KR20180008243A - 탄성파 필터 장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

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KR20180008243A
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Abstract

기판과 함께 에어갭을 형성하는 제1층과, 상기 제1층의 상부에 배치되도록 형성되는 하부전극과, 상기 하부전극의 적어도 일부분의 덮도록 형성되는 압전체층과, 상기 압전체층의 상부에 형성되는 상부전극과, 상기 상부전극의 상부에 형성되는 프레임층 및 상기 압전체층이 상부에 배치되지 않은 상기 하부전극의 나머지 부분에 형성되는 하부전극보강층을 포함하며, 상기 상부전극 또는 상기 프레임층 중 어느 하나의 형성 시 상기 상부전극 또는 상기 프레임층으로부터 분리되어 상기 하부전극보강층이 형성되는 탄성파 필터 장치가 개시된다.

Description

탄성파 필터 장치 및 이의 제조방법{Bulk-Acoustic wave filter device and method for manufacturing the same}
본 발명은 탄성파 필터 장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
오늘날 통신기술이 급속도로 발전함에 따라 그에 상응하는 신호처리기술과 고주파(RF) 부품 기술의 발전이 요구되고 있다.
특히, 무선 통신 기기의 소형화 추세에 따라 고주파 부품기술의 소형화가 적극적으로 요구되고 있으며, 고주파 부품 중 필터의 소형화는 반도체 박막 웨이퍼 제조기술을 이용하는 벌크 음향 공진기(BAW, Bulk Acoustic Wave) 형태의 필터 제조로 현실화되고 있다.
벌크 음향 공진기(BAW)란 반도체 기판인 실리콘 웨이퍼 상에 압전 유전체 물질을 증착하여 그 압전특성을 이용함으로써 공진을 유발시키는 박막형태의 소자를 필터로 구현한 것이다. 또한, 벌크 음향 공진기의 이용분야로는 이동통신긱, 화학 및 바이오기기 등의 소형 경량필터, 오실레이터, 공진소자, 음향공진 질량센서 등이 있다.
한편, 벌크 음향 공진기의 특성을 높이기 위한 여러 가지 구조적 형상 및 기능에 대한 연구가 이루어지고 있으며, 특성의 변화를 줄이고자 하는 구조 및 기술에 대한 개발이 필요한 실정이다.
일본 공개특허공보 제2009-055128호
전기적 특성을 개선시킬 수 있는 탄성파 필터 장치 및 이의 제조방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 탄성파 필터 장치는 기판과 함께 에어갭을 형성하는 제1층과, 상기 제1층의 상부에 배치되도록 형성되는 하부전극과, 상기 하부전극의 적어도 일부분의 덮도록 형성되는 압전체층과, 상기 압전체층의 상부에 형성되는 상부전극과, 상기 상부전극의 상부에 형성되는 프레임층 및 상기 압전체층이 상부에 배치되지 않은 상기 하부전극의 나머지 부분에 형성되는 하부전극보강층을 포함하며, 상기 상부전극 또는 상기 프레임층 중 어느 하나의 형성 시 상기 상부전극 또는 상기 프레임층으로부터 분리되어 상기 하부전극보강층이 형성될 수 있다.
전기적 특성을 개선시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2 내지 도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치(100)는 일예로서, 기판(110), 제1층(120), 제2층(130), 하부전극(140), 압전체층(150), 상부전극(160), 프레임층(170), 제3층(180), 금속패드(190) 및 하부전극보강층(200)을 포함하여 구성될 수 있다.
기판(110)은 실리콘이 적층된 기판일 수 있다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)가 기판으로 이용될 수 있다. 한편, 기판(110)의 상면에는 실리콘의 보호를 위한 보호층(미도시)이 형성될 수 있다. 즉, 후술할 희생층(210)의 제거 공정 시 기판(110)의 식각을 방지하기 위해서 기판(110)의 상면에는 보호층이 형성되는 것이다.
제1층(120)은 기판(110) 및 에어갭(A) 상에 형성된다. 즉, 제1층(120)은 후술할 기판(110) 상에 형성되는 희생층(210)을 덮도록 기판(110) 및 희생층(210) 상에 형성된다. 이후, 희생층(210)이 제거되는 경우 제1층(120)의 하부에는 에어갭(A)이 형성되는 것이다.
일예로서, 제1층(120)은 산화실리콘(SiO2) 또는 산화실리콘(SiO2)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다. 한편, 제1층(120)은 희생층(210)의 제거 공정 시 공진부 하단부의 식각을 방지하는 역할도 수행한다.
