JPS59143946A - ガス検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はガス検出装置に関し、より詳＠　１．：　１ま
ＬＰガスや都市ガスのガスもれ警報器に適用し得るガス
検出装置に関するものである。

従来技術 従来のガス検出装置としては、金属酸化物半導体の内部
に電極と電極を兼ねたヒーターコイルを内蔵し、ヒータ
ーコイルによりカロ熱された金属酸化物半導体の抵抗値
が表面でのガス吸着によって下がることを利用したもの
があるが、消費電力が大きく乾電池駆動には適さな（入
と（ｌＸう問題ｈ（あった。

目　　的 本発明は以上の点に鑑み成されたものであって、消費電
力を小さくして乾電池駆動を可能（こするとともに、量
産が容易で、ガス感度力く良く、常に安定に動作し、長
寿命であるようなガス検出装置を提供することを目的と
して（する。

１−腹 本発明の構成について、以下、具体的な実施例に基づい
て一説明する。第１図１よ本発明の１実施例であるガス
検出装置を使用したガス検出器の内部構造を示す概略図
、第２図は第１図のＩ−Ｉ線における断面図である。本
実施例におけるガス検出装置は第１図中１０で示され、
１が基板、２が絶縁層、３が金属層である。金属層３は
それぞれが２つの電極部と１つの細線部を有する３本の
パタンに形成されており、７と９がヒーター、７ａ。

７ｄ、９ｃ、９ｆがヒーター電極、８がガス検知用リー
ド、８ｂ、８ｅが検出用電極である。６はガス検知用半
導体層である。４は絶縁層であり、各電極部（７ａ、８
ｂ、９ｃ、７ｄ、８ｅ’、９ｆ　）には絶縁層４の窓開
けの後バンプ５が形成されている。このガス検出装置１
０は、フィルム２０上に接着されたリード箔２６く６本
）を各電極部（７ａ、８ｂ、９ｃ、７ｄ、８ｅ、９ｆ）
のバンブ５に加熱ボンディングすることによりフィルム
２０上に装着されており、下方は下カバー２１゜上方は
防爆ネット２４と防塵フィルター２５によって覆わねて
いる。防爆ネット２４と防塵フィルター２５はフィルム
２０上に設けられた上カバーワク２２に取り付けられ固
定されている。防爆ネット２４は着火防止用である。防
塵フィルター２５はガス検出装置１０が微細構造であっ
て、表面に付着したゴミによって寿命の低下や動作が不
安定になる等の影響を受けるのを防ぐ為であり、本実施
例のガス検出装置１０をフィルム２０に取り付ける場合
には０．１μｍ以上のゴミを通さず尚且つガスの流出入
には支障を起さないグラスウールを使用している。ガス
はこの防爆ネット２４と防塵フィルター２５を通してガ
ス検知用半導体６に吸着される。

第３図はガス検出装置１０の動作原理を説明するための
概略図、第４図はガス検出器の駆動方法を示すブロック
図である。　電極７ａ−７ｄ間と９Ｏ−９ｃ間にはヒー
ター７．９を延在して設けてあり、電極８ｂ−８ｅ間に
はガス検出用リード８を延在して設けてあり、一方、１
１は電源とパルス駆動回路である。２本のヒーター７．
９にガス検知用リード８が挾まれているのは、ガス検知
用半導体層６の温度分布を均一にするためで、温度分布
が均一になる条件を満たすならばヒーターバタンとガス
検知用リードパタンか交互に何本配置されていても良い
。電極９ｃｍ９ｆ間（７ａ−７ｄ間も同じ）にパルス電
圧１．５〜３Ｖが印加されると電流１０ｆが流れ、１〜
４ＩＩｌｓｅｃでヒーター７゜９は３５０〜４００℃に
達する。同時に絶縁膜２を介してガス検知用半導体層６
も加熱されて抵抗値が下がる。更にガスを吸着するとガ
ス検知用半導体層６の抵抗値は結局２〜３桁下がり、そ
の結果ヒーター７（９も同じ）の電流ｉｃｆがガス検知
用リード８側をｌ　ｃｂｅｆのかたちで流れ、電極８１
）−８ｅ間にパルスの電圧変化として現れる。従ってガ
ス濃度は電極８ｂ−８ｅ間の電圧変動として検出するこ
とができる。第５（ａ）図はＮ極９ｃ　−９ｃ間に入力
した電圧波形ＶＩＮに対する電極８ｂ−８ｅ間の出力電
圧波形ＶＯＩＩＩＯ（ガス濃度Ｏ％時）とＶＯＬＩＴＩ
＜カスフッ４ｇ１０，３．５％時）である。濃度の高い
ガス、例えば１００％の濃度のガスが吸着されると、ｌ
　ｃｂｅ４は増大しＩｃｆは減少する。Ｊｃｆが減少す
ればヒーター７．９の温度が下がるから、それに伴って
ガス検知用半導体層６の温度か低下するとともに抵抗値
は上り始め、ｌ　Ｃｂｅｆは再び小さくなる。この減少
はヒーター７．９の熱容量が小さく熱平衡に達する時間
が短いため、ならびに駆動方法によるものであって、電
極８ｂ−８ｅの出力電圧の安定に要する時間を短縮し、
かつヒーター７．９の温度上昇を押えるという利点があ
る。

