JP4447940B2 - マイクロスイッチング素子製造方法およびマイクロスイッチング素子 - Google Patents
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Description
S1,S2,S3 基板
11,41 固定コンタクト電極
12,42 固定駆動電極
20 支持部
20’,60’ 犠牲層
30,50 可動梁部
31,51 膜体
32,52 可動コンタクト電極
33,53 可動駆動電極
34,54 配線部
43A,43B,43C 電極パッド
45A,45B,45C バンプ
60 支持スペーサ
70 内シール壁
90 周シール壁
Claims (6)
- 基板と、
相互に離隔して前記基板に固定された一対の支持部と、
前記一対の支持部を架橋する膜体、並びに、当該膜体上に配された可動コンタクト電極および可動駆動電極、を有する可動梁部と、
前記可動コンタクト電極に対向する一対の固定コンタクト電極と、
前記可動駆動電極と協働して静電気力を発生させるための固定駆動電極と、を備えるマイクロスイッチング素子を製造するための方法であって、
基板上に犠牲層を形成するための犠牲層形成工程と、
前記犠牲層上に膜体を形成するための膜体形成工程と、
前記膜体上の可動コンタクト電極および可動駆動電極を形成するための工程と、
相互に離隔して前記基板および前記膜体の間に介在する一対の支持部が残存形成されるように、前記犠牲層に対して前記膜体を介してエッチング処理を施すための支持部形成工程と、
固定駆動電極および一対の固定コンタクト電極を追加基板上に形成するための工程と、
前記追加基板上に複数の電極パッドを形成するための工程と、
前記可動コンタクト電極と前記一対の固定コンタクト電極とが対向し、且つ、前記可動駆動電極と前記固定駆動電極とが対向するように、前記基板および前記追加基板を少なくとも一つの接合壁を介して接合するための工程と、
前記基板、前記一対の支持部、および前記可動梁部よりなる積層の構造を含む構造体において、前記積層の方向に当該構造体を貫通する複数の貫通孔を、前記追加基板上の前記複数の電極パッドに対応した位置に形成するための工程と、
各貫通孔における前記電極パッド上にバンプを形成するための工程と、を含み、
前記支持部形成工程では、前記基板と前記膜体の間に介在する前記犠牲層の一部にアンダーカットが入るように当該犠牲層に対してエッチング処理を施して、当該犠牲層において前記一対の支持部を残存形成し、
前記基板、前記追加基板、および前記接合壁は、前記可動コンタクト電極、前記一対の固定コンタクト電極、前記可動駆動電極、および前記固定駆動電極を素子外部から隔絶し、
前記複数の電極パッドは、前記可動駆動電極と電気的に接続された電極パッド、前記固定コンタクト電極と電気的に接続された電極パッド、および、前記固定駆動電極と電気的に接続された電極パッドを含み、
各貫通孔における前記追加基板側の開口は前記電極パッドによって閉塞されている、マイクロスイッチング素子製造方法。 - 前記犠牲層はシリコンよりなり、前記膜体は二酸化シリコンまたは窒化シリコンよりなる、請求項1に記載のマイクロスイッチング素子製造方法。
- 前記犠牲層は二酸化シリコンよりなり、前記膜体はシリコンよりなる、請求項1に記載のマイクロスイッチング素子製造方法。
- 前記膜体の厚さは1.5μm以上である、請求項1から3のいずれか一つに記載のマイクロスイッチング素子製造方法。
- 第1基板およびこれに対向する第2基板と、
相互に離隔して前記第1基板に固定された一対の支持部と、
前記一対の支持部を架橋する膜体、並びに、当該膜体上に配された可動コンタクト電極および可動駆動電極を有し、前記第1基板および前記第2基板の間に位置する可動梁部と、
前記第2基板上に設けられて前記可動コンタクト電極に対向する一対の固定コンタクト電極と、
前記可動駆動電極と協働して静電気力を発生させるための、前記第2基板上に設けられた固定駆動電極と、
前記可動駆動電極と電気的に接続された電極パッド、前記固定コンタクト電極と電気的に接続された電極パッド、および、前記固定駆動電極と電気的に接続された電極パッドを含む、前記第2基板上に設けられた複数の電極パッドと、
前記第1基板および前記第2基板の間に介在する接合壁と、を備え、
前記第1基板、前記第2基板、および前記接合壁は、前記可動コンタクト電極、前記一対の固定コンタクト電極、前記可動駆動電極、および前記固定駆動電極を素子外部から隔絶すし、
前記第1基板、前記一対の支持部、および前記可動梁部よりなる積層の構造を含む構造体は、前記積層の方向に当該構造体を貫通する複数の貫通孔を有し、当該複数の貫通孔は、前記第2基板上の前記複数の電極パッドに対応した位置に設けられており、各貫通孔における前記第2基板側の開口は前記電極パッドによって閉塞されており、各貫通孔における前記電極パッド上にバンプが設けられている、マイクロスイッチング素子。 - 前記一対の支持部は、前記第1基板および前記可動梁部の間に一旦介在する犠牲層の一部にアンダーカットが入るように当該犠牲層に対してエッチング処理を施して、当該犠牲層において残存形成されたものである、請求項5に記載のマイクロスイッチング素子。
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