여기서, 공진부라 함은 후술할 압전체층(150)의 변형 시 압전체층(150)과 함께 변형되어 진동되는 구성을 말한다.
제2층(130)은 제1층(120) 상에 형성되며, 에어갭(A)을 덮도록 형성될 수 있다. 또한, 제2층(130)은 질화실리콘(SiN) 또는 질화실리콘(SiN)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다.
한편, 제2층(130)은 제1층(120)과 함께 공진부에 의한 스트레스를 보상하는 역할을 수행하며, 공진부 구조의 변형, 일예로서 에어갭(A)이 형성된 영역에서 제1층(120)과 기판이 접합되거나, 공진부와 공진부의 인접 영역에서 뒤틀리는 현상을 저감시키는 역할을 수행한다.
하부전극(140)은 제2층(130) 상에 형성된다. 일예로서, 하부전극(140)은 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt) 등과 같이 전도성 재질, 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다.
또한, 하부전극(140)은 RF(Radio Frequency) 신호 등의 전기적 신호를 주입하는 입력 전극 및 출력 전극 중 어느 하나로 이용될 수 있다. 예를 들어, 하부전극(140)이 입력 전극인 경우 상부전극(160)은 출력 전극일 수 있으며, 하부전극(140)이 출력 전극인 경우 상부전극(160)은 입력 전극일 수 있다.
압전체층(150)은 하부전극(140)의 적어도 일부를 덮도록 형성된다. 그리고, 압전체층(150)은 하부전극(140) 또는 상부전극(160)으로부터 입력되는 전기적 신호를 탄성파(Acoustic wave)로 변환하는 역할을 수행한다.
일예로서, 상부전극(160)에 시간적으로 변화하는 전계가 유지되는 경우, 압전체층(140)은 상부전극(160)으로부터 입력되는 전기적 신호를 물리적 진동으로 변환할 수 있다. 그리고, 압전체층(150)은 변환된 물리적 진동을 탄성파로 변환할 수 있다. 이때, 시간적으로 변화하는 전계가 유기될 수 있다. 그러면, 압전체층(150)은 유기된 전계를 이용하여 배향된 압전체층(150) 내에서 두께 진동 방향과 동일한 방향으로 체적 탄성파(bulk acoustic wave)를 발생시킬 수 있다.
이처럼 압전체층(150)은 체적 탄성파를 발생시켜 전기적 신호를 탄성파로 변환할 수 있는 것이다.
이때, 압전체층(150)은 하부전극(140)의 상부에 알루미늄 질화물(Aluminum Nitride), 산화아연(Zinc Oxide) 또는 지르콘 티탄산 납(Lead Zirconate Titanate)을 증착함에 따라 형성될 수 있다.
상부전극(160)은 프레임층(170)을 덮도록 형성되며, 일예로서 하부전극(140)과 같이 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt) 등과 같이 전도성 재질, 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 또한,상부전극(160)은 상기한 바와 같이 RF(Radio Frequency) 신호 등의 전기적 신호를 주입하는 입력 전극 및 출력 전극 중 어느 하나로 이용될 수 있다.
프레임층(170)은 압전체층(170) 상에 형성된다. 일예로서, 프레임(170)은 압전체층(150)의 중앙부를 제외한 영역에 배치되도록 상부전극(160) 하부에 형성될 수 있다. 한편, 프레임층(170)은 상부전극(160)과 동일한 재질로 이루어질 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며 프레임층(170)은 상부전극(160)과 서로 다른 재질로 이루어질 수도 있을 것이다.
프레임층(170)은 공진 시 발생하는 측면판(Lateral Wave)를 활성 영역 내부로 반사시켜 공진 에너지를 활성 영역에 가두어 두는 역할을 수행한다.
제3층(180)은 상부전극(160)을 덮도록 형성된다. 한편, 제3층(180)은 공정 중 프레임층(170) 및 상부전극(160)이 손상되는 것을 방지하는 역할을 수행하며, 나아가 최종 공정에서 주파수 조절을 위해 식각에 의해 제3층(180)의 두께가 조절될 수 있다.
그리고, 제3층(180)은 금속패드(210)가 형성되는 영역을 제외한 다른 모든 영역에 형성될 수도 있다.
금속패드(190)는 하부전극(140) 및 상부전극(160)에 전기적으로 연결되도록 형성된다.
하부전극보강층(200)은 압전체층(150)이 상부에 배치되지 않는 하부전극(140)의 나머지 부분에 형성되며, 상부전극(160)의 형성 시 상부전극(160)으로부터 분리되어 형성된다.
