JP4229122B2 - 圧電電子部品、およびその製造方法、通信機 - Google Patents
圧電電子部品、およびその製造方法、通信機 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4229122B2 JP4229122B2 JP2005506311A JP2005506311A JP4229122B2 JP 4229122 B2 JP4229122 B2 JP 4229122B2 JP 2005506311 A JP2005506311 A JP 2005506311A JP 2005506311 A JP2005506311 A JP 2005506311A JP 4229122 B2 JP4229122 B2 JP 4229122B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- electronic component
- piezoelectric element
- component according
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 37
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 31
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 31
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 20
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 12
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 12
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 9
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 109
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- -1 LiTaO 3 Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02133—Means for compensation or elimination of undesirable effects of stress
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0504—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
- H03H9/0514—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
- H03H9/0523—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps for flip-chip mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/105—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/174—Membranes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/582—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques
- H03H9/586—Means for mounting to a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/588—Membranes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
本発明に係る実施の第一形態の圧電部品を図1ないし図3に基づいて以下に説明する。
本発明に係る圧電電子部品の実施の第二形態は、図4に示すように、上記実施の第一形態のシェル部材5が、多層構造、例えば最外層にポリイミドからなる樹脂層5eと、その内側にSiO2またはSiNからなる無機絶縁層5dとを備えている。上記構成によれば、多層構造とすることで、耐湿性や強度を付与できて、得られた圧電電子部品の信頼性を改善できる。なお、本実施の形態を含む、以下の各形態では、実施の第一形態と同様な機能を有する部材については、同一の部材番号を付与して、それらの説明を省いた。
本発明に係る圧電電子部品の実施の第三形態は、例えば図5に示すように、複数の圧電素子3をラダー型に組み合わせてSi基板1上に設けた圧電フィルタのように、圧電フィルタやデュプレクサに好適なものである。複数の圧電素子3の組み合わせとしては、ラダー型が、一方の圧電素子3の上部電極をSi基板1の表面方向に伸ばして他方の圧電素子3の下部電極として互いに接続する配線を簡素化できるので好ましい。
本発明に係る圧電電子部品の実施の第四形態では、例えば図10に示すように、シェル部材5上に電気回路が形成されている。上記電気回路としては、抵抗、容量、インダクタンス等である。上記電気回路は、例えば、シェル部材5の上層に、金属膜や絶縁膜を形成し、それぞれ所定形状にパターニング(例えば、抵抗の場合、ミアンダパターンなど)すればよい。
本発明に係る圧電電子部品の実施の第五形態では、例えば図11ないし図13に示すように、前記圧電素子3に代えて、くし型電極部63を備えた弾性表面波フィルタ(以下、SAWフィルタと記す)60が用いられている。SAWフィルタ60は、くし型電極部63aとそれを挟んだ各リフレクタ63bとくし型電極部63aに接続された各パッド部63c、63dとを圧電基板61上に有している。なお、前記の実施の各形態と同様な機能を有する部材については、同一の部材番号を付与して、それらの説明を省いた。
Claims (17)
- 基板と、
該基板に形成され、印加された入力信号により振動し、その振動により出力信号を出力する圧電素子と、
該圧電素子に設けられた複数のパッド部と、
該圧電素子を離間して覆うように形成された、絶縁膜からなる封止部材とを有し、
該封止部材は、前記圧電素子と離間されていることで確保される内部空間と外部空間とを連通している貫通孔部を上記パッド部上に備え、
該貫通孔部を塞ぐように電極部が設けられていることを特徴とする、圧電電子部品。 - 前記封止部材は、シリコン窒化物、シリコン酸化物、アルミ酸化物、アルミ窒化物、亜鉛酸化物、シリコン酸窒化物およびタンタル窒化物からなる群から選ばれる少なくとも一つからなることを特徴とする、請求項1に記載の圧電電子部品。
- 前記封止部材は、多層構造を有し、少なくとも1層の圧縮応力を有する膜と、少なくとも1層の引張応力を有する膜とを含むことを特徴とする、請求項1または2に記載の圧電電子部品。
- 前記圧縮応力を有する膜が、SiO2、ZnOおよびTaNからなる群から選ばれる少なくとも一つからなることを特徴とする、請求項3に記載の圧電電子部品。
- 前記引張応力を有する膜が、Al2O3、SiN、AlNからなる群から選ばれる少なくとも一つからなることを特徴とする、請求項3または4に記載の圧電電子部品。
- 前記封止部材は、多層構造を有し、その最上層が樹脂からなることを特徴とする、請求項1ないし5の何れか1項に記載の圧電電子部品。
- 前記樹脂が、ポリイミド、エポキシ樹脂、レジスト樹脂および液晶ポリマーからなる群から選ばれる少なくとも一つからなることを特徴とする、請求項6に記載の圧電電子部品。
- 該内部空間の周辺部には、前記貫通孔部を介して該封止部材の内部と外部とを連通する連通孔部が形成されており、前記連通孔部は、前記電極部によりふさがれている、請求項1ないし7の何れか1項に記載の圧電電子部品。
- 前記基板は開口部若しくは凹部を有し、前記圧電素子が、前記開口部若しくは凹部を覆うように形成されている、少なくとも1層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の励振部とを有する圧電共振子であることを特徴とする、請求項1ないし8の何れか1項に記載の圧電電子部品。
