JP7227883B2 - センサ及びセンサの校正方法 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、センサ及びセンサの校正方法に関する。

例えば、センサにおいて、安定した検出精度を得ることが望まれる。

特開２０１９－５６６０７号公報

実施形態は、安定した検出精度が得やすくできるセンサ及びセンサの校正方法を提供する。

実施形態によれば、センサは、第１膜を含むセンサ部と、第２膜を含む構造体と、を含む。前記第１膜は、第１元素の第１濃度と、第１密度と、を有する。前記第２膜は、前記第１濃度よりも高い前記第１元素の第２濃度と、前記第１密度よりも高い第２密度の少なくともいずれかを有する。

図１は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。 図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。 図３は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。 図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。 図５（ａ）及び図５（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。 図６は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。 図７は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。 図８は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。 図９は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。 図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。 図１１は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。 図１２は、第２実施形態に係るセンサの校正方法を例示するフローチャート部である。 図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、第３実施形態に係るセンサの製造方法を例示する模式的断面図である。 図１４は、第３実施形態に係るセンサの製造方法を例示する模式的断面図である。 図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、第３実施形態に係るセンサの製造方法を例示する模式的断面図である。 図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は、第３実施形態に係るセンサの製造方法を例示する模式的断面図である。

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図１に示すように、実施形態に係るセンサ１１０は、センサ部１０及び構造体２０を含む。センサ部１０は、第１膜１１を含む。構造体２０は、第２膜２１を含む。

第１膜１１は、第１元素の第１濃度と、第１密度と、を有する。第１元素は、検出対象の元素である。第１元素は、例えば、水素である。例えば、センサ１１０は、第１元素を含むガスを検出するガスセンサである。

図１に示すように、制御部７０が設けられても良い。制御部７０は、例えば、検出回路７１を含む。検出回路７１は、検出信号Ｓｉｇ１を出力可能である。検出信号Ｓｉｇ１は、センサ部１０の周囲のガスに含まれる第１元素の濃度に応じて変化する。センサ部１０の検出動作の例については、後述する。

第２膜２１は、第１濃度よりも高い第１元素の第２濃度と、第１密度よりも高い第２密度の少なくともいずれかを有する。第２膜２１は、第１元素（例えば、水素）を含む。第２膜２１から第１元素を放出可能である。

例えば、第２膜２１から第１元素を放出して、第１元素を含むガスがセンサ部１０で検出できる。これにより、センサ部１０の特性を校正できる。第２膜２１を含む構造体２０は、校正用に用いることができる。実施形態においては、校正を容易に実施できる。実施形態によれば、安定した検出精度が得やすくできるセンサを提供できる。

図１に示すように、例えば、構造体２０は、ヒータ２１ｈを含んでも良い。ヒータ２１ｈを用いて第２膜２１の温度を上昇させることができる。これにより、第２膜２１から第１元素を効率良く放出させることができる。

制御部７０は、ヒータ用回路７２を含んでも良い。ヒータ用回路７２は、ヒータ２１ｈと電気的に接続される。例えば、構造体２０は、電極２１ｅ及び電極２１ｆを含む。電極２１ｅは、ヒータ２１ｈの一部に電気的に接続される。電極２１ｆは、ヒータ２１ｈの別の一部に電気的に接続される。例えば、ヒータ用回路７２は、電極２１ｅと配線２５ａにより電気的に接続される。例えば、ヒータ用回路７２は、電極２１ｆと配線２５ｂにより電気的に接続される。

ヒータ用回路７２は、ヒータ２１ｈに電流を供給可能である。ヒータ２１ｈに電流が供給されたときに、第２膜２１は第１元素（例えば水素など）を放出する。例えば、校正を行うときに、ヒータ用回路７２によりヒータ２１ｈに電流が供給され、第２膜２１の温度が上昇する。第２膜２１から短時間に第１元素（例えば水素）を含むガスが発生し、このガスがセンサ部１０で検出される。検出結果に基づいて、校正が行われる。

例えば、第１膜１１は、第１元素（例えば、水素など）を蓄えることができる。第１膜１１が第１元素を蓄えると第１膜１１の特性が変化する。例えば、第１膜１１が第１元素を蓄えると、第１膜１１が膨張し、第１膜１１の体積が増大する。第１膜の特性（例えば体積など）は、第１膜１１の周辺のガスに含まれる第１元素の濃度の変化に応じて変化可能である。第１膜１１の特性の変化に応じた信号を検出することで、第１膜１１の周辺における、第１元素の有無、または、第１元素の濃度が検出できる。

この例では、センサ部１０は、第１電極１１Ｅ及び第２電極１１Ｆを含む。例えば、第１膜１１は、第１電極１１Ｅに固定される。第１膜１１の特性（例えば体積）の変化に応じて、第１電極１１Ｅと第２電極１１Ｆとの間に生じる電気信号が変化する。電気信号の変化を検出することで、第１膜１１の周辺における、第１元素の有無、または、第１元素の濃度が検出できる。

例えば、第１膜１１が膨張すると、第１膜１１が設けられている膜部１１Ｄ（例えばダイアフラム）が変形する。膜部１１Ｄの変形は、第１膜１１の膨張により生じる応力に起因する。膜部１１Ｄが変形すると、第１電極１１Ｅと第２電極１１Ｆとの間の距離ｄ１が変化する。第１電極１１Ｅと第２電極１１Ｆとの間の距離が変化すると、第１電極１１Ｅと第２電極１１Ｆとの間の静電容量が変化する。静電容量の変化を検出することで、第１膜１１の周辺における、第１元素の有無、または、第１元素の濃度が検出できる。この例では、センサ部１０は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）構造を有する。

既に説明したように、例えば、制御部７０は、検出回路７１を含む。検出回路７１は、第１電極１１Ｅ及び第２電極１１Ｆと電気的に接続される。例えば、検出回路７１は、配線１５ａにより第１電極１１Ｅと電気的に接続される。例えば、検出回路７１は、配線１５ｂにより第２電極１１Ｆと電気的に接続される。検出回路７１は、検出信号Ｓｉｇ１を出力可能である。検出信号Ｓｉｇ１は、センサ部１０の周囲のガスに含まれる第１元素（例えば水素）の濃度に応じて変化する。

