JP2014180732A - Ｍｅｍｓ装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】下部電極のエッジに起因する上部電極の湾曲を抑制することができ、可変容量キャパシタやスイッチで優れた容量特性を有する。
【解決手段】ＭＥＭＳ装置であって、支持基板１０上に設けられた第１の電極２１と、第１の電極２１の周辺部に埋め込まれた埋め込み絶縁膜３４と、第１の電極２１に対向配置され、端部が第１の電極２１の端部よりも外側にはみ出すように設けられ、且つ第１の電極２１との対向方向に可動可能に設けられた第２の電極２２と、支持基板１０上に設けられ、第２の電極２２を弾性的に支持する梁部２３と、を具備した。
【選択図】 図２

Description

本発明の実施形態は、ＭＥＭＳ装置及びその製造方法に関する。

可動電極と固定電極で形成されたＭＥＭＳ（Micro-Electro-Mechanical Systems）デバイスは、低損失、高絶縁性、高線形性の特徴を有し、次世代の携帯電話のキーデバイスとして注目されている。さらに、このようなＭＥＭＳの特長を生かし、静電容量を可変できるＭＥＭＳキャパシタが提案されている。

ＭＥＭＳキャパシタでは、下に位置する下部電極（固定電極）のパターンの凹凸により上部電極（可動電極）が平坦に形成されない場合がある。例えば、下部電極のパターンエッジがある箇所では、このエッジに対応して上部電極が下方に湾曲する。そのため、上下電極間に電圧を印加して駆動させた時に上部電極が下部電極のエッジに接触して、キャパシタの面積の大きな部分を占める上部電極と下部電極の平面部が十分に密着しない。

この場合、上部電極と下部電極（及び下部電極上に形成した絶縁膜）からなるキャパシタにおいて十分な容量が得られないという問題点がある。また、上部電極と下部電極とを十分に密着させるために電極間に印加する電圧を高くすると電極間の空隙が変化し、即ち容量が十分に飽和するには高い電圧を必要とするという問題も存在する。

特開２０１１−６６１５０号公報 特開２０１２−１９６０４１号公報

発明が解決しようとする課題は、下部電極のエッジに起因する上部電極の湾曲を抑制することができ、可変容量キャパシタやスイッチ等で優れた容量特性を有するＭＥＭＳ装置及びその製造方法を提供することである。

実施形態のＭＥＭＳ装置は、支持基板上に設けられた第１の電極と、前記第１の電極の周辺部に埋め込まれた埋め込み絶縁膜と、前記第１の電極に対向配置され、端部が第１の電極の端部よりも外側にはみ出すように設けられ、且つ前記第１の電極との対向方向に可動可能に設けられた第２の電極と、前記基板上に設けられ、前記第２の電極を弾性的に支持する梁部と、を具備している。

第１の実施形態に係わるＭＥＭＳ装置の概略構成を示す平面図。 図１の矢視Ａ−Ａ’断面図及び矢視Ｂ−Ｂ’断面図。 第１の実施形態のＭＥＭＳ装置の製造工程を示す断面図。 第１の実施形態のＭＥＭＳ装置の製造工程を示す断面図。 第２の実施形態に係わるＭＥＭＳ装置の要部構成を示す断面図。 第２の実施形態のＭＥＭＳ装置の製造工程を示す断面図。 第２の実施形態の変形例を示す断面図。 第３の実施形態のＭＥＭＳ装置の製造工程を示す断面図。 第４の実施形態のＭＥＭＳ装置の概略構成を示す平面図。 図９の矢視Ｂ−Ｂ’断面図。

以下、実施形態のＭＥＭＳ装置を、図面を参照して説明する。なお、以下の実施形態では、静電容量を可変できるＭＥＭＳキャパシタの例を説明するが、これに限らずスイッチ素子に適用することも可能である。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係わるＭＥＭＳ装置の概略構成を示す平面図である。図２（ａ）は図１の矢視Ａ−Ａ’断面図、図２（ｂ）は図１の矢視Ｂ−Ｂ’断面拡大図である。なお、図２（ａ）では、埋め込み絶縁膜は一部省略して示している。また、本実施形態は、上下電極間に電圧を印加して静電力で駆動させる方式である。