- 前記基板は開口部若しくは凹部を有し、前記圧電素子が、前記開口部若しくは凹部を覆うように形成されている、少なくとも1層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の励振部とを有する圧電共振子を複数用いてなる圧電フィルタであることを特徴とする、請求項1ないし8の何れか1項に記載の圧電電子部品。
- 前記圧電素子が、圧電基板上に形成された少なくとも一つのくし型電極部を有する弾性表面波装置であることを特徴とする、請求項1ないし8の何れか1項に記載の圧電電子部品。
- 該封止部材に、電気回路が形成されていることを特徴とする、請求項1ないし11の何れか1項に記載の圧電電子部品。
- 請求項1ないし12の何れか1項に記載の圧電電子部品を有することを特徴とする通信機。
- 請求項1に記載の圧電電子部品の製造方法において、
該内部空間に応じた犠牲層を圧電素子上に形成し、
該犠牲層の全面上に、封止部材を形成し、
該封止部材の一部を除去して、犠牲層の一部が露出した露出部分を形成し、
該犠牲層を、露出部分から除去することを特徴とする、圧電電子部品の製造方法。 - 該犠牲層を、犠牲層の形成パターンの端部に向かって高さが低くなるテーパー形状に形成することを特徴とする、請求項14記載の圧電電子部品の製造方法。
- 該露出部分を、圧電素子における、信号を入出力するためのパッド部に面した位置に形成することを特徴とする、請求項14または15記載の圧電電子部品の製造方法。
- 該犠牲層を、圧電素子における、信号を入出力するためのパッド部の一部を残した該圧電素子および基板上に形成することを特徴とする、請求項14ないし16の何れか1項に記載の圧電電子部品の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003147096 | 2003-05-26 | ||
JP2003147096 | 2003-05-26 | ||
PCT/JP2004/004992 WO2004105237A1 (ja) | 2003-05-26 | 2004-04-07 | 圧電電子部品、およびその製造方法、通信機 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2004105237A1 JPWO2004105237A1 (ja) | 2006-07-20 |
JP4229122B2 true JP4229122B2 (ja) | 2009-02-25 |
Family
ID=33475356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005506311A Expired - Fee Related JP4229122B2 (ja) | 2003-05-26 | 2004-04-07 | 圧電電子部品、およびその製造方法、通信機 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7342351B2 (ja) |
EP (1) | EP1628396B1 (ja) |
JP (1) | JP4229122B2 (ja) |
KR (1) | KR100725010B1 (ja) |
CN (1) | CN1795610B (ja) |
AT (1) | ATE469463T1 (ja) |
DE (1) | DE602004027372D1 (ja) |
WO (1) | WO2004105237A1 (ja) |
Families Citing this family (92)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4535778B2 (ja) * | 2004-05-26 | 2010-09-01 | 京セラ株式会社 | デバイス装置の製造方法 |
JP4544965B2 (ja) * | 2004-10-27 | 2010-09-15 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置およびその製造方法ならびにその弾性表面波装置を備えた通信装置 |
DE102005044330A1 (de) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Epcos Ag | Abstimmbarer Kondensator und Schaltung mit einem solchen Kondensator |
JP4585419B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2010-11-24 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
JP5343301B2 (ja) * | 2005-11-28 | 2013-11-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4791181B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2011-10-12 | 京セラ株式会社 | 薄膜バルク音響波共振子、それを備えるフィルタおよび通信装置ならびに薄膜バルク音響波共振子の製造方法 |
JP2007221665A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振器及びその製造方法、並びに、これを用いたフィルタ |
JP2007222956A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Seiko Epson Corp | Memsデバイスおよびmemsデバイスの製造方法 |
JP2007281902A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 立体配線を有する中空構造ウェハレベルパッケージ |
JP4655151B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2011-03-23 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
US7760049B2 (en) * | 2006-05-30 | 2010-07-20 | Panasonic Corporation | Film bulk acoustic resonator, filter, and fabrication method thereof |
WO2008084578A1 (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電薄膜共振子 |
US7923790B1 (en) * | 2007-03-09 | 2011-04-12 | Silicon Laboratories Inc. | Planar microshells for vacuum encapsulated devices and damascene method of manufacture |
US7736929B1 (en) | 2007-03-09 | 2010-06-15 | Silicon Clocks, Inc. | Thin film microshells incorporating a getter layer |
US7595209B1 (en) * | 2007-03-09 | 2009-09-29 | Silicon Clocks, Inc. | Low stress thin film microshells |
US7659150B1 (en) | 2007-03-09 | 2010-02-09 | Silicon Clocks, Inc. | Microshells for multi-level vacuum cavities |