또한, 하부전극보강층(200)은 하부전극(140)과 동일한 재질로 이루어질 수 있다.
나아가, 하부전극보강층(200)은 상부전극(160)의 두께에 대응되는 두께를 가질 수 있다.
하부전극보강층(200)의 형성 방법에 대한 자세한 사항은 후술하기로 한다.
상기한 바와 같이, 하부전극보강층(200)이 하부전극(140) 상에 형성되므로, 후속공정 시의 하부전극보강층(200)이 소실되더라도 하부전극(140)의 소실을 방지할 수 있다.
이에 따라, 전기적 특성에 영향을 미치지 않도록 개선될 수 있는 것이다.
이에 대하여 보다 자세하게 살펴보면, 종래의 구조에 따르면, 하부전극(140)을 금속패드(190)에 연결하기 위해서 하부전극(140) 상에 배치되는 복수개의 층을 에칭(Etching)에 의해 제거하여 하부전극(140)을 외부로 노출시켜야 한다.
이때, 첫번째로 압전체층(150)을 에칭하게 되는데, 압전체층(150)의 에칭 시 하부전극(140)이 손상된다. 이후, 두번째로 보호층을 에칭하게 되는데, 이 때에도 하부전극(140)의 손상이 발생된다. 또한, 금속패드(190)의 증착을 위해서 금속패드(190)가 형성되는 상,하부전극(140,160)의 일부 영역의 산화물질을 제거해야 한다. 이를 위해 수행되는 에칭시 하부전극(140)이 손상을 받게 된다.
이와 같이, 하부전극(140)의 손상에 의해 하부전극(140)의 두께가 얇아지는 경우 저항값이 증가하는 등 전기적 특성에 좋지 못한 영향을 미친다.
하지만, 상기한 바와 같이 하부전극보강층(200)이 형성되므로, 하부전극보강층(200)이 소실되더라도 하부전극(140)의 소실을 방지할 수 있으므로, 전기적 특성이 나빠지는 것을 방지할 수 있는 것이다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 2 내지 도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다.
먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 희생층(210), 제1층(120), 제2층(130), 하부전극(140), 압전체층(150) 및 프레임층(170)이 순차적으로 형성된다.
즉, 기판(110) 상에 희생층(210)을 형성하고, 이후 희생층(210)과 기판(110)의 나머지 영역을 덮도록 제1층(120)을 형성한다. 한편, 제1층(120)은 산화실리콘(SiO2) 또는 산화실리콘(SiO2)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다.
이후, 제2층(130)이 희생층(210)을 덮도록 제1층(120) 상에 형성된다. 한편, 본 실시예에서는 제2층(130)이 희생층(210)만을 덮도록 형성되는 경우를 예로 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않으며 제2층(130)이 희생층(210)을 덮는 동시에 희생층의 외측에 배치되는 제1층(120)을 덮도록 연장 형성할 수도 있다. 그리고, 제2층(130)은 질화실리콘(SiN) 또는 질화실리콘(SiN)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다.
이후, 제2층(130) 상에 하부전극(140)을 형성한다. 한편, 하부전극(140)은 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt) 등과 같이 전도성 재질, 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 하부전극(140)의 적어도 일부가 희생층(210) 상에 배치되도록 형성될 수 있다.
이후, 압전체층(150)을 형성한다. 압전체층(150)은 외부로 노출된 하부전극(140), 제2층(130) 및 제1층(120)을 덮도록 형성된다. 한편, 압전체층(150)은 알루미늄 질화물(Aluminum Nitride), 산화아연(Zinc Oxide) 또는 지르콘 티탄산 납(Lead Zirconate Titanate)을 증착함에 따라 형성될 수
이후, 프레임층(170)이 압전체층(150) 상에 형성된다. 한편, 프레임층(170)은 희생층(210)의 상부에 배치되는 영역에서 압전체층(150)이 노출되도록 형성될 수 있다.
이후, 도 3에 도시된 바와 같이, 압전체층(150)의 일부를 제거한다. 이때, 압전체층(150)은 하부전극(140)의 일부분과 제1층(120)의 일부분이 외부로 노출되도록 제거될 수 있다. 즉, 하부전극(140)의 일부분과 공진부의 외측 영역에 배치되는 제1층(120)이 외부로 노출되도록 압전체층(150)이 제거될 수 있다.
