JP2009009785A - Memsスイッチ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】絶縁部とブリッジ電極の密着力を高くして、信頼性を高くする。
【解決手段】本発明のMEMSスイッチ11は、絶縁基板2と、絶縁基板2上に設けられ分断された信号線3と、絶縁基板2上に信号線3をまたぐように設けられたブリッジ4と、ブリッジ4に設けられブリッジ4の変形に応じて信号線3と接触又は開離するブリッジ電極13と、絶縁基板2上に設けられブリッジ4を変形させるための静電気力を発生させる静電電極6とを備えたものにおいて、ブリッジ電極13とブリッジ4を電気的に絶縁する絶縁部12を、有機膜で構成したところに特徴を有する。
【選択図】図1
【解決手段】本発明のMEMSスイッチ11は、絶縁基板2と、絶縁基板2上に設けられ分断された信号線3と、絶縁基板2上に信号線3をまたぐように設けられたブリッジ4と、ブリッジ4に設けられブリッジ4の変形に応じて信号線3と接触又は開離するブリッジ電極13と、絶縁基板2上に設けられブリッジ4を変形させるための静電気力を発生させる静電電極6とを備えたものにおいて、ブリッジ電極13とブリッジ4を電気的に絶縁する絶縁部12を、有機膜で構成したところに特徴を有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、マイクロマシニング技術を用いて製造されるものであって、機械的に動作するスイッチ機構を備えたMEMSスイッチ及びその製造方法に関する。
近年、高周波帯域(RF帯域)で使用される多くの電子システムは、さらなる小形化・軽量化・高性能化が進められている。このような電子システムには、これまで電界効果トランジスタ(FET)やPINダイオードなどの半導体スイッチが使用されてきた。しかし、半導体スイッチは消費電力が大きく、また、高周波特性の改良に課題がある。
そこで、最近では、半導体微細加工技術、更には、これを拡張して微細な立体構造や可動機構を作れるようにしたマイクロマシニング技術を用いて、機械的に動作する超小型の高周波用MEMS(Micro Electro-Mechanical System)スイッチを製造する研究がなされている。この種のMEMSスイッチは、低挿入損失及び高絶縁性を備えていることから、半導体スイッチの短所を克服することが可能である。上記MEMSスイッチの例として、特許文献1、2に記載された構成が知られている。
MEMSスイッチを駆動する方法として、静電気力を用いる方法がある。この静電気力を用いる方法は、対向する2つの電極間に作用する静電気力でスイッチをオン/オフする方法であり、構造及び製造工程が簡単である。
ここで、本発明者らが開発しているMEMSスイッチの一例を、図7に従って説明する。この図7に示すように、MEMSスイッチ1は、絶縁基板2と、絶縁基板2上に設けられ分断された信号線3と、絶縁基板2上に信号線3をまたぐように設けられたブリッジ4と、ブリッジ4に設けられ信号線3と接触又は開離するブリッジ電極5と、絶縁基板2上に設けられブリッジ4を変形させる静電気力を発生させる静電電極6とを備えている。
上記構成の場合、ブリッジ電極5の両側に配設した静電電極6と、ブリッジ4との間にDC電圧を印加すると、静電気力がブリッジ4に作用し、ブリッジ4が下方へ向けて変形する。これにより、ブリッジ電極5が分断された信号線3に接触して信号線3が導通する、即ち、スイッチがオンする。上記電圧の印加を止めると、ブリッジ4が復帰変形し、信号線3からブリッジ電極5が離間して信号線3が遮断する、即ち、スイッチがオフする。
上記構成のMEMSスイッチ1において、ブリッジ4とブリッジ電極5との間には、絶縁部7が設けられており、信号線3とブリッジ4が電気的に分離(絶縁)されている。このような構成のMEMSスイッチ1によれば、シリーズ型スイッチ構造を実現できることから、汎用性の高いRF用スイッチを構成することができる。
次に、上記MEMSスイッチ1の製造プロセスを、図8を参照して説明する。まず、図8(a)に示すように、厚さ数100μm程度のシリコン基板やガラス基板からなる絶縁基板2上に、アルミや金などの導電性材料を用いてスパッタや蒸着方法により、信号線3、静電電極6、接地電極GNDなどを、厚さ0.1から数μm程度で形成する。そして、図8(b)に示すように、静電電極6上にSiO2やSiNなどからなる誘電体膜(絶縁膜)8をスパッタ法などで、厚さ0.1μm程度で形成する。
