JP4852220B2 - ミクロ構造、およびこれを製造する方法 - Google Patents

Description

【０００１】
（技術分野）
本発明は、請求項１および２１の上位概念に基づくミクロ構造、およびこれを製造する方法に関する。
【０００２】
ミクロ構造は、半導体工学で加工されるシリコンウェーハをベースにすれば、小型化されたセンサやアクチュエータとしても非常にうまく製造、利用することができる。このとき機械的な用途のためには、一般に、所定の弾性部分と取付アンカーとを介して基板と連結された機械的に可動な部分を製造することが必要である。この場合、機械的に可動な部分の取付はできるだけ堅固かつ確実に行うのが望ましいのに対して、弾性部分はミクロ構造の所定の運動性を許容する。このようなミクロ構造を製造するには、従来、シリコンウェーハをウェーハの厚さ全体にわたって利用するテクノロジーが主に採用されている。バルクミクロ工学と呼ばれるこのテクノロジーは、一般に、少なくとも３つのウェーハと、異方性ウェットエッチングプロセスとを用いることを特徴としている。しかしながら現在、いっそうの小型化とコスト削減を進めるために、シリコンウェーハの表面付近または表面領域だけを活用するテクノロジーの採用が増えている。この後者のテクノロジーは、追加の層の分離を基本にしているのが普通であり、この追加の層のうち、一方の層は後でミクロ工学コンポーネントの機能層としての役目をするのに対して、他方の層はいわゆる犠牲層としてのみ用いられ、エッチングによって除去された後に機能層のミクロ工学コンポーネントを解放する。このテクノロジーは部分的にはすでに製造に導入されて成功しているものの、特に機能層の機械的特性などは、多くの用途にとっては単結晶シリコンの機械的特性ほどには好ましくない。とりわけ弾性部分の観点から、特に、実質的に疲労がないこと、層応力がないこと、そして破壊力が強いことといった条件が挙げられている。このような理由から、事前にウェーハ結合技術によって絶縁層を介して支持体ウェーハと結合されている第２のウェーハの単結晶シリコンによって、機能層が部分的に置き換えられる。しかし、このようなＳＯＩウェーハと呼ばれる複合体では、結合技術に関して、および残留厚さがわずかになるまで第２のウェーハを研磨することに関して、非常に高い要求が課せられる。そこで代替的な解決法が開発されており、この場合、ミクロ工学コンポーネントはシリコンウェーハの表面付近の領域から切り離され、こうして少なくともコア部分では単結晶シリコンからなっている。このことはたとえばＷＯ９１／０３０７４に記載されており、この場合、異方性エッチングステップと等方性エッチングステップの連続によって、パシベーション層との関連でシリコン内部の構造を表面付近で露出させることができる。しかしそこには電気接触や、基板ないし他の構造に対する絶縁をするための解決法、ならびに機械的な取付をするための解決法は何ら記載されていない。それに対してＵＳ５，８４６，８４９では、表面と側面の金属層がいずれも露出していて、その部位に絶縁層を備えている構造が提案されている。この金属層を介して、ミクロ構造を制御するため、またはたとえば機械的な運動による電気測定信号の電位変化を検出するために、電気的な電位の案内を行うことができる。このとき電位分離は、ボンディングパッドを含めて、この構造のすべての部材を取り囲む絶縁溝によって行われる。しかしながら、この比較的簡単かつ低コストなプロセス進行は、それによって製造されるミクロ工学コンポーネントの利用性に関して２つの本質的な欠点を伴う。すなわち、シリコンの上に追加的に塗布される絶縁層および金属層が存在しているために、ミクロ構造が垂直方向または水平方向で歪むことにつながりかねない機械的な層応力が生成される。また、これとの関連で（Ｓｒｉｄｈａｒ，Ｕ．他：Ｓｉｎｇｌｅ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ｕｓｉｎｇ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ． Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒｓ，９９，Ｓｅｎｄａｉ，Ｊａｐａｎ，Ｓ．２５８−２６１）、温度変化に対するこのような構造の高い脆弱性が指摘されている。さらに、絶縁層全体にわたって金属で被覆されているシリコン構造の広い表面に起因して、金属とシリコン基板の間の好ましくない寄生キャパシタンスが非常に大きくなる。このことがとりわけ危険である理由は、特に、センサ工学やアクチュエータ工学の用途のためのミクロ構造の利用が、ｋＨｚ領域の交流電圧の使用と優先的に結びついているためである。
【０００３】
（背景技術）
