JP4520415B2 - 圧電薄膜共振器及びその製作方法 - Google Patents

Description

本発明は、フィルタとして用いられる圧電薄膜共振器（Ｆｉｌｍ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ：以下、‘ＦＢＡＲ’と称する）及びその製作方法に関する。

最近、携帯電話として代表される移動通信機器が急速に普及されるに伴い、このような機器に用いられる小型軽量フィルタの需要も増加しつつある。
一方、このような小型軽量フィルタに適した手段としてＦＢＡＲが知られている。ＦＢＡＲは最小限のコストで大量生産が可能であり、超小型化が図られる。また、フィルタの主要な特性である高い品質係数（Ｑｕａｌｉｔｙ Ｆａｃｔｏｒ）値を実現することができ、マイクロ周波数帯域でも使用可能である。特に、ＰＣＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ）とＤＣＳ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｏｒｄｌｅｓｓ Ｓｙｓｔｅｍ）帯域までも実現することができる。

一般に、ＦＢＡＲ素子は、基板上に下部電極、圧電層（Ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｌａｙｅｒ）、及び上部電極が順に積層される。ＦＢＡＲ素子の動作原理は、電極に電気的エネルギーを印加することで圧電層内に時間的に変化する電界を誘起し、この電界は圧電層内で全層共振部の振動方向と同じ方向に音響波（Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を誘発させることで共振を発生させる。

図１Ａは、ＦＢＡＲ素子の一種であるブラッグ反射（Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）型ＦＢＡＲの断面図である。同図に示すように、ブラッグ反射型ＦＢＡＲは、基板１０、反射層１１、下部電極１２、圧電層１３、及び上部電極１４を備える。ブラッグ反射型ＦＢＡＲは、圧電層１３から発生した弾性波が基板の方向に向かって伝達されず、反射層１１で全て反射されることにより効率的な共振が発生される。その製作過程は、まず、基板１０上に弾性インピーダンスの差が大きい物質を交互に蒸着して反射層１１を形成し、次に、下部電極１２、圧電層１３、及び上部電極１４を順に積層して反射層１１の上部に共振部を形成する。ブラッグ反射型ＦＢＡＲは、構造的に堅固で歪みによるストレス（ｓｔｒｅｓｓ）がないものの、全反射のために必要となる正確な厚さになるように、４層以上の反射層を形成することが困難であり、製作のための時間とコストがかなりかかる短所がある。

これにより、反射層の代わりにエアギャップを利用して基板と共振部を離間させるエアギャップ型ＦＢＡＲに対する研究が進行している。図１Ｂは、従来のエアギャップ型ＦＢＡＲの構造を説明するための断面図である。
図１Ｂに図示した構造のＦＢＡＲは、下部電極２３、圧電層２４、及び上部電極２５が順に積層された共振部の下部にエアギャップ２１を形成することにより、共振部と基板２０を互いに離間させる。その製作過程において、まず、基板２０上の所定の領域にのみ犠牲層（図示せず）が取り残されるように、基板２０上に犠牲層を蒸着／パターニングする。次に、犠牲層及び基板２０の上部に絶縁膜２２を蒸着し、下部電極２３、圧電層２４、及び上部電極２５を順に積層して共振部を形成する。絶縁膜２２は共振部を支持するメンブレイン層の役割を果たす。最終的に、犠牲層を除去することによりエアーギャップ２１が形成される方式で製作される。すなわち、素子外部から素子内部にある犠牲層まで連結されるビアホールを形成した後、これを介してエッチング液を投与することで犠牲層を除去すれば、犠牲層があったところにエアギャップ２１が形成される。一方、特許文献１（ＵＳ６３５５４９８号）によれば、図１Ｂに図示した構造のエアギャップ型ＦＢＡＲを製作することにおいて、基板２０の上部にエッチング防止物質を用いてエアギャップの大きさや位置を調節する。

しかしながら、このような方式で製作する場合、犠牲層を必要とするので製作工程が複雑となる問題がある。また、共振器の周辺のメンブレイン層上に位置してビアホールを形成する必要があり、フィルタ設計に制約を受けるという問題がある。また、共振部の近傍に形成されたビアホールを利用してエッチング作業を行うので、共振部に化学的なダメージを与える恐れがある。

