JP2016129134A - 多層膜を備えるmems構造体 - Google Patents
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Abstract
【課題】挿入損失を低減することが可能なMEMSデバイス、特に、MEMSスイッチの製造方法を提供する。【解決手段】基板10上にポスト30,30’及び導電線40を形成するステップと、第1膜層60と、第1膜層が、第2膜層が第2膜層が形成された領域に隣接して形成されていない領域を有するように、ポストの一つの上の領域、及び/又は、導電線上の領域の第1膜層上に第2膜層とを形成することを含む、ポスト及び導電線上に膜を形成するステップとを備える。また、基板上に形成されたポスト及び導電(伝送)線と、ポスト及び導電線上の膜とを備えるMEMSデバイス、特に、MEMSスイッチが提供される。膜は、第1膜層と、第1膜層が、第2膜層が第2膜層が形成された領域に隣接して形成されていない領域を有するように、ポストの一つの上の領域、及び/又は、導電線上の領域の第1膜層上に形成された第2膜層とを含む。【選択図】図2a
Description
本発明は、微小電気機械システム(Micro Electromechanical Systems(MEMS))に関し、特に、多層膜を備えるRF−MEMS(Radio Frequency-Micro Electromechanical System)スイッチに関する。
微小電気機械システム(MEMS)は、センサ、アクチュエータ又は受動素子として、非常に広い多様な用途に用いられている。特に、RF−MEMSは、無線伝送などの無線周波用途や、モバイル通信のような様々な産業において用いられる。例えば、携帯電話では、RF−MEMSは、アンテナ同調又はアンテナ切り替えのRFフロントエンドにおいて用いられうる。MEMS構成要素は、固体デバイスなどの他の技術に比べて、非常に低い挿入損失、スイッチの場合には高いアイソレーション、及び、非常に高い直線性(IIP3で70デシベル超)のような、強力な技術的利点をこれらの用途に提供する。
すなわち、RF−MEMSスイッチについては、作動原理はすべての既存の技術と同じまま、導電性伝送線は電気機械の作動によって開閉される。伝送線の閉鎖は、例えば、伝送線における電気伝導を避けるために互いに分離された伝送線の2つの導電端部から短い距離に位置するビーム、ブリッジ又は膜に装備された導電素子を用いてなされうる。ビーム、ブリッジ又は膜は電気機械的に作動し、装備された導電素子は、例えば、オーミックコンタクトを介して伝送線の2つの導電端部の間の回路を短絡し、導電線を形成し、スイッチを閉鎖する。
前に述べたように、導電素子を支持する部分は、(一方の端部が固定された)ビーム、(2つの端部が固定された)ブリッジ、又は、(自由な又はいくつかの支持を備える)膜でありうる。実施の形態によれば、膜は完全に自由であり、ピラーやストッパによって維持されている(特許文献1及び2参照)。
自由に支持された膜を備える既知のMEMSスイッチ構造の例が図1に示される。自由に支持された膜1を屈曲させるために、MEMS構造体10は、膜の機能部を下げるために可撓性膜を屈曲するように適合された電気作動手段を備える。膜の機能部は、2つのポスト間で、膜の一部の下に装備された導電素子8であり、閉鎖モードでは伝送線を短絡させる。電気下降作動手段は、典型的には、膜1の下に位置する外部作動電極2Aによって構成され、外部作動電極2Aに作動電圧が印加されたときに、ポスト間で膜1に直接静電引張応力を加えるように適合されている。ポスト3のレバー効果と組み合わされたこれらの引張応力は、膜1を曲げることが可能である。
曲がった膜によって、伝送線4へのオーミック接触が、膜の下に現れる接触のおかげで実現される。伝送線4は、RF信号を伝送するように適合されうる。図示の例では、電極2、ポスト3、伝送線4は、同一の基板5上に形成されている。停止位置に戻るか、分離位置(導電要素と導電プロットとの間の間隙が最大である位置)に移動するために、電極2Aの作動電圧は0に戻り、作動電圧は、ポスト3とレバー効果を実行する外部電極2Bに印加され、膜を他方に曲げる。なお、自由に支持された膜スイッチはまた、オーミックコンタクトスイッチではなく、容量性接触スイッチとして機能することができる。
図1を参照して説明したように、MEMSスイッチの最も重要な仕様は、その挿入損失である。近年のエンジニアリングプロセスにもかかわらず、従来のMEMSデバイスは、かなりの挿入損失を示す。従って、本出願の目的は、該技術分野と比較して挿入損失を低減することが可能な、改良されたMEMSデバイス及びその製造方法を提供することである。