以上に述べた欠点は、ＵＳ５，９３０，５９５に基づき、第１のステップで、３つの側および底面にある取付アンカーをシリコン基板から切り離すことによって大幅に回避される。次いで、絶縁材料による絶縁間隔部の充填が行われ、最後に、取付アンカーの絶縁されていない第４の側でセンサ構造が定義され、同じくシリコン基板から切り離される。シリコンに生じる構造は非常に細く、ないしはパーフォレーションを備えているので、このことは、取付アンカーの露出した構造に対するセンサ構造の割当精度に関して、非常に高い要求を課すことになる。切り離しは、ＷＯ９１／０３０７４に記載されているのと同様に、ここでも二重に行われる。そのためにこの方法の主な欠点は、収量の低下と結びつく非常に高い技術コストである。そのうえ、絶縁溝の充填は少なくとも部分的に熱酸化によって優先的に達成されており、このことは電子集積回路との統合を阻む。
【０００４】
単結晶シリコンからなるさらに別の公知のミクロ構造は、ブリッジによって（ＤＥ１９９ ２８ ２９１）ないしはウェブによって（ＤＥ１９５ ４０ １２０）形成された、基板とミクロ構造との導電接続部を有している。しかしいずれも場合にも、単結晶シリコンからなるミクロ構造の一部が基板と結合されたまま残り、そのようにしてミクロ構造の機械的な固定部を形成すると同時に、全面的な絶縁の中断部も形成している。
【０００５】
ＷＯ９９／３６９４１では、ミクロ構造の全面的な電気絶縁が実現されている。しかしこの場合、導電性ブリッジの下に絶縁材料で充填された溝が設けられており、この溝が、他のところでは完全に絶縁間隙によって包囲されているミクロ構造の機械的な固定部を形成する。
【０００６】
（発明の開示）
本発明の課題は、ミクロ構造を製造する方法を大幅に簡素化し、その際に、好ましくないミクロ構造の寄生キャパシタンスを最低限に抑えるとともに、好ましくないミクロ構造の変形を回避し、機能部材ないし取付アンカーへの確実な位置固定を保証することである。
【０００７】
この課題は、請求項１および２１の構成要件によって解決される。有利な発展例は従属請求項に記載されている。
【０００８】
このミクロ構造は、特に単結晶のドーピングされたシリコンからなる有利には導電性の基板に配置された、少なくとも１つの機能部材で構成されている。本発明によれば、この機能部材は絶縁間隙によって基板から全面的に機械的かつ電気的に分離されており、少なくとも１つの位置で導電性層の構造と結合されており、この構造によって基板に対して位置固定されている。機能部材には少なくとも１つの電極が構成されていてよい。少なくとも１つの弾性部分を介して、少なくとも１つのたとえば電極として作用する質量部分が結合された取付アンカーとして、機能部材を構成するという可能性もある。
【０００９】
この場合、同じく取付アンカー、弾性部材、および質量部分が絶縁間隙によって基板から分離される。このとき基板と、機能部材の側面との間、ないし取付アンカー、弾性部材、および質量部分のそれぞれの側面との間には第１の側方の絶縁間隙があり、基板と、機能部材ないし取付アンカー、弾性部材、および質量部分のそれぞれの底面との間には第２の絶縁間隙がある。このとき、取付アンカー、弾性部分、および質量部分を取り囲むこれらの絶縁間隙は互いに移行し合っており、特にガスで充填され、もしくは排気されている。もっとも単純な場合、絶縁間隙は空気で充填される。
【００１０】
機能部材（ないし取付アンカー）は、少なくとも１つの位置で、第１の側方の絶縁間隙から突出する、導電性層の第１の構造（接触部）と結合され、この層によって基板に対して位置固定されている。このとき導電性層としては、有利には、特にアルミニウムからなる金属層が使用される。
【００１１】
基板から絶縁された機能部材と、基板から絶縁層によって絶縁されている、導電性層の第２の構造との間で、第１の側方の絶縁間隙を橋渡しする導電性層の第１の構造は、少なくとも絶縁間隙の領域の上で、パーフォレーションまたはスリットを備える構造として施工される。このような構造は、たとえば、有利にはトラック幅が１μｍ以下である多数の非常に細いトラックの形態で施工することができる。絶縁間隙を橋渡しするための単純な導電性層（第１の構造）に代えて、少なくとも１つの導電性層と少なくとも１つの絶縁層からなる積重ね層を適用することもできる。
【００１２】
基板と導電性層の間に配置された絶縁層は、有利には、酸化物または窒化物または酸化窒化物層でできている。
【００１３】
導電性層の接触は、有利には周辺接続部を介して行われる。
【００１４】
基板としては、有利には、電気抵抗率が０，１Ωｃｍよりも低いシリコンが使用される。
【００１５】
少なくとも１つの機能部材を備える、特に単結晶のドーピングされたシリコンからなる有利には導電性の基板にミクロ構造を製造する方法は、基板に対して全面的に絶縁間隙が存在するように機能部分が基板から切り離され、導電性層が、機能部材と結合されてこれを確実に位置固定するように塗布されることによって行われる。
【００１６】
基板から機能部材を切り離すために、有利には次の方法ステップが実行される：
−機能部材と、後でこれを取り囲む基板と機能部材の間の第１の側方の絶縁間隙とを定義する領域での構造化によって、開口部を備える絶縁層を基板の上に生成し、