一方、最近、上記の如き既存のＦＢＡＲの問題を鑑みて、基板上に下部電極、圧電層、及び上部電極を蒸着して共振部を形成した後、基板の下部をエッチングしてエアギャップを形成したエアギャップ型ＦＢＡＲが開発されている。ところで、このようなエアギャップ型ＦＢＡＲの場合、基板の下部をエッチングする過程において前記共振部にダメージを与え得るため、共振特性が劣化する問題がある。
米国特許第６３５５４９８号明細書

本発明は、前記のような問題を鑑みてなされたものであって、その目的は共振部のダメージを減らしながらエッチング工程を通じてエアギャップを形成することのできるエアギャップ型ＦＢＡＲ及びその製作方法を提供することにある。

前記目的を達成するため本発明に係る圧電薄膜共振器は、所定の大きさのエアギャップがエッチングされ貫通形成された基板と、前記エアギャップの上部に位置し、第１電極、圧電膜及び第２電極が順に積層された共振部と、前記エアギャップと前記共振部との間に設けられ、前記エアギャップの形成時にエッチング深さを制限して前記共振部の損傷を防止するエッチング阻止層とを含むことを特徴とする。

ここで、前記エッチング阻止層は、前記基板に対してエッチング選択比の高い金属物質で形成されることが好ましい。
また、前記エッチング阻止層は前記第１電極と同じ物質で形成されることが好ましい。
また、前記エッチング阻止層はクロム（Ｃｒ）で形成されることが好ましい。
また、前記エッチング阻止層は前記第１電極と前記基板との間に積層されることが好ましい。

また、前記基板と前記エッチング阻止層との間に絶縁層が積層されることが好ましい。
また、前記エッチング阻止層は誘電物質で形成され、より好ましくは、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）物質で形成されることが好ましい。
また、前記エッチング阻止層は前記圧電膜と接するように設けられることが好ましい。
また、前記目的を達成するため本発明に係る圧電薄膜共振器の製作方法は、（ａ）基板の上部表面に絶縁層を蒸着するステップと、（ｂ）前記絶縁層上にエッチング阻止膜を積層するステップと、（ｃ）前記絶縁層及び／または前記エッチング阻止膜上に第１電極、圧電膜、及び第２電極を順に積層することで共振部を製作するステップと、（ｄ）前記共振部の下部に該当する前記基板をエッチングすることでエアギャップを形成するステップとを含むことが好ましい。

また、前記（ｂ）ステップは、前記絶縁層上に金属物質を蒸着するステップと、前記金属物質の一部をパターニングし前記絶縁膜上の一部にエッチング阻止膜を形成するステップとを含むことが好ましい。
また、前記（ｃ）ステップは、前記パターニングされたエッチング阻止膜の上部に第１電極を積層するステップと、前記第１電極及び前記露出した絶縁膜上に圧電膜を積層するステップと、前記圧電膜上に第２電極を積層するステップとを含むことが好ましい。

また、前記（ｄ）ステップにおいて、前記共振部に対応する前記基板の下部から前記エッチング阻止膜までエッチングすることで、前記エアギャップを形成することが好ましい。
また、前記（ｄ）ステップにおいて、ドライエッチング方法を利用することが好ましい。

また、前記（ｄ）ステップにおいて、前記エアギャップの角部がラウンドされたエッチングパターンを有するマスクを用いて前記基板及び絶縁層をエッチングすることが好ましい。
また、前記（ｃ）ステップは、前記エッチング阻止層の一部を覆うよう前記第１電極を積層するステップと、前記第１電極と前記露出したエッチング阻止層の上部に前記圧電膜を積層するステップと、前記圧電膜の上部に前記第２電極を積層するステップとを含むことが好ましい。

また、前記（ｄ）ステップにおいて、前記共振部に対応する前記基板の下部から前記エッチング阻止膜までエッチングすることで、前記エアギャップを形成することが好ましい。

本発明によると、共振部の下部にエッチング阻止層を形成することで、エッチング工程を通してエアギャップを形成する際に、共振部が損傷されることを防止する。
また、エッチング阻止層を第１電極と同じ金属物質で形成する場合、エッチング阻止層が第１電極と同じ機能を有するため、共振部全体の厚さが増加することを抑えることができる。

また、エッチング阻止層を圧電膜と同じ物質で形成することで、圧電膜との親密性及び結合性が向上する。また、共振部の一部としてエッチング阻止層を形成するので、共振部全体の厚さが増加することを抑えることができる。これにより、共振部の特性が向上する。

