JP5494038B2 - 電子デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
〔第1の実施形態〕
まず、第1の実施形態のMEMSスイッチ1について、図1〜図4を参照して説明する。なお、図3(A)(B)(C)は、それぞれ、図1に示すMEMSスイッチ1のA−A線断面矢視図、B−B線断面矢視図、C−C線断面矢視図である。図4は図1に示すMEMSスイッチ1のA−A線断面矢視図である。図2においてはバンプ19および膜部材20の図示を省略している。
〔第2の実施形態〕
次に、第2の実施形態のMEMSスイッチ1Bについて説明する。第2の実施形態において、第1の実施形態と相違する部分についてのみ説明する。第1の実施形態と同様な部分については同じ符号を付し、説明を省略しまたは簡略化する。以下の各実施形態についても同様である。
〔第3の実施形態〕
次に、第3の実施形態のMEMSスイッチ1Cについて説明する。
〔第4の実施形態〕
次に、第4の実施形態のMEMSスイッチ1Dについて説明する。
〔第6の実施形態〕
次に、第6の実施形態のMEMSスイッチ1Fについて、図21〜図24を参照して説明する。
〔第7の実施形態〕
次に、第7の実施形態のMEMSスイッチ1Gについて、図27を参照して説明する。第7の実施形態において、第6の実施形態と相違する部分についてのみ説明する。
〔第8の実施形態〕
次に、第8の実施形態のMEMSスイッチ1Hについて、図28を参照して説明する。第8の実施形態において、第6の実施形態と相違する部分についてのみ説明する。
(付記1)
基板と、
前記基板の上方に設けられた可動電極と、
前記可動電極に対向して設けられた固定電極と、
前記基板上において前記可動電極および前記固定電極を囲むように設けられた壁部と、
前記可動電極および前記固定電極の上方において前記壁部に固定されて設けられ、前記可動電極および前記固定電極を含む空間を封止するための膜部材と、
前記基板上において前記壁部の内側に設けられ、前記膜部材を前記空間の内側から支持するために前記可動電極および前記固定電極とは別に設けられた支持部と、
を含むことを特徴とする電子デバイス。
(付記2)
前記壁部と前記支持部の少なくとも一部とは、同じ金属材料によって互いに連続して一体に形成されている、
付記1記載の電子デバイス。
(付記3)
前記膜部材は、前記固定電極の少なくとも一部に対して固定されている、
付記1または2記載の電子デバイス。
(付記4)
前記支持部は、前記可動電極の上方において開口する開口部を有し、
前記可動電極は、前記開口部を介して前記膜部材と対向している、
付記3記載の電子デバイス。
(付記5)
前記壁部はグランド電位に接続され、かつ、前記壁部の一部が前記可動電極および前記固定電極からなる信号ラインに対して平行に設けられている、
付記1ないし4のいずれかに記載の電子デバイス。
(付記6)
前記膜部材は、フォトレジストまたはポリイミドを含む封止膜と、二酸化シリコンを含む保護膜とを有する、
付記1ないし5のいずれかに記載の電子デバイス。
(付記7)
基板と、
前記基板の上方に設けられた可動電極と、
前記可動電極に対向して設けられた固定電極と、
前記基板上において前記可動電極および前記固定電極を囲むように設けられ、前記可動電極および前記固定電極よりも高さが高い壁部と、
前記可動電極および前記固定電極との間に間隙を有した状態で前記壁部に固定されて設けられ、前記可動電極および前記固定電極を含む空間を封止するための膜部材と、
を含むことを特徴とする電子デバイス。
(付記8)
前記基板上において前記壁部の内側に設けられ、前記膜部材を前記空間の内側から支持する支持部と、
を含む付記7記載の電子デバイス。
(付記9)
前記可動電極または前記固定電極を前記基板に対して支持する部分であってかつそれらに対して電気的な接続を行うための電極基部が、前記壁部と同じ高さに形成されており、
前記膜部材は、前記電極基部によって前記空間の内側から支持されている、
付記7または8記載の電子デバイス。
(付記10)
前記膜部材は、複数の貫通電極を有したキャップ基板であり、
前記複数の貫通電極が、前記電極基部および前記壁部に電気的に接続されている、
付記9記載の電子デバイス。
(付記11)
前記壁部は、その内部に、前記可動電極と前記固定電極との間の空間を形成するための犠牲層が残留した状態で形成されている、
付記7ないし10のいずれかに記載の電子デバイス。
(付記12)
可動電極と、前記可動電極に対向する固定電極と、を含む複数の構造物を、基板上に形成する工程と、
前記複数の構造物を互いに隔てる格子状の壁部を前記基板上に形成する工程と、
前記壁部の上面に固定される可撓膜を形成することによって前記複数の構造物を前記可撓膜により覆う工程と、
前記可撓膜、前記壁部、および前記基板を、前記壁部に沿って切断し、前記構造物ごとに個片化する工程と、
を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