このように、１つの例において、第１電極１１Ｅと第２電極１１Ｆとの間の距離ｄ１が、センサ部１０の周囲のガスに含まれる第１元素の濃度に応じて変化する。距離ｄ１の変化を静電容量の変化として検出することで、第１元素を検出できる。実施形態において、センサ部１０の周辺のガスに含まれる第１元素の濃度に応じて、第１膜１１の他の特性（例えば、導電率など）が変化しても良い。他の特性の変化を検出することで、第１元素を検出できる。

例えば、センサ部１０からセンサ信号Ｓｉｇ０が出力可能である。センサ信号Ｓｉｇ０は、第１電極１１Ｅと第２電極１１Ｆとの間に生じる。センサ信号Ｓｉｇ０は、例えば、配線１５ａと配線１５ｂとの間に生じる。センサ信号Ｓｉｇ０は、センサ部１０の周囲のガスに含まれる第１元素の濃度に応じて変化する。例えば、検出回路７１から出力される検出信号Ｓｉｇ１は、センサ信号Ｓｉｇ０に応じている。検出回路７１は、センサ信号Ｓｉｇ０を処理して、検出信号Ｓｉｇ１として出力できる。処理は、例えば、増幅を含んでも良い。増幅は、参照値との差の導出を含んでも良い。

図１に示すように、制御部７０は、制御回路７３を含んでも良い。例えば、制御回路７３は、第２膜２１から第１元素が放出されたときに、第１電極１１Ｅ及び第２電極１１Ｆから得られる信号（例えばセンサ信号Ｓｉｇ０）を校正して検出回路７１から検出信号Ｓｉｇ１を出力させても良い。制御回路７３は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）などを含んでも良い。制御回路７３により、検出回路７１及びヒータ用回路７２の少なくともいずれかが制御されても良い。制御部７０の少なくとも一部は、センサ１１０に含まれても良い。制御部７０の少なくとも一部は、センサ１１０とは別に設けられても良い。

この例では、センサ部１０の膜部１１Ｄは、ヒータ１１ｈを含む。例えば、ヒータ１１ｈにより第１膜１１の温度を上昇させることで、第１膜１１に蓄えた第１元素を第１膜１１から放出することができる。例えば、ヒータ１１ｈの一部が、電極１１ｅと電気的に接続される。配線１５ｃにより電極１１ｅが検出回路７１と電気的に接続される。例えば、ヒータ１１ｈの別の一部が、電極１１ｆと電気的に接続される。配線１５ｄにより電極１１ｆが検出回路７１と電気的に接続される。

この例では、センサ部１０は、基板１７、絶縁膜１７ｉ及び支持部１７ｓを含む。基板１７の上に絶縁膜１７ｉが設けられ、絶縁膜１７ｉの上に支持部１７ｓが設けられる。第２電極１１Ｆは、支持部１７ｓにより支持される。例えば、第２電極１１Ｆと基板１７（及び絶縁膜１７ｉ）との間に、間隙ｇ１が設けられても良い。第２電極１１Ｆの上下面に絶縁部が設けられても良い。

支持部１７ｓは、膜部１１Ｄを支持する。これにより、膜部１１Ｄと、第２電極１１Ｆを含む部分と、の間に間隙が形成できる。これにより、膜部１１Ｄに含まれる第１電極１１Ｅと、第２電極１１Ｆと、の間の距離ｄ１が変化可能である。

第２電極１１Ｆから第１電極１１Ｅへの方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。

第１電極１１Ｅと第２電極１１Ｆとの間の距離ｄ１は、Ｚ軸方向に沿った長さである。膜部１１Ｄは、Ｘ－Ｙ平面に沿っている。例えば、センサ部１０の周囲における第１元素の濃度に応じて第１膜１１の特性が変化し、膜部１１Ｄに含まれる第１電極１１ＥがＺ軸方向に変位する。

この例では、Ｚ軸方向において、基板１７と第１膜１１との間に絶縁膜１７ｉが設けられる。Ｚ軸方向において、絶縁膜１７ｉと第１膜１１との間に第２電極１１Ｆが設けられる。Ｚ軸方向において、第２電極１１Ｆと第１膜１１との間に第１電極１１Ｅが設けられる。Ｚ軸方向において、第１電極１１Ｅと第１膜１１との間にヒータ１１ｈが設けられる。

例えば、第１膜１１は、露出している。第１膜１１は、第１元素を含むガスと、効率的に接触できる。ヒータ１１ｈにより、第１膜１１の温度を効率的に上昇できる。これにより、第１膜１１に蓄えられた第１元素を第１膜１１から効率的に放出することができる。

この例では、構造体２０は、基板２７、絶縁膜２７ｉ及び支持部２７ｓを含む。基板２７の上に絶縁膜２７ｉが設けられ、絶縁膜２７ｉの上に支持部２７ｓが設けられる。ヒータ２１ｈを含む構造部２１Ｄ、及び、第２膜２１が、支持部２７ｓにより支持される。

この例では、基板２７（及び絶縁膜２７ｉ）と、ヒータ２１ｈを含む構造部２１Ｄと、の間に間隙ｇ２が設けられている。ヒータ２１ｈによる熱が基板２７の側に伝達することが抑制できる。ヒータ２１ｈにより、第２膜２１の温度を効率的に上昇させることができる。

構造体２０の構成は、センサ部１０の構成と似ていても良い。これにより、センサ部１０及び構造体２０を効率良く製造できる。

例えば、第１膜１１は、第２元素を含む。第２元素は、Ｐｄ、Ｐｔ及びＡｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２元素は、第１元素が水素である場合に、触媒として機能しても良い。

第１膜１１は、第２元素に加えて、第３元素を含んでも良い。第３元素は、Ｓｉ、Ｐ及びＢよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１膜１１が第３元素を含むことで、第１元素が水素である場合に、例えば、高い反応速度が得られる。

第１膜１１は、第２元素及び第３元素に加えて、第４元素をさらに含んでも良い。第４元素は、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１膜１１が第４元素を含むことで、第１元素が水素である場合に、例えば、高い反応速度が得られる。

