KR102574417B1 - 박막형 패키지 - Google Patents
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Abstract
배선층을 구비하는 기판과, 상기 기판의 일면에 배치되는 MEMS 소자부와, 상기 MEMS 소자부를 감싸도록 상기 기판 상에 배치되며 폴리머 재질로 이루어지는 격벽과, 상기 기판 및 상기 격벽과 함께 캐비티를 형성하는 캡 및 상기 배선층에 연결되는 외부 연결 전극을 포함하며, 상기 외부 연결 전극은 상기 기판, 상기 격벽 및 상기 캡 중 적어도 하나에 구비되는 경사면에 배치되는 경사부를 구비하는 박막형 패키지가 개시된다.
Description
본 발명은 박막형 패키지에 관한 것이다.
최근 개발되고 있는 박막 필름 패키지(Thin Film Package)가 웨이퍼 레벨 패키지(WLP, Wafer Level Package)를 대체하고 있으며, 필터 장치 시장에서 기술적 우위를 차지할 수 있는 기술로 인정받고 있다. 그리고, 박막 필름 패키지(Thin Film Package)를 이용하여 박형화 및 소형화를 구현상면서 제조비용의 측면에서도 경쟁력을 갖추기 위한 노력이 가속화되고 있다.
박형화 및 소형화를 구현할 수 있으며 제조비용을 절감시킬 수 있는 박막형 패키지가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 배선층을 구비하는 기판과, 상기 기판의 일면에 배치되는 MEMS 소자부와, 상기 MEMS 소자부를 감싸도록 상기 기판 상에 배치되며 폴리머 재질로 이루어지는 격벽과, 상기 기판 및 상기 격벽과 함께 캐비티를 형성하는 캡 및 상기 배선층에 연결되는 외부 연결 전극을 포함하며, 상기 외부 연결 전극은 상기 기판, 상기 격벽 및 상기 캡 중 적어도 하나에 구비되는 경사면에 배치되는 경사부를 구비할 수 있다.
박형화 및 소형화를 구현할 수 있으며 제조비용을 절감시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제5 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제6 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제7 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제8 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제9 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제10 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제11 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 12는 본 발명의 제12 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제5 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제6 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제7 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제8 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제9 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제10 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제11 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 12는 본 발명의 제12 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 1을 참조상면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막형 패키지(100)는 일예로서, 기판(110), 격벽(120), 캡(130) 및 외부 연결 전극(140)을 포함하여 구성될 수 있다.
기판(110)은 실리콘 기판일 수 있다. 예를 들어, 기판(110)으로는 실리콘 웨이퍼가 이용되거나, SOI(Silicon On Insulator) 타입의 기판이 이용될 수 있다. 일예로서, 기판(110)에는 배선층(112)이 구비되며, 배선층(112)은 외부 연결 전극(140)에 연결된다.
한편, 기판(110)에는 MEMS 소자부(105)가 구비될 수 있다. 또한, MEMS 소자부(105)는 격벽(120)의 내측에 배치되며, 일예로서 BAW(Bulk Acoustic Wave) 공진기, SAW(Surface Acoustic Wave) 공진기, 가속도 센서, 각속도 센서 등일 수 있다.
그리고, 배선층(112)은 상기한 MEMS 소자부(105)에 구비되는 전극에 연결될 수 있다.
격벽(120)은 기판(110)의 가장자리에 배치되며, 기판(110)과 캡(130) 사이에 캐비티(C)를 형성하는 역할을 수행한다. 다시 말해, 격벽(120)은 기판(110)과 캡(130)의 중앙부를 소정 간격으로 이격 배치되도록 하는 역할을 수행한다. 한편, 격벽(120)은 폴리머(Polymer) 재질로 이루어질 수 있다. 그리고, 격벽(120)의 일측면에는 경사면(122)이 형성된다. 또한, 경사면(122)의 경사각은 예각으로 이루어질 수 있다. 그리고, 격벽(120)에는 후술할 제1 캡(132)의 가장자리가 안착되는 홈(124)이 형성될 수 있다.
캡(130)은 기판(110) 및 격벽(120)과 함께 캐비티(C)를 형성한다. 또한, 캡(130)은 캐비티(C)를 덮도록 배치되는 제1 캡(132)과, 제1 캡(132)을 덮도록 배치되는 제2 캡(134)을 구비할 수 있다.
한편, 제1 캡(132)은 금속 재질 또는 폴리머 재질로 이루어질 수 있다. 그리고, 제1 캡(132)의 가장자리는 격벽(120)의 홈(124)에 안착 설치될 수 있다. 또한, 제2 캡(134)은 폴리머 재질로 이루어질 수 있다. 한편, 제2 캡(134)과 격벽(120) 사이에는 페시베이션층(102)이 형성될 수 있다. 그리고, 페시베이션층(102)은 허메틱 씰(Hermetic seal)을 형성하는 역할을 수행할 수 있다. 다만, 페시베이션층(102)은 생략 가능한 구성일 수 있다.
또한, 제2 캡(134)은 상기한 격벽(120)의 경사면(122)을 덮도록 형성된다. 이에 따라, 제2 캡(130)에도 경사면(134a)이 형성될 수 있다. 이와 같이, 제2 캡(134)이 격벽(120)을 덮도록 형성되므로 허메틱(Hermetic) 씰의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
외부 연결 전극(140)은 제2 캡(134)의 상면의 일부 및 경사면(134a)에 형성될 수 있으며, 기판(110)의 배선층(112)에 연결될 수 있다. 즉, 외부 연결 전극(140)에는 경사부(142)가 구비될 수 있으며, 경사부(142)의 경사각은 예각일 수 있다.
이와 같이, 외부 연결 전극(140)이 제2 캡(134)의 경사면(134a)에 형성되는 경사부(142)가 구비되므로, 외부 연결 전극(140)에 가해지는 스트레스를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 외부 연결 전극(140)이 깨지거나 공정 중 불량이 발생될 위험성을 줄일 수 있다.
이에 대하여 보다 자세하게 살펴보면, 종래에는 외부 연결 전극(140)이 수직하게 배치되는 측벽을 가지는 계단 형상으로 형성됨으로써, 외부 연결 전극(140) 중 격벽(120)의 측벽에 배치되는 부분에서 스트레스를 받게 되어 외부 연결 전극(140)이 깨지거나 공정 중 불량 발생율이 높은 문제가 있었다.
하지만, 외부 연결 전극(140)의 경사부(142)가 제2 캡(134)의 경사면(134a)에 형성되므로 스트레스를 적게 받을 수 있으며, 외부 연결 전극(140)의 형성 공정(일예로서, 도금 및 증착 공정)이 용이하게 수행될 수 있다. 결국, 외부 전극 연결(140)이 깨지거나 공정 중 불량이 발생될 위험성을 줄일 수 있는 것이다.
그리고, 외부 연결 전극(140)은 몰리브덴(molybdenum : Mo)과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 외부 연결 전극(140)은 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐(Iridiym : Ir), 플래티늄(Platinium : Pt), 구리(Copper : Cu), 티타늄(Titanium : Ti), 탄탈(Tantalum : Ta), 니켈(Nickel : Ni) , 크롬(Chromium : Cr) 등과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금으로 이루어질 수 있다.
일예로서, 외부 연결 전극(140)은 박막 필름으로 이루어질 수 있다.
또한, 외부 연결 전극(140)에는 솔더볼(150)이 형성될 수 있다. 솔더볼(150)은 캡(130)의 하부에 배치될 수 있다.
상기한 바와 같이, 외부 연결 전극(140)에 경사부(142)를 구비하므로, 외부 연결 전극(140)에 가해지는 스트레스를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 외부 연결 전극(140)이 깨지거나 공정 중 불량이 발생될 위험성을 줄일 수 있다.
또한, 제2 캡(134)이 격벽(120)의 측면을 덮도록 형성되므로, 허메틱(Hermetic) 씰의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2를 참조상면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막형 패키지(200)는 일예로서, 기판(110), 격벽(120), 캡(230) 및 외부 연결 전극(140)을 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 기판(110), 격벽(120) 및 외부 연결 전극(140)은 상기에서 설명한 기판(110), 격벽(120) 및 외부 연결 전극(140)과 실질적으로 동일하므로 여기서는 자세한 설명은 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
캡(230)은 기판(110) 및 격벽(120)과 함께 캐비티(C)를 형성한다. 또한, 캡(230)은 캐비티(C)를 덮도록 배치되는 제1 캡(232)과, 제1 캡(232)을 덮도록 배치되는 제2 캡(234)을 구비할 수 있다. 한편, 제1 캡(232)은 금속 재질 또는 폴리머 재질로 이루어질 수 있다. 그리고, 제1 캡(232)의 가장자리는 격벽(120)의 상면에 지지될 수 있다. 또한, 제2 캡(234)은 폴리머 재질로 이루어질 수 있다. 한편, 제2 캡(234)과 격벽(220) 사이에는 페시베이션층(102)이 형성될 수 있다. 그리고, 페시베이션층(102)은 허메틱 씰(Hermetic seal)을 형성하는 역할을 수행할 수 있다. 다만, 페시베이션층(102)은 생략 가능한 구성일 수 있다.
또한, 제2 캡(234)은 상기한 격벽(120)의 경사면(122)을 덮도록 형성된다. 이에 따라, 제2 캡(230)에도 경사면(234a)이 형성될 수 있다. 이와 같이, 제2 캡(234)이 격벽(120)을 덮도록 형성되므로 허메틱(Hermetic) 씰의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3을 참조상면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 박막형 패키지(300)는 일예로서, 기판(110), 격벽(320), 캡(330) 및 외부 연결 전극(340)을 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 기판(110)은 상기에서 설명한 기판(110)과 실질적으로 동일하므로 여기서는 자세한 설명은 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
격벽(320)은 기판(110)의 가장자리에 배치되며, 기판(110)과 캡(330) 사이에 캐비티(C)를 형성하는 역할을 수행한다. 다시 말해, 격벽(320)은 기판(110)과 캡(330)의 중앙부를 소정 간격으로 이격 배치되도록 하는 역할을 수행한다. 한편, 격벽(320)은 폴리머(Polymer) 재질로 이루어질 수 있다. 그리고, 격벽(320)의 일측면에는 경사면(322)이 형성된다. 또한, 경사면(322)의 경사각은 예각으로 이루어질 수 있다. 그리고, 격벽(320)에는 후술할 제1 캡(332)의 가장자리가 안착되는 홈(324)이 형성될 수 있다.
캡(330)은 기판(110) 및 격벽(320)과 함께 캐비티(C)를 형성한다. 또한, 캡(330)은 캐비티(C)를 덮도록 배치되는 제1 캡(332)과, 제1 캡(332)을 덮도록 배치되며 격벽(320)의 상부에 배치되는 제2 캡(334)을 구비할 수 있다. 한편, 제1 캡(332)은 금속 재질 또는 폴리머 재질로 이루어질 수 있따. 그리고, 제1 캡(332)의 가장자리는 격벽(320)의 홈(324)에 안착될 수 있다. 또한, 제2 캡(234)은 폴리머 재질로 이루어질 수 있다.
그리고, 제2 캡(334)의 가장자리가 격벽(320)의 상면에 배치된다. 그리고, 제2 캡(334)에도 경사면(334a)이 형성될 수 있다. 또한, 제2 캡(334)에 구비되는 경사면(334a)의 경사각도 예각으로 이루어질 수 있다.
