JP2008113401A - 共振器、共振器の製造方法および通信装置 - Google Patents

共振器、共振器の製造方法および通信装置 Download PDF

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Abstract

【課題】信頼性の高い小型の共振器を提供することを可能とする。
【解決手段】周囲を基板１０に支持された圧電膜１１と、前記圧電膜１１の下面に形成された第１電極１２と、前記圧電膜１１の上面に形成され、前記圧電膜１１を挟んで前記第１電極１２の少なくとも一部とオーバラップする状態に形成された第２電極１３と、前記基板１０と前記圧電膜１１との間に形成された下部空洞２１に通じるもので前記圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４とを有することを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、共振器、共振器の製造方法およびこの共振器を有するフィルタを搭載した通信装置に関する。
無線通信向けの共振子デバイスでは、近年小型化の要求が益々強くなっている。特に薄膜圧電共振子においては、半導体製造プロセスを兼用することが可能であり、それら小型化の要求に対応するためウエハプロセスによる封止パッケージ化の採用が進行している。薄膜圧電共振子をウエハプロセスにて中空封止する技術は既に多数が報告されており、共振特性においては弾性波の損失を抑制に有利な構造である上下部に空洞を伴う薄膜圧電共振子構造を採用する方向が近年の傾向となっている。
薄膜バルク音響共振器（Thin Film Bulk Acoustic Resonator、以下ＦＢＡＲと記す）の封止技術（例えば、特許文献１参照）として、例えば、図１８５に示すように、従来の薄膜圧電共振器１０１では、基板１１０上に下部空洞１２１を形成するように圧電膜１１１が形成されている。また、この圧電膜１１１の下面に接する第１電極１１２と、圧電膜１１１の上面に接し、上記第１電極１１２と重なる部分を有する第２電極１１３とを有している。これらの第１電極１１２および第２電極１１３を含む上記圧電膜１１１には、その膜面に垂直な方向に上記下部空洞１２１に通じる第１貫通孔１１４が形成されている。また上記圧電膜１１１の上面には、上部空洞１２２を形成するもので、膜面垂直方向に上部空洞１２２に通じる第２貫通孔１１６が形成された上部空洞形成膜１１５が形成されている。
さらに、図１８６に示すように、上記上部空洞形成膜１１５を覆うとともに第２貫通孔１１６を塞ぐように封止層１１８が形成されている。また、上記第１貫通孔１１４と第２貫通孔１１６は重なるように形成されていてもよい。さらに、上記圧電膜１１１は端部近傍が平坦で、この端部近傍から中央部に行くにつれて上記基板１１０から離れ、この中央部近傍が平坦であり、上記第１電極１１２と第２電極１１３との重なり部分は上記中央部近傍の平坦な領域に形成されている。また、上記封止層１１８は、少なくとも表面が金属層で形成されている。
上記薄膜圧電共振器の製造工程は、図１８７（１）に示すように、基板１１０上に第１犠牲層１５１を形成する。次に、第１犠牲層１５１の一部分を覆うように第１電極１１２を形成する。次に、第１電極１１２および第１犠牲層１５１を覆い膜面垂直方向に第１犠牲層１５１に通じる第１貫通孔１１４を有する圧電膜１１１を形成する。次に、圧電膜１１１の一部分を覆うように第１電極１１２と重なる部分を有する第２電極１１３を形成する。次に、圧電膜１１１および第２電極１１３を覆う第２犠牲層１５２を形成する。次に、第２犠牲層１５２を覆い膜面垂直方向に第２犠牲層１５２に通じる第２貫通孔１１６を有する上部空洞形成膜１１５を形成する。
次に、図１８７（２）に示すように、第２貫通孔１１６および第１貫通孔１１４を通して第２犠牲層１５２および第１犠牲層１５１〔前記図１８６参照〕を選択的に除去する。次に、図示はしないが、上部空洞形成膜１１５を覆うとともに第２貫通孔１１６を塞ぐ封止層を形成することにより、上記薄膜圧電共振器が製造される。
図１８８に示すように、従来の別の薄膜圧電共振器１０２では、表面に窪みが設けられた基板１１０上に、基板１１０の窪みが下部空洞１２１となるように圧電膜１１１が形成されている。この圧電膜１１１の下面に接する第１電極１１２と、圧電膜１１１の上面に接し、上記第１電極１１２と重なる部分を有する第２電極１１３が形成されている。この第１電極１１２と第２電極１１３とを含む上記圧電膜１１１には、その膜面に垂直な方向に上記下部空洞１２１に通じる第１貫通孔１１４が形成されている。また上記圧電膜１１１の上面には、上部空洞１２２を形成するもので、膜面垂直方向に上部空洞１２２に通じる第２貫通孔１１６が形成された上部空洞形成膜１１５が形成されている。
さらに、図１８９に示すように、上記上部空洞形成膜１１５を覆うとともに第２貫通孔１１６を塞ぐように封止層１１８が形成されている。また、上記第１貫通孔１１４と第２貫通孔１１６は重なるように形成されていてもよい。さらに、上記圧電膜１１１は平板状に形成されていてもよい。また、上記封止層１１８は、少なくとも表面が金属層で形成されている。
図１９０（１）に示すように、上記薄膜圧電共振器の製造工程は、基板１１０に窪みを形成する。そして、この基板１１０の窪みを埋め込むように第１犠牲層１５１を形成する。次に、第１犠牲層１５１の少なくとも一部分を覆うように第１電極１１２を形成する。次に、第１電極１１２および第１犠牲層１５１を覆い膜面垂直方向に第１犠牲層１５１に通じる第１貫通孔１１４を有する圧電膜１１１を形成する。次に、圧電膜１１１の一部分を覆うように第１電極１１２と重なる部分を有する第２電極１１３を形成する。次に、圧電膜１１１および第２電極１１３を覆う第２犠牲層１５２を形成する。次に、第２犠牲層１５２を覆い膜面垂直方向に第２犠牲層１５２に通じる第２貫通孔１１６を有する上部空洞形成膜１１５を形成する。
次に、図１９０（２）に示すように、第２貫通孔１１６および第１貫通孔１１４を通して第２犠牲層１５２および第１犠牲層１５１〔前記図１９０（１）参照〕を選択的に除去する。次に、上部空洞形成膜１１５を覆うとともに第２貫通孔１１６を塞ぐ封止層（図示せず）を形成することにより、上記薄膜圧電共振器が製造される。
図１９１に示すように、従来の別の薄膜圧電共振器１０３では、表面に窪みが設けられた基板１１０の窪みが、複数層からなる音響反射層１４１、１４２、１４３により埋め込まれている。この音響反射層１４１、１４２、１４３上を含む基板１１０上に圧電膜１１１が形成されている。この圧電膜１１１の下面には第１電極１１２が形成され、圧電膜１１１の上面には、上記第１電極１１２と重なる部分を有する第２電極１１３が形成されている。また上記圧電膜１１１の上面には、上部空洞２２を形成するもので、膜面垂直方向に上部空洞１２２に通じる貫通孔１３２が形成された上部空洞形成膜１１５が形成されている。
さらに、図１９２に示すように、上記上部空洞形成膜１１５を覆うとともに貫通孔１３２を塞ぐように封止層１３３が形成されている。また、上記圧電膜１１１は平板状に形成されていてもよい。また、上記封止層１３３は、少なくとも表面が金属層で形成されている。上記音響反射層１４１、１４２、１４３は、例えばブラッグ音響反射層である。
図１９３（１）に示すように、上記薄膜圧電共振器の製造工程は、基板１１０に窪み１２３を形成する。そして、この基板１１０の窪み１２３を埋め込むように複数層からなる音響反射層１４１、１４２、１４３を形成する。次に、複数層からなる音響反射層１４１、１４２、１４３の少なくとも一部分を覆うように第１電極１１２を形成する。次に、第１電極１１２および複数層からなる音響反射層１４１、１４２、１４３を覆う圧電膜１１を形成する。次に、圧電膜１１１の一部分を覆うように第１電極１１２と重なる部分を有する第２電極１１３を形成する。次に、圧電膜１１１および第２電極１１３を覆う犠牲層１５３を形成する。次に、犠牲層１５３を覆い膜面垂直方向に犠牲層１５３に通じる貫通孔１３２を有する上部空洞形成膜１１５を形成する。
次に、図１９３（２）に示すように、貫通孔１３２を通して犠牲層１５３〔前記図１９２（１）参照〕を選択的に除去する。次に、上部空洞形成膜１１５を覆うとともに貫通孔１３２を塞ぐ封止層（図示せず）を形成することにより、上記薄膜圧電共振器が製造される。
上記第２貫通孔１１６（貫通孔１３２）は、第２封止層１１８（封止層１３３）の膜厚の上限に制約される。このため、貫通孔径が、犠牲膜の除去速度を制限し生産性を低減している。
図１９４（１）、（２）に示すように、封止層１３３の膜厚ｔは、貫通孔１３２の径ｄにより、ｔ＝（（ｄ／Ｒ）／２）×（１＋Ｕ）で概算の設計がなされている。Ｒは、封止層１３３の貫通孔１３２の開口部におけるカバレージ率で０．３〜０．７である。Ｕはオーバー封止率であり１０％〜３０％を採用している。現在、スパッタリングやＣＶＤ法による封止層の膜厚ｔの成膜上限は５μｍが限界となっている。これは、膜の内部応力による剥がれ、ウエハの反り、膜のクラック、膜表面の平坦性等に起因するためである。ここで、図１９５に封止層膜厚の上限および下限と、貫通孔径との関係を示す。したがって、従来の貫通孔の径ｄは、ｄ＜２．４μｍ〜４．６μｍの制約を受けている。
一方、空洞を形成する際に用いる犠牲膜の除去工程においては、貫通孔の径による犠牲膜の除去速度が制約を受け、空洞における水平方向の犠牲膜の除去速度は生産性の課題より少なくともＶ≧０．５μｍ／ｍｉｎが求められている。ここで、図１９６に空洞水平方向のエッチング速度の上限および下限と、貫通孔径との関係を示す。その結果、貫通孔ｄは、ｄ≧０．３μｍ〜０．６μｍが必要となっている。
以上の根拠により、従来技術では、貫通孔の開口径ｄは０．３≦ｄ≦２．４μｍの範囲に限定されてきた。このように、封止層の膜厚上限に制約を受けている貫通孔の径が犠牲膜の除去速度の大幅な低減を招き、大きな制約を受け、生産性を低減させている。
次に、図１９７に示すように、小型化が要求されている共振器では、水平方向に下部空洞１２１、上部空洞１２２をみた場合に、第１、第２貫通孔１１４、１１６が存在する余分な空洞領域２４Ｈ、２５Ｈが必要となり小型化の障害となっている。
薄膜圧電共振器は小型が要求されている。図１９８に示すように、第１貫通孔１１４が、圧電膜１１１の膜面に垂直な方向に下部空洞１２１へ通じるように形成されるため、第１、第２電極１１３、１１２が重なりある共振領域以外の下部空洞１２１、上部空洞１２２へ通じる領域に第１貫通孔１１４を形成する領域を形成する必要があり、第１貫通孔１１４を存在させるための共振子の外周領域に余分な空洞領域１２４Ｈ、１２５Ｈの面積増加が生じている。
さらに周波数調整が可能な工程の追加ができないため、生産性の著しい低下を招いている。図１９９（１）〜（５）に示すように、従来の第１貫通孔１１４および第２貫通孔１１６を通して第１犠牲層１５１および第２犠牲層１５２を選択的に除去する工程を有する製造方法では、共振子や共振子からなる周波数フィルタの計測可能な段階で、既に上部空洞１２２が完全に気密化されており、共振子自体への調整工程を施すことができない。また、上部空洞１２２の下部空洞２１を同時に形成することになり、高い信頼性と安定性および高度な製造プロセスが要求される。
特開２００４−２２２２４４号公報
解決しようとする問題点は、犠牲膜を選択的に除去する際に用いる貫通孔を埋め込む封止部材が基板表面と並行な圧電膜の平坦部や、上部空間形成膜の平坦部に形成されているため、共振器のセル面積の増大を招いていた。
本発明は、信頼性の高い小型の共振器を提供することを課題とする。
請求項１に係る本発明は、周囲を基板に支持された圧電膜と、前記圧電膜の下面に形成された第１電極と、前記圧電膜の上面に形成され、前記圧電膜を挟んで前記第１電極の少なくとも一部とオーバラップする状態に形成された第２電極と、前記基板と前記圧電膜との間に形成された下部空洞に通じるもので前記圧電膜の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔とを有することを特徴とする。
請求項１に係る共振器では、基板と圧電膜との間に形成された下部空洞に通じる第１貫通孔が圧電膜の傾斜面を有する領域に形成されていることから、従来は圧電膜の平坦な領域に形成されていた第１貫通孔の形成面積分を削減することができるので、その分、圧電膜、第１、第２電極で形成される共振子の縮小化が図れる。また、圧電膜の傾斜面を有する領域に第１貫通孔を形成したことから、この第１貫通孔を塞ぐ封止層を形成した際に、第１貫通孔の下部側開口が下地の基板表面に近くなるので、封止層が途切れることなく基板表面に達するように形成することができるようになる。これによって、従来のように第１貫通孔を塞ぐ場合に第１貫通孔自体を埋め込むように封止層を形成する必要がなくなるので、従来よりも第１貫通孔の口径を大きく形成することが可能になる。よって、下部空洞を形成する再の犠牲膜の除去を第１貫通孔より行う際のエッチングレートを大きくすることが可能になる。
請求項１２に係る本発明は、基板上に第１犠牲層を形成する工程と、前記第１犠牲層の一部分を覆うように第１電極を形成する工程と、前記第１電極および前記第１犠牲層を覆う圧電膜を形成する工程と、前記圧電膜の一部分を覆うように前記第１電極と前記圧電膜を挟んで重なる部分を有する第２電極を形成する工程とを備え、前記圧電膜を形成した後もしくは前記第２電極を形成した後に、前記圧電膜の傾斜面を有する領域に、前記基板と前記圧電膜との間に形成された第１犠牲膜に通じる第１貫通孔を形成する工程を備えたことを特徴とする。
請求項１２に係る共振器の製造方法では、圧電膜の傾斜面を有する領域に、基板と圧電膜との間に形成された第１犠牲膜に通じる第１貫通孔を形成することから、従来は圧電膜の平坦な領域に形成されていた第１貫通孔の形成面積分を削減することができるので、その分、共振子の縮小化が可能になる。また、圧電膜の傾斜面を有する領域に第１貫通孔を形成することから、この第１貫通孔を塞ぐ封止層を形成した際に、第１貫通孔の下部側開口が下地の基板表面に近くなるので、封止層が途切れることなく基板表面に達するように形成することができるようになる。これによって、従来のように第１貫通孔を塞ぐ場合に第１貫通孔自体を埋め込むように封止層を形成する必要がなくなるので、従来よりも第１貫通孔の口径を大きく形成することが可能になる。よって、下部空洞を形成する再の犠牲膜の除去を第１貫通孔より行う際のエッチングレートを大きくすることが可能になる。
請求項２６に係る本発明は、周囲を基板に支持された圧電膜と、前記圧電膜の下面に形成された第１電極と、前記圧電膜の上面に形成され、前記圧電膜を挟んで前記第１電極の少なくとも一部とオーバラップする状態に形成された第２電極と、前記圧電膜上に上部空洞を介して形成された上部空洞形成膜とを備え、前記基板と前記圧電膜との間に形成された下部空洞に通じるもので前記圧電膜に形成された第１貫通孔と、前記上部空洞形成膜の傾斜部に形成された前記上部空洞に通じる第２貫通孔とを形成した共振器を有するフィルタを搭載したことを特徴とする。
請求項２６に係る通信装置では、前記説明したように、本発明の共振器が小型化されることから、通信装置内に共振器の設置面積の縮小化が図れる。
請求項１に係る本発明の共振器によれば、基板と圧電膜との間に形成された下部空洞に通じる第１貫通孔が圧電膜の傾斜面を有する領域に形成されているため、共振子が縮小化されるので、共振器の小型化が図れるという利点がある。また、下部空洞を形成する際の犠牲膜のエッチングレートを大きくとれるようになることから、犠牲膜の除去を完全に行うことが可能になるので、共振器の信頼性の向上が図れる。
請求項１２に係る本発明の共振器の製造方法によれば、圧電膜の傾斜面を有する領域に、基板と圧電膜との間に形成された第１犠牲膜に通じる第１貫通孔を形成するため、共振子が縮小化されるので、共振器の小型化が図れるという利点がある。また、下部空洞を形成する際の犠牲膜のエッチングレートを大きくとれるようになることから、犠牲膜の除去を完全に行うことが可能になるので、共振器の信頼性の向上が図れる。
請求項２６に係る本発明の通信装置によれば、小型化された信頼性の高い共振器を搭載できるので、通信装置の小型化、信頼性の向上が図れるという利点がある。
本発明の共振器の一実施の形態（第１実施例）を、図１および図２の概略構成断面図によって説明する。
図１に示すように、共振器１は、基板１０上に下部空洞２１を形成するように圧電膜１１が形成されている。また、この圧電膜１１の下面に接する第１電極１２と、圧電膜１１の上面に接し、上記第１電極１２と重なる部分を有する第２電極１３とを有している。これらの第１電極１２および第２電極１３を含む上記圧電膜１１の傾斜面を有する領域には上記下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４が形成されている。また上記圧電膜１１の上面側傾斜面には、上部空洞２２を形成するもので、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６が形成された上部空洞形成膜１５が形成されている。さらに、図２に示すように、上記第１貫通孔１４を塞ぐように第１封止層１７が形成され、上記第２貫通孔１６を塞ぐように第２封止層１８が形成されている。この第１封止層１７は、その一部が上記第１貫通孔１４を通じて下地の基板１０に接触するように形成されている。また、この第２封止層１８は、その一部が上記第２貫通孔１６を通じて下地の圧電膜１１に接触するように形成されている。
上記共振器１は、基板１０と圧電膜１１との間に形成された下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４が圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成されていることから、従来は圧電膜の平坦な領域に形成されていた第１貫通孔の形成面積分を削減することができるので、その分、圧電膜１１、第１、第２電極１２，１３で形成される共振子の縮小化が図れる。よって、共振器１の小型化が図れるという利点がある。
従来技術では、貫通孔の下部開口から下地の例えば基板までの距離が長いため、貫通孔の内部を埋め込むことで貫通孔を塞ぐ必要があったが、図３の概略構成断面図に示すように、本発明の共振器１では、第１貫通孔１４の口径を大きくしても、第１貫通孔１４が圧電膜１１の傾斜を有する面に形成されていることから、第１貫通孔１４下部開口から下地の基板１０までの距離ｄが短くなるので、第１封止層１７のみで第１貫通孔１４を塞ぐことができる。同様に、図示はしないが、第２貫通孔１６の口径ｄ２を大きくしても、第２貫通孔１６が上部空洞形成膜１５の傾斜を有する面に形成されていることから、第２貫通孔１６下部開口から下地の圧電膜１１までの距離が短くなるので、第２封止層１８のみで第２貫通孔１６を塞ぐことができる。また、下部空洞２１を形成する際の犠牲膜のエッチングレートを大きくとれるようになることから、犠牲膜の除去を完全に行うことが可能になるので、共振器１の信頼性の向上が図れる。
次に、本発明の共振器の一実施の形態（第２実施例）を、図４および図５の概略構成断面図によって説明する。
図４に示すように、共振器２は、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。また、この圧電膜１１の下面に接する第１電極１２と、圧電膜１１の上面に接し、平面視上記第１電極１２と重なる部分を有する第２電極１３とを有している。上記圧電膜１１の傾斜面を有する領域には上記下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４が形成されている。また上記圧電膜１１の上面側傾斜面側には、上部空洞２２を形成するもので、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６が形成された上部空洞形成膜１５が形成されている。さらに、図５に示すように、上記第１貫通孔１４を塞ぐように第１封止層１７が形成され、上記第２貫通孔１６を塞ぐように第２封止層１８が形成されている。この第１封止層１７は、その一部が上記第１貫通孔１４を通じて下地の基板１０の窪み２３の傾斜面に接触するように形成されている。また、この第２封止層１８は、その一部が上記第２貫通孔１６を通じて下地の基板１０の上面に接触するように形成されている。
上記共振器２は、基板１０と圧電膜１１との間に形成された下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４が圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成されていることから、従来は圧電膜の平坦な領域に形成されていた第１貫通孔の形成面積分を削減することができるので、その分、圧電膜１１、第１、第２電極１２，１３で形成される共振子の縮小化が図れる。よって、共振器２の小型化が図れるという利点がある。
また、従来技術では、貫通孔の下部開口から下地の例えば基板までの距離が長いため、貫通孔の内部を埋め込むことで貫通孔を塞ぐ必要があったが、図６の概略構成断面図に示すように、本発明の共振器２では、第１貫通孔１４の口径ｄ３を大きくしても、第１貫通孔１４が圧電膜１１の傾斜を有する面に形成されていることから、第１貫通孔１４下部開口から下地の基板１０に形成された窪み２３の傾斜面までの距離ｄが短くなるので、第１封止層１７のみで第１貫通孔１４を塞ぐことができる。また、第２貫通孔１６については、前記第１実施例と同様に、第２封止層１８のみで第２貫通孔１６を塞ぐことができる。また、下部空洞２１を形成する際の犠牲膜のエッチングレートを大きくとれるようになることから、犠牲膜の除去を完全に行うことが可能になるので、共振器２の信頼性の向上が図れる。
次に、上記第１実施例の共振器１の具体的な構成例の詳細を図７〜図９によって説明する。各図７〜図９は、（１）にレイアウト平面図を示し、（２）に（１）図中のＡ−Ａ’線断面図を示す。
図７に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は、平面視した場合に四角形に形成された第１空洞２１の各角部上の圧電膜１１に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は、平面視した場合に四角形に形成された第２空洞２２の各角部上の上部空洞形成膜１５に形成され、また、第１空洞２１よりも第２空洞２２の方が、平面視、大きく形成されている。そして、第１電極１２に通じる第１取り出し電極１９と、第２電極１３に通じる第２取り出し電極２０とが、平面視、第２空洞２２を挟んで形成されている。
また、図８に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は、平面視した場合に四角形に形成された第１空洞２１の各角部上および１辺側の圧電膜１１に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は、平面視した場合に四角形に形成された第２空洞２２の各角部上および１辺側の上部空洞形成膜１５に形成され、また、第１空洞２１よりも第２空洞２２の方が、平面視、大きく形成されている。そして、第１電極１２に通じる第１取り出し電極１９と、第２電極１３に通じる第２取り出し電極２０とが、平面視、第２空洞２２の隣接する辺近傍に形成されている。かつ上記第１取り出し電極１９と上記第１空洞２１の１辺側の圧電膜１１に形成された第１貫通孔１４とが、平面視、第２空洞２２を挟んだ状態に形成されている。また、上記第１貫通孔１４は第１封止層１７により塞がれ、上記第２貫通孔１６は第２封止層１８により塞がれている。
また、図９に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は、平面視した場合に四角形に形成された第１空洞２１の各角部上および１辺側の圧電膜１１に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は、平面視、上記第１貫通孔１４と重なる位置の上部空洞形成膜１５に形成され、また、第１空洞２１よりも第２空洞２２の方が、平面視、大きく形成されている。そして、第１電極１２に通じる第１取り出し電極１９と、第２電極１３に通じる第２取り出し電極２０とが、平面視、第２空洞２２の隣接する辺近傍に形成されている。かつ上記第１取り出し電極１９と上記第１空洞２１の１辺側の圧電膜１１に形成された第１貫通孔１４とが、平面視、第２空洞２２を挟んだ状態に形成されている。また、上記第１貫通孔１４は塞がれず、上記第２貫通孔１６は第２封止層１８により塞がれている。
上記図７〜図９によって説明した共振器１は、上記第１電極１２は、例えばモリブデン（Ｍｏ）薄膜で形成され、例えば２２７ｎｍの厚さに形成されている。上記圧電膜１１は、例えば窒化アルミニウム膜で形成され、例えば９５５ｎｍの厚さに形成されている。また、上記第２電極１３は、例えばタンタル（Ｔａ）薄膜で形成され、例えば２２７ｎｍの厚さに形成されている。
また、上記基板１０は、例えば電気抵抗率σが１０００Ωｃｍ以上を有する、例えば６００μｍの厚さのシリコン（Ｓｉ）基板で形成されている。そして、この基板１０と圧電膜１１との間の第１空洞２１は、例えば基板１０からの垂直方向の距離にて、例えば６００ｎｍ〜１０００ｎｍを有する空洞となっている。
上記第１貫通孔１４は、例えば直径２.５μｍの円柱状に形成されていて、その中心線は基板１０に対し垂直方向をなし、その側面は、基板１０の水平面から７５度±４度をなしている、いわゆるテーパ形状に形成されていることが好ましい。また第１、第２封止層１７，１８は、例えばアルミニウム膜を用いることができるが、例えば、アルミニウムを主成分とする化合物Ａｌ−３％Ｃｕ、やＡｌ−３％Ｃｕ−１％Ｓｉ等を採用しても差し支えはない。上記上部空洞２２は、例えば基板１０からの垂直方向の距離３００ｎｍ〜６００ｎｍを有する空洞に形成されている。また上部空洞２２を形成する上部空洞形成膜１５は、例えば窒化アルミニウム膜（ＡｌＮ）で形成され、例えば７００ｎｍ〜１４００ｎｍの厚さに形成されている。
また、上記取り出し電極１９、２０は、例えば直径５０μｍ〜１５０μｍからなる開口径を有する接続孔に形成されたものである。
上記圧電膜１１は、例えば厚さが９５５ｎｍの窒化アルミニウム膜としたが、必要に求められる共振周波数（５００ＭＨｚ〜８ＧＨｚ）に従い、３２００ｎｍ〜３００ｎｍまで選択が可能である。と、また、上記第１電極１２は、例えば厚さが２７７ｎｍのモリブデン膜としたが、求められる共振周波数に従い、８０ｎｍ〜８００ｎｍまで選択が可能である。同様に、上記第２電極１３は、例えば厚さが２７７ｎｍのタンタル（Ｔａ）膜としたが、求められる共振周波数に従い、８０ｎｍ〜８００ｎｍまで選択が可能である。
上記圧電膜１１、絶縁性の基板１０との間に下部空洞２１を形成するために、端部近傍部分は基板１０に沿って形成され、中央部に行くに連れて基板１０から離れるように形成されている。例えば、下部空洞２１の外側の接面が基板１０と水平方向となす角度が３０度で形成しているが、もしくは３０度以下であることが窒化アルミニウム膜のクラックなどの破損回避からは望ましく、連続的に３０度以下の範囲で変動している形状を有することも可能である。上記圧電膜１１の中央部は平坦で基板１０と一定の距離、例えば基板１０と圧電膜１１の平坦部との距離を６００ｎｍ程度となるように構成されている。また、この平坦性は圧電膜１１の膜厚の１％以下にしている。これは圧電膜１１を伝播する弾性波の弾性散乱による弾性損失を回避するために、十分な注意を有する。また、第１電極１２は、圧電膜１１の下部に設けられた下部空洞２１側の面に接して一方の端部から上記中央部まで延在するように構成されている。第２電極１３は、圧電膜１１上部空洞２２側の面に接して他方の端部から上記中央部まで延在するように構成されている。そして、第１電極１２と第２電極１３とは、圧電膜１１の中央部の平坦領域で重なるように配置されており、例えば重なっている領域は、その内部の圧電膜の誘電率から換算される容量相当によって表現すると、対象となる周波数が８００ＭＨｚ〜３ＧＨｚ帯では０．５ｐｆ〜６．５ｐｆの範囲になるような面積を有する。第１、第２電極１２、１３が圧電膜１１を挟んで重なっている領域に対応する圧電膜１１が第１、第２電極１２、１３からの電圧を受けて縦振動する。なお、本実施形態においては、第１電極１２と第２電極１３は同一方向に延在しても、直交する方向に延在していても良い。
また、共振器１は、下部空洞２１へ通じるように複数個の第１貫通孔１４が設けられていて、上部空洞２２へ通じるように複数個の第２貫通孔１６が設けられている。この第１貫通孔１４は、圧電膜１１の中央部の平坦領域以外、すなわち、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成されている。例えば下部空洞２１の外側の接面が基板１０と水平方向となす角度が３０度、もしくは３０度以下、もしくは連続的に３０度以下の範囲で変動している形状部分の外側に設けられている。また、第１貫通孔１４は、第１電極１２および第２電極１３に係るように設けても良い。
上記第１取り出し電極１９は、上部空洞形成膜１５（封止膜の一部が積層さていてもよい）に形成されたコンタクト孔を介して第１電極１２と電気的に接続され、第２取り出し電極２０は上部空洞形成膜１５（封止膜の一部が積層さていてもよい）に形成されたコンタクト孔を介して第２電極１３と電気的に接続されている。
次に、前記共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について、図１０〜図２７の概略構成断面図によって説明する。
図１０に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成され、第２封止層１８が第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第２封止層１８は、上記上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。
図１１に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４をその内部で塞ぐように形成されて、第２封止層１８が第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第２封止層１８は、上記上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。
図１２に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４を塞ぎ、かつ第１封止層１７の一部が基板１０に接続するように形成されて、第２封止層１８が第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第２封止層１８は上記上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。
図１３に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成され、第２封止層１８が第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第２封止層１８は、上記第２貫通孔１６およびその近傍に形成されている。また、第１貫通孔１４には封止層は形成されていない。
図１４に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４をその内部で塞ぐように形成されて、第２封止層１８が第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第１、第２封止層１７、１８は、第１、第２貫通孔１４、１６内部およびその近傍に形成されている。
図１５に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４を塞ぎ、かつ第１封止層１７の一部が基板１０に接続するように形成されて、第２封止層１８が、第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第１、第２封止層１７、１８は、第１、第２貫通孔１４、１６内部およびその近傍に形成されている。
図１６に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第２封止層１８が第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第２封止層１８は、上記上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。
図１７に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４をその内部で塞ぐように形成されて、第２封止層１８が第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第２封止層１８は、上記上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。
図１８に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４を塞ぎ、かつ第１封止層１７の一部が基板１０に接続するように形成されて、第２封止層１８が第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第２封止層１８は上記上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。
図１９に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第２封止層１８が第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第２封止層１８は、上記第２貫通孔１６およびその近傍に形成されている。また、第１貫通孔１４には封止層は形成されていない。
図２０に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４をその内部で塞ぐように形成されて、第２封止層１８が第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第１、第２封止層１７、１８は、第１、第２貫通孔１４、１６内部およびその近傍に形成されている。
図２１に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４を塞ぎ、かつ第１封止層１７の一部が基板１０に接続するように形成されて、第２封止層１８が、第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第１、第２封止層１７、１８は、第１、第２貫通孔１４、１６内部およびその近傍に形成されている。
図２２に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第２封止層１８が第２貫通孔１６を塞ぎ、かつ第２封止層１８の一部が圧電膜１１に接続するように形成されている。この第２封止層１８は、上記上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。
図２３に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４をその内部で塞ぐように形成されて、第２封止層１８が第２貫通孔１６を塞ぎ、かつ第２封止層１８の一部が圧電膜１１に接続するように形成されている。この第２封止層１８は、上記上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。
図２４に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４を塞ぎ、かつ第１封止層１７の一部が基板１０に接続するように形成されて、第２封止層１８が第２貫通孔１６を塞ぎ、かつ第２封止層１８の一部が圧電膜１１に接続するように形成されている。この第２封止層１８は上記上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。
図２５に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第２封止層１８が第２貫通孔１６を塞ぎ、かつ第２封止層１８の一部が圧電膜１１に接続するように形成されている。この第２封止層１８は、上記第２貫通孔１６およびその近傍に形成されている。また、第１貫通孔１４には封止層は形成されていない。
図２６に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４をその内部で塞ぐように形成されて第２封止層１８が第２貫通孔１６を塞ぎ、かつ第２封止層１８の一部が圧電膜１１に接続するように形成されている。この第１、第２封止層１７、１８は、第１、第２貫通孔１４、１６内部およびその近傍に形成されている。
図２７に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４を塞ぎ、かつ第１封止層１７の一部が基板１０に接続するように形成されて、第２封止層１８が第２貫通孔１６を塞ぎ、かつ第２封止層１８の一部が圧電膜１１に接続するように形成されている。この第１、第２封止層１７、１８は、第１、第２貫通孔１４、１６内部およびその近傍に形成されている。
次に、前記共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について、図２８〜図４５の概略構成断面図によって説明する。
図２８に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成され、第２封止層１８が第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第２封止層１８は、上記上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。また、圧電膜１１は平板状に形成されている。
図２９に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４をその内部で塞ぐように形成されて、第２封止層１８が第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第２封止層１８は、上記上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。また、圧電膜１１は平板状に形成されている。
図３０に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４を塞ぎ、かつ第１封止層１７の一部が基板１０に形成された窪み２３の傾斜面に接続するように形成されて、第２封止層１８が第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第２封止層１８は上記上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。また、圧電膜１１は平板状に形成されている。
図３１に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成され、第２封止層１８が第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第２封止層１８は、上記第２貫通孔１６およびその近傍に形成されている。また、第１貫通孔１４には封止層は形成されていない。また、圧電膜１１は平板状に形成されている。
図３２に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４をその内部で塞ぐように形成されて、第２封止層１８が第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第１、第２封止層１７、１８は、第１、第２貫通孔１４、１６内部およびその近傍に形成されている。また、圧電膜１１は平板状に形成されている。
図３３に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４を塞ぎ、かつ第１封止層１７の一部が基板１０に形成された窪み２３の傾斜面に接続するように形成されて、第２封止層１８が、第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第１、第２封止層１７、１８は、第１、第２貫通孔１４、１６内部およびその近傍に形成されている。また、圧電膜１１は平板状に形成されている。
図３４に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第２封止層１８が第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第２封止層１８は、上記上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。また、圧電膜１１は平板状に形成され、基板１０に形成された窪み２３の周囲の基板１０上で支持されるように形成され、基板１０上の全面には形成されていない。
図３５に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４をその内部で塞ぐように形成されて、第２封止層１８が第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第２封止層１８は、上記上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。また、圧電膜１１は平板状に形成され、基板１０に形成された窪み２３の周囲の基板１０上で支持されるように形成され、基板１０上の全面には形成されていない。
図３６に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４を塞ぎ、かつ第１封止層１７の一部が基板１０に形成された窪み２３の傾斜面に接続するように形成されて、第２封止層１８が第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第２封止層１８は上記上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。また、圧電膜１１は平板状に形成され、基板１０に形成された窪み２３の周囲の基板１０上で支持されるように形成され、基板１０上の全面には形成されていない。
図３７に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第２封止層１８が第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第２封止層１８は、上記第２貫通孔１６およびその近傍に形成されている。また、第１貫通孔１４には封止層は形成されていない。また、圧電膜１１は平板状に形成され、基板１０に形成された窪み２３の周囲の基板１０上で支持されるように形成され、基板１０上の全面には形成されていない。
図３８に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４をその内部で塞ぐように形成されて、第２封止層１８が第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第１、第２封止層１７、１８は、第１、第２貫通孔１４、１６内部およびその近傍に形成されている。また、圧電膜１１は平板状に形成され、基板１０に形成された窪み２３の周囲の基板１０上で支持されるように形成され、基板１０上の全面には形成されていない。
図３９に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４を塞ぎ、かつ第１封止層１７の一部が基板１０に形成された窪み２３の傾斜面に接続するように形成されて、第２封止層１８が、第２貫通孔１６をその内部で塞ぐように形成されている。この第１、第２封止層１７、１８は、第１、第２貫通孔１４、１６内部およびその近傍に形成されている。また、圧電膜１１は平板状に形成され、基板１０に形成された窪み２３の周囲の基板１０上で支持されるように形成され、基板１０上の全面には形成されていない。
図４０に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第２封止層１８が第２貫通孔１６を塞ぎ、かつ第２封止層１８の一部が圧電膜１１に接続するように形成されている。この第２封止層１８は、上記上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。また、圧電膜１１は平板状に形成され、基板１０に形成された窪み２３の周囲の基板１０上で支持されるように形成され、基板１０上の全面には形成されていない。
図４１に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４をその内部で塞ぐように形成されて、第２封止層１８が第２貫通孔１６を塞ぎ、かつ第２封止層１８の一部が圧電膜１１に接続するように形成されている。この第２封止層１８は、上記上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。また、圧電膜１１は平板状に形成され、基板１０に形成された窪み２３の周囲の基板１０上で支持されるように形成され、基板１０上の全面には形成されていない。
図４２に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４を塞ぎ、かつ第１封止層１７の一部が基板１０に形成された窪み２３の傾斜面に接続するように形成されて、第２封止層１８が第２貫通孔１６を塞ぎ、かつ第２封止層１８の一部が圧電膜１１に接続するように形成されている。この第２封止層１８は上記上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。また、圧電膜１１は平板状に形成され、基板１０に形成された窪み２３の周囲の基板１０上で支持されるように形成され、基板１０上の全面には形成されていない。
図４３に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第２封止層１８が第２貫通孔１６を塞ぎ、かつ第２封止層１８の一部が圧電膜１１に接続するように形成されている。この第２封止層１８は、上記第２貫通孔１６およびその近傍に形成されている。また、第１貫通孔１４には封止層は形成されていない。また、圧電膜１１は平板状に形成され、基板１０に形成された窪み２３の周囲の基板１０上で支持されるように形成され、基板１０上の全面には形成されていない。
図４４に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４をその内部で塞ぐように形成されて第２封止層１８が第２貫通孔１６を塞ぎ、かつ第２封止層１８の一部が圧電膜１１に接続するように形成されている。この第１、第２封止層１７、１８は、第１、第２貫通孔１４、１６内部およびその近傍に形成されている。また、圧電膜１１は平板状に形成され、基板１０に形成された窪み２３の周囲の基板１０上で支持されるように形成され、基板１０上の全面には形成されていない。
図４５に示すように、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成され、第１封止層１７が第１貫通孔１４を塞ぎ、かつ第１封止層１７の一部が基板１０に形成された窪み２３の傾斜面に接続するように形成されて、第２封止層１８が第２貫通孔１６を塞ぎ、かつ第２封止層１８の一部が圧電膜１１に接続するように形成されている。この第１、第２封止層１７、１８は、第１、第２貫通孔１４、１６内部およびその近傍に形成されている。また、圧電膜１１は平板状に形成され、基板１０に形成された窪み２３の周囲の基板１０上で支持されるように形成され、基板１０上の全面には形成されていない。
また、前記図１０〜１２、前記図１６〜１８、前記図２２〜２４、前記図２８〜３０、前記図３４〜３６、前記図４０〜４２に示すように、上記第２貫通孔１６を塞ぐ上記第２封止層２０は、パターン形成しない状態で共振器１を覆う領域の上部空洞形成膜１５上面にそのまま残し、共振器１から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜で形成されても良い。
次に、前記共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について、図４６〜図５１の概略構成断面図によって説明する。なお、図４６〜図５１において、図示はしないが、第１貫通孔１４には第１封止層が、第２貫通孔１６には第２封止層が形成されてもよい。
図４６に示すように、基板１０上に圧電膜１１との間に形成される第１空洞２１は、その端面部が第１空洞２１の厚み方向に丸みが形成された状態に形成されている。さらに圧電膜１１も第１空洞２１を転写した状態に、第１空洞２１端面上では丸みが形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に丸みが形成された状態に形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では丸みが形成されている。また、圧電膜１１の傾斜面を有する領域（丸みが形成された領域）に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域（丸みが形成された領域）に形成された第２貫通孔１６とが平面視、重なる位置に形成されている。
図４７に示すように、基板１０上に圧電膜１１との間に形成される第１空洞２１は、その端面部が第１空洞２１の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに圧電膜１１も第１空洞２１を転写した状態に、第１空洞２１端面上では傾斜面で形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に丸みが形成された状態に形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では丸みが形成されている。また、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域（丸みが形成された領域）に形成された第２貫通孔１６とが平面視、重なる位置に形成されている。
図４８に示すように、基板１０上に圧電膜１１との間に形成される第１空洞２１は、その端面部が第１空洞２１の厚み方向に丸みが形成された状態に形成されている。さらに圧電膜１１も第１空洞２１を転写した状態に、第１空洞２１端面上では丸みが形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。また、圧電膜１１の傾斜面を有する領域（丸みが形成された領域）に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とが平面視、重なる位置に形成されている。
図４９に示すように、基板１０上に圧電膜１１との間に形成される第１空洞２１は、その端面部が第１空洞２１の厚み方向に丸みが形成された状態に形成されている。さらに圧電膜１１も第１空洞２１を転写した状態に、第１空洞２１端面上では丸みが形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に丸みが形成された状態に形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では丸みが形成されている。また、圧電膜１１の傾斜面を有する領域（丸みが形成された領域）に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域（丸みが形成された領域）に形成された第２貫通孔１６とが平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成されている。
図５０に示すように、基板１０上に圧電膜１１との間に形成される第１空洞２１は、その端面部が第１空洞２１の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに圧電膜１１も第１空洞２１を転写した状態に、第１空洞２１端面上では傾斜面で形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に丸みが形成された状態に形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では丸みが形成されている。また、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域（丸みが形成された領域）に形成された第２貫通孔１６とが平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成されている。
図５１に示すように、基板１０上に圧電膜１１との間に形成される第１空洞２１は、その端面部が第１空洞２１の厚み方向に丸みが形成された状態に形成されている。さらに圧電膜１１も第１空洞２１を転写した状態に、第１空洞２１端面上では丸みが形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。また、圧電膜１１の傾斜面を有する領域（丸みが形成された領域）に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とが平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成されている。
次に、前記共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について、図５２〜図５７の概略構成断面図によって説明する。なお、図５２〜図５７において、図示はしないが、第１貫通孔１４には第１封止層が、第２貫通孔１６には第２封止層が形成されてもよい。
図５２に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。さらに第１空洞２１の一端面上における圧電膜１１の上面には丸みが形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、丸みが形成されている圧電膜１１の一端面上では、その厚み方向に丸みが形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２の上記一端面上では丸みが形成されている。また、圧電膜１１の傾斜面を有する領域（丸みが形成された領域）に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域（丸みが形成された領域）に形成された第２貫通孔１６とが平面視、重なる位置に形成されている。
図５３に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。さらに第１空洞２１の一端面上における圧電膜１１の上面には傾斜面が形成されている。また、上記圧電膜１１の傾斜面上に形成された第２空洞２２の一端面は、その厚み方向に丸みが形成されている。さらに上部空洞形成膜１５にも、第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２の上記一端面上に丸みが形成されている。また、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域（丸みが形成された領域）に形成された第２貫通孔１６とが平面視、重なる位置に形成されている。
図５４に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。さらに第１空洞２１の一端面上における圧電膜１１の上面には丸みが形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、丸みが形成されている圧電膜１１の一端面上では、その厚み方向に傾斜面が形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２の上記一端面上では傾斜面が形成されている。また、圧電膜１１の傾斜面を有する領域（丸みが形成された領域）に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とが平面視、重なる位置に形成されている。
図５５に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。さらに第１空洞２１の一端面上における圧電膜１１の上面には丸みが形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、丸みが形成されている圧電膜１１の一端面上では、その厚み方向に丸みが形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２の上記一端面上では丸みが形成されている。また、圧電膜１１の傾斜面を有する領域（丸みが形成された領域）に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域（丸みが形成された領域）に形成された第２貫通孔１６とが平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成されている。
図５６に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。さらに第１空洞２１の一端面上における圧電膜１１の上面には傾斜面が形成されている。また、上記圧電膜１１の傾斜面上に形成された第２空洞２２の一端面は、その厚み方向に丸みが形成されている。さらに上部空洞形成膜１５にも、第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２の上記一端面上に丸みが形成されている。また、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域（丸みが形成された領域）に形成された第２貫通孔１６とが平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成されている。
図５７に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。さらに第１空洞２１の一端面上における圧電膜１１の上面には丸みが形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、丸みが形成されている圧電膜１１の一端面上では、その厚み方向に傾斜面が形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２の上記一端面上では傾斜面が形成されている。また、圧電膜１１の傾斜面を有する領域（丸みが形成された領域）に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とが平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成されている。
次に、前記共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について、図５８〜図６３の概略構成断面図によって説明する。なお、図５８〜図６３において、図示はしないが、第１貫通孔１４には第１封止層が、第２貫通孔１６には第２封止層が形成されてもよい。
図５８に示すように、基板１０上に圧電膜１１との間に形成される第１空洞２１は、その端面部が第１空洞２１の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに圧電膜１１も第１空洞２１を転写した状態に、第１空洞２１端面上では傾斜面で形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成されている。
図５９に示すように、基板１０上に圧電膜１１との間に形成される第１空洞２１は、その端面部が第１空洞２１の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに圧電膜１１も第１空洞２１を転写した状態に、第１空洞２１端面上では傾斜面で形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。そして、上記第２空洞２２は、上記圧電膜１１の上面側傾斜面と上記上部空洞形成膜の下面側傾斜面との間隔を最小限にし、圧電膜１１の傾斜面近傍の基板１０の主面と平行な平坦面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成されている。
図６０に示すように、基板１０上に圧電膜１１との間に形成される第１空洞２１は、その端面部が第１空洞２１の厚み方向に傾斜面で形成されている。そして、第１空洞２１は第１電極１２の下面が天井部となるように形成されている。さらに圧電膜１１も第１空洞２１を転写した状態に、第１空洞２１端面上では傾斜面で形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。そして、上記第２空洞２２は、上記圧電膜１１の上面側傾斜面と上記上部空洞形成膜の下面側傾斜面との間隔を十分に取り、圧電膜１１の傾斜面に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面近傍の基板１０の主面と平行な平坦面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成されている。
図６１に示すように、基板１０上に圧電膜１１との間に形成される第１空洞２１は、その端面部が第１空洞２１の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに圧電膜１１も第１空洞２１を転写した状態に、第１空洞２１端面上では傾斜面で形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成されている。
図６２に示すように、基板１０上に圧電膜１１との間に形成される第１空洞２１は、その端面部が第１空洞２１の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに圧電膜１１も第１空洞２１を転写した状態に、第１空洞２１端面上では傾斜面で形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。圧電膜１１の傾斜面を有する領域近傍の基板１０の主面と平行な平坦面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成されている。
図６３に示すように、基板１０上に圧電膜１１との間に形成される第１空洞２１は、その端面部が第１空洞２１の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに圧電膜１１も第１空洞２１を転写した状態に、第１空洞２１端面上では傾斜面で形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面近傍の基板１０の主面と平行な平坦面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を内側にずらした位置に形成されている。
次に、前記共振器の第２実施例に前記共振器の第１実施例を組み合わせたものであって、貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について、図６４〜図６９の概略構成断面図によって説明する。なお、図６４〜図６９において、図示はしないが、第１貫通孔１４には第１封止層が、第２貫通孔１６には第２封止層が形成されてもよい。
図６４に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。この第１空洞２１は、その端面部が断面くさび状になるように、上面側も下面側も傾斜面で形成されている。さらに圧電膜１１も第１空洞２１を転写した状態に、第１空洞２１端面上では傾斜面で形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成されている。
図６５に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。この第１空洞２１は、その端面部が断面くさび状になるように、上面側も下面側も傾斜面で形成されている。さらに圧電膜１１も第１空洞２１を転写した状態に、第１空洞２１端面上では傾斜面で形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。そして、上記第２空洞２２は、上記圧電膜１１の上面側傾斜面と上記上部空洞形成膜の下面側傾斜面との間隔を最小限にし、圧電膜１１の傾斜面近傍の基板１０の主面と平行な平坦面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成されている。
図６６に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。この第１空洞２１は、その端面部が断面くさび状になるように、上面側も下面側も傾斜面で形成されている。そして、第１空洞２１は第１電極１２の下面が天井部となるように形成されている。さらに圧電膜１１も第１空洞２１を転写した状態に、第１空洞２１端面上では傾斜面で形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。そして、上記第２空洞２２は、上記圧電膜１１の上面側傾斜面と上記上部空洞形成膜の下面側傾斜面との間隔を十分に取り、圧電膜１１の傾斜面に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面近傍の基板１０の主面と平行な平坦面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成されている。
図６７に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。この第１空洞２１は、その端面部が断面くさび状になるように、上面側も下面側も傾斜面で形成されている。さらに圧電膜１１も第１空洞２１を転写した状態に、第１空洞２１端面上では傾斜面で形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成されている。
図６８に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。この第１空洞２１は、その端面部が断面くさび状になるように、上面側も下面側も傾斜面で形成されている。さらに圧電膜１１も第１空洞２１を転写した状態に、第１空洞２１端面上では傾斜面で形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。圧電膜１１の傾斜面を有する領域近傍の基板１０の主面と平行な平坦面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成されている。
図６９に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。この第１空洞２１は、その端面部が断面くさび状になるように上面側も下面側も傾斜面で形成されている。さらに圧電膜１１も第１空洞２１を転写した状態に、第１空洞２１端面上では傾斜面で形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面近傍の基板１０の主面と平行な平坦面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を内側にずらした位置に形成されている。
次に、前記共振器の第２実施例に前記共振器において、貫通孔の形成位置、圧電膜の形態および第１、第２空洞の形態について、図７０〜図７５の概略構成断面図によって説明する。なお、図７０〜図７５において、図示はしないが、第１貫通孔１４には第１封止層が、第２貫通孔１６には第２封止層が形成されてもよい。
図７０に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。この圧電膜１１は、平板状に形成されている。そして、圧電膜１１の上面側一端面は傾斜面で形成されている。したがって、圧電膜１１は一端が断面くさび状に形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成されている。上記第１貫通孔１４は、その下方延長上が上記窪み２３の底面となるように形成されている。また、上記窪み２３は、第１貫通孔１４に封止層（図示せず）を形成した際に、その封止層の一部が第１貫通孔１４を通じて窪み底面に接触できるように、かつ圧電膜１１が振動した際に、第１電極１２を含む圧電膜１１が窪み２３の底面に接触しない範囲内で、できうる限り浅く形成することが好ましい。
図７１に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。この圧電膜１１は、平板状に形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。そして、圧電膜１１の基板１０主面と平行な平坦面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成されている。また、上記窪み２３は、第１貫通孔１４に封止層（図示せず）を形成した際に、その封止層の一部が第１貫通孔１４を通じて窪み底面に接触できるように、かつ圧電膜１１が振動した際に、第１電極１２を含む圧電膜１１が窪み２３の底面に接触しない範囲内で、できうる限り浅く形成することが好ましい。
図７２に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。この圧電膜１１は、平板状に形成されている。そして、圧電膜１１の上面側一端面は傾斜面で形成されている。したがって、圧電膜１１は一端が断面くさび状に形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。そして、圧電膜１１の傾斜面に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面近傍の基板１０の主面と平行な平坦面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成されている。また、上記窪み２３は、第１貫通孔１４に封止層（図示せず）を形成した際に、その封止層の一部が第１貫通孔１４を通じて窪み底面に接触できるように、かつ圧電膜１１が振動した際に、第１電極１２を含む圧電膜１１が窪み２３の底面に接触しない範囲内で、できうる限り浅く形成することが好ましい。
図７３に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。この圧電膜１１は、平板状に形成されている。そして、圧電膜１１の上面側一端面は傾斜面で形成されている。したがって、圧電膜１１は一端が断面くさび状に形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成されている。また、上記窪み２３は、第１貫通孔１４に封止層（図示せず）を形成した際に、その封止層の一部が第１貫通孔１４を通じて窪み底面に接触できるように、かつ圧電膜１１が振動した際に、第１電極１２を含む圧電膜１１が窪み２３の底面に接触しない範囲内で、できうる限り浅く形成することが好ましい。
図７４に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。この圧電膜１１は、平板状に形成されている。そして、圧電膜１１の上面側一端面は傾斜面で形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されていて、その下面の一部は上記圧電膜１１の傾斜面に接触した状態に形成されている。圧電膜１１の基板１０主面と平行な平坦面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成されている。また、上記窪み２３は、第１貫通孔１４に封止層（図示せず）を形成した際に、その封止層の一部が第１貫通孔１４を通じて窪み底面に接触できるように、かつ圧電膜１１が振動した際に、第１電極１２を含む圧電膜１１が窪み２３の底面に接触しない範囲内で、できうる限り浅く形成することが好ましい。
図７５に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。この圧電膜１１は、平板状に形成されている。そして、圧電膜１１の上面側一端面は傾斜面で形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面近傍の基板１０の主面と平行な平坦面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を内側にずらした位置に形成されている。また、上記窪み２３は、第１貫通孔１４に封止層（図示せず）を形成した際に、その封止層の一部が第１貫通孔１４を通じて窪み底面に接触できるように、かつ圧電膜１１が振動した際に、第１電極１２を含む圧電膜１１が窪み２３の底面に接触しない範囲内で、できうる限り浅く形成することが好ましい。
次に、前記共振器の第２実施例において、貫通孔の形成位置、圧電膜の形態および第１、第２空洞の形態について、図７６〜図８１の概略構成断面図によって説明する。
図７６に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。この圧電膜１１は、平板状に形成されている。そして、圧電膜１１の上面側一端面は傾斜面で形成されている。したがって、圧電膜１１は一端が断面くさび状に形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成されている。上記第１貫通孔１４は、その下方延長上が上記窪み２３の端面部に形成される傾斜面となるように形成されている。
図７７に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。この圧電膜１１は、平板状に形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。そして、圧電膜１１の基板１０主面と平行な平坦面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成されている。上記第１貫通孔１４は、その下方延長上が上記窪み２３の端面部に形成される傾斜面となるように形成されている。
図７８に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。この圧電膜１１は、平板状に形成されている。そして、圧電膜１１の上面側一端面は傾斜面で形成されている。したがって、圧電膜１１は一端が断面くさび状に形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。そして、圧電膜１１の傾斜面に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面近傍の基板１０の主面と平行な平坦面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重なる位置に形成されている。上記第１貫通孔１４は、その下方延長上が上記窪み２３の端面部に形成される傾斜面となるように形成されている。
図７９に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。この圧電膜１１は、平板状に形成されている。そして、圧電膜１１の上面側一端面は傾斜面で形成されている。したがって、圧電膜１１は一端が断面くさび状に形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成されている。上記第１貫通孔１４は、その下方延長上が上記窪み２３の端面部に形成される傾斜面となるように形成されている。
図８０に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。この圧電膜１１は、平板状に形成されている。そして、圧電膜１１の上面側一端面は傾斜面で形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されていて、その下面の一部は上記圧電膜１１の傾斜面に接触した状態に形成されている。圧電膜１１の基板１０主面と平行な平坦面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を外側にずらした位置に形成されている。上記第１貫通孔１４は、その下方延長上が上記窪み２３の端面部に形成される傾斜面となるように形成されている。
図８１に示すように、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。この圧電膜１１は、平板状に形成されている。そして、圧電膜１１の上面側一端面は傾斜面で形成されている。また、圧電膜１１上に上部空洞形成膜１５との間に形成される第２空洞２２は、その端面部が第２空洞２２の厚み方向に傾斜面で形成されている。さらに上部空洞形成膜１５も第２空洞２２を転写した状態に、第２空洞２２端面上では傾斜面で形成されている。圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔１４と、上部空洞形成膜１５の傾斜面近傍の基板１０の主面と平行な平坦面を有する領域に形成された第２貫通孔１６とは平面視、重ならないように第２貫通孔１６を内側にずらした位置に形成されている。上記第１貫通孔１４は、その下方延長上が上記窪み２３の端面部に形成される傾斜面となるように形成されている。
次に、本発明の共振器の一実施の形態（第３実施例の第１例）を、図８２の概略構成断面図によって説明する。
図８２に示すように、共振器３は、基板１０上に下部空洞２１を形成するように圧電膜１１が形成されている。また、この圧電膜１１の下面に接する第１電極１２と、圧電膜１１の上面に接し、上記第１電極１２と重なる部分を有する第２電極１３とを有している。また上記圧電膜１１の傾斜面を有する領域には上記下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４が形成されている。また、上記第１貫通孔１４を塞ぐように第１封止層１７が形成されている。この第１封止層１７は、その一部が上記第１貫通孔１４を通じて下地の基板１０に接触するように形成されている。また上記圧電膜１１上には、第２電極１３上に上部空洞２２を形成するもので、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６が形成された上部空洞形成膜１５が形成されている。この上部空洞形成膜１５は、上記第１封止層１７を被覆するように形成されている。また、上記第２貫通孔１６は、上記上部空洞形成膜の上面側傾斜面に形成されている。さらに、上記第２貫通孔１６を塞ぐように第２封止層１８が形成されている。この第２封止層１８は、その一部が上記第２貫通孔１６を通じて下地の圧電膜１１に接触するように形成されている。
さらに、上記第２電極形成膜１５上には、平坦化膜６１を介してパッシベーション膜６２が形成されている。
上記共振器１では、表面が平面で構成される基板１０上に上記下部空洞２１が形成されていて、上部空洞２２と下部空洞２１とをそれぞれ別々に形成するとともに、第１封止層１７、第２封止層１８を形成する各封止プロセスも別々となっていることを特徴としている。
次に、本発明の共振器の一実施の形態（第３実施例の第２例）を、図８３の概略構成断面図によって説明する。
図８３に示すように、共振器３は、基板１０上に下部空洞２１を形成するように圧電膜１１が形成されている。また、この圧電膜１１の下面に接する第１電極１２と、圧電膜１１の上面に接し、上記第１電極１２と重なる部分を有する第２電極１３とを有している。また上記圧電膜１１上には、第２電極１３上に上部空洞２２を形成するもので、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６が形成された上部空洞形成膜１５が形成されている。この第２貫通孔１６は、上記上部空洞形成膜の上面側傾斜面に形成されている。上記圧電膜１１の傾斜面を有する領域には上記下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４が、上記上部空洞２２を通ることなく、上記圧電膜１１上部の上記上部空洞形成膜１５を貫通して形成されている。また、さらに、上記第１貫通孔１４を塞ぐように第１封止層１７が形成され、上記第２貫通孔１６を塞ぐように第２封止層１８が形成されている。この第１封止層１７は、その一部が上記第１貫通孔１４を通じて下地の基板１０に接触するように形成されている。また、この第２封止層１８は、その一部が上記第２貫通孔１６を通じて下地の圧電膜１１に接触するように形成されている。
さらに、上記上部空洞形成膜１５上には、平坦化膜６１を介してパッシベーション膜６２が形成されている。
上記共振器１では、上部空洞２２と下部空洞２１とをそれぞれ同時に形成するとともに、第１封止層１７、第２封止層１８を形成する各封止プロセスも同時に行うことを特徴としている。
次に、本発明の共振器の一実施の形態（第３実施例の第３例）を、図８４の概略構成断面図によって説明する。
図８４に示すように、共振器３は、基板１０上に下部空洞２１を形成するように圧電膜１１が形成されている。また、この圧電膜１１の下面に接する第１電極１２と、圧電膜１１の上面に接し、上記第１電極１２と重なる部分を有する第２電極１３とを有している。また上記圧電膜１１上には、第２電極１３上に上部空洞２２を形成するもので、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６が形成された上部空洞形成膜１５が形成されている。この第２貫通孔１６は、上記上部空洞形成膜の上面側傾斜面に形成されている。上記圧電膜１１の傾斜面を有する領域には上記下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４が、上記上部空洞２２を通ることなく、上記圧電膜１１上部の上記上部空洞形成膜１５を貫通して形成されている。また、さらに、上記第１貫通孔１４を塞ぐように第１封止層１７が形成され、上記第２貫通孔１６を塞ぐように第２封止層１８が形成されている。この第２封止層１８は、その一部が上記第２貫通孔１６を通じて下地の圧電膜１１上面に接触するように形成されている。
上記図８４に示した共振器１では、上部空洞２２と下部空洞２１とをそれぞれ同時に形成するとともに、第１封止層１７、第２封止層１８を形成する各封止プロセスも同時に行うことを特徴とし、しかも、第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、第１貫通孔１４の径方向に封止し、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８を圧電膜１１の上面に接触させることにより封止する構造となっている。このような封止構造とすることで、貫通孔の高さが異なる第１貫通孔１４と第２貫通孔１６とを同時に封止することが容易になる。また、上記第１貫通孔１４は、従来までの封止層による貫通孔の封止形態とし、従来どおりの貫通孔の径方向に封止し、もう一方の第２貫通孔１６は、空洞の高さ方向も兼用して封止することを容易に可能にするため、第２貫通孔１６の形成方向を圧電膜１１の膜面に垂直でない方向、すなわち、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成している。
さらに、上記上部空洞形成膜１５上には、平坦化膜６１を介してパッシベーション膜６２が形成されている。
次に、上記第３実施例の共振器３と従来の共振器とを比較する。まず、図８５の概略構成断面図によって従来の共振器１０１を示し、図８６の概略構成断面図によって第３実施例の共振器３を示す。なお、第３実施例の共振器３は、代表して、前記図８２によって説明した共振器３を用いた。
図８５に示す共振器１０１は、基板１１０上に下部空洞１２１を形成するように圧電膜１１１が形成されている。また、この圧電膜１１１の下面に接する第１電極１１２と、圧電膜１１１の上面に接し、上記第１電極１１２と重なる部分を有する第２電極１１３とを有している。これらの第１電極１１２および第２電極１１３を含む上記圧電膜１１１には、その膜面に垂直な方向に上記下部空洞１２１に通じる第１貫通孔１１４が形成されている。また上記圧電膜１１１の上面には、上部空洞１２２を形成するもので、膜面垂直方向に上部空洞１２２に通じる第２貫通孔１２６が形成された上部空洞形成膜１１５が形成されている。さらに、上記上部空洞形成膜１１５上には第２貫通孔１１６を塞ぐ封止層１１８が形成されている。また、上記第１貫通孔１１４と第２貫通孔１１６とは図示のごとく平面視して重なるように形成されていてもよい。さらに、上記圧電膜１１１は端部近傍が平坦で、この端部近傍から中央部に行くにつれて上記基板１１０から離れ、この中央部近傍が平坦であり、上記第１電極１１２と第２電極１１３との重なり部分は上記中央部近傍の平坦な領域に形成されている。
さらに、上記上部空洞形成膜１１５上には、平坦化膜１６１を介してパッシベーション膜１６２が形成されている。
上記共振器１０１では、小型化が進行すると、全体の領域における共振子となる圧電膜１１１の占有領域の比重が高くなり、それにより上部空洞１２２と下部空洞１２１とが占有する面積比率が上がり、その結果としてウエハプロセスにより形成される、圧電膜１１１と第１電極１１２と第２電極１１３とからなる共振子部分を封止する封止パッケージ構造においては、基板１１０と垂直方向の強度が低下していくという課題が顕在化してきている。