US7851333B2 (en) * | 2007-03-15 | 2010-12-14 | Infineon Technologies Ag | Apparatus comprising a device and method for producing it |
JP4961260B2 (ja) * | 2007-05-16 | 2012-06-27 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
JP5080858B2 (ja) * | 2007-05-17 | 2012-11-21 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器およびフィルタ |
JP4324811B2 (ja) * | 2007-06-28 | 2009-09-02 | エプソントヨコム株式会社 | 圧電振動子及びその製造方法 |
CN101919079B (zh) * | 2007-07-03 | 2014-01-01 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于存在性检测的薄膜检测器 |
US8159056B1 (en) | 2008-01-15 | 2012-04-17 | Rf Micro Devices, Inc. | Package for an electronic device |
TW200937737A (en) * | 2008-02-21 | 2009-09-01 | En-Yi Chang | Flexible electro-acoustic actuator having the antenna structure |
US7999635B1 (en) | 2008-07-29 | 2011-08-16 | Silicon Laboratories Inc. | Out-of plane MEMS resonator with static out-of-plane deflection |
JP2010091467A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Rohm Co Ltd | 圧力センサおよび圧力センサの製造方法 |
US9735338B2 (en) | 2009-01-26 | 2017-08-15 | Cymatics Laboratories Corp. | Protected resonator |
US8030823B2 (en) * | 2009-01-26 | 2011-10-04 | Resonance Semiconductor Corporation | Protected resonator |
CN102334290B (zh) | 2009-03-04 | 2014-09-17 | 株式会社村田制作所 | 表面声波元件及其制造方法 |
JP5419617B2 (ja) | 2009-09-28 | 2014-02-19 | 太陽誘電株式会社 | フィルタ、通信モジュール、および通信装置 |
JP5724168B2 (ja) * | 2009-10-21 | 2015-05-27 | 株式会社リコー | 電気−機械変換素子とその製造方法、及び電気−機械変換素子を有する液滴吐出ヘッド、液滴吐出ヘッドを有する液滴吐出装置 |
KR101286768B1 (ko) * | 2009-12-08 | 2013-07-16 | 한국전자통신연구원 | 압전형 스피커 및 그 제조 방법 |
JP5213887B2 (ja) * | 2010-02-22 | 2013-06-19 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波素子 |
KR101141353B1 (ko) * | 2010-04-16 | 2012-05-03 | 삼성전기주식회사 | 잉크젯 헤드 어셈블리 및 그 제조방법 |
JP5540911B2 (ja) | 2010-06-09 | 2014-07-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2012043844A (ja) * | 2010-08-13 | 2012-03-01 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪アクチュエータ |
US8836449B2 (en) * | 2010-08-27 | 2014-09-16 | Wei Pang | Vertically integrated module in a wafer level package |
US8367305B1 (en) | 2010-09-17 | 2013-02-05 | Sandia Corporation | Method for fabricating a microelectromechanical resonator |
DE102010056562B4 (de) | 2010-12-30 | 2018-10-11 | Snaptrack, Inc. | Elektroakustisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung des elektroakustischen Bauelements |
TWI418004B (zh) * | 2010-12-31 | 2013-12-01 | Pixart Imaging Inc | 晶片封裝結構以及晶片封裝製程 |
CN102593085B (zh) * | 2011-01-10 | 2014-08-13 | 原相科技股份有限公司 | 芯片封装结构以及芯片封装制程 |
JP2012148428A (ja) * | 2011-01-17 | 2012-08-09 | Toshiba Tec Corp | インクジェットヘッドの製造方法 |
US8497747B1 (en) | 2011-03-02 | 2013-07-30 | Sandia Corporation | Microelectromechanical filter formed from parallel-connected lattice networks of contour-mode resonators |
US8704428B2 (en) * | 2011-04-20 | 2014-04-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Widening resonator bandwidth using mechanical loading |
US8471641B2 (en) | 2011-06-30 | 2013-06-25 | Silicon Laboratories Inc. | Switchable electrode for power handling |
US20130106875A1 (en) * | 2011-11-02 | 2013-05-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of improving thin-film encapsulation for an electromechanical systems assembly |
JP5813471B2 (ja) * | 2011-11-11 | 2015-11-17 | 株式会社東芝 | Mems素子 |
JP2013214954A (ja) * | 2012-03-07 | 2013-10-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | 共振子、周波数フィルタ、デュプレクサ、電子機器及び共振子の製造方法 |
JP6092535B2 (ja) * | 2012-07-04 | 2017-03-08 | 太陽誘電株式会社 | ラム波デバイスおよびその製造方法 |