외부 연결 전극(340)은 기판(110)의 배선층(112)에 연결되며, 격벽(320)과 캡(330)의 일부를 덮도록 형성된다. 일예로서, 외부 연결 전극(340)은 제2 캡(334)의 상면에 형성되는 제1 수평부(341)와, 제2 캡(334)의 경사면(334a)에 형성되는 제1 경사부(342)과, 격벽(320)의 상면에 형성되는 제2 수평부(343)와, 격벽(320)의 경사면(322)에 형성되는 제2 경사부(344) 및 기판(110)의 배선층(112)에 연결되는 연결부(345)를 구비할 수 있다. 즉, 외부 연결 전극(340)에는 경사지게 형성되는 제1,2 경사부(342,344)가 구비될 수 있다. 그리고, 제1,2 경사부(342,344)의 경사각도 예각일 수 있다.
이에 따라, 외부 연결 전극(340)에 가해지는 스트레스를 감소시킬 수 있다. 따라서, 외부 연결 전극(340)이 깨지거나 공정 중 불량이 발생될 위험성을 줄일 수 있다.
그리고, 외부 연결 전극(340)은 몰리브덴(molybdenum : Mo)과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 외부 연결 전극(340)은 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐(Iridiym : Ir), 플래티늄(Platinium : Pt), 구리(Copper : Cu), 티타늄(Titanium : Ti), 탄탈(Tantalum : Ta), 니켈(Nickel : Ni) , 크롬(Chromium : Cr) 등과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금으로 이루어질 수 있다.
일예로서, 외부 연결 전극(340)은 박막 필름으로 이루어질 수 있다.
또한, 외부 연결 전극(340)에는 솔더볼(350)이 형성될 수 있다. 솔더볼(350)은 제1 수평부(341)에 형성될 수 있다.
상기한 바와 같이, 외부 연결 전극(340)의 제1,2 경사부(342,344)가 격벽(320)의 경사면(332)와 캡(330)의 경사면(332)에 형성되므로 외부 연결 전극(340)에 가해지는 스트레스를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 외부 연결 전극(340)이 깨지거나 공정 중 불량이 발생될 위험성을 줄일 수 있다.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 4를 참조상면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 박막형 패키지(400)는 일예로서, 기판(110), 격벽(420), 캡(430) 및 외부 연결 전극(440)을 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 기판(110)은 상기에서 설명한 기판(110)과 실질적으로 동일하므로 여기서는 자세한 설명은 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
격벽(420)은 기판(110)의 가장자리에 배치되며, 기판(110)과 캡(430) 사이에 캐비티(C)를 형성하는 역할을 수행한다. 다시 말해, 격벽(420)은 기판(110)과 캡(430)의 중앙부를 소정 간격으로 이격 배치되도록 하는 역할을 수행한다. 한편, 격벽(420)은 폴리머(Polymer) 재질로 이루어질 수 있다. 그리고, 격벽(420)의 일측면에는 경사면(422)이 형성된다. 또한, 경사면(422)의 경사각은 예각으로 이루어질 수 있다. 그리고, 격벽(420)에는 후술할 제1 캡(432)의 가장자리가 안착되는 홈(424)이 형성될 수 있다.
한편, 격벽(420)의 상면 및 경사면(422)에는 페시베이션층(402)이 형성될 수 있다.
캡(430)은 기판(110) 및 격벽(420)과 함께 캐비티(C)를 형성한다. 또한, 캡(430)은 캐비티(C)를 덮도록 배치되는 제1 캡(432)과, 제1 캡(432)을 덮도록 배치되는 제2 캡(434)을 구비할 수 있다. 한편, 제1 캡(432)은 금속 재질 또는 폴리머 재질로 이루어질 수 있다. 그리고, 제1 캡(432)의 가장자리는 격벽(420)의 홈(424)에 안착 설치될 수 있다. 또한, 제2 캡(434)은 폴리머 재질로 이루어질 수 있다.
외부 연결 전극(440)은 기판(110)의 배선층(112)에 연결된다. 즉, 외부 연결 전극(440)은 일부가 격벽(420)을 덮도록 형성되며 일부가 캡(430)을 관통하도록 형성된다. 일예로서, 외부 연결 전극(440)은 제2 캡(434)의 상면에 형성되는 제1 수평부(441)와, 제2 캡(434)의 관통홀(436)에 형성되는 비아부(442)와, 격벽(420)의 상부에 배치되는 제2 수평부(443)와, 격벽(420)의 경사면(422)에 형성되는 경사부(444) 및 기판(110)의 배선층(112)에 연결되는 연결부(445)를 구비할 수 있다. 즉, 외부 연결 전극(340)에는 경사지게 형성되는 경사부(444)가 구비될 수 있다. 그리고, 경사부(444)의 경사각도 예각일 수 있다.
이에 따라, 외부 연결 전극(440)에 가해지는 스트레스를 감소시킬 수 있다. 따라서, 외부 연결 전극(440)이 깨지거나 공정 중 불량이 발생될 위험성을 줄일 수 있다.
그리고, 외부 연결 전극(440)은 몰리브덴(molybdenum : Mo)과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 외부 연결 전극(440)은 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐(Iridiym : Ir), 플래티늄(Platinium : Pt), 구리(Copper : Cu), 티타늄(Titanium : Ti), 탄탈(Tantalum : Ta), 니켈(Nickel : Ni) , 크롬(Chromium : Cr) 등과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금으로 이루어질 수 있다.
일예로서, 외부 연결 전극(440)은 박막 필름으로 이루어질 수 있다.
또한, 외부 연결 전극(440)에는 솔더볼(450)이 형성될 수 있다. 즉, 솔더볼(450)은 제1 수평부(441)에 형성될 수 있다.
상기한 바와 같이, 외부 연결 전극(440)의 경사부(444)가 격벽(420)의 경사면(432)에 형성되므로 외부 연결 전극(440)에 가해지는 스트레스를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 외부 연결 전극(440)이 깨지거나 공정 중 불량이 발생될 위험성을 줄일 수 있다.
