JP2014187262A

JP2014187262A - Ｍｅｍｓ装置

Info

Publication number: JP2014187262A
Application number: JP2013061857A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Yamazaki; 宏明山崎; Hisashi Kubo; 悠久保
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2013-03-25
Filing date: 2013-03-25
Publication date: 2014-10-02
Anticipated expiration: 2033-03-25
Also published as: US20140284188A1; TWI501274B; TW201438043A; US9187311B2; JP5881635B2

Abstract

【課題】ホットスイッチング耐性を維持しながら高いプルアウト電圧を実現する。
【解決手段】ＭＥＭＳ装置であって、支持基板１０上に設けられた第１の電極２０と、第１の電極２０に対向配置され、第１の電極２０との対向方向に可動可能に設けられた第２の電極３０と、第２の電極３０の対向する２辺にそれぞれ接続されて第２の電極３０を弾性的に支持する梁部３３と、を具備している。そして、第２の電極３０は、梁部３３が接続されている辺と平行方向に表裏を貫通して形成されたスリット３１を有し、且つ該スリット３１と交差するように該スリット３１に架け渡され、第２の電極３０とは異なる材料で形成された少なくとも一つのブリッジ部３２を有している。
【選択図】図３

Description

本発明の実施形態は、ＭＥＭＳ装置に関する。

可変容量を初めとした高周波ＭＥＭＳ（Micro Electro-Mechanical Systems）素子は、従来の半導体素子に比べ、信号ロスが少なく線形性にも優れているため、次世代無線システムへの搭載が期待されている。この種の無線システムでは、高周波信号が通過した状態で、素子をスイッチングさせる所謂ホットスイッチングを要求されることがある。

ＭＥＭＳ素子においてホットスイッチングを行う際には、セルフアクチュエーションとセルフホールディングが問題となる。セルフアクチュエーションに関しては、プルイン電圧を高周波信号による実効的なＤＣバイアス値より高くすれば良く、通常のＭＥＭＳの設計で比較的回避し易い。一方、セルフホールディングに関しては、プルアウト電圧を高周波信号によるＤＣバイアス値より高くする必要があり、通常のＭＥＭＳ設計では回避するのが難しい。

特開２０１１−６６１５０号公報特開２０１２−１９６０４１号公報

発明が解決しようとする課題は、ホットスイッチング耐性を維持しながら高いプルアウト電圧を実現し得るＭＥＭＳ装置を提供することである。

実施形態のＭＥＭＳ装置は、支持基板上に形成された第１の電極と、前記第１の電極に対向配置され、第１の電極の対向方向に可動可能に設けられた第２の電極と、前記第２の電極の対向する２辺にそれぞれ接続されて前記第２の電極を弾性的に支持する梁部と、を具備している。そして、前記第２の電極は、前記梁部が接続されている辺と平行方向に表裏を貫通して設けられたスリットを有し、且つ該スリットと交差するように該スリットに架け渡され、前記第２の電極とは異なる材料で形成された少なくとも一つのブリッジ部を有する。

ＭＥＭＳ装置の基本構成及び原理を説明するための模式図。ＭＥＭＳ装置におけるプルイン電圧とプルアウト電圧との間のヒステリシスを示す特性図。第１の実施形態に係わるＭＥＭＳ装置の概略構成を示す平面図。図３の矢視Ａ−Ａ’断面図及び矢視Ｂ−Ｂ’断面図。図３のＭＥＭＳ装置の製造工程を示す断面図。図３のＭＥＭＳ装置の製造工程を示す断面図。ブリッジ有りの場合のＶ字変形の様子を示す模式図。ブリッジ無しの場合のＶ字変形の様子を示す模式図。第１の実施形態によるプルアウト電圧の向上効果を説明するための特性図。第２の実施形態に係わるＭＥＭＳ装置の概略構成を示す平面図。第２の実施形態に係わるＭＥＭＳ装置の概略構成を示す平面図。第２の実施形態に係わるＭＥＭＳ装置の概略構成を示す平面図。第２の実施形態に係わるＭＥＭＳ装置の概略構成を示す平面図。第２の実施形態に係わるＭＥＭＳ装置の概略構成を示す平面図。第２の実施形態に係わるＭＥＭＳ装置の概略構成を示す平面図。

実施形態を説明する前に、ＭＥＭＳ装置の基本構成及びその動作原理について説明しておく。

ＭＥＭＳ装置は、図１（ａ）（ｂ）に示すように、基板１上に固定された下部電極２上に可動可能な上部電極３を設け、これらの電極２，３間の駆動電圧（ＤＣ電圧）による静電力によって、上部電極３を下部電極２に接触又は離間させるものである。なお、図中の４はキャパシタ絶縁膜である。また、図には示さないが、上部電極３はバネ部により支持されている。

このＭＥＭＳ装置は、図２に示すように、上下の電極２，３間を接触させるプルイン電圧と電極２，３間を離間させるプルアウト電圧にヒステリシスを有している。即ち、プルアウト電圧よりもプルイン電圧の方が高くなっている。

（背景技術）でも説明したように、ＭＥＭＳ装置においてホットスイッチングを行う場合、以下のような問題がある。高周波信号は実効的にＤＣバイアスを持ち、その結果、静電引力を発生させる。即ち、ＭＥＭＳ装置においてホットスイッチングを行うということは、高周波信号による実効的な静電引力が働いている状態でのスイッチングを意味する。このときに問題になるのが、次の二つである。

第１は、ＭＥＭＳ装置がオフ状態で、図１（ａ）に示すように電極２，３間が接触していないアップステート（up state）のときに、実効的な静電引力によってプルインし、強制的にオン状態、即ち図１（ｂ）に示すようにダウンステート（down state）になってしまうセルフアクチュエーションの問題である。第２は、ＭＥＭＳ装置がオン状態、即ち図１（ｂ）に示すように電極２，３間が絶縁膜４を介して接触しているダウンステートからアップステートへスイッチングさせようとしたときに、高周波信号による静電引力により接触し続け、駆動信号に拘わらずダウンステートの状態を維持してしまうセルフホールディングの問題である。

セルフアクチュエーションに関しては、ＭＥＭＳ装置がアップステートからダウンステートになる電圧であるプルイン電圧を高周波信号による実効的なＤＣバイアス値より高くすれば良く、これは通常のＭＥＭＳの設計では比較的回避しやすい。例えば、無線方式の一つであるＧＳＭ（登録商標）では最大３Ｗの高周波電力が通過し、５０Ωの特性インピーダンスの場合、実効的な静電引力は約１３Ｖに相当するが、通常のＭＥＭＳ素子においてプルイン電圧を１３Ｖ以上にすることは比較的容易である。

セルフホールディングに関しては、ＭＥＭＳ装置がダウンステートからアップステートになるプルアウト電圧（引き剥がし電圧）を高周波信号によるＤＣバイアス値より高くする必要がある。しかし、単にプルアウト電圧を高くするためにバネ部の力を強くすると、プルイン電圧が益々大きくなってしまう。

従来、プルアウト電圧を高くする構造として、ＭＥＭＳ装置の上部電極にスリットを入れた構造が提案されている。この構造は上部電極の長手方向（バネが接続されている辺と平行方向）にスリットを入れることでプルアウト電圧を高くできる。即ち、プルイン電圧とプルアウト電圧のヒステリシスを小さくすることができる。しかし、実際に素子を作製すると、上部電極がＶ字形状に変形するＶ字変形と呼ばれる変形を起こし、本来期待される特性を示さなくなる。

なお、Ｖ字変形は後述する犠牲層のキュアによる収縮による力で発生しており、スリット付の上部電極構造は機械的剛性が弱いためこの力によってＶ字変形が発生すると考えられている。そのため、スリット有構造は実際には実現することが困難である。

本実施形態は、スリット形成によるＶ字変形を抑制し、Ｖ字変形対策と高いホットスイッチング耐性を両立させるものである。

以下、実施形態のＭＥＭＳ装置を、図面を参照して説明する。

（第１の実施形態）
図３及び図４は、第１の実施形態に係わるＭＥＭＳ装置の概略構成を示す説明するためのもので、図３は平面図、図４（ａ）は図３の矢視Ａ−Ａ’断面図、図４（ｂ）は図３の矢視Ｂ−Ｂ’断面図である。

図中の１０は、シリコン（Ｓｉ）基板１１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）等の絶縁膜１２を形成した支持基板であり、この基板１０には、ロジック回路や記憶回路を構成する電界効果トランジスタなどの素子が設けられていても良い。

支持基板１０上に、固定電極としての下部電極（第１の電極）２０が設けられている。下部電極２０は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やＡｌ合金等からなり、複数（例えば左右に２つ）に分離されている。また、下部電極２０は、下部電極２０と同じ材料で形成された配線（図示せず）に接続され、種々の回路に接続されるものとなっている。なお、下部電極２０の構成材料はＡｌやＡｌ合金に限るものではなく、銅（Ｃｕ），金（Ａｕ），又は白金（Ｐｔ）等で形成しても良い。

下部電極２０の表面を覆うように、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）からなるキャパシタ絶縁膜４１が形成されている。キャパシタ絶縁膜４１としては、シリコン窒化膜に限らず、ＳｉＯｘやＳｉＮよりも高誘電率を有する High-k 膜を用いても良い。

下部電極２０の上方に該電極２０に対向するように、可動電極としての上部電極（第２の電極）３０が配置されている。上部電極３０は、下部電極２０よりも大きな長方形であり、下部電極２０にオーバーラップするように形成されている。即ち、上部電極３０の端部は、下部電極２０の端部よりも外側にはみ出すように設けられている。上部電極３０は、例えばＡｌ，Ａｌ合金，Ｃｕ，Ａｕ，又はＰｔ等の延性材料で形成されている。延性材料とは、その材料からなる部材に応力を与えて破壊する場合に、その部材が大きな塑性変化を生じてから破壊される材料のことである。但し、上部電極３０は、必ずしも延性材料に限らず、タングステン（Ｗ）等の脆性材料で形成されていても良い。

上部電極３０の長手方向の２辺（対向する２辺）は、第１バネ部（梁部）３３により基板１０上に設けたアンカー部３５に固定されている。第１バネ部３３は、例えばシリコン窒化膜からなり、メアンダ形状に形成されて弾性を有している。このバネ部３３により上部電極３０が上下方向に可動可能となっている。上部電極３０と第１バネ部３３が接続されている領域及びその周辺部の直下には下部電極２０が存在しないように下部電極２０には適宜ノッチ形状が設けられている。これは上部電極３０及び第１バネ部３３の接続領域で発生する上部電極の変形の影響を避けるためである。但し、この下部電極２０のノッチ形状は必ずしも形成されなくてもよい。

第１バネ部３３は、脆性材料である。脆性材料とは、その材料からなる部材に応力を与えて破壊する場合に、その部材が塑性変化（形状の変化）を殆ど生じないで破壊される材料である。

第１バネ部３３に用いる材料は、必ずしもシリコン窒化膜に限るものではなく、シリコン酸化膜等でも構わない。さらに、ポリＳｉ、Ｓｉ、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム−チタニウム（ＡｌＴｉ）合金のような導電性を有する材料を使用しても良い。なお、ＡｌＴｉ合金は、ＡｌとＴｉに加えて他の元素を含んでいても良い。つまり、第１バネ部３３の材料は脆性材料に限らず延性材料であっても良い。

また、上部電極３０の一部は、導電性の第２バネ部３４により基板１０上に設けたアンカー部３５に接続されている。第２バネ部３４は、上部電極３０と導通を取るためのものであり、導電性を有する延性材料から構成され、上部電極３０と同じ材料が用いられる。具体的には、第２バネ部３４には、例えばＡｌ，Ａｌを主成分とする合金、Ｃｕ，Ａｕ又はＰｔ等の金属が用いられる。アンカー部３５は、例えば導電体から構成され、バネ部３４と同じ材料から構成される。

なお、図には示さないが、上部電極３０及びバネ部３３，３４の可動空間を覆うようにドーム層が形成されていてもよい。また、下部電極２０の分離は高周波特性を改善するためであるが、必ずしも必須ではない。さらに、第２バネ部３４は第１バネ部３３と同じアンカー部３５に固定したが、第１バネ部３３とは異なるアンカー部（図示せず）に固定するようにしても良い。

ここまでの基本構成に加え本実施形態では、上部電極３０にスリット３１及びブリッジ部３２が設けられている。即ち、上部電極３０には、バネ部３３が接続されている長手方向の２辺と平行にスリット３１が設けられている。このスリット３１は、上部電極３０の中央部で該電極３０の表裏を貫通するように形成されている。そして、スリット３１と交差するように複数箇所（例えば４箇所）で、該スリット３１に架け渡されたブリッジ部３２が形成されている。ブリッジ部３２は、脆性材料であり、例えば窒化シリコンからなる絶縁膜である。これらのブリッジ部３２は、両端部の下面が上部電極３０に固定されている。

上部電極３０の中央部は両側のバネ３３から最も距離が離れており、プルアウト時にバネ３３から受ける力が最も弱く、この部分が下部電極２０側に吸引されていると、上部電極３０をプルアウトし難い。中央部分にスリット３１を設けると、この部分の吸引力が無くなるので、プルアウト電圧を上げることができる。

ブリッジ部３２を設けることにより、上部電極３０において最も剛性の低くなっているスリット部分における剛性を高めることができる。スリット部分の剛性を高めることは、Ｖ字変形を抑制することに繋がる。このようにスリット３１に対してブリッジ部３２を設けることにより、上部電極３０のＶ字変形を抑制する構造となっている。

また、上部電極３０には、各バネ部３３の接続位置とスリット３１との間にそれぞれ、穴３６が設けられている。下部電極２０にも、穴３６に対応して穴２６が設けられている。上部電極３０の穴３６は下部電極２０の穴２６よりも径が小さく、穴の部分においても上部電極３０が下部電極２０をオーバラップするようになっている。なお、上部電極３０の穴３６は上部電極の下部に存在する犠牲層を除去するためのものであるが、スリットを通じて同犠牲層は除去できるため必ずしも必須ではない。また、下部電極２０の穴２６は無しでも良い。

次に、本構造のプロセスフローを、図５及び図６を参照して説明する。図５及び図６は、図３の矢視Ｂ−Ｂ’断面に相当している。なお、図では説明を簡単にするために、スリットを挟む電極の一方部分のみを示している。

まず、図５（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１１上にシリコン酸化膜からなる絶縁膜１２を形成した支持基板１０上に、電極材料（例えばＡｌ合金）を全面に形成し、この電極材料をパターニングすることによりキャパシタ用の下部電極２０及びアンカー部となる電極２５を形成する。続いて、各電極２０，２５を覆うようにシリコン窒化膜等からなるキャパシタ絶縁膜４１を形成し、キャパシタ絶縁膜４１の一部を開口する。即ち、後述するアンカー部及び薄膜ドーム形成に必要な部分を開口する。

次いで、図５（ｂ）に示すように、全面にポリイミド等の有機膜からなる第１の犠牲層４２を塗布形成し、犠牲層４２を必要な形状にパターニングする。即ち、犠牲層４２を上下電極間の空間形成部分に残す。

次いで、図５（ｃ）に示すように、上部電極の材料となるＡｌ合金等からなる導電膜３０ａを堆積する。続いて、アンカー部３５と上部電極３０となる部分を接続するように、シリコン窒化膜からなる第１バネ部３３を形成する。第１バネ部３３を形成する時、ブリッジ部３２も例えば同じ材料のシリコン窒化膜で形成する。

次いで、図５（ｄ）に示すように、電極材料３０ａをパターニングすることにより、上部電極３０及びアンカー部３５を形成する。

次いで、図６（ｅ）に示すように、全面にポリイミド等の有機膜からなる第２の犠牲層４３を塗布形成し、犠牲層４３を必要な形状にパターニングする。即ち、犠牲層４３を上部電極３０及びバネ部３３の上方の空間形成部分に残す。

次いで、図６（ｆ）に示すように、シリコン酸化膜等の保護膜４５を形成し、パターニングする。即ち、保護膜４５を上部電極３０及びバネ部３３をカバーする部分のみに残すと共に、保護膜４５の一部に犠牲層除去のための開口を設ける。

次いで、図６（ｇ）に示すように、第１及び第２の犠牲層４２，４３を除去する。これにより、上部電極３０及びバネ部３３は上下方向に稼働可能となる。

次いで、図６（ｈ）に示すように、封止膜４６の形成及びパターニング、更に防湿膜４７の成膜の形成及びパターニングを行う。これにより、ＭＥＭＳ部分をパッケージングする薄膜ドームが形成される。

このような構成であれば、ブリッジ部３２の有無でＶ字変形に大きな差が生じる。図７（ａ）（ｂ）はブリッジ有り（実施形態）の構造の場合であり、図８（ａ）（ｂ）は比較例としてのブリッジ無しの場合である。図７（ａ）及び図８（ａ）は上部電極の平面図、図７（ｂ）及び図８（ｂ）は上部電極の断面図である。

図７（ａ）に示すようなブリッジ有りの場合、ブリッジ部３２によってスリット３１の剛性が高められる。このため、図７（ｂ）に示すように、上部電極２２のＶ字変形が抑制される。

一方、図８（ａ）に示すようなブリッジ無しの場合、図８（ｂ）に示すように、上部電極２２のＶ字変形が大きくなり、本来期待される特性を示さなくなる。具体的には、Ｖ字変形により上部電極３０が浮いているとき（オフ）のキャパシタ容量が大きくなり、キャパシタの可変容量の範囲が小さくなる。

ここで、上部電極３０のＶ字変形が生じる理由、更にＶ字変形が抑制される理由は、次の通りである。第２の犠牲層４３の形成プロセスでは、犠牲層４３を塗布した後にキュアされる。犠牲層４３をキュアすると、犠牲層４３が収縮するため、電極材料に応力が加わり、電極材料は弾性変形する。そして、犠牲層４３を除去する際に、弾性変形していた電極材料の変形が元に戻る。その際に、上部電極３０には両側から押されるような力が加わる。このとき、スリット３１を有すると、スリット部分が変形することになり、Ｖ字変形が生じる。本実施形態では、スリット３１の複数箇所にブリッジ部３２を設けているので、スリット部分の剛性を高めることができ、上記の変形が抑制されることになる。

また、第１バネ部３３は、上部電極３０とアンカー部３５との間において、中空状態（何処にも固定されずにフリーの状態）である。そして、第１バネ部３３は、上部電極３０の上面上、アンカー部３５のエッジ部の上面上、及び中空状態において、水平に形成される。即ち、第１バネ部３３は上部電極３０からアンカー部３５まで、ほぼ平坦となっている。

第１バネ部３３をこのような形状とすることで、犠牲層４３をキュアした際に電極材料へ応力がより強く伝わることになり、スリット部分の変形が避けられない。従って、上記形状のバネ部３３を有する場合に、ブリッジ部３２を設けることによる効果が益々高まることになる。

図９に本実施形態の効果を示す。図９では、スリット無しと、スリット有り、及びブリッジ付きスリット有りの場合のプルアウト電圧の違いを示している。

スリット無しに比べ、スリット有り及びブリッジ付きスリット有りの場合、プルアウト電圧が高くなっている。但し、スリット有りでは、プルアウト電圧は高くなるものの、Ｖ字変形が大きい。本実施形態のブリッジ付きスリット有りでは、プルアウト電圧が高くなると共に、Ｖ字変形も抑制することができる。

このように本実施形態によれば、上部電極３０にスリット３１を設けると共に、ブリッジ部３２を設けることにより、上部電極３０のスリット部分におけるＶ字変形を抑制することができる。上部電極３０のＶ字変形を抑制できることから、キャパシタの可変容量範囲を大きくすることができる。従って、ホットスイッチング耐性を維持しながら高いプルアウト電圧を実現することができる。

また、ブリッジ部３２の材料として、シリコン窒化膜を用いているので、次のような効果も得られる。即ち、ブリッジ部３２をシリコン窒化膜とした場合、ブリッジ部３２は圧縮応力、上部電極３０は引っ張り応力を受けることになり、上部電極３０にはスリット部を上側に凸にする力が加わる。この力は、上部電極３０のプルアウトを助長する方向となるため、プルアウト電圧を高めるのに有利となる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態として電極部分のパターンを変えた例を、図１０〜図１５を用いて説明する。

上部電極３０のスリット３１に設けるブリッジ部３２は４つに限るものではなく、図１０に示すように２つにしても良いし、図１１に示すように６つにしても良い。図１０では、スリット３１を３等分する位置に２つのブリッジ部３２が設けられている。図１１では、左右の下部電極２０に対応して３つずつのブリッジ部３２が設けられている。このような構成であっても、第１の実施形態と同様の効果が得られる。

また、図１２に示すように、スリット３１に該スリット３１に交差する方向の短いスリット３７を設けても良い。短いスリット３７は、上部電極３０の長手方向に設けられた複数の第１バネ部３３の間の領域に設けられており、プルアウト時にバネ部３３から受ける力が弱まる領域にスリット３７を設け、この部分の吸引力を無くすことで、よりプルアウト電圧を上げることができる。さらに、図１３に示すように、下部電極２０は分離せずに１つとしても良い。

また、下部電極２０の穴２６は無くても良い。図１４は、下部電極２０に穴２６は形成されず、下部電極２０が左右に２つに分離されている例である。図１５は、下部電極２０に穴２６は形成されず、更に下部電極２０が分離されずに１つで形成されている例である。さらに、図１４及び図１５に示すように、上部電極３０は必ずしも下部電極２０をオーバーラップしている必要はなく、上下電極を重ねたときに下部電極２０がはみ出すようになっていても良い。

図１０〜図１５の何れの例においても、上部電極３０にスリット３１を設けると共に、ブリッジ部３２を設けることにより、上部電極３０のスリット部分におけるＶ字変形を抑制することができる。従って、先の第１の実施形態と同様の効果が得られる。

（変形例）
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。

実施形態では、上部電極の対向する２辺のみに梁部を設けた構造としたが、上記２辺の梁部が主であれば、それ以外の辺に梁部を有する構造に適用することも可能である。

ブリッジ部の材料は、シリコン窒化膜に何ら限定されるものではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。上部電極とブリッジ部とに異なる材料を用いることで、上部電極との間で応力差を生じさせ、プルアウトする際に有効に働くことが可能となる。例えば、ブリッジ材料として上部電極よりも圧縮応力の小さい材料を用いることによって、スリット部を下に凸にする力が加わる。この力は上部電極２２をプルアウトする際に有効である。また、ブリッジ部の材料として、脆性材料を用いることで、塑性変化（形状の変化）を殆ど生じないため、電極の変形を効果的に抑制することができる。また、第１バネ部と同じ材料を用いることで、第１のバネ部と同じ工程で形成することができ、容易に形成可能となる。さらに、ブリッジ部の数は、仕様に応じて適宜変更可能である。

実施形態では可変容量素子としてのＭＥＭＳキャパシタの例を説明したが、高周波用途のスイッチ素子に適用することも可能である。また、支持基板は、Ｓｉ基板上にシリコン酸化膜を形成したものに限らず、ガラス等の絶縁基板を用いることも可能である。

本発明の幾つかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１０…支持基板
１１…Ｓｉ基板
１２…絶縁膜
２０…下部電極（第１の電極）
２５…アンカー用電極
２６…下部電極の穴
３０…上部電極（第２の電極）
３１…スリット
３２…ブリッジ部
３３…第１のバネ部（梁部）
３４…第２のバネ部
３５…アンカー部
３６…上部電極の穴
３７…スリット
４１…キャパシタ絶縁膜
４２…第１の犠牲層
４３…第２の犠牲層
４５…保護膜
４６…封止膜
４７…防湿膜

Claims

支持基板上に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極に対向配置され、前記第１の電極との対向方向に可動可能に設けられた第２の電極と、
前記第２の電極の対向する２辺にそれぞれ接続されて前記第２の電極を弾性的に支持する梁部と、
を具備し、
前記第２の電極は、前記梁部が接続されている辺と平行方向に表裏を貫通して形成されたスリットを有し、且つ該スリットと交差するように該スリットに架け渡され、前記第２の電極とは異なる材料で形成された少なくとも一つのブリッジ部を有することを特徴とするＭＥＭＳ装置。
前記ブリッジ部は、前記第２の電極よりも圧縮応力の大きい、又は引っ張り応力の小さい材料で形成されていることを特徴とする、請求項１記載のＭＥＭＳ装置。
前記ブリッジ部は、絶縁膜で形成されていることを特徴とする、請求項２記載のＭＥＭＳ装置。
前記第２の電極はアルミニウム又はアルミニウム合金で形成され、前記ブリッジ部はシリコン窒化膜で形成されていることを特徴とする、請求項３記載のＭＥＭＳ装置。
前記スリットは、前記第２の電極の中央部に形成されていることを特徴とする、請求項１乃至４の何れかに記載のＭＥＭＳ装置。
前記第１及び第２の電極でスイッチング素子を構成することを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載のＭＥＭＳ装置。
前記第１の電極を覆うようにキャパシタ絶縁膜が形成され、前記第１及び第２の電極で可変容量素子を構成することを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載のＭＥＭＳ装置。
前記第１の電極は複数に分離されていることを特徴とする、請求項１乃至７の何れかに記載のＭＥＭＳ装置。
前記支持基板は、シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成したものであることを特徴とする、請求項１乃至８の何れかに記載のＭＥＭＳ装置。