JP5453705B2 - 共振器 - Google Patents
共振器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5453705B2 JP5453705B2 JP2011519921A JP2011519921A JP5453705B2 JP 5453705 B2 JP5453705 B2 JP 5453705B2 JP 2011519921 A JP2011519921 A JP 2011519921A JP 2011519921 A JP2011519921 A JP 2011519921A JP 5453705 B2 JP5453705 B2 JP 5453705B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vibration
- resonator
- electrode
- vibrating
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 128
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 110
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 182
- 239000010408 film Substances 0.000 description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 44
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 43
- 230000008569 process Effects 0.000 description 39
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 23
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 17
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 description 7
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 241001290864 Schoenoplectus Species 0.000 description 1
- 210000001015 abdomen Anatomy 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
- H03H9/02259—Driving or detection means
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
- H03H9/02338—Suspension means
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
- H03H9/2405—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
- H03H9/2447—Beam resonators
- H03H9/2457—Clamped-free beam resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
- H03H9/02433—Means for compensation or elimination of undesired effects
- H03H2009/0244—Anchor loss
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
- H03H2009/02488—Vibration modes
- H03H2009/02519—Torsional
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
。これをきっかけに振動部4004のいずれかの部位にねじり振動が引き起こされる。
図1〜図3を参照して、本発明に基づく実施の形態1における共振器について説明する。本実施の形態では、基板の表面に金属膜によって形成された電極パターンと振動部の下面との間で直接狭い間隙を実現するのではなく、図1に示すように、基材10の表面に電極ブロック部5を設け、この電極ブロック部5に電圧を供給可能なように電極パターン4を接続し、電極ブロック部5の上面と振動部2の下面との間で狭い間隙6を実現する。その場合、電極ブロック部5は、基本的にSiからなる部材であってよい。ただし、Siの材料に予め不純物をドープすることによって、電極ブロック部5には導電性がもたせられている。基材10はガラス基板であってよい。電極ブロック部5は陽極接合によって、基材10に接合されている。振動部2はSiからなる部材であってよい。
図9、図10を参照して本発明に基づく実施の形態2の共振器111について説明する。この共振器111は振動部2hを備える。振動部2hは、途中から枝分かれする枝部200を有する。振動部2hの両端はアンカ部13a,13bに一体的につながっている。アンカ部13a,13bは基材10に固定されている。振動部2hおよびアンカ部13a,13bはSiによって一体的に形成されたものであってよい。