以下、添付した図面に基づいて本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

図２は、本発明の実施形態による圧電薄膜共振器の断面図である。
同図に示すように、本発明に係るＦＢＡＲは、エアギャップ１１１の形成された基板１１０、絶縁層１２０、エッチング阻止層１３０及び共振部１４０を備える。
基板１１０としては、通常のシリコン基板が用いられる。基板１１０の上部表面には絶縁層１２０が設けられる。絶縁層１２０は基板１１０に対してエッチング阻止層１３０と共振部１４０を電気的に絶縁する。絶縁層１２０としては、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）などが用いられる。絶縁層１２０を基板１１０上に形成するための方法としては、ＲＦマグネトロンスパッタリング（ＲＦ Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法、蒸着（Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）法が用いられる。

また、基板１１０には上下部に貫通形成されたエアギャップ１１１が形成される。エアギャップ１１１は基板１１０を貫通し絶縁層１２０まで貫通するようエッチングして形成され、エッチング阻止層１３０の外部に露出するよう形成される。エアギャップ１１１は共振部１４０に対応する下部に形成され、ドライエッチング工程により形成される。
エッチング阻止層１３０は、少なくともエアギャップ１１１の上部に位置するよう絶縁層１２０の上部に所定の厚さで蒸着される。エッチング阻止層１３０は、基板１１０、例えば、ケイ素（Ｓｉ）対比エッチング選択比の比較的高い物質で形成されることが好ましい。さらに好ましくは、エッチング阻止層１３０はケイ素対比３０００以上のエッチング選択比を有する物質で形成される。したがって、エアギャップ１１１を形成するためのエッチング工程時、エッチング阻止層１３０によりエッチングされる深さが制限されることにより、共振部１４０の損傷を防止できることが好ましい。このように、エッチング選択比の高い材質の一例として、後述する第１電極１４１と電気的に接続可能な金属物質、例えば、クロム（Ｃｒ）でエッチング阻止層１３０が形成されることが好ましい。

共振部１４０は、エアギャップ１１１の上部に位置するように、順に積層された第１電極１４１、圧電膜１４３及び第２電極１４５を備える。
このような共振部１４０は、圧電膜１４３の圧電効果を利用して無線信号をフィルタリングする部分を意味する。すなわち、第２電極１４５を介して印加されるＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号は、共振部１４０を介して第１電極１４１の方向に出力される。この場合、共振部１４０は圧電膜１４３に発生する振動に従う一定の共振周波数を有するので、入力されたＲＦ信号のうち共振部１４０の共振周波数と一致する信号のみが出力される。

このような共振部１４０は、第１電極１４１がエッチング阻止層１３０の上面に積層されて支持され、圧電膜１４３が絶縁層１２０と第１電極１４３の上面を覆うよう積層されることにより、基板１１０エアギャップ１１１の上部に支持される。
第１電極及び第２電極１４１、１４５は金属と同じ通常の導電物質を用いて形成される。具体的には、第１電極及び第２電極１４１、１４５として、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）などが用いられる。

また、圧電膜１４３は、上述したように、電気的エネルギーを弾性波形態の機械的エネルギーに変換する圧電効果を起こす部分であって、圧電膜１４３を形成する圧電物質として、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などが用いられる。
上記のような構成を有する本発明の実施形態によるＦＢＡＲは、エッチング阻止層１３０が金属物質、好ましくは、エッチング選択比の高いクロム（Ｃｒ）で形成されることにより、第１電極１４１のように金属物質で形成される。したがって、実質的に、エッチング阻止層１３０と第１電極１４１とにより共振部１４０の下部電極をなす。そして、エッチング阻止層１３０が共振部１４０の一部として形成されるため共振部１４０の全体厚さを増加することなく、また、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から形成される圧電膜１４３の厚さを低減しなくても、共振部１４０を形成することができるので共振特性が向上する。また、エアギャップ１１１の形成時、共振部１４０がエッチング工程により破損したり損傷することを防止できる。また、エッチング阻止層１３０としてクロム（Ｃｒ）を用いることにより、エアギャップ１１１の形成時に角部に生じるノッチ発生を最小化することができる。

以下、図３Ａ〜３Ｃに基づいて図２に図示したＦＢＡＲの段階別製作工程を説明する。
まず、図３Ａに示すように、基板１１０の上部全面にわたって絶縁層１２０を蒸着する。絶縁層１２０の材質や蒸着方法については上述した通りである。
次に、図３Ｂに示すように、絶縁層１２０の上部の所定部分にエッチング阻止層１３０を蒸着する。このため、まず、絶縁層１２０の上部全体にわたって金属材質、好ましくは、クロム（Ｃｒ）物質を蒸着した後、パターニングして所定の絶縁層１２０を露出させる。パターニングとは、フォトレジスト膜（ｐｈｏｔｏ−ｒｅｓｉｓｔ ｆｉｌｍ）を用いて、フォトレジスト膜が形成されていない領域のみをエッチングすることで、所定のパターンにエッチングする工程を意味する。

次に、図３Ｃに示すように、露出した絶縁層１２０及びエッチング阻止層１３０の上部に第１電極１４１、絶縁膜１４３及び第２電極１４５を順に積層して共振部１４０を形成する。
このため、まず、露出した絶縁層１２０及びエッチング阻止層１３０の上部全面にわたって第１電極１４１を蒸着した後、パターニングして絶縁層１２０の一定領域を露出させる。

次に、露出した絶縁層１２０及び第１電極１４１上の全面にわたって圧電層１４３を蒸着した後、パターニングして第１電極１４１の一定領域を露出させる。
そして、露出した第１電極１４１と圧電層１４３の上部全面にわたって第２電極１４５を蒸着した後、パターニングして第１電極１４１を露出させ、圧電層１４３上の所定領域にのみ第２電極１４５を積層する。

最後に、基板１１０の下部をドライエッチングによりエッチングし、図３Ｃにおける２点鎖線で表示した領域を除去することで、図２のエアギャップ１１１が形成される。ドライエッチング方法として、反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）法が用いられる。ＲＩＥ法とは、プラズマ状態で反応性ガスを活性化させてエッチングする物質と化学反応を起こし、揮発性物質を生成してエッチングする方法である。特に、誘導結合プラズマ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ：ＩＣＰ）を活性源とする反応性イオンエッチング法（以下、‘ＩＣＰ−ＲＩＥ法’と称する）が用いられる。基板１１０の下部をＩＣＰ−ＲＩＥ法によりエッチングする時、ＳＦとＡｒガスが用いられる。エッチング断面傾斜（ｓｌｏｐｅ ｏｆ ｅｔｃｈｅｄ ｃｒｏｓｓ−ｓｅｃｔｉｏｎ）を大きくするため前記ガスにＣＦが加えられる。前記ＩＣＰ−ＲＩＥ法において、パワーと圧力はそれぞれ５００〜１５００Ｗ及び２０〜３０ｍＴｏｒｒの範囲に調整することが好ましい。ＩＣＰ−ＲＩＥ法は、ドライエッチング方法の一種であって、エッチング異方性がないためウェットエッチング方法に比べ構造体形状の自由度を格段に増加させる利点がある。

このように、ドライエッチング方法を利用してエアギャップ１１１を形成する時、絶縁層１２０まで除去されていればエッチング阻止層１３０が露出するまでエッチング工程が行われるので、所望の形状及び深さにエアギャップ１１１を形成しながら、共振部１４０の損傷をエッチング阻止層１３０により防止できる。
このような方法により、図２に図示したＦＢＡＲを最終的に製作する。製作されたＦＢＡＲは所定の周波数帯域のＲＦ信号のみをフィルタリングする。これにより、複数のＦＢＡＲを直列及び並列形態に適切に組み合わせると、一定の中心周波数と周波数帯域幅を持つバンドパスフィルタを実現することができる。また、このようなバンドパスフィルタと、インダクタ及びキャパシタの組み合わせで構成された位相遷移器（Ｐｈａｓｅ ｓｈｉｆｔｅｒ）とを組み合わせることによりデュプレクサを実現することができる。

図４は、本発明の他の実施形態によるＦＢＡＲの断面図である。
同図に示すように、本発明の他の実施形態によるＦＢＡＲは、基板２１０上に絶縁層２２０が蒸着され、基板２１０と絶縁層２２０を通過して後述するエッチング阻止層２３０を露出させるエアギャップ２１１が形成される。
エッチング阻止層２３０は、絶縁層２２０の上部全面にわたって蒸着されている。エッチング阻止層２３０は、後工程により基板２１０の底面をエッチングする時、エッチングされる深さを制限するため設けられたものであって、基板２１０に対して選択比が高く、非電導性物質である窒化アルミニウム（ＡｌＮ）で形成される。

エッチング阻止層２３０の上部にはエアギャップ２１１に対応する部位に共振部２４０が形成される。共振部２４０は、図２に基づいて説明した共振部１４０と同じ機能を有するものであって、第１電極２４１、圧電膜２４３及び第２電極２４５が順に積層されて設けられる。
ここで、第１電極及び第２電極２４１、２４５は導電性物質であって、図２に基づいて説明した第１電極及び第２電極１４１、１４５と同じ物質で形成されるので、詳細な説明は省く。

圧電膜２４３は、図２に図示した圧電膜１４３と同じ機能を有し、同じ圧電物質で形成される。本実施形態の場合は、圧電膜２４３は、第１電極２４１とエッチング阻止層２３０の上部表面にわたって所定の領域に形成される。したがって、圧電膜２４３とエッチング阻止層２３０は相互間の親和力及び結晶性の向上のため同じ物質で形成されることが好ましい。それで、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）物質で形成されることが良い。

このように、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）物質でエッチング阻止層２３０を形成すれば、第１電極２４１を他の部位に対して電気的に絶縁する役割を果たすので、絶縁層２２０の上部表面全体にわたって蒸着した後パターニングする必要はない。
また、圧電膜２４３と同じ物質でエッチング阻止層２３０を形成することで、エッチング阻止層２３０はエッチング深さを阻止する機能と、圧電膜２４３と共に圧電機能とを有するため、共振部２４０の共振機能を助ける。

したがって、実質的に、エッチング阻止層２４３も共振部２４０の全体厚さに含まれるので、共振部２４０を支持するための別のメンブレインが不要となる。これにより、共振特性が向上する。
以下、上記の構成を有する本発明の他の実施形態によるＦＢＡＲを製作する方法を各段階別に図５Ａ〜図５Ｃおよび図６に基づいて詳細に説明する。

まず、図５Ａに示すように、基板２１０の上部表面全体にわたって絶縁層２２０を蒸着する。
次に、図５Ｂに示すように、絶縁層２２０の上部表面全体にわたってエッチング阻止層２３０を蒸着する。エッチング阻止層２３０は一連の蒸着法を利用して蒸着し、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）物質で形成される。

そして、図５Ｃに示すように、エッチング阻止層２３０の上部の所定領域に第１電極２４１、圧電膜２４３、及び第２電極２４５を順に蒸着して共振部２４０を形成する。
具体的には、エッチング阻止層２３０の上部表面全体にわたって第１電極２４１を蒸着した後、パターニングしてエッチング阻止層２３０の一部領域を露出させる。
次に、露出したエッチング阻止層２３０と第１電極２４１の上部全体にわたって圧電膜２４３を蒸着した後、パターニングして第１電極２４１の一部領域を露出させ、一部領域の上に圧電膜２４３を残す。もちろん、圧電膜２４３は、エッチング阻止層２３０の上部を覆うよう蒸着され、エッチング阻止層２３０と同じ物質で蒸着される。

そして、露出した第１電極２４１と圧電膜２４３の上部全体にわたって第２電極２４５を蒸着した後、パターニングして圧電膜２４３の一定領域にのみ第２電極を残す。このような方法により、共振部２４０を形成した後、基板２１０の下部をドライエッチング方法により一定の深さでエッチングして、図４に図示したエアギャップ２１１を形成する。すなわち、図５Ｃに示すように、共振部２４０に対応する一定の部分（２点鎖線で表示された部分）をエッチング阻止層２３０が露出するまでエッチングして、所定の深さ及び形状のエアギャップ２１１を形成する。このように、ドライエッチングによりエアギャップ２１１を形成することにおいて、共振部２４０の下部にエッチング阻止層２３０を設けることにより、共振部２４０の化学的、機械的損傷なしにエアギャップ２１１を容易に形成することができる。

また、図６に示すように、エアギャップ２１１を形成する際に用いられるマスク（Ｍ）のエアギャップ２１１用パターン（Ｐ）において、角部をラウンド形状にすることで、エアギャップ２１１の形成時に発生するノッチ（Ｎｏｔｃｈ）を防止できる。
以上、説明したような本発明の他の実施形態によるＦＢＡＲの場合、エッチング阻止層２３０を絶縁層２２０の上に蒸着し、パターニングする過程を省略してよいことから工程を簡略化することができる。また、エッチング阻止層２３０を圧電膜２４３と同じ物質で形成することで、圧電膜２４３との膜の結晶性及び親和性を向上することができる。