続いて、図8(c)に示すように、信号線3の上に、径が数μm程度で厚みが数μm程度の接点3aを形成する。接点3aは複数個形成しても良い。次に、図8(d)に示すように、ポリイミドの有機膜やSiO2などの無機膜を用いて犠牲層9を厚さ数μm程度で形成する。そして、図8(e)に示すように、犠牲層9上に、アルミや金などの導電性材料を用いてスパッタや蒸着方法により、可動する梁であるブリッジ4を厚さ数μm程度で形成する。
次いで、図8(f)に示すように、ブリッジ4のほぼ中央部における分断された信号線3の真上に位置する部分に、SiO2の絶縁膜からなる絶縁部7をスパッタ法で厚さ数100nm程度で形成する。その後、図8(g)に示すように、絶縁部7の上にアルミや金などの導電性材料を用いてスパッタや蒸着方法により、ブリッジ電極5を厚さ数μm程度で形成する。
ここで、良好な高周波特性を確保するためには、ブリッジ電極5とブリッジ4間の浮遊容量を低減することが重要であり、絶縁部7の厚みを厚くしたり、ブリッジ電極5とブリッジ4間の距離を広げたり、更に、絶縁部7の誘電率を低下させる必要がある。この後、犠牲層9をドライエッチング法で除去することにより、MEMSスイッチ1が完成する。
特開2001−266727号公報
特開2002−237245号公報
しかし、上記した構成のMEMSスイッチ1は、機械的な信頼性確保の点で問題があった。それは、可動するブリッジ4の中央部が、金などの部材と密着力が弱い無機膜である硬い絶縁部材(即ち、絶縁部7)の複合構造体で構成されていることである。このため、MEMSスイッチ1の製造プロセス工程で導電部材と絶縁部材が剥離したり、ブリッジ4の主要部材とブリッジ電極5と絶縁部7が数kHz程度の駆動周波数で数μm程度可動する際に、絶縁部7とブリッジ電極5の密着が低下して接着界面で剥離したり、絶縁部7自体が破断するという問題が発生した。この結果、MEMSスイッチ1を製造する製造プロセス工程で歩留まりが低下したり、MEMSスイッチ1のブリッジ4を駆動できる駆動回数が低下したりして、信頼性が低下する。
そこで、本発明の目的は、絶縁部とブリッジ電極の密着力を高くして、信頼性を高くすることができるMEMSスイッチ及びその製造方法を提供することにある。
本発明のMEMSスイッチは、絶縁基板と、前記絶縁基板上に設けられ分断された信号線と、前記絶縁基板上に前記信号線をまたぐように設けられたブリッジと、前記ブリッジに設けられ前記ブリッジの変形に応じて前記信号線と接触又は開離するブリッジ電極と、前記絶縁基板上に設けられ前記ブリッジを変形させるための静電気力を発生させる静電電極とを備えたものにおいて、前記ブリッジ電極と前記ブリッジを電気的に絶縁する絶縁部を、有機膜で構成したところに特徴を有する。
上記構成の場合、前記有機膜は、ポリイミド、ベンゾシクロブタン、フッ素系ポリマー、または、感光性フォトレジスト等から形成されていることが好ましい。
また、本発明のMEMSスイッチの製造方法は、絶縁基板上に信号線と静電電極を形成する工程と、前記静電電極上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁基板上に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上に絶縁部の下部保護部を形成する工程と、前記犠牲層上にブリッジを形成する工程と、前記犠牲層上にブリッジ電極を形成する工程と、前記ブリッジ電極の周囲に有機材料を用いた絶縁部を形成する工程と、前記絶縁部上に上部保護部を形成する工程と、前記犠牲層を除去する工程とを備えたところに特徴を有する。
また、本発明のMEMSスイッチの製造方法は、絶縁基板上に信号線と静電電極を形成する工程と、前記静電電極上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁基板上に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上に絶縁部の下部保護部を形成する工程と、前記犠牲層上にブリッジを形成する工程と、前記犠牲層上にブリッジ電極を形成する工程と、前記ブリッジ電極の周囲に有機材料を用いた絶縁部を形成する工程と、前記絶縁部上に上部保護部を形成する工程と、前記犠牲層を除去する工程とを備えたところに特徴を有する。