図11、図12を参照して本発明に基づく実施の形態3における共振器112について説明する。この共振器112は振動部2iを備える。振動部2iはフレーム状の部分を有する。振動部2iのフレーム形状の中には枝部201,202,203,204が含まれている。振動部2iの両端はアンカ部14a,14bに一体的につながっている。アンカ部14a,14bは基材10に接合されている。図11におけるXII−XII線に関する矢視断面図を図12に示す。電極ブロック部5と振動部2iとの間には間隙6が形成されている。振動部2iおよびアンカ部14a,14bはSiによって一体的に形成されたものであってよい。
図13、図14を参照して本発明に基づく実施の形態4における共振器113について説明する。この共振器113は振動部2jを備える。振動部2jはフレーム状の部分を有する。振動部2jのフレーム形状の中には枝部201,202,203,204が含まれている。振動部2jの両端はアンカ部15a,15bに接続されている。アンカ部15aはアンカ下部層15a1とアンカ上部層15a2との積層構造となっている。アンカ下部層15a1とアンカ上部層15a2との間には絶縁層19が介在している。同様にアンカ部15bはアンカ下部層15b1とアンカ上部層15b2との積層構造となっている。アンカ下部層15b1とアンカ上部層15b2との間には絶縁層19が介在している。絶縁層19はSiO2層であってもよい。振動部2jの両端はアンカ上部層15a2,15b2と一体的に形成されている。振動部2jおよびアンカ上部層15a2,15b2はSiによって一体的に形成されたものであってよい。振動部2jの中央の下方には電極ブロック部5が離隔しつつ対向している。電極ブロック部5は、引出配線7に電気的に接続されている。引出配線7はアンカ部15aの下部に設けられたトンネルをくぐって外側に引き出されている。引出配線7の端は外部接続端子8に電気的に接続されている。電極ブロック部5と振動部2jとの間には間隙6が形成されている。
図15〜図17を参照して、本発明に基づく実施の形態5における共振器105について説明する。図15は共振器105の斜視図である。実際には上側の開口部を塞ぐようにガラス製のキャップが配置されることが好ましい。図15は、内部の様子がわかるようにキャップを外した状態を示している。キャップを外した状態の平面図を図16に示す。共振器105は振動部2kを備える。振動部2kを取り囲むように外壁部9が配置されている。図15に示すように、外壁部9は下から順にSi層21、SiO2層22、Si層23の3層の積層構造となっている。図16においてはキャップ35が外壁部9に当接する領域が二点鎖線で示されている。外壁部9は外周の1ヶ所に切欠き部11を有する。振動部2kは外壁部9のSi層23と一体的につながっている。外壁部9の一部をアンカ部16a,16bをみなすことができる。振動部2kはアンカ部16a,16bによって支持されている。
図18〜図30を参照して、本実施の形態における共振器105の製造方法について説明する。これらの図では、説明の便宜のために縦横比を誇張している。
まずSOI基板側で行なう工程について説明する。
共振器の基材10となるべきガラス基板側で行なう工程について説明する。図23に示すように、基材10としてのガラス基板の表面に電極パターン4を形成する。電極パターン4はたとえば、基材10に近い側から順に、厚さ10nmのTi膜、厚さ25nmのPt膜、厚さ200nmのAu膜を順に積層したものであってよい。その場合、電極パターン4のうち基材10の中央寄りの端部においては、Ti膜およびPt膜がAu膜よりも長く延在するように形成することが好ましい。図23に示した構造を上から見たところを図24に示す。電極パターン4は引出配線7と外部接続端子8とを含むように形成される。
図21、図22に示したようにSOI基板を加工したものと、図23、図24に示したようにガラス基板を加工したものとを陽極接合によって貼り合わせる。こうして図25に示す構造体を得る。ただし、貼り合わせる前にSi層21の一部にトンネル31を形成しておく。電極パターン4はトンネル31を通過するように配置される。梁状部分32は電極パターン4の端部に重なり合う。梁状部分32が電極パターン4の端部に重なり合う部分を拡大したところを図26に示す。この例においては、電極パターン4は、Ti膜41、Pt膜42、Au膜43の3層積層構造となっている。電極パターン4の端部においてTi膜41およびPt膜42がAu膜43に比べて長く延在するように形成されている場合、SOI基板とガラス基板との貼合せの際に、Ti膜41およびPt膜42は梁状部分32と基材10とによって挟み込まれる。
図31〜図33を参照して、本発明に基づく実施の形態6における共振器について説明する。本発明では、基板の表面に金属膜によって形成された電極パターンと振動部の下面との間で直接狭い間隙を実現するのではなく、図31に示すように、基材10の表面に電極ブロック部5を設け、この電極ブロック部5に電圧を供給可能なように電極パターン4を接続し、電極ブロック部5の上面と振動部2の下面との間で狭い間隙6を実現する。その場合、電極ブロック部5は、基本的にSiからなる部材であってよい。ただし、Siの材料に予め不純物をドープすることによって、電極ブロック部5には導電性がもたせられている。基材10はガラス基板であってよい。電極ブロック部5は陽極接合によって、基材10に接合されている。この電極ブロック部5に対して電極パターン4をどのように接続するかが問題となるが、この部分について詳しくわかるように以下説明する。
このような電極ブロック部5の接続部分の製造方法について説明する。電極ブロック部5となるべきSiのブロック状部材には図34に示すような切欠き5aを、予め公知技術によって形成しておく。基材10の表面には、図35に示すように電極パターン4を予め公知技術によって形成しておく。図35における接続端2009の近傍の斜視図を図36に示す。このように電極パターン4は3層構造となっているが、接続端2009においては第1層2041および第2層2042に比べて第3層2043だけ後退した構造とする。この状態で、図34に示した部材を接続する。すなわち、図37に示すように電極ブロック部5の切欠き部5aが図36に示した接続端2009の段差に嵌合するように、電極ブロック部5を基材10の上面に接合する。この接合は陽極接合によって行なうことができる。こうすることによって図32に示した構造を得ることができる。
電極パターン4については、実施の形態6では3層構造の例を示したが、電極パターン4は「複数の層」であればよいのだから、当然、3層構造には限らない。実施の形態6では、第2層を介在させることによって第1層と第3層との密着性を高めることとしたが、そもそも第1層と第3層との密着性が十分に良い場合には、第2層を省略して電極パターン4を2層構造とすることも考えられる。
図50を参照して、本発明に基づく実施の形態8における共振器2103について説明する。図50における電極ブロック部5近傍の断面を図51に示す。この共振器2103は、基本的には実施の形態6で示した共振器2101と類似しているが、異なる点として、前記電極ブロック部の下端は略平面であり、前記電極パターンのうち前記電極ブロック部の下端に覆われる部分には厚さ50nm以下の部分が含まれている。本実施の形態においては、電極ブロック部の下端には接続用切欠き部はなくてよい。電極ブロック部の下端は単純に平坦な下面をなしている。図51に示されるように、電極ブロック部5と基材10とで電極パターン4の端を挟み込むようにして電気的接続が行なわれている。なお、電極ブロック部の下面の全体が電極パターンを覆っていてもよく、電極ブロック部の下面の一部のみが電極パターンを覆っていてもよい。図51に示した例では、電極ブロック部5の下面の一部のみが電極パターン4を覆っている。
図52〜図57を参照して、本発明に基づく実施の形態9における共振器について説明する。本実施の形態における共振器の平面図を図52に示す。図52におけるLIII−LIII線に関する矢視断面図を図53に示す。図52におけるLIV−LIV線に関する矢視断面図を図54に示す。図52におけるLV−LV線に関する矢視断面図を図55に示す。
図58〜図60を参照して、本発明に基づく実施の形態10における共振器について説明する。本実施の形態における共振器の平面図を図58に示す。図58におけるVIII−VIII線に関する矢視断面図を図59に示す。図58におけるLX−LX線に関する矢視断面図を図60に示す。共振器3102は、基本的には実施の形態9で示した共振器3101と同様の構成を備えているが、共振器3101と比べたときいくつか異なる点がある。共振器3102は外壁部材3008を備える。外壁部材3008は振動部3004の外周を離隔しつつ取り囲むように配置されている。外壁部材3008は、振動部3004の形状に対応した開口部3008aを有している。この開口部3008aを塞ぐように封止部材3043が被せられている。図58では、封止部材3043を取り去ったところを示している。図58においては、封止部材3043の下面に設けられた凹部3043cを二点鎖線で示している。図59、図60に示すように、封止部材3043は凹部3043cを有しているので、振動部3004に対して接しない。封止部材3043はガラスからなるものであってもよい。
本実施の形態では、配線3006が一方の側にしか延在していないが、実施の形態9のように2つの側にそれぞれ延在してもよい。外部接続端子を2ヶ所以上に設けてもよい。
図61〜図65を参照して、本発明に基づく実施の形態11における共振器4101について説明する。この共振器4101は、平坦な上面を有する基材4001と、基材4001の上面4001uから離隔して基材4001の上面4001uに対向するように配置された振動部4004と、振動部4004の下面に対して電位差を生じさせることによって振動部4004の少なくとも一部にねじり振動を発生させることができるように、振動部4004の下面の一部に対して離隔しつつ対向して基材4001の上面4001uに配置された振動付与部4003と、振動付与部4003から、基材4001の上面4001uに沿うように振動部4004の下側を通過して、上から見て振動部4004の外側となる位置まで引き出されている配線4006とを備える。配線4006は、振動部4004のうち前記ねじり振動の際に節となる部位4012の下側において振動部4004と交差するように配置されている。振動部4004は外壁部材4008によって取り囲まれている。振動部4004の下側から外側に向けて基材4001の上面4001uに配置されている配線4006は外壁部材4008の1ヶ所をくぐるようにして外壁部材4008の外側に延在している。配線4006は基材4001の外縁にまで至っており、配線4006の終端には外部接続電極4007が配置されている。配線4006が外壁部材4008の下をくぐる部分では、外壁部材4008は基材4001との境目にトンネル4015を有しており、このトンネル4015内を配線4006が通っている。トンネル4015の出口では、隙間を塞ぐように窒化膜4009が形成されている。
図66〜図87を参照して、本実施の形態における共振器の製造方法について説明する。これらの図では、説明の便宜のために縦横比を誇張している。
図66に示すようにSOI(Silicon on Insulator)基板4051を用意する。このSOI基板4051の場合、下から順にSi層4021、SiO2層4022、Si層4023が積層されており、表裏両面に酸化膜4020a,4020bが形成されている。酸化膜4020a,4020bはSiO2の膜である。まず、フッ酸(HF)によって表裏両面の酸化膜4020a,4020bを除去し、図67に示す状態に至る。表裏両面の酸化膜が元々形成されていない場合は、フッ酸によるこの工程は不要であり、図67の状態から開始する。