第６図は第３図の拡大図であり、本実施例における寸法
は（１−１００〜５００ＪＩＩＩｌ、　Ｉｌｌ　−１〜
３ｐｍ、　ｎ　−５〜２０ＪＩｍ、　ｓ　−＝　１０〜
５０ｐｍ、　ｔ　−１５〜５０μｉ、ＩＪ・・・１〜３
μｍである。ガス検知用リードパタン８の＋ｉｍが１〜
３戸と狭くなっているのは、ガス検知用リードパタン８
の抵抗値を上げることによって第４図における電極８ｂ
−８ａ両端の出力電圧が上り検出電圧のＳ／Ｎ比が改善
されるためと、微細化した方が温度分布が改善されるた
めである。ヒーター７．９の幅がブリッジの中央付近で
広くなっているのは、最も高温になるヒーター中央部で
ヒーター７．９の断面積を増し電流密度を下げるためで
ある。その結果ブリッジの中央部での発熱量が減るから
ヒーター７．９の温度分布を均一にする効果があり、同
時に高温下におけるエレクトロマイグレーションの促進
を防いでヒーター７．９の寿命を向上させる事ができる
。更に、最も高温になるブリッジ中央部でヒーター７．
９とガス検知用リード８が最近接することにより相乗効
果でガス検知用半導体層６の抵抗値が最低となり電極８
ｂ−８ｅ間の検出電圧はより大きくなるからその結果Ｓ
／Ｎ比が向上し、低温で反応する湿度やアルコールに対
してガス検出装置１０の感度を下げ影響を少なくする効
果がある。

次に、上述した如き構成を有するガス検出装置の製造工
程の１例をＭ７図乃至第１４図を参考に詳細に説明する
。まず、第７図に示すように基板１上に絶縁層２．金属
３．レジスト層４を形成する。基板１はガス検出装置の
母体であり、ヒーターパタン、ガス検知用リードパタン
の電極パッドを支持するものであって、上部の層材料に
影響を与えずにアンダーカットエツチングすることが容
易で、高温（５００℃の加熱を数〜１０時間）で変形、
変質しない材料を使用する。本実施例ではＳｉ　　（１
００）を使用しているが、その他にＡｇ。

ＣＬＩ、Ｎ、Ｏｒでも可能である。寸法は１〜４１角で
０．１〜１ｍ１１１の厚みとすると良い。ただしブレー
キングを容易にするため薄い方が良い。２はヒーターパ
タンを支持し、各電極間の絶縁を行う為の絶縁層である
。耐熱材料で絶縁性が高く、ヒーター材料と線膨張率が
近い材料を使用する。例えばＡｆｆ２０３．ＩＶＩ（Ｉ
Ｏ，５ｔ３Ｎ４．Ｔａ２０５でも良い。本実施例では５
ｆ０２を公知のＲＦスパッタリング（Ａｒ圧力０．１〜
０．０１　Ｔｏｒｒ　、投入電力密度１〜１０Ｗ／ｃｍ
’、基板温度３５０−４００″Ｃ）により０．３〜２μ
ｍの厚さに形成している。