上述の目的は、MEMSデバイス、特に、MEMSスイッチの製造方法によって対応できる。方法は、基板上にポスト及び導電(伝送)線を形成するステップ、ポスト及び導電線上に膜を形成するステップとを備える。膜を形成するステップは、第1膜層を形成し、第2膜層が第1膜層に部分的にのみ重なるように、ポストの一つの上(特に、全てのポスト上)の領域、及び/又は、導電線上の領域の第1膜層上に第2膜層を形成することを含む。膜を形成するステップは、第1膜層を形成し、第1膜層が、第2膜層が第2膜層が形成された領域に隣接して形成されていない領域を有するように、第1膜層は、ポストのうちの一つ上(特に、全てのポスト上)の領域及び/又は伝送線上の領域で、第1膜層上に形成される。これにより、第1膜層は、第1膜層上に局所的に形成され、ポスト/導電線上の膜の領域を硬化する。特に、膜を形成するステップは、第1膜層と、(特に、膜が任意のアクチュエータによって曲がることなく、静止状態であるときに)ポスト及び/又は導電線上の領域のみの第1膜層上の第2膜層の形成を含みうる。
第2膜層は、1又はそれ以上のストライプ形状で形成されうる。なお、第2膜層は第1膜層上に局所的に形成されている、すなわち、第2膜層は完全には第1膜層を覆っておらず、ポスト及び/又は導電線に関連する専用の部分上でそれを覆っていることが不可欠である。第2の膜層は、第1のものと同じ材料で形成され、第1のものと同じ厚さ又は異なる厚さを有してもよい。局所的に形成された第2膜層は、ポスト及び/又は伝導線の領域における膜の強化された剛性/厚さを提供する。これにより、静電力の接触力への改善された変換に起因して挿入損失は低減され、改善された機械的な力の伝送に起因してスイッチング速度が増加し、MEMSデバイスの全体的な性能を向上させることができる。
第2膜層は、完全に又は部分的にポスト及び導電線の横方向寸法の全体にわたって延在する、及び/又は、部分的に又は完全にポスト及び/又は導電線の縦方向幅全体を覆う。ここで、「縦(longitudinal)」の用語は、膜の縦軸を表わし、「横方向(transverse)」の用語は、同横軸を表わしている。第2膜層は、その幅方向において、ポスト及び/又は伝送線(導電線)にいくらか重なりうる。例えば、重なりは、ポスト/伝送線の2つの幅又は1つの幅でありうる。第2膜層は、ポストの全ての長さに沿って延びる領域に、又は、ポストに沿って部分的にのみ、形成され、ポストを完全に又は部分的に覆い、ポストの幅の1/4から4倍の範囲の幅を有する。第2膜層は、(横方向の)伝送線の全ての長さに沿って延びる領域に、又は、伝送線に沿って部分的にのみ、形成され、伝送線を完全に又は部分的に覆い、伝送線の幅の1/4から4倍の範囲の幅又はそれ以上を有する。
実施の形態によれば、方法は、さらに、第1膜層と第2膜層との間に第3膜層を形成し、第3膜層は、第1膜層の側方部を露出する側方凹(R)を備え、第1膜層の移動を制限するストッパを形成する。第3膜層によって露出された第1膜層の側方部は、原理的には、他の材料層により覆われている。凹部は、第3膜層の端部で、膜の縦方向に配置されている(以下の詳細な説明参照)。MEMSデバイスの動作中、ストッパは、第3膜層の凹部において第1膜層のエッジに接触するように配置される。
動作において、第1膜層は、当該第1膜層に接触したときに第3膜層に接触しない、第3膜層の凹部内に部分的に延びるストッパに接触しうる。膜の自由移動距離は、ストッパと第1膜層の端部との間の間隙により与えられる。製造プロセス中、薄い厚さの犠牲層が膜上に適用されるため、第1膜層は、従来用いられた均一な厚みの膜よりも薄く、膜の自由移動距離は従来と比較して減少し、それにより、動作の信頼性が向上される。
実施の形態によれば、第1膜層は、犠牲ベース層上に形成され、さらに、第1膜層及び第1膜層に覆われていない犠牲ベース層の一部の上に犠牲層を形成し、ストッパの形成は、犠牲層上にストッパ層を形成し、ストッパ層をパターニングして、ストッパを形成する。犠牲ベース層はまた、犠牲層の除去の後に、又は、前に、あるいは、同時に除去される。犠牲ベース層の除去の後、膜は、基板上に形成されたポスト上に落ちる。
本発明の方法の例は、さらに、第1膜層の一部から犠牲層を除去し、第3膜層を除去の処理によって露出された第1膜層の一部上に形成することを含む。ストッパ層及びストッパは、第1膜層の一部上の犠牲層を除去する前に形成される。
ここで、第3膜層のパターニング、又は、ストッパと第3膜層の形成に用いられる電気めっき処理の犠牲層から電気めっきシード層を除去するプロセスの間、第1膜層は望ましくないアタックを受けるという問題が考えられる(以下の詳細な説明参照)。犠牲層と第1膜層との間のいくらかのミスマッチに起因して、犠牲層の除去の前に必要なエッチング処理によって第1膜層がアタックを受けるというリスクが存在する。このリスクを回避するために、第3膜層の凹部に張り出る第3膜層の張り出し部が形成される。
従って、本発明の上述の例は、第3膜層の側方の凹部の凹部上に、第3膜層の張り出し部を形成することを含む。具体的には、方法は、犠牲ベース層上に第1膜層を形成し、第1膜層上及び第1膜層に覆われていない犠牲ベース層の一部の上に犠牲層を形成し、第1膜層の一部から犠牲層を除去し、第1膜層の一部上、及び、残った犠牲層上に電気めっきシード層を形成する。続いて、金型が、第1膜層の一部上、及び、第1膜層の一部に隣接する電気めっきシード層の一部上の、電気めっきシード層を露出して、電気めっきシード層上に形成され、金型を用いて、電気めっきにより、電気めっきシード層上に(ストッパ及び第3膜層を提供する)材料層の電着が実行される。続いて、金型が除去され、第1膜層の一部の上の電気めっきシード層が除去され、犠牲層が除去される。
代替的に、本発明の方法の例は、犠牲ベース層上に第1膜層を形成し、第1膜層上及び第1膜層に覆われていない犠牲ベース層の一部の上に犠牲層を形成し、第1膜層の一部から犠牲層を除去し、第1膜層の一部及び第1膜層の一部に隣接する犠牲層の一部上に、第3膜層を形成する。
張り出し部形成のプロセスは、局所的な第2膜層を設けるプロセスから独立して実行されうる。これにより、犠牲ベース層上に第1膜層を形成し、第1膜層上に追加の膜層(局所的に厚い膜からなる上述の例に置いて説明した第3膜層に相当)を形成し、追加の膜層は、第1膜層の側方部を露出する側方凹部を含む、MEMSデバイス、特にMEMSスイッチ又はキャパシタの製造方法が提供される。しかしながら、それは、任意の他の材料層により覆われていてもよい。追加の膜層の形成は、追加の膜層の側方凹部の凹部上に追加の膜層の張り出し部を形成することを含む。追加の局所的に形成された膜層の手段によって、局所的に肥厚/硬化されていない、このMEMSデバイスの製造方法は、犠牲ベース層上に第1膜層を形成し、第1膜層上及び第1膜層に覆われていない犠牲ベース層の一部の上に犠牲層を形成し、第1膜層の一部から犠牲層を除去し、第1膜層の一部上、及び、残った犠牲層上に電気めっきシード層を形成する。
続いて、金型が、第1膜層の一部上、及び、第1膜層の一部に隣接する電気めっきシード層の一部上の、電気めっきシード層を露出して、電気めっきシード層上に形成され、金型を用いて、電気めっきにより、電気めっきシード層上に(上述のストッパ及び第3膜層を提供する)材料層の電着が実行される。続いて、金型が除去され、第1膜層の一部の上の電気めっきシード層が除去され、犠牲層が除去される。
代替的に、本発明の方法の例は、犠牲ベース層上に第1膜層を形成し、第1膜層上及び第1膜層に覆われていない犠牲ベース層の一部の上に犠牲層を形成し、第1膜層の一部から犠牲層を除去し、第1膜層の一部及び第1膜層の一部に隣接する犠牲層の一部上に、追加の膜層(局所的に厚い膜を含む上記の実施例との関連で説明した第3膜層に相当)を形成する。
実施の形態によれば、上述の目的を解決するために、MEMSデバイス、特に、MEMSスイッチが提供される。MEMSデバイスは、基板上に形成されたポスト及び導電(伝送)線と、ポスト及び導電線上の膜とを備える。膜は、第1膜層と、第2膜層が第1膜層に部分的にのみ重なるように、ポストの一つの上の領域、及び/又は、導電線上の領域の第1膜層上に形成された第2膜層とを含む。具体的には、第1膜層は、第2膜層が形成された領域に隣接して第2膜層が形成されない領域を有する。第2膜層は、第1膜層上に局所的に形成された、1又はそれ以上のストライプ又は他のパッチを含みうる。特に、第2膜層は、ポスト及び/又は導電線上の領域のみに形成されてもよい。
MEMSデバイスの実施の形態によれば、第2膜層は、完全に又は部分的にポスト及び導電線の横方向寸法の全体にわたって延在する、及び/又は、部分的に又は完全にポスト及び導電線の縦方向幅全体を覆う。第2膜層は、その幅方向において、ポスト及び/又は伝送線(導電線)にいくらか重なりうる。例えば、重なりは、ポスト/伝送線の2つの幅又は1つの幅でありうる。第2膜層は、ポストの全ての(横方向の)長さに沿って延びる領域に、又は、ポストに沿って部分的にのみ、形成され、ポストを完全に又は部分的に覆い、ポストの幅の1/4から2倍の範囲の幅を有する。第2膜層は、(横方向の)伝送線の全ての長さに沿って延びる領域に、又は、伝送線に沿って部分的にのみ、形成され、伝送線を完全に又は部分的に覆い、伝送線の幅の1/4から2倍の範囲の幅又はそれ以上を有する。
MEMSデバイスは、第1膜層と第2膜層との間の第3膜層と、第1膜層の移動を制限するストッパとをさらに備え、第3膜層は、第1膜層の側方部を露出する側方凹部を含む。第3膜層によって露出された第1膜層の側方部は、原理的には、他の材料層により覆われている。具体的には、MEMSデバイスの動作中、ストッパは、第3膜層の凹部において第1膜層のエッジに接触するように配置される。
他の実施の形態によれば、MEMSデバイスの第3膜層は、第3膜層の側方の凹部の凹部上に、張り出し部を備える。第3膜層は、例えば、全ての凹部上に延びる張出し部を備えうる。
本発明の他の特徴及び利点は、図面を参照して説明されうる。説明では、発明の好ましい実施の形態の説明することを意図している添付の図面が参照される。このような実施の形態は、本発明のすべての範囲を表わすものではないことを理解されたい。
ここで、局所的な肥厚部を有する可動膜を備える、MEMSデバイス、特に、MEMSスイッチの製造方法について説明する。膜は、導電性合金又は金属から形成されうる。原理的には、MEMSデバイスは、容量性又はオーミックコンタクトスイッチでありうる。
図2aから2cを参照すると、本発明の実施例によれば、MEMSスイッチは、スイッチの基板を形成する(例えば、シリコンからなる)ウエハ10を備える。パッシベーション層のような、薄い誘電体層20は、ウエハ10の表面上に堆積されている。誘電体層20上において、スイッチは、縦方向Xに離間し、各ピラー30、30’は図2aの横方向に延びている、2つの側方ピラー(ポスト)30、30’と、横方向Yに延びる1つの中央ピラー(ポスト)40であって、2つの側方ピラー30、30’間、例えば、側方ピラー30、30’の中央に位置する該中央ピラー40と、膜層60を含む膜を備える。中央ピラー40の上面は、容量性スイッチ構造のための、薄い誘電体層50によって覆われていてもよい。しかしながら、伝送線の、閉状態において膜の下の接触によって短絡される、互いに離れた2つの配線への分離の表現と同様に、オーミックスイッチのためには、膜層60の下の導電部と中央ピラーの直接接触が必要であり、すなわち、誘電体層50は省略される。
2つの側方ピラー30、30’及び中央ピラー40は、コプレーナ導波路(CPW)を形成し、2つの側方ピラー30、30’は接地線に対応する。中央ピラー40は、コプレーナ導波路(CPW)中のRF電気信号を伝送する信号線(伝送線)を形成する。他の変形例では、RF信号線はまた、マイクロストリップ導波管の手段によって実現されうる。側方ピラー30、30’及び中央ピラー40は、例えば、金又は金合金等の金属によって形成される。
MEMSスイッチはさらに、薄い可撓膜によって構成されたスイッチ素子を備えている。膜層60を備える該可撓膜は、ピラー30、30’、中央ピラー40上に移動可能に配置されている。膜層60の縦方向は、前記縦方向Xに平行であり、前記横方向Yに垂直である。膜層60の両端60b、60cは、基板10に固定されておらず、膜は、側方ピラー30、30’によって自由に支持されている(図2a)。図1aに示す他の変形例では、可撓スイッチ膜層60は、中央ピラー40から離れて配置され、中央ピラー40によって支持されない。他の変形例では、可撓スイッチ膜層60は、中央ピラー40により指示される。可撓膜層60は金属、たとえば、アルミニウム、金、又は他の導電性合金等の金属により形成される。図示された例では、MEMSスイッチはまた、側方ピラー30、30’の上方に配置されたストッパ30aを備え、膜層60の中央部が自由に配置される通路を形成する。これらのストッパは図2aにおいて示されているが、明確にするために、図2b、2cにおいては示されていない。これらのストッパ30aは、側方ピラー30、30’上に膜を維持するために用いられ、スイッチの通常の使用中の膜層60の側方ピラー30に対する自由な相対移動を妨げない。
MEMSスイッチは、さらに、膜層60を縦方向に下に曲げ、図2bの押し下げ状態にするために用いられる静電下降作動手段70、膜層60を縦方向に上に曲げ、図2cの押し上げ状態にするために用いられる静電上昇作動手段を備える。
静電下降作動手段は、2つの内部電極70a、70bによって形成されている。これらは、膜層60の機能部の下に配置されている。内部電極70aは、側方ピラー30と中央ピラー40との間に延びている。内部電極70bは、中央ピラー40と側方ピラー30’との間に延びている。静電上昇作動手段は、2つの外部電極80a、80bを備えている。スイッチがRF容量性スイッチである場合、膜層60と電極間のオーミックコンタクトを避けるために、各電極70a、70b、80a、80bの上面は誘電体層90により覆われている(図2a)。しかしながら、いくつかの実施の形態では、直接接触を避けるために、保護バンプを特徴とし、誘電体層90を省略することができる。
作動電圧が電極70a、70b、80a、80bに印加されていない場合、スイッチの膜層60は、図2aの休止位置にある。この休止状態では、膜層60は、実質的に平坦であり、ピラー30、30’によって、膜層60と基板10との間に所定のギャップgを有して支持される。他の変形例では、膜は休止状態で屈曲しうる。作動電圧が内部電極70a、70bに印加されたとき、静電引っ張り力が作動領域内に生成され、ポスト30、30’の間の膜層60の機能部分を引き下ろす。この引っ張り力は、図2bの押し下げ状態に、膜層60を下に(負のZ方向に)曲げる。この押し下げ状態では、ピラー30、30’のレバー効果に起因して、基板10と膜層60の各端部60b、60cの間のギャップGintが大きく、特に、休止状態のギャップgよりも大きくなる。図2bの押し下げ状態から図2cの押し上げ状態へ膜を移動させるために、作動電圧は内部電極70a、70bに印加されず、同時に作動電圧は外部電極80a、80bに印加される。静電力は、上昇作動領域に生成され、ピラー30、30’の外側の膜層60の不機能部分を引き下げる。特に、静電引き下げ力は、膜層60の各不機能部分に、側方ピラー30又は30’の両側に同時に負のZ方向に作用する。他の変形例では、膜層60を押し下げ状態から押し上げ状態へ移行させるため、第1ステップにおいて、電極70a、70bの作動電圧を維持しつつ、作動電圧が電極80a、80bに印加されうる。そして、第2ステップにおいて、所定の期間の後に(例えば、持続期間はスイッチの切り替え時間に相当する)、電極70a、70bに作動電圧を印加しない。
これまでの説明は、欧州特許出願公開第2230679号明細書のMEMSデバイスの説明に従った。欧州特許出願公開第2230679号明細書に開示されているように、実際には、膜のための同様の形状を選択することができる。しかしながら、図2aから2cに示される実施例は、欧州特許出願公開第2230679号明細書に記載のMEMSデバイスと、膜層60上に(over)(例えば、上に(on))局所的に形成された追加の膜層66を設けることにより、局所的に肥厚/硬化された膜となる点で異なる。追加の膜層66は、ピラー30、30’、中央ピラー40上の領域に形成され、膜の機械的安定背を増強する。これは、ピラー30、30’、中央ピラー40の横方向寸法の全体に沿って延在しうる。追加の膜層66の幅(長手方向)は、それぞれ、ピラー30、30’、中央ピラー40の幅を超えうる。追加の膜層66は、膜層60と同じ材料で形成されうる。
オーミックMEMSスイッチでは、伝送は、(ピラー40における)金属接触を介して行われ、接触力が強いほど、スイッチの導電率が高く、スイッチの挿入損失が低くなる。物理的に、これは、ナノスケールレベルで、接触電極間(例えば、伝送線4)の接触が、均一でなく、粗い接触面の複数の凹凸によって形成されるという事実によって説明される。このため、接触力を増大させることは、より多くの凹凸が直接物理的に接触するように、接触面積をより大きくすることを可能にする。この静電力は、本質的に、制限された電極の大きさ、接触構造、及び、制限された作動電圧のような、スイッチのいくつかの態様により制限される。従って、接触力を高め、挿入損失を低減するために、膜構造の最適化は、本明細書で提案される。膜層60の上に形成された追加の膜層66によって膜の剛性を局所的に増加させることによって、電極70a、70b、80a、80bと、コンタクト(伝送線)40との間の力の伝達を最適化し、コンタクト40に適用される機械的な力を増大することが可能となる。
図2aから2cに示すように、(通常、ピラー30、30’の上に)あまり屈曲しない膜の部分と、(電極70a、70b、80a、80bの上に)強い屈曲が要求される部分が存在する。(ピラー30、30’の上の)最も変形が生じない膜の部分は厚くされ、高変形が生じる部分は低剛性で状態が保たれる。同様に、厚くすることは、コンタクト40上においても実行されている。局所的に厚くすることは、膜層60上に形成された追加の膜層66によって提供される。ピラー30、30’の上を厚くすることは、外部電極80a、80bと、膜の内側(機能)部分との間のより良好な力の伝達を可能にする。膜がより硬く形成されるほど、機械的結合がより高くなる。これは、ピラー30、30’の一方の側から、その他方への良好な力の伝達を可能とする。高変形が要求される膜の部分は、膜の要求される全体的な可撓性を保持するために厚くされない(膜層60上のこれらの部分には追加の膜層が形成されない)。この例では、低変形部分のみが、この可撓性に影響しないように硬くされる。コンタクト40上の部分は、閉位置において接触力を増加させるために、追加の膜層66によって厚くされる。閉位置では、変形は、コンタクトレベルに強制される。電極70a、70bによって印加される静電力は、接触力と変形力にコンタクトレベルで変換される。コンタクト40上の剛性を増加させることによって、変形力が低減され、接触力が増大する。これは、静電力に影響を与えることなく、接触力を増大させることによって、適用される静電力の使用の最適化を可能にする。
本発明に係る3層膜を備えるMEMSデバイスの製造方法の例が、図3aから3cに示される。
図3aに示すように、第1膜層101は、犠牲ベース層102の上に(over)形成されている。犠牲ベース層102は、層100の上に形成されている。以下では、例示の目的で、層100は、基板上に形成されたポスト(図2aから2c参照)を表すものとする。最終的に製造された膜は、ポスト上に置かれる(以下の説明参照)。犠牲層103は、第1膜層101及び、第1膜層101によって覆われていない部分の犠牲ベース層102の上に形成されている(図3b参照)。犠牲層103は、例えば、ポリマー又は誘電材料のスピンコーティングによって形成されうる。
ストッパ層は、犠牲層103の上に形成され、層100に結合するストッパ104を形成するためにエッチングされる(図3c参照)。次に、犠牲層103は、第1膜層101の大部分上がエッチングされる。エッチングプロセスの後、犠牲層103は、第1膜層101の比較的小さい側方の領域上のみに残る。露出された第1膜層101の大部分上に、第3膜層105が形成される(図3d参照)。なお、第3膜層105は、必ずしも厳密に第1膜層101の中心としなくてもよい。第1膜層101の表面積は、その上に形成された第3膜層105よりも大きくても小さくてもよい。第3膜層105は、第1膜層101と同じ材料、例えば、導電性合金又は金属材料(例えば、アルミニウム又は金)から形成することができる。ストッパ層と第3膜層105のいずれも、蒸着によって形成することができる。
図3eに示すように、犠牲層103は、例えば、反応性イオンエッチング又はプラズマエッチングにより除去される。得られた第3膜層105は、犠牲層103が除去された第1膜層101の側方部上に配置された、側方凹部Rを表わしている。また、犠牲ベース層102は除去される。犠牲層103及び犠牲ベース層102は、例えば、1回のエッチングプロセス中に除去することができる、又は、それらは、順に除去することができる。犠牲ベース層102の除去の後、第1膜層101及び第3膜層105を備える自由可動膜は、層100上に落ちる(図3eには示されていない)。ストッパ104は、第3膜層105に接触することなく、第3膜層105の凹部内に第1膜層101の端部に接触するように配置されている(第1膜層101及び第3膜層105と、第3膜層105の凹部内に部分的に配置されたストッパ104とを含む構成の上面図を示す図7参照)。第1膜層101にいくつかの部分で接触したとき、ストッパは、第3膜層105の凹部R内に延びる部分で第3膜層105に接触しない。得られた側方の自由移動空間(距離)は、犠牲層の厚さに依存する。合計では、側方の自由移動距離は最大で2A加えられる(図3e参照)。特定の実施例によれば、2Aは、約1μmを超えない。例えば、第1膜層101は、約1μmの厚さを有し、第3膜層105の厚さは約2μm又はそれ以上であり、犠牲層103の厚さは約0.5μmである。
従来に対して、本発明によれば、膜は、第3膜層105の凹部Rで厚い部分と薄い部分とを備える。従来と比較すると、薄い部分は、薄い犠牲層を可能にし、(自由に支持されている)可動膜の小さい側方の自由移動空間(距離)が得られる。小さい側方の自由移動空間は、得られたMEMSスイッチのより信頼性の高い動作を可能にする。
追加の第2膜層106が第3膜層105上に形成される。第2膜層106は、ポスト及び/又は伝送(導電)線上に形成されうる(図2aから2cの追加の膜層66参照)。伝送(導電)線上に形成された場合、第2膜層106が接触力の増大を生じさせることができ、それによりスイッチングプロセスの効率を向上させる。自由移動膜がその上に置かれるポスト上に形成された場合、第2膜層106はポスト上の力の伝達を向上させ、それによりスイッチング処理の加速を可能にする。
図3aから3eに示す例では、第3膜層105は、ストッパ104の形成に続いて形成されている。しかしながら、図3eに示された構成は、様々な方法で形成されうる。具体的には、第3膜層105とストッパ104とは同時に形成されうる。これらの層の厚さは同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。
図4aに示される例によれば、図3bに示された構成は、ストッパ104の形成の前に第1膜層101の大部分上の犠牲層103を除去するために、エッチングされる。犠牲層103は、第1膜層101の異なる側方の領域に保持される。繰り返すが、犠牲層103は、ポリマー又は誘電体材料から形成することができ、例えば、反応性イオンエッチングによりエッチングされうる。第3膜層105は、エッチングされた領域の第1膜層101上に形成される。さらに、ストッパ層は、犠牲層103上に形成され、層100に接続されたストッパ104を形成するためにエッチングされる(図4b参照)。例えば、ストッパ104と第3膜層105は、金属材料又は導電性合金である同じ材料により形成されうる。例えば、ストッパ104と第3膜層105は、同じ処理ステップで形成されうる。処理ステップは、従来から知られている蒸着技術からなりうる。蒸着技術は、例えば、電気めっきシード層続いて、その後、第3膜層105とストッパ104とを形成するためにパターニングされる材料層の電気めっきの堆積を含む。
ストッパ104と第3膜層105の形成の後、犠牲層103が除去される(図4c)。さらに、犠牲ベース層102除去され、第1膜層101及び第3膜層105を備える膜は、層(ポスト)100上に落ちることができる。犠牲ベース層102及び犠牲層103は、最後の膜レベル106を作成した後に除去されうる。図3eに示す実施例と同様に、従来と比較して小さい(自由に支持された)可動膜の側方の自由移動空間(距離)2Aが得られる。追加の第2膜層106は、第3膜層105上に形成される。第2膜層106は、ポスト及び/又は伝送(導電)線上に形成されうる(図2aから2cの追加の膜層66参照)。
図4aから4cに示された実施例の改良版が、図5aから5cに示される。図4aから4cに示された実施例と異なるのは、第3膜層105が、第3膜層105の凹部の方向に延びる張り出し部115を備えている点である。図4bに示す構造に達するために、材料層は、図4aに示す構造上に連続して形成され、パターンマスクによって覆われ、ストッパ104と第3膜層105とを得るためにエッチングされる。
しかしながら、犠牲層103がさらなる手順で適切に除去されることを保証するために、材料層は、犠牲層103上ある程度までオーバーエッチされる必要がある。第3膜層105と犠牲層103との間のいくらかのミスマッチに起因して、材料層のエッチングの間、下にある第1膜層101が(第3膜層105の下端で)アタックを受けうる。このリスクは、図5b及び図5cに示すように、犠牲層103上の張り出し部115の形成によって回避することができる。原理的には、図5aから5cに示された製造プロセスは、第2膜層106の形成に関与してもしなくてもよい。
張り出し部115を含む第3膜層105を有する膜を備えたMEMSデバイスを製造するための他の例が、図6aから6eに示される。示された例では、電気めっきがストッパ104と第3膜層105を形成するために用いられる。例えば、ストッパ104と第3膜層105とは、金により形成される。図6aにおいて、図3bに示された構成は、第1膜層101上の大部分の上の犠牲層103を除去するためにエッチングされる。犠牲層103は、層100上に形成された犠牲ベース層102上に形成されている第1膜層101の異なる側方の領域に保持される(例えば、ポスト、図1、2aから2c参照)。薄い電気めっきシード層107(例えば、薄い金層)は、図6Aに示す構造体上に形成される。次に、金型108が薄い電気めっきシード層107(図6c)上に形成される。金型108は、後続の電気めっきプロセスのために使用される。金型108は、第1膜層101上に形成された電気めっきシード層107の一部に隣接する、犠牲層103上に形成された電気めっきシード層107の一部を露出することを強調すべきである。この露出された部分は、図5cに示されるように、第3膜層105の張り出し部をもたらす。
材料層109は、図6dに示すように、金型108を用いて電気めっきをすることにより形成される。金型108を除去した後、得られたストッパ104及び第3膜層105が図6eに見られる。犠牲層103の除去の前に、犠牲層103上及び電気めっき電気めっきプロセスで用いられる金型108の下に形成されたシード層107が除去される。図5aから5cを参照して説明したように、第3膜層105と犠牲層103との間には、いくらかのミスマッチが存在しうる。しかしながら、示された例示的な製造プロセスにおいて、下にある第1膜層101が(第3膜層105の下端で)アタックを受けるリスクはない。このリスクは、実際には、図6eに示されるように、犠牲層103上の張り出し部115の形成によって回避することができる。第2膜層106の形成及び犠牲層103の除去の後、図5cに示されたものと同様の構成が得られる。
原理的には、図5aから5c、6aから6cに示された製造プロセスは、第2膜層106の形成に関与してもしなくてもよい。
図3e、4c、5cに示す構成の上面図が図7に示される。第2膜層106は、膜がその上に置かれるポスト上、及び、スイッチングプロセスの間、膜の下に装備された導電部によって接触される導電線の第3膜層105の領域上に形成される。ポスト及び導電線は、横方向(上下)に延びている。第2膜層106は、完全に又は部分的に、縦方向及び/又は横方向に膜の下に形成された、ポスト及び/又は伝送線と重なりうる。凹部は、(左から右に)縦方向に沿って配置される。第3膜層105の全体の表面積は、第1膜層101よりも大きくても小さくてもよい。また、第1膜層101及び第3膜層105を備える膜の形状を変化させることができる。例えば、第1及び第3膜層において追加の凹部が長手方向に設けられていてもよい。具体的には、第1及び第3膜層は、伝送線がMEMSデバイスの基板上に配置される長手方向の位置で、側方凹部を備えることができる(図2aから2c参照)。
上述した全ての実施形態は、限定するものでなく、本発明の特徴及び利点を説明する例示として機能する。なお、上述の特徴のいくつか又は全てはまた、様々な方法で組み合わせることができることが理解されるであろう。
Claims (15)
- 基板(10)上にポスト(30、30’、100)及び導電線(40)を形成するステップと、
第1膜層(60、101)を形成し、第2膜層(66、106)が前記第1膜層(60、101)に部分的にのみ重なるように、前記ポスト(30、30’、100)の一つの上の領域、及び/又は、前記導電線(40)上の領域の前記第1膜層(60、101)上に第2膜層(66、106)を形成することを含む、前記ポスト(30、30’、100)及び前記導電線(40)上に膜を形成するステップと、
を備える、
MEMSスイッチのMEMSデバイスの製造方法。 - 前記第2膜層(106)は、完全に又は部分的に前記ポスト(30、30’、100)及び前記導電線(40)の横方向寸法の全体にわたって延在する、及び/又は、部分的に又は完全に前記ポスト(30、30’、100)及び/又は前記導電線(40)の縦方向幅全体を覆う、
請求項1の方法。 - 前記第1膜層(60、101)と前記第2膜層(66、106)との間に第3膜層(105)を形成し、
前記第3膜層(105)は、第1膜層の側方部を露出する側方凹部(R)を備え、
前記第1膜層(60、101)の移動を制限するストッパ(30a、104)を形成する、
請求項1又は2の方法。 - 前記MEMSデバイスの動作中、前記ストッパは、前記第3膜層(105)の前記凹部(R)中に第1膜層(60、101)のエッジに接触するように配置される、
請求項3の方法。 - 第1膜層(101)は、犠牲ベース層(102)上に形成され、
さらに、前記第1膜層(101)及び前記第1膜層(101)に覆われていない前記犠牲ベース層(102)の一部の上に犠牲層(103)を形成し、
前記ストッパ(104)の形成は、
前記犠牲層(103)上にストッパ層を形成し、
前記ストッパ層をエッチングして、ストッパ(104)を形成する、
請求項3又は4の方法。 - さらに、前記第1膜層(101)の一部から前記犠牲層(103)を除去し、
前記第3膜層(105)は、前記除去の処理によって露出された前記第1膜層(101)の一部上に形成される、
請求項3〜5のいずれかに記載の方法。 - 前記ストッパ層及び前記ストッパは、前記第1膜層(101)の一部上の犠牲層(103)を除去する前に形成される、
請求項3〜6のいずれかに記載の方法。 - さらに、前記第3膜層(105)の前記側方凹部(R)の凹部(R)上に、前記第3膜層(105)の張り出し部(115)を形成する、
請求項3〜7のいずれかに記載の方法。 - 犠牲ベース層102上に前記第1膜層(101)を形成し、
前記第1膜層(101)上及び、前記第1膜層(101)に覆われていない前記犠牲ベース層(102)の一部の上に犠牲層(103)を形成し、
前記第1膜層(101)の一部から前記犠牲層(103)を除去し、
前記第1膜層(101)の一部上、及び、残った前記犠牲層(103)上に電気めっきシード層(107)を形成し、
前記第1膜層(101)の一部上、及び、前記第1膜層(101)の一部に隣接する前記電気めっきシード層(107)の一部上の、前記電気めっきシード層(107)を露出する金型(108)を前記電気めっきシード層(107)上に形成し、
前記金型(108)を用いて、前記電気めっきシード層(107)上の材料層を電気めっきし、
前記金型(108)を除去し、
前記第1膜層(101)の一部の上の前記電気めっきシード層(107)を除去し、
前記犠牲層(103)を除去する、
請求項8の方法。 - 犠牲ベース層102上に前記第1膜層(101)を形成し、
前記第1膜層(101)上及び、前記第1膜層(101)に覆われていない前記犠牲ベース層(102)の一部の上に犠牲層(103)を形成し、
前記第1膜層(101)の一部から前記犠牲層(103)を除去し、
前記第1膜層(101)の一部及び前記第1膜層(101)の一部に隣接する前記犠牲層(103)の一部上に、前記第3膜層(105)を形成する、
請求項8の方法。 - 基板(10)上に形成されたポスト(30、30’、100)及び導電線(40)と、
前記ポスト(30、30’、100)及び前記導電線(40)上の膜と、
を備え、
前記膜は、
第1膜層(60、101)と、
第2膜層(66、106)が前記第1膜層(60、101)に部分的にのみ重なるように、前記ポストの一つの上の領域、及び/又は、前記導電線上の領域の前記第1膜層(60、101)上に形成された第2膜層(66、106)と、
を含む、
MEMSスイッチのMEMSデバイス。 - 前記第2膜層(106)は、完全に又は部分的に前記ポスト(30、30’、100)及び前記導電線(40)の横方向寸法の全体にわたって延在する、及び/又は、部分的に又は完全に前記ポスト(30、30’、100)及び前記導電線(40)の縦方向幅全体を覆う、
請求項11のMEMSデバイス。 - 前記第1膜層(60、101)と前記第2膜層(66、106)との間の第3膜層(105)と、
前記第1膜層(60、101)の移動を制限するストッパ(30a、104)と、
をさらに備え、
前記第3膜層(105)は、第1膜層の側方部を露出する側方凹部(R)を含む、
請求項11又は12のMEMSデバイス。 - 前記ストッパは、前記MEMSデバイスの動作中、前記第3膜層(105)の前記凹部(R)中に第1膜層(60、101)のエッジに接触するように配置される、
請求項11〜13のいずれかに記載のMEMSデバイス。 - 前記第3膜層(105)の前記側方凹部(R)の凹部(R)上に、前記第3膜層(105)の張り出し部(115)を備える、
請求項11〜14のいずれかに記載のMEMSデバイス。
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