実施形態において、例えば、第１膜１１はアモルファスであり、第２膜２１は結晶を含む。または、第２膜２１は、第１膜１１の結晶性よりも高い結晶性を有する。第１膜１１がアモルファスであることで、第１膜１１は、第１元素を効率良く蓄えることができる。第１膜１１の結晶性が低いことで、第１膜１１は、第１元素を効率良く蓄えることができる。

第２膜２１に含まれる材料の組成は、第１膜１１に含まれる材料の組成と同様でも良い。第２膜２１の形成工程における条件を第１膜１１の形成工程における条件と変更することで、第２膜２１の特性を第１膜１１の特性と変更できる。第１膜１１の特性と、第２膜２１の特性と、の差は、例えば、第１元素の濃度の差、及び、密度の差の少なくともいずれかを含む。第１膜１１の特性と、第２膜２１の特性と、の差は、例えば、結晶性の差を含んでも良い。

図１に示すように、この例では、センサ１１０は、第１部材６１を含む。第１部材６１の１つの領域にセンサ部１０が設けられる。第１部材６１の別の領域に構造体２０が設けられる。センサ部１０から構造体２０への方向は、第１方向（例えばＺ軸方向）と交差する方向に沿う。

第１部材６１は、第１側部６１ｓを含んでも良い。例えば、第１側部６１ｓの２つの部分の間に、センサ部１０及び構造体２０がある。第１部材６１は、例えば、パッケージの少なくとも一部である。

図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。
図２（ａ）は、図２（ｂ）の矢印ＡＲから見た透過平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ１－Ａ２線断面図である。
図２（ｂ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１１は、センサ部１０及び構造体２０に加えて、第１部材６１及び第２部材６２を含む。センサ部１０及び構造体２０の構成には、センサ１１０に関して説明した構成を適用できる。以下、第１部材６１及び第２部材６２の例について説明する。第１部材６１及び第２部材６２により、例えば、パッケージが形成される。

第２部材６２は、孔６２ｈを含む。センサ部１０及び構造体２０は、第１部材６１と第２部材６２との間に設けられる。例えば、孔６２ｈとセンサ部１０との間の距離は、孔６２ｈと構造体２０との間の距離よりも短い。例えば、センサ部１０は、孔６２ｈに近い位置に設けられる。構造体２０は、孔６２ｈから遠い位置に設けられる。

例えば、孔６２ｈを介して、第１元素（例えば水素）を含むガスがセンサ部１０に到達する。第１元素を含むガスは、検出対象のガスである。ガスに含まれる第１元素がセンサ部１０の第１膜１１と接する。センサ１１１の検出動作において、センサ部１０により、第１元素が検出される。

センサ１１１の校正動作において、構造体２０の第２膜２１から第１元素が放出される。放出された第１元素は、第１膜に到達し、センサ部１０で検出される。上記のように、第２膜２１と孔６２ｈとの間の距離が長いため、第２膜２１から放出された第１元素は、第１膜１１に接触し易い。第２膜２１から放出された第１元素が孔６２ｈから外部に流出して第１膜１１に到達できないことが抑制される。孔６２ｈとセンサ部１０との間の距離が孔６２ｈと構造体２０との間の距離よりも短いことにより、効率良く校正を行うことができる。

図２（ｂ）に示すように、第１部材６１は、第１面６１ｆを含む。第２部材６２は、第２面６２ｆを含む。第１面６１ｆは、第２部材６２と対向する。第２面６２ｆは、第１部材６１と対向する。第１面６１ｆ及び第２面６２ｆは、互いに対向する。センサ１１１においては、センサ部１０及び構造体２０は、第１面６１ｆに設けられる。

この例では、センサ部１０から孔６２ｈへの方向は、Ｚ軸方向に沿う。センサ部１０から構造体２０への方向は、Ｚ軸方向と交差する。Ｚ軸方向において、孔６２ｈは、センサ部１０と重なる。センサ部１０と孔６２ｈとの間に間隙ｇ３が設けられている。

構造体２０と第２部材６２との間に間隙ｇ４が設けられている。校正動作において、第２膜２１から放出された第１元素を含むガスは、間隙ｇ４を通って第１膜１１に到達する。

図２に示すように、第１部材６１は、第１側部６１ｓを含んでも良い。第２部材６２は、第２側部６２ｓを含んでも良い。第１側部６１ｓは、例えば、第２側部６２ｓと繋がる。例えば、第１側部６１ｓの１つの部分と、第１側部６１ｓの別の部分と、の間に、センサ部１０の少なくとも一部が設けられても良い。例えば、第１側部６１ｓの１つの部分と、第１側部６１ｓの別の部分と、の間に、構造体２０の少なくとも一部が設けられても良い。例えば、第２側部６２ｓの１つの部分と、第２側部６２ｓの別の部分と、の間に、センサ部１０の少なくとも一部が設けられても良い。例えば、第２側部６２ｓの１つの部分と、第２側部６２ｓの別の部分と、の間に、構造体２０の少なくとも一部が設けられても良い。

例えば、第１部材６１及び第２部材６２の少なくとも１つは、側部６０ｓ（図２（ｂ）参照）を含んでも良い。例えば、側部６０ｓは、第１側部６１ｓ及び第２側部６２ｓの少なくともいずれかを含む。構造体２０の少なくとも一部は、センサ部１０と側部６０ｓとの間にある。例えば、構造体２０は、第１部材６１及び第２部材６２により形成される空間の奥にある。これにより、構造体２０の第２膜２１から放出された第１元素を含むガスが外部に流出することが抑制され、第１元素を含むガスは、第１膜１１に効率良く供給される。

図３は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図３に示すように、センサ１１２において、第２部材６２は、シャッタ６２Ｓを含む。例えば、第１状態において、シャッタ６２Ｓは、孔６２ｈの少なくとも一部を塞ぐ。校正動作において、孔６２ｈの少なくとも一部がシャッタ６２Ｓで塞がれる。これにより、校正動作において、第２膜２１から放出された第１元素を含むガスが外部に流出することが抑制できる。

センサ１１２において、検出動作において、シャッタ６２Ｓは第２状態を有しても良い。第２状態において、シャッタ６２Ｓにより塞がれる孔６２ｈの面積は、第１状態においてシャッタ６２Ｓにより塞がれる孔６２ｈの面積よりも小さい。これにより、検出動作においては、外部からのガスが、孔６２ｈを通って効率的に第１膜１１に到達する。

