JP4535778B2 - デバイス装置の製造方法 - Google Patents
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ティー・セキ(T. Seki)他著「ローロス・アールエフ・メムス・メタル・コンタクト・スウィッチ・ウィズ・シーエスピー・ストラクチャー」(Low-Loss RF MEMS Metal Contact Switch With CSP Structure),トランスデューサーズ '03(TRANSDUCERS '03),p.340−341 エー・ジョーダイン(A. JOUDAIN)他著「インベスティゲーション・オブ・ザ・ハーメティシティ・オブ・ビーシービーシールド・キャビティ・フォー・ハウジング・アールエフメムス・デバイスイズ」(INVESTIGATION OF THE HERMETICITY OF BCB-SEALED CAVITIES FOR HOUSING RF-MEMS DEVICES),メムス2002(MEMS2002),P.677−680
って前記配線導体まで貫通する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を通して前記犠牲材料を除去して、前記弾性表面波デバイスの共振部と前記被着層との間に空間を形成する工程と、前記貫通孔を前記封止部材の前記上面から前記配線導体に至る金属材料から成る貫通導体を形成して塞ぐ工程と、前記封止部材の上面を研磨することにより前記封止部材の上面を平坦化する工程と、を具備することを特徴とするものである。
2・・・機械的動作部(MEMSデバイスの駆動部、または圧電デバイスの発振部、または弾性表面波デバイスの共振部)
3・・・封止部材
4・・・配線導体
5・・・空間
6・・・貫通孔
7・・・貫通導体
8・・・被着層
9・・・犠牲材料
Claims (4)
- 基板上に配置された弾性表面波デバイスの共振部および前記基板上に形成され、且つ前記弾性表面波デバイスの共振部に接続された配線導体を犠牲材料で覆う工程と、
前記犠牲材料を覆う樹脂材料から成る封止部材を前記基板上に形成する工程と、
前記封止部材の上面から前記犠牲材料の一部を通って前記配線導体まで貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を通して前記犠牲材料を除去し、前記弾性表面波デバイスの共振部と前記封止部材との間に空間を形成する工程と、
前記貫通孔に前記封止部材の上面から前記配線導体に至る金属材料から成る貫通導体を形成することにより前記貫通孔を塞ぐ工程と、
前記封止部材の上面を研磨することにより前記封止部材の上面を平坦化する工程と、
を具備することを特徴とするデバイス装置の製造方法。 - 前記貫通導体は、印刷法により形成されることを特徴とする請求項1に記載のデバイス装置の製造方法。
- 前記貫通導体と前記封止部材の間に配置される接着層を形成する工程を備えることを特徴とする請求項1に記載のデバイス装置の製造方法。
- 基板上に弾性表面波デバイスの共振部および前記基板上に形成され、且つ前記弾性表面波デバイスの共振部に接続された配線導体を犠牲材料で覆う工程と、
前記基板上から前記犠牲材料を覆って無機絶縁材料からなる被着層を形成する工程と、
前記基板上から前記被着層を覆って樹脂材料から成る封止部材を形成する工程と、
前記封止部材に上面から前記被着層の一部および前記犠牲材料の一部を通って前記配線導体まで貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を通して前記犠牲材料を除去して、前記弾性表面波デバイスの共振部と前記被着層との間に空間を形成する工程と、
前記貫通孔を前記封止部材の前記上面から前記配線導体に至る金属材料から成る貫通導体を形成して塞ぐ工程と、
前記封止部材の上面を研磨することにより前記封止部材の上面を平坦化する工程と、
を具備することを特徴とするデバイス装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004156638A JP4535778B2 (ja) | 2004-05-26 | 2004-05-26 | デバイス装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004156638A JP4535778B2 (ja) | 2004-05-26 | 2004-05-26 | デバイス装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010036067A Division JP5213887B2 (ja) | 2010-02-22 | 2010-02-22 | 弾性表面波素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005341162A JP2005341162A (ja) | 2005-12-08 |
JP4535778B2 true JP4535778B2 (ja) | 2010-09-01 |
Family
ID=35494224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004156638A Expired - Fee Related JP4535778B2 (ja) | 2004-05-26 | 2004-05-26 | デバイス装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4535778B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4771847B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2011-09-14 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置 |
CN101573868B (zh) * | 2006-12-28 | 2012-05-30 | 京瓷株式会社 | 弹性表面波装置及其制造方法 |
JP5330697B2 (ja) | 2007-03-19 | 2013-10-30 | 株式会社リコー | 機能素子のパッケージ及びその製造方法 |
WO2009016862A1 (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Kyocera Corporation | 複合基板および複合基板を用いた機能デバイス、並びに複合基板および機能デバイスの製造方法 |
JP5453705B2 (ja) * | 2009-06-25 | 2014-03-26 | 学校法人立命館 | 共振器 |
JP5501792B2 (ja) * | 2010-02-22 | 2014-05-28 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置及びその製造方法 |
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US6713314B2 (en) * | 2002-08-14 | 2004-03-30 | Intel Corporation | Hermetically packaging a microelectromechanical switch and a film bulk acoustic resonator |
JP2004129223A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-04-22 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電部品およびその製造方法 |
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Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2654459B2 (ja) * | 1987-08-07 | 1997-09-17 | ティーディーケイ株式会社 | 圧電振動部品の空胴部形成方法 |
-
2004
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09172339A (ja) * | 1995-12-19 | 1997-06-30 | Kokusai Electric Co Ltd | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005341162A (ja) | 2005-12-08 |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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