−絶縁層の上に、および機能部材を形成することになる絶縁層を備えていない領域の上に、導電性層を塗布し、それと同時に、または引き続いて、
−少なくとも１つの位置で、生成されるべき機能部材に対して導電性層の第１の構造の結合部が残されるように導電性層を構造化し、この結合部は、基板と機能部材との間の後の第１の側方の絶縁間隙を介して延びており、そして、第１の構造と結合された、導電性層の第２の構造を構成し、必要な場合には、絶縁層を備える基板の上に導電トラック構造を構成し、
−少なくとも１つのパシベーション層との関連でエッチングプロセスの連続によって基板から機能部材を完全に電気的かつ機械的に分離し、それによって絶縁間隙を形成し、このとき、導電性層の第１の構造によって生成される機能部材との結合部が少なくとも１つの位置でブリッジ状に残されており、それによって機能部材がこの結合部により確実に位置固定される。
【００１７】
取付アンカーとして機能部材を構成する場合、これに構成される弾性部分と質量部分は、基板からの取付アンカーの切り離しと同時に完全に電気的および機械的に分離される。
【００１８】
エッチングのときに除去されるべきでない垂直方向の領域は、パシベーション層を備えている。
【００１９】
絶縁層は、シリコンの熱酸化または化学的な気相析出によって製作される。
【００２０】
機能部材ないし取付アンカーの機械的な固定部を除いて、導電性層の第１の構造によって機能部材または取付アンカー、弾性部分、および質量部分を基板から完全に電気的および機械的に分離するために、次のプロセスが実行される：
−第１の側方の絶縁間隙を形成するために、構造化された表面層のマスキング作用によって生成されるマスクと同時にフォトリソグラフィで製作されたマスクを用いて基板に凹部をエッチングし、
−第１の側方の絶縁間隙の垂直方向および水平方向の面にパシベーション層を塗布し、
−少なくとも第１の側方の絶縁間隙の底面でパシベーション層を除去する目的のためにパシベーション層をエッチングし、基板と、機能部材または取付アンカー、弾性部分、および質量部分のそれぞれの底面との間に第２の絶縁間隙を生成するために、側面および表面で保護されているミクロ構造の下で基板材料をアンダーエッチングする。
【００２１】
このとき基板への凹部のエッチングは、有利には、反応性イオンエッチングプロセスによって基板表面に対して垂直方向に行われる。反応性イオンエッチングプロセスによる、基板表面に対して有利には垂直方向への基板のエッチングと平行して、またはその後で、導電性層から基板を完全に電気的に絶縁するために、基板材料の所定の等方性エッチングが行われる。
【００２２】
凹部をエッチングするために（絶縁間隙を形成するために）、フッ素または炭素を含むガス、または代替的に塩素またはフッ素を含むガスが利用される。ドライエッチングプロセスによって、または湿式化学的なエッチング溶液を利用して等方性エッチングをした後、たとえばドライエッチングプロセスによって、パシベーション層（たとえばプラズマ重合体）が導電性層の表面から完全に除去される。
【００２３】
導電性層の接触は、多くの場合、周辺接続部を後から取り付けることによって行われる。しかしその一方で周辺接続部は、周囲の基板にすでに存在していてもよい。
【００２４】
本発明の方法により製造プロセスが大幅に簡素化され、寄生キャパシタンスがわずかしかないミクロ構造が製作される。特に自己整合の原理を一貫して適用することによって、基板材料からのミクロ構造の切り離しが、取付アンカーの切り離しに対して平行に行われることが達成される。このことは、パシベーションのために複数のエッチングステップおよび少なくとも１回の析出プロセスが省略可能なことを意味しており、このことは同時に収量の向上に匹敵している。しかも、ミクロ構造とその取付アンカーが同じリソグラフィステップで定義される。したがって、この両者の間にいかなる整合誤差も生じることがなく、このことはミクロ構造の機能性と信頼性を高める。側面および構造底面における取付アンカーと基板の間の絶縁が実質的にエアギャップないし真空ギャップによって達成されるので、その上に作用する好ましくないキャパシタンスは、誘電率が低くなることだけですでに、ＳｉＯ_２層を使用した場合の約４分の１まで低減する。そのうえ、絶縁材料での充填が行われないので、取付アンカーと基板の間隔を広げることができるが、このことは経済的な理由から数マイクロメートルの間隙幅までにおいてのみ実用的である。取付アンカーおよび基板を絶縁するため、ないし電気的に分離するための酸化を全般的に省略することができる。したがって、金属を含まない可動な構造を製作して利用することができるのに対して、パシベーション層の除去も、湿式プロセスを適用することなしに可能である。湿式プロセスは、特に毛管力の作用によって構造の好ましくない接着につながる可能性がある。したがって、最終的に層応力によって機能性が損なわれることのない機能性の高いミクロ構造が提案される。
【００２５】