図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図４（ａ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１３においても、センサ部１０、構造体２０、第１部材６１及び第２部材６２が設けられる。第１部材６１は、第１面６１ｆを含む。第２部材６２は、第２面６２ｆを含む。第２面６２ｆは、第１面６１ｆと対向する。第２部材６２は、孔６２ｈを含む。構造体２０は、第２面６２ｆに設けられる。センサ部１０は、第１面６１ｆに設けられる。

センサ１１３において、センサ部１０は、第１部材６１から第２部材６２への方向（Ｚ軸方向に沿う方向）において、孔６２ｈと重なる。構造体２０は、上記の方向（Ｚ軸方向に沿う方向）において、孔６２ｈと重ならない。

センサ１１３においては、例えば、センサ部１０は、孔６２ｈの上方にある。例えば、第１元素を含むガスが空気よりも軽い場合、第１元素を含むガスは、孔６２ｈを通過して、第１膜１１に効率良く到達する。例えば、第１元素を含むガスが第２膜２１に到達することが、抑制される。

図４（ｂ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１４においても、センサ部１０、構造体２０、第１部材６１及び第２部材６２が設けられる。構造体２０は、第２面６２ｆに設けられる。センサ部１０は、第１面６１ｆに設けられる。センサ部１０は、第１部材６１から第２部材６２への方向（Ｚ軸方向に沿う方向）において、孔６２ｈと重なる。構造体２０は、上記の方向（Ｚ軸方向に沿う方向）において、孔６２ｈと重ならない。

センサ１１４においては、例えば、孔６２ｈは、センサ部１０の上方にある。例えば、第１元素を含むガスが空気よりも重い場合、第１元素を含むガスは、孔６２ｈを通過して、第１膜１１に効率良く到達する。例えば、第１元素を含むガスが第２膜２１に到達することが、抑制される。

図５（ａ）及び図５（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。
図５（ａ）は、図５（ｂ）の矢印ＡＲから見た透過平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＢ１－Ｂ２線断面図である。
図５（ｂ）に示すように、実施形態に係るセンサ１１５は、センサ部１０、構造体２０、第１部材６１及び第２部材６２を含む。この例では、センサ部１０及び構造体２０は、第１部材６１の第１面６１ｆに設けられる。第２部材６２は、孔６２ｈを含む。孔６２ｈは、第１部材６１から第２部材６２への方向（Ｚ軸方向に沿う方向）において、センサ部１０と重なる。

センサ１１５においては、センサ部１０の少なくとも一部は、構造体２０の一部と、構造体２０の別の一部と、の間にある。構造体２０の一部に含まれる第２膜２１、及び、構造体２０の別の一部に含まれる第２膜２１から、第１元素を含むガスが効率良き第１膜１１に供給される。効率良い校正が、実施できる。

例えば、構造体２０は、Ｘ－Ｙ平面において、センサ部１０の周りに設けられる。例えば、センサ部１０は、Ｘ－Ｙ平面において、構造体２０に囲まれても良い。

図６は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図６に示すように、センサ１１６において、第２部材６２は、シャッタ６２Ｓを含む。第１状態において、シャッタ６２Ｓは、孔６２ｈの少なくとも一部を塞ぐ。校正動作において、第２膜２１から放出された第１元素を含むガスが外部に流出することが抑制できる。検出動作において、シャッタ６２Ｓは第２状態を有しても良い。第２状態においてシャッタ６２Ｓにより塞がれる孔６２ｈの面積は、第１状態においてシャッタ６２Ｓにより塞がれる孔６２ｈの面積よりも小さい。これにより、例えば、検出動作においては、外部からのガスが、孔６２ｈを通って効率的に第１膜１１に到達する。

図７は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図７に示すように、実施形態に係るセンサ１１７においても、センサ部１０、構造体２０、第１部材６１及び第２部材６２が設けられる。第１部材６１は、第１面６１ｆを含む。第２部材６２は、第２面６２ｆを含む。第２面６２ｆは、第１面６１ｆと対向する。第２部材６２は、孔６２ｈを含む。構造体２０は、第２面６２ｆに設けられる。センサ部１０は、第１面６１ｆに設けられる。センサ１１７において、センサ部１０は、第１部材６１から第２部材６２への方向（Ｚ軸方向に沿う方向）において、孔６２ｈと重なる。構造体２０は、上記の方向（Ｚ軸方向に沿う方向）において、孔６２ｈと重ならない。効率良い校正を実施できる。

図８は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図８に示すように、センサ１２０は、センサ部１０及び構造体２０を含む。センサ１２０は、複数の構造体２０を含む。複数の構造体２０は、第１構造体２０ａ及び第２構造体２０ｂを含む。センサ部１０の少なくとも一部は、第１構造体２０ａと第２構造体２０ｂとの間にある。例えば、第１構造体２０ａから第２構造体２０ｂへの方向は、Ｘ軸方向に沿う。効率良い校正を実施できる。

図９は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
図９に示すように、センサ１２１は、センサ部１０、及び、複数の構造体２０を含む。複数の構造体２０は、第１構造体２０ａ及び第２構造体２０ｂに加えて、第３構造体２０ｃ及び第４構造体２０ｄを含む。センサ部１０の少なくとも一部は、Ｘ軸方向において、第１構造体２０ａと第２構造体２０ｂとの間にある。センサ部１０の少なくとも一部は、第１構造体２０ａから第２構造体２０ｂへの方向（Ｘ軸方向）と交差する方向（例えばＹ軸方向）において、第３構造体２０ｃと第４構造体２０ｄとの間にある。効率良い校正を実施できる。

センサ１２０及びセンサ１２１において、第２構造体２０ｂに含まれる第２膜２１からの第１元素を含むガスの発生は、第１構造体２０ａに含まれる第２膜２１からの第１元素を含むガスの発生と、同時に行われても良い。第２構造体２０ｂに含まれる第２膜２１からの第１元素を含むガスの発生は、第１構造体２０ａに含まれる第２膜２１からの第１元素を含むガスの発生とは、別に行われても良い。複数の構造体２０の動作は、互いに独立して行われても良い。