도 5는 본 발명의 제5 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 5를 참조상면, 본 발명의 제5 실시예에 따른 박막형 패키지(500)는 일예로서, 기판(110), 격벽(420), 캡(530) 및 외부 연결 전극(540)을 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 기판(110) 및 격벽(420)은 상기에서 설명한 구성요소와 실질적으로 동일하므로 여기서는 자세한 설명을 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
캡(530)은 기판(110) 및 격벽(420)과 함께 캐비티(C)를 형성한다. 또한, 캡(530)은 캐비티(C)를 덮도록 배치되는 제1 캡(532)과, 제1 캡(532)을 덮도록 배치되는 제2 캡(534)을 구비할 수 있다. 한편, 제1 캡(532)은 금속 재질 또는 폴리머 재질로 이루어질 수 있다. 그리고, 제1 캡(532)의 가장자리는 격벽(420)의 홈(424)에 안착 설치될 수 있다. 또한, 제2 캡(534)은 폴리머 재질로 이루어질 수 있다. 그리고, 제2 캡(534)에는 후술할 솔더볼(550)이 삽입 배치되는 솔더볼용 홀(534a)이 형성된다.
한편, 격벽(420)의 상면 및 경사면(422)에는 페시베이션층(402)이 형성될 수 있다. 다만, 페시베이션층(402)은 생략 가능할 수도 있다.
외부 연결 전극(540)은 기판(110)의 배선층(112)에 연결되며, 격벽(420)의 일부를 덮도록 형성된다. 일예로서, 외부 연결 전극(540)은 격벽(420)의 상부에 배치되는 수평부(541)와, 격벽(420)의 경사면(422)에 배치되는 경사부(542) 및 기판(110)의 배선층(112)에 연결되는 연결부(543)를 구비할 수 있다. 즉, 외부 연결 전극(340)에는 경사지게 형성되는 경사부(542)가 구비될 수 있다. 그리고, 경사부(542)의 경사각도 예각일 수 있다.
이에 따라, 외부 연결 전극(540)에 가해지는 스트레스를 감소시킬 수 있다. 따라서, 외부 연결 전극(540)이 깨지거나 공정 중 불량이 발생될 위험성을 줄일 수 있다.
그리고, 외부 연결 전극(540)은 몰리브덴(molybdenum : Mo)과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 외부 연결 전극(540)은 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐(Iridiym : Ir), 플래티늄(Platinium : Pt), 구리(Copper : Cu), 티타늄(Titanium : Ti), 탄탈(Tantalum : Ta), 니켈(Nickel : Ni) , 크롬(Chromium : Cr) 등과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금으로 이루어질 수 있다.
일예로서, 외부 연결 전극(540)은 박막 필름으로 이루어질 수 있다.
또한, 외부 연결 전극(540)에는 솔더볼(550)이 형성될 수 있다. 솔더볼(550)은 수평부(541)에 연결될 수 있다.
도 6은 본 발명의 제6 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 6을 참조상면, 본 발명의 제6 실시예에 따른 박막형 패키지(600)는 일예로서, 기판(610), 격벽(620), 캡(630) 및 외부 연결 전극(640)을 포함하여 구성될 수 있다.
기판(610)은 실리콘 기판일 수 있다. 예를 들어, 기판(610)으로는 실리콘 웨이퍼가 이용되거나, SOI(Silicon On Insulator) 타입의 기판이 이용될 수 있다. 일예로서, 기판(610)에는 배선층(612)이 구비되며, 배선층(612)은 외부 연결 전극(640)에 연결된다.
한편, 기판(610)에는 MEMS 소자부(605)가 구비될 수 있다. 또한, MEMS 소자부(605)는 격벽(620)의 내측에 배치되며, 일예로서 BAW(Bulk Acoustic Wave) 공진기, SAW(Surface Acoustic Wave) 공진기, 가속도 센서, 각속도 센서 등일 수 있다. 그리고, 배선층(612)은 MEMS 소자부(605)에 구비되는 전극에 연결될 수 있다.
일예로서, 배선층(612)은 일부가 외측으로 돌출되도록 배치될 수 있다.
또한, 기판(610)의 측면에는 경사면(614)이 형성될 수 있다. 그리고, 경사면(614)의 경사각은 예각일 수 있다.
격벽(620)은 기판(610)의 가장자리에 배치되며, 기판(610)과 캡(630) 사이에 캐비티(C)를 형성하는 역할을 수행한다. 다시 말해, 격벽(620)은 기판(610)과 캡(630)의 중앙부를 소정 간격으로 이격 배치되도록 하는 역할을 수행한다. 한편, 격벽(620)은 폴리머(Polymer) 재질로 이루어질 수 있다. 그리고, 격벽(620)에는 후술할 제1 캡(632)이 안착되는 홈(622)이 형성될 수 있다.
캡(630)은 기판(610) 및 격벽(620)과 함께 캐비티(C)를 형성한다. 또한, 캡(630)은 캐비티(C)를 덮도록 배치되는 제1 캡(632)과, 제1 캡(632)을 덮도록 배치되는 제2 캡(634)을 구비할 수 있다. 한편, 제1 캡(632)은 금속 재질 또는 폴리머 재질로 이루어질 수 있다. 그리고, 제1 캡(632)의 가장자리는 격벽(620)의 홈(624)에 안착 설치될 수 있다. 또한, 제2 캡(634)은 폴리머 재질로 이루어질 수 있다. 그리고, 제2 캡(634)과 격벽(620)의 사이에는 페시베이션층(602)이 형성될 수 있다. 페시베이션층(602)은 허메틱 씰(Hermetic seal)을 형성하는 역할을 수행할 수 있다. 다만, 페시베이션층(602)은 생략 가능한 구성일 수 있다.
또한, 제2 캡(634)은 격벽(620)의 측면을 덮도록 형성된다. 이에 따라, 허메틱 씰(Hermetic seal)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
외부 연결 전극(640)은 기판(610)의 배선층(612)에 연결된다. 일예로서, 외부 연결 전극(640)은 기판(610)의 상면에 형성되는 수평부(641)와, 기판(610)의 경사면(614)에 형성되는 경사부(642) 및 배선층(612)에 연결되는 연결부(643)를 구비할 수 있다. 한편, 경사부(642)의 경사각은 예각일 수 있다.
이와 같이, 외부 연결 전극(640)이 기판(610)의 경사면(642)에 형성되므로, 외부 연결 전극(640)에 가해지는 스트레스를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 외부 연결 전극(640)이 깨지거나 공정 중 불량이 발생될 위험성을 줄일 수 있다.
그리고, 외부 연결 전극(640)은 몰리브덴(molybdenum : Mo)과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 외부 연결 전극(640)은 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐(Iridiym : Ir), 플래티늄(Platinium : Pt), 구리(Copper : Cu), 티타늄(Titanium : Ti), 탄탈(Tantalum : Ta), 니켈(Nickel : Ni) , 크롬(Chromium : Cr) 등과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금으로 이루어질 수 있다.
일예로서, 외부 연결 전극(640)은 박막 필름으로 이루어질 수 있다.
도 7은 본 발명의 제7 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 7을 참조상면, 본 발명의 제7 실시예에 따른 박막형 패키지(700)는 일예로서, 기판(610), 격벽(620), 캡(730) 및 외부 연결 전극(640)을 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 기판(610), 격벽(620) 및 외부 연결 전극(640)은 상기에서 설명한 구성요소와 동일한 구성요소로서 여기서는 자세한 설명을 생략하기로 한다.
캡(730)은 기판(610) 및 격벽(620)과 함께 캐비티(C)를 형성한다. 일예로서, 캡(730)은 금속 재질 또는 폴리머 재질로 이루어질 수 있다.
한편, 격벽(620)의 상면과 외부면에는 페시베이션층(702)이 형성될 수 있다. 그리고, 페시베이션층(702)은 허메틸 씰(Hermetic seal)을 형성하는 역할을 수행할 수 있다. 다만, 페시베이션층(702)은 생략 가능한 구성일 수 있다.
도 8은 본 발명의 제8 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 8을 참조상면, 본 발명의 제8 실시예에 따른 박막형 패키지(800)는 일예로서, 기판(610), 격벽(620), 캡(630), 외부 연결 전극(640) 및 봉합재(850)를 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 기판(610), 격벽(620), 캡(630) 및 외부 연결 전극(640)은 상기에서 설명한 구성요소와 동일한 구성요소로서 여기서는 자세한 설명을 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
봉합재(850)는 외부 연결 전극(640) 및 기판(610)의 상면을 덮도록 형성되며, 외부 연결 전극(640)에 연결되는 솔더볼(860)이 삽입 배치되는 솔더볼용 홀(852)을 구비할 수 있다. 봉합재(850)는 외부 연결 전극(640)과 기판(610)을 보호하는 역할을 수행할 수 있다.
도 9는 본 발명의 제9 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 9를 참조상면, 본 발명의 제9 실시예에 따른 박막형 패키지(900)는 일예로서, 기판(910), 격벽(920), 캡(930), 외부 연결 전극(940) 및 관통전극(950)를 포함하여 구성될 수 있다.
기판(910)은 실리콘 기판일 수 있다. 예를 들어, 기판(910)으로는 실리콘 웨이퍼가 이용되거나, SOI(Silicon On Insulator) 타입의 기판이 이용될 수 있다. 일예로서, 기판(910)에는 배선층(912)이 구비되며, 배선층(912)은 외부 연결 전극(940)에 연결된다.
한편, 기판(910)에는 도면에는 도시되지 않았으나, 하부전극, 압전층 및 상부전극으로 이루어지는 공진부(미도시)가 구비될 수 있다. 그리고, 배선층(912)은 상기한 공진부에 구비되는 하부전극, 상부전극 중 적어도 하나에 연결될 수 있다.
일예로서, 배선층(912)은 일부가 외측으로 돌출되도록 배치될 수 있다.
또한, 기판(910)의 측면에는 경사면(914)이 형성될 수 있다. 그리고, 경사면(914)의 경사각은 예각일 수 있다.
격벽(920)은 기판(910)의 가장자리에 배치되며, 기판(910)과 캡(930) 사이에 캐비티(C)를 형성하는 역할을 수행한다. 다시 말해, 격벽(920)은 기판(910)과 캡(930)의 중앙부를 소정 간격으로 이격 배치되도록 하는 역할을 수행한다. 한편, 격벽(920)은 폴리머(Polymer) 재질로 이루어질 수 있다.
캡(930)은 기판(910) 및 격벽(920)과 함께 캐비티(C)를 형성한다. 또한, 캡(930)은 캐비티(C)를 덮도록 배치되는 제1 캡(932)과, 제1 캡(932)을 덮도록 배치되는 제2 캡(934)을 구비할 수 있다. 한편, 제1 캡(932)은 금속 재질 또는 폴리머 재질로 이루어질 수 있다. 그리고, 제1 캡(932)의 가장자리는 격벽(920)의 상면에 안착 설치될 수 있다. 또한, 제2 캡(934)은 폴리머 재질로 이루어질 수 있다. 그리고, 제2 캡(934)과 격벽(920)의 사이에는 페시베이션층(902)이 형성될 수 있다. 페시베이션층(902)은 허메틱 씰(Hermetic seal)을 형성하는 역할을 수행할 수 있다. 다만, 페시베이션층(902)은 생략 가능한 구성일 수 있다.
또한, 제2 캡(934)은 격벽(920)의 측면을 덮도록 형성된다. 이에 따라, 허메틱 씰(Hermetic seal)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
외부 연결 전극(940)은 기판(910)의 배선층(912)에 연결된다. 일예로서, 외부 연결 전극(940)은 기판(910)의 상면에 형성되는 수평부(941)와, 기판(910)의 경사면(914)에 형성되는 경사부(942) 및 배선층(912)에 연결되는 연결부(943)를 구비할 수 있다. 한편, 경사부(942)의 경사각은 예각일 수 있다.
이와 같이, 외부 연결 전극(940)이 기판(910)의 경사면(942)에 형성되므로, 외부 연결 전극(940)에 가해지는 스트레스를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 외부 연결 전극(940)이 깨지거나 공정 중 불량이 발생될 위험성을 줄일 수 있다.
그리고, 외부 연결 전극(940)은 몰리브덴(molybdenum : Mo)과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 외부 연결 전극(940)은 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐(Iridiym : Ir), 플래티늄(Platinium : Pt), 구리(Copper : Cu), 티타늄(Titanium : Ti), 탄탈(Tantalum : Ta), 니켈(Nickel : Ni) , 크롬(Chromium : Cr) 등과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금으로 이루어질 수 있다.
일예로서, 외부 연결 전극(940)은 박막 필름으로 이루어질 수 있다.
관통전극(950)은 그라운드 전극으로 이용되는 제2 캡(934)과 기판(910)의 배선층(912)을 연결한다. 이를 위해 관통전극(950)은 격벽(920) 및 캡(930) 내에 배치될 수 있다.
도 10은 본 발명의 제10 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 제10 실시예에 따른 박막형 패키지(1000)는 일예로서, 기판(1010), 격벽(1020), 캡(1030) 및 외부 연결 전극(1040)을 포함하여 구성될 수 있다.
기판(1010)은 실리콘 기판일 수 있다. 예를 들어, 기판(1010)으로는 실리콘 웨이퍼가 이용되거나, SOI(Silicon On Insulator) 타입의 기판이 이용될 수 있다. 일예로서, 기판(1010)에는 배선층(1012)이 구비되며, 배선층(1012)은 외부 연결 전극(1040)에 연결된다.
한편, 기판(1010)에는 MEMS 소자부(1005)가 구비될 수 있다. 또한, MEMS 소자부(1005)는 격벽(1020)의 내측에 배치되며, 일예로서 BAW(Bulk Acoustic Wave) 공진기, SAW(Surface Acoustic Wave) 공진기, 가속도 센서, 각속도 센서 등일 수 있다.
그리고, 배선층(1012)은 상기한 MEMS 소자부(1005)에 구비되는 전극에 연결될 수 있다.
격벽(1020)은 기판(1010)의 가장자리에 배치되며, 기판(1010)과 캡(1030) 사이에 캐비티(C)를 형성하는 역할을 수행한다. 다시 말해, 격벽(1020)은 기판(1010)과 캡(1030)의 중앙부를 소정 간격으로 이격 배치되도록 하는 역할을 수행한다. 한편, 격벽(1020)은 폴리머(Polymer) 재질로 이루어질 수 있다. 그리고, 격벽(1020)의 일측면에는 경사면(1022)이 형성된다. 또한, 경사면(1022)의 경사각은 예각으로 이루어질 수 있다. 그리고, 격벽(1020)에는 후술할 제1 캡(1032)의 가장자리가 안착되는 홈(1024)이 형성될 수 있다.
캡(1030)은 기판(1010) 및 격벽(1020)과 함께 캐비티(C)를 형성한다. 또한, 캡(1030)은 캐비티(C)를 덮도록 배치되는 제1 캡(1032)과, 제1 캡(1032)의 상부에 배치되는 제2 캡(1034)을 구비할 수 있다. 한편, 제1 캡(1032)은 금속 재질로 이루어질 수 있으며, 그라운드 전극으로 사용될 수 있다. 또한, 제2 캡(1034)에는 경사면(1034a)이 형성될 수 있다. 또한, 제2 캡(1034)에 구비되는 경사면(1034a)의 경사각도 예각일 수 있다.
외부 연결 전극(1040)은 기판(1010)의 배선층(1012)에 연결되며, 격벽(1020)과 캡(1030)의 일부를 덮도록 형성된다. 일예로서, 외부 연결 전극(1040)은 제2 캡(1034)의 상면에 형성되는 제1 수평부(1041)와, 제2 캡(1034)의 경사면(1034a)에 형성되는 제1 경사부(1042)와, 격벽(1020)의 상면에 배치되는 제2 수평부(1043)와, 격벽(1020)의 경사면(1022)에 형성되는 제2 경사부(1044) 및 기판(1010)의 배선층(1012)에 연결되는 연결부(1045)를 구비할 수 있다. 즉, 외부 연결 전극(1040)에는 경사지게 형성되는 제1,2 경사부(1042,1044)가 구비될 수 있다. 그리고, 제1,2 경사부(1042,1044)의 경사각도 예각일 수 있다.
이에 따라, 외부 연결 전극(1040)에 가해지는 스트레스를 감소시킬 수 있다. 따라서, 외부 연결 전극(1040)이 깨지거나 공정 중 불량이 발생될 위험성을 줄일 수 있다.
또한, 제2 수평부(1043)은 그라운드 전극으로 사용되는 캡(1030)의 제1 캡(1032)에 연결될 수 있다.
그리고, 외부 연결 전극(1040)은 몰리브덴(molybdenum : Mo)과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 외부 연결 전극(1040)은 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐(Iridiym : Ir), 플래티늄(Platinium : Pt), 구리(Copper : Cu), 티타늄(Titanium : Ti), 탄탈(Tantalum : Ta), 니켈(Nickel : Ni) , 크롬(Chromium : Cr) 등과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금으로 이루어질 수 있다.
일예로서, 외부 연결 전극(1040)은 박막 필름으로 이루어질 수 있다.
또한, 외부 연결 전극(1040)에는 솔더볼(1050)이 형성될 수 있다. 솔더볼(1050)은 제1 수평부(1041)에 형성될 수 있다.
도 11은 본 발명의 제11 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 제11 실시예에 따른 박막형 패키지(1100)는 일예로서, 기판(1010), 격벽(1120), 캡(1130) 및 외부 연결 전극(1140)을 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 기판(1010)은 상기에서 설명한 구성요소와 실질적으로 동일하므로 여기서는 자세한 설명을 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
격벽(1120)은 기판(1010)의 가장자리에 배치되며, 기판(1010)과 캡(1030) 사이에 캐비티(C)를 형성하는 역할을 수행한다. 다시 말해, 격벽(1020)은 기판(1010)과 캡(1030)의 중앙부를 소정 간격으로 이격 배치되도록 하는 역할을 수행한다. 한편, 격벽(1020)은 폴리머(Polymer) 재질로 이루어질 수 있다. 그리고, 격벽(1020)의 일측면에는 경사면(1022)이 형성된다. 또한, 경사면(1022)의 경사각은 예각으로 이루어질 수 있다. 그리고, 격벽(1020)에는 후술할 제1 캡(1032)의 가장자리가 안착되는 홈(1024)이 형성될 수 있다.
캡(1130)은 기판(1010) 및 격벽(1120)과 함께 캐비티(C)를 형성한다. 또한, 캡(1130)은 캐비티(C)를 덮도록 배치되는 제1 캡(1132)과, 제1 캡(1132)을 덮도록 배치되는 제2 캡(1134)을 구비할 수 있다. 한편, 제1 캡(1132)은 금속 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 캡(1132)은 그라운드 전극으로 사용될 수 있다. 그리고, 제1 캡(1032)의 가장자리는 격벽(1020)의 홈(1024)에 안착된다. 일예로서, 제2 캡(1134)은 폴리머(Polymer) 재질로 이루어질 수 있다. 그리고, 제2 캡(1134)은 상기한 격벽(1120)의 경사면(1122) 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 제2 캡(1134)에도 경사면(1134a)이 형성될 수 있다. 이와 같이, 제2 캡(1134)이 격벽(1120)을 덮도록 형성되므로 허메틱(Hermetic) 씰의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
한편, 제1 캡(1132)의 상면과 격벽(1120)의 상면 및 경사면(1022)에는 페시베이션층(1102)이 형성될 수 있다. 그리고, 페시베이션층(1102)은 허메틸 씰(Hermetic seal)을 형성하는 역할을 수행할 수 있다. 다만, 페시베이션층(1102)은 생략 가능한 구성일 수 있다.
외부 연결 전극(1140)은 기판(1010)의 배선층(1012)에 연결된다. 일예로서, 외부 연결 전극(1140)은 제2 캡(1134)의 상면에 형성되는 수평부(1141)와, 제2 캡(1134)의 경사면(1134a)에 형성되는 경사부(1142), 배선층(1012)에 연결되는 제1 연결부(1143) 및 캡(1130)의 설치홀(1136)에 형성되어 제1 캡(1132)에 연결되는 제2 연결부(1144)를 구비할 수 있다. 한편, 경사부(1142)의 경사각은 예각일 수 있다.
이와 같이, 외부 연결 전극(1140)이 캡(1130)의 경사면(1132)에 형성되므로, 외부 연결 전극(1140)에 가해지는 스트레스를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 외부 연결 전극(1140)이 깨지거나 공정 중 불량이 발생될 위험성을 줄일 수 있다.
한편, 외부 연결 전극(1140)에는 솔더볼(1150)이 형성될 수 있다.
그리고, 외부 연결 전극(1140)은 몰리브덴(molybdenum : Mo)과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 외부 연결 전극(1140)은 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐(Iridiym : Ir), 플래티늄(Platinium : Pt), 구리(Copper : Cu), 티타늄(Titanium : Ti), 탄탈(Tantalum : Ta), 니켈(Nickel : Ni) , 크롬(Chromium : Cr) 등과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금으로 이루어질 수 있다.
일예로서, 외부 연결 전극(1140)은 박막 필름으로 이루어질 수 있다.
도 12는 본 발명의 제12 실시예에 따른 박막형 패키지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 제12 실시예에 따른 박막형 패키지(1200)는 일예로서, 기판(1010), 격벽(1120), 캡(1230) 및 외부 연결 전극(1240)을 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 기판(1010), 격벽(1120)은 상기에서 설명한 구성요소와 실질적으로 동일하므로 여기서는 자세한 설명을 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
캡(1230)은 기판(1010) 및 격벽(1120)과 함께 캐비티(C)를 형성한다. 또한, 캡(1230)은 캐비티(C)를 덮도록 배치되는 제1 캡(1232)과, 제1 캡(1232)을 덮도록 배치되는 제2 캡(1234)을 구비할 수 있다. 그리고, 제1 캡(1232)은 격벽(1120)의 상부에 배치될 수 있다. 또한, 제1 캡(1232)은 금속 재질로 이루어질 수 있으며, 그라운드 전극으로 사용될 수 있다.
한편, 제2 캡(1234)은 일예로서, 폴리머 재질로 이루어질 수 있다. 그리고, 제2 캡(1234)은 상기한 격벽(1120)의 경사면(1122)을 덮도록 형성된다. 이에 따라, 제2 캡(1234)에는 제1 경사면(1234a)이 형성될 수 있다. 이와 같이, 제2 캡(1234)이 격벽(1120)을 덮도록 형성되므로 허메틱(Hermetic) 씰의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 제2 캡(1234)에는 제1 경사면(1134a)의 끝단으로부터 연장되는 단차면(1134b) 및 단차면(1134b)으로부터 연장되며 경사지게 형성되는 제2 경사면(1134c)이 형성될 수 있다.
외부 연결 전극(1240)은 기판(1010)의 배선층(1012)에 연결된다. 일예로서, 외부 연결 전극(1240)은 캡(1230)의 상면에 형성되는 제1 수평부(1241)와, 제2 캡(1234)의 연통홀(1236)에 배치되는 제1 경사부(1242)와, 제1 경사부(1242)로부터 수평 방향으로 연장되는 제2 수평부(1243)와, 제2 수평부(1243)로부터 연장되며 캡(1230)의 제1 경사면(1232)을 덮도록 형성되는 제2 경사부(1244) 및 제2 경사부(1244)로부터 연장되며 배선층(1012)에 연결되는 연결부(1245)를 구비할 수 있다.
이와 같이, 제2 경사부(1244)가 제2 캡(1234)의 제1 경사면(1234a)을 덮도록 형성되므로 외부 연결 전극(1240)에 가해지는 스트레스를 감소시킬 수 있다. 한편, 제2 경사부(1244)의 경사각은 예각일 수 있다.
한편, 제2 수평부(1243)는 제1 캡(1232)에 연결될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 1100, 1200 : 박막형 패키지
110, 610, 910, 1010 : 기판
120, 320, 420, 620, 920, 1020, 1120 : 격벽
130, 230, 330, 430, 530, 630, 730, 930, 1030, 1130, 1230 : 캡
140, 340, 440, 540, 640, 940, 1040, 1140, 1240 : 외부 연결 전극
110, 610, 910, 1010 : 기판
120, 320, 420, 620, 920, 1020, 1120 : 격벽
130, 230, 330, 430, 530, 630, 730, 930, 1030, 1130, 1230 : 캡
140, 340, 440, 540, 640, 940, 1040, 1140, 1240 : 외부 연결 전극
Claims (16)
- 배선층을 구비하는 기판;
상기 기판의 일면에 배치되는 MEMS 소자부;
상기 MEMS 소자부를 감싸도록 상기 기판 상에 배치되며, 폴리머 재질로 이루어지는 격벽;
상기 기판, 상기 격벽과 함께 캐비티를 형성하는 캡; 및
상기 배선층에 연결되는 외부 연결 전극;
을 포함하며,
상기 외부 연결 전극은 상기 기판, 상기 격벽 및 상기 캡 중 적어도 하나에 구비되는 경사면에 배치되는 경사부를 구비하며,
상기 캡은 상기 캐비티를 덮도록 배치되는 제1 캡과, 상기 제1 캡을 덮도록 형성되며 폴리머 재질로 이루어지는 제2 캡을 구비하고,
상기 격벽과 상기 제2 캡의 사이에는 페시베이션층이 형성되는 박막형 패키지.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 격벽의 외부면은 경사지게 형성되는 경사면이며, 상기 제2 캡은 상기 격벽의 경사면에 대응되는 경사면을 구비하는 박막형 패키지.
- 제3항에 있어서,
상기 외부 연결 전극의 경사부는 상기 제2 캡의 경사면에 배치되는 박막형 패키지.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 격벽의 외부면은 경사지게 형성되는 경사면이며, 상기 제2 캡은 상기 격벽의 외부면 내측에 배치되는 경사면을 구비하는 박막형 패키지.
- 제6항에 있어서,
상기 경사부는 상기 제2 캡의 경사면에 배치되는 제1 경사부와, 상기 격벽의 경사면에 배치되는 제2 경사부를 구비하는 박막형 패키지.
- 제7항에 있어서,
상기 외부 연결 전극은 상기 제2 캡의 상면에 배치되며 상기 제1 경사부에 연결되는 제1 수평부와, 상기 격벽의 상면에 배치되며 상기 제1,2 경사부를 연결하는 제2 수평부 및 일측이 상기 제2 경사부에 연결되며 타측이 상기 배선층에 연결되는 연결부를 더 구비하는 박막형 패키지.
- 제1항에 있어서,
상기 외부 연결 전극은 상기 제2 캡의 상면에 형성되는 제1 수평부와, 상기 제2 캡을 관통하도록 배치되는 비아부와, 상기 격벽의 상부에 배치되는 제2 수평부와, 상기 격벽에 구비되는 경사면에 형성되는 상기 경사부 및 상기 기판의 배선층에 연결되는 연결부를 구비하는 박막형 패키지.
- 제1항에 있어서,
상기 외부 연결 전극은 상기 격벽의 상부에 배치되는 수평부와, 상기 격벽에 구비되는 경사면에 배치되는 상기 경사부 및 기판의 배선층에 연결되는 연결부를 구비하며,
상기 수평부에는 상기 제2 캡을 관통하도록 형성되는 솔더볼이 연결되는 박막형 패키지.
- 제1항에 있어서,
상기 기판의 측면에는 경사면이 형성되며 상기 경사부는 상기 기판의 경사면 상에 배치되는 박막형 패키지.
- 제11항에 있어서,
상기 기판을 덮도록 형성되는 봉합재를 더 포함하는 박막형 패키지.
- 제1항에 있어서,
상기 제2 캡은 금속 재질로 이루어지며, 상기 외부 연결 전극에 연결되어 그라운드 전극으로 사용되는 박막형 패키지.
- 제13항에 있어서,
상기 제2 캡과 상기 기판의 배선층을 연결하는 관통전극을 더 포함하는 박막형 패키지.
- 제14항에 있어서,
상기 기판의 측면에는 경사면이 형성되며 상기 경사부는 상기 기판의 경사면 상에 배치되는 박막형 패키지.
- 배선층을 구비하는 기판;
상기 기판 상에 배치되는 격벽;
상기 기판 및 상기 격벽과 함께 캐비티를 형성하는 제1 캡과, 상기 제1 캡을 덮도록 형성되는 제2 캡을 구비하는 캡; 및
상기 배선층에 연결되는 외부 연결 전극;
을 포함하며,
상기 제1 캡은 금속 재질로 이루어지며, 상기 외부 연결 전극은 상기 제1 캡에 연결되며,
상기 격벽과 상기 제2 캡의 사이에는 페시베이션층이 형성되는 박막형 패키지.
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