本発明による方法は、たとえば集積回路等の構造がすでに存在しているシリコンウェーハに適用することができ、あるいは裸のシリコンウェーハに適用することができる。いずれのケースでも、絶縁材がまだ存在していないときには、シリコンウェーハの表面に絶縁材が設けられる。せいぜいのところ、前者のケースで絶縁層のない接触開口部が存在している可能性があるにすぎない。この絶縁層は本発明によれば、以後のプロセス進行で、取付アンカーを含むミクロ構造および第１の側方の絶縁間隙が生じるべき個所で除去される。
【００２６】
このような的確な層除去は、それ自体公知のリソグラフィプロセスとエッチングプロセスによって行うことができる。その次に、導電性層の塗布とその構造化が続く。導電性層は、たとえばアルミニウム等の金属からなっていてよい。同じくそれ自体公知のリソグラフィプロセスとエッチングプロセスをベースとするこの構造化のとき、後で取付アンカーとしての役目をする面が導電トラックによって電気接触される。導電トラックの他方の側は、すでにウェーハの上に存在している電気接触面まで通されるか、または、たとえばいわゆるボンディングパッド等の外部の接触面を形成するために利用される。このとき注意すべき点は、後で取付アンカーの絶縁溝を形成することになる個所で導電トラックにパーフォレーションを施すか、または導電トラックを非常に細く構成することによって、後にこのトラックの下で、できるだけ少ないシリコンしかエッチングによって除去しなくてもよいようにすることである。このステップの後に、たとえば２０μｍの深さのシリコンのエッチングと、パシベーション層によるパシベーションと、最後にミクロ構造およびその取付アンカーの露出とが続く。このときのエッチングステップでは、特に金属層への本質的な作用が行われてはならない。そうしないと、この導電性層のレジストで保護されていない第１の領域（接触フィンガ）が損傷したり、ないしは剥離する可能性があるからである。こうして機能部材の深さまでシリコンをエッチングしたときに生じる開口部が、第１の側方の絶縁間隙を生じさせ、ないしは、コンデンサ電極として作用するので多くの利用ケースで重要になる可能性がある側面を生じさせ、ならびに、効果的な露出のために必要な、取付アンカーを含むミクロ構造のパーフォレーションを生じさせる。このとき、厳密に調整されたエッチングプロセスを適用したい場合には、接触フィンガの下のシリコンをそのまま残しておき、後から等方性エッチングによって側方に除去しなくてはならない。したがって、導電性層の第１の構造がたとえば幅が０，８μｍの接触フィンガの形態をとる場合、必要な側方の剥離は少なくとも０，４μｍとなる。その際に生じるミクロ構造の幅の減少は、ミクロ構造に対する予備寸法によって考慮に入れることができる。この場合であれば、ミクロ構造の個別部材を、その完成後に希望する構造幅より少なくとも０，４μｍだけエッジごとに広く設計する。このことは、深さへのエッチングと並行して少なくとも所望の値だけ側方のエッチングが行われる、シリコンをエッチングする方法を適用する場合にも当てはまる。例外となるのは、フォトレジストで覆われていない領域の下でのみ、つまりたとえば金属の接触フィンガの下でのみ、側方の剥離が行われるエッチング方法だけである。このケースでは、フォトレジストでマスキングされているどのミクロ構造についても、追加の予備寸法を考慮する必要はない。
【００２７】
格別に好都合な実施例では、パシベーション層は、炭素とフッ素を含んでいてプラズマ作用のもとで形成される有機ポリマーからなっている。このポリマー層は、ミクロ構造を露出させた後、有利にはプラズマ活性化された酸素によって除去することができる。それにより、一方では湿式プロセスが不要になり、また他方では、ミクロ構造が最終的にシリコンだけで構成される。さらに、レジストマスキングの前に、シリコンを深さへとエッチングするために、さらに追加のパシベーション層を塗布するのが目的に適っている場合があり、この追加のパシベーション層はこのマスクの上にもエッチングされ、後でシリコンを等方性エッチングをするときに、導電性層の第１の構造（たとえば接触フィンガ）と、機能部材ないし取付アンカーの上面との間の接触面のアウトラインのところでエッチング剤が側方から作用するのを防止する。
【００２８】
ミクロ構造の利用分野によっては、シリコン基板が十分に強くドーピングされるのが望ましく、ないしは、ここで説明しているプロセス進行の途中または後でこのようなドーピングを得ることが望ましい。多くの用途にとっては、１ｃｍ^３あたり１０^１７個のドーピング原子があれば十分である。
【００２９】
次に、一実施例と添付の図面を参照しながら本発明について詳しく説明する。
【００３０】
図１から図６には、シリコンウェーハの形態の基板１に構成された機能部材２．１を備えるミクロ構造を製造するための個々のステップが示されている。基板１は、たとえば０，１Ωｃｍの電気抵抗率と１５０ｍｍの直径とを有しており、まず、熱酸化によって全面的に、すなわち表面ａの上に、厚さが３００ｎｍの絶縁層３としての二酸化珪素ＳｉＯ_２が設けられる。図１に示すようにこの絶縁層３は、機能部材２．１のために意図されている基板１の領域で除去される。このことは有利には、従来技術に基づくプラズマエッチングプロセスおよびプラズマアッシングとの関連で、フォトリソグラフィによって行われる。次のステップでは、まず、従来式のスパッタリング法により、たとえば厚さ８００ｎｍのアルミニウム層の形態の導電性層Ｓの全面的な析出が行われる。この導電性層Ｓはさらにフォトリソグラフィによって、絶縁層３の既存の構造に対して所定の位置を有する図示しないレジストマスクを施される。マスクを用いた反応性イオンエッチングによって導電性層Ｓに生じる構造は、後の機能部材２．１の表面と結合された第１の構造４ａと、後で機能部材２．１を包囲する第１の側方の絶縁間隙５の回りに延びる第２の構造４ｂと、後の接触部のための導電トラック構造４ｃとを形成する。このとき、導電性層Ｓの第１の構造４ａは、図２に示すように、それぞれたとえば８００ｎｍの構造幅を有し、長さに関しては、後で機能部材を形成する絶縁層を備えていない基板１の領域の表面ａの上に部分的に位置している接触フィンガ４ａの形態で構成される。この場合にも通常のプラズマアッシングが後続して行われる。
【００３１】
図３に示す次のステップでは、フォトリソグラフィによってさらに別のレジストマスク６が塗布され、このレジストマスクは、マスキングをするように作用する導電性層Ｓとともに、基板１から切り離されるべき構造全体の形態を規定する。一例として図７に示すミクロ構造の構成では弾性部分７、質量部分８、および取付アンカー２．１がこれに含まれる。このレジストマスク６の位置は、導電性層Ｓの第１の構造４ａ（ここでは接触フィンガ４ａ）の位置に対して、その端部ができるだけすべて均等に約２μｍの長さでフォトレジストで覆われるようにアライメントされる。
【００３２】
これに続く深さ約２０μｍまでのシリコンエッチングが図４に示されており、選択性の理由から、このエッチングはフッ素ベースの交互のエッチングプロセスとコーディングプロセスによって実施するのが有利である。それ自体公知であるこのエッチングプロセスは、ほぼ垂直方向のエッチングプロフィルを可能にする。このエッチングプロフィルは、実質的に、後の第１の側方の絶縁間隙５（図５参照）と、機能部材のパーフォレーションＰとを生成する。ただし、このとき接触フィンガ４ａの下にはシリコン基板が残され、このシリコン基板は後続する等方性エッチング（図５）で規定されて除去され、それによって側方の絶縁間隙５が完全に構成されることになる。すでに説明したように、本実施例では１つの構造エッジにつき少なくとも０，４μｍのこの等方性の剥離は、すべてのミクロ構造の幅が減少することにもつながる。
【００３３】
したがってミクロ構造の所定の最終寸法を維持するためには、この後からの剥離をすでに設計のときに考慮しなくてはならない。
【００３４】
特別な実施例では、等方性エッチングと異方性エッチングを１回のステップで実施することができる。たとえば、フッ素ベースのシリコンエッチングのとき、同時に所定の側方の剥離も設定可能であることが公知である。この格別に好都合な実施例では、この側方の剥離は、フォトレジストでマスキングされていない領域の下で、たとえば他ならぬ接触フィンガ４ａの下で、特別に高くなっている。そうすれば、設計時における側方の剥離の考慮を少なくすることができ、もしくは完全に省略することができる。この場合にも、フォトレジストはエッチングプロセスの後に再び除去される。
【００３５】
そして、プラズマＣＶＤ法と、第１の側方の絶縁間隙５の底面のところでＳｉＯ_２層を開口させるための異方性ＳｉＯ_２エッチングと、パーフォレーションＰと、フッ素ベースのエッチングプロセスをベースとするシリコンの等方性エッチングとで、パシベーションとして作用する厚さ７５０ｎｍの図示しないＳｉＯ_２層を析出することによって、機能部材の公知の露出が行われる。このとき注意すべきは、ここで説明している実施例では開口部の高いアスペクト比が前提となっていることである。すなわちエッチング深さは、開口部の幅よりも約１０倍大きい。このことは、ＳｉＯ_２層が、第１の絶縁間隙５およびパーフォレーションＰの底面のところで、構造表面ａにおける厚さのおよそ半分の厚さしかなくなるという利点がある。それにより、第１の側方の絶縁間隙５およびパーフォレーションＰの底面のところでＳｉＯ_２層を除去するための異方性ＳｉＯ_２エッチングの後にＳｉＯ_２層は開口するのに対して、構造の表面ａはまだパシベーション層６の残りで覆われた状態に保たれることが達成される。露出をした後、すなわち、機能部材（２．１）の底面ｃの下に第２の絶縁間隙５ａ（図６参照）が生成された後、マスクを使わないエッチングプロセスによって残留酸化物が少なくともミクロ構造の表面から除去される。
【００３６】
図６は、生成されたミクロ構造の部分断面を、接触フィンガ４ａを介して基板１に固定された機能部材２．１とともに示している。機能部材２．１は、その側面ｂと基板１との間に周回する第１の側方の絶縁間隙５を有するとともに、底面ｃと基板１との間には第２の絶縁間隙５ａを有しており、したがって基板１から完全に分離されている。さらに機能部材２．１には、アンダーエッチングのために必要だったパーフォレーションＰがある。導電性層Ｓの接触フィンガ４ａは機能部材２．１の上面１ａと結合されており、第１の側方の絶縁間隙５を橋渡ししており、絶縁層３の上に配置されていて第１の側方の絶縁間隙５を包囲する導電性層Ｓの第２の構造４ｂに連通している。導電性層Ｓの第２の構造４ｂの後には、接触の役目をする導電トラック構造４ｃが続いている。機能部材２．１には、電極が直接構成されていてよい。
【００３７】
本発明によるミクロ構造は、驚くべきことに、非常に高い機械的安定性とともに、非常に有利な電気特性を含めて、期待される高い平坦性をも備えている。本発明のミクロ構造については１０^９オームの絶縁抵抗が測定されており、約５ｐＦの基板に対する検証可能な寄生キャパシタンスは、実質的に、底面とシリコン基板との間のキャパシタンスに帰すべきものであった。
【００３８】
図７は三次元の図面、図８はこれに対応するＡ−Ａ長手断面図で、取付アンカー２．１の形態の機能部材２．１と、弾性部材７を介してこれに取り付けられた質量部分８とを備えるミクロ構造をそれぞれ示している。
【００３９】
基板１では、取付アンカー２．１、弾性部分７、および質量部分８が切り離されており、それにより、これらは基板１に対して全面的に間隔をおいている。基板１と、取付アンカー２．１、弾性部分７、および質量部分８のそれぞれの側壁ｂとの間には、第１の周回する側方の絶縁間隙５が配置されており、基板１と、取付アンカー２．１、弾性部分７、および質量部分８のそれぞれの底面ｃとの間には、第２の絶縁間隙５ａが配置されている。基板１の表面ａの上には絶縁層３があり、さらにその上には構造化された導電性層Ｓがある。導電性層Ｓの第１の構造は接触フィンガ４ａの形態で構成されており、基板材料からなる取付アンカー２．１の上面ａ１と結合されているので、この取付アンカー２．１は確実に位置固定されている。接触フィンガ４ａは、絶縁間隙５を介して、取付アンカー２．１を包囲する導電性層Ｓの第２の構造４ｂに達している。さらに導電性層Ｓは、接触のための導電トラック構造４ｃを備えている。第２の絶縁間隙５ａを形成する全面的なアンダーエッチングを保証するために、取付アンカー２．１と質量部分８はパーフォレーションＰを備えている。
【００４０】
上ですでに説明したように、利用ケースによっては、弾性部分７を介して可動な質量部分８の形態をとる電極の代わりに、電極を不動かつ直接的に機能部材２．１に配置するという可能性もある。
【００４１】
同様に、弾性部分７が質量部分８を形成することもできる
【００４２】
図示しない実施例では、取付アンカー２．１に、複数の同様に構成された、または別様に構成された質量部分８が弾性部分７を介して配置されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、塗布されて構造化された絶縁層３を備える基板１である。
【図２】 図２は、すでに構造化された導電性層Ｓを備える基板１である。
【図３】 図３は、機能部材を構成するためのレジストマスク６を備える基板１である。
【図４】 図４は、エッチングで施された垂直方向の凹部を備える基板１である。
【図５】 図５は、接触フィンガ４ａの下でシリコンが切り離された基板１である。
【図６】 図６は、アンダーエッチングによって基板１から切り離された機能部材２．１を備えるミクロ構造である。
【図７】 図７は、取付アンカー２．１の形態の機能部材と、弾性部分７を介してこれに取り付けられた質量部分８とを備えるミクロ構造である。
【図８】 図８は、図７のＡ−Ａ断面である。

Claims (37)

1. 単結晶のドーピングされたシリコンからなる導電性の層（Ｓ）のミクロ構造であって、基板材料からなる少なくとも１つの取付アンカー（２．１）である第１の機能部材を備えており、前記取付アンカーの後には、基板（１）との間に絶縁間隙（５，５ａ）を有することによって、基板（１）から機械的および電気的に分離された少なくとも１つの別の機能部材（７，８）が接続されており、前記取付アンカー（２．１）は、基板（１）から電気的に絶縁されている導電性の層（Ｓ）の第１の構造（４ａ）を介して、基板（１）と取付アンカー（２．１）との間に絶縁間隙（５，５ａ）を有する状態で基板（１）に固定されていることにより、基板（１）から全面的に機械的および電気的に分離されていることを特徴とするミクロ構造。
2. 取付アンカー（２．１）である第１の機能部材に、別の機能部材（７，８）が結合され、前記別の機能部材（７，８）の少なくとも１つの面が電極として構成されている、請求項１に記載のミクロ構造。
3. 前記別の機能部材（７，８）は、質量部分（８）である第２の機能部材、および弾性部分（７）である第３の機能部材であり、前記質量部分（８）が弾性部分（７）と結合されており、前記弾性部分（７）が前記取付アンカー（２．１）と結合されており、前記質量部分（８）と前記弾性部分（７）は、前記質量部分（８）、前記弾性部分（７）と基板（１）との間に絶縁間隙（５，５ａ）を有することによって機械的および電気的に基板（１）から全面的に分離されていることを特徴とする請求項１または２に記載のミクロ構造。
4. 基板（１）と取付アンカー（２．１）の側面（ｂ）との間に第１の側方の絶縁間隙（５）が存在しており、基板（１）と取付アンカー（２．１）の底面（ｃ）の間には第２の絶縁間隙（５ａ）が存在している、請求項１から３のいずれか１項に記載のミクロ構造。
5. 絶縁間隙（５，５ａ）が、取付アンカー（２．１）、弾性部分（７）、および質量部分（８）の回りで互いに接続されている、請求項３に記載のミクロ構造。
6. 絶縁間隙（５，５ａ）がガス充填または排気されている、請求項１から５のいずれか１項に記載のミクロ構造。
7. 基板（１）の表面（ａ）に塗布された絶縁層（３）の上に導電性層（Ｓ）が配置され、取付アンカー（２．１）を固定する導電性層（Ｓ）の第１の構造（４ａ）は、前記絶縁層（３）の上から、取付アンカー（２．１）を包囲する第１の側方の絶縁間隙（５）へと少なくとも１つの位置で突出して取付アンカー（２．１）と結合されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のミクロ構造。
8. 導電性層（Ｓ）の第１の構造（４ａ）が、機能部材である取付アンカー（２．１）の上面（ａ１）に取り付けられている、請求項１から７のいずれか１項に記載のミクロ構造。
9. 導電性層（Ｓ）の第１の構造（４ａ）が、絶縁層（３）の上にある導電性層（Ｓ）の第２の構造（４ｂ）と結合されている、請求項１から８のいずれか１項に記載のミクロ構造。
10. 導電性層（Ｓ）の第２の構造（４ｂ）が、第１の機能部材の回りを通る第１の側方の絶縁間隙（５）を全面的または部分的に取り囲む状態で配置され、導電性層（Ｓ）は、前記第２の構造（４ｂ）と連通している導電トラック構造（４ｃ）を有することを特徴とする請求項８に記載のミクロ構造。
11. 導電性層（Ｓ）として金属層が使用される、請求項１から１０のいずれか１項に記載のミクロ構造。
12. 導電性層（Ｓ）としてドーピングされた多結晶シリコンが使用される、請求項１から１０のいずれか１項に記載のミクロ構造。
13. 導電性層（Ｓ）の第１の構造（４ａ）が、パーフォレーションを有している、あるいは、非常に細い多数のトラックまたは接触フィンガ（４ａ）の形態で構成されている、あるいは、パーフォレーションと、非常に細い多数のトラックまたは接触フィンガ（４ａ）の形態を組み合わせたもののいずれかであることを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載のミクロ構造。
14. 接触フィンガ（４ａ）が１μｍ以下の幅を有している、請求項１３に記載のミクロ構造。
15. 導電性層（Ｓ）が周辺接続部と電気的に接触している、請求項１から１４のいずれか１項に記載のミクロ構造。
16. 絶縁層（３）が酸化物、窒化物、または酸化窒化物層でできている、請求項１から１５のいずれか１項に記載のミクロ構造。
17. 基板（１）として、電気抵抗率が０，１Ωｃｍよりも低いシリコンが使用される、請求項１から１６のいずれか１項に記載のミクロ構造。
18. 基板（１）から絶縁されている取付アンカー（２．１）と、絶縁層（３）から絶縁されている基板（１）とが、少なくとも１つの導電性層と少なくとも１つの絶縁層とからなる積重ね層によって橋渡しされる、請求項１から１７のいずれか１項に記載のミクロ構造。
19. 弾性部分（７）が同時に質量部分（８）の機能も引き受ける、請求項３に記載のミクロ構造。
20. 単結晶のドーピングされたシリコンからなる導電性の層（Ｓ）に、ミクロ構造を製造する方法であって、
    基板（１）の表面（ａ）に絶縁層（３）を生成し、
    絶縁層（３）の上の一部、および第１の機能部材であり、弾性部分（７）が接続される取付アンカー（２．１）を形成することになる絶縁層（３）を備えていない領域の基板（１）の表面（ａ）の上の一部に、導電性層（Ｓ）を形成し、
    生成されるべき取付アンカー（２．１）と基板（１）を結合する結合部となる、導電性層（Ｓ）の第１の構造（４ａ）が形成されるように導電性の層（Ｓ）を構造化し、
    少なくとも１つのパシベーション層を用いたエッチングプロセスの連続によって、絶縁間隙（５，５ａ）を形成し、基板（１）から取付アンカー（２．１）を完全に電気的かつ機械的に分離した状態で形成する、
    という各方法ステップを実行し、
    導電性の層（Ｓ）の第１の構造（４ａ）によって生成される取付アンカー（２．１）と基板（１）との結合部が少なくとも１つの位置でブリッジ状に残されており、それによって取付アンカー（２．１）が前記結合部により確実に位置固定されることを特徴とする方法。