図中の１０は、Ｓｉ基板１１上にシリコン酸化膜等の絶縁膜１２を形成した支持基板であり、この基板１０には、ロジック回路や記憶回路を構成する電界効果トランジスタなどの素子が設けられていても良い。

支持基板１０上に、固定電極としての下部電極（第１の電極）２１が形成されている。下部電極２１は、例えば長方形に形成され、例えばアルミニウム（Ａｌ）又はＡｌを主成分とする合金で構成されている。下部電極２１の構成材料は、必ずしもこれらに限らず、銅（Ｃｕ）、又は白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）等であっても良い。また、下部電極２１は、下部電極２１と同じ材料で形成された配線２８に接続され、種々の回路又は接地線等に接続されるものとなっている。

下部電極２１の表面を覆うように、例えばシリコン窒化膜からなる厚さ１００ｎｍのキャパシタ絶縁膜３１が形成されている。キャパシタ絶縁膜３１の材料としては、シリコン窒化膜に限らず、ＳｉＯｘやＳｉＮよりも高誘電率を有する High-k 膜を用いても良い。

下部電極２１の側部には、シリコン酸化膜からなる埋め込み絶縁膜３４が形成され、下部電極２１の上面とその外側との段差が小さくなっている。より具体的には、図２（ｂ）に示すように、下部電極２１及び支持基板１０の表面を覆うようにキャパシタ絶縁膜３１が形成され、下部電極２１の側面及び支持基板１０上で、キャパシタ絶縁膜３１上に、シリコン酸化膜からなるバッファ膜３２、及びシリコン窒化膜からなるストッパ膜３３が形成されている。そして、下部電極２１の側部で、ストッパ膜３３上にシリコン酸化膜からなる埋め込み絶縁膜３４が形成されている。

下部電極２１の上方に該電極２１に対向するように、可動電極としての上部電極（第２の電極）２２が配置されている。上部電極２２は、下部電極２１よりも大きな長方形であり、下部電極２１にオーバーラップするように形成されている。即ち、上部電極２２の端部は、下部電極２１の端部よりも外側にはみ出すように設けられている。上部電極２２は、例えばＡｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ，Ａｕ，又はＰｔ等の延性材料で形成されている。但し、必ずしも延性材料に限らず、タングステン（Ｗ）等の脆性材料で形成されていても良い。

なお、図面において、下部電極２１及び上部電極２２の平面における形状は長方形であるが、これに限らず正方形、円形、又は楕円形であっても良い。

上部電極２２の一部は、第１バネ部（梁部）２３により支持基板１０上に設けたアンカー部２４に固定されている。これらの第１バネ部２３及びアンカー部２４は、複数箇所（例えば４箇所）に設けられている。第１バネ部２３は、例えばシリコン窒化膜からなり、メアンダ形状に形成されて弾性を有している。このバネ部２３により上部電極２２が上下方向に可動可能となっている。

また、上部電極２２の一部は、導電性の第２バネ部２５により基板１０上に設けたアンカー部２６に接続されている。さらに、第２のバネ部２５は、上部電極２２の一部が延びて、上部電極２２と一体的に形成されていても良い。第２バネ部２５は、上部電極２２と導通を取るためのものであり、極めて細いＡｌ等の弾性材料で形成されている。

なお、図には示さないが、上部電極２２及びバネ部２３，２５の可動空間を覆うようにドーム層が形成されていても良い。

このように本実施形態では、下部電極２１の側部が埋め込み絶縁膜３４で埋め込まれているので、後述するように上部電極２２を平坦性を向上させた犠牲層上に形成することができ、上部電極２２の湾曲を抑制することができる。

次に、本実施形態のＭＥＭＳ装置の製造方法を、図３及び図４を参照して説明する。図３及び図４は、前記図１の矢視Ｂ−Ｂ’断面に相当している。

まず、図３（ａ）に示すように、Ｓｉ等の基板１１上に絶縁膜１２を形成した支持基板１０上に、下部信号電極若しくは下部駆動電極及びそれらの配線を構成する電極材料（例えばＡｌ合金）を全面に形成し、パターニングすることにより電極及び配線を形成する。図３（ａ）では、下部電極（第１の電極）２１の部分のみを示している。パターニング方法としては、例えばレジストによる転写と異方性エッチングによる電極材料の加工で行うことができる。下部電極２１の高さは例えば１μｍである。