図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図１０（ａ）に示すようにセンサ１３０において、センサ部１０、構造体２０、第１部材６１及び第２部材６２が設けられる。この例では、構造体２０は、第２部材６２に固定されている。センサ１３０において、第１部材６１と第２部材６２とが互いに繋がれた状態（図１０（ａ）の状態）がある。

図１０（ｂ）に示すように、センサ１３０において、第２部材６２が第１部材６１から離された状態が設けられても良い。

第１部材６１と第２部材６２とが互いに繋がれた状態で、検出動作及び校正動作が行われる。校正動作が終了した後に、構造体２０が設けられた第２部材６２が、別の第２部材６２と交換されても良い。センサ１３０において、校正が簡単に実施できる。安定した検出精度が得やすくできるセンサが提供できる。

図１１は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図１１に示すようにセンサ１４０において、センサ部１０、構造体２０及び第１部材６１が設けられる。第２部材６２が設けられても良い。この例では、１つの基板１７の１つの領域に、センサ部１０が設けられ、１つの基板１７の別の領域に、構造体２０が設けられる。センサ１４０において、校正が簡単に実施できる。安定した検出精度が得やすくできるセンサが提供できる。

（第２実施形態）
第２実施形態は、センサの校正方法に係る。
図１２は、第２実施形態に係るセンサの校正方法を例示するフローチャート部である。 図１２に示すように、センサを準備する（ステップＳ１１０）。センサは、第１実施形態に係る任意のセンサで良い。センサは、第１膜１１を含むセンサ部１０、及び、第２膜２１を含む構造体２０を含む。

実施形態において、第２膜２１に第１元素を導入する初期処理（ステップＳ１２０）を実施しても良い。例えば、第２膜２１を第１元素を含む雰囲気にさらす。例えば、第２膜２１を第１元素を含むガスと接触させる。第２膜２１を第１元素を含む雰囲気にさらす時間は、例えば、１分以上１０日以下である。さらす時間は、任意である。第２膜２１を第１元素を含む雰囲気にさらす時に、第２膜２１の温度及び雰囲気の温度の少なくともいずれかを上昇させても良い。温度の上昇により、第１元素が短時間で第２膜２１に導入される。第２膜２１の温度を上昇させる場合、第２膜２１を第１元素を含む雰囲気から取り出す前に、第２膜２１の温度を例えば、室温（２５℃）などへ下降させる。

センサを使用する（ステップＳ１３０）。例えば、センサの使用時間が定められた期間に到達した場合、または、センサの出力が異常であると判断された場合、校正を行う（ステップＳ１４０）。校正においては、第２膜２１から第１元素を放出させる。例えば、ヒータ２１ｈにより第２膜２１の温度を上昇させる。これにより、第２膜２１から第１元素が放出される。第１元素を含むガスが、センサ部１０の第１膜１１に届く。この状態においてセンサ部１０から得られる信号に基づいて、センサ部１０の校正が行われる。

例えば、センサ部１０から得られる信号の強度の値の「ゼロ点」などが補正される。例えば、センサ部１０から得られる信号の強度の増幅率などが補正される。

センサを使用する（ステップＳ１５０）。ステップＳ１５０の後に、ステップＳ１４０に戻っても良い。ステップＳ１４０及びステップＳ１５０が、繰り返して実施されても良い。ステップＳ１４０及びステップＳ１５０の繰り返しにおいて、複数の構造体２０（例えば、第１～第４構造体２０ａ～２０ｄなど）から順番に第１元素が放出されても良い。このような動作は、例えば、制御回路７３により制御されても良い。

ステップＳ１４０及びステップＳ１５０を含む繰り返しは、例えば、人による作業を伴わないで実施されても良い。例えば、制御部７０により、これらのステップが実施されても良い。

例えば、ステップＳ１４０及びステップＳ１５０を含む動作の時間が定められた時間時間に到達した場合、または、センサの出力が異常であると判断された場合に、作業者による作業が行われても良い。例えば、作業者による校正と、構造体２０のメンテナンスが行われても良い（ステップＳ１６１）。例えば、作業者による校正と、構造体２０の交換が行われても良い（ステップＳ１６２）。作業者による校正は、第１元素を含むガスが、作業者により第１膜１１に供給され、センサ部１０の校正が行われる。構造体２０のメンテナンスは、構造体２０に含まれる第２膜２１に第１元素を導入することなどを含んでも良い。ステップＳ１６１またはステップＳ１６２の後に、ステップＳ１３０に戻っても良い。

この様に、実施形態に係るセンサの校正方法においては、センサは、例えば、第１膜１１を含むセンサ部１０と、第２膜２１を含む構造体２０と、を含む。例えば、第１膜１１は、第１元素の第１濃度と、第１密度と、を有する。例えば、第２膜は、第１濃度よりも高い第１元素の第２濃度と、第１密度よりも高い第２密度の少なくともいずれかを有する。実施形態に係る校正方法においては、センサの第２膜２１から第１元素を放出させる。例えば、ヒータ２１ｈにより第２膜２１の温度を上昇させることで、第２膜２１から第１元素が放出される。実施形態に係るセンサの校正方法においては、第１元素が放出されたときにセンサ部１０から得られる出力を校正する。

第２実施形態によれば、安定した検出精度が得やすくできるセンサの校正方法が提供できる。

（第３実施形態）
第３実施形態は、センサの製造方法に係る。
図１３（ａ）、図１３（ｂ）及び、図１４は、第３実施形態に係るセンサの製造方法を例示する模式的断面図である。
図１３（ａ）に示すように、基板１８の上に設けられた絶縁膜１８ｉの一部の上に犠牲層３１を形成する。犠牲層３１の上に、ヒータ１１ｈを含む膜部１１Ｄを形成する。膜部１１Ｄは、絶縁膜１８ｉの上に設けられた支持部１８ｓと連続している。絶縁膜１８ｉの別の一部の上に犠牲層３２を形成する。犠牲層３２の上に、ヒータ２１ｈを含む構造部２１Ｄを形成する。ヒータ２１ｈを含む構造部２１Ｄは、支持部１８ｓと連続する。例えば、犠牲層３２の形成は、犠牲層３１の形成と同時に行われても良い。構造部２１Ｄの形成は、膜部１１Ｄの形成と同時に行われても良い。

