。
如上所述，在本示例实施例中，防损膜160可形成为具有至/>的厚度，并且可形成为具有/>至/>的厚度，以便提高制造可靠性。
随后，如图7所示，可在防损膜160上形成插入层170。可通过以下方式来完成插入层170：将插入层170形成为沿着防损膜160的表面具有宽面积，然后去除防损膜160的设置在对应于中央部分(图8中的S)的区域中的部分。
因此，当完成插入层170时，第一电极121的设置在中央部分S中的部分可暴露在防损膜160的外部。另外，防损膜160形成为沿着第一电极121的外周覆盖第一电极121的一部分。例如，如图8所示，第一电极121的设置在延伸部分E中的边缘部分可设置在防损膜160的下部上。
当插入层170通过干蚀刻法被图案化时，插入层170的被设置为与中央部分S相邻的侧表面可形成为第一倾斜表面L1。如上所述，插入层170的第一倾斜表面L1的倾斜角度(图3中的θ1)可形成为在5°至70°的范围内。第一倾斜表面L1可以是形成将横向波反射到谐振部120中的反射结构的重要元件。然而，当插入层170通过湿蚀刻工艺被图案化时，可能难以以特定角度精确地形成插入层170的第一倾斜表面L1。因此，在本示例实施例中，插入层170可通过干蚀刻法图案化。
插入层170可利用例如电介质(诸如但不限于二氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)、氮化硅(SiN)、氧化镁(MgO)、二氧化锆(ZrO2)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、二氧化铪(HfO2)、二氧化钛(TiO2)或氧化锌(ZnO))形成，插入层170可利用与压电层123的材料不同的材料形成。
防损膜160可保护第一电极121，使得第一电极121在本工艺中不被损耗或损坏。因此，防损膜160可利用在使插入层170图案化的干蚀刻工艺中不被去除的材料形成。
随后，可去除防损膜160以暴露第一电极121。作为示例，可通过湿蚀刻法执行去除防损膜160的工艺。
在本工艺中，可完全去除防损膜160的暴露在插入层170外部的部分。然而，本公开不限于此，并且还可根据需要仅去除防损膜160的设置在中央部分S中的部分。
在湿蚀刻法中，可比干蚀刻法进行的蚀刻更快地进行蚀刻。因此，通过蚀刻工艺形成的防损膜160的第二倾斜角度(图3中的θ2)可等于或大于插入层170的第一倾斜角度θ1。
在蚀刻防损膜160的工艺中，插入层170可用作蚀刻掩模。因此，防损膜160的朝向中央部分S的第二倾斜表面L2可从插入层170的第一倾斜表面L1延伸。例如，第二倾斜表面L2的上端可形成为与第一倾斜表面L1的下端接触。
另外，在本工艺中，可使用仅与防损膜160的材料反应的蚀刻溶液。因此，即使当执行蚀刻工艺时，插入层170或第一电极121也不会被损坏。
随后，如图8所示，可在第一电极121和插入层170上形成压电层123。
在本示例实施例中，压电层123可利用氮化铝(AlN)形成。然而，一个或更多个示例不限于此，并且氧化锌(ZnO)、掺杂氮化铝、锆钛酸铅、石英等可选择性地用作压电层123的材料。另外，掺杂氮化铝还可包括稀土金属或过渡金属。例如，稀土金属可包括但不限于钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的至少一种。过渡金属可包括铪(Hf)、钛(Ti)、锆(Zr)、钽(Ta)、铌(Nb)和镁(Mg)中的至少一种。
例如，压电层123可利用与插入层170的材料不同的材料形成。
可通过以下方式来形成压电层123：在由第一电极121和插入层170形成的整个表面上形成压电材料，然后部分地去除任何不必要的部分。在本示例实施例中，在形成第二电极125之后，去除压电材料的不必要部分以完成压电层123。然而，一个或更多个示例不限于此，并且还可在形成第二电极125之前完成压电层123。
压电层123可形成为覆盖第一电极121的一部分和插入层170，因此压电层123可根据由第一电极121和插入层170形成的表面的形状形成。
如上所述，只有与第一电极121的中央部分S对应的部分可暴露在插入层170的外部。因此，形成在第一电极121上的压电层123可位于中央部分S内。另外，压电层123的形成在插入层170上的弯曲部分123b可位于延伸部分E内。
随后，如图8所示，可在压电层123的上部上形成第二电极125。在本示例实施例中，第二电极125可利用导体形成。在示例中，第二电极125可利用金属形成，金属包括但不限于金、钼、钌、铱、铝、铂、钛、钨、钯、钽、铬、镍，或者第二电极125可利用包括金、钼、钌、铱、铝、铂、钛、钨、钯、钽、铬及镍中的至少一种的合金形成。然而，一个或更多个示例不限于此。
第二电极125可基本上形成在压电层123的压电部分123a上。如上所述，压电层123的压电部分123a可位于中央部分S内。因此，第二电极125的设置在压电层123上的部分也可设置在中央部分S内。
另外，在本示例实施例中，第二电极125也可形成在压电层123的倾斜部分1231上。因此，如上所述，第二电极125可部分地设置在整个中央部分S和延伸部分E内。
随后，可沿着由第二电极125和压电层123形成的表面形成保护膜127。虽然未示出，但是保护膜127也可形成在向外暴露的插入层170上。
保护膜127可利用氧化硅基绝缘材料、氮化硅基绝缘材料和氮化铝基绝缘材料中的一种形成。然而，一个或更多个示例不限于此。
随后，可部分地去除保护膜127和压电层123以使第一电极121和第二电极125部分暴露，并且可分别在暴露的部分上形成第一金属层180和第二金属层190。
第一金属层180和第二金属层190可利用诸如但不限于金(Au)、金-锡(Au-Sn)合金、铜(Cu)或铜-锡(Cu-Sn)合金的材料形成，并且可通过在第一电极121或第二电极125上沉积材料来形成。然而，一个或更多个示例不限于此。
随后，可通过形成腔C来完成图2所示的声波谐振器100。
参照图9，可通过从牺牲层140a去除牺牲层的位于蚀刻停止部145内侧的部分来形成腔C，并且牺牲层140a的剩余部分可形成上述支撑层140。
在示例中，可通过蚀刻法去除牺牲层140a。当牺牲层140a利用诸如多晶硅或聚合物的材料形成时，可通过使用包括氟(F)或氯(Cl)的基于卤化物的蚀刻气体(例如，XeF2)的干蚀刻法来去除牺牲层140a。
在如上所述构造的根据本示例实施例的BAW谐振器中，谐振部120的延伸部分E可通过插入层170形成为比中央部分S更厚，使得可抑制在中央部分S中产生的振动向外逸出，从而增加声波谐振器的Q因子。
另外，根据本实施例的BAW谐振器可包括防损膜160，以防止第一电极121在使插入层170图案化的工艺中部分损耗。与本示例实施例不同，当不存在防损膜时，在第一电极121暴露的状态下执行使插入层170图案化的干蚀刻工艺，导致第一电极121也可能在蚀刻工艺中被部分损耗。
因此，可确认第一电极121的设置在中央部分S中的部分的厚度小于第一电极121的设置在插入层170下方的部分的厚度。另外，当第一电极121的表面粗糙度由于上述原因增加时，沉积在第一电极121的上表面上的压电层123的结晶度可能降低，导致BAW谐振器的频散和噪声的增加以及滤波器性能的劣化。
相反，当如本实施例中那样形成防损膜160时，可防止第一电极121被损耗或被损坏，使得可确认第一电极121的设置在中央部分S中的部分的厚度与第一电极121的设置在插入层170下方的部分的厚度相同，从而使频散或噪声最小化，并改善滤波器性能。
在示例中，还可在第一电极121上形成防损膜160，然后可在不去除中央部分S的防损膜160的情况下将压电层123堆叠在防损膜160上。然而，在该示例中，在通过干蚀刻法使插入层170图案化的工艺中，防损膜160的表面可能被损坏，使得可确认沉积在防损膜160上的压电层123的结晶度可能降低，导致滤波器性能严重劣化。可确认，如本实施例中那样，在去除损坏的防损膜160之后堆叠压电层123的结构中，滤波器性能得到改善。
另外，即使当增加防损膜160时，如果防损膜160的厚度过厚，则滤波器性能可能会劣化。如上所述，当防损膜160的厚度超过时，可确认滤波器性能严重劣化。然而，根据本示例实施例的防损膜160可形成为具有/>至/>的厚度，使得可通过在性能不劣化的情况下使频散或噪声最小化来改善滤波器性能。
一个或更多个示例不限于上述示例实施例，并且可进行各种变型。
图9是根据一个或更多个实施例的示例BAW谐振器的截面图。
参照图9，在根据本示例实施例的示例BAW谐振器中，插入层170可位于压电层123的上部上。因此，压电层123可形成为完全平坦而没有根据上述示例实施例的弯曲部分(诸如图2中的弯曲部分123b)，并且设置在压电层123的上部上的防损膜160可位于压电层123和插入层170之间。
由于插入层170形成在压电层123上，因此可形成根据本示例实施例的防损膜160，以防止在压电层123上形成插入层170的工艺中压电层123被部分损耗。
因此，防损膜160可利用AlN基材料、压电层123的材料和具有高蚀刻选择性的材料形成。例如，根据本示例实施例的防损膜160可利用诸如钛(Ti)、铬(Cr)或铜(Cu)的金属材料形成。
图10是根据一个或更多个示例的示例BAW谐振器的截面图。
参照图10，本示例实施例的BAW谐振器可包括利用氮化铝(AlN)形成的种子层165，用于在膜层150上沉积第一电极121。具体地，种子层165可设置在膜层150和第一电极121之间。除了AlN之外，种子层165还可利用具有HCP结构的电介质或金属形成。在金属的示例中，例如，种子层165可利用钛(Ti)形成。
参照图10，在示例BAW谐振器中，第一电极121可位于插入层170的上部上。具体地，第一电极121可沿着由插入层170、防损膜160和膜层150形成的表面设置。
另外，本示例实施例的体声波谐振器可包括用于沉积第一电极121的种子层165。整个第一电极121可设置在种子层165上。因此，种子层165可沿着由插入层170、防损膜160和膜层150形成的表面设置。
在示例中，种子层165可利用氮化铝(AlN)形成，但是也可使用具有HCP结构的电介质或金属形成。例如，种子层可利用钛(Ti)形成。
由于插入层170可形成在膜层150上，因此可形成根据本实施例的防损膜160，以防止在膜层150上形成插入层170的工艺中膜层150被部分损耗。
因此，防损膜160可利用相对于膜层150具有高蚀刻选择性的材料形成。例如，当膜层150是金属材料时，防损膜160可利用介电层形成，并且当膜层150是介电层时，防损膜160可利用金属材料形成。
图11是根据实施例的示例BAW谐振器的局部截面图，示出与图3的截面相对应的截面。
参照图11，在根据本示例实施例的示例BAW谐振器中，可在第一倾斜表面L1和第二倾斜表面L2之间形成台阶差。如上所述，可通过干蚀刻法执行插入层170的图案化，并且可通过湿蚀刻法执行防损膜160的图案化，使得可通过调整蚀刻环境、速度等来形成台阶差。台阶差可被构造为使得第二倾斜表面L2的上端与插入层170的下表面接触，而不是与第一倾斜表面L1的下端接触。因此，第二倾斜表面L2的上端可与第一倾斜表面L1的下端间隔开预定距离，以与插入层170的下表面接触。
尽管本公开包括具体示例，但对于本领域普通技术人员来说，在理解本申请的公开内容之后将易于理解的是，在不脱离权利要求及其等同方案的精神和范围的情况下，可在这些示例中进行形式和细节上的各种改变。在此描述的示例将被认为是仅描述性含义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被认为可适用于其它示例中的类似特征或方面。如果按照不同的顺序执行描述的技术，和/或如果按照不同的方式组合所描述的系统、架构、装置或电路中的组件和/或由其它组件或其等同组件来替换或者添加所描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可获得合适的结果。
因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同方案限定，并且在权利要求及其等同方案范围内的所有变型都应被解释为包括在本公开中。

Claims (16)

1.一种体声波谐振器，包括：
中央部分，在所述中央部分中，第一电极、压电层和第二电极顺序堆叠在基板上；以及
延伸部分，从所述中央部分向外延伸，并且插入层和防损膜在所述延伸部分中设置在所述基板与所述第二电极之间，
其中，所述防损膜形成为具有至/>的厚度，
其中，所述插入层堆叠在所述防损膜上，并且具有与所述中央部分相对的侧表面，并且所述侧表面形成为具有第一倾斜角度的第一倾斜表面，
其中，所述防损膜具有与所述中央部分相对的侧表面，并且所述防损膜的所述侧表面形成为具有第二倾斜角度的第二倾斜表面，并且
其中，所述第二倾斜角度大于所述第一倾斜角度。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第二倾斜表面从所述第一倾斜表面延伸。
3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述插入层和所述防损膜在所述延伸部分中设置在所述第一电极和所述压电层之间。
4.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述防损膜包括氮化铝。
5.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述插入层和所述防损膜在所述延伸部分中设置在所述压电层与所述第二电极之间。
6.根据权利要求5所述的体声波谐振器，其中，所述防损膜利用金属材料形成。
7.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述插入层和所述防损膜在所述延伸部分中设置在所述基板与所述第一电极之间。
8.根据权利要求7所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括：
种子层，设置在所述第一电极的下部上，
其中，所述种子层的至少一部分设置在所述插入层与所述第一电极之间。
9.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其中，所述防损膜的所述第二倾斜角度等于或大于50°。
10.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其中，所述防损膜利用与所述压电层的材料相同的材料形成。
11.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第二倾斜表面的上端与所述第一倾斜表面的下端间隔开预定距离，以与所述插入层的下表面接触。
12.一种制造体声波谐振器的方法，所述体声波谐振器包括中央部分和延伸部分，多个薄膜层堆叠在所述中央部分中，所述延伸部分从所述中央部分向外延伸并且插入层附加地设置在所述延伸部分中，所述方法包括：
形成第一薄膜层；
在所述第一薄膜层上形成防损膜；
在所述防损膜的整个区域上形成所述插入层；
在所述防损膜的整个区域上形成所述插入层之后，去除所述插入层的设置在所述中央部分中的部分；
通过去除所述防损膜的暴露在所述插入层外部的部分来暴露所述第一薄膜层；以及
在所述第一薄膜层的暴露的部分上形成第二薄膜层，
其中，所述防损膜形成为具有至/>的厚度，
其中，所述插入层的去除包括将所述插入层的与所述中央部分相对的侧表面形成为第一倾斜表面，
其中，所述防损膜的去除包括将所述防损膜的与所述中央部分相对的侧表面形成为第二倾斜表面，并且
其中，所述第二倾斜表面从所述第一倾斜表面延伸。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，
通过干蚀刻法执行所述插入层的去除，并且
通过湿蚀刻法执行所述防损膜的去除。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，在形成所述防损膜时，所述第二倾斜表面具有等于或大于50°的倾斜角度。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，
所述第一薄膜层是下电极，并且
所述第二薄膜层是压电层。
16.根据权利要求12所述的方法，其中，
所述第一薄膜层是压电层，并且
所述第二薄膜层是上电极。
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