TWI496176B - 微機電系統裝置和製造微機電系統裝置的方法 - Google Patents

Description

微機電系統裝置和製造微機電系統裝置的方法

本文所述實施方式一般關於微機電系統裝置和製造微機電系統裝置的方法。

一種微機電系統(Micro-electromechanical system；MEMS)裝置，其包括可動電極和固定電極，具有低損耗，高絕緣性，和高線性度。它吸引了很多關注，作為下一代行動電話中的關鍵裝置。另外，MEMS電容器已被提出，其良好的利用MEMS裝置，且其它可以具有可變的靜電電容。

在MEMS電容器中，由於位於上部電極下方的下部電極(固定電極)的突起-凹陷圖案，上部電極(可動電極)在某些情況下可能無法具有平坦的表面。例如，在下部電極的那部分，其具有圖案邊緣，上部電極是由於圖案邊緣向下彎曲。在這種情況下，當裝置以施加於上部電極和下部電極之間電壓驅動時，上部電極無可避免地接觸下部電極的邊緣。其結果是，佔據了電容器區域較 大的一部分的上部電極和下部電極將不如期望的多次接觸。

因此，包含上部電極和下部電極(及，此外，在下部電極上形成的絕緣膜)的電容器無法獲得足夠的電容。為了使上部電極和下部電極充分接觸，在電極之間施加的電壓可能會提高。然而，如果電壓升高，電極之間的間隙將改變。因此，必須施加高電壓以達到電容完全飽和，造成問題。

本發明之一態樣為一種微機電系統裝置，包含：一第一電極，設置在一支撐基板上；一掩埋絕緣膜，形成在該第一電極的該側上；以及一第二電極，相對於該第一電極，具有延伸至該第一電極的該端之外側的端，並能夠在其相對於該第一電極的該方向中移動。

本發明之另一態樣為一種製造一微機電系統裝置的方法，包含：在一支撐基板的一部上形成一第一電極；在該第一電極的側上形成一掩埋絕緣膜；在該第一電極和該掩埋絕緣膜上形成一犧牲層；在該犧牲層上形成一第二電極；以及在該第二電極形成之後除去該犧牲層。

本發明之再一態樣為一種製造一微機電系統裝置的方法，包含：在一支撐基板的一部上形成一第一電極；在該支撐基板和該第一電極上形成一第一犧牲層；在該第一犧 牲層上形成一第二犧牲層；在該第二犧牲層上形成一第二電極；以及在該第二電極已形成之後除去該第一犧牲層和該第二犧牲層。

10‧‧‧支撐基板

11‧‧‧基板

12‧‧‧絕緣膜

21‧‧‧下部電極(第一電極)

21a‧‧‧狹縫

22‧‧‧上部電極(第二電極)

22a‧‧‧狹縫

23‧‧‧第一彈簧部(樑部)

24‧‧‧錨部

25‧‧‧第二彈簧部

26‧‧‧錨部

28‧‧‧線

31‧‧‧電容器絕緣膜

32‧‧‧緩衝膜

33‧‧‧中止膜

34‧‧‧掩埋絕緣膜

41‧‧‧第一犧牲層

42‧‧‧第二犧牲層

圖1是根據第一實施方式輪廓化微機電系統裝置的結構的俯視圖；圖2A和圖2B是分別沿著示於圖1的線AA'和線BB'的剖視圖；圖3A至3H是根據第一實施方式示出製造微機電系統裝置的步驟的剖視圖；圖4是根據第二實施方式示出構成微機電系統裝置的主要部分的剖視圖；圖5A至5D是根據第二實施方式示出了製造微機電系統裝置的步驟的剖視圖；圖6是示出第二實施方式的變形例的剖視圖；圖7A至7D是根據第三實施方式示出製造微機電系統裝置的步驟的剖視圖；圖8是根據第四實施方式輪廓化微機電系統裝置的結構的俯視圖；以及圖9是沿著示於圖8的線BB'的剖視圖。