図１３（ｂ）に示すように、基板１８、絶縁膜１８ｉ、及び、支持部１８ｓの一部を分断する。これにより、基板１７、絶縁膜１７ｉ及び支持部１７ｓが得られる。基板２７、絶縁膜２７ｉ及び支持部２７ｓが得られる。膜部１１Ｄの上に、第１膜１１を形成する。ヒータ２１ｈを含む構造部２１Ｄの上に、第２膜２１を形成する。第１膜１１及び第２膜２１の形成には、例えば、スパッタなどが用いられる。

例えば、第１膜１１の形成条件は、第２膜２１の形成条件とは異なる。例えば、第１膜１１の材料（例えば組成）は、第２膜２１の材料（例えば組成）とは異なる。これにより、例えば、第２膜２１は、第１膜１１の第１濃度よりも高い第１元素の第２濃度と、第１膜の第１密度よりも高い第２密度の少なくともいずれかを有する。

図１４に示すように、犠牲層３１及び犠牲層３２を除去する。例えば、アッシングなどにより、犠牲層３１及び犠牲層３２が除去される。これにより、ＭＥＭＳ構造が得られる。これにより、第１実施形態に係るセンサが得られる。図１３（ａ）、図１３（ｂ）及び、図１４に例示する方法により、例えば、センサ１１０などが得られる。

図１５（ａ）、図１５（ｂ）、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は、第３実施形態に係るセンサの製造方法を例示する模式的断面図である。
図１５（ａ）に示すように、基板１７の上に設けられた絶縁膜１７ｉの一部の上に犠牲層３１を形成する。犠牲層３１の上に、ヒータ１１ｈを含む膜部１１Ｄを形成する。膜部１１Ｄは、絶縁膜１７ｉの上に設けられた支持部１７ｓと連続している。絶縁膜１７ｉの別の一部の上に犠牲層３２を形成する。犠牲層３２の上に、ヒータ２１ｈを含む構造部２１Ｄを形成する。ヒータ２１ｈを含む構造部２１Ｄは、絶縁膜１７ｉの上に設けられた支持部１７ｓと連続する。例えば、犠牲層３２の形成は、犠牲層３１の形成と同時に行われても良い。構造部２１Ｄの形成は、膜部１１Ｄの形成と同時に行われても良い。

図１５（ｂ）に示すように、ヒータ２１ｈを含む構造部２１Ｄの上に、マスク２０Ｍを形成する。この状態で、膜部１１Ｄの上に、第１膜１１を形成する。この後、マスク２０Ｍを除去する。

図１６（ａ）に示すように、膜部１１Ｄ及び第１膜１１の上にマスク１０Ｍを形成する。この状態で、ヒータ２１ｈを含む構造部２１Ｄの上に第２膜２１を形成する。

例えば、第１膜１１の形成条件は、第２膜２１の形成条件とは異なる。例えば、第１膜１１の材料（例えば組成）は、第２膜２１の材料（例えば組成）とは異なる。これにより、例えば、第２膜２１は、第１膜１１の第１濃度よりも高い第１元素の第２濃度と、第１膜の第１密度よりも高い第２密度の少なくともいずれかを有する。第２膜２１の形成の後に、マスク１０Ｍを除去する。

図１６（ｂ）に示すように、犠牲層３１及び犠牲層３２を除去する。例えば、アッシングなどにより、犠牲層３１及び犠牲層３２が除去される。これにより、ＭＥＭＳ構造が得られる。これにより、第１実施形態に係るセンサが得られる。図１５（ａ）、図１５（ｂ）、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に例示する方法により、例えば、センサ１４０が提供できる。

上記において、図１５（ｂ）に例示された工程と、図１６（ａ）に例示された工程と、の順序は入れ替えが可能である。

例えば、基板１７、基板１８及び基板２７は、シリコンを含む。例えば、絶縁膜１７ｉ、絶縁膜１８ｉ及び絶縁膜２７ｉは、酸化シリコンを含む。酸化シリコンは、例えば、シリコンの熱酸化膜を含んでも良い。支持部１７ｓ、支持部１８ｓ及び支持部２７ｓは、窒化シリコンを含む。例えば、膜部１１Ｄ及び構造部２１Ｄに含まれる絶縁部は、窒化シリコンを含む。これらの材料は、種々の変更が可能である。

例えば、第１元素は、水素でも良い。大気中の水素の濃度が、例えば４％以上７５％以下の場合、爆発の可能性がある。水素の安全な利用において、水素の漏れを早期に検知するセンサが望まれる。水素センサを定期的に校正することで、水素センサの正常な動作が維持できる。水素センサの通常の使用状態において、水素センサが置かれる環境における水素の濃度は非常に低い場合が多い。水素センサの通常の使用状態において、水素センサに水素を供給して校正を行うことは、困難である場合が多い。

例えば、水素パイプラインなどに水素センサが設けられる場合は、作業者が水素センサに近づくことが困難な場合もある。例えば、自動車内に燃料電池が設けられる場合などにおいて、燃料電池からの水素の漏れを検出する水素センサに、作業者が近づき難い場合もある。例えば、遠隔作業などにより水素センサの校正を可能にする技術が望まれる。

実施形態に係るセンサは、検出対象の第１元素を検出するセンサ部１０と、校正動作において第１元素を放出可能な第２膜２１を含む構造体２０と、が設けられる。構造体２０は、第１元素を含むガス発生装置として機能する。例えば、第２膜２１には、予め第１元素（例えば水素）が導入されている。例えば、第２膜２１をヒータ２１ｈで加熱することで、第２膜２１から第１元素（例えば水素）が放出される。

例えば、水素センサのパッケージ内の容積、及び、第２膜２１に含まれる水素の量に基づいて得られる水素の濃度で、水素センサの校正を行うことができる。

例えば、センサ部１０に含まれる第１膜１１においては、低温（例えば、室温など）において、ヒステリシスが実質的になく、水素を吸収または放出できる。構造体２０に含まれる第２膜２１は、高温で水素を放出する。例えば、センサ部１０に設けられるヒータ１１ｈと、構造体２０に含まれるヒータ２１ｈと、が独立して制御される。校正動作において、第２膜２１の温度が第１膜１１の温度よりも高くされる。

例えば、第２膜２１のサイズ（例えば面積）は、第１膜１１のサイズ（例えば面積）の０．５倍以上であることが好ましい。これにより、例えば、第２膜２１から約１０００ｐｐｍの水素を発生させることができる。第２膜２１を厚くすることで、第２膜２１から発生する水素の量を増大できる。

実施形態によれば、例えば、遠隔操作によりセンサの校正が可能である。例えば、作業者の作業無しでセンサの校正が可能である。

実施形態は、以下の構成（例えば、技術案）を含んでも良い。
（構成１）
第１膜を含むセンサ部と、
第２膜を含む構造体と、
を備え、
前記第１膜は、第１元素の第１濃度と、第１密度と、を有し、
前記第２膜は、前記第１濃度よりも高い前記第１元素の第２濃度と、前記第１密度よりも高い第２密度の少なくともいずれかを有する、センサ。

（構成２）
第１部材と、
孔を含む第２部材と、
をさらに備え、
前記センサ部及び前記構造体は、前記第１部材と前記第２部材との間に設けられ、
前記孔と前記センサ部との間の距離は、前記孔と前記構造体との間の距離よりも短い、構成１記載のセンサ。

（構成３）
前記第１部材は、前記第２部材と対向する第１面を含み、
前記センサ部及び前記構造体は、前記第１面に設けられた、構成２記載のセンサ。

（構成４）
第１面を含む第１部材と、
前記第１面と対向する第２面を含む第２部材と、
をさらに備え、
前記第２部材は、孔を含み、
前記構造体は、前記第２面に設けられ、
前記センサ部は、前記第１面に設けられた、構成１記載のセンサ。

（構成５）
前記センサ部は、前記第１部材から前記第２部材への方向において、前記孔と重なり、
前記構造体は、前記方向において、前記孔と重ならない、構成４記載のセンサ。

（構成６）
前記第１部材及び前記第２部材の少なくとも１つは、側部を含み、
前記構造体の少なくとも一部は、前記センサ部と前記側部との間にある、構成２～５のいずれか１つに記載のセンサ。

（構成７）
前記センサ部の少なくとも一部は、前記構造体の一部と、前記構造体の別の一部と、の間にある、構成１～６のいずれか１つに記載のセンサ。

（構成８）
複数の前記構造体を備え、
前記複数の構造体は、第１構造体及び第２構造体を含み、
前記センサ部の少なくとも一部は、前記第１構造体と前記第２構造体との間にある、構成１～６のいずれか１つに記載のセンサ。

（構成９）
前記複数の構造体は、第３構造体及び第４構造体をさらに含み、
前記センサ部の少なくとも一部は、前記第１構造体から前記第２構造体への方向と交差する方向において、前記第３構造体と前記第４構造体との間にある、構成８記載のセンサ。

（構成１０）
前記第１膜は、第２元素及び第３元素を含み、
前記第２元素は、Ｐｄ、Ｐｔ及びＡｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３元素は、Ｓｉ、Ｐ及びＢよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１～９のいずれか１つに記載のセンサ。

（構成１１）
前記第１膜は、第４元素をさらに含み、
前記第４元素は、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１０記載のセンサ。

（構成１２）
前記第１膜はアモルファスであり前記第２膜は結晶を含む、または、
前記第２膜は、前記第１膜の結晶性よりも高い結晶性を有する、構成１～１１のいずれか１つに記載のセンサ。

（構成１３）
前記センサ部から出力されるセンサ信号は、前記センサ部の周囲のガスに含まれる前記第１元素の濃度に応じて変化する、構成１～１２のいずれか１つに記載のセンサ。

（構成１４）
前記構造体は、ヒータを含む、構成１～１３のいずれか１つに記載のセンサ。

（構成１５）
制御部をさらに備え、
前記制御部は、前記ヒータと電気的に接続されたヒータ用回路を含み、
前記ヒータ用回路は、前記ヒータに電流を供給可能であり、
前記ヒータに電流が供給されたときに、前記第２膜は前記第１元素を放出する、構成１４記載のセンサ。

（構成１６）
前記センサ部は、第１電極及び第２電極を含み、
前記制御部は、前記第１電極及び前記第２電極と電気的に接続された検出回路を含み、
前記検出回路は、検出信号を出力可能であり、
前記検出信号は、前記センサ部の周囲のガスに含まれる前記第１元素の濃度に応じて変化する、構成１５記載のセンサ。

（構成１７）
前記第１電極と前記第２電極との間の距離は、前記センサ部の周囲のガスに含まれる前記第１元素の濃度に応じて変化する、構成１６記載のセンサ。

（構成１８）
前記制御部は、制御回路を含み、
前記制御回路は、前記第１元素が放出されたときに前記第１電極及び前記第２電極から得られる信号を校正して前記検出回路から前記検出信号を出力させる、構成１６または１７に記載のセンサ。

（構成１９）
第１膜を含むセンサ部と、第２膜を含む構造体と、を含むセンサであって、前記第１膜は、第１元素の第１濃度と、第１密度と、を有し、前記第２膜は、前記第１濃度よりも高い前記第１元素の第２濃度と、前記第１密度よりも高い第２密度の少なくともいずれかを有する、センサの前記第２膜から前記第１元素を放出させ、
前記第１元素が放出されたときに前記センサ部から得られる出力を校正する、センサの校正方法。

実施形態によれば、安定した検出精度が得やすくできるセンサ及びセンサの校正方法が提供できる。

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、センサに含まれるセンサ部、第１膜、電極、第２膜、ヒータ、第１部材及び第２部材などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