本発明は上述した特定の実施形態に限定されるものではない。実際、当業者であれば、上記の説明に基づき、特許請求の範囲に記載されている本発明の技術的範囲を逸脱することなく、本発明の実施形態に対し、種々の変更及び修正を施すことが可能であろう。従って、そのような変更及び修正は当然に、本発明の技術的範囲に含まれるべきである。

従来のブラッグ反射型ＦＢＡＲの断面図である。 従来の方式で製作されたエアギャップ型ＦＢＡＲの断面図である。 本発明の実施形態によるＦＢＡＲの断面図である。 図２に図示したＦＢＡＲの製作工程を説明するための断面図である。 図２に図示したＦＢＡＲの製作工程を説明するための断面図である。 図２に図示したＦＢＡＲの製作工程を説明するための断面図である。 本発明の他の実施形態によるＦＢＡＲの断面図である。 図４に図示したＦＢＡＲの製作工程を説明するための断面図である。 図４に図示したＦＢＡＲの製作工程を説明するための断面図である。 図４に図示したＦＢＡＲの製作工程を説明するための断面図である。 図４に図示したＦＢＡＲの製作工程を説明するための説明図である。

符号の説明

１１０、２１０ 基板
１１１、２１１ エアギャップ
１２０、２２０ 絶縁層
１３０、２３０ エッチング阻止層
１４０、２４０ 共振部
１４１、２４１ 第１電極
１４３、２４３ 圧電膜
１４５、２４５ 第２電極

Claims (8)

1. （ａ）基板の上部表面に絶縁層を蒸着するステップと、
   （ｂ）前記絶縁層上にエッチング阻止膜を積層するステップと、
   （ｃ）前記絶縁層及び／または前記エッチング阻止膜上に第１電極、圧電膜、及び第２電極を順次に積層することで共振部を製作するステップと、
   （ｄ）前記共振部の下部に該当する前記基板をエッチングすることでエアギャップを形成するステップと、
   を含み、前記（ｄ）ステップにおいて、前記共振部に対応する前記基板の下部から前記エッチング阻止膜までエッチングすることで、前記エアギャップを形成し、
   前記エアギャップは角部がラウンドされた長方形状に形成されたエッチングパターンを有するマスクを用いて前記基板及び絶縁層をエッチングすることで形成されたことを特徴とする圧電薄膜共振器の製作方法。
2. 前記（ｂ）ステップは、
   前記絶縁層上に金属物質を蒸着するステップと、
   前記金属物質の一部をパターニングし前記絶縁膜上の一部にエッチング阻止膜を形成するステップと、
   を含むことを特徴とする請求項１に記載の圧電薄膜共振器の製作方法。
3. 前記エッチング阻止膜はクロム（Ｃｒ）物質であることを特徴とする請求項２に記載の圧電薄膜共振器の製作方法。
4. 前記（ｃ）ステップは、
   前記パターニングされたエッチング阻止膜の上部に第１電極を積層するステップと、
   前記第１電極及び前記露出した絶縁膜上に圧電膜を積層するステップと、
   前記圧電膜上に第２電極を積層するステップと、
   を含むことを特徴とする請求項２または３に記載の圧電薄膜共振器の製作方法。
5. 前記（ｄ）ステップにおいて、ドライエッチング方法を利用することを特徴とする請求項１に記載の圧電薄膜共振器の製作方法。
6. 前記（ｃ）ステップは、
   前記エッチング阻止層の一部を覆うよう前記第１電極を積層するステップと、
   前記第１電極と前記露出したエッチング阻止層の上部に前記圧電膜を積層するステップと、
   前記圧電膜の上部に前記第２電極を積層するステップと、
   を含むことを特徴とする請求項１に記載の圧電薄膜共振器の製作方法。
7. 前記エッチング阻止層は誘電物質で形成されることを特徴とする請求項１または６に記載の圧電薄膜共振器の製作方法。
8. 前記エッチング阻止層は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）物質で形成されることを特徴とする請求項７に記載の圧電薄膜共振器の製作方法。

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