根據一實施方式，一種微機電裝置包含設置在支撐基板上之第一電極，形成在第一電極的側上之掩埋絕緣膜，以及相對於該第一電極之第二電極，具有延伸至第一電極的端之外側的端，並能夠在其相對於第一電極的方向中移動。

將參考附圖來描述根據實施方式的微機電系統裝置。下面描述的實施方式是微機電系統裝置，其中靜電電容可以是多種多樣的。儘管如此，本發明並不限定於這樣的裝置，並且可以應用到開關元件。

(第一實施方式)

圖1是根據第一實施方式輪廓化微機電系統裝置的結構的俯視圖。圖2A是沿示於圖1的線AA'截取的剖視圖。圖2B是沿示於圖1的線BB'的放大剖視圖。如圖2A所示，掩埋絕緣膜的一部分未示出。當電壓施加於上部和下部電極之間時，本實施方式是以靜電力驅動的類型的裝置中。

在圖2A和2B中，標號10係指由Si基板11和絕緣膜12組成的支撐基板，例如，形成在Si基板11上的氧化矽膜。支撐基板10可以併入元件，如構成邏輯電路和存儲器電路的場效應電晶體。

在支撐基板10上，設置下部電極(第一電極)21並使用作為固定電極。下部電極21是，例如矩形，並且是由，例如，鋁(Al)或主要由鋁組成的鋁合金 製成。下部電極21的材料並不限於這些。相反地，下部電極21可以由銅(Cu)，鉑(Pt)，或鎢(W)等製成。下部電極21連接到與下部電極21相同的材料製成的線28，並由此連接到各種電路或地面等。

形成包括，例如，矽氮化膜，並具有厚度為100nm的電容器絕緣膜31，覆蓋下部電極21的表面。電容器絕緣膜31的材料並不限於矽氮化膜。電容器絕緣膜31反而可以是高介電係數k膜，其具有較SiO和SiN大的介電常數。

在下部電極21的側，形成掩埋絕緣膜34，其包括氧化矽膜。因此，掩埋絕緣膜34降低了下部電極21的上表面和任意一側所定義的階。更具體地，如圖2B所示，形成電容器絕緣膜31，覆蓋下部電極21和支撐基板10的表面。此外，在下部電極21與支撐基板10的側，由氧化矽組成的緩衝膜32和由氮化矽組成的中止膜33形成在電容器絕緣膜31上。另外，在下部電極21的側，含有氧化矽膜的掩埋絕緣膜34形成在中止膜33上。掩埋絕緣膜34的上表面是與下部電極21的上表面同高度或在下部電極21的上表面之下。

上部電極(第二電極)22，或可動電極配置在下部電極21的上方，並與下部電極21相對。上部電極22為矩形，並大於下部電極21，重疊下部電極21。因此，上部電極22的端部位於下部電極21的端部之外。上部電極22是由，例如，低電阻材料如的鋁，鋁合金， 銅，金或鉑等製成。然而，上部電極22的材料並不限於可延展的材料。上部電極22也可以由脆性材料，如鎢(W)製成。

如圖1所示，如上所見，下部電極21和上部電極22是矩形。他們可以是形狀像正方形，圓或橢圓來代替。

上部電極22在某些部分藉由第一彈簧部(樑部)23連接至設置在支撐基板10上的錨部24。第一彈簧部23和錨部24設置在幾個位置(例如，4個位置)。第一彈簧部23，例如，氮化矽膜，具有蜿蜒的形狀，並具有彈性。這些彈簧部23使上部電極22能向上和向下移動。

上部電極22在某些部分藉由由導電材料製成的第二彈簧部25連接至設置在支撐基板10上的錨部26。第二彈簧部25可以與上部電極22製成一體，並可能自其延伸。第二彈簧部25以上部電極22實現電氣導通，並且是非常細長，而由諸如鋁的彈性材料製成。