まず、図76に示すようにガラス基板4061を用意する。図76に示した状態ではガラス基板4061はガラス層4031からなる。図77に示すようにガラス基板4061の上面にTi膜4032を形成する。図78に示すようにガラス基板4061の上面にPt膜4033を形成する。図79に示すようにガラス基板4061の上面にAu膜4034を形成する。こうしてガラス基板4061の上面には3種類の金属膜の積層体が出来上がる。図80に示すように、この3種類の金属膜の積層体を、配線の形状となるようにパターニングする。
(構成)
図88〜図90を参照して、本発明に基づく実施の形態12における共振器4102について説明する。図88に示すように、本実施の形態における共振器4102は、基本的な構成は実施の形態11で説明した共振器4101と類似するが、配線の経路が異なる。図88におけるLXXXIX−LXXXIX線に関する矢視断面図を図89に示す。図88におけるXC−XC線に関する矢視断面図を図90に示す。すなわち、共振器4102は、振動部4004と基材4001とを接続するアンカ部4002bを備え、アンカ部4002bは基材4001に接する側にトンネル4015cを有する。さらに振動部4004の外側をを取り囲む外壁部材4008にはトンネル4015が設けられている。配線4006は、トンネル4015cおよびトンネル4015を通過して引き出されている。
図91〜図95を参照して、本発明に基づく実施の形態13における共振器4103について説明する。図91は、本実施の形態における共振器4103の平面図である。振動部4004とアンカ部4002a,4002bとが一体物として形成されている。ここでは振動部4004を取り囲む外壁部材、封止部材を図示していないが、実際には、外周を取り囲む外壁部材、上側を塞ぐ封止部材があってもよい。振動部4004は基材4001から離隔するように配置されており、振動部4004の両端はアンカ部4002a,4002bとなっている。アンカ部4002a,4002bは、基材4001の表面に固定されている。この共振器4103は、図92に示すように基材4001の表面に電極パターンを形成したものと、図93に示すような形状に形成したSiブロックとを静電接合によって貼り合わせたものである。図92に示すように、基材4001の表面の電極パターンは4ヶ所の外部接続電極4007a,4007b,4007c,4007dと1ヶ所の振動付与電極4030とを含んでおり、これらは配線4006によってH字形に接続されている。配線4006には区間4601,4602,4603,4604が含まれる。区間4601〜4604はいずれも同じ長さであり、互いに平行に配置されている。
Claims (9)
- 平坦な上面を有する基材(10)と、
前記基材の上面から離隔するようにして前記基材に相対的に固定され、側方に延在する振動部と、
前記基材の上面に形成され、一部が前記振動部の下側を通過する電極パターン(4)と、
前記振動部にねじり振動を発生させるために、前記基材の上面に固定され、平坦な上面を有し、前記電極パターンと電気的に接続されている電極ブロック部(5)とを備え、
前記電極ブロック部の上面は、前記振動部から離隔しつつ、前記基材の上面から前記振動部の下面に対して間隙を介して近接する位置までせり上がることによって、前記電極パターンが前記振動部の下側を通過する領域における前記電極パターンの上面よりも高くなっている、共振器。 - 前記電極ブロック部は、前記振動部から離隔しつつ、前記振動部に対して下側から対向している、請求項1に記載の共振器。
- 前記電極ブロック部は、前記振動部から離隔しつつ、前記振動部のうちねじれ振動を発生しない部位に対して下側から対向している、請求項1に記載の共振器。
- 前記電極ブロック部は、陽極接合によって前記基材に接合されている、請求項1から3のいずれかに記載の共振器。
- 前記電極パターンは複数の層が積層されることによって構成されており、
前記電極ブロック部の下端は略平面であるか、または、前記電極パターンのうち前記複数の層のうちの少なくとも1層を受け入れるための接続用切欠き(5a)を有し、請求項1に記載の共振器。 - 前記電極パターンから離隔して前記電極パターンの上側を覆うように前記主表面に配置された被覆部材(3045a,3045b)とを備える、請求項1から5のいずれかに記載の共振器。
- 前記電極パターンは、前記振動部のうち前記ねじり振動の際に節となる部位(4012)の下側において前記振動部と交差するように配置されている、請求項1から5のいずれかに記載の共振器。
- 前記振動部と前記基材とを接続するアンカ部(4002b)を備え、前記アンカ部は前記基材に接する側にトンネル(4015c)を有し、前記電極パターンは、前記トンネルを通過して引き出されている、請求項7に記載の共振器。
- 前記電極パターンは、互いに平行な線状部分を対称に含む少なくとも1対の平行線部を含み、前記振動部は上から見て対称な形状を有し、前記平行線部の対称軸と前記振動部の対称軸とが一致している、請求項7または8に記載の共振器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011519921A JP5453705B2 (ja) | 2009-06-25 | 2010-06-23 | 共振器 |
Applications Claiming Priority (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009151057 | 2009-06-25 | ||
JP2009151055 | 2009-06-25 | ||
JP2009151056 | 2009-06-25 | ||
JP2009151057 | 2009-06-25 | ||
JP2009151056 | 2009-06-25 | ||
JP2009151055 | 2009-06-25 | ||
JP2009173178 | 2009-07-24 | ||
JP2009173178 | 2009-07-24 | ||
JP2011519921A JP5453705B2 (ja) | 2009-06-25 | 2010-06-23 | 共振器 |
PCT/JP2010/060660 WO2010150821A1 (ja) | 2009-06-25 | 2010-06-23 | 共振器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010150821A1 JPWO2010150821A1 (ja) | 2012-12-10 |
JP5453705B2 true JP5453705B2 (ja) | 2014-03-26 |
Family
ID=43386590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011519921A Expired - Fee Related JP5453705B2 (ja) | 2009-06-25 | 2010-06-23 | 共振器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5453705B2 (ja) |
WO (1) | WO2010150821A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012178710A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Sanyo Electric Co Ltd | Memsデバイスおよびその製造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05308179A (ja) * | 1992-04-08 | 1993-11-19 | Nec Corp | 表面実装部品の実装方法 |
JP2003532322A (ja) * | 2000-04-20 | 2003-10-28 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミシガン | 振動マイクロメカニカル装置列を利用して少なくとも1つの所望のチャンネルを選択するための方法及び装置 |
JP2005236892A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Kyocera Corp | 圧電振動子収納用パッケージおよび圧電装置 |
JP2005341162A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Kyocera Corp | デバイス装置およびその製造方法 |
WO2006013741A1 (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 捩り共振器およびこれを用いたフィルタ |
WO2006075717A1 (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 捩り共振器およびこれを用いたフィルタ |
JP2006203577A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Sony Corp | 微小振動子、半導体装置及び通信装置 |
JP2007142533A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Sony Corp | 静電容量型共振素子、静電容量型共振素子の製造方法および通信装置 |
JP2008542849A (ja) * | 2005-06-06 | 2008-11-27 | ビーテンド リミテッド | Mems装置、傾斜マイクロミラー、光制御方法及びミラー形成方法 |
JP2009088854A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | マイクロメカニカル共振器およびその製造方法 |
-
2010
- 2010-06-23 JP JP2011519921A patent/JP5453705B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-23 WO PCT/JP2010/060660 patent/WO2010150821A1/ja active Application Filing
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05308179A (ja) * | 1992-04-08 | 1993-11-19 | Nec Corp | 表面実装部品の実装方法 |
JP2003532322A (ja) * | 2000-04-20 | 2003-10-28 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミシガン | 振動マイクロメカニカル装置列を利用して少なくとも1つの所望のチャンネルを選択するための方法及び装置 |
JP2005236892A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Kyocera Corp | 圧電振動子収納用パッケージおよび圧電装置 |
JP2005341162A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Kyocera Corp | デバイス装置およびその製造方法 |
WO2006013741A1 (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 捩り共振器およびこれを用いたフィルタ |
WO2006075717A1 (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 捩り共振器およびこれを用いたフィルタ |
JP2006203577A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Sony Corp | 微小振動子、半導体装置及び通信装置 |
JP2008542849A (ja) * | 2005-06-06 | 2008-11-27 | ビーテンド リミテッド | Mems装置、傾斜マイクロミラー、光制御方法及びミラー形成方法 |
JP2007142533A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Sony Corp | 静電容量型共振素子、静電容量型共振素子の製造方法および通信装置 |
JP2009088854A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | マイクロメカニカル共振器およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010150821A1 (ja) | 2010-12-29 |
JPWO2010150821A1 (ja) | 2012-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4447940B2 (ja) | マイクロスイッチング素子製造方法およびマイクロスイッチング素子 | |
JP5329914B2 (ja) | マイクロマシン装置及びマイクロマシン装置の製造方法 | |
JP4981172B2 (ja) | コンポーネントの製造方法およびコンポーネント | |
US6924165B2 (en) | Methods and systems for buried electrical feedthroughs in a glass-silicon MEMS process | |
CN100579892C (zh) | 微型机电系统元件及其制造方法 | |
WO2005086535A1 (ja) | エレクトレットコンデンサーマイクロホン | |
US8828771B2 (en) | Sensor manufacturing method | |
WO2001082323A1 (fr) | Relais statique et dispositif de communication utilisant ledit relais statique | |
JP5193639B2 (ja) | マイクロマシン装置及びマイクロマシン装置の製造方法 | |
CN105874312A (zh) | 在单芯片上的惯性和压力传感器 | |
JP5494038B2 (ja) | 電子デバイスおよびその製造方法 | |
CN110839199B (zh) | 制作空气脉冲产生元件的方法 | |
JP2010135634A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP5453705B2 (ja) | 共振器 | |
JP4715260B2 (ja) | コンデンサマイクロホンおよびその製造方法 | |
KR20110062583A (ko) | 고주파용 정전형 스위치 및 그 제조 방법 | |
US7531424B1 (en) | Vacuum wafer-level packaging for SOI-MEMS devices | |
WO2011001680A1 (ja) | 共振器およびその製造方法 | |
US8432232B2 (en) | MEMS device and oscillator | |
JP2014122906A (ja) | マイクロメカニカル素子およびマイクロメカニカル素子の製造方法 | |
JP5376472B2 (ja) | 共振器およびその製造方法 | |
JP5621616B2 (ja) | Memsスイッチおよびその製造方法 | |
JP2011010216A (ja) | 共振器パッケージおよびその製造方法 | |
JP5573738B2 (ja) | Memsスイッチの製造方法 | |
JP2009226497A (ja) | マイクロマシン装置及びマイクロマシン装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20130308 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130527 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130820 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131018 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5453705 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |