JP2005339908A - 赤外線放射素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板1の一表面側に半導体基板1よりも熱伝導率が十分に小さな断熱層2が形成されるとともに、断熱層2よりも熱伝導率および導電率それぞれが大きな層状の発熱体3が断熱層2上に形成され、発熱体3上に通電用の一対のパッド4,4が形成されており、発熱体3への通電により発熱体3を発熱させることで発熱体3から赤外線が放射される。断熱層2を構成する低抵抗の第1の多孔質半導体層の深さ方向の途中に多孔度の小さな低多孔度層22が設けられ、第1の多孔質半導体層のうち、第1の多孔質半導体層における発熱体3との界面での各微細孔2aの開口面の深さ方向への投影領域内に存在する部分が、深さ方向において第1の多孔質半導体層の多孔度を一様とするときよりも第1の多孔質半導体層の機械的強度を補強する補強構造部5を構成している。
【選択図】 図1
Description
本実施形態の赤外線放射素子Aは、図1に示すように、半導体基板1の一表面(図1の上面)側に半導体基板1よりも熱伝導率が十分に小さな断熱層2が形成されるとともに、断熱層2よりも熱伝導率および導電率それぞれが大きな層状の発熱体3が断熱層2上に形成され、発熱体3上に通電用の一対のパッド(電極)4,4が形成されており、発熱体3への通電により発熱体3を発熱させることで発熱体3から赤外線が放射される。ここに、断熱層2および発熱体3は、それぞれ多孔質半導体層により構成されている(以下では、断熱層2を構成する多孔質半導体層を第1の多孔質半導体層と称し、発熱体3を構成する多孔質半導体層を第2の多孔質半導体層と称す)が、多孔質半導体層は、多孔度が高くなるにつれて熱伝導率および熱容量が小さくなり、例えば、熱伝導率が168〔W/(m・K)〕、熱容量が1.67×106〔J/(m3・K)〕の単結晶のシリコン基板を陽極酸化して形成される多孔度が60%の多孔質シリコン層は、熱伝導率が1〔W/(m・K)〕、熱容量が0.7×106〔J/(m3・K)〕であることが知られている。また、各パッド4,4は金属材料(例えば、タングステン、アルミニウム、金など)により形成されている。なお、第1の多孔質半導体層は、多孔度が高い高多孔度層21と多孔度が低い低多孔度層22とが交互に積層された構造を有しており、高多孔度層21の多孔度と第2の多孔質半導体層の多孔度とを同じ値に設定してある。また、本実施形態では、半導体基板1が基板を構成し、第2の多孔質半導体層が多孔質層を構成している。
λ=2898/T
となり、発熱体3の絶対温度Tと発熱体3から放射される赤外線のピーク波長λとの関係がウィーンの変位則を満たしている。要するに、本実施形態の赤外線放射素子Aでは、発熱体3としての第2の多孔質半導体層が擬似黒体を構成しており、図示しない外部電源からパッド4,4間に印加する電圧を調整することにより、発熱体3に発生するジュール熱を変化させることができて、発熱体3から放射される赤外線のピーク波長λを変化させることができる。なお、本実施形態の赤外線放射素子Aでは、例えば、一対のパッド4,4間に300V程度の電圧を印加することによりピーク波長λが3μm〜4μmの赤外線を放射させることが可能であり、パッド4,4間に印加する電圧を適宜調整することにより、ピーク波長が4μm以上の赤外線を放射させることも可能である。
本実施形態の赤外線放射素子Aの基本構成は実施形態1と略同じであり、図2に示すように、断熱層2および補強構造部5の構造が相違し、他の構成は実施形態1と同じなので、説明を省略する。
本実施形態の赤外線放射素子Aの構成構成は実施形態1と略同じであり、図3に示すように、断熱層2および補強構造部5の構造が相違し、他の構成は実施形態1と同じなので説明を省略する。
本実施形態の赤外線放射素子Aの基本構成は実施形態1と略同じであり、図4に示すように、発熱体3、断熱層2および補強構造部5の構造が相違し、他の構成は実施形態1と同じなので説明を省略する。
1 半導体基板
2 断熱層
2a 微細孔
3 発熱体
4 パッド
5 補強構造部
21 高多孔度層
22 低多孔度層
Claims (6)
- 基板の一表面側に形成され基板よりも熱伝導率の小さな多孔質層からなる断熱層と、断熱層上に形成され断熱層よりも熱伝導率および導電率それぞれが大きな発熱体とを備え、発熱体への通電により発熱体を発熱させることで発熱体から赤外線が放射される赤外線発光素子であって、断熱層は、深さ方向において多孔質層の多孔度を一様とするときよりも多孔質層の機械的強度を補強する補強構造部を有することを特徴とする赤外線放射素子。
- 前記多孔質層は、前記深さ方向の途中に多孔度の小さな低多孔度層が設けられ、前記多孔質層のうち、前記多孔質層における前記発熱体との界面での各微細孔の開口面の深さ方向への投影領域内に存在する部分が、前記補強構造部を構成していることを特徴とする請求項1記載の赤外線放射素子。
- 前記多孔質層は、前記深さ方向において前記基板に近づくにつれて多孔度が徐々に小さくなるように形成され、前記多孔質層のうち、前記多孔質層における前記発熱体との界面での各微細孔の開口面の深さ方向への投影領域内に存在する部分が、前記補強構造部を構成していることを特徴とする請求項1記載の赤外線放射素子。
- 前記多孔質層は、前記深さ方向において前記基板近くの部位の多孔度を他の部位に比べて小さくしてあり、前記多孔質層のうち、前記多孔質層における前記発熱体との界面での各微細孔の開口面の深さ方向への投影領域内に存在する部分が、前記補強構造部を構成していることを特徴とする請求項1記載の赤外線放射素子。
- 前記多孔質層における前記基板近くの部位は、前記深さ方向において前記基板に近づくにつれて多孔度が徐々に小さくなっていることを特徴とする請求項4記載の赤外線放射素子。
- 前記多孔質層の各微細孔それぞれの内面に沿って酸化膜が形成され、各酸化膜が前記補強構造部を構成していることを特徴とする請求項1記載の赤外線放射素子。
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2004
- 2004-05-25 JP JP2004155207A patent/JP4534597B2/ja not_active Expired - Fee Related
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