(付記13)
前記複数の構造物には、前記可動電極よりも高い位置まで延び、前記可動電極および前記固定電極とは別に設けられた支持部が含まれる、
付記12記載の電子デバイスの製造方法。
(付記14)
前記支持部および前記壁部をメッキによって互いに同時に形成する、
付記13記載の電子デバイスの製造方法。
(付記15)
前記可動電極を前記基板上に形成した後で、前記可動電極および前記基板の上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層に対し、前記可動電極と前記固定電極との間の空間を形成するためにかつ前記壁部の一部に対応する部分が残留するようにパターニングする工程と、
前記犠牲層をパターニングした後で、前記壁部および前記固定電極をメッキによって形成するとともに、前記壁部の一部に対応する前記犠牲層の残留部分をメッキによって覆う工程と、
を含む付記12記載の電子デバイスの製造方法。
1E MEMS可変キャパシタ(電子デバイス)
11,11UH 基板
12 可動コンタクト電極(可動電極)
13 固定コンタクト電極(固定電極)
14 可動駆動電極(可動電極)
15 固定駆動電極(固定電極)
17 壁部
12c,13c,14c,15d,17e 残留犠牲層
18 支持部
19 バンプ
20 膜部材
20a 封止膜
20b 保護膜
21 下部電極(固定電極)
22 上部電極(可動電極)
31,32,33 犠牲層
40 キャップ基板(膜部材)
42、43 貫通電極
KA 開口部
SL 信号ライン
Claims (8)
- 基板と、
前記基板の上方に設けられた可動電極と、
前記可動電極に対向して設けられた固定電極と、
前記基板上において前記可動電極および前記固定電極を囲むように設けられた壁部と、 前記可動電極および前記固定電極の上方において前記壁部に固定されて設けられ、前記可動電極および前記固定電極を含む空間を封止するための膜部材と、
前記基板上において前記壁部の内側に設けられ、前記膜部材を前記空間の内側から支持するために前記可動電極および前記固定電極とは別に設けられた支持部と、を含み、
前記膜部材は、前記固定電極の少なくとも一部に対して固定されている、
ことを特徴とする電子デバイス。 - 前記支持部は、前記可動電極の上方において開口する開口部を有し、
前記可動電極は、前記開口部を介して前記膜部材と対向している、
請求項1記載の電子デバイス。 - 前記壁部はグランド電位に接続され、かつ、前記壁部の一部が前記可動電極および前記固定電極からなる信号ラインに対して平行に設けられている、
請求項1または2記載の電子デバイス。 - 基板と、
前記基板の上方に設けられた可動電極と、
前記可動電極に対向して設けられた固定電極と、
前記基板上において前記可動電極および前記固定電極を囲むように設けられ、前記可動電極および前記固定電極よりも高さが高い壁部と、
前記可動電極および前記固定電極との間に間隙を有した状態で前記壁部に固定されて設けられ、前記可動電極および前記固定電極を含む空間を封止するための膜部材と、を含み、
前記可動電極または前記固定電極を前記基板に対して支持する部分であってかつそれらに対して電気的な接続を行うための電極基部が、前記壁部と同じ高さに形成されており、 前記膜部材は、前記電極基部によって前記空間の内側から支持されている、
ことを特徴とする電子デバイス。 - 前記基板上において前記壁部の内側に設けられ、前記膜部材を前記空間の内側から支持する支持部と、
を含む請求項4記載の電子デバイス。 - 前記壁部は、その内部に、前記可動電極と前記固定電極との間の空間を形成するための犠牲層が残留した状態で形成されている、
請求項4または5記載の電子デバイス。 - 可動電極と、前記可動電極に対向する固定電極と、を含む複数の構造物を、基板上に形成する工程と、
前記複数の構造物を互いに隔てる格子状の壁部を前記基板上に形成する工程と、
前記壁部の上面に固定される可撓膜を形成することによって前記複数の構造物を前記可撓膜により覆う工程と、
前記可撓膜、前記壁部、および前記基板を、前記壁部に沿って切断し、前記構造物ごとに個片化する工程と、
を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 前記可動電極を前記基板上に形成した後で、前記可動電極および前記基板の上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層に対し、前記可動電極と前記固定電極との間の空間を形成するためにかつ前記壁部の一部に対応する部分が残留するようにパターニングする工程と、
前記犠牲層をパターニングした後で、前記壁部および前記固定電極をメッキによって形成するとともに、前記壁部の一部に対応する前記犠牲層の残留部分をメッキによって覆う工程と、
を含む請求項7記載の電子デバイスの製造方法。
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