DE102013102213B4 (de) * | 2013-03-06 | 2020-01-02 | Snaptrack, Inc. | Miniaturisiertes Bauelement mit Dünnschichtabdeckung und Verfahren zur Herstellung |
DE102013102217B4 (de) | 2013-03-06 | 2015-11-12 | Epcos Ag | Mikroakustisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
CN103532510B (zh) * | 2013-10-23 | 2016-08-17 | 无锡华普微电子有限公司 | 一种saw器件的腐蚀工艺 |
US9970831B2 (en) * | 2014-02-10 | 2018-05-15 | Texas Instruments Incorporated | Piezoelectric thin-film sensor |
US9422149B2 (en) | 2014-07-25 | 2016-08-23 | Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | Trapped sacrificial structures and methods of manufacturing same using thin-film encapsulation |
US9805966B2 (en) * | 2014-07-25 | 2017-10-31 | Akoustis, Inc. | Wafer scale packaging |
KR102138345B1 (ko) * | 2014-10-29 | 2020-07-27 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 압전 모듈 |
US9698756B2 (en) | 2014-12-24 | 2017-07-04 | Qorvo Us, Inc. | Acoustic RF resonator parallel capacitance compensation |
US10353503B2 (en) | 2015-10-29 | 2019-07-16 | Texas Instruments Incorporated | Integrated force sensing element |
US10069474B2 (en) * | 2015-11-17 | 2018-09-04 | Qualcomm Incorporated | Encapsulation of acoustic resonator devices |
CN108140723B (zh) * | 2015-12-02 | 2021-08-06 | 株式会社村田制作所 | 压电元件、压电传声器、压电谐振子以及压电元件的制造方法 |
US10581156B2 (en) | 2016-05-04 | 2020-03-03 | Qorvo Us, Inc. | Compensation circuit to mitigate antenna-to-antenna coupling |
US10581403B2 (en) | 2016-07-11 | 2020-03-03 | Qorvo Us, Inc. | Device having a titanium-alloyed surface |
US20180019723A1 (en) * | 2016-07-14 | 2018-01-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave filter device |
US11050412B2 (en) | 2016-09-09 | 2021-06-29 | Qorvo Us, Inc. | Acoustic filter using acoustic coupling |
US10284174B2 (en) | 2016-09-15 | 2019-05-07 | Qorvo Us, Inc. | Acoustic filter employing inductive coupling |
CN106441439A (zh) * | 2016-10-18 | 2017-02-22 | 合肥浮点信息科技有限公司 | 一种便于携带并具有监测显示功能的集成电子产品 |
US10367470B2 (en) | 2016-10-19 | 2019-07-30 | Qorvo Us, Inc. | Wafer-level-packaged BAW devices with surface mount connection structures |
US11165412B2 (en) | 2017-01-30 | 2021-11-02 | Qorvo Us, Inc. | Zero-output coupled resonator filter and related radio frequency filter circuit |
US11165413B2 (en) | 2017-01-30 | 2021-11-02 | Qorvo Us, Inc. | Coupled resonator structure |
US11558031B2 (en) | 2017-03-08 | 2023-01-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Film bulk acoustic resonator and method of manufacturing the same |
KR102313290B1 (ko) | 2017-03-08 | 2021-10-18 | 삼성전기주식회사 | 박막 벌크 음향 공진기 및 그의 제조 방법 |
KR101942734B1 (ko) * | 2017-05-18 | 2019-01-28 | 삼성전기 주식회사 | 체적 음향 공진기 |
JP6909059B2 (ja) * | 2017-06-07 | 2021-07-28 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
US10873318B2 (en) | 2017-06-08 | 2020-12-22 | Qorvo Us, Inc. | Filter circuits having acoustic wave resonators in a transversal configuration |
US10594298B2 (en) * | 2017-06-19 | 2020-03-17 | Rfhic Corporation | Bulk acoustic wave filter |
US10361676B2 (en) * | 2017-09-29 | 2019-07-23 | Qorvo Us, Inc. | Baw filter structure with internal electrostatic shielding |
JP2019165332A (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 株式会社リコー | 電子デバイスおよび原子発振器 |
US11152913B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-10-19 | Qorvo Us, Inc. | Bulk acoustic wave (BAW) resonator |
KR20200011141A (ko) * | 2018-07-24 | 2020-02-03 | 삼성전기주식회사 | 체적 음향 공진기 |
DE102018118701B3 (de) | 2018-08-01 | 2019-10-17 | RF360 Europe GmbH | BAW-Resonator mit verbesserter Verbindung der oberen Elektrode |
KR20200017739A (ko) * | 2018-08-09 | 2020-02-19 | 삼성전기주식회사 | 체적 음향 공진기 |
US11146247B2 (en) | 2019-07-25 | 2021-10-12 | Qorvo Us, Inc. | Stacked crystal filter structures |
US11757430B2 (en) | 2020-01-07 | 2023-09-12 | Qorvo Us, Inc. | Acoustic filter circuit for noise suppression outside resonance frequency |
US11146245B2 (en) | 2020-01-13 | 2021-10-12 | Qorvo Us, Inc. | Mode suppression in acoustic resonators |
US11146246B2 (en) | 2020-01-13 | 2021-10-12 | Qorvo Us, Inc. | Phase shift structures for acoustic resonators |
CN113411064A (zh) * | 2020-03-17 | 2021-09-17 | 济南晶正电子科技有限公司 | 一种薄膜体声波器件及其制备方法 |
CN117254781A (zh) * | 2020-04-29 | 2023-12-19 | 株式会社村田制作所 | 弹性波器件和梯形滤波器 |
US11632097B2 (en) | 2020-11-04 | 2023-04-18 | Qorvo Us, Inc. | Coupled resonator filter device |
US12009801B2 (en) * | 2020-11-27 | 2024-06-11 | Seiko Epson Corporation | Resonator device |
US11575363B2 (en) | 2021-01-19 | 2023-02-07 | Qorvo Us, Inc. | Hybrid bulk acoustic wave filter |
WO2022209860A1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
TWI847124B (zh) * | 2022-04-19 | 2024-07-01 | 瑞峰半導體股份有限公司 | 聲波元件 |
WO2023223906A1 (ja) * | 2022-05-16 | 2023-11-23 | 株式会社村田製作所 | 弾性波素子 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US724133A (en) * | 1902-01-02 | 1903-03-31 | Smith Warren Company | Metallic window frame and sash. |
JPS58175314A (ja) | 1982-03-11 | 1983-10-14 | Nec Corp | 薄膜圧電振動子 |
JPH07114340B2 (ja) | 1987-01-19 | 1995-12-06 | 株式会社東芝 | 圧電薄膜共振子 |
JPH01179514A (ja) | 1988-01-11 | 1989-07-17 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 発振回路の構成部品を内蔵した圧電共振子 |
US5177661A (en) * | 1989-01-13 | 1993-01-05 | Kopin Corporation | SOI diaphgram sensor |
JPH0497612A (ja) | 1990-08-15 | 1992-03-30 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子及びその実装方法 |
JPH0527565A (ja) | 1991-07-18 | 1993-02-05 | Canon Inc | ランプ光量制御装置 |
US5313535A (en) * | 1992-02-27 | 1994-05-17 | Nynex Corporation | Optical path length modulator |
JPH05267975A (ja) | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Nec Corp | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
KR0171921B1 (ko) * | 1993-09-13 | 1999-03-30 | 모리시타 요이찌 | 전자부품과 그 제조방법 |
JP3582106B2 (ja) * | 1994-08-31 | 2004-10-27 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品の製造方法 |
JP3239695B2 (ja) * | 1995-07-17 | 2001-12-17 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
JPH09107263A (ja) | 1995-10-09 | 1997-04-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
JP3487414B2 (ja) | 1998-05-29 | 2004-01-19 | 富士通株式会社 | 弾性表面波フィルタ装置 |
JP3511929B2 (ja) * | 1999-01-25 | 2004-03-29 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法、圧電共振部品の製造方法、電子部品及び圧電共振部品 |
JP2001111371A (ja) * | 1999-08-03 | 2001-04-20 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ラダー型圧電セラミックフィルタの製造方法 |
US7008812B1 (en) * | 2000-05-30 | 2006-03-07 | Ic Mechanics, Inc. | Manufacture of MEMS structures in sealed cavity using dry-release MEMS device encapsulation |
JP4404450B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2010-01-27 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
US6703768B2 (en) * | 2000-09-27 | 2004-03-09 | Citizen Watch Co., Ltd. | Piezoelectric generator and mounting structure therefor |
JP2002261582A (ja) | 2000-10-04 | 2002-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法ならびにそれを用いた回路モジュール |
US6550664B2 (en) | 2000-12-09 | 2003-04-22 | Agilent Technologies, Inc. | Mounting film bulk acoustic resonators in microwave packages using flip chip bonding technology |
JP2003037473A (ja) | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
JP2003101376A (ja) | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Tdk Corp | 共振デバイス、共振フィルタ、デュプレクサならびにこれらの特性調整方法 |