また、本発明の他のMEMSスイッチの製造方法は、絶縁基板上に信号線と静電電極を形成する工程と、前記静電電極上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁基板上に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上にブリッジ電極を形成する工程と、記ブリッジ電極の周囲に有機材料を用いた絶縁部を形成する工程と、前記絶縁部の外周部にブリッジを形成する工程と、前記犠牲層を除去する工程とを備え、前記犠牲層のエッチング速度を、前記絶縁部のエッチング速度よりも早くするように構成したところに特徴を有する。
本発明は、ブリッジ電極とブリッジを電気的に絶縁する絶縁部を、有機膜で構成したので、絶縁部とブリッジ電極の密着力を高くすることができ、信頼性を向上させることができるという優れた効果を奏する。
以下、本発明の第1の実施例について、図1及び図2を参照しながら説明する。尚、従来構成(図7及び図8)と同一構成には、同一符号を付している。本実施例のMEMSスイッチ11は、図1に示すように、絶縁基板2と、絶縁基板2上に設けられ分断された信号線3と、絶縁基板2上に信号線3をまたぐように設けられたブリッジ4と、ブリッジ4に設けられたブリッジ電極13と、絶縁基板2上に設けられた静電電極6とを備えている。
ブリッジ電極13は、ブリッジ4の下方への変形に応じて信号線3と接触し(即ち、MEMSスイッチ11がオンし)、ブリッジ4の復帰変形(上方への変形)に応じて信号線3と開離する(即ち、MEMSスイッチ11がオフする)。静電電極6は、ブリッジ4を変形させるための静電気力を発生させるものである。静電電極6とブリッジ4との間にDC電圧を印加すると、静電気力がブリッジ4に作用し、ブリッジ4が下方へ向けて(信号線3に接近する方向へ)変形する。
本実施例においては、ブリッジ電極13とブリッジ4を電気的に絶縁する絶縁部12を、有機膜で構成している。この場合、絶縁部12を構成する有機膜としては、例えば、ポリイミド、ベンゾシクロブタン、フッ素系ポリマー、または、感光性フォトレジスト等から形成された膜を用いることが好ましい。
次に、上記構成のMEMSスイッチ11を製造する製造プロセスについて、図2を参照して説明する。まず、図2(a)に示すように、厚さ数100μm程度のシリコン基板やガラス基板からなる絶縁基板2上に、アルミや金などの導電性材料を用いてスパッタや蒸着方法により、信号線3、静電電極6、接地電極GNDなどを薄膜で形成する。この薄膜の厚さは、例えば0.1から数μm程度に設定されている。
そして、図2(b)に示すように、静電電極6上にSiO2やSiNなどからなる誘電体膜(絶縁膜)8をスパッタ法などで、厚さ0.1μm程度の薄膜で形成する。続いて、図2(c)に示すように、信号線3の上に、径が数μm程度で厚みが数μm程度の接点3aを形成する。尚、接点3aは複数個形成しても良い。
次に、図2(d)に示すように、例えばポリイミドの有機膜を用いて犠牲層9を、厚さ数μm程度の薄膜で形成する。そして、図2(e)に示すように、犠牲層9上における信号線3の接点3aの周囲に、例えばSiO2などからなる絶縁膜14をスパッタ法などで、厚さ数100nm程度の薄膜で形成する。この絶縁膜14が、後述する犠牲層9のドライエッチング工程で、例えばポリイミド膜からなる絶縁部12がエッチングされないように保護するための部分であり、下部保護部を構成している。
続いて、図2(f)に示すように、犠牲層9及び絶縁膜14の上に、アルミや金などの導電性材料を用いてスパッタや蒸着方法により、可動する梁であるブリッジ4を厚さ数μm程度の薄膜で形成する。
この後、図2(g)に示すように、ブリッジ4のほぼ中央部における信号線3の接点3aの真上に位置する部分に、アルミや金などの導電性材料を用いてスパッタや蒸着方法により、ブリッジ電極13を厚さ数μm程度の薄膜で形成する。次いで、図2(h)に示すように、ブリッジ電極13とブリッジ4のつなぎの部分に、例えばポリイミドの有機膜からなる絶縁部12を、スピンコートや蒸着法を用いて形成する。この場合、有機膜としては、ポリイミドに代えて、ベンゾシクロブタン(BCB)、フッ素系ポリマー、または、感光性フォトレジスト等を用いても良い。
次に、図2(i)に示すように、ブリッジ電極13の上に、SiO2等からなる絶縁膜15を、スパッタ法で形成する。この絶縁膜15は、後述する犠牲層9のドライエッチング工程で、ポリイミド膜からなる絶縁部12がエッチングされないように保護するための部分であり、上部保護部を構成している。
この場合、犠牲層9は有機膜であるため、ブリッジ電極13の周囲に形成した絶縁部12の有機膜と、ドライエッチングのエッチング速度が同程度である。これに対して、図2(e)及び図2(i))で形成した絶縁膜14、15は、無機膜であり、上記有機膜に比べて、エッチング速度が遅い膜である。これにより、犠牲層9のエッチング時に、絶縁膜14、15ひいては絶縁部12がエッチングされることを防止できる。
この後、図2(j)に示すように、犠牲層9を、ドライエッチングして除去する。そして、図2(k)に示すように、ブリッジ電極13の上部の無機系の絶縁膜15を、ドライエッチングして除去する。この場合、SiO2の厚みをコントロールして、静電電極6の上部に設けたことにより、SiO2からなる絶縁膜8が残るように構成している。これにより、MEMSスイッチ11が完成する。
このような構成の本実施例によれば、ブリッジ電極13とブリッジ4を電気的に絶縁する絶縁部12を、有機膜で構成したので、絶縁部12とブリッジ電極13の密着力を高くすることができ、MEMSスイッチ11の信頼性を向上させることができる。
図3及び図4は、本発明の第2の実施例を示すものである。尚、第1の実施例と同一構成には、同一符号を付している。この第2の実施例では、犠牲層9のエッチング速度を、ブリッジ電極13とブリッジ4を電気的に絶縁する絶縁部(有機膜)12のエッチング速度よりも早くするように、即ち、絶縁部12と犠牲層9のエッチング選択比を大きく設定するように構成した。そして、第1の実施例の保護用の絶縁膜14、15を設けないように構成した。
以下、図4に従って、第2の実施例のMEMSスイッチ11の製造プロセスについて説明する。尚、各薄膜材料、その厚み、形成方法等は、第1の実施例と同じであるから、説明を省略する。
まず、図4(a)に示すように、絶縁基板2上に、信号線3、静電電極6、接地電極GNDなどを形成する。そして、図4(b)に示すように、静電電極6上に誘電体膜(絶縁膜)8を形成する。続いて、図4(c)に示すように、信号線3の上に接点3aを形成する。次に、図4(d)に示すように、犠牲層9を形成する。そして、図4(e)に示すように、犠牲層9の上に、ブリッジ電極13を形成する。
次に、図2(f)に示すように、ブリッジ電極13の周囲に、例えばポリイミドの有機膜からなる絶縁部16を形成する。この絶縁部16は、ブリッジ電極13とブリッジ4のつなぎの部分の絶縁部である。続いて、図2(g)に示すように、ブリッジ4を形成する。この後、図2(h)に示すように、犠牲層9を、ドライエッチングして除去する。これにより、MEMSスイッチ11が完成する。
この第2の実施例の場合、犠牲層9を例えばレジスト膜(例えばフェノールノボラック樹脂等の感光性の有機樹脂の膜)から形成し、犠牲層9のエッチング速度を、ブリッジ電極13とブリッジ4を電気的に絶縁する絶縁部(例えばポリイミドの有機膜)16のエッチング速度よりも早くするように、即ち、絶縁部16と犠牲層9のエッチング選択比を大きく設定するように構成した。このため、犠牲層9のドライエッチング時に、絶縁部16がエッチングされて除去されることを防止できる。
これにより、第2の実施例では、第1の実施例の保護用の絶縁膜14、15を設けないように構成することができる。従って、第2の実施例によれば、第1の実施例に比べて、MEMSスイッチ11の構成及び製造プロセスを簡単化することができる。
尚、上記第2の実施例では、絶縁部16と犠牲層9のエッチング選択比を大きく設定するに際して、犠牲層9をレジスト膜で形成し、絶縁部16をポリイミド膜で形成したが、これに限られるものではなく、絶縁部16と犠牲層9をエッチング選択比の異なるポリイミド材料の膜で形成しても良い。
また、絶縁部16と犠牲層9のエッチング選択比を大きく設定することが困難な場合には、絶縁部16の有機膜の厚さを、犠牲層9の厚さよりも厚く構成しておけば、犠牲層9のエッチング除去後でも、絶縁部16の有機膜が残っているように構成することが可能である。このように構成しても、第2の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。
図5及び図6は、本発明の第3の実施例を示すものである。尚、第2の実施例と同一構成には、同一符号を付している。この第3の実施例では、例えばポリイミド等の有機膜からなる絶縁部16の形成面積を大きくして、静電電極6と対向させ且つ覆うように延設する構成とした。そして、第2の実施例において静電電極6の上に形成した誘電体膜(絶縁膜)8を、形成しないように構成した。この構成の場合、静電気力によりブリッジ4が下方へ向けて変形するときに、静電電極6は、絶縁部16に接触することはあっても、ブリッジ4に接触することはないように構成されている。
尚、上述した以外の第3の実施例の構成は、第2の実施例の構成と同じ構成となっている。従って、第3の実施例においても、第2の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。特に、第3の実施例によれば、静電電極6の上に誘電体膜8を形成しないので、誘電体膜8を形成する工程を削減することができる。また、第3の実施例では、絶縁部16とブリッジ4との接着(密着)面積が大きくなるので、絶縁部16とブリッジ4の接着強度を高くすることができ、信頼性を向上させることができる。
図面中、1はMEMSスイッチ、2は絶縁基板、3は信号線、4はブリッジ、5はブリッジ電極、6は静電電極、8は絶縁膜、9は犠牲層、11はMEMSスイッチ、12は絶縁部、13はブリッジ電極、14は絶縁膜(下部保護部)、15は絶縁膜(上部保護部)、16は絶縁部を示す。
Claims (4)
- 絶縁基板と、前記絶縁基板上に設けられ分断された信号線と、前記絶縁基板上に前記信号線をまたぐように設けられたブリッジと、前記ブリッジに設けられ前記ブリッジの変形に応じて前記信号線と接触又は開離するブリッジ電極と、前記絶縁基板上に設けられ前記ブリッジを変形させるための静電気力を発生させる静電電極とを備えたMEMSスイッチにおいて、
前記ブリッジ電極と前記ブリッジを電気的に絶縁する絶縁部を、有機膜で構成したことを特徴とするMEMSスイッチ。 - 前記有機膜は、ポリイミド、ベンゾシクロブタン、フッ素系ポリマー、または、感光性フォトレジスト等から形成されていることを特徴とする請求項1記載のMEMSスイッチ。
- 絶縁基板上に信号線と静電電極を形成する工程と、
前記静電電極上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁基板上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層上に絶縁部の下部保護部を形成する工程と、
前記犠牲層上にブリッジを形成する工程と、
前記犠牲層上にブリッジ電極を形成する工程と、
前記ブリッジ電極の周囲に有機材料を用いた絶縁部を形成する工程と、
前記絶縁部上に上部保護部を形成する工程と、
前記犠牲層を除去する工程とを備えてなるMEMSスイッチの製造方法。 - 絶縁基板上に信号線と静電電極を形成する工程と、
前記静電電極上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁基板上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層上にブリッジ電極を形成する工程と、
前記ブリッジ電極の周囲に有機材料を用いた絶縁部を形成する工程と、
前記絶縁部の外周部にブリッジを形成する工程と、
前記犠牲層を除去する工程とを備え、
前記犠牲層のエッチング速度を、前記絶縁部のエッチング速度よりも早くするように構成したことを特徴とするMEMSスイッチの製造方法。
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CN110713169A (zh) * | 2019-10-21 | 2020-01-21 | 中北大学 | 一种提高射频mems开关中聚酰亚胺牺牲层平整度的方法 |
-
2007
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CN110713169A (zh) * | 2019-10-21 | 2020-01-21 | 中北大学 | 一种提高射频mems开关中聚酰亚胺牺牲层平整度的方法 |
CN110713169B (zh) * | 2019-10-21 | 2023-02-14 | 中北大学 | 一种提高射频mems开关中聚酰亚胺牺牲层平整度的方法 |
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