３ａはヒーター材料層３ｂと絶縁層２との密着性を高め
るための拡散層である。基板１と絶縁層２の双方のエツ
チング液に耐久性を持つ材料を使用する。本実施例でＧ
、ｔ　Ｍ　ＯをＲ「スパッタリング（条件は前記と同一
）により３００〜８００Ａの厚さに形成している。その
他にＣｒ、　Ｎｉ　、Ｔｉでも良い。３ｂはヒーター材
料層であり長期間安定な材料を使用する。本実語例では
ＰｔをＲＦスパッタリング（条件は前記と同一）により
０．３〜２戸の１７さに形成している。そのほかにＳｉ
　Ｃ，ＴａＮ２等も使用可能である。４はレジスト層で
あり、後述する如く、金属層３をドライエツチングする
際のマスクどなる他、カス検知用リード層の絶縁や各Ｎ
ｊｌｉ部にバンブを形成する際のハンダバンプカラスダ
ムの役割を果−グ。本実施例ではＳｉＯ２をＲＦスパッ
タリング（条件は前記と同一）により０．５〜１μｍの
厚さに形成している。以上の過程は全て同一バッチ内の
連続工程処理が可能で人聞生産に適している。連続であ
るため層間の界面が清浄で、密着性に優れている。また
Ｒ［スパッタリングの条件として基板温度を３５０〜４
００℃どしたことは、基板加熱により朕が緻密になり金
属層３の抵抗値の経時変動幅が小さくなるという公知の
利点の他に、ガス検出装置の動作温度が３５０〜４００
℃であるため、動作時に膜に働くストレスを最小にでき
るという利点があり、イの結果信頼性が向上するからで
ある。

次に、４の５ＩＯ２を公知のフォトリソグラフィー技術
によりフォトエツチングする。エツチング液は一般的な
緩衝フッ酸（ＨＦ＋Ｎ８４　Ｆ）を用いる。フォトマス
クパタンは２つの電極部と１つの細線部を有する形状の
ヒーターパタン及びガス検知用パタン複数個から成り、
ヒーターパタンの発熱によりガス検知用リードパタンの
温度分布が均一になるという条件と、基板１の異方性エ
ツチングに際して電極部を除いてヒーターパタンの周辺
の基板１がアンダーカットエツチングされるという条件
を満たすものとする。この場合に使用する一７オｊへマ
スクパタン１２を第８図に示す。基板１どしてＳｉ　　
（１００）を使用しているから、エツチングされにくい
（１１１）面が現れる方位に電極部１２′をとれば電極
部に対して４５°の角度をなすブリッジ部１２″の下側
にはエツチングされやすい（１１０）面が現れ容易にア
ンダーカットエツチングされて空洞と形成する。又、基
板１として３ｉ　　（１１１）を使用した場合は、フォ
トマスクパタン１２の電極部１２′とブリッジ部１２″
のなす角度を１５°にすることにより、アンダーカット
エツチングが行なわれるように操作することができる。

第９図は４のＳ！　０２をフォトエツチングした後の、
第８図のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。第９図の４
の５ｆＯ２をレジストとして金Ｒ層３のドライエツチン
グを行なったのが第１０図である。ドライエツチングと
したのは、３ａのＰｔに対してはウェットエツチングが
困難な為である。本実施例では、公知のＡｒスパッタエ
ツチング（Ａｒ圧力０．１〜０．０１丁ｏｒｒ　、投入
電力密度１〜１０Ｗ／ｃｍ２．基板温度は常温）にて行
なったが、ＣＦＪ　＋０２のプラズマエツチングでも可
能である。ここで、第１１図に示したフォトマスクパタ
ン１３を用いて第１ｏ図における２と４の８１０２をフ
ォトエツチングして各電極の窓開け７ａ“、　８ｂ″、
９０″、７ｄ″、　８８″。

９ｆ″、基板１のエツチング用窓開け１４，１５゜ヒー
ターパタン及びガス検出リードパタン上の窓開け１６を
行なう。フォトエツチング後の第１１図の■−■線によ
る断面図が第１２図である。３ｉｔ金ｊｉＨ１ｉ　テア
ツＴ：　３　ｂのＭＯ，３ａのＰｔ、３ｂのＭＯから栂
成されている。第１２図の２と４のＳｉＯ２をレジスト
として、更に基板１　（Ｓｉ　）の異方性エツチングを
行なう。エツチング液は公知の異方性エツチング液であ
るＫＯＨ又はＮａ０ｌ−１（３０〜６０％水溶液、液温
８０〜１５０℃）。

ＡＰＷ（エチレンジアミン＋ピロカテコール＋水。

液温９０〜１１０℃）、ヒドラジン水溶液（６４ｍ。

１％、液温９０〜１１０℃）等を使用する。第１３図に
示すように、２０〜４０分のエツチングにより２′の５
ｆＯ２の下側に存在する基板１は深さ５０〜３００　ｐ
ｍアンダーカットされて空洞部を形成し、ヒーターパタ
ン７．９とガス検知用パタン８がブリッジ状の構造とな
るようなプロファイルが得られる。これは上述した如く
基板１の結晶方位とフォトマスクパタンの関係によるも
のである。

第１１図の１４で示される窓開けは、基板１のエツチン
グプロファイルを良好に終了させる効果がある。例えば
本実施例ではブリッジ状の部分の両端にＳｉ　　（１ｉ
ｔ）が残りやすいが、これを残さないようにするのに必
要なエツチング液間が１ｌ２稈度に短縮でき、他の層に
対してエツチング液からのダメージをより少なくするこ
とができる。また、エツチングプロファイルが良好であ
れば、ブリッジ状部分の両端付近においてヒータ一層３
がら絶縁層２を介して基板１に対して熱伝導にょる熱拡
散が起こるのを防ぎ、ヒーター７．９の効率が良くなる
と共に温度分布も均一になりゃすい。

更にブリッジ状部分の両端は比較的低温であるが、この
部分にガス検知用′半導体＠６が形成されないようにな
るから、低温で反応する湿度やアルコールの影響を小さ
くできる。第１２図にアンダーカットエツチングを施し
たものが第１３図である。

次にｍｉ窓１’７ａ、１７ｂに３ｎ、Ａｕをそれぞれ数
〜１０ＪＩｆｆ＋の厚さに蒸着し、基板１を４００〜６
００°Ｃに加熱してドーム状のバンプ５を形成する。

この場合、エツチング用レジスト層４の５ｆＯ２がガラ
スダムのパタンを形成し金属とのぬれ性が悪いことを利
用してＡｕ−３ｎ共晶合金のバンプ５を第１４図に示す
ようにドーム状にする事ができる。第１４図の６はガス
検知用半導体層であり、ヒーターパタン７．９とガス検
知用リードパタン８間にまたがって形成される。Ｓ１１
０２．、　Ｆｅ　２０ｓ　、Ｚｎ　Ｏ等の金属酸化物か
らなるガス検知用半導体材料を用いて、スパッタリング
や蒸着等により０．３〜３μｍの厚さに形成するか、又
は微粉末を水とアルコールで分散・スピンコーティング
して形成する。以上の１稈は、２種のフォトマスクと２
種の蒸着マスクで完成させることができる上マスクアラ
イメント精度も±３胛程度と容易である。これは他のｆ
ＣやＬＳＩの製造１稈に比較してはるかに簡便であるか
らコスト心安く信頼性も高い。

次に、本発明の笑施例に付いて説明する。第１５図はそ
の概略図、第１６図と第１７図はそれぞれ第゛１５図に
おけるｉｖ　−ｒｖ線と■′−１ｖ′線による断面図で
ある。２１が基板、２２が絶縁層、２３が金屈層である
。金属Ｒ２３には、円形？ｔｔｆｆｉ２９ｆ、２９ｆか
ら渦巻き状に伸びて２９ｆの外側に同心円を形成する円
形ヒーター２７２円形ヒーター２７から張出したもう１
つの電極２９ｂ２円形電極２９ｆと円形ヒーター２７の
間に同心円を形成するガス検知用リード２８．ガス検知
用り−ド２８から張出した電ｉ　２８　ｅ　、独立した
電極２９ｇがバタン形成されている。第１７図に示すよ
うに、円形電極２９「は独立した電極２’ｌ＋と基板１
を介して導通が得られるように絶縁層２２に窓開けがし
である。ガス検知用リード２８の電極２９ｅ側でない方
のリード端は、円形電極２９ｆと接続している。２６は
ガス検知用半導体層である。基板２１は同心円をなす円
形ヒーター２７とガス検知用リード２８の外側の部分で
アンダーカットエツチングされ空洞部を形成している。

そのため円形ヒーター２７とガス検知用リード２８は、
第１６図に示すように、円板状の絶縁層２２が基板２１
の空洞部の上に張出している周縁の部分に搭載されてい
ることになる。即ち、加熱部分は支持体である基板２１
と非接触である。電極２９ｂはヒーター電極と検出用電
極を兼ねている。また電極２９ｇはヒーター電極であり
基板２１を介して円形電ｆｆ２９ｆと導通している。電
ｍ２９ｅは検出用電極である。駆動回路とガス濃度の検
出原理は前述した実施例中の第４図における場合と全く
同じである。即ち、第１５図において、電極２９ｂ−２
９ｆ間に印加されたパルス電圧により円形ヒーター２７
が発熱し、ガス検知用半導体層２６が加熱される。高温
になったガス検知用半導体層２６はガスが吸着されると
抵抗値が２〜３桁下がるから、ヒーター２７の電流がガ
ス検知用り一ド２８側を流れ、電極２９ｂ−２９ｅ間の
パルス電圧変化として検出される。

第１８図〜第２１図は第１５図のガス検出装置の■−・
■線による断面図によって製造工程を示した物である。

第１８図では３ｉ　　（１００）の基板２１上に５１０
２の絶縁層２２をスパッタリングにて形成し、第２２図
のフォトマスクバタン１４を用いてフォトエツチングに
より基板２１のアンダーカットエツチング用窓開け２２
′　と電極２９ｆ−２９Ｑ導通の為のコンタクトホール
用窓開け２２ｆ、２２Ｑを行なう。次に、第１９図に示
すようにＭＯを使用した拡散層２３ａとＰｔを使用した
ヒーター材料層２３ｂと５ｆＯｚによるレジスト層２４
をスパッタリングにて形成し、第２３図のフォトマスク
パタン１５を用いて、レジスト層２４をフォトエツチン
グすることにより、円形ヒーター２７′、ガス検知用リ
ード２８′、電極２９ｅ’　、２９ｂ’　、２９ｆ’　
、２９ｇ’　のマスクバタンを形成する。このマスクバ
タンをレジストとして、拡散Ｊｔｉ２ａとヒーター材料
２ｂと拡散層２ａとから成る金属層２３をドライエツチ
ングしたのが第２０図である。金属層２３の上のレジス
ト層２４のＳｉＯ２は極薄いので５ｉ０２エツヂング液
に浸して除去した後、８１基板２１を異方性エツチング
にてアンダーカットエツチングして空洞部を形成し、円
形のヒーターバタン２７とガス検知用バタン２８を同周
上で覆うようにガス検知用半導体層２６を形成すると最
終的には第２１図のようになる。尚、電極２９ｏ−２９
ｆ間は基板２１を介して導通しているので、基板２１の
材料としては高導電率を有していることが必要である。

例えば、高濃度に８又はＰ等の不純物がドーピングされ
たＳｉ等の他Ａｘ、Ｃｕ　、Ｎｉ　、Ｏｒ等を使用する
。

第２２図と第２３図のフォトマスクパタン１４゜１５に
おける寸法は次の様にするとよい。第２３図において円
形電極２９ｆの直径φ１は３０〜８００７ＩＩ１１でそ
の外側に幅１〜１０ハのガス検出用り一ド２８．更に外
側に幅３〜５０Ｊ１ｍのヒーター２７が、円形電極２９
ｆと同心円を成して形成されている。ガス検出用リード
２８とヒーター２７のバタン間のクリアランスは１〜１
０ｐ−である。ヒーター２７とガス検出用リード２８を
支持している円板状絶縁層２２も円形電極２９ｆと同心
円をなしており、その直径φ２は５０〜１，０００μｍ
である。

電ｆｆ１２９ｅと電極２９ｂは、それぞれ同心円から張
出しノているが、第２２図中張出し部分と電極が成す角
度ｑは４５°であって、これは基板２１のＳｉ　　（１
００）の結晶方位と異方性エツチングの関係により、張
出し部分の下がアンダーカットされる様にするためであ
る。張出部の長さｑは５〜５０２ｍが適当である。

本実施例の如き円形型のヒーターは熱拡散が円の中心に
対して同心円状に同一であるから、直線型ヒーターに比
べて温度分布の均一化という点ではるかに優れている。

また、ヒーター支持層（絶縁層）にかかる荷重負荷に付
いても、直線型ヒーターではブリッジ状の構造になるの
に比べて、円形型ヒーターでは円周縁の張出部に載って
いるだけであって、円形型の方がはるかに荷重負荷が小
さく、強度が大きいと言える。更に、ヒーター長はある
程度以上なければならないが、（例えばヒーターの幅が
３μｍ〜１０μｍ、厚さが０．３μｍ抵抗値２００Ωの
時、長さはＯ，’５ｍｍ以上必要である。）直線型ヒー
ターでは長ければ長い程熱膨張の影響が大きく特にパル
ス駆動では、パルスに同期して振動運動を行ない、振動
によってヒーターがガス検知用半導体層と剥離したり、
ヒーターを支持している絶縁層に亀裂を生じたりする。

コイル型のヒーターは熱膨服分を吸収することができる
ので、本実施例のガス検出装置においては渦巻状とする
ことにより振動を吸収する様にした。以上の理由からヒ
ーターを円形とすることは温度分布、強度、寿命等の改
善に関して有効である。

第１５図では円板状の絶縁層２２の円周縁にヒーター２
７とガス検知用リード２８が搭載されているが、逆に基
板の空洞部内に張出した張出部上にヒーターとガス検知
用リードが搭載されている形でも良い。その例として、
ガス検出装置３０を第２４図にその平面を、又第２５図
にその断面を示す。この場合、異方性エツチングにより
アンダーカットされるのは３３で示す円の部分だけであ
るから、円形の部分から電極部を張出させることが容易
であって、第１５図における電極２９ｇ−２９ｆ間のよ
うに基板２１の内部を導電部とする必要はない。３１が
基板、３２が絶縁層、３３が金属層、３７が円形ヒータ
ー、３８がガス検知用リード、３６がガス検知用半導体
層、３９ｂ、３９ｅが検出用電極、３９ｃ　、３９ｆが
ヒーター用電極である。

更にその他の実施例としてガス検出装Ｍ４０を、第２６
図にその平面を、又、第２７図にその断面を示す。４１
が基板、４２．４２’が絶縁層、４３が金属層、４６が
ガス検知用半導体層、４７が円形ヒーター、４８がガス
検知用リード、４９ａ。

４９ｅ　、４９ｃ　、４９ｇがヒーター用電極、　４９
ｂ　、４９ｆ　、４９ｄ　、４９ｈが検出用電極である
。製造方法は、まず基板４１の両側に絶縁層４２と４２
′を形成し片側の絶［）４２をフォトエツチングして窓
開けし、別の片側の絶縁層４２′面が残るまでエツチン
グして基板４１のワクに絶縁層４２′の膜をはったドラ
ム状の構造を作る。

つぎに絶縁層４２′上に金属層４３を形成し円形ヒータ
ー４７．ガス検知用リード４８．各電極４９８〜４９ｈ
のバタン形成を行なう。最後にガス検知用半導体層４６
をコーティングして完成する。

第２６図では円形ヒーター４７とガス検知用り一ド４８
はそれぞれ２本ずつであるが、温度分布が均一であれば
何本でも可能である。第２７図に示されるドラム状の構
造は、ヒーター４７の熱膨張により絶縁層・４２′に与
えるひずみや、外部からの振動による破壊に対して非常
に強度があり、信頼性と寿命の向上という点で有効であ
る。

効　　果 本発明のガス検出装置は多層膜構造のため公知の半導体
技術やフォトリソグラフィ技術、薄膜形成技術を利用し
て微細化することが容易であり、その結果ヒーターの熱
容量を小さくする事ができる。又、加熱部と支持体が非
接触であるため熱伝導による熱拡散が少なくなってヒー
ターの効率が向上すると共に熱平衡に達する時間が短縮
゛する。

以上の結果、ガス検出装置の消費電力は著しく減少し、
且つパルス駆動に適するようになるため、従来のＡＣ１
００Ｖ駆動のガス警報器に比べてはるかにセットフリー
な乾電池駆動のガス警報器を供給することが可能になる
。また、同一金属層にヒーターとガス検知用リードを形
成するため製造工程は単ｆ１ｉ簡素であり、信頼性の向
上と開度時の低コスＩ・化に効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のガス検出装置を使用したガス検出器の
概略図、第２図は第１図のＩ−Ｉ線による断面図、第３
図は動作原理を説明するための概略図、第４図は駆動方
法を示すブロック図である。 第５（ａ）、（ｂ）図は第４図における実験データのグ
ラフ図、第６図は第３図の中央部の拡大図である。第７
図、第９図、第１０図、第１２図。 第１３図、第１４図は本発明のガス検出装置１０の製造
工程を示す各断面図、第８図と第１１図は製造工程中使
用されるフォトマスクパタンの概略図である。第１５図
は本発明の他の実施例を示す概略図、第１６図と第１７
図は夫々第１５図のＩＶ−■線とＩＶ’−ＩＶ’線によ
る断面図、第１８図乃至第２１図はその製造工程を示す
各断面図、第２２図と第２３図は製造工程中使用するフ
ォトマスクパタンを示す各概略図である。第２４図と第
２５図は、第１５図により概略が示される実施例に関す
る参考例の平面図と断面図である。第２６図は、本発明
のガス検出装置の、更に別の実施例を示す概略図であり
、第２７図は第２６図の断面図である。 （符号の説明） １：　基板　　　　２：　絶縁層 ３：　金属層　　　４：　レジスト層 ５：　バンブ　　　６：　ガス検知用半導体層７．９：
　　ヒーター　　８：　ガス検知用１ノー１ニアａ、７
ｄ、９ｃ、９ｆ　：　　ヒーター電極８ｂ、８ｅ　：　
　検出用電極 特許出願人　　　　株式会社　　リ　　コ　　−第１１
ア１ ０ 、’、（：　２　　（−４ ？−： 第３図 １１・５（ａ）＋　、ｊ　　　　　　　　　　；ｉ’ヅ
５（ｂ　）ｉ　”！第７：゛１ 第８ｊｉ ２ １２’ 第９１！ 第１０図 りＨ゛；、　　＋　　＋　　ｔ　　・１３ マ：イ′５１２図 ２、′コ１３自 ｚｊ５１４１」 Ｌ′シ１５１？１ 一些 ；’　１６図 第１８図 し・１９図 第２０図 第２１１４ 第２２図 第２３図 ５ ／ 第２４図 塁９ ９ｅ 第２５１シ１ ス６ 手続補正口 昭和５８年　３月１７日 特許庁長官　　若　杉　和　夫　　殿 １、事件の表示　　　昭和５８年　　特　許　願　　第
　１７３８１　　号２、発明の名称　　　ガ　ス　検　
出　装　置３、補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 住所　　東京都大田区大森西１丁目９番１７号名称　　
　　リ　コ　−　精　器　株式会社４、代理人 ５、補正命令の日付　　　自　　発 （符号の説明） １：　基板　　　　２：　絶縁層 ３：　金属層　　　４：　レジスト層 ５：　バンプ　　　６：　ガス検知用半導体層１．９：
　　ヒーター　　８：　ガス検知用リード７ａ、７ｄ、
９ｃ、９ｆ　　：　　ヒーター電極８ｂ、８ｅ　：　　
検出用電極

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板、前記基板上に設けられ空中に張出した張出部
   を形成した絶縁層、前記張出部上に互いに離隔して並設
   された少くとも１対の導電層、前記導電層間に接触して
   形成されたガス感応物質層とを有し、前記ガス感応物質
   層がガスと接触反応することによりその抵抗値変化とし
   てガス検出を行なうことを特徴とするガス検出装置。 ２、上記第１項において、前記張出部が架橋構造を有す
   ることを特徴とするガス検出装置。 ３、上記第１項において、前記張出部が片持梁構造を有
   することを特徴とするガス検出装置。 ４、上記第１項及び第３項の何れか１項において、前記
   ガス感応物質層を金属酸化物半導体で形成したことを特
   徴とするガス検出装置。