その他、本発明の実施の形態として上述したセンサ及びセンサの校正方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全てのセンサ及びセンサの校正方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０…センサ部、 １０Ｍ…マスク、 １１…第１膜、 １１Ｄ…膜部、 １１Ｅ、１１Ｆ…第１、第２電極、 １１ｅ、１１ｆ…電極、 １１ｈ…ヒータ、 １５ａ～１５ｄ…配線、 １７…基板、 １７ｉ…絶縁膜、 １７ｓ…支持部、 １８…基板、 １８ｉ…絶縁膜、 １８ｓ…支持部、 ２０…構造体、 ２０Ｍ…マスク、 ２０ａ～２０ｄ…第１～第４構造体、 ２１…第２膜、 ２１Ｄ…構造部、 ２１ｅ、２１ｆ…電極、 ２１ｈ…ヒータ、 ２５ａ、２５ｂ…配線、 ２７…基板、 ２７ｉ…絶縁膜、 ２７ｓ…支持部、 ３１、３２…犠牲層、 ６０ｓ…側部、 ６１…第１部材、 ６１ｆ…第１面、 ６１ｓ…第１側部、 ６２…第２部材、 ６２Ｓ…シャッタ、 ６２ｆ…第２面、 ６２ｈ…孔、 ６２ｓ…第２側部、 ７０…制御部、 ７１…検出回路、 ７２…ヒータ用回路、 ７３…制御回路、 １１０～１１７、１２０、１２１、１３０、１４０…センサ、 ＡＲ…矢印、 Ｓｉｇ０…センサ信号、 Ｓｉｇ１…検出信号、 ｄ１…距離、 ｇ１～ｇ４…間隙

Claims (8)

1. 第１膜を含むセンサ部と、
   第２膜を含む構造体と、
   第１部材と、
   孔を含む第２部材と、
   を備え、
   前記第１膜は、検出対象の第１元素を蓄えることができ、
   前記第２膜は、校正の際に前記第１元素を放出することができ、
   前記第１膜は、前記第１元素の第１濃度と、第１密度と、を有し、
   前記第２膜は、前記第１濃度よりも高い前記第１元素の第２濃度と、前記第１密度よりも高い第２密度の少なくともいずれかを有し、
   前記センサ部及び前記構造体は、前記第１部材と前記第２部材との間に設けられ、
   前記孔と前記センサ部との間の距離は、前記孔と前記構造体との間の距離よりも短く、
   前記第１部材は、前記第２部材と対向する第１面を含み、
   前記センサ部及び前記構造体は、前記第１面に設けられた、センサ。
2. 第１膜を含むセンサ部と、
   第２膜を含む構造体と、
   第１面を含む第１部材と、
   前記第１面と対向する第２面を含む第２部材と、
   を備え、
   前記第１膜は、検出対象の第１元素を蓄えることができ、
   前記第２膜は、校正の際に前記第１元素を放出することができ、
   前記第１膜は、前記第１元素の第１濃度と、第１密度と、を有し、
   前記第２膜は、前記第１濃度よりも高い前記第１元素の第２濃度と、前記第１密度よりも高い第２密度の少なくともいずれかを有し、
   前記第２部材は、孔を含み、
   前記構造体は、前記第２面に設けられ、
   前記センサ部は、前記第１面に設けられ、
   前記センサ部は、前記第１部材から前記第２部材への方向において、前記孔と重なり、
   前記構造体は、前記方向において、前記孔と重ならない、センサ。
3. 第１膜を含むセンサ部と、
   第２膜を含む構造体と、
   第１部材と、
   孔を含む第２部材と、
   を備え、
   前記第１膜は、検出対象の第１元素を蓄えることができ、
   前記第２膜は、校正の際に前記第１元素を放出することができ、
   前記第１膜は、前記第１元素の第１濃度と、第１密度と、を有し、
   前記第２膜は、前記第１濃度よりも高い前記第１元素の第２濃度と、前記第１密度よりも高い第２密度の少なくともいずれかを有し、
   前記センサ部及び前記構造体は、前記第１部材と前記第２部材との間に設けられ、
   前記孔と前記センサ部との間の距離は、前記孔と前記構造体との間の距離よりも短く、
   前記第１部材及び前記第２部材の少なくとも１つは、側部を含み、
   前記構造体の少なくとも一部は、前記センサ部と前記側部との間にある、センサ。
4. 第１膜を含むセンサ部と、
   第２膜を含む構造体と、
   第１面を含む第１部材と、
   前記第１面と対向する第２面を含む第２部材と、
   を備え、
   前記第１膜は、検出対象の第１元素を蓄えることができ、
   前記第２膜は、校正の際に前記第１元素を放出することができ、
   前記第１膜は、前記第１元素の第１濃度と、第１密度と、を有し、
   前記第２膜は、前記第１濃度よりも高い前記第１元素の第２濃度と、前記第１密度よりも高い第２密度の少なくともいずれかを有し、
   前記第２部材は、孔を含み、
   前記構造体は、前記第２面に設けられ、
   前記センサ部は、前記第１面に設けられ、
   前記第１部材及び前記第２部材の少なくとも１つは、側部を含み、
   前記構造体の少なくとも一部は、前記センサ部と前記側部との間にある、センサ。
5. 前記構造体は、ヒータを含む、請求項１～４のいずれか１つに記載のセンサ。
6. 制御部をさらに備え、
   前記制御部は、前記ヒータと電気的に接続されたヒータ用回路を含み、
   前記ヒータ用回路は、前記ヒータに電流を供給可能であり、
   前記ヒータに電流が供給されたときに、前記第２膜は前記第１元素を放出する、請求項５記載のセンサ。
7. 前記センサ部は、第１電極及び第２電極を含み、
   前記制御部は、前記第１電極及び前記第２電極と電気的に接続された検出回路を含み、
   前記検出回路は、検出信号を出力可能であり、
   前記検出信号は、前記センサ部の周囲のガスに含まれる前記第１元素の濃度に応じて変化する、請求項６記載のセンサ。
8. 第１膜を含むセンサ部と、第２膜を含む構造体と、を含むセンサの前記第２膜から検出対象の第１元素を放出させ、前記第１膜は、前記第１元素を蓄えることができ、前記第２膜は、校正の際に前記第１元素を放出することができ、前記第１膜は、前記第１元素の第１濃度と、第１密度と、を有し、前記第２膜は、前記第１濃度よりも高い前記第１元素の第２濃度と、前記第１密度よりも高い第２密度の少なくともいずれかを有し、
   前記第１元素が放出されたときに前記センサ部から得られる出力を校正する、センサの校正方法。

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