21. 前記第１の構造（４ａ）を形成する際に、絶縁層（３）の上に、第１の構造（４ａ）と結合された、導電性層（Ｓ）の第２の構造（４ｂ）を形成することを特徴とする請求項２０に記載の方法。
22. 前記第１の構造（４ａ）を形成する際に、絶縁層（３）の上に、前記第２の構造（４ｂ）と連通している、導電性層（Ｓ）の導電トラック構造（４ｃ）を形成することを特徴とする請求項２１に記載の方法。
23. 絶縁層（３）がシリコンの熱酸化によって生成される、または化学的な気相析出によって生成される、請求項２０から２２のいずれか１項に記載の方法。
24. 前記取付アンカー（２．１）を形成するステップにおいて、前記取付アンカー（２．１）と接続された弾性部分（７）と、前記弾性部分（７）を介して前記取付アンカー（２．１）と結合された質量部分（８）を前記取付アンカー（２．１）と同時に形成することで、質量部分（８）である第２の機能部材、および弾性部分（７）である第３の機能部材を形成し、
    前記弾性部分（７）と質量部分（８）が、取付アンカー（２．１）の切り離しと同時に基板（１）から完全に電気的および機械的に分離されることを特徴とする請求項２０から２３のいずれか１項に記載の方法。
25. 機能部材である取付アンカー（２．１）の機械的な固定部を除いて、導電性層（Ｓ）の第１の構造（４ａ）によって、取付アンカー（２．１）、弾性部分（７）、および質量部分（８）を基板（１）から完全に電気的および機械的に分離するために、次のプロセス、−基板（１）と取付アンカー（２．１）の側面（ｂ）との間に第１の側方の絶縁間隙（５）を形成するために、構造化された表面層のマスキング作用によって生成されるマスクと同時に、フォトリソグラフィで製作されたマスクを用いて基板（１）に凹部をエッチングし、
    −第１の側方の絶縁間隙（５）の垂直方向および水平方向の面にパシベーション層を塗布し、
    −少なくとも第１の側方の絶縁間隙（５）の底面でパシベーション層を除去する目的のためにパシベーション層をエッチングし、基板（１）と、アンカー（２．１）である第１の機能部材、弾性部分（７）である第３の機能部材、質量部分（８）である第２の機能部材のそれぞれの底面（ｃ）との間の全て、あるいはいずれかに第２の絶縁間隙（５ａ）を生成するために、生成されるべき機能部材である取付アンカー（２．１）、弾性部分（７）、および質量部分（８）の、側面（ｂ）および表面（ａ）で保護されているミクロ構造の下で基板材料をアンダーエッチングする、
    という各ステップを実行する、請求項２４に記載の方法。
26. 第１の側方の絶縁間隙（５）を生成するための、基板表面に対して垂直方向の基板（１）への凹部のエッチングが、反応性イオンエッチングプロセスによって行われる、請求項２０から２５のいずれか１項に記載の方法。
27. 基板（１）への反応性イオンエッチングプロセスによる、基板（１）の表面（ａ）に対して垂直なエッチングと同時に、またはこれに引き続いて、導電性層（Ｓ）から基板（１）を完全に電気的に絶縁するために基板材料の所定の等方性エッチングが行われる、請求項２０から２６のいずれか１項に記載の方法。
28. 基板（１）に第１の側方の絶縁間隙（５）をエッチングするためにフッ素または炭素を含有するガスが使用される、請求項２０から２７のいずれか１項に記載の方法。
29. 基板（１）に絶縁間隙（５，５ａ）をエッチングするために塩素またはフッ素を含有するガスが使用される、請求項２０から２８のいずれか１項に記載の方法。
30. 所定の等方性エッチングをするためにドライエッチングプロセス、湿式化学エッチング溶液のいずれかあるいは両方が使用される、請求項２０から２９のいずれか１項に記載の方法。
31. 基板材料のアンダーエッチングの後、導電性層（Ｓ）の表面からパシベーション層が完全に除去される、請求項２０から３０のいずれか１項に記載の方法。
32. パシベーション層が、等方性エッチングの後でドライエッチングプロセスによって導電性層の表面から完全に除去される有機材料でできている、請求項２０から３１のいずれか１項に記載の方法。
33. パシベーション層がプラズマ重合体でできている、請求項２０から３２までのいずれか１項に記載の方法。
34. 導電性層（Ｓ）が後から周辺接続部によって電気的に接触させられる、請求項２０から３３のいずれか１項に記載の方法。
35. 導電性層（Ｓ）が、すでに周囲の基板（１）に存在している周辺接続部によって電気的に接続させられる、請求項２０から３４のいずれか１項に記載の方法。
36. 導電性層（Ｓ）を塗布してこの層を構造化した後、追加的な第２のパシベーション層が塗布され、引き続いて基板（１）に凹部をエッチングする直前に、この第２のパシベーション層が、基板（１）に第１の側方の絶縁間隙（５）をエッチングするためのマスクと同じマスクで構造化される、請求項２０から３５のいずれか１項に記載の方法。
37. 前記追加的な第２のパシベーション層が前記パシベーション層とともに少なくとも導電性層（Ｓ）の表面から除去される、請求項２０から３６のいずれか１項に記載の方法。