이후, 도 4에 도시된 바와 같이, 제4층(230)을 형성한다. 제4층(230)은 외부로 노출된 하부전극(140), 압전체층(150), 프레임층(170) 및 제1층(120)을 덮도록 형성된다.
한편, 제4층(230)은 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt) 등과 같이 전도성 재질, 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다. 다시 말해, 제4층(230)은 하부전극(140)과 동일한 재질 또는 동일한 재질을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다.
이후, 도 5에 도시된 바와 같이, 제4층(230)을 식각에 의해 하부전극보호층(200)과 상부전극(160)으로 분리하고, 하부전극보호층(200)과 상부전극(160)을 제외한 제4층(230)의 나머지 부분을 제거한다.
이후, 도 6에 도시된 바와 같이, 제3층(180)을 형성한다. 제3층(180)은 외부로 노출된 하부전극보호층(200), 상부전극(160) 및 제2층(130)을 덮도록 형성된다.
이후, 도 7에 도시된 바와 같이, 하부전극보호층(200)과 상부전극(160)의 일부분이 외부로 노출되도록 식각에 의해 제3층(180)의 일부분을 제거한다.
이후, 도 8에 도시된 바와 같이, 외부로 노출된 하부전극보호층(200)과 상부전극(160)에 금속패드(190)를 형성한다. 한편, 금속패드(190)를 형성하기 전 외부로 노출된 하부전극보호층(200)과 상부전극(160)의 표면에 존재하는 산화물질을 제거한다. 이때, 하부전극보호층(200)과 상부전극(160)은 손상에 의해 소실될 수 있다.
이후, 도 9에 도시된 바와 같이, 희생층(210)을 제거하여 기판(110)과 제1층(120) 사이에 에어갭(A)이 형성되도록 한다.
상기한 바와 같이, 추가 공정 및 전체 하부 전극 두께 증가 없이, 종래의 공정의 순서를 변경하여 하부전극(140)을 보강할 수 있는 것이다. 즉, 종래의 공정 순서와 달이, 프레임층(170) 및 압전체층(150)의 패터닝 후 상부전극(160)을 형성한다. 이에 따라, 상부 전극(160)과 동시에 하부전극보강층(200)을 형성할 수 있으며, 이후, 상부전극(160)과 하부전극보강층(200)을 패터닝에 의해 분리시킨다.
결국, 추가적인 공정의 부가 없이, 또한 하부전극(140)의 두께 증가 없이 하부전극보강층(200)을 형성할 수 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 탄성파 필터 장치에 대하여 설명하기로 한다. 한편, 상기에서 설명한 구성요소와 동일한 구성요소에 대해서는 상기에서 사용한 도면부호를 사용하여 도면에 도시하고 여기서는 자세한 설명을 생략하기로 한다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 탄성파 필터 장치(300)는 일예로서, 기판(110), 제1층(120), 제2층(130), 하부전극(140), 압전체층(150), 상부전극(360), 프레임층(370), 제3층(180), 금속패드(190) 및 하부전극보강층(400)을 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 상부전극(360)과 프레임층(370)의 적층 순서가 다르며, 하부전극보강층(400)이 프레임층(370)의 형성 시 프레임층(370)으로부터 분리되어 형성된다는 점에서 상기한 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치(100)와 차이가 있다.
다시 말해, 압전체층(150)을 덮도록 압전체층(150) 상에 상부전극(360)이 형성되고, 이후 상부전극(360) 및 하부전극(140)을 덮도록 프레임층(370)이 형성된다. 이후, 하부전극보강층(400)이 형성되도록 프레임층(270)으로부터 하부전극보강층(400)을 분리하고 상부전극(360)의 일부분이 노출되도록 프레임층(370)의 일부를 제거한다.
한편, 프레임층(370)은 하부전극(140)과 동일한 재질 또는 동일한 재질을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다.
상기한 바와 같이, 하부전극보강층(400)이 하부전극(140) 상에 형성되므로, 후속공정 시의 하부전극보강층(400)이 소실되더라도 하부전극(140)의 소실을 방지할 수 있다.
