JP2016011875A - 圧力センサの製造方法および圧力センサ - Google Patents
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Abstract
Description
[センサモジュール10の構成]
図1は、実施形態に係るセンサモジュール10の一例を示す平面図である。図2は、図1に示したセンサモジュール10のA−A断面図である。センサモジュール10は、凹部13が形成された基板11を有する。基板11上には、複数の電極パッド12a〜12d、電気抵抗体20、および温度補償体30が形成されている。センサモジュール10は、圧力センサの一例である。
図4は、第1の実施形態におけるセンサモジュール10の製造手順の一例を示すフローチャートである。図5〜図7、図9、および図11は、製造過程におけるセンサモジュール10の一例を示す断面図である。図8および図10は、レジストパターンの一例を示す平面図である。
本実施形態のセンサモジュール10の製造方法では、ステップS101において、例えば600度の温度条件下でのスパッタリングにより、接着層22および導体層21を形成する。ここで、導体層21を常温スパッタリングにより形成するとすれば、成膜温度が低いために、絶縁層14上に到達した原子が結晶核に成長しにくい。そのため、常温スパッタリングにより形成された導体層21は、結晶が小さく、空隙が多い膜となる。
次に、第2の実施形態について説明する。第2の実施形態では、接着層22および導体層21の形成工程が第1の実施形態とは異なる。なお、以下に説明する点を除き、センサモジュール10の構造については、第1の実施形態におけるセンサモジュール10の構造と同様であるため、詳細な説明は省略する。
図15は、第2の実施形態におけるセンサモジュール10の製造手順の一例を示すフローチャートである。なお、以下に説明する点を除き、図15において、図4と同じ符号を付した工程は、図4における工程と同一または同様の工程であるため説明を省略する。
本実施形態のセンサモジュール10の製造方法では、ステップS200において、常温スパッタリングにより、接着層22および導体層21が形成される。そして、ステップS201において、接着層22および導体層21が形成された基板11を、600度以上、かつ、1000度以下の温度条件下でアニール処理する。図16は、常温スパッタリングの後にアニール処理を行った場合の導体層21のSEM画像の一例を示す図である。
11 基板
14 絶縁層
20 電気抵抗体
21 導体層
Claims (6)
- 気体に晒された電気抵抗体を発熱させ、気体の圧力に応じて生じた前記電気抵抗体の温度変化を、前記電気抵抗体の抵抗値の変化として出力する圧力センサの製造方法であって、
基板上に酸化膜または窒化膜である第1の膜を形成する第1の工程と、
前記第1の膜上に、300度以上、かつ、600度以下の温度条件下で、前記電気抵抗体となる第2の膜を形成する第2の工程と
を含むことを特徴とする圧力センサの製造方法。 - 気体に晒された電気抵抗体を発熱させ、気体の圧力に応じて生じた前記電気抵抗体の温度変化を、前記電気抵抗体の抵抗値の変化として出力する圧力センサの製造方法であって、
基板上に酸化膜または窒化膜である第1の膜を形成する第1の工程と、
前記第1の膜上に、50度以下の温度条件下で、前記電気抵抗体となる第2の膜を形成する第2の工程と、
前記第1の膜上に形成された前記第2の膜を、600度以上、かつ、1000度以下の温度条件下でアニール処理する第3の工程と
を含むことを特徴とする圧力センサの製造方法。 - 前記第2の膜は、白金またはニッケルを含有する金属により形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の圧力センサの製造方法。
- 前記基板は、シリコンで形成され、
前記第1の膜は、窒化シリコンにより形成されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の圧力センサの製造方法。 - 気体に晒された電気抵抗体を発熱させ、気体の圧力に応じて生じた電気抵抗体の温度変化を、電気抵抗体の抵抗値の変化として出力する圧力センサであって、
基板上に酸化膜または窒化膜である第1の膜を形成する第1の工程と、
前記第1の膜上に、300度以上、かつ、600度以下の温度条件下で、前記電気抵抗体となる第2の膜を形成する第2の工程と
を含む製造方法により製造されたことを特徴とする圧力センサ。 - 気体に晒された電気抵抗体を発熱させ、気体の圧力に応じて生じた電気抵抗体の温度変化を、電気抵抗体の抵抗値の変化として出力する圧力センサであって、
基板上に酸化膜または窒化膜である第1の膜を形成する第1の工程と、
前記第1の膜上に、50度以下の温度条件下で、前記電気抵抗体となる第2の膜を形成する第2の工程と、
前記第1の膜上に形成された前記第2の膜を、600度以上、かつ、1000度以下の温度条件下でアニール処理する第3の工程と
を含む製造方法により製造されたことを特徴とする圧力センサ。
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