また、上記共振器１０１では、上記封止パッケージ構造がウエハプロセスにより形成される際、下部空洞１２１と上部空洞１２２とを接続する第１貫通孔１１４を利用して、上部空洞１２２および下部空洞１２１を形成するために形成されている犠牲膜の除去工程を一括して同時処理する方法が一般的に採用されている。これによって工程の簡略化と低コスト化が実現できている。しかしながら、犠牲膜の除去工程を一括して同時処理するプロセスを実施しようとする場合、下部空洞１２１につながる第１貫通孔１１４に接続するように上部空洞１２２を形成する必要が生じる。このような構成では、上部空洞１２２を下部空洞１２１より大きく形成する必要があるため、封止パッケージ構造の強度をさらに著しく低下させている。
このように、共振子の弾性損失の抑制に優れた構造である、圧電膜の上下部に空洞が形成された上記共振器１０１では、ウエハプロセスにより形成される封止パッケージ構造は、小型化と基板１１０と垂直方向の機械的強度の低下が相反した関係となっており、小型化と封止パッケージ構造の高強度化を両立させることが広く期待されている。
以下、図８５、８６を用い、図８５に示した従来の共振器１０１と図８６に示した実施例の共振器３とを具体的に比較する。ここで、圧電膜と上部空洞形成膜との積層部分（以下、支持領域という。）の大きさで基板面に対する垂直方向の機械的強度が決定されるとする。
いま、実施例の共振器３と従来の共振器１０１において、圧電膜１１と上部空洞形成膜１５との支持領域と、圧電膜１１１と上部空洞形成膜１１５との支持領域の大きさを同じとすれば、空洞の大きさによって、共振器の大きさが決定される。
実施例の共振器３では、下部空洞２１の大きさＷ１Ａと上部空洞２２の大きさＷ２Ａとの関係は、Ｗ１Ａ＞Ｗ２Ａであり、下部空洞２１の大きさＷ１Ａのほうが大きいため、下部空洞２１によって共振器３の大きさが決定される。
一方、従来例の共振器１０１では、下部空洞１２１の大きさＷ１Ｂと上部空洞１２２の大きさＷ２Ｂとの関係は、Ｗ２Ｂ＞Ｗ１Ｂであり、上部空洞１２２の大きさＷ２Ｂのほうが大きいため、上部空洞１２２によって共振器１０１の大きさが決定される。
よって、機械的強度を同じようにするために支持領域の大きさを同じにして、Ｗ１Ａ＝Ｗ１Ｂとした場合、実施例の共振器３の大きさは、従来の共振器１０１の大きさより、Ｗ１Ａ−Ｗ２Ｂ分だけ小さく形成することができる。
また、実施例の共振器３の大きさを従来の共振器１０１の大きさより、Ｗ１Ａ−Ｗ２Ｂ分だけ小さく形成できることから、共振器の大きさを同一とすれば、実施例の共振器３では、従来の共振器１０１よりＷ１Ａ−Ｗ２Ｂ分だけ支持領域Ａ１Ａ＋Ａ２Ａの大きさを大きくできるので、機械的強度を高めることができる。
また、上記第３実施例の第１〜第３例の各共振器３は、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４が圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成されていることから、従来の共振器１０１で圧電膜１１１に形成していた第１貫通孔１１４を形成するための基板１１０と平行な領域を形成する必要がない。また、上部空洞２１に通じる第２貫通孔１６が上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されていることから、従来の共振器１０１で上部空洞形成膜１１５に形成していた第２貫通孔１１６を形成するための基板１１０と平行な領域を形成する必要がない。よって、その分、圧電膜１１、第１、第２電極１２，１３で形成される共振子の縮小化が図れるので、共振器３の小型化が図れるという利点がある。
また、空洞を形成するための犠牲膜の除去工程においては、貫通孔の立体的な配置場所による制限により、犠牲膜除去速度は制約を受けるが、生産性を考慮すると、水平方向の犠牲膜除去速度は少なくともＶ≧０．５μｍ／ｍｉｎが求められている。さらに、犠牲膜をエッチングするためにそのエッチング種を供給するための貫通孔からの距離と犠牲膜の水平方向の除去速度には相互関係が存在し、その距離に従って犠牲膜の水平方向の除去速度は極端に低下する傾向がある。
このため、図８７に示すように、上部空洞１２２と下部空洞１２１との双方に通じる第１貫通孔１１４を有する構造では、犠牲膜の除去プロセス中では、その第１貫通孔１１４を境にして上部空洞１２２領域側と、下部空洞１２１領域側とで、外部から供給されるエッチング種の濃度に極端な勾配を生じ、外部から供給されるエッチング種が奥側の下部空洞１２１において、拡散と循環が停滞を特に招く傾向を生じる。さらに、下部空洞１２１の第１貫通孔１１４より距離が離れている奥側の領域でのエッチング種の濃度勾配が、特に通常の傾向よりさらに顕著な傾向を示し、製造プロセスとして必要な、水平方向の犠牲膜除去速度Ｖ≧０．５μｍ／ｍｉｎの達成が困難となっている。
このように上部空洞１２２と下部空洞１２１とを接続する第１貫通孔１１４の存在が、犠牲膜除去速度を制限し、生産性を著しく低減させる問題を生じている。さらに、下部空洞１２１の奥側（第１貫通孔１１４と反対側で距離が離れている空洞領域）では、特に第１貫通孔１１４より犠牲層の除去にエッチング不良によるエッチング残渣１８１などの異物が生じ、除去性能の不備を招き、空洞形成の信頼性を著しく低下させている。
一方、図８８に示すように、上記第３実施例の共振器３では、下部空洞２１が外部と通じるのは第１貫通孔１４のみであり、上部空洞２２が外部と通じるのは第２貫通孔１６のみである（上部空洞２２と下部空洞２１とを接続する貫通孔は存在しない。）ことから、下部空洞２１を形成する際の犠牲膜の除去は第１貫通孔１４のみを通じて行われ、上部空洞２２を形成する際の犠牲膜の除去は第２貫通孔１６のみを通じて行われるようになる。すなわち、それぞれの犠牲膜除去を第１貫通孔１４と第２貫通孔１６とで独立に行うことができる。このため、上部空洞２２および下部空洞２１を信頼性よく安定して形成することが可能になる。
また、独立して各犠牲膜をエッチング除去するため、空洞内に犠牲膜のエッチング残りを発生させることなく、水平方向の犠牲膜除去速度Ｖ≧０．５μｍ／ｍｉｎを達成して犠牲膜を除去し、上部空洞２２および下部空洞２１を形成することができる。
特に前記図８３、８４に示した共振器３の構成では、上部空洞２２および下部空洞２１を形成するための犠牲膜は、それぞれに通じる第１貫通孔１４と第２貫通孔１６とから同時にエッチングされることから、空洞形成工程が１回で済み、工程の追加による製造コストの増加がない。
次に、本発明の共振器の一実施の形態（第４実施例の第１例）を、図８９の概略構成断面図によって説明する。
図８９に示すように、共振器４は、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。また、この圧電膜１１の下面に接する第１電極１２と、圧電膜１１の上面に接し、平面視上記第１電極１２と重なる部分を有する第２電極１３とを有している。上記圧電膜１１の一端部は、上面側が傾斜面に形成されていて、その傾斜面を有する領域には上記下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４が形成されている。また、上記第１貫通孔１４を塞ぐように第１封止層１７が形成されている。この第１封止層１７は、その一部が上記第１貫通孔１４を通じて下地の基板１０に接触するように形成されている。また上記圧電膜１１上には、第２電極１３上に上部空洞２２を形成するもので、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６が形成された上部空洞形成膜１５が形成されている。この上部空洞形成膜１５は、上記第１封止層１７を被覆するように形成されている。また、上記第２貫通孔１６は、上記上部空洞形成膜の上面側傾斜面に形成されている。さらに、上記第２貫通孔１６を塞ぐように第２封止層１８が形成されている。この第２封止層１８は、その一部が上記第２貫通孔１６を通じて下地の圧電膜１１に接触するように形成されている。
さらに、上記上部空洞形成膜１５上には、平坦化膜６１を介してパッシベーション膜６２が形成されている。
上記共振器４では、基板１０に形成された窪み２３からなる下部空洞２１を有して、上部空洞２２と下部空洞２１とをそれぞれ別々に形成するとともに、第１封止層１７、第２封止層１８を形成する各封止プロセスも別々となっていることを特徴としている。
次に、本発明の共振器の一実施の形態（第４実施例の第２例）を、図９０の概略構成断面図によって説明する。
図９０に示すように、共振器４は、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。また、この圧電膜１１の下面に接する第１電極１２と、圧電膜１１の上面に接し、平面視上記第１電極１２と重なる部分を有する第２電極１３とを有している。上記圧電膜１１の一端部は、上面側が傾斜面に形成されている。また上記圧電膜１１上には、第２電極１３上に上部空洞２２を形成するもので、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６が形成された上部空洞形成膜１５が形成されている。この第２貫通孔１６は、上記上部空洞形成膜の上面側傾斜面に形成されている。上記圧電膜１１の傾斜面を有する領域には上記下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４が、上記上部空洞２２を通ることなく、上記圧電膜１１上部の上記上部空洞形成膜１５を貫通して形成されている。さらに、上記第１貫通孔１４を塞ぐように第１封止層１７が形成され、上記第２貫通孔１６を塞ぐように第２封止層１８が形成されている。上記第１封止層１７は、その一部が上記第１貫通孔１４を通じて下地の基板１０に接触するように形成されている。また、上記第２封止層１８は、その一部が上記第２貫通孔１６を通じて下地の圧電膜１１に接触するように形成されている。
さらに、上記上部空洞形成膜１５上には、平坦化膜６１を介してパッシベーション膜６２が形成されている。
図９０に示した上記共振器４では、上部空洞２２と下部空洞２１とをそれぞれ同時に形成するとともに、第１封止層１７、第２封止層１８を形成する各封止プロセスも同時に行うことを特徴としている。
次に、本発明の共振器の一実施の形態（第４実施例の第３例）を、図９１の概略構成断面図によって説明する。
図９１に示すように、共振器４は、基板１０に窪み２３が形成され、上記基板１０上に上記窪み２３を下部空洞２１とするように圧電膜１１が形成されている。また、この圧電膜１１の下面に接する第１電極１２と、圧電膜１１の上面に接し、平面視上記第１電極１２と重なる部分を有する第２電極１３とを有している。上記圧電膜１１の一端部は、上面側が傾斜面に形成されている。また上記圧電膜１１上には、第２電極１３上に上部空洞２２を形成するもので、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６が形成された上部空洞形成膜１５が形成されている。この第２貫通孔１６は、上記上部空洞形成膜の上面側傾斜面に形成されている。上記圧電膜１１の傾斜面を有する領域には上記下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４が、上記上部空洞２２を通ることなく、上記圧電膜１１上部の上記上部空洞形成膜１５を貫通して形成されている。
さらに、上記第１貫通孔１４を塞ぐように第１封止層１７が形成され、上記第２貫通孔１６を塞ぐように第２封止層１８が形成されている。上記第１封止層１７は第１貫通孔１４を径方向に封止する構造となっている。上記第２封止層１８はその一部が上記第２貫通孔１６を通じて下地の圧電膜１１の上面に接触することにより、第２貫通孔１６を封止する構造となっている。
さらに、上記上部空洞形成膜１５上には、平坦化膜６１を介してパッシベーション膜６２が形成されている。
次に、上記第４実施例の共振器４と従来の共振器とを比較する。まず、図９２の概略構成断面図によって従来の共振器１０１を示し、図９３の概略構成断面図によって第４実施例の共振器４を示す。なお、第４実施例の共振器４は、代表して、前記図８９によって説明した共振器４を示した。
図９２に示す共振器１０１は、基板１０上に下部空洞２１を形成するように圧電膜１１が形成されている。また、この圧電膜１１の下面に接する第１電極１２と、圧電膜１１の上面に接し、上記第１電極１２と重なる部分を有する第２電極１３とを有している。これらの第１電極１２および第２電極１３を含む上記圧電膜１１には、その膜面に垂直な方向に上記下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４が形成されている。また上記圧電膜１１の上面には、上部空洞２２を形成するもので、膜面垂直方向に上部空洞２２に通じる第２貫通孔２６が形成された上部空洞形成膜１５が形成されている。さらに、上記上部空洞形成膜１５上には第２貫通孔１６を塞ぐ封止層１８が形成されている。また、上記第１貫通孔１４と第２貫通孔１６とは図示のごとく平面視して重なるように形成されていてもよい。さらに、上記圧電膜１１は端部近傍が平坦で、この端部近傍から中央部に行くにつれて上記基板１０から離れ、この中央部近傍が平坦であり、上記第１電極１２と第２電極１３との重なり部分は上記中央部近傍の平坦な領域に形成されている。
さらに、上記上部空洞形成膜１５上には、平坦化膜６１を介してパッシベーション膜６２が形成されている。
次に、図９２、９３を用い、図９２に示した従来の共振器１０１と図９３に示した実施例の共振器４とを具体的に比較する。ここで、圧電膜と上部空洞形成膜との積層部分（以下、支持領域という。）の大きさで基板面に対する垂直方向の機械的強度が決定されるとする。
いま、実施例の共振器４と従来の共振器１０１において、圧電膜１１と上部空洞形成膜１５との支持領域と、圧電膜１１１と上部空洞形成膜１１５との支持領域の大きさを同じとすれば、空洞の大きさによって、共振器の大きさが決定される。
実施例の共振器４では、下部空洞２１の大きさＷ１Ａと上部空洞２２の大きさＷ２Ａとの関係は、Ｗ１Ａ＞Ｗ２Ａであり、下部空洞２１の大きさＷ１Ａのほうが大きいため、下部空洞２１によって共振器４の大きさが決定される。
一方、従来例の共振器１０１では、下部空洞１２１の大きさＷ１Ｂと上部空洞１２２の大きさＷ２Ｂとの関係は、Ｗ２Ｂ＞Ｗ１Ｂであり、上部空洞１２２の大きさＷ２Ｂのほうが大きいため、上部空洞１２２によって共振器１０１の大きさが決定される。
よって、機械的強度を同じようにするために支持領域の大きさを同じにして、Ｗ１Ａ＝Ｗ１Ｂとした場合、実施例の共振器４の大きさは、従来の共振器１０１の大きさより、Ｗ１Ａ−Ｗ２Ｂ分だけ小さく形成することができる。
また、実施例の共振器４の大きさを従来の共振器１０１の大きさより、Ｗ１Ａ−Ｗ２Ｂ分だけ小さく形成できることから、共振器の大きさを同一とすれば、実施例の共振器４では、従来の共振器１０１よりＷ１Ａ−Ｗ２Ｂ分だけ支持領域Ａ１Ａ＋Ａ２Ａの大きさを大きくできるので、機械的強度を高めることができる。
また、上記第４実施例の第１〜第３例の各共振器４は、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４が圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成されていることから、従来の共振器１０１で圧電膜１１１に形成していた第１貫通孔１１４を形成するための基板１１０と平行な領域を形成する必要がない。また、上部空洞２１に通じる第２貫通孔１６が上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されていることから、従来の共振器１０１で上部空洞形成膜１１５に形成していた第２貫通孔１１６を形成するための基板１１０と平行な領域を形成する必要がない。よって、その分、圧電膜１１、第１、第２電極１２，１３で形成される共振子の縮小化が図れるので、共振器４の小型化が図れるという利点がある。
さらに、図９３に示すように、上記第４実施例の共振器４では、下部空洞２１が外部と通じるのは第１貫通孔１４のみであり、上部空洞２２が外部と通じるのは第２貫通孔１６のみである（上部空洞２２と下部空洞２１とを接続する貫通孔は存在しない。）ことから、下部空洞２１を形成する際の犠牲膜の除去は第１貫通孔１４のみを通じて行われ、上部空洞２２を形成する際の犠牲膜の除去は第２貫通孔１６のみを通じて行われるようになる。すなわち、それぞれの犠牲膜除去を第１貫通孔１４と第２貫通孔１６とで独立に行うことができる。このため、上部空洞２２および下部空洞２１を信頼性よく安定して形成することが可能になる。
また、独立して各犠牲膜をエッチング除去するため、空洞内に犠牲膜のエッチング残りを発生させることなく、水平方向の犠牲膜除去速度Ｖ≧０．５μｍ／ｍｉｎを達成して犠牲膜を除去し、上部空洞２２および下部空洞２１を形成することができる。
特に前記図９０、９１に示した共振器３の構成では、上部空洞２２および下部空洞２１を形成するための犠牲膜は、それぞれに通じる第１貫通孔１４と第２貫通孔１６とから同時にエッチングされることから、空洞形成工程が１回で済み、工程の追加による製造コストの増加がない。
次に、本発明の共振器の一実施の形態（第５実施例の第１例）を、図９４の概略構成断面図によって説明する。
図９４に示すように、共振器５は、基板１０上に下部空洞２１を形成するように圧電膜１１が形成されている。また、この圧電膜１１の下面に接する第１電極１２と、圧電膜１１の上面に接し、上記第１電極１２と重なる部分を有する第２電極１３とを有している。また上記圧電膜１１の傾斜面を有する領域には上記下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４が形成されている。また、上記第１貫通孔１４を塞ぐように第１封止層１７が形成されている。この第１封止層１７は、その一部が上記第１貫通孔１４を通じて下地の基板１０に接触するように形成されている。
また上記圧電膜１１上には、第２電極１３上に上部空洞２２を形成する上部空洞形成膜１５が形成されている。この上部空洞形成膜１５は、第２電極１３上に形成される上部空洞２２を囲むように、上記圧電膜１１上に形成された第１絶縁膜７１と、この第１絶縁膜７１上に上部空洞２２を覆うように形成された第２絶縁膜７２とで形成されている。この上部空洞形成膜１５の第２絶縁膜７２には、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６が形成されている。上記第２貫通孔１６を塞ぐように第２封止層１８が形成されている。この第２封止層１８は、その一部が上記第２貫通孔１６を通じて下地の上記上部空洞２２の側部を形成する上記第１絶縁膜７１の傾斜面に達するように形成されている。
さらに、上記上部空洞形成膜１５上には、平坦化膜６１を介してパッシベーション膜６２が形成されている。
上記共振器５では、表面が平面で構成される基板１０上に上記下部空洞２１が形成されていて、上部空洞２２と下部空洞２１とをそれぞれ別々に形成するとともに、第１封止層１７、第２封止層１８を形成する各封止プロセスも別々となっていることを特徴としている。
次に、本発明の共振器の一実施の形態（第５実施例の第２例）を、図９５の概略構成断面図によって説明する。
図９５に示すように、共振器５は、基板１０上に下部空洞２１を形成するように圧電膜１１が形成されている。また、この圧電膜１１の下面に接する第１電極１２と、圧電膜１１の上面に接し、上記第１電極１２と重なる部分を有する第２極１３とを有している。また上記圧電膜１１上には、第２電極１３上に上部空洞２２を形成するもので、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６が形成された上部空洞形成膜１５が形成されている。この上部空洞形成膜１５は、第２電極１３上に形成される上部空洞２２を囲むように、上記圧電膜１１上に形成された第１絶縁膜７１と、この第１絶縁膜７１上に上部空洞２２を覆うように形成された第２絶縁膜７２とで形成されている。
上記圧電膜１１と上部空洞形成膜１５には、上記圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るようにして上記下部空洞２１に通じるもので、上部空洞２２を通らない第１貫通孔１４が形成されている。また、上記第１貫通孔１４を塞ぐように第１封止層１７が形成されている。この第１封止層１７は、その一部が上記第１貫通孔１４を通じて下地の基板１０に接触するように形成されている。
また、この上部空洞形成膜１５の第２絶縁膜７２には、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６が形成されている。上記第２貫通孔１６を塞ぐように第２封止層１８が形成されている。この第２封止層１８は、その一部が上記第２貫通孔１６を通じて下地の上記上部空洞２２の側部を形成する上記第１絶縁膜７１の傾斜面に達するように形成されている。
さらに、上記上部空洞形成膜１５上には、平坦化膜６１を介してパッシベーション膜６２が形成されている。
上記共振器１では、上部空洞２２と下部空洞２１とをそれぞれ同時に形成するとともに、第１封止層１７、第２封止層１８を形成する各封止プロセスも同時に行うことを特徴としている。
次に、本発明の共振器の一実施の形態（第５実施例の第３例）を、図９６の概略構成断面図によって説明する。
図９６に示すように、共振器５は、基板１０上に下部空洞２１を形成するように圧電膜１１が形成されている。また、この圧電膜１１の下面に接する第１電極１２と、圧電膜１１の上面に接し、上記第１電極１２と重なる部分を有する第２電極１３とを有している。また上記圧電膜１１上には、第２電極１３上に上部空洞２２を形成するもので、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６が形成された上部空洞形成膜１５が形成されている。この上部空洞形成膜１５は、第２電極１３上に形成される上部空洞２２を囲むように、上記圧電膜１１上に形成された第１絶縁膜７１と、この第１絶縁膜７１上に上部空洞２２を覆うように形成された第２絶縁膜７２とで形成されている。
上記圧電膜１１と第２電極形成膜１５には、上記圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るようにして上記下部空洞２１に通じるもので、上部空洞２２を通らない第１貫通孔１４が形成されている。また、上記第１貫通孔１４を塞ぐように第１封止層１７が形成されている。この第１封止層１７は、第１貫通孔１４を径方向に封止する構造となっている。
また、この上部空洞形成膜１５の第２絶縁膜７２には、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６が形成されている。上記第２貫通孔１６を塞ぐように第２封止層１８が形成されている。この第２封止層１８は、その一部が上記第２貫通孔１６を通じて下地の上部空洞２２の側部を形成する上記第１絶縁膜７１の傾斜面に達するように形成されている。
さらに、上記上部空洞形成膜１５上には、平坦化膜６１を介してパッシベーション膜６２が形成されている。
上記図９６に示した共振器５では、上部空洞２２と下部空洞２１とをそれぞれ同時に形成するとともに、第１封止層１７、第２封止層１８を形成する各封止プロセスも同時に行うことを特徴とし、しかも、第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、第１貫通孔１４の径方向に封止し、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８を圧電膜１１の上面に接触させることにより封止する構造となっている。
次に、上記第３実施例の共振器３と従来の共振器とを比較する。まず、図９７の概略構成断面図によって従来の共振器１０１を示し、図９８の概略構成断面図によって第３実施例の共振器３を示す。なお、第３実施例の共振器３は、代表して、前記図９４によって説明した共振器３を示した。
図９７に示す共振器１０１は、基板１０上に下部空洞２１を形成するように圧電膜１１が形成されている。また、この圧電膜１１の下面に接する第１電極１２と、圧電膜１１の上面に接し、上記第１電極１２と重なる部分を有する第２電極１３とを有している。これらの第１電極１２および第２電極１３を含む上記圧電膜１１には、その膜面に垂直な方向に上記下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４が形成されている。また上記圧電膜１１の上面には、上部空洞２２を形成するもので、膜面垂直方向に上部空洞２２に通じる第２貫通孔２６が形成された上部空洞形成膜１５が形成されている。さらに、上記上部空洞形成膜１５上には第２貫通孔１６を塞ぐ封止層１８が形成されている。また、上記第１貫通孔１４と第２貫通孔１６とは図示のごとく平面視して重なるように形成されていてもよい。さらに、上記圧電膜１１は端部近傍が平坦で、この端部近傍から中央部に行くにつれて上記基板１０から離れ、この中央部近傍が平坦であり、上記第１電極１２と第２電極１３との重なり部分は上記中央部近傍の平坦な領域に形成されている。
さらに、上記上部空洞形成膜１５上には、平坦化膜６１を介してパッシベーション膜６２が形成されている。
上記第５実施例の特徴は、下部空洞２１を基板１０の表面上に形成し、上部空洞２２を、第１絶縁膜７１を平坦化し、第１絶縁膜７１の上部空洞２２となる領域をエッチング加工し、次いでその除去部分に犠牲膜を埋め込み、余剰な膜を化学的機械研磨（ＣＭＰ）プロセスで平坦化することで、上部空洞２２を形成していることに特徴がある。
以下、図９７、９８を用い、図９７に示した従来の共振器１０１と図９８に示した実施例の共振器５とを具体的に比較する。ここで、圧電膜と上部空洞形成膜との積層部分（以下、支持領域という。）の大きさで基板面に対する垂直方向の機械的強度が決定されるとする。
いま、実施例の共振器５と従来の共振器１０１において、圧電膜１１と上部空洞形成膜１５との支持領域と、圧電膜１１１と上部空洞形成膜１１５との支持領域の大きさを同じとすれば、空洞の大きさによって、共振器の大きさが決定される。
実施例の共振器５では、下部空洞２１の大きさＷ１Ａと上部空洞２２の大きさＷ２Ａとの関係は、Ｗ１Ａ＞Ｗ２Ａであり、下部空洞２１の大きさＷ１Ａのほうが大きいため、下部空洞２１によって共振器５の大きさが決定される。
一方、従来例の共振器１０１では、下部空洞１２１の大きさＷ１Ｂと上部空洞１２２の大きさＷ２Ｂとの関係は、Ｗ２Ｂ＞Ｗ１Ｂであり、上部空洞１２２の大きさＷ２Ｂのほうが大きいため、上部空洞１２２によって共振器１０１の大きさが決定される。
よって、機械的強度を同じようにするために支持領域の大きさを同じにして、Ｗ１Ａ＝Ｗ１Ｂとした場合、実施例の共振器５の大きさは、従来の共振器１０１の大きさより、Ｗ１Ａ−Ｗ２Ｂ分だけ小さく形成することができる。
また、実施例の共振器５の大きさを従来の共振器１０１の大きさより、Ｗ１Ａ−Ｗ２Ｂ分だけ小さく形成できることから、共振器の大きさを同一とすれば、実施例の共振器４では、従来の共振器１０１よりＷ１Ａ−Ｗ２Ｂ分だけ支持領域Ａ１Ａ＋Ａ２Ａの大きさを大きくできるので、機械的強度を高めることができる。
また、上記第５実施例の第１〜第３例の各共振器４は、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４が圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成されていることから、従来の共振器１０１で圧電膜１１１に形成していた第１貫通孔１１４を形成するための基板１１０と平行な領域を形成する必要がない。また、上部空洞２１に通じる第２貫通孔１６が上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されていることから、従来の共振器１０１で上部空洞形成膜１１５に形成していた第２貫通孔１１６を形成するための基板１１０と平行な領域を形成する必要がない。よって、その分、圧電膜１１、第１、第２電極１２，１３で形成される共振子の縮小化が図れるので、共振器５の小型化が図れるという利点がある。
さらに、図９８に示すように、上記第５実施例の共振器５では、下部空洞２１が外部と通じるのは第１貫通孔１４のみであり、上部空洞２２が外部と通じるのは第２貫通孔１６のみである（上部空洞２２と下部空洞２１とを接続する貫通孔は存在しない。）ことから、下部空洞２１を形成する際の犠牲膜の除去は第１貫通孔１４のみを通じて行われ、上部空洞２２を形成する際の犠牲膜の除去は第２貫通孔１６のみを通じて行われるようになる。すなわち、それぞれの犠牲膜除去を第１貫通孔１４と第２貫通孔１６とで独立に行うことができる。このため、上部空洞２２および下部空洞２１を信頼性よく安定して形成することが可能になる。
また、独立して各犠牲膜をエッチング除去するため、空洞内に犠牲膜のエッチング残りを発生させることなく、水平方向の犠牲膜除去速度Ｖ≧０．５μｍ／ｍｉｎを達成して犠牲膜を除去し、上部空洞２２および下部空洞２１を形成することができる。
特に前記図９５、９６に示した共振器５の構成では、上部空洞２２および下部空洞２１を形成するための犠牲膜は、それぞれに通じる第１貫通孔１４と第２貫通孔１６とから同時にエッチングされることから、空洞形成工程が１回で済み、工程の追加による製造コストの増加がない。
次に、上記第３実施例の共振器１の具体的な構成例の詳細を、図９９、図１００によって説明する。図９９、図１００は、（１）にレイアウト平面図を示し、（２）に（１）図中のＡ−Ａ’線断面図を示す。ここでは、電極と貫通孔の配置について詳述する。
図９９に示すように、下部空洞２１と上部空洞２２とを同時形成が可能な前記第３実施例の共振器３（前記図８３、８４に示した共振器）では、圧電膜１１を介して形成される第１電極１２と第２電極１３とが一方向に配置され、かつその一部が圧電膜１１を介してオーバラップするように形成されている。また、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は、平面視した場合に四角形に形成された第１空洞２１の各角部上の圧電膜１１及び上部空洞形成膜１５に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は、平面視した場合に四角形に形成された第２空洞２２の各角部上の上部空洞形成膜１５に形成され、また、第１空洞２１よりも第２空洞２２の方が、平面視、小さく形成されている。そして、第１電極１２に通じる第１取り出し電極１９と、第２電極１３に通じる第２取り出し電極２０とが、平面視、第２空洞２２を挟んで形成されている。また図示はしていないが、上記第１貫通孔１４は第１封止層１７により塞がれ、上記第２貫通孔１６は第２封止層１８により塞がれている。
または、図１００に示すように、下部空洞２１と上部空洞２２とを同時形成が可能な前記第３実施例の共振器３（前記図８３、８４に示した共振器）では、圧電膜１１を介して形成される第１電極１２と第２電極１３とが直角になるように配置され、かつその一部が圧電膜１１を介してオーバラップするように形成されている。また、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は、平面視した場合に四角形に形成された第１空洞２１の各角部上および１辺側の圧電膜１１に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は、平面視した場合に四角形に形成された第２空洞２２の各角部上および１辺側の上部空洞形成膜１５に形成され、また、第１空洞２１よりも第２空洞２２の方が、平面視、小さく形成されている。そして、第１電極１２に通じる第１取り出し電極１９と、第２電極１３に通じる第２取り出し電極２０とが、平面視、第２空洞２２の隣接する辺近傍に形成されている。かつ上記第１取り出し電極１９と上記第１空洞２１の１辺側の圧電膜１１、上部空洞形成膜１５等に形成された第１貫通孔１４、第２貫通孔１６とが、平面視、第２空洞２２を挟んだ状態に形成されている。また、上記第１貫通孔１４は第１封止層１７により塞がれ、上記第２貫通孔１６は第２封止層１８により塞がれている。
次に、上記第５実施例の共振器１の具体的な構成例の詳細を、図１０１、図１０２によって説明する。図１０１、図１０２は、（１）にレイアウト平面図を示し、（２）に（１）図中のＡ−Ａ’線断面図を示す。ここでは、電極と貫通孔の配置について詳述する。
また、図１０１に示すように、下部空洞２１と上部空洞２２とを同時形成が可能な前記第５実施例の共振器５（前記図９０、９１に示した共振器）では、圧電膜１１を介して形成される第１電極１２と第２電極１３とが一方向に配置され、かつその一部が圧電膜１１を介してオーバラップするように形成されている。また、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は、平面視した場合に四角形に形成された第１空洞２１の各角部上の圧電膜１１および上部空洞形成膜１５に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は、平面視した場合に四角形に形成された第２空洞２２の各角部上の上部空洞形成膜１５に形成され、また、第１空洞２１よりも第２空洞２２の方が、平面視、小さく形成されている。そして、第１電極１２に通じる第１取り出し電極１９と、第２電極１３に通じる第２取り出し電極２０とが、平面視、第２空洞２２を挟んで形成されている。また図示はしていないが、上記第１貫通孔１４は第１封止層１７により塞がれ、上記第２貫通孔１６は第２封止層１８により塞がれている。
または、図１０２に示すように、下部空洞２１と上部空洞２２とを同時形成が可能な前記第５実施例の共振器５（前記図９０、９１に示した共振器）では、圧電膜１１を介して形成される第１電極１２と第２電極１３とが直角になるように配置され、かつその一部が圧電膜１１を介してオーバラップするように形成されている。また、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は、平面視した場合に四角形に形成された第１空洞２１の各角部上および１辺側の圧電膜１１および上部１空洞形成膜１５に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は、平面視した場合に四角形に形成された第２空洞２２の各角部上および１辺側の上部空洞形成膜１５の第２絶縁膜７２に形成され、また、第１空洞２１よりも第２空洞２２の方が、平面視、小さく形成されている。そして、第１電極１２に通じる第１取り出し電極１９と、第２電極１３に通じる第２取り出し電極２０とが、平面視、第２空洞２２の隣接する辺近傍に形成されている。かつ上記第１取り出し電極１９と上記第１空洞２１の１辺側の圧電膜１１、上部空洞形成膜１５等に形成された第１貫通孔１４、第２貫通孔１６とが、平面視、第２空洞２２を挟んだ状態に形成されている。また、上記第１貫通孔１４は第１封止層１７により塞がれ、上記第２貫通孔１６は第２封止層１８により塞がれている。
次に、上記第３実施例の共振器１の具体的な構成例の詳細を、図１０３、図１０３によって説明する。図１０３、図１０４は、（１）にレイアウト平面図を示し、（２）に（１）図中のＡ−Ａ’線断面図を示す。ここでは、電極と貫通孔の配置について詳述する。
図１０３に示すように、下部空洞２１と上部空洞２２とを順に形成する前記第３実施例の共振器３（前記図８２に示した共振器）では、圧電膜１１を介して形成される第１電極１２と第２電極１３とが一方向に配置され、かつその一部が圧電膜１１を介してオーバラップするように形成されている。また、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は、平面視した場合に四角形に形成された第１空洞２１の各角部上の圧電膜１１に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は、平面視した場合に四角形に形成された第２空洞２２の各角部上の上部空洞形成膜１５に形成され、また、第１空洞２１よりも第２空洞２２の方が、平面視、小さく形成されている。そして、第１電極１２に通じる第１取り出し電極１９と、第２電極１３に通じる第２取り出し電極２０とが、平面視、第２空洞２２を挟んで形成されている。また図示はしていないが、上記第１貫通孔１４は第１封止層１７により塞がれ、上記第２貫通孔１６は第２封止層１８により塞がれている。
または、図１０４に示すように、下部空洞２１と上部空洞２２とを順に形成する前記第３実施例の共振器３（前記図８２に示した共振器）では、圧電膜１１を介して形成される第１電極１２と第２電極１３とが直角になるように配置され、かつその一部が圧電膜１１を介してオーバラップするように形成されている。また、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は、平面視した場合に四角形に形成された第１空洞２１の各角部上および１辺側の圧電膜１１に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は、平面視した場合に四角形に形成された第２空洞２２の各角部上および１辺側の上部空洞形成膜１５に形成され、また、第１空洞２１よりも第２空洞２２の方が、平面視、小さく形成されている。そして、第１電極１２に通じる第１取り出し電極１９と、第２電極１３に通じる第２取り出し電極２０とが、平面視、第２空洞２２の隣接する辺近傍に形成されている。かつ上記第１取り出し電極１９と上記第１空洞２１の１辺側の圧電膜１１、上部空洞形成膜１５等に形成された第１貫通孔１４、第２貫通孔１６とが、平面視、第２空洞２２を挟んだ状態に形成されている。また、上記第１貫通孔１４は第１封止層１７により塞がれ、上記第２貫通孔１６は第２封止層１８により塞がれている。
次に、上記第５実施例の共振器１の具体的な構成例の詳細を、図１０５、図１０６によって説明する。図１０５、図１０６は、（１）にレイアウト平面図を示し、（２）に（１）図中のＡ−Ａ’線断面図を示す。ここでは、電極と貫通孔の配置について詳述する。
また、図１０５に示すように、下部空洞２１と上部空洞２２とを順に形成する前記第５実施例の共振器５（前記図９０、９１に示した共振器）では、圧電膜１１を介して形成される第１電極１２と第２電極１３とが一方向に配置され、かつその一部が圧電膜１１を介してオーバラップするように形成されている。また、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は、平面視した場合に四角形に形成された第１空洞２１の各角部上の圧電膜１１に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は、平面視した場合に四角形に形成された第２空洞２２の各角部上の上部空洞形成膜１５に形成され、また、第１空洞２１よりも第２空洞２２の方が、平面視、小さく形成されている。そして、第１電極１２に通じる第１取り出し電極１９と、第２電極１３に通じる第２取り出し電極２０とが、平面視、第２空洞２２を挟んで形成されている。また図示はしていないが、上記第１貫通孔１４は第１封止層１７により塞がれ、上記第２貫通孔１６は第２封止層１８により塞がれている。
または、図１０６に示すように、下部空洞２１と上部空洞２２とを順に形成する前記第５実施例の共振器５（前記図９０、９１に示した共振器）では、圧電膜１１を介して形成される第１電極１２と第２電極１３とが直角になるように配置され、かつその一部が圧電膜１１を介してオーバラップするように形成されている。また、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は、平面視した場合に四角形に形成された第１空洞２１の各角部上および１辺側の圧電膜１１に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は、平面視した場合に四角形に形成された第２空洞２２の各角部上および１辺側の上部空洞形成膜１５の第２絶縁膜７２に形成され、また、第１空洞２１よりも第２空洞２２の方が、平面視、小さく形成されている。そして、第１電極１２に通じる第１取り出し電極１９と、第２電極１３に通じる第２取り出し電極２０とが、平面視、第２空洞２２の隣接する辺近傍に形成されている。かつ上記第１取り出し電極１９と上記第１空洞２１の１辺側の圧電膜１１、上部空洞形成膜１５等に形成された第１貫通孔１４、第２貫通孔１６とが、平面視、第２空洞２２を挟んだ状態に形成されている。また、上記第１貫通孔１４は第１封止層１７により塞がれ、上記第２貫通孔１６は第２封止層１８により塞がれている。
上記説明した共振器３〜５は、上記第１電極１２は、例えばモリブデン（Ｍｏ）薄膜で形成され、例えば２２７ｎｍの厚さに形成されている。上記圧電膜１１は、例えば窒化アルミニウム膜で形成され、例えば９５５ｎｍの厚さに形成されている。また、上記第２電極１３は、例えばタンタル（Ｔａ）薄膜で形成され、例えば２２７ｎｍの厚さに形成されている。
また、上記基板１０は、例えば電気抵抗率σが１０００Ωｃｍ以上を有する、例えば６００μｍの厚さのシリコン（Ｓｉ）基板で形成されている。そして、この基板１０と圧電膜１１との間の第１空洞２１は、例えば基板１０からの垂直方向の距離にて、例えば６００ｎｍ〜１０００ｎｍを有する空洞となっている。
上記第１貫通孔１４は、例えば直径２.５μｍの円柱状に形成されていて、その中心線は基板１０に対し垂直方向をなし、その側面は、基板１０の水平面から７５度±４度をなしている、いわゆるテーパ形状に形成されていることが好ましい。また第１、第２封止層１７，１８は、例えばアルミニウム膜を用いることができるが、例えば、アルミニウムを主成分とする化合物Ａｌ−３％Ｃｕ、やＡｌ−３％Ｃｕ−１％Ｓｉ等を採用しても差し支えはない。上記上部空洞２２は、例えば基板１０からの垂直方向の距離３００ｎｍ〜６００ｎｍを有する空洞に形成されている。また上部空洞２２を形成する上部空洞形成膜１５は、例えば窒化アルミニウム膜（ＡｌＮ）で形成され、例えば７００ｎｍ〜１４００ｎｍの厚さに形成されている。
また、上記取り出し電極１９、２０は、例えば直径５０μｍ〜１５０μｍからなる開口径を有する接続孔に形成されたものである。
上記圧電膜１１は、例えば厚さが９５５ｎｍの窒化アルミニウム膜としたが、必要に求められる共振周波数（５００ＭＨｚ〜８ＧＨｚ）に従い、３２００ｎｍ〜３００ｎｍまで選択が可能である。と、また、上記第１電極１２は、例えば厚さが２７７ｎｍのモリブデン膜としたが、求められる共振周波数に従い、８０ｎｍ〜８００ｎｍまで選択が可能である。同様に、上記第２電極１３は、例えば厚さが２７７ｎｍのタンタル（Ｔａ）膜としたが、求められる共振周波数に従い、８０ｎｍ〜８００ｎｍまで選択が可能である。
上記圧電膜１１、絶縁性の基板１０との間に下部空洞２１を形成するために、端部近傍部分は基板１０に沿って形成され、中央部に行くに連れて基板１０から離れるように形成されている。例えば、下部空洞２１の外側の接面が基板１０と水平方向となす角度が３０度で形成しているが、もしくは３０度以下であることが窒化アルミニウム膜のクラックなどの破損回避からは望ましく、連続的に３０度以下の範囲で変動している形状を有することも可能である。上記圧電膜１１の中央部は平坦で基板１０と一定の距離、例えば基板１０と圧電膜１１の平坦部との距離を６００ｎｍ程度となるように構成されている。また、この平坦性は圧電膜１１の膜厚の１％以下にしている。これは圧電膜１１を伝播する弾性波の弾性散乱による弾性損失を回避するために、十分な注意を有する。また、第１電極１２は、圧電膜１１の下部に設けられた下部空洞２１側の面に接して一方の端部から上記中央部まで延在するように構成されている。第２電極１３は、圧電膜１１上部空洞２２側の面に接して他方の端部から上記中央部まで延在するように構成されている。そして、第１電極１２と第２電極１３とは、圧電膜１１の中央部の平坦領域で重なるように配置されており、例えば重なっている領域は、その内部の圧電膜の誘電率から換算される容量相当によって表現すると、対象となる周波数が８００ＭＨｚ〜３ＧＨｚ帯では０．５ｐｆ〜６．５ｐｆの範囲になるような面積を有する。第１、第２電極１２、１３が圧電膜１１を挟んで重なっている領域に対応する圧電膜１１が第１、第２電極１２、１３からの電圧を受けて縦振動する。なお、本実施形態においては、第１電極１２と第２電極１３は同一方向に延在しても、直交する方向に延在していても良い。
また、共振器３〜５は、下部空洞２１へ通じるように複数個の第１貫通孔１４が設けられていて、上部空洞２２へ通じるように複数個の第２貫通孔１６が設けられている。この第１貫通孔１４は、圧電膜１１の中央部の平坦領域以外、すなわち、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成されている。例えば下部空洞２１の外側の接面が基板１０と水平方向となす角度が３０度、もしくは３０度以下、もしくは連続的に３０度以下の範囲で変動している形状部分の外側に設けられている。また、第１貫通孔１４は、第１電極１２および第２電極１３に係るように設けても良い。
上記第１取り出し電極１９は、上部空洞形成膜１５（封止膜の一部が積層さていてもよい）に形成されたコンタクト孔を介して第１電極１２と電気的に接続され、第２取り出し電極２０は上部空洞形成膜１５（封止膜の一部が積層さていてもよい）に形成されたコンタクト孔を介して第２電極１３と電気的に接続されている。
次に、前記第３実施例の共振器における貫通孔と封止層の具体的な形態について、図１０７から図１２２によって説明する。
図１０７に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、基板１０表面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、第２貫通孔１６の径方向に封止するように、上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第２封止層１８は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。なお、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを別々に製造することになる。
図１０８に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、第１貫通孔１４の径方向に封止するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、第２貫通孔１６の径方向に封止するように、上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第２封止層１８は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。なお、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを別々に製造することになる。
図１０９に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、基板１０表面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、第２貫通孔１６の径方向に封止するように、上部空洞形成膜１５上の一部に形成されている。
図１１０に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、第１貫通孔１４の径方向に封止するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、第２貫通孔１６の径方向に封止するように、上部空洞形成膜１５上の一部に形成されている。
図１１１に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、第１貫通孔１４の径方向に封止するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は上記第１封止層１７と同一層で形成され、第２貫通孔１６の径方向に封止するように形成され、しかも、上記第１封止層１７（第２封止層１８）は上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第１封止層１７は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
図１１２に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、第１貫通孔１４の径方向に封止するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、第２貫通孔１６の径方向に封止するように形成され、しかも、上記第１封止層１７と第２封止層１８とは同一層で形成することが可能である。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
図１１３に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、基板１０表面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、圧電膜１１表面に接続するように、上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第２封止層１８は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。なお、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを別々に製造することになる。
図１１４に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、第１貫通孔１４の径方向に封止するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、圧電膜１１表面に接続するように、上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第２封止層１８は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。なお、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを別々に製造することになる。
図１１５に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、基板１０表面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、圧電膜１１表面に接続するように、上部空洞形成膜１５上の一部に形成されている。
図１１６に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、第１貫通孔１４の径方向に封止するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、圧電膜１１表面に接続するように、上部空洞形成膜１５上の一部に形成されている。
図１１７に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、基板１０表面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は上記第１封止層１７と同一層で形成され、圧電膜１１表面に接続するように形成され、しかも、上記第１封止層１７（第２封止層１８）は上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第１封止層１７は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
図１１８に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、基板１０表面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、圧電膜１１表面に接続するように形成され、しかも、上記第１封止層１７と第２封止層１８とは同一層で形成することが可能である。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
図１１９に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、基板１０表面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、上記第１封止層１７と同一層で形成され、第２貫通孔１６の径方向に封止するように形成され、しかも、上記第１封止層１７（第２封止層１８）は上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第１封止層１７は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
図１２０に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、第１貫通孔１４の径方向に封止するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、上記第１封止層１７と同一層で形成され、圧電膜１１表面に接続するように形成され、しかも、上記第１封止層１７（第２封止層１８）は上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第１封止層１７は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
図１２１に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、第１貫通孔１４の径方向に封止するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、圧電膜１１表面に接続するように形成され、しかも、上記第１封止層１７と第２封止層１８とは同一層で形成することが可能である。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
図１２１に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、基板１０表面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、第２貫通孔１６の径方向に封止するように形成され、しかも、上記第１封止層１７と第２封止層１８とは同一層で形成することが可能である。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
次に、前記第４実施例の共振器における貫通孔と封止層の具体的な形態について、図１２３から図１３８によって説明する。
図１２３に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、基板１０に形成された下部空洞２１の傾斜面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、第２貫通孔１６の径方向に封止するように、上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第２封止層１８は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。なお、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを別々に製造することになる。
図１２４に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、第１貫通孔１４の径方向に封止するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、第２貫通孔１６の径方向に封止するように、上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第２封止層１８は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。なお、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを別々に製造することになる。
図１２５に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、基板１０に形成された下部空洞２１の傾斜面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、第２貫通孔１６の径方向に封止するように、上部空洞形成膜１５上の一部に形成されている。
図１２６に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、第１貫通孔１４の径方向に封止するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、第２貫通孔１６の径方向に封止するように、上部空洞形成膜１５上の一部に形成されている。
図１２７に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、第１貫通孔１４の径方向に封止するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は上記第１封止層１７と同一層で形成され、第２貫通孔１６の径方向に封止するように形成され、しかも、上記第１封止層１７（第２封止層１８）は上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第１封止層１７は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
図１２８に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、第１貫通孔１４の径方向に封止するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、第２貫通孔１６の径方向に封止するように形成され、しかも、上記第１封止層１７と第２封止層１８とは同一層で形成することが可能である。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
図１２９に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、基板１０に形成された下部空洞２１の傾斜面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、圧電膜１１表面に接続するように、上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第２封止層１８は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。なお、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを別々に製造することになる。
図１３０に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、第１貫通孔１４の径方向に封止するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、圧電膜１１表面に接続するように、上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第２封止層１８は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。なお、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを別々に製造することになる。
図１３１に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、基板１０に形成された下部空洞２１の傾斜面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、圧電膜１１表面に接続するように、上部空洞形成膜１５上の一部に形成されている。
図１３２に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、基板１０に形成された下部空洞２１の傾斜面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、圧電膜１１表面に接続するように、上部空洞形成膜１５上の一部に形成されている。
図１３３に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、基板１０表面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は上記第１封止層１７と同一層で形成され、圧電膜１１表面に接続するように形成され、しかも、上記第１封止層１７（第２封止層１８）は上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第１封止層１７は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
図１３４に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、基板１０に形成された下部空洞２１の傾斜面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、圧電膜１１表面に接続するように形成され、しかも、上記第１封止層１７と第２封止層１８とは同一層で形成することが可能である。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
図１３５に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、基板１０に形成された下部空洞２１の傾斜面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、上記第１封止層１７と同一層で形成され、第２貫通孔１６の径方向に封止するように形成され、しかも、上記第１封止層１７（第２封止層１８）は上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第１封止層１７は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
図１３６に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、第１貫通孔１４の径方向に封止するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、上記第１封止層１７と同一層で形成され、圧電膜１１表面に接続するように形成され、しかも、上記第１封止層１７（第２封止層１８）は上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第１封止層１７は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
図１３７に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、第１貫通孔１４の径方向に封止するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、圧電膜１１表面に接続するように形成され、しかも、上記第１封止層１７と第２封止層１８とは同一層で形成することが可能である。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
図１３８に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、基板１０に形成された下部空洞２１の傾斜面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、第２貫通孔１６の径方向に封止するように形成され、しかも、上記第１封止層１７と第２封止層１８とは同一層で形成することが可能である。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
次に、上記第３実施例の構造に上記第４実施例の下部空洞２１の構造を加えた構造、すなわち、下部空洞２１は、第３実施例の下部空洞２１と第４実施例の下部空洞２１を合わせた構造の共振器（第６実施例の共振器）の貫通孔と封止層の具体的な形態について、図１３９から図１５４によって説明する。
図１３９に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、基板１０に形成された下部空洞２１の傾斜面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、第２貫通孔１６の径方向に封止するように、上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第２封止層１８は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。なお、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを別々に製造することになる。
図１４０に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、第１貫通孔１４の径方向に封止するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、第２貫通孔１６の径方向に封止するように、上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第２封止層１８は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。なお、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを別々に製造することになる。
図１４１に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、基板１０に形成された下部空洞２１の傾斜面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、第２貫通孔１６の径方向に封止するように、上部空洞形成膜１５上の一部に形成されている。
図１４２に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、第１貫通孔１４の径方向に封止するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、第２貫通孔１６の径方向に封止するように、上部空洞形成膜１５上の一部に形成されている。
図１４３に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、第１貫通孔１４の径方向に封止するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は上記第１封止層１７と同一層で形成され、第２貫通孔１６の径方向に封止するように形成され、しかも、上記第１封止層１７（第２封止層１８）は上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第１封止層１７は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
図１４４に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、第１貫通孔１４の径方向に封止するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、第２貫通孔１６の径方向に封止するように形成され、しかも、上記第１封止層１７と第２封止層１８とは同一層で形成することが可能である。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
図１４５に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、基板１０に形成された下部空洞２１の傾斜面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、圧電膜１１表面に接続するように、上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第２封止層１８は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。なお、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを別々に製造することになる。
図１４６に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、第１貫通孔１４の径方向に封止するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、圧電膜１１表面に接続するように、上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第２封止層１８は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。なお、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを別々に製造することになる。
図１４７に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、基板１０に形成された下部空洞２１の傾斜面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、圧電膜１１表面に接続するように、上部空洞形成膜１５上の一部に形成されている。
図１４８に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域に形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層１７は、基板１０に形成された下部空洞２１の傾斜面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、圧電膜１１表面に接続するように、上部空洞形成膜１５上の一部に形成されている。
図１４９に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、基板１０表面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は上記第１封止層１７と同一層で形成され、圧電膜１１表面に接続するように形成され、しかも、上記第１封止層１７（第２封止層１８）は上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第１封止層１７は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
図１５０に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、基板１０に形成された下部空洞２１の傾斜面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、圧電膜１１表面に接続するように形成され、しかも、上記第１封止層１７と第２封止層１８とは同一層で形成することが可能である。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
図１５１に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、基板１０に形成された下部空洞２１の傾斜面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、上記第１封止層１７と同一層で形成され、第２貫通孔１６の径方向に封止するように形成され、しかも、上記第１封止層１７（第２封止層１８）は上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第１封止層１７は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
図１５２に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、第１貫通孔１４の径方向に封止するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、上記第１封止層１７と同一層で形成され、圧電膜１１表面に接続するように形成され、しかも、上記第１封止層１７（第２封止層１８）は上部空洞形成膜１５の上面全面に形成されている。この第１封止層１７は、共振器３から出力される高周波のノイズをシールドするために金属膜により形成もしくは金属膜により被覆形成しても良い。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
図１５３に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、第１貫通孔１４の径方向に封止するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、圧電膜１１表面に接続するように形成され、しかも、上記第１封止層１７と第２封止層１８とは同一層で形成することが可能である。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
図１５４に示すように、下部空洞２１に通じる第１貫通孔１４は圧電膜１１の傾斜面を有する領域を通るように上部空洞形成膜１５と圧電膜１１とに形成され、上部空洞２２に通じる第２貫通孔１６は上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されている。上記第１貫通孔１４を封止する第１封止層は、基板１０に形成された下部空洞２１の傾斜面に接続するように形成され、第２貫通孔１６を封止する第２封止層１８は、第２貫通孔１６の径方向に封止するように形成され、しかも、上記第１封止層１７と第２封止層１８とは同一層で形成することが可能である。また、この構造では、下部空洞２１を形成しそれを封止するプロセスと、上部空洞２２を形成しそれを封止するプロセスとを同時に製造することが可能になる。
次に、上記第３実施例〜第６実施例における貫通孔が形成される膜の表面形状について、図１５５〜図１６２の概略構成断面図によって説明する。図１５５〜図１６２では、代表して第３実施例の共振器３、第４実施例の共振器４を示したが、第５実施例、第６実施例の共振器の各貫通孔についても同様である。
図１５５、図１５６、図１５８、図１６１に示すように、下部空洞２１へ通じる第１貫通孔１４を形成する領域おける圧電膜１１の加工形状は、単純な平面傾斜面であってもよい。
また、図１５７、図１５９、図１６０、図１６２に示すように、下部空洞２１へ通じる第１貫通孔１４を形成する領域おける圧電膜１１の加工形状は、曲率を有する表面形状を有してもよい。
また、図１５５、図１５６、図１５９、図１６０に示すように、上部空洞２２へ通じる第２貫通孔１６を形成する領域の上部空洞被覆膜１５の表面形状は、単純な平面傾斜面であってもよい。また、図１５７、図１５８、図１６１、図１６２に示すように、上部空洞２２へ通じる第２貫通孔１６を形成する領域の上部空洞被覆膜１５の表面形状は、曲率を有する表面形状を有してもよい。
次に、本発明の共振器の一実施の形態（第７実施例）を、図１６３の概略構成断面図によって説明する。
図１６３に示すように、共振器３は、基板１０上に音響反射層４１が形成され、上記音響反射層４１上に圧電膜１１が形成されている。上記音響反射層４１は、例えば複数層からなる。また、この圧電膜１１の下面に接する第１電極１２と、圧電膜１１の上面に接し、上記第１電極１２と重なる部分を有する第２電極１３とを有している。上記圧電膜１１の上面には、上部空洞２２を形成する上部空洞形成膜１５が形成され、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域には、上部空洞２２に通じる貫通孔３２が形成されている。さらに、上記貫通孔３２を塞ぐように封止層３３が形成されている。この封止層３３は、その一部が上記貫通孔３２を通じて下地の圧電膜１１に接触するように形成されている。
上記共振器３は、貫通孔３２が上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されていることから、従来は圧電膜の平坦な領域に形成されていた貫通孔の形成面積分を削減することができるので、その分、共振器の縮小化が図れ、小型化が図れるという利点がある。
また、従来技術では、貫通孔の下部開口から下地の例えば基板までの距離が長いため、貫通孔の内部を埋め込むことで貫通孔を塞ぐ必要があったが、本発明の共振器３では、貫通孔３２の口径を大きくしても、貫通孔３２が上部空洞形成膜１５の傾斜を有する面に形成されていることから、貫通孔３２下部開口から下地の圧電膜１１までの距離が短くなるので、封止層３３のみで貫通孔１４を塞ぐことができる。これにより、貫通孔１４の口径を大きく形成することができるようになるので、下部空洞２１を形成する際の犠牲膜のエッチングレートを大きくとれるようになることから、犠牲膜の除去を完全に行うことが可能になるので、共振器３の信頼性の向上が図れる。
次に、本発明の共振器の一実施の形態（第８実施例）を、図１６４の概略構成断面図によって説明する。
図１６４に示すように、共振器４は、基板１０上に音響反射層４１が形成され、上記音響反射層４１上に圧電膜１１が形成されている。上記音響反射層４１は、例えば複数層に形成することも可能である。また、この圧電膜１１の下面に接する第１電極１２と、圧電膜１１の上面に接し、上記第１電極１２と重なる部分を有する第２電極１３とを有している。上記圧電膜１１の上面には、上部空洞２２を形成する上部空洞形成膜１５が形成され、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域には、上部空洞２２に通じる貫通孔３２が形成されている。さらに、上記貫通孔３２を塞ぐように封止層３３が形成されている。この封止層３３は、その一部が上記貫通孔３２を通じて下地の圧電膜１１に接触するように形成されている。さらに、上記第１電極１２と第２電極１３とが重なり合う領域下方の上記基板１０には、開口部３４が形成されている。
上記共振器４は、貫通孔３２が上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域に形成されていることから、従来は圧電膜の平坦な領域に形成されていた貫通孔の形成面積分を削減することができるので、その分、共振器の縮小化が図れ、小型化が図れるという利点がある。
また、従来技術では、貫通孔の下部開口から下地の例えば基板までの距離が長いため、貫通孔の内部を埋め込むことで貫通孔を塞ぐ必要があったが、本発明の共振器４では、貫通孔３２の口径を大きくしても、貫通孔３２が上部空洞形成膜１５の傾斜を有する面に形成されていることから、貫通孔３２下部開口から下地の圧電膜１１までの距離が短くなるので、封止層３３のみで貫通孔１４を塞ぐことができる。これにより、貫通孔１４の口径を大きく形成することができるようになるので、下部空洞２１を形成する際の犠牲膜のエッチングレートを大きくとれるようになることから、犠牲膜の除去を完全に行うことが可能になるので、共振器４の信頼性の向上が図れる。
次に、本発明の共振器の一実施の形態（第９実施例）を、図１６５の概略構成断面図によって説明する。図１６５（１）、（３）は、基板１０の主面が水平面として、圧電膜１１の下面が傾斜面になっている場合であり、図１６５（２）、（４）は、圧電膜１１の下面が水平面として、基板１０が傾斜面になっている場合であり、
図１６５（１）、（２）に示すように、第１貫通孔１４、第２貫通孔１６、貫通孔３２等（以下、代表して第１貫通孔１４で説明する）は、上部開口径より下部開口径が小さくなるテーパ形状に形成することが好ましい。このような形状に貫通孔を形成することにより、空洞の高さ方向に封止層（例えば第１封止層１７）による封止が容易になる。特に、第１貫通孔１４の上部開口径Ｓ２と下部開口径Ｓ１との差（Ｓ２−Ｓ１）と第１貫通孔１４の垂直方向の厚さＴとの間に、２Ｔ／（Ｓ２−Ｓ１）＜３．７３２の関係を満たすように形成する。この関係は、第２貫通孔１６、貫通孔３２にも有効である。上記説明したようなテーパ形状の第１貫通孔１４、第２貫通孔１６、貫通孔３２等は、本明細書で説明した全ての実施例に適用することができる。
さらにより効果的に封止を可能にするため、図１６５（３）、（４）に示すように、第１貫通孔１４と基板１０の主面と同じ水平方向となす傾斜角α１、α２を７５度以下、好ましくは７１度以上７５度以下に形成する。この関係は、第２貫通孔１６、貫通孔３２にも有効である。特に第１貫通孔１４の上部開口部の径が圧電膜１１の厚さ以上のサイズである場合に効果的である。また、傾斜角α１、α２の関係を満たすとともに、前記説明した２Ｔ／（Ｓ２−Ｓ１）＜３．７３２の関係を満たすことが、より好ましい。また、上記説明したようなテーパ形状の第１貫通孔１４、第２貫通孔１６、貫通孔３２等は、本明細書で説明した全ての実施例に適用することができる。
なお、本発明の各実施例で説明した第１貫通孔１４、第２貫通孔１６、貫通孔３２は、全て、基板１０の主面に対して法線方向に形成されているものである。
次に、本発明の共振器の製造方法に係る一実施の形態（第１実施例）を、図１６６〜図１６９の製造工程断面図によって説明する。なお、図１６６〜図１６９は、前記図８に示す切断線Ｃ−Ｃ’で切断した位置に対応する断面図である。
図１６６（１）に示すように、絶縁性シリコンやガラスなどを使用した絶縁性の基板１０を用意する。この基板１０は、例えば、抵抗率σが１０００Ωｃｍ以上の厚さが６００μｍのシリコン（Ｓｉ）基板である。この基板１０上に第１犠牲層５１を形成する。この第１犠牲層５１は、例えば、リン（Ｐ）をドーピングした非晶質シリコンを、例えば６００ｎｍ〜１２００ｎｍを堆積して形成する。この成膜には、例えば化学的気相成長方を用いることができる。その後、リソグラフィ技術および反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）技術によって、パターニングして、第１犠牲膜５１を形成した。この際のエッチングでは、エッチングガスにテトラフルオロメタン（ＣＦ4）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ3）、酸素（Ｏ2）を用い、搬送ガスにアルゴン（Ａｒ）を用いた。エッチング雰囲気の圧力は例えば１０Ｐａに設定し、プラズマ発生供給電力を例えば１５００Ｗに設定した。
次に、第１電極１２を形成した後、圧電膜１１を形成し、さらに圧電膜１１上に第２電極１３を形成する。第２電極１３は第１電極１２に対して圧電膜１１を挟んで少なくとも一部がオーバラップするように形成される。
次に、図１６６（２）に示すように、圧電膜１１の一部には、第１犠牲層５１を選択エッチングにより除去するための、第１犠牲層５１に通じる第１貫通孔１４を形成する。
次に、図１６６（３）に示すように、上記第１貫通孔１４を通じて、上記第１犠牲層５１〔前記図１６６（２）参照〕５１のみを選択的に除去する。このエッチングでは、例えばウエットエッチングを用いる。そのエッチャントには、例えば１０％ｗｔフッ酸溶液（液温＝３０℃）を用いる。なおドライエッチングで行う場合には、フッ化水素ガスをエッチングガスに用いる。このエッチングの結果、圧電膜１１と基板１０との間に下部空洞２１が形成された。
次に、図１６６（４）に示すように、まず、圧電膜１１、第１、第２電極１２、１３とで構成される共振子もしくはその共振子から構成されている回路（図示せず）による共振周波数もしくは周波数フィルタを計測し、その計測した共振周波数もしくは周波数フィルタを調整する。この周波数調整は、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）もしくはイオンビーム法などにより上記圧電膜１１の照射処理をすることで行う。このように、周波数調整がプロセス中に行えることから、歩留りの向上、信頼性の向上が図れる。
次に、図１６７（５）に示すように、上記第２電極１３を含む圧電膜１１上に、上記第１貫通孔１４を通じて基板１０表面に達するように、第１封止層１７を形成する。この第１封止層１７は、例えば純アルミニウム金属もしくはアルミニウムを主成分とする化合物で形成する。アルミニウム化合物としては、例えばＡｌ-３％Ｃｕ、やＡｌ−３％Ｃｕ−１％Ｓｉがある。この成膜には、スパッタ法を用いることができ、その成膜条件は、例えばスパッタリング雰囲気中にアルゴン（Ａｒ）ガスを例えば１５０ｃｍ3／ｍｉｎの流量で供給し、ステージ温度を３００℃、ＤＣバイアスパワーを１．５ｋＷに設定した。この第１封止層１７は、第１貫通孔１４を覆い塞ぐような十分な膜厚に形成される。例えば、アルミニウム膜の場合には１０００μｍとしたが、下部空洞２１の高さと圧電膜１１の膜厚に合わせて５００〜２５００ｎｍの膜厚を採用することができる。
次に、図１６７（６）に示すように、リソグラフィおよび反応性イオンエッチングにより、上記第１封止層１７のパターニングを行い、第１貫通孔１４の内部およびその周囲に第１封止層１７を残し、それ以外の第１封止層１７を除去した。この反応性イオンエッチングでは、エッチングガスに一例として３塩化ホウ素（ＢＣｌ3）と塩素（Ｃｌ2）との混合ガスを用い、エッチング雰囲気の圧力を１６Ｐａ、基板バイアスを６０Ｗに設定した。上記設定により、入射イオンエネルギーを利用して垂直加工を行った。
次に、図１６７（７）に示すように、第２電極１３を含む圧電膜１１上に、上記第１封止層を覆うように、第２犠牲層５２を形成する。
次いで、図１６８（８）に示すように、リソグラフィおよび反応性イオンエッチングにより第２犠牲層５２のパターニングを行う。このパターニングのエッチング条件は、上記第１犠牲層５１のエッチング条件と同様である。
次いで、図１６８（９）に示すように、上記第２犠牲層５２を被覆するように上部空洞形成膜１５を成膜する。この成膜には、例えばスパッタ法を用い、例えば窒化アルミニウム膜、窒化シリコン膜で形成する。例えば、窒化アルミニウム膜の場合には、１５００ｎｍの厚さに成膜する。この際のスパッタ条件は、プロセスガスにアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）との混合ガスを用い、ＤＣバイアスを２．５ｋＷに設定した。
次に、図１６８（１０）に示すように、上部空洞形成膜１５の一部に、第２犠牲層５２を選択エッチングにより除去するための、第２犠牲層５２に通じる第２貫通孔１６を形成する。
次に、図１６９（１１）に示すように、第２犠牲層５２〔前記図１６８（１０）参照〕のみを選択的に溶解除去できるエッチャントを使用して、第２貫通孔１６から第２犠牲層５２を選択溶解除去する。このエッチング方法としては、希釈率を１０：１としたフッ酸溶液を採用する。もしくは、フッ化水素（ＨＦ）ガスを用いたドライエッチングにより除去することも可能である。この結果、圧電膜１１、第１、第２電極１２、１３とで構成される共振子となる圧電膜１１上に上部空洞２２が形成された。
次に、図１６９（１２）に示すように、上記上部空洞形成膜１５上に、上記第２貫通孔１６を通じて圧電膜１１表面に達するように、第２封止層１８を形成する。この第２封止層１８は、例えば純アルミニウム金属もしくはアルミニウムを主成分とする化合物で形成する。アルミニウム化合物としては、例えばＡｌ-３％Ｃｕ、やＡｌ−３％Ｃｕ−１％Ｓｉがある。この成膜には、スパッタ法を用いることができ、その成膜条件は、例えばスパッタリング雰囲気中にアルゴン（Ａｒ）ガスを例えば１５０ｃｍ3／ｍｉｎの流量で供給し、ステージ温度を３００℃、ＤＣバイアスパワーを１．５ｋＷに設定した。
次に、図１６９（１３）に示すように、リソグラフィおよび反応性イオンエッチングにより、上記第２封止層１８のパターニングを行い、第２貫通孔１６の内部およびその周囲に第２封止層１８を残し、それ以外の第２封止層１８を除去した。この反応性イオンエッチングでは、エッチングガスに一例として３塩化ホウ素（ＢＣｌ3）と塩素（Ｃｌ2）との混合ガスを用い、エッチング雰囲気の圧力を１６Ｐａ、基板バイアスを６０Ｗに設定した。上記設定により、入射イオンエネルギーを利用して垂直加工を行った。
以上説明したように、共振子の共振部の上下に上部空洞２２、下部空洞２１を形成して封止した共振器１の製造方法では、第１、第２犠牲膜５１、５２の除去処理が従来よりも極めて短時間で可能となるとともに、さらにその形成プロセス中に周波数を調整する工程を有することが可能となる。さらに、これらの工程を簡略なプロセスで実現することが可能となる。また従来の場合と同様に高価なアルミナパッケージ等に気密封止する必要が無くなる。これにより、容易に作成可能で高歩留まりの安価な共振器を得ることができる。また、アルミナパッケージ等に気密封止する必要も無くなるため、本実施例の共振器は従来同様に、薄型に形成することができる。
次に、本発明の共振器の製造方法の一実施の形態（第２実施例）を、図１７０〜図１７２の製造工程断面図によって説明する。
図１７０（１）に示すように、絶縁性シリコンやガラスなどを使用した絶縁性の基板１０を用意する。この基板１０は、例えば、抵抗率σが１０００Ωｃｍ以上の厚さが６００μｍのシリコン（Ｓｉ）基板である。この基板１０に窪み２３を、例えば６００ｎｍ〜１２００ｎｍの深さに形成する。そして、窪み２３を埋め込むように第１犠牲層５１を形成する。この第１犠牲層５１は、例えば、リン（Ｐ）をドーピングした非晶質シリコンを堆積して形成する。この成膜には、例えば化学的気相成長方を用いることができる。その後、化学的機械研磨によって、基板１０上の余剰な第１犠牲層５１を除去することで、窪み２３の内部に第１犠牲層５１を残す。
次に、第１電極１２を形成した後、圧電膜１１を形成し、さらに圧電膜１１上に第２電極１３を形成する。第２電極１３は第１電極１２に対して圧電膜１１を挟んで少なくとも一部がオーバラップするように形成される。
次に、図１７０（２）に示すように、圧電膜１１の一部には、第１犠牲層５１を選択エッチングにより除去するための、第１犠牲層５１に通じる第１貫通孔１４を形成する。
次に、図１７０（３）に示すように、上記第１貫通孔１４を通じて、上記第１犠牲層５１〔前記図１６６（２）参照〕５１のみを選択的に除去する。このエッチングでは、例えばウエットエッチングを用いる。そのエッチャントには、例えば１０％ｗｔフッ酸溶液（液温＝３０℃）を用いる。なおドライエッチングで行う場合には、フッ化水素ガスをエッチングガスに用いる。このエッチングの結果、圧電膜１１と基板１０との間に窪み２３の下部空洞２１が形成された。
次に、図１７１（４）に示すように、まず、圧電膜１１、第１、第２電極１２、１３とで構成される共振子もしくはその共振子から構成されている回路（図示せず）による共振周波数もしくは周波数フィルタを計測し、その計測した共振周波数もしくは周波数フィルタを調整する。この周波数調整は、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）もしくはイオンビーム法などにより上記圧電膜１１の照射処理をすることで行う。このように、周波数調整がプロセス中に行えることから、歩留りの向上、信頼性の向上が図れる。
次に、図１７１（５）に示すように、上記第２電極１３を含む圧電膜１１上に、上記第１貫通孔１４を通じて基板１０に形成した窪み２３の傾斜面に達するように、第１封止層１７を形成する。この第１封止層１７は、例えば純アルミニウム金属もしくはアルミニウムを主成分とする化合物で形成する。アルミニウム化合物としては、例えばＡｌ-３％Ｃｕ、やＡｌ−３％Ｃｕ−１％Ｓｉがある。この成膜には、スパッタ法を用いることができ、その成膜条件は、例えばスパッタリング雰囲気中にアルゴン（Ａｒ）ガスを例えば１５０ｃｍ3／ｍｉｎの流量で供給し、ステージ温度を３００℃、ＤＣバイアスパワーを１．５ｋＷに設定した。この第１封止層１７は、第１貫通孔１４を覆い塞ぐような十分な膜厚に形成される。例えば、アルミニウム膜の場合には１０００μｍとしたが、下部空洞２１の高さと圧電膜１１の膜厚に合わせて５００〜２５００ｎｍの膜厚を採用することができる。
次に、リソグラフィおよび反応性イオンエッチングにより、上記第１封止層１７のパターニングを行い、第１貫通孔１４の内部およびその周囲に第１封止層１７を残し、それ以外の第１封止層１７を除去した。この反応性イオンエッチングでは、エッチングガスに一例として３塩化ホウ素（ＢＣｌ3）と塩素（Ｃｌ2）との混合ガスを用い、エッチング雰囲気の圧力を１６Ｐａ、基板バイアスを６０Ｗに設定した。上記設定により、入射イオンエネルギーを利用して垂直加工を行った。
次に、図１７１（６）に示すように、第２電極１３を含む圧電膜１１上に、上記第１封止層を覆うように、第２犠牲層５２を形成する。次いでリソグラフィおよび反応性イオンエッチングによりパターニングを行う。このパターニングのエッチング条件は、上記第１犠牲層５１のエッチング条件と同様である。
次いで、図１７２（７）に示すように、上記第２犠牲層５２を被覆するように上部空洞形成膜１５を成膜する。この成膜には、例えばスパッタ法を用い、例えば窒化アルミニウム膜、窒化シリコン膜で形成する。例えば、窒化アルミニウム膜の場合には、１５００ｎｍの厚さに成膜する。この際のスパッタ条件は、プロセスガスにアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）との混合ガスを用い、ＤＣバイアスを２．５ｋＷに設定した。
次に、図１７２（８）に示すように、上部空洞形成膜１５の一部に、第２犠牲層５２を選択エッチングにより除去するための、第２犠牲層５２に通じる第２貫通孔１６を形成する。
次に、図１７２（９）に示すように、第２犠牲層５２〔前記図１６８（８）参照〕のみを選択的に溶解除去できるエッチャントを使用して、第２貫通孔１６から第２犠牲層５２を選択溶解除去する。このエッチング方法としては、希釈率を１０：１としたフッ酸溶液を採用する。もしくは、フッ化水素（ＨＦ）ガスを用いたドライエッチングにより除去することも可能である。この結果、圧電膜１１、第１、第２電極１２、１３とで構成される共振子となる圧電膜１１上に上部空洞２２が形成された。
さらに、上記上部空洞形成膜１５上に、上記第２貫通孔１６を通じて基板１０表面に達するように、第２封止層１８を形成する。この第２封止層１８は、例えば純アルミニウム金属もしくはアルミニウムを主成分とする化合物で形成する。アルミニウム化合物としては、例えばＡｌ-３％Ｃｕ、やＡｌ−３％Ｃｕ−１％Ｓｉがある。この成膜には、スパッタ法を用いることができ、その成膜条件は、例えばスパッタリング雰囲気中にアルゴン（Ａｒ）ガスを例えば１５０ｃｍ3／ｍｉｎの流量で供給し、ステージ温度を３００℃、ＤＣバイアスパワーを１．５ｋＷに設定した。
次いで、リソグラフィおよび反応性イオンエッチングにより、上記第２封止層１８のパターニングを行い、第２貫通孔１６の内部およびその周囲に第２封止層１８を残し、それ以外の第２封止層１８を除去した。この反応性イオンエッチングでは、エッチングガスに一例として３塩化ホウ素（ＢＣｌ3）と塩素（Ｃｌ2）との混合ガスを用い、エッチング雰囲気の圧力を１６Ｐａ、基板バイアスを６０Ｗに設定した。上記設定により、入射イオンエネルギーを利用して垂直加工を行った。
次に、本発明の共振器の製造方法に係る一実施の形態（第３実施例）を、図１７３〜図１７７の製造工程断面図によって説明する。なお、図１７３〜図１７７は、前記図１００に示す切断線Ａ−Ａ’で切断した位置に対応する断面図である。
図１７３（１）に示すように、絶縁性シリコンやガラスなどを使用した絶縁性の基板１０を用意する。この基板１０は、例えば、抵抗率σが１０００Ωｃｍ以上の厚さが６００μｍのシリコン（Ｓｉ）基板である。この基板１０上に第１犠牲層５１を形成する。この第１犠牲層５１は、例えば、リン（Ｐ）をドーピングした非晶質シリコンを、例えば６００ｎｍ〜１２００ｎｍを堆積して形成する。この成膜には、例えば化学的気相成長方を用いることができる。その後、リソグラフィ技術および反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）技術によって、パターニングして、第１犠牲膜５１を形成した。この際のエッチングでは、エッチングガスにテトラフルオロメタン（ＣＦ4）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ3）、酸素（Ｏ2）を用い、搬送ガスにアルゴン（Ａｒ）を用いた。エッチング雰囲気の圧力は例えば１０Ｐａに設定し、プラズマ発生供給電力を例えば１５００Ｗに設定した。
次に、第１電極１２を形成した後、圧電膜１１を形成し、さらに圧電膜１１上に第２電極１３を形成する。第２電極１３は第１電極１２に対して圧電膜１１を挟んで少なくとも一部がオーバラップするように形成される。この第１電極１２、第２電極１３は、例えば、平面視した形状が前記図９９、図１００等によって示した形態をとることができる。
次に、図１７３（２）に示すように、上記第２電極１３を被覆するように、上記圧電膜１１上に第２犠牲膜５２を形成する。
次いで、リソグラフィ技術およびエッチング技術により、第２犠牲膜５２をパターニングする。このエッチングでは、例えば反応性イオンエッチングを用い、エッチングガスにテトラフルオロメタン（ＣＦ4）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ3）、酸素（Ｏ2）を用い、搬送ガスにアルゴン（Ａｒ）を用いた。エッチング雰囲気の圧力は例えば１０Ｐａに設定し、プラズマ発生供給電力を例えば１５００Ｗに設定した。この結果、図１７３（３）に示すように、第２電極１３を被覆するように第２犠牲膜５２がパターニングされる。
次に、図１７４（４）に示すように、上記第２犠牲層５２を被覆するように上部空洞形成膜１５を成膜する。この成膜には、例えばスパッタ法を用い、例えば窒化アルミニウム膜、窒化シリコン膜で形成する。例えば、窒化アルミニウム膜の場合には、１５００ｎｍの厚さに成膜する。この際のスパッタ条件は、プロセスガスにアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）との混合ガスを用い、ＤＣバイアスを２．５ｋＷに設定した。
次に、図１７４（５）に示すように、上記圧電膜１１の傾斜面を有する領域を含み、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域の一部に、上記第１犠牲層５１を選択エッチングにより除去するための、第１犠牲層５１に通じる第１貫通孔１４を形成する。それとともに、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域の一部に、第２犠牲層５２を選択エッチングにより除去するための、第２犠牲層５２に通じる第２貫通孔１６を形成する。
次に、図１７５（６）に示すように、上記第１貫通孔１４を通じて第１犠牲膜５１〔前記図１７５（５）参照〕をエッチング除去するとともに、上記第２貫通孔１６を通じて第２犠牲膜５２〔前記図１７５（５）参照〕をエッチング除去する。このエッチングでは、例えばウエットエッチングを用いる。エッチング液に、例えば、希釈率を１０：１としたＨＦ溶液を採用する。もしくは、ドライエッチングを用いる。エッチングガスに、例えば、フッ化水素（ＨＦ）ガスを用いる。このエッチングの結果、第１犠牲膜５１が除去された領域に下部空洞２１が形成されるとともに、第２犠牲膜５２が除去された領域に上部空洞２２が形成される。
次に、図１７５（７）に示すように、上記上部空洞形成膜１５上に、上記第１貫通孔１４を通じて基板１０表面に接続するように、第１封止層１７を形成するとともに、上記第２貫通孔１６を通じて圧電膜１１表面に接続するように、第２封止層１８を形成する。ここでは、第１封止層１７を形成する膜と同一層の膜で第２封止層１８も形成する。以下、第２封止層１８も第１封止層１７として説明する。この第１封止層１７は、例えば純アルミニウム金属もしくはアルミニウムを主成分とする化合物で形成する。アルミニウム化合物としては、例えばＡｌ-３％Ｃｕ、やＡｌ−３％Ｃｕ−１％Ｓｉがある。この成膜には、スパッタ法を用いることができ、その成膜条件は、例えばスパッタリング雰囲気中にアルゴン（Ａｒ）ガスを例えば１５０ｃｍ3／ｍｉｎの流量で供給し、ステージ温度を３００℃、ＤＣバイアスパワーを１．５ｋＷに設定した。
次に、図１７６（８）に示すように、リソグラフィおよび反応性イオンエッチングにより、上記第１封止層１７のパターニングを行い、第１貫通孔１４および第２貫通孔１６のそれぞれの内部およびその周囲に第１封止層１７を残し、それ以外の第１封止層１７を除去した。以下、第１貫通孔１４を封止するものを第１封止層１７、第２貫通孔１６を封止するものを第２封止層１８とする。上記反応性イオンエッチングでは、エッチングガスに一例として３塩化ホウ素（ＢＣｌ3）と塩素（Ｃｌ2）との混合ガスを用い、エッチング雰囲気の圧力を１６Ｐａ、基板バイアスを６０Ｗに設定した。上記設定により、入射イオンエネルギーを利用して垂直加工を行った。
次に、図１７６（９）に示すように、上記第１封止層１７、第２封止層１８を覆うように上記層間絶縁膜６３を形成する。この層間絶縁膜６３は、例えばプラズマＣＶＤ法により成膜されたＰＬ-ＴＥＯＳ（プラズマテオス）膜等で形成され、その膜厚は例えば１．８０μｍとした。
次に、図１７７（１０）に示すように、平坦化技術、例えば研磨法により、上記層間絶縁膜６３の表面を平坦化して、平坦化膜６１を形成する。上記研磨法では、例えば化学的機械研磨（ＣＭＰ）法等の精密平面を創生する研磨を採用する。
次に、図１７７（１１）に示すように、上記平坦化膜６１上にパッシベーション膜６２を形成する。このパッシベーション膜６２は、例えばプラズマＣＶＤ法により成膜されたプラズマ窒化シリコン（ＰＬ-ＳｉＮ）膜等で形成され、その膜厚は例えば８００ｎｍとした。
次に、比較例として、従来の共振器の製造工程における犠牲膜除去工程を、図１７８の製造工程断面図によって説明する。
図１７８（１）に示すように、基板１１０上に第１犠牲膜１５１を介して、第１電極１２を形成し、第１犠牲膜１５１上の第１電極１１２を含む第１犠牲膜１５１を被覆するように、圧電膜１１１を形成する。さらに上記圧電膜１１１上に上記第１電極１１２の一部にオーバーラップする状態で第２電極１１３を形成する。次いで第２電極１１３を被覆するとともに、上記第１貫通孔１１４を被覆するように、上記圧電膜１１１上に第２犠牲膜１５２を形成する。さらに、上記第２犠牲膜１５２を被覆するように上部空洞形成膜１１５を形成する。この上部空洞形成膜１１５には、上記第２犠牲膜１５２達する第２貫通孔１６を形成する。したがって、第１犠牲膜１５１と第２犠牲膜１５２とは第１貫通孔１１４を介して通じている。
次に、図１７８（２）に示すように、ウエットエッチングによって、上記第２犠牲膜１５２および第１犠牲膜１５１を除去していく。
さらに、図１７８（３）に示すように、ウエットエッチングが進行すると、第２貫通孔１１６に近い第２犠牲膜１５２〔前記図１７８（１）参照〕は完全に除去されるが、第２貫通孔１１６から離れている第１犠牲膜１５１の最奥部では、エッチング残渣１８１やエッチング残りが発生する。
一方、前記説明した本発明の製造方法に係る第３実施例により作製される共振器３は、第１犠牲膜５１は第１貫通孔１４を利用してエッチング除去され、第２犠牲膜５２は第２貫通孔１６を利用してエッチング除去されるため、従来の製造方法より極めて短時間処理で第１、第２犠牲膜５１、５２の除去を完全に行うことが可能になる。この結果、第３実施例の製造方法では、下部空洞２１に第１犠牲膜５１のエッチング残査が生じることはない。また、第３実施例は、通常の半導体装置の製造プロセスで行うことができる、また複雑なプロセスを必要とせず、簡略なプロセスで実現することが可能である。また第３実施例の製造方法で形成される共振器は３、従来の製造方法で形成される共振器と同様に、高価なアルミナパッケージ等に気密封止する必要が無くなる。これにより、容易に作製可能で高歩留まりの安価な薄膜圧電型の共振器を得ることができる。また、アルミナパッケージ等に気密封止する必要が無くなるため、本発明の製造方法で作製される薄膜圧電型の共振器３は従来の共振器１０１と同様に、薄く形成することができる。
次に、本発明の共振器の製造方法に係る一実施の形態（第４実施例）を、図１７９〜図１８２の製造工程断面図によって説明する。なお、図１７９〜図１８２は、第１封止層の形態の相違はあるが、前記図１０２に示す切断線Ａ−Ａ’で切断した位置に対応する断面図である。
図１７９（１）に示すように、絶縁性シリコンやガラスなどを使用した絶縁性の基板１０を用意する。この基板１０は、例えば、抵抗率σが１０００Ωｃｍ以上の厚さが６００μｍのシリコン（Ｓｉ）基板である。この基板１０上に第１犠牲層５１を形成する。この第１犠牲層５１は、例えば、リン（Ｐ）をドーピングした非晶質シリコンを、例えば６００ｎｍ〜１２００ｎｍを堆積して形成する。この成膜には、例えば化学的気相成長方を用いることができる。その後、リソグラフィ技術および反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）技術によって、パターニングして、第１犠牲膜５１を形成した。この際のエッチングでは、エッチングガスにテトラフルオロメタン（ＣＦ4）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ3）、酸素（Ｏ2）を用い、搬送ガスにアルゴン（Ａｒ）を用いた。エッチング雰囲気の圧力は例えば１０Ｐａに設定し、プラズマ発生供給電力を例えば１５００Ｗに設定した。
次に、第１電極１２を形成した後、圧電膜１１を形成し、さらに圧電膜１１上に第２電極１３を形成する。第２電極１３は第１電極１２に対して圧電膜１１を挟んで少なくとも一部がオーバラップするように形成される。この第１電極１２、第２電極１３は、例えば、平面視した形状が前記図１０１、図１０２等によって示した形態をとることができる。
次に、図１７９（２）に示すように、上記第２電極１３を被覆するように、上記圧電膜１１上に第１絶縁膜７１を形成する。
次に、図１７９（３）に示すように、平坦化技術、例えば研磨法により、上記第１絶縁膜７１の表面を平坦化する。上記研磨法では、例えば化学的機械研磨（ＣＭＰ）法等の精密平面を創生する研磨を採用する。
次に、図１８０（４）に示すように、リソグラフィ技術およびエッチング技術により、第１絶縁膜７１を加工して、上記第１電極１２とオーバラップする第２電極１３の領域上に上部空洞となる開口部７３を形成する。このエッチングでは、例えば反応性イオンエッチングを用いる。この開口部７３は、例えば、側面が傾斜面となるように形成する。
次に、図１８０（５）に示すように、上記第１絶縁膜７１上に上記開口部７３を完全に埋め込むように、第２犠牲膜５２を形成する。
次に、図１８０（６）に示すように、平坦化技術、例えば研磨法により、上記第１絶縁膜７１上の第２犠牲膜５２を除去し、上記開口部７３内に第２犠牲膜５２を残す。この平坦化工程では、第２犠牲膜５２および第１絶縁膜７１上を平坦化する。上記研磨法では、例えば化学的機械研磨（ＣＭＰ）法等の精密平面を創生する研磨を採用する。
次に、図１８１（７）に示すように、上記第２犠牲層５２を被覆するように上部空洞形成膜１５の第２絶縁膜７２を成膜する。この成膜には、例えばスパッタ法を用い、例えば窒化アルミニウム膜、窒化シリコン膜で形成する。例えば、窒化アルミニウム膜の場合には、１５００ｎｍの厚さに成膜する。この際のスパッタ条件は、プロセスガスにアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）との混合ガスを用い、ＤＣバイアスを２．５ｋＷに設定した。これによって、第１絶縁膜７１および第２絶縁膜７２からなる上部空洞形成膜１５が形成される。
次に、図１８１（８）に示すように、上記圧電膜１１の傾斜面を有する領域を含み、上部空洞形成膜１５の傾斜面を有する領域の一部に、上記第１犠牲層５１〔前記図１７９（１）参照〕を選択エッチングにより除去するための、第１犠牲層５１に通じる第１貫通孔１４を形成する。それとともに、上部空洞２２を形成する第１絶縁膜７１の傾斜面上方の第２絶縁膜７２に、第２犠牲層５２を選択エッチングにより除去するための、第２犠牲層５２に通じる第２貫通孔１６を形成する。
次に、上記第１貫通孔１４を通じて第１犠牲膜５１〔前記図１７９（１）参照〕をエッチング除去するとともに、上記第２貫通孔１６を通じて第２犠牲膜５２〔前記図１８１（７）参照〕をエッチング除去する。このエッチングでは、例えばウエットエッチングを用いる。エッチング液に、例えば、希釈率を１０：１としたＨＦ溶液を採用する。もしくは、ドライエッチングを用いる。エッチングガスに、例えば、フッ化水素（ＨＦ）ガスを用いる。このエッチングの結果、第１犠牲膜５１が除去された領域に下部空洞２１が形成されるとともに、第２犠牲膜５２が除去された領域に上部空洞２２が形成される。
次に、図１８１（９）に示すように、上記上部空洞形成膜１５上に、上記第１貫通孔１４を径方向に封止する第１封止層１７を形成するとともに、上記第２貫通孔１６を通じて第１絶縁膜７１の傾斜面に接続するように、第２封止層１８を形成する。ここでは、第１封止層１７を形成する膜と同一層の膜で第２封止層１８も形成する。以下、第２封止層１８も第１封止層１７として説明する。この第１封止層１７は、例えば純アルミニウム金属もしくはアルミニウムを主成分とする化合物で形成する。アルミニウム化合物としては、例えばＡｌ-３％Ｃｕ、やＡｌ−３％Ｃｕ−１％Ｓｉがある。この成膜には、スパッタ法を用いることができ、その成膜条件は、例えばスパッタリング雰囲気中にアルゴン（Ａｒ）ガスを例えば１５０ｃｍ3／ｍｉｎの流量で供給し、ステージ温度を３００℃、ＤＣバイアスパワーを１．５ｋＷに設定した。
次に、図１８２（１０）に示すように、リソグラフィおよび反応性イオンエッチングにより、上記第１封止層１７のパターニングを行い、第１貫通孔１４および第２貫通孔１６のそれぞれの内部およびその周囲に第１封止層１７を残し、それ以外の第１封止層１７を除去した。以下、第１貫通孔１４を封止するものを第１封止層１７、第２貫通孔１６を封止するものを第２封止層１８とする。上記反応性イオンエッチングでは、エッチングガスに一例として３塩化ホウ素（ＢＣｌ3）と塩素（Ｃｌ2）との混合ガスを用い、エッチング雰囲気の圧力を１６Ｐａ、基板バイアスを６０Ｗに設定した。上記設定により、入射イオンエネルギーを利用して垂直加工を行った。
次に、図１８２（１１）に示すように、上記第１封止層１７、第２封止層１８を覆うように上記層間絶縁膜６３を形成する。この層間絶縁膜６３は、例えばプラズマＣＶＤ法により成膜されたＰＬ-ＴＥＯＳ（プラズマテオス）膜等で形成され、その膜厚は例えば１．８０μｍとした。なお、上記層間絶縁膜６３は必要に応じて、表面の平坦化を行う。
次に、上記層間絶縁膜６３上にパッシベーション膜６２を形成する。このパッシベーション膜６２は、例えばプラズマＣＶＤ法により成膜されたプラズマ窒化シリコン（ＰＬ-ＳｉＮ）膜等で形成され、その膜厚は例えば８００ｎｍとした。
上記第４実施例の製造方法でも、第１犠牲膜５１は第１貫通孔１４を利用してエッチング除去され、第２犠牲膜５２は第２貫通孔１６を利用してエッチング除去されるため、従来の製造方法より極めて短時間処理で第１、第２犠牲膜５１、５２の除去を完全に行うことが可能になる。この結果、第４実施例の製造方法では、下部空洞２１に第１犠牲膜５１のエッチング残査が生じることはない。また、第４実施例は、通常の半導体装置の製造プロセスで行うことができる、また複雑なプロセスを必要とせず、簡略なプロセスで実現することが可能である。また第４実施例の製造方法で形成される共振器は４、従来の製造方法で形成される共振器と同様に、高価なアルミナパッケージ等に気密封止する必要が無くなる。これにより、容易に作製可能で高歩留まりの安価な薄膜圧電型の共振器を得ることができる。また、アルミナパッケージ等に気密封止する必要が無くなるため、本発明の製造方法で作製される薄膜圧電型の共振器４は従来の共振器１０１と同様に、薄く形成することができる。
また、上記各製造方法においては、第１、第２貫通孔１４、１６を、前記図１６５によって説明したように、テーパ形状に形成することは好ましい。
上記各製造方法によれば、圧電膜１１の傾斜面を有する領域に、基板１０と圧電膜１１との間に形成された第１犠牲膜５１に通じる第１貫通孔１４を形成するため、共振子が縮小化されるので、共振器の小型化が図れるという利点がある。また、下部空洞２１、上部空洞２２を形成する際の第１犠牲膜５１、第２犠牲膜５２のエッチングレートを大きくとれるようになることから、第１犠牲膜５１、第２犠牲膜５２の除去を完全に行うことが可能になるので、共振器の信頼性の向上が図れる。
ここで、共振特性の向上について記述する。本発明では、インピーダンス特性に現われるスプリアスの強度の低減が期待される。共振子のインピーダンス特性におけるスプリアスの発生は、その強度が大きいほど、共振子の振幅特性および位相特性が悪くなる。このため、従来の共振器は、フィルタを構成した通過特性において、いわゆる信号の損失を生じる等の問題があった。従来までは、このスプリアスの低減には、共振領域の平面上のデザイン形状による対策など広く検討されてきている。さらに、一般には圧電振動子における動作理論は未だ確立されておらず、圧電性基板上にはできるだけ不要な物体を配置しないことが、スプリアス発生のためには不可欠なことであると考えられてきている。今回の貫通孔の配置位置が、共振子の圧電膜の傾斜を有する面に形成することにより共振特性におけるスプリアスの低下を実現することが可能になる。図１８３（１）に従来例の共振器を示し、図１８３（２）に本発明の共振器を示すように、本発明の共振器のほうが、スプリアスが低減していることがわかる。なお、縦軸はインピーダンスを容量で規格化したものであり、横軸は共振周波数で規格化したものである。
次に、本発明の通信装置に係る一実施の形態の一例を、図１８４のブロック図により説明する。図１８４で説明する通信装置は、前記本発明の共振器のいずれかを用いたフィルタを備えたものである。このフィルタとしては、高周波（ＲＦ）フィルタ、中間周波（ＩＦ）フィルタ等として用いることができる。このようなフィルタを備えた通信装置には、例えば携帯電話機、個人用携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistance）機器、無線ＬＡＮ機器、無線トランシーバ、テレビジョンチューナ、ラジオチューナ等の、電磁波を利用して通信する通信装置がある。
図１８４に示すように、通信装置２００の送信系の構成を説明する。この送信系は、例えば、Ｉチャンネルの送信データをデジタル／アナログ変換器（ＤＡＣ）２０１Ｉに供給してアナログ信号に変換する。またＱチャンネルの送信データをデジタル／アナログ変換器（ＤＡＣ）２０１Ｑに供給してアナログ信号に変換する。変換された各チャンネルの信号は、バンド・パス・フィルタ２０２Ｉおよび２０２Ｑに供給して、送信信号の帯域以外の信号成分を除去し、バンド・パス・フィルタ２０２Ｉおよび２０２Ｑの出力を変調器２１０に供給する。
変調器２１０では、各チャンネルにバッファアンプ２１１Ｉおよび２１１Ｑを介してミキサ２１２Ｉおよび２１２Ｑに供給して、送信用のＰＬＬ（phase-locked loop）回路２０３から供給される送信周波数に対応した周波数信号を混合して変調し、両混合信号を加算器２１４で加算して１系統の送信信号とする。この場合、ミキサ２１２Ｉに供給する周波数信号は、移相器２１３で信号位相を９０°シフトさせてあり、Ｉチャンネルの信号とＱチャンネルの信号とが直交変調されるようにしてある。
加算器２１４の出力は、バッファアンプ２１５を介して電力増幅器２０４に供給し、所定の送信電力となるように増幅する。電力増幅器２０４で増幅された信号は、送受信切換器２０５と高周波フィルタ２０６を介してアンテナ２０７に供給し、アンテナ２０７から無線送信させる。高周波フィルタ２０６は、この通信装置で送信および受信する周波数帯域以外の信号成分を除去するバンド・パス・フィルタである。
受信系の構成としては、アンテナ２０７で受信した信号を、高周波フィルタ２０６および送受信切換器２０５を介して高周波部２２０に供給する。高周波部２２０では、受信信号を低ノイズアンプ（ＬＮＡ）２２１で増幅した後、バンド・パス・フィルタ２２２に供給して、受信周波数帯域以外の信号成分を除去し、バッファアンプ２２３を介して除去された信号をミキサ２２４に供給する。そして、チャンネル選択用ＰＬＬ回路２５１から供給される周波数信号を混合して、所定の送信チャンネルの信号を中間周波信号とし、バッファアンプ２２５を介してその中間周波信号を中間周波回路２３０に供給する。
中間周波回路２３０では、バッファアンプ２３１を介して供給される中間周波信号をバンド・パス・フィルタ２３２に供給して、中間周波信号の帯域以外の信号成分を除去し、除去された信号を自動ゲイン調整回路（ＡＧＣ回路）２３３に供給して、ほぼ一定のゲインの信号とする。自動ゲイン調整回路２３３でゲイン調整された中間周波信号は、バッファアンプ２３４を介して復調器２４０に供給する。
復調器２４０では、バッファアンプ２４１を介して供給される中間周波信号をミキサ２４２Ｉおよび２４２Ｑに供給して、中間周波用ＰＬＬ回路２５２から供給される周波数信号を混合して、受信したＩチャンネルの信号成分とＱチャンネルの信号成分を復調する。この場合、Ｉ信号用のミキサ２４２Ｉには、移相器２４３で信号位相を９０°シフトさせた周波数信号を供給するようにしてあり、直交変調されたＩチャンネルの信号成分とＱチャンネルの信号成分を復調する。
復調されたＩチャンネルとＱチャンネルの信号は、それぞれバッファアンプ２４４Ｉおよび２４４Ｑを介してバンド・パス・フィルタ２５３Ｉおよび２５３Ｑに供給して、ＩチャンネルおよびＱチャンネルの信号以外の信号成分を除去し、除去された信号をアナログ／デジタル変換器（ＡＤＣ）２５４Ｉおよび２５４Ｑに供給してサンプリングしてデジタルデータ化し、Ｉチャンネルの受信データおよびＱチャンネルの受信データを得る。
ここまで説明した構成において、各バンド・パス・フィルタ２０２Ｉ、２０２Ｑ、２０６、２２２、２３２、２５３Ｉ、２５３Ｑの一部又は全てとして、上述した実施の形態の構成のフィルタを適用して帯域制限することが可能である。
本発明の通信装置２００によれば、フィルタを構成する静電駆動型振動子に安定な直流バイアス電圧を供給することができるので、出力される高周波信号又は／および中間周波信号の時間変動を抑制することができ、また、突発的に印加される高電圧パルス（サージ電圧）による振動子の破壊を防止することができ、信頼性の高い通信装置を提供することができる。
上記実施の形態では、各フィルタをバンド・パス・フィルタとして構成したが、所定の周波数よりも下の周波数帯域だけを通過させるロー・パス・フィルタや、所定の周波数よりも上の周波数帯域だけを通過させるハイ・パス・フィルタとして構成して、それらのフィルタに上述した各実施の形態の構成のフィルタを適用してもよい。また、前記図１８４の例では、無線送信および無線受信を行う通信装置としたが、有線の伝送路を介して送信および受信を行う通信装置が備えるフィルタに適用してもよく、さらに送信処理だけを行う通信装置や受信処理だけを行う通信装置が備えるフィルタに、上述した実施の形態の構成のフィルタを適用してもよい。
本発明の通信装置２００は、本発明の共振器を有するフィルタを搭載したことから、小型化された信頼性の高いフィルタを搭載することが可能になり、通信装置の小型化、信頼性の向上ができるという利点がある。
本発明の共振器の一実施の形態（第１実施例）を示した概略構成断面図である。 本発明の共振器の一実施の形態（第１実施例）を示した概略構成断面図である。 第１実施例の貫通孔の各拡大図である。 本発明の共振器の一実施の形態（第２実施例）を示した概略構成断面図である。 本発明の共振器の一実施の形態（第２実施例）を示した概略構成断面図である。 第１実施例の貫通孔の各拡大図である。 上記第１実施例の共振器１の具体的な構成例の詳細を説明する図である。 上記第１実施例の共振器１の具体的な構成例の詳細を説明する図である。 上記第１実施例の共振器１の具体的な構成例の詳細を説明する図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および封止層の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例における貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第１実施例における貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例に前記共振器の第１実施例を組み合わせたものであって、貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例に前記共振器の第１実施例を組み合わせたものであって、貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例に前記共振器の第１実施例を組み合わせたものであって、貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例に前記共振器の第１実施例を組み合わせたものであって、貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例に前記共振器の第１実施例を組み合わせたものであって、貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例に前記共振器の第１実施例を組み合わせたものであって、貫通孔の形成位置および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例に前記共振器において、貫通孔の形成位置、圧電膜の形態および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例に前記共振器において、貫通孔の形成位置、圧電膜の形態および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例に前記共振器において、貫通孔の形成位置、圧電膜の形態および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例に前記共振器において、貫通孔の形成位置、圧電膜の形態および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例に前記共振器において、貫通孔の形成位置、圧電膜の形態および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例に前記共振器において、貫通孔の形成位置、圧電膜の形態および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例において、貫通孔の形成位置、圧電膜の形態および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例において、貫通孔の形成位置、圧電膜の形態および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例において、貫通孔の形成位置、圧電膜の形態および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例において、貫通孔の形成位置、圧電膜の形態および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例において、貫通孔の形成位置、圧電膜の形態および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 共振器の第２実施例において、貫通孔の形成位置、圧電膜の形態および第１、第２空洞の形態について示した概略構成断面図である。 本発明の共振器の一実施の形態（第３実施例の第１例）を示した概略構成断面図である。 本発明の共振器の一実施の形態（第３実施例の第２例）を示した概略構成断面図である。 本発明の共振器の一実施の形態（第３実施例の第３例）を示した概略構成断面図である。 第３実施例の共振器と比較する従来の共振器の一例を示した概略構成断面図である。 従来の共振器と比較する第３実施例の共振器の一例を示した概略構成断面図である。 従来の共振器における犠牲膜のエッチング状態を示した概略構成断面図である。 第３実施例の共振器における犠牲膜のエッチング状態を示した概略構成断面図である。 本発明の共振器の一実施の形態（第４実施例の第１例）を示した概略構成断面図である。 本発明の共振器の一実施の形態（第４実施例の第２例）を示した概略構成断面図である。 本発明の共振器の一実施の形態（第４実施例の第３例）を示した概略構成断面図である。 第４実施例の共振器と比較する従来の共振器の一例を示した概略構成断面図である。 従来の共振器と比較する第４実施例の共振器の一例を示した概略構成断面図である。 本発明の共振器の一実施の形態（第５実施例の第１例）を示した概略構成断面図である。 本発明の共振器の一実施の形態（第５実施例の第２例）を示した概略構成断面図である。 本発明の共振器の一実施の形態（第５実施例の第３例）を示した概略構成断面図である。 第５実施例の共振器と比較する従来の共振器の一例を示した概略構成断面図である。 従来の共振器と比較する第５実施例の共振器の一例を示した概略構成断面図である。 第３実施例の共振器の具体的な構成例の詳細を示した図面であり、（１）はレイアウト平面図であり、（２）は（１）図中のＡ−Ａ’線断面図である。 第３実施例の共振器の具体的な構成例の詳細を示した図面であり、（１）はレイアウト平面図であり、（２）は（１）図中のＡ−Ａ’線断面図である。 第５実施例の共振器の具体的な構成例の詳細を示した図面であり、（１）はレイアウト平面図であり、（２）は（１）図中のＡ−Ａ’線断面図である。 第５実施例の共振器の具体的な構成例の詳細を示した図面であり、（１）はレイアウト平面図であり、（２）は（１）図中のＡ−Ａ’線断面図である。 第３実施例の共振器の具体的な構成例の詳細を示した図面であり、（１）はレイアウト平面図であり、（２）は（１）図中のＡ−Ａ’線断面図である。 第３実施例の共振器の具体的な構成例の詳細を示した図面であり、（１）はレイアウト平面図であり、（２）は（１）図中のＡ−Ａ’線断面図である。 第５実施例の共振器の具体的な構成例の詳細を示した図面であり、（１）はレイアウト平面図であり、（２）は（１）図中のＡ−Ａ’線断面図である。 第５実施例の共振器の具体的な構成例の詳細を示した図面であり、（１）はレイアウト平面図であり、（２）は（１）図中のＡ−Ａ’線断面図である。 共振器の第３実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第３実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第３実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第３実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第３実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第３実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第３実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第３実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第３実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第３実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第３実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第３実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第３実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第３実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第３実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第３実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第４実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第４実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第４実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第４実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第４実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第４実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第４実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第４実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第４実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第４実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第４実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第４実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第４実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第４実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第４実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第４実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第６実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第６実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第６実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第６実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第６実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第６実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第６実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第６実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第６実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第６実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第６実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第６実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第６実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第６実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第６実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 共振器の第６実施例において、貫通孔の形成位置および第１、第２封止層について示した概略構成断面図である。 第３実施例、第４実施例における貫通孔が形成される膜の表面形状を示した概略構成断面図である。 第３実施例、第４実施例における貫通孔が形成される膜の表面形状を示した概略構成断面図である。 第３実施例、第４実施例における貫通孔が形成される膜の表面形状を示した概略構成断面図である。 第３実施例、第４実施例における貫通孔が形成される膜の表面形状を示した概略構成断面図である。 第３実施例、第４実施例における貫通孔が形成される膜の表面形状を示した概略構成断面図である。 第３実施例、第４実施例における貫通孔が形成される膜の表面形状を示した概略構成断面図である。 第３実施例、第４実施例における貫通孔が形成される膜の表面形状を示した概略構成断面図である。 第３実施例、第４実施例における貫通孔が形成される膜の表面形状を示した概略構成断面図である。 本発明の共振器の一実施の形態（第３実施例）を示した概略構成断面図である。 本発明の共振器の一実施の形態（第４実施例）を示した概略構成断面図である。 本発明の共振器の一実施の形態（第５実施例）を示した概略構成断面図である。 本発明の共振器の製造方法に係る一実施の形態（第１実施例）を示した製造工程断面図である。 本発明の共振器の製造方法に係る一実施の形態（第１実施例）を示した製造工程断面図である。 本発明の共振器の製造方法に係る一実施の形態（第１実施例）を示した製造工程断面図である。 本発明の共振器の製造方法に係る一実施の形態（第１実施例）を示した製造工程断面図である。 本発明の共振器の製造方法に係る一実施の形態（第２実施例）を示した製造工程断面図である。 本発明の共振器の製造方法に係る一実施の形態（第２実施例）を示した製造工程断面図である。 本発明の共振器の製造方法に係る一実施の形態（第２実施例）を示した製造工程断面図である。 本発明の共振器の製造方法に係る一実施の形態（第３実施例）を示した製造工程断面図である。 本発明の共振器の製造方法に係る一実施の形態（第３実施例）を示した製造工程断面図である。 本発明の共振器の製造方法に係る一実施の形態（第３実施例）を示した製造工程断面図である。 本発明の共振器の製造方法に係る一実施の形態（第３実施例）を示した製造工程断面図である。 本発明の共振器の製造方法に係る一実施の形態（第３実施例）を示した製造工程断面図である。 従来の共振器の製造方法に係る問題点を示した製造工程断面図である。 本発明の共振器の製造方法に係る一実施の形態（第４実施例）を示した製造工程断面図である。 本発明の共振器の製造方法に係る一実施の形態（第４実施例）を示した製造工程断面図である。 本発明の共振器の製造方法に係る一実施の形態（第４実施例）を示した製造工程断面図である。 本発明の共振器の製造方法に係る一実施の形態（第４実施例）を示した製造工程断面図である。 本発明の共振器と従来の共振器におけるスプリアスの発生状態を比較した図面である。 本発明の通信装置に係る一実施の形態の一例を示したブロック図である。 従来の共振器を示した概略構成断面図である。 従来の共振器を示した概略構成断面図である。 従来の共振器の製造方法を示した製造工程断面図である。 従来の共振器を示した概略構成断面図である。 従来の共振器を示した概略構成断面図である。 従来の共振器の製造方法を示した製造工程断面図である。 従来の共振器を示した概略構成断面図である。 従来の共振器を示した概略構成断面図である。 従来の共振器の製造方法を示した製造工程断面図である。 貫通孔の制約条件の説明図である。 封止層膜厚の上限および下限と貫通孔径との関係図である。 空洞水平方向のエッチング速度の上限および下限と貫通孔径との関係図である。 従来技術の課題を示した概略構成断面図である。 従来技術の課題を示した概略構成断面図である。 従来技術の製造方法の課題を示した製造工程断面図である。
符号の説明
１…共振器、１０…基板、１１…圧電膜、１２…第１電極、１３…第２電極、１４…第１貫通孔、２１…下部空洞

Claims (26)

  1. 周囲を基板に支持された圧電膜と、
    前記圧電膜の下面に形成された第１電極と、
    前記圧電膜の上面に形成され、前記圧電膜を挟んで前記第１電極の少なくとも一部とオーバラップする状態に形成された第２電極と、
    前記基板と前記圧電膜との間に形成された下部空洞に通じるもので前記圧電膜の傾斜面を有する領域に形成された第１貫通孔と
    を有することを特徴とする共振器。
  2. 前記圧電膜上に上部空洞を介して形成された上部空洞形成膜を備え、
    前記上部空洞形成膜の傾斜面を有する領域に形成された前記上部空洞に通じる第２貫通孔
    を有することを請求項１記載の特徴とする共振器。
  3. 前記上部空洞と前記下部空洞とが前記第１貫通孔を介して連通して形成され、かつ前記上部空洞より前記下部空洞の占有面積が小さい
    ことを請求項１記載の特徴とする共振器。
  4. 前記上部空洞と前記下部空洞とが独立して形成され、かつ前記上部空洞より前記下部空洞の占有面積が大きい
    ことを請求項１記載の特徴とする共振器。
  5. 前記第１貫通孔は上部開口が広く下部開口が狭いテーパ形状に形成されている
    ことを特徴とする請求項１記載の共振器。
  6. 前記第２貫通孔は上部開口が広く下部開口が狭いテーパ形状に形成されている
    ことを特徴とする請求項２記載の共振器。
  7. 前記第１貫通孔に、前記第１貫通孔を塞ぐ第１封止層が形成されている
    ことを特徴とする請求項１記載の共振器。
  8. 前記第２貫通孔に、前記第２貫通孔を塞ぐ第２封止層が形成されている
    ことを特徴とする請求項２記載の共振器。
  9. 前記第１封止層の一部は前記基板に接する
    ことを特徴とする請求項７記載の共振器。
  10. 前記第２封止層の一部は前記圧電膜に接する
    ことを特徴とする請求項８記載の共振器。
  11. 前記基板に形成された凹部内に音響反射層を有し、
    前記圧電膜は前記音響反射層を被覆するように周囲を基板に支持されて形成されている
    ことを特徴とする請求項１記載の共振器。
  12. 基板上に第１犠牲層を形成する工程と、
    前記第１犠牲層の一部分を覆うように第１電極を形成する工程と、
    前記第１電極および前記第１犠牲層を覆う圧電膜を形成する工程と、
    前記圧電膜の一部分を覆うように前記第１電極と前記圧電膜を挟んで重なる部分を有する第２電極を形成する工程とを備え、
    前記圧電膜を形成した後もしくは前記第２電極を形成した後に、前記圧電膜の傾斜面を有する領域に、前記基板と前記圧電膜との間に形成された第１犠牲膜に通じる第１貫通孔を形成する工程
    を備えたことを特徴とする共振器の製造方法。
  13. 前記第１貫通孔は上部開口が広く下部開口が狭いテーパ形状に形成される
    ことを特徴とする請求項１２記載の共振器の製造方法。
  14. 前記第１貫通孔を形成した後、前記圧電膜上に前記第２電極を覆う第２犠牲層を形成する工程と、
    前記第２犠牲層を覆う上部空洞形成膜を形成する工程と、
    前記上部空洞形成膜を形成した後、前記上部空洞形成膜の傾斜面を有する領域に、前記圧電膜と前記上部空洞形成膜との間に形成された第２犠牲膜に通じる第２貫通孔を形成する工程と、
    前記１貫通孔を通して前記第１犠牲層を除去するとともに、前記第２貫通孔を通して前記第２犠牲層を除去する工程と
    を備えたことを特徴とする請求項１２記載の共振器の製造方法。
  15. 前記上部空洞を形成する第２犠牲層より前記下部空洞を形成する第１犠牲層の占有面積を小さく形成する
    ことを請求項１４記載の特徴とする共振器の製造方法。
  16. 前記第２貫通孔は上部開口が広く下部開口が狭いテーパ形状に形成されている
    ことを特徴とする請求項１４記載の共振器の製造方法。
  17. 前記第１、第２犠牲層を除去した後、前記上部空洞形成膜に前記第２貫通孔を塞ぐ第２封止層を形成する工程
    を備えたことを特徴とする請求項１４記載の共振器の製造方法。
  18. 前記第１貫通孔を形成した後、前記第１貫通孔より前記第１犠牲膜を除去する工程と、
    前記第１貫通孔を塞ぐ第１封止層を前記圧電膜に形成する工程と
    を備えたことを特徴とする請求項１２記載の共振器の製造方法。
  19. 前記第１封止層を形成した後、前記圧電膜上に前記第２電極を覆う第２犠牲層を形成する工程と、
    前記第２犠牲層を覆う上部空洞形成膜を形成する工程と、
    前記上部空洞形成膜を形成した後、前記上部空洞形成膜の傾斜面を有する領域に、前記圧電膜と前記上部空洞形成膜との間に形成された第２犠牲膜に通じる第２貫通孔を形成する工程と、
    前記第２貫通孔を通して前記第２犠牲層を除去して下部空洞を形成する工程と
    を備えたことを特徴とする請求項１８記載の共振器の製造方法。
  20. 前記上部空洞を形成する第２犠牲層より前記下部空洞を形成する第１犠牲層の占有面積を小さく形成する
    ことを請求項１９記載の特徴とする共振器の製造方法。
  21. 前記上部空洞を形成する第２犠牲層と前記下部空洞とを独立に形成し、かつ前記上部空洞より前記下部空洞を形成する第１犠牲層の占有面積を大きく形成する
    ことを請求項１９記載の特徴とする共振器の製造方法。
  22. 前記圧電膜下面に形成される前記第１電極を形成する前に、前記基板に凹部を形成する工程と、前記凹部内に音響反射層を形成する工程とを有し、
    前記圧電膜は前記音響反射層を被覆するように周囲を基板に支持されるように形成される
    ことを特徴とする請求項１２記載の共振器の製造方法。
  23. 前記１貫通孔を通して前記第１犠牲層を除去した後に、前記共振子もしくは前記共振子から構成されている回路による共振周波数もしくは周波数フィルタを計測する
    ことを特徴とする請求項１２記載の共振器の製造方法。
  24. 前記共振周波数もしくは周波数フィルタを計測した後、計測した共振周波数もしくは周波数フィルタを調整する
    ことを特徴とする請求項２３記載の共振器の製造方法。
  25. 基板に窪みを形成した後、前記基板の窪みに前記第１犠牲層を埋め込むように形成する
    ことを特徴とする請求項１２記載の共振器の製造方法。
  26. 周囲を基板に支持された圧電膜と、
    前記圧電膜の下面に形成された第１電極と、
    前記圧電膜の上面に形成され、前記圧電膜を挟んで前記第１電極の少なくとも一部とオーバラップする状態に形成された第２電極と、
    前記圧電膜上に上部空洞を介して形成された上部空洞形成膜とを備え、
    前記基板と前記圧電膜との間に形成された下部空洞に通じるもので前記圧電膜に形成された第１貫通孔と、
    前記上部空洞形成膜の傾斜部に形成された前記上部空洞に通じる第２貫通孔と
    を形成した共振器を有するフィルタを搭載した
    ことを特徴とする通信装置。
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