可以設置圓頂層(圖中未示出)，覆蓋在其中上部電極22，彈簧部23和25可以移動的空間中。

在本實施方式中，下部電極21在側藉由掩埋絕緣膜34被掩埋。因此，可以在平坦的犧牲層上形成上部電極22，其將在後面描述。這有助於抑制上部電極22的彎曲。

根據本實施方式的微機電系統裝置的製造方 法將參照圖3A至3H進行說明。圖3A至3H是相當於沿示於圖1的線BB'的剖視圖。

首先，如圖3A所示，用於形成較低的信號電極或較低的驅動電極和用於形成電極的線的電極材料(例如，Al合金)施加到支撐基板10的整個表面。支撐基板10包含由例如，Si組成製成的基板11和形成在基板11上的絕緣膜12。然後圖案化電極材料，形成電極和線。如圖3A所示，僅示出下部電極(第一電極)21的一部分。電極材料的圖案化可以藉由，例如，使用抗蝕劑傳輸和各向異性蝕刻。下部電極21具有，例如，1μm的高度。

然後，例如，將作為電容器絕緣體的氮化矽膜(電容器絕緣膜)31，形成在基板10上，藉由沉積和圖案覆蓋下部電極21。電容器絕緣膜31具有，例如，100nm的厚度。

接著，如圖3B所示，包括，例如，氧化矽膜的緩衝膜32，以及包括，例如，氮化矽膜中止膜33以所述的順序沉積。這些膜具有10至500nm的厚度。形成中止膜33以防止當犧牲層(稍後描述)被回蝕時，緩衝膜32被蝕刻。形成緩衝膜32以防止當中止膜33被蝕刻時，電容器絕緣膜31被損壞。

此外，如圖3C所示，藉由，例如，CVD法形成包括，例如，氧化矽膜的掩埋絕緣膜34。掩埋絕緣膜34的厚度為1.8至2.0μm。緩衝膜32，阻擋層膜33和 掩埋絕緣膜34的厚度可以根據需要而改變，因為它們取決於下部電極21的厚度。

接著，如圖3D中所示，進行化學機械拋光(chemical mechanical polishing；CMP)，拋光掩埋絕緣膜34。應較佳地設置特定條件以在中止膜33的上表面停止拋光。這有助於改善下部電極21具有相對於其他部分的平坦度。

然後，如圖3E中所示，進行乾法蝕刻製程或濕法蝕刻製程，蝕刻掩埋絕緣膜34的上表面。該蝕刻的量是約緩衝層32的厚度和中止膜33的厚度的總和。乾法蝕刻的代表性示例是反應性離子蝕刻(reactive ion etching；RIE)。在濕法蝕刻中，如果掩埋絕緣膜34是氧化膜，使用含氟酸的溶液。

如圖3F所示，阻擋層膜33的那部分，其存在於下部電極21之上，是由如化學乾法刻蝕(Chemical dry etching；CDE)之乾法蝕刻除去，暴露出緩衝膜32的部分。緩衝膜32的露出部分藉由濕法除去。其結果是，電容器絕緣膜31，其形成在下部電極21上，被暴露，並且下部電極21在側被掩埋絕緣膜34掩埋。

接著，在圖3G所示，由如聚醯亞胺之有機材料組成的第一犧牲層41是藉由塗佈在結構的整個表面上形成。第一犧牲層41被去除後以提供在下部電極21和上部電極22之間的空間。

在這一點上，犧牲層41的那些部分，其位於 下部信號電極或下部驅動電極上面並在線之上面，特別是那部分幾乎是平坦，上部電極22將形成在其上。然後，犧牲層41被圖案化以形成用於定位上部電極22之錨部。犧牲層41被圖案化，例如，藉由使用抗蝕劑和蝕刻傳輸。

此外，在圖3H所示，施加上部電極材料以形成層。層被圖案化以形成上部電極22，一個驅動電極和一個偏置線。在圖3H中，只上部電極22被示出。此時，上部電極22下表面的那部分幾乎是平的，其相對下部電極21。

接著，形成第一彈簧部23(未示出)，它支持上部電極21。然後，刪除犧牲層41。由此提供結構，其中，上部電極22被支撐在空間中。第二彈簧部25可以在第一彈簧件23形成之同一時間形成。

在以下步驟中，如迄今實行同樣的方式形成第二犧牲層於上部電極上，以提供在上部電極和圓頂層之間的空間。然後形成圓頂層。然後，圓頂層被圖案化，形成透過其以去除所述第一和第二犧牲層之孔。此外，使用製作在圓頂層中的孔，進行蝕刻第一和第二犧牲層，形成覆蓋結構的圓頂。

在本實施方式中，掩埋絕緣膜34形成在下部電極21的側，減少由上表面和下部電極21的任意一側所定義的階。因此，犧牲層41可以具有幾乎平坦的表面。對製程形成上部電極22的導電層是形成在改善了平坦度 之犧牲層41上。此能夠抑制上部電極22的彎曲。由於上部電極22的彎曲被抑制，在上部電極22保持浮動(在關閉狀態)，維持或延長電容器的可變電容範圍的同時，電容器的電容可以減小。因此，可實現包括可變電容電容器和開關，並具有優異的電容特性之微機電系統裝置。

(第二實施方式)

圖4是根據第二實施方式示出構成微機電系統裝置的主要部分的剖視圖，並且是沿著剖面圖1中所示的線BB'的剖視圖，與在圖2B中所示相同的組件是由相同的參考數字來指示，並不再進行詳細說明。

本實施方式不同於上述第一實施方式中，其中形成幾乎平坦的上部電極22而不設置掩埋絕緣膜34。也就是說，雖然不使用掩埋絕緣膜34，但是形成幾乎平坦的上部電極22，如將在下面說明的那樣。

根據本實施方式的製造MEMS裝置的方法將參照圖5A-5D進行說明。

首先，如圖3A所示，用於形成下部信號電極或下部驅動電極以及用於形成用於電極的佈線的電極材料被施加到支撐基板10。電極材料被圖案化，形成下部電極21。

接著，如圖5A所示，由如聚醯亞胺的有機材料所阻成之第一犧牲層41，藉由塗佈，形成在結構的整個表面上。然後，在必要的部分(未示出)執行圖案化。

然後，如圖5B所示，第二犧牲層42由如聚醯亞胺的有機材料組成，藉由塗佈，在結構的整個表面上形成。然後，在必要的部分(未示出)來執行圖案化。第二犧牲層42的圖案完全覆蓋第一犧牲層41。第一犧牲層41和第二犧牲層42的高度的總和相當於下部電極21和上部電極22之間的間隙。由於形成兩犧牲層，每個犧牲層由於下部電極圖案而在上表面所具有的凹陷和凸起是比在其中只用一犧牲層的情況下來得更加緩和。

第二犧牲層42的表面不必是完全平坦的，並且可以反映在圖5C中所示的第一犧牲層41的階。在這種情況下，同樣，第二犧牲層42的表面幾乎是平的在從第一犧牲層41的邊緣之短距離的兩個位置之間延伸的部分。

接著，如圖5D所示，導電薄膜被沉積和圖案化，形成上部電極22。由於兩犧牲層已經形成，上部電極22的下表面幾乎是平坦的下表面，如同犧牲層的上表面。上部電極22的那些部分，其位在下部電極21的端部，形成幾乎是平坦的。因此，裝置可以獲取足夠大的電容以作用為電容器。

如果第二犧牲層42反映如圖5C所示的第一犧牲層41的階，上部電極22的端部會如圖6中所示彎曲。然而，這並沒有不利地影響電容器特性，因為在上犧牲層22的彎曲部分存在於下部電極21的端部以外。

藉由重複塗佈和圖案化兩次形成兩個犧牲 層。該塗佈和圖案化可以重複更多次以形成更多的犧牲層。此外，在第一犧牲層41和第二犧牲層42不必由相同的材料組成。更進一步地，在施加第一犧牲層41的材料後，可施加第二犧牲層42的材料，並由此形成兩個層可以在同一時間圖案化以形成犧牲層41和42。

在本實施方式中，多個犧牲層藉由重複沉積和圖案化形成，以提供在下部電極21和上部電極22之間的空間。因此，每個犧牲層在上表面由於下部電極圖案所具有的凹陷和凸起反而比較不那麼深和高。這緩和了下部電極21的影響，最終抑制上部電極22的邊緣部分的彎曲。因此，第二實施方式可以實現與第一實施方式相同的優點。

(第三實施方式)

圖7A至7D是示出根據本發明第三實施方式的製造微機電系統裝置的步驟的剖面圖。與在圖5A-5D中所示相同的組件是由相同的參考數字來指示，並不再進行詳細說明。

本實施方式不同於上述的第二實施方式，其中在第一犧牲層上進行回蝕處理。

在本實施方式中，如圖7A所示，下部電極21被形成在支撐基板10上，並且然後在下部電極21上形成電容器絕緣膜31。然後，第一犧牲層41形成在所得到的結構的整個表面上，並且被圖案化。

接著，如圖7B所示，回蝕第一犧牲層41，露出電容器絕緣膜31的表面。其結果是，第一犧牲層41的那些部分，其接近下部電極21的側，位在下部電極21的上表面幾乎相同的高度上，並且第一犧牲層的其他部分41位在比下部電極21的上表面較低的高度上。

然後，如圖7C所示，材料被施加到電容器絕緣膜31的露出部分和第一犧牲層41。在這一點上，第二犧牲層42不必一定具有平坦的表面。第二犧牲層42的表面可以反映底層的階。電容器絕緣膜的表面可以不暴露。在這種情況下，電極之間的距離是由第一犧牲層41和第二犧牲層42的其餘部分構成的層疊來決定。

此外，如圖7D所示，導電薄膜被沉積第二犧牲層42上並圖案化，由此形成上部電極22。

在本實施方式中，同樣，上部電極22的端部可彎曲。然而，如果上部電極22彎曲，它在遠離下部電極21的端部之向外部分彎曲，因為下部電極21在側被第一犧牲層41掩埋，並且因此，下部電極21在側的階是小的。因此，上部電極22的彎曲不會引起問題。

如上所述，形成多個犧牲層，一個接一個，以提供在下部電極21和上部電極22之間的空間。此外，第一犧牲層41進行回蝕。其結果是，儘管由於下電極的圖案形成在上表面的凹陷和凸起，犧牲層的平坦度會增加。因此，該實施方式可以實現與第二實施方式相同的優點。此外，因為第一犧牲保護層41進行回蝕，下部電極 21和上部電極22之間的距離僅由第二犧牲層42的厚度確定。

(第四實施方式)

圖8是根據第四實施方式輪廓化微機電系統裝置的結構的俯視圖。圖9是沿著示於圖8的線BB'的剖視圖。相同的，與在圖1，圖2A，和圖2B中所示相同的組件是由的參考數字來指示並不再進行詳細說明。

本實施方式適用於具有狹縫的電極結構，並且是基本上類似於第一實施方式。

下部電極21在中心部中具有狹縫21a。狹縫21a沿著平行於電極21的長度方向延伸。上部電極22也具有與狹縫21a對齊的狹縫22a。形成比下部電極21大的上部電極22，並且在上部電極22中製成的狹縫22a比下部電極21中製成的狹縫21a小。即，設置上部電極22，重疊整個下部電極21。

形成電容器絕緣膜31，覆蓋下部電極21。掩埋絕緣膜34形成在下部電極21的側，且另一絕緣膜34上形成狹縫21a。因此，掩埋絕緣膜34減少在下部電極21的邊緣的階。緩衝膜32和中止膜33(在圖9中均未示出)可形成在下部電極21的側並在狹縫21a中，如在第一實施方式中。

在此配置中，掩埋絕緣膜不僅形成在下部電極21的側，而且在下部電極21中製成的狹縫21a中。因 此，用於形成上部電極22的犧牲層可以有幾乎平坦的面。由此，即使由於下部電極21的邊緣形成的凹陷和凸起，這能夠抑制上部電極22的彎曲。因此，第三實施方式可以實現與第一實施方式相同的優點。

(修改的實施方式)

本發明並不限定於上述的實施方式。

在任何上述實施方式中，形成緩衝膜和中止膜以抑制當犧牲層進行回蝕時，電容器絕緣膜所接收的損害。儘管如此，如果對電容器絕緣膜的損壞不會造成問題，並不需要形成緩衝膜和中止膜。

支撐基板不限於是Si基板以及氧化矽膜形成在Si基板上組成。由例如，玻璃，製成的絕緣基板可以用來代替。另外，設置用於上部電極的樑部不必由與上部電極的材料不同的材料製成。相反地，它們也可以是和上部電極相同的材料製成，並且可以在和上部電極相同的時間形成。

任何上述實施方式是以藉由施加在上和下電極之間的電壓所產生的靜電力驅動的裝置。然而，本發明可以應用到的MEMS結構，其中有不同的金屬製成並放在另一個上的電極，以及其是由這些電極構成的層疊體所產生的壓電式力驅動。

以上所描述的任何實施方式是MEMS電容器。不過，本發明可應用於MEMS開關。在這種情況 下，形成在下部電極的電容器絕緣膜的一部分，例如，接觸上部信號電極的部分，藉由圖案化和蝕刻除去，從而暴露下部電極的表面。其結果，上部電極和下部電極構成開關。當電極分別由上部和下部驅動電極驅動，此結構運作如同開關。

上面描述的任何實施方式具有兩個電極，即，下部電極和上部電極。儘管如此，本發明可以應用到具有三個或多個電極(例如，固定上部電極，下部電極固定和可動中間電極)的微機電系統裝置。此外，每一個電極可以根據所需的靜電電容設定到任何大小。

雖然已經描述了某些實施方式，這些實施方式僅作為示例，並且不打算限制本發明的範圍。事實上，本文所述新穎的實施方式可能在各種其他形式來實施，而且，以本文所描述的實施方式的形式的各種省略，替代和變化可以在不脫離本發明的精神之下做到。所附申請專利範圍及其等同物意在涵蓋將落在本發明的範圍和精神內的形式或修改。

10‧‧‧支撐基板

11‧‧‧基板

12‧‧‧絕緣膜

21‧‧‧下部電極(第一電極)

22‧‧‧上部電極(第二電極)

25‧‧‧第二彈簧部

26‧‧‧錨部

31‧‧‧電容器絕緣膜

34‧‧‧掩埋絕緣膜

Claims (20)

1. 一種微機電系統裝置，包含：一第一電極，設置在一支撐基板上；一絕緣膜，形成在該第一電極的該側上，該絕緣層包含一高度等於或低於該第一電極的該上表面之一上表面；以及一第二電極，相對於該第一電極，具有延伸至該第一電極的該端之外側的端，並能夠在其相對於該第一電極的該方向中移動。
2. 如申請專利範圍第1項的裝置，更包含連接該支撐基板和該第二電極並彈性支撐該第二電極的樑部。
3. 如申請專利範圍第2項的裝置，其更包含設置在該支撐基板上的錨部，且其中該樑部分別在一端連接到該錨部，以及在另一端連接到該第二電極。
4. 如申請專利範圍第1項的裝置，其中該絕緣層是一氧化矽膜。
5. 如申請專利範圍第1項的裝置，其中該絕緣層是包含一氮氧化矽膜和一氮化矽膜的一多層膜。
6. 如申請專利範圍第1項的裝置，其中形成一電容器絕緣膜，覆蓋該第一電極。
7. 如申請專利範圍第1項的裝置，其中包含一氮化矽膜的一電容器絕緣膜形成在該支撐基板上，覆蓋該第一電極，且包含一氧化矽膜的一緩衝膜和包含一氮化矽膜的一中止膜形成在該電容器絕緣膜上，在該第一電極的該側 和該支撐基板上。
8. 如申請專利範圍第1項的裝置，其中該支撐基板包含一矽基板和形成在該矽基板上的一氧化矽膜。
9. 一種製造一微機電系統裝置的方法，包含：在一支撐基板的一部上形成一第一電極；在該第一電極的側上形成一掩埋絕緣膜，首先藉由在該支撐基板上沉積該掩埋絕緣膜，覆蓋該第一電極，然後藉由拋光在該第一電極上除去該掩埋絕緣膜；在該第一電極和該掩埋絕緣膜上形成一犧牲層；在該犧牲層上形成一第二電極；以及在該第二電極形成之後除去該犧牲層。
10. 如申請專利範圍第9項的方法，其中該掩埋絕緣層是包含一氮氧化矽膜和一氮化矽膜的一多層膜。
11. 如申請專利範圍第9項的方法，其中該犧牲層是由一有機材料製成。
12. 如申請專利範圍第9項的方法，其中設置樑部，彈性支撐該第二電極，在除去該犧牲層之前和已形成該第二電極之後。
13. 一種製造一微機電系統裝置的方法，包含：在一支撐基板的一部上形成一第一電極；在該支撐基板和該第一電極上形成一第一犧牲層；在該第一犧性層上形成一第二犧牲層；在該第二犧性層上形成一第二電極；以及在該第二電極已形成之後除去該第一犧牲層和該第二 犧牲層。
14. 如申請專利範圍第13項的方法，其中在該第二犧牲層形成之前回蝕並除去該第一犧牲層，且在該第一犧牲層和該第一電極上形成該第二犧牲層。
15. 如申請專利範圍第13項的方法，其中該第一犧牲層和該第二犧性層是由一有機材料製成。
16. 如申請專利範圍第13項的方法，其中設置樑部，彈性支撐該第二電極，在除去該犧牲層之前和已形成該第一電極和該第二電極之後。
17. 一種微機電系統裝置，包含：一第一電極，設置在一支撐基板上；一絕緣膜，形成在該第一電極的該側上，該絕緣層是包含一氮氧化矽膜和一氮化矽膜的一多層膜；以及一第二電極，相對於該第一電極，具有延伸至該第一電極的該端之外側的端，並能夠在其相對於該第一電極的該方向中移動。
18. 一種微機電系統裝置，包含：一第一電極，設置在一支撐基板上；一絕緣膜，形成在該第一電極的該側上；以及一第二電極，相對於該第一電極，具有延伸至該第一電極的該端之外側的端，並能夠在其相對於該第一電極的該方向中移動；一電容器絕緣膜，形成在該支撐基板上，該電容器絕緣膜包含一氮化矽膜，且覆蓋該第一電極； 一緩衝膜，形成在該電容器絕緣膜上，該緩衝膜包含一氧化矽膜，在該第一電極的該側和該支撐基板上；以及一中止膜，形成在該緩衝膜上，該中止膜包含一氮化矽膜，在該第一電極的該側和該支撐基板上。
19. 一種製造一微機電系統裝置的方法，包含：在一支撐基板的一部上形成一第一電極；在該第一電極的側上形成一掩埋絕緣膜，首先藉由在該支撐基板上沉積該掩埋絕緣膜，覆蓋該第一電極，然後藉由拋光在該第一電極上除去該掩埋絕緣膜；在該第一電極和該掩埋絕緣膜上形成一犧牲層，該犧牲層是由一有機材料製成；在該犧牲層上形成一第二電極；以及在該第二電極形成之後除去該犧牲層。
20. 一種製造一微機電系統裝置的方法，包含：在一支撐基板的一部上形成一第一電極；在該第一電極的側上形成一掩埋絕緣膜，首先藉由在該支撐基板上沉積該掩埋絕緣膜，覆蓋該第一電極，然後藉由拋光在該第一電極上除去該掩埋絕緣膜；在該第一電極和該掩埋絕緣膜上形成一犧牲層；在該犧牲層上形成一第二電極；設置樑部，彈性支撐該第二電極；以及在設置該樑部之後除去該犧牲層。