JP2004248243A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-09-02 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品およびその製造方法 |
JP2004222244A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-08-05 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振器およびその製造方法 |
WO2006001125A1 (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電デバイス |
US7248133B2 (en) * | 2004-06-28 | 2007-07-24 | Kyocera Corporation | Method for manufacturing surface acoustic wave device |
JP2006197554A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-07-27 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス及びその製造方法、icカード、携帯用電子機器 |
-
2004
- 2004-04-07 AT AT04726261T patent/ATE469463T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-04-07 EP EP20040726261 patent/EP1628396B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-07 CN CN200480014533XA patent/CN1795610B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-04-07 US US10/558,592 patent/US7342351B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-04-07 JP JP2005506311A patent/JP4229122B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-04-07 WO PCT/JP2004/004992 patent/WO2004105237A1/ja active Application Filing
- 2004-04-07 DE DE200460027372 patent/DE602004027372D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-07 KR KR20057022383A patent/KR100725010B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-12-14 US US11/956,699 patent/US8123966B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7342351B2 (en) | 2008-03-11 |
US20070013268A1 (en) | 2007-01-18 |
CN1795610B (zh) | 2011-11-16 |
US20080099428A1 (en) | 2008-05-01 |
EP1628396A4 (en) | 2009-01-07 |
WO2004105237A1 (ja) | 2004-12-02 |
EP1628396A1 (en) | 2006-02-22 |
JPWO2004105237A1 (ja) | 2006-07-20 |
CN1795610A (zh) | 2006-06-28 |
KR20060013678A (ko) | 2006-02-13 |
EP1628396B1 (en) | 2010-05-26 |
ATE469463T1 (de) | 2010-06-15 |
KR100725010B1 (ko) | 2007-06-04 |
US8123966B2 (en) | 2012-02-28 |
DE602004027372D1 (de) | 2010-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4229122B2 (ja) | 圧電電子部品、およびその製造方法、通信機 | |
JP4714214B2 (ja) | 弾性表面波デバイス | |
US7378922B2 (en) | Piezoelectric filter | |
JP4248180B2 (ja) | 導電性ミラーを有するバルク音響波共振器 | |
US7042056B2 (en) | Chip-size package piezoelectric component | |
US8749114B2 (en) | Acoustic wave device | |
US9837980B2 (en) | Acoustic wave device and method of fabricating the same | |
US9793877B2 (en) | Encapsulated bulk acoustic wave (BAW) resonator device | |
JP2007535230A (ja) | 封入された電子部品内における熱放散を改善する方法 | |
JP2008060382A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
JP5206377B2 (ja) | 電子部品モジュール | |
US7102272B2 (en) | Piezoelectric component and method for manufacturing the same | |
JP4984809B2 (ja) | 電子部品パッケージ | |
CN111003684B (zh) | 释放孔位于封装空间内的mems器件的封装 | |
JP2005130341A (ja) | 圧電部品及びその製造方法、通信装置 | |
US20090175470A1 (en) | Acoustic wave device and method of manufacturing the same | |
JP2009183008A (ja) | 圧電部品の製造方法 | |
JP2005217670A (ja) | 弾性表面波装置および通信装置 | |
JP5176979B2 (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080701 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080826 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080827 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081111 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081124 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111212 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111212 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121212 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131212 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |