TWI501274B - 微機電系統裝置及其製造方法 - Google Patents

Description

微機電系統裝置及其製造方法

本發明之實施例是關於一種微機電系統(MEMS)裝置及其製造方法。

具有可變電容之高頻MEMS元件比傳統的半導體元件更具較小的信號損失及較高的線性度。因而，預期在下一代的無線系統應納入高頻MEMS元件。在此類型之任何無線系統中，在高頻信號通過元件時，執行所謂的“熱切換”以切換元件。

在MEMS元件進行熱切換時，MEMS元件的自致動和自保持成為問題點。為了避免自致動，可設定吸附電壓高於由高頻信號產生有效的直流偏壓。亦即，在一般設計之MEMS裝置可防止自致動。相較之下，為了避免自保持，可設定拉出電壓高於由高頻信號產生有效的直流偏壓。不可避免地，在一般設計之MEMS很難避免自保持。

一般來說，根據一實施例，一種MEMS裝置包含一第一電極，配置於支撐基板上；一第二電極，相對於該第一電極且於相反於該第一電極的方向可移動；及懸臂部件，其每一個連接至該第二電極的側邊，彼此相對且支撐該第二電極。第二電極具有一狹縫，平行延伸至連接該懸臂部件之該側邊且在正面與背面皆有開口。更進一步，該第二電極具有至少一橋狀部件，延伸該狹縫之上，越過該狹縫且由與該第二電極不同之材料所構成。

在說明實施例之前，先說明該MEMS裝置之基本配置和操作原理。

1‧‧‧基板

2‧‧‧下部電極

3‧‧‧上部電極

4‧‧‧電容器絕緣膜

20‧‧‧下部電極

30‧‧‧上部電極

31‧‧‧狹縫

26‧‧‧孔洞

36‧‧‧孔洞

32‧‧‧橋狀部件

33‧‧‧第一彈簧部件

34‧‧‧第二彈簧部件

35‧‧‧固定部件

41‧‧‧電容器絕緣膜

12‧‧‧氧化矽膜

11‧‧‧矽基板

10‧‧‧支撐基板

25‧‧‧電極

30a‧‧‧導電膜

45‧‧‧保護膜

46‧‧‧密封薄膜

47‧‧‧防潮薄膜

37‧‧‧短狹縫

圖1A和1B是說明MEMS裝置的基本配置和操作原理的圖式；圖2是在MEMS裝置所觀察的，顯示介於吸附電壓和拉出電壓之間遲滯的特徵圖；圖3是顯示根據第一實施例之MEMS裝置的配置之平面示意圖；圖4A和4B是在圖3中分別沿著A-A’線和B-B’線之剖面圖；圖5A至5H是圖3之MEMS裝置的製造方法的剖視圖；圖6A和6B是顯示在具有橋樑的情況下，結構如何 形變成V形之示意圖；圖7A和7B是顯示該結構在不具橋狀部件的情況時如何形變至V形之示意圖；圖8是說明在第一實施例中如何提高如所預期的拉出電壓之特性圖；圖9是顯示根據第二實施例之MEMS裝置的配置之平面示意圖；圖10是顯示根據第二實施例之MEMS裝置的配置之另一平面示意圖；圖11亦是顯示根據第二實施例之MEMS裝置的配置之另一平面示意圖；圖12是顯示根據第二實施例之MEMS裝置的配置進一步之平面示意圖；圖13是顯示根據第二實施例之MEMS裝置的配置之另一平面示意圖；且圖14是顯示根據第二實施例之MEMS裝置的配置進一步之平面示意圖。

如圖1A和圖1B所示，該MEMS裝置包含一固定於基板1之下部電極2，及一配置於下部電極2之上部電極3，且可移動。施加驅動電壓(直流電壓)於電極2和3之間，產生靜電力。該靜電力移動該上部電極3，接觸或離開該下部電極2。在圖1A和圖1B中，4表示一電容器 絕緣膜。該上部電極3是由懸臂部件(彈簧部件)支撐兩端，其未圖示於圖1A和1B。

如圖2所示，該MEMS裝置具有滯後現象在吸附電壓使上部電極3和下部電極2接觸，且在拉出電壓使電極2和3彼此遠離。亦即，該吸附電壓高於拉出電壓。

如在發明背景所述，MEMS裝置進行熱切換時產生以下的問題。任何高頻信號具有實質之直流偏壓，且產生靜電力。因此，該MEMS裝置執行之熱切換，當靜電力因為高頻信號實際執行時進行切換。這裡產生兩個問題：亦即，自致動和自保持。

當關閉時，該MEMS裝置為開啟狀態，如圖1A所示，電極2和3未接觸。此時，有效的靜電力吸附該上部電極3，強制開啟該MEMS裝置，或設定該MEMS裝置至關閉狀態，如圖1B所示。這是自致動。

當開啟時，該MEMS裝置為關閉狀態，電極2和3接觸如圖1B所示，絕緣膜4位於其間。高頻信號產生一靜電力使電極2和3保持接觸，即使當施加驅動信號至MEMS裝置開關，其相同於從關閉狀態到開啟狀態的開關。這是自保持。

為了避免自致動，切換該MEMS裝置從開啟狀態至關閉狀態之吸附電壓只需要有一個大於由高頻信號所產生的有效的直流偏壓。因此，該自致動是比較容易防止於任何一般設計之MEMS。在GSM(商標)，亦即，無線系統，舉例來說，有效的靜電引力相當等於13V假如施加最 多為3W之高頻功率，且假如特性阻阬為50Ω。在任何一般設計之MEMS裝置中，相對容易設定吸附電壓至13V或更高。

為了避免自保持，切換該MEMS裝置從關閉狀態至開啟狀態之拉出電壓(即，上拉電壓)需要有一個大於由高頻信號所產生的有效的直流偏壓。若該彈簧部件作成強固以提高拉出電壓，而拉入電壓將可提高更多。

迄今，已提出提高拉出電壓的結構。在此結構中，該MEMS裝置的上部電極具有一狹縫。此結構可提高電壓，因為該狹縫延伸於上部電極的縱長方向(即，