続いて、下部電極２１の上面に形成されるキャパシタの絶縁体となる、例えばシリコン窒化膜（キャパシタ絶縁膜）３１を、堆積とパターニングにより下部電極２１を覆うように基板１０上に形成する。キャパシタ絶縁膜３１の厚さは、例えば１００ｎｍである。

次いで、図３（ｂ）に示すように、例えばシリコン酸化膜からなるバッファ膜３２、例えばシリコン窒化膜からなるストッパ膜３３を順に堆積する。これらの膜厚は共に１０〜５００ｎｍである。ストッパ膜３３を設けるのは、後述する犠牲層のエッチバック時にバッファ膜３２がエッチングされるのを防止するためである。バッファ膜３２を設けるのは、ストッパ膜３３をエッチングする際にキャパシタ絶縁膜３１にダメージが発生するのを防止するためである。

次いで、図３（ｃ）に示すように、例えばシリコン酸化膜からなる埋め込み絶縁膜３４を成膜する。膜厚は１．８〜２．０μｍである。バッファ膜３２、ストッパ膜３３及び埋め込み絶縁膜３４の各膜厚は、下部電極２１の厚さにも依存するので適宜変更できるものである。

次いで、図３（ｄ）に示すように、ＣＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリッシュ）により埋め込み絶縁膜３４を研磨する。研磨はストッパ膜３２の上面で研磨が停止するように条件を設定するとよい。これにより、下部電極２１上とそれ以外の部分との平坦性が良くなる。

次いで、図４（ｅ）に示すように、ドライエッチング又はウェットエッチング処理によって埋め込み絶縁膜３４の上面をエッチングする。このときのエッチング量は、おおよそバッファ膜３２及びストッパ膜３３の合計膜厚分である。ドライエッチングの代表的な手法はＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）であり、ウェットエッチングの場合は埋め込み絶縁膜３４が酸化膜である場合はフッ酸を含む溶液で行う。

次いで、図４（ｆ）に示すように、下部電極２１上のストッパ膜３３をドライエッチング、例えばＣＤＥ（ケミカル・ドライ・エッチング）で除去する。続いて、露出したバッファ膜３２をウェット処理によって除去する。ここで、キャパシタ絶縁膜３１が形成された下部電極２１が露出し、且つ電極２１の側部が絶縁膜３４によって埋め込まれた形状を形成することができる。

次いで、図４（ｇ）に示すように、下部電極２１と上部電極２２との間を中空にするために、ポリイミド等の有機材料からなる第１の犠牲層４１を全面に塗布形成する。

このとき、下部信号電極又は下部駆動電極、配線の直上、特に上部電極構造が形成される箇所の犠牲層は、おおむね平坦に形成されている。続いて、犠牲層４１を上部電極２２の位置決めを行うためのアンカー部分などを形成するためにパターニングを行う。犠牲層４１のパターニングは、例えばレジストによる転写とエッチングにより行われる。

次いで、図４（ｈ）に示すように、上部電極材料を形成し、パターニングによって上部電極２２、駆動電極、及びバイアス線などを形成する。図４（ｈ）では上部電極２２の部分のみを示している。このとき上部電極２２の裏面で直下の下部電極２１と対向する箇所はおおむね平坦となっている。

次いで、図には示さないが、上部電極２２を支持する第１バネ部２３を形成し、犠牲層４１を除去することにより、前記図２（ｂ）に示すように、上部電極２２が中空に支持された構造を形成することができる。また、第２バネ部２５は上部電極２２と同時に形成することもできる。

これ以降の形成方法は、従来と同じで上部電極上にドーム層との空間を確保するための第２の犠牲層を形成し、その上にドーム層を形成する。続いて、ドーム層をパターニングして犠牲層を除去する貫通孔を形成する。さらに、貫通孔を通して第１及び第２の犠牲層をエッチングすることにより、構造体をそれを覆うドームが形成されることになる。

このように本実施形態によれば、下部電極２１の両側部に埋め込み絶縁膜３４を形成し、下部電極２１による段差を小さくしているので、犠牲層４１の表面をほぼ平坦に形成することができる。このため、上部電極２２の形成のための導電層は、平坦性を向上させた犠牲層４１上に形成されることになり、下部電極２１のエッジに起因する上部電極２２の湾曲を抑制することができる。さらに、上部電極２２の湾曲を抑制することで、上部電極２２が浮いているとき（オフ時）のキャパシタ容量を小さくでき、キャパシタの可変容量の範囲を維持又は大きくすることができる。従って、可変容量キャパシタやスイッチで優れた容量特性を有するＭＥＭＳ装置を実現することが可能となる。

（第２の実施形態）
図５は、第２の実施形態に係わるＭＥＭＳ装置の要部構成を示す断面図であり、前記図１のＢ−Ｂ’断面に相当している。なお、図２（ｂ）と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。

本実施形態が先に説明した第１の実施形態と異なる点は、埋め込み絶縁膜３４を設けることなく、上部電極２２をほぼ平坦に形成したことである。即ち、埋め込み絶縁膜３４は無いものの、以下の製法により上部電極２２はほぼ平坦に形成されている。

本実施形態の製造方法を、図６（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。

まず、第１の実施形態の図３（ａ）と同様にして、支持基板１０上に下部信号電極若しくは下部駆動電極及びそれらの配線を構成する電極材料を形成し、パターニングすることによって下部電極２１を形成する。

次いで、図６（ａ）に示すように、ポリイミド等の有機樹脂からなる第１の犠牲層４１を全面に塗布し、パターニングを行う。

次いで、図６（ｂ）に示すように、ポリイミド等の有機樹脂からなる第２の犠牲層４２を全面に塗布し、パターニングを行う。第２の犠牲層４２のパターンは第１の犠牲層４１のパターンを完全に覆っている。第１の犠牲層４１と第２の犠牲層４２の合わせた高さが、下部電極２１と上部電極２２との間隔に相当する。このように犠牲層を２層に形成することで、１層のみの場合より下部電極パターンによる犠牲層上面の凹凸が緩和される。

ここで、第２の犠牲層４２の表面は完全に平坦である必要はなく、図６（ｃ）に示すように下地の第１の犠牲層４１の段差を反映したものであっても良い。この場合であっても、第２の犠牲層４２の表面は、第１の犠牲層４１のエッジから少し離れた位置まではほぼ平坦となっている。

次いで、図６（ｄ）に示すように、導電膜の堆積及びパターニングにより上部電極２２を形成する。犠牲層を２層で形成しているので犠牲層上面に対応した上部電極２２の下面がほぼ平坦に形成され、下部電極２１の端部での上部電極２２がほぼ平坦に形成されるため、十分な容量が得られる。

なお、図６（ｃ）に示すように、第２の犠牲層４２が下地の第１の犠牲層４１の段差を反映している場合、図７に示すように、上部電極２２の端部は湾曲したものとなる。しかし、上部電極２２の湾曲している部分は、下部電極２１の端部よりも外側に位置するため、キャパシタ特性上は何ら問題にならない。

また、犠牲層は２回での塗布・パターニングだが、更に多数回での塗布・パターニングでも問題ない。さらに、第１の犠牲層４１と第２の犠牲層４２は同一の材料でなくても構わない。また、第１の犠牲層４１の塗布後に第２の犠牲層４２を塗布し、同時にパターニングを行っても構わない。

このように本実施形態によれば、下部電極２１と上部電極２２との間の高さを確保するための犠牲層を複数回に分けて形成することで、下部電極パターンに起因する犠牲層上面の凹凸の平坦性が向上する。これにより、下部電極２１の段差による影響を緩和することができ、上部電極２２のエッジ部の湾曲を抑制することができる。従って、第１の実施形態と同様の効果が得られる。

（第３の実施形態）
図８（ａ）〜（ｄ）は、第３の実施形態に係わるＭＥＭＳ装置の製造工程を示す断面図である。なお、図６（ａ）〜（ｄ）と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。

この実施形態が先の第２の実施形態と異なる点は、第１の犠牲層にエッチバック処理を加えたことである。

本実施形態では、図８（ａ）に示すように、支持基板１０上に下部電極２１を形成し、その上にキャパシタ絶縁膜３１を形成する。続いて、第１の犠牲層４１を全面に塗布し、パターニングを行う。

次いで、図８（ｂ）に示すように、第１の犠牲層４１をエッチバックし、キャパシタ絶縁膜３１の表面を露出させる。これにより、第１の犠牲層４１は、下部電極２１の側部近傍では下部電極２１の上面とほぼ同じ高さとなり、それより外側では下部電極２１の上面よりも低くなる。

次いで、図８（ｃ）に示すように、露出したキャパシタ絶縁膜３１上及び第１の犠牲層４１上に第２の犠牲層４２を塗布する。このとき、第２の犠牲層４２は必ずしも表面が平坦である必要はなく、下地の段差を反映したものであっても良い。なお、必ずしもキャパシタ絶縁膜の表面を露出しなくても良い。その場合は、電極間の距離は残留した第１の犠牲層４１と第２の犠牲層４２との積層で決まる。

次いで、図８（ｄ）に示すように、第２の犠牲層４２上に導電膜を堆積した後、パターニングすることにより、上部電極２２を形成する。

本実施形態の場合も上部電極２２の端部が湾曲する可能性があるが、上部電極２２の形成のための導電膜を形成する際に、下部電極２１の端部近傍は第１の犠牲層４１で埋め込まれて段差が小さくなっているため、仮に上部電極２２に湾曲が発生したとしても、それは下部電極２１の端部よりも外側方向に離れた位置である。従って、上部電極２２の湾曲は何ら問題とならない。

このように本実施形態によれば、下部電極２１と上部電極２２との間の高さを確保するための犠牲層を複数回に分けて形成し、更に第１の犠牲層４１のエッチバック処理を施すことにより、下部電極パターンに起因する犠牲層上面の凹凸の平坦性が向上する。従って、第２の実施形態と同様の効果が得られる。また、第１の犠牲層４１をエッチバックしているので、下部電極２１と上部電極２２との間の距離が第２の犠牲層４２の厚さのみで決まる利点もある。

（第４の実施形態）
図９は、第４の実施形態に係わるＭＥＭＳ装置の概略構成を示す平面図であり、図１０は、図９の矢視Ｂ−Ｂ’断面図である。なお、図１及び図２と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。

本実施形態は、スリットを有する電極構造に適用した例であり、基本的には、第１の実施形態と同様である。

下部電極２１の中央部に、該電極２１の長手方向と平行な方向にスリット２１ａが形成されており、上部電極２２にもスリット２１ａに対応するスリット２２ａが形成されている。そして、上部電極２２は下部電極２１よりも大きく形成され、且つ上部電極２２のスリット２２ａは下部電極２１のスリット２１ａよりも小さく形成されている。即ち、上部電極２２は下部電極２１の全体にオーバーラップするように設けられている。

また、下部電極２１を覆うようにキャパシタ絶縁膜３１が形成されている。下部電極２１の側部及びスリット２１ａの部分には埋め込み絶縁膜３４が埋め込まれており、これにより下部電極２１のエッジ部における段差が小さくなっている。なお、図１０には示さないが、第１の実施形態と同様に、下部電極２１の周辺の側部及びスリット部にバッファ膜３２及びストッパ膜３３が形成されていても良い。

このような構成においては、下部電極２１の周辺の側部は勿論のこと、下部電極２１のスリット２１ａを設けた部分にも埋め込み絶縁膜３４が埋め込まれている。このため、上部電極２２の形成のための犠牲層の表面をほぼ平坦に形成することができ、下部電極２１のエッジに起因する上部電極２２の湾曲を抑制することができる。従って、第１の実施形態と同様の効果が得られる。

（変形例）
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。

実施形態では、犠牲層のエッチバックにおけるキャパシタ絶縁膜のダメージを抑制するためにバッファ膜及びストッパ膜を形成したが、キャパシタ絶縁膜のダメージが問題とならない場合はこれらを省略することも可能である。

支持基板は、Ｓｉ基板上にシリコン酸化膜を形成したものに限らず、ガラス等の絶縁基板を用いることも可能である。上部電極の梁部は必ずしも上部電極と異なる材料で形成することに限らず、上部電極と同じ材料で同時に形成することも可能である。

実施形態は、上下電極間に電圧を印加して静電力で駆動させる方式であるが、電極を積層の異種金属で形成してその圧電力で駆動する方式のＭＥＭＳ構造体にも適用できる。

実施形態ではＭＥＭＳキャパシタの例で説明したが、ＭＥＭＳスイッチでも適用可能である。この場合、下部電極上に形成するキャパシタ絶縁膜の一部、例えば上部信号電極と接触する箇所をパターニングとエッチングにより除去することで下部電極表面を露出させる。これにより、上部電極と下部電極によるスイッチが形成され、上下駆動電極により電極が駆動することによりスイッチが動作する。

実施形態では、下部電極と上部電極の２つの電極を用いた例で説明したが、３つ以上の電極（例えば固定した上部電極と固定した下部電極と可動する中間電極）で構成されたＭＥＭＳにも適用可能である。更に、電極の大きさは必要な静電容量により自由に設計できる。

本発明の幾つかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１０…支持基板
１１…Ｓｉ基板
１２…絶縁膜
３１…シリコン窒化膜（キャパシタ絶縁膜）
３２…シリコン酸化膜（バッファ膜）
３３…シリコン窒化膜（ストッパ膜）
３４…シリコン酸化膜（埋め込み絶縁膜）
２１…下部電極（第１の電極）
２１ａ…下部電極のスリット
２２…上部電極（第２の電極）
２２ａ…上部電極のスリット
２３…第１バネ部（梁部）
２５…第２バネ部
２４，２６…アンカー部
４１…第１の犠牲層
４２…第２の犠牲層

Claims (11)

1. 支持基板上に設けられた第１の電極と、
   前記第１の電極の周辺部に埋め込まれた埋め込み絶縁膜と、
   前記第１の電極に対向配置され、端部が第１の電極の端部よりも外側にはみ出すように設けられ、且つ前記第１の電極との対向方向に可動可能に設けられた第２の電極と、
   前記支持基板上に設けられ、前記第２の電極を弾性的に支持する梁部と、
   を具備したことを特徴とするＭＥＭＳ装置。
2. 前記埋め込み絶縁膜の高さは、前記第１の電極の上面よりも低いことを特徴とする、請求項１記載のＭＥＭＳ装置。
3. 前記埋め込み絶縁膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする、請求項１又は２に記載のＭＥＭＳ装置。
4. 前記埋め込み絶縁膜は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜からなる複層膜であることを特徴とする、請求項１又は２に記載のＭＥＭＳ装置。
5. 前記第１の電極を覆うようにキャパシタ絶縁膜が形成されていることを特徴とする、請求項１乃至４の何れかに記載のＭＥＭＳ装置。
6. 前記第１の電極を覆うように前記支持基板上にシリコン窒化膜からなるキャパシタ絶縁膜が形成され、前記第１の電極の側面及び前記支持基板上で、前記キャパシタ絶縁膜上にシリコン酸化膜からなるバッファ膜及びシリコン窒化膜からなるストッパ膜が形成されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載のＭＥＭＳ装置。
7. 前記支持基板は、シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成したものであることを特徴とする、請求項１乃至６の何れかに記載のＭＥＭＳ装置。
8. 支持基板上の一部に第１の電極を形成する工程と、
   前記第１の電極の周辺部に埋め込み絶縁膜を埋め込む工程と、
   前記第１の電極上及び前記埋め込み絶縁膜上に犠牲層を形成する工程と、
   前記犠牲層上に第２の電極を形成する工程と、
   前記第２の電極を形成した後に、前記犠牲層を除去する工程と、
   を含むことを特徴とするＭＥＭＳ装置の製造方法。
9. 支持基板上の一部に第１の電極を形成する工程と、
   前記支持基板上及び前記第１の電極上に第１の犠牲層を形成する工程と、
   前記第１の犠牲層上に第２の犠牲層を形成する工程と、
   前記第２の犠牲層上に第２の電極を形成する工程と、
   前記第２の電極を形成した後に、前記第１及び第２の犠牲層を除去する工程と、
   を含むことを特徴とするＭＥＭＳ装置の製造方法。
10. 前記第２の犠牲層を形成する前に、前記第１の犠牲層をエッチバックして前記電極上の前記第１の犠牲層を除去し、前記第２の犠牲層は前記第１の犠牲層上及び前記第１の電極上に形成することを特徴とする、請求項９記載のＭＥＭＳ装置の製造方法。
11. 前記犠牲層又は前記第１及び第２の犠牲層は、有機材料であることを特徴とする、請求項８乃至１０の何れかに記載のＭＥＭＳ装置の製造方法。

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