이에 따라, 전기적 특성에 영향을 미치지 않도록 개선될 수 있는 것이다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
100, 300 : 탄성파 필터 장치
110 : 기판
120 : 제1층
130 : 제2층
140 : 하부전극
150 : 압전체층
160, 360 : 상부전극
170, 370 : 프레임층
180 : 제3층
190 : 금속패드
200, 400 : 하부전극보강층

Claims (16)

  1. 기판;
    상기 기판과 함께 에어갭을 형성하는 제1층;
    상기 제1층의 상부에 배치되도록 형성되는 하부전극;
    상기 하부전극의 적어도 일부분의 덮도록 형성되는 압전체층;
    상기 압전체층의 상부에 형성되는 상부전극;
    상기 상부전극의 상부에 형성되는 프레임층; 및
    상기 압전체층이 상부에 배치되지 않은 상기 하부전극의 나머지 부분에 형성되는 하부전극보강층;
    을 포함하며,
    상기 상부전극 또는 상기 프레임층 중 어느 하나의 형성 시 상기 상부전극 또는 상기 프레임층으로부터 분리되어 상기 하부전극보강층이 형성되는 탄성파 필터 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하부전극보강층은 상기 하부전극과 동일한 재질 또는 동일한 재질을 함유하는 재질로 이루어지는 탄성파 필터 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1층의 상부에 상기 에어갭을 덮도록 형성되는 제2층을 더 포함하는 탄성파 필터 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 하부전극보강층 및 상기 프레임층 일부분을 제외한 영역에 형성되어 하부에 배치되는 구성을 보호하는 제3층을 더 포함하는 탄성파 필터 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 하부전극보강층 및 상기 상부전극에는 금속패드가 형성되는 탄성파 필터 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 하부전극보강층의 두께는 상기 상부전극 또는 상기 프레임층의 두께에 대응되는 탄성파 필터 장치.
  7. 외부로 노출된 하부전극, 압전체층, 프레임층 및 제1층을 덮도록 제4층을 형성하는 단계; 및
    상기 제4층을 식각에 의해 하부전극보호층과 상부전극으로 분리하고, 상기 하부전극보호층과 상기 상부전극을 제외한 제4층의 나머지 부분을 제거하는 단계;
    를 포함하는 탄성파 필터 장치의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 하부전극보강층은 상기 하부전극과 동일한 재질 또는 동일한 재질을 함유하는 재질로 이루어지는 탄성파 필터 장치의 제조방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제4층을 형성하는 단계 전에
    기판 상에 희생층을 형성하는 단계;
    상기 희생층을 덮도록 상기 기판과 상기 희생층 상에 제1층을 형성하는 단계;
    상기 희생층의 상부에 배치되도록 제1층 상에 제2층을 형성하는 단계; 및
    적어도 일부가 상기 희생층의 상부에 배치되도록 상기 제2층 상에 하부전극을 형성하는 단계;
    를 더 포함하는 탄성파 필터 장치의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 하부전극을 형성하는 단계 후
    외부로 노출된 상기 하부전극, 상기 제2층 및 상기 제1층을 덮도록 압전체층을 형성하는 단계;
    상기 압전체층 상에 프레임층을 형성하는 단계; 및
    상기 하부전극의 일부분과 상기 제1층의 일부분이 외부로 노출되도록 상기 압전체층의 일부를 제거하는 단계;
    를 더 포함하는 탄성파 필터 장치의 제조방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 제4층을 하부전극보호층과 상부전극으로 분리하는 단계 후
    상기 하부전극보호층과 상기 상부전극의 일부분이 외부로 노출되도록 제3층을 형성하는 단계를 더 포함하는 탄성파 필터 장치의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제3층을 형성하는 단계는
    외부로 노출된 하부전극보호층, 상부전극 및 제2층을 덮도록 제3층을 형성하는 단계; 및
    상기 하부전극보호층과 상기 상부전극의 일부분이 외부로 노출되도록 식각에 의해 제3층의 일부분을 제거하는 단계;
    를 구비하는 탄성파 필터 장치의 제조방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 외부로 노출된 하부전극보호층과 상기 상부전극에 금속패드를 형성하는 단계를 더 포함하는 탄성파 필터 장치의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 금속패드를 형성하는 단계 전
    상기 외부로 노출된 하부전극보호층과 상기 상부전극의 표면에 존재하는 산화물질을 제거하는 단계를 더 포함하는 탄성파 필터 장치의 제조방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 금속패드를 형성하는 단계 후
    기판 상에 형성되는 희생층을 제거하여 에어갭을 형성하는 단계를 더 포함하는 탄성파 필터 장치의 제조방법.
  16. 외부로 노출된 하부전극, 압전체층, 상부전극 및 제1층을 덮도록 제4층을 형성하는 단계; 및
    상기 제4층을 식각에 의해 하부전극보호층과 프레임층으로 분리하고, 상기 하부전극보호층과 상기 프레임층을 제외한 제4층의 나머지 부분을 제거하는 단계;
    를 포함하는 탄성파 필터 장치의 제조방법.
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