JP5951344B2 - Memsデバイスおよびその製造方法 - Google Patents
Memsデバイスおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5951344B2 JP5951344B2 JP2012103646A JP2012103646A JP5951344B2 JP 5951344 B2 JP5951344 B2 JP 5951344B2 JP 2012103646 A JP2012103646 A JP 2012103646A JP 2012103646 A JP2012103646 A JP 2012103646A JP 5951344 B2 JP5951344 B2 JP 5951344B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- spring portion
- anchor
- spring
- upper electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0018—Structures acting upon the moving or flexible element for transforming energy into mechanical movement or vice versa, i.e. actuators, sensors, generators
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00134—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems comprising flexible or deformable structures
- B81C1/0019—Flexible or deformable structures not provided for in groups B81C1/00142 - B81C1/00182
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00134—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems comprising flexible or deformable structures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0145—Flexible holders
- B81B2203/0163—Spring holders
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
図1乃至図13を用いて、本実施形態に係るMEMSデバイスについて説明する。本実施形態では、上部電極20と第2アンカー部21とを接続する第2ばね部30が、上部電極20の上面上から第2アンカー部21の上面上まで連接して形成され、その間において段差なく水平に形成される。これにより、MEMSデバイスにおいて、所望の特性を備えた形状の第2ばね部30を形成することができる。以下に、本実施形態について詳説する。
まず、図1および図2を用いて、本実施形態に係るMEMSデバイスの構造について説明する。
次に、図3乃至図11を用いて、本実施形態に係るMEMSデバイスの製造方法について説明する。
上記実施形態によれば、上部電極20と第2アンカー部21とを接続する第2ばね部30が、上部電極20の上面上から第2アンカー部21の上面上まで連接して形成され、その間において段差なく水平に形成される。すなわち、第2ばね部30は、上部電極20の上面上、第2アンカー部21の上面上、および中空状態において、同レベルに形成される。これにより、第2ばね部30が段差部を有して膜質が劣化することを抑制することができる。したがって、第2ばね部30が切断されたり、細く形成されることによって耐久性が劣化したりすることを抑制できる。すなわち、MEMSデバイスにおいて、所望の特性を備えた形状の第2ばね部30を形成することができる。
図12および図13は、本実施形態に係るMEMSデバイスの製造工程の変形例を示す拡大平面図である。より具体的には、図12および図13は図1のA領域の拡大図である。
Claims (9)
- 基板上に固定された第1電極と、
前記第1電極の上方に対向して配置され、上下方向に可動である第2電極と、
前記基板上に設けられ、前記第2電極を支持するアンカー部と、
前記第2電極と前記アンカー部とを接続するばね部と、
を具備し、
前記第1電極および前記第2電極は可変容量に適用され、
前記ばね部は、前記第2電極の上面上から前記アンカー部の上面上まで連接して形成され、前記ばね部の下面は前記第2電極の上面および前記アンカー部の上面に接続され、前記第2電極の上面上、前記アンカー部の上面上およびその間において前記ばね部の下面が平坦に形成されていることを特徴とするMEMSデバイス。 - 基板上に固定された第1電極と、
前記第1電極の上方に対向して配置され、上下方向に可動である第2電極と、
前記基板上に設けられ、前記第2電極を支持するアンカー部と、
前記第2電極と前記アンカー部とを接続するばね部と、
を具備し、
前記第1電極および前記第2電極は可変容量に適用され、
前記ばね部は、前記第2電極の上面上から前記アンカー部の上面上まで連接して形成され、前記ばね部の下面は前記第2電極の上面および前記アンカー部の上面に接続され、前記第2電極の上面上、前記アンカー部の上面上およびその間において前記ばね部の下面が段差を有していないことを特徴とするMEMSデバイス。 - 前記ばね部は、脆性材料で構成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のMEMSデバイス。
- 前記ばね部の下部に形成され、前記第2電極と前記アンカー部とを接続する金属層をさらに具備することを特徴とする請求項1、請求項2または請求項3のいずれかに記載のMEMSデバイス。
- 基板上に、固定された第1電極を形成する工程と、
全面に、犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層上に、金属層を形成する工程と、
前記金属層上に、ばね部を形成する工程と、
前記金属層をエッチングすることにより、前記ばね部により接続される第2電極およびアンカー部を形成する工程と、
を具備し、
前記ばね部は、前記第2電極の上面上から前記アンカー部の上面上まで連接して形成されていることを特徴とするMEMSデバイスの製造方法。 - 前記第1電極および前記第2電極は可変容量に適用され、
前記ばね部の下面は前記第2電極の上面および前記アンカー部の上面に接続され、前記第2電極の上面上、前記アンカー部の上面上およびその間において前記ばね部の下面が平坦に形成されていることを特徴とする請求項5に記載のMEMSデバイスの製造方法。 - 前記第1電極および前記第2電極は可変容量に適用され、
前記ばね部の下面は前記第2電極の上面および前記アンカー部の上面に接続され、前記第2電極の上面上、前記アンカー部の上面上およびその間において前記ばね部の下面が段差を有していないことを特徴とする請求項5に記載のMEMSデバイスの製造方法。 - 前記金属層のエッチングの前に、前記金属層上にレジストを形成し、前記レジストをパターニングする工程をさらに具備し、
前記金属層のエッチングにより形成される最小幅を有する金属層パターン上の前記レジストの幅は、前記ばね部の幅よりも大きいことを特徴とする請求項5、請求項6または請求項7のいずれかに記載のMEMSデバイスの製造方法。 - 前記金属層のエッチングは、等方性エッチングにより行われることを特徴とする請求項5、請求項6、請求項7または請求項8のいずれかに記載のMEMSデバイスの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012103646A JP5951344B2 (ja) | 2012-04-27 | 2012-04-27 | Memsデバイスおよびその製造方法 |
TW102108447A TW201408581A (zh) | 2012-04-27 | 2013-03-11 | Mems裝置及其製造方法 |
US13/839,600 US20130285164A1 (en) | 2012-04-27 | 2013-03-15 | Mems device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012103646A JP5951344B2 (ja) | 2012-04-27 | 2012-04-27 | Memsデバイスおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013230520A JP2013230520A (ja) | 2013-11-14 |
JP5951344B2 true JP5951344B2 (ja) | 2016-07-13 |
Family
ID=49476549
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012103646A Expired - Fee Related JP5951344B2 (ja) | 2012-04-27 | 2012-04-27 | Memsデバイスおよびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130285164A1 (ja) |
JP (1) | JP5951344B2 (ja) |
TW (1) | TW201408581A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210119254A (ko) * | 2020-03-23 | 2021-10-05 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | Mems 디바이스의 기계적 견고성을 강화하기 위한 복합 스프링 구조물 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013230523A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Toshiba Corp | Mems素子 |
JP2014155980A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Toshiba Corp | 電気部品およびその製造方法 |
TWI476435B (zh) | 2013-03-20 | 2015-03-11 | Largan Precision Co Ltd | 結像鏡頭系統組 |
CN105366627B (zh) * | 2015-11-24 | 2017-03-22 | 中北大学 | 一种适应高过载环境的mems器件保护机构 |
CN105782697B (zh) * | 2016-05-06 | 2017-11-07 | 中北大学 | 一种适用于高过载环境的mems器件激活机构及保护方法 |
US10442680B2 (en) * | 2016-06-14 | 2019-10-15 | Mems Drive, Inc. | Electric connection flexures |
JP2019033631A (ja) * | 2017-08-09 | 2019-02-28 | 国立大学法人静岡大学 | Mems振動素子、mems振動素子の製造方法および振動発電素子 |
CN112038091B (zh) * | 2020-08-04 | 2022-08-19 | 厚元技术(香港)有限公司 | 一种基于mems结构的可调电容 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04143627A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-18 | Yamatake Honeywell Co Ltd | 静電容量式圧力センサおよびその製造方法 |
US5578976A (en) * | 1995-06-22 | 1996-11-26 | Rockwell International Corporation | Micro electromechanical RF switch |
US6768403B2 (en) * | 2002-03-12 | 2004-07-27 | Hrl Laboratories, Llc | Torsion spring for electro-mechanical switches and a cantilever-type RF micro-electromechanical switch incorporating the torsion spring |
KR100467318B1 (ko) * | 2002-06-04 | 2005-01-24 | 한국전자통신연구원 | 저항식 전자기계적 접촉을 이용하는 미세전자기계적 소자 |
FR2845075B1 (fr) * | 2002-09-27 | 2005-08-05 | Thales Sa | Microcommutateurs a actuation electrostatique a faible temps de reponse et commutation de puissance et procede de realisation associe |
JP4447940B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2010-04-07 | 富士通株式会社 | マイクロスイッチング素子製造方法およびマイクロスイッチング素子 |
TW200746868A (en) * | 2006-02-24 | 2007-12-16 | Yamaha Corp | Condenser microphone |
JP2010135634A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP5050022B2 (ja) * | 2009-09-16 | 2012-10-17 | 株式会社東芝 | Memsデバイス |
JP5318135B2 (ja) * | 2011-03-16 | 2013-10-16 | 株式会社東芝 | 静電アクチュエータ |
-
2012
- 2012-04-27 JP JP2012103646A patent/JP5951344B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-03-11 TW TW102108447A patent/TW201408581A/zh unknown
- 2013-03-15 US US13/839,600 patent/US20130285164A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210119254A (ko) * | 2020-03-23 | 2021-10-05 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | Mems 디바이스의 기계적 견고성을 강화하기 위한 복합 스프링 구조물 |
KR102386555B1 (ko) * | 2020-03-23 | 2022-04-14 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | Mems 디바이스의 기계적 견고성을 강화하기 위한 복합 스프링 구조물 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013230520A (ja) | 2013-11-14 |
US20130285164A1 (en) | 2013-10-31 |
TW201408581A (zh) | 2014-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5951344B2 (ja) | Memsデバイスおよびその製造方法 | |
JP5813471B2 (ja) | Mems素子 | |
US20190047849A1 (en) | Mems microphone and method of manufacturing the same | |
JP2007535797A (ja) | マイクロマシン技術(mems)スイッチ用のビーム | |
JP2011066150A (ja) | Memsデバイス | |
JP4544140B2 (ja) | Mems素子 | |
JP2014184513A (ja) | 電気部品およびその製造方法 | |
JP5305735B2 (ja) | 微小電気機械システム装置およびその製造方法 | |
JP2010135634A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP5784513B2 (ja) | Memsデバイスおよびその製造方法 | |
JP2014155980A (ja) | 電気部品およびその製造方法 | |
JP2007242462A (ja) | メカニカルスイッチ | |
TWI496176B (zh) | 微機電系統裝置和製造微機電系統裝置的方法 | |
JP2014184536A (ja) | 電気部品およびその製造方法 | |
JP2014187262A (ja) | Mems装置 | |
JP5526061B2 (ja) | Mems及びその製造方法 | |
JP2006224219A (ja) | Mems素子の製造方法 | |
US20150232331A1 (en) | Layer structure for a micromechanical component | |
JP2011091318A (ja) | 発電デバイス | |
JP2016129134A (ja) | 多層膜を備えるmems構造体 | |
TWI525777B (zh) | MEMS components | |
JP2019155544A (ja) | Mems素子及びその製造方法 | |
JP2014200857A (ja) | Mems装置及びその製造方法 | |
TWI516436B (zh) | 微機電系統(mems)裝置及其製造方法 | |
JP5180161B2 (ja) | マイクロメカニカル構造体およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20131018 |
|
RD07 | Notification of extinguishment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7427 Effective date: 20131129 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140828 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150917 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150929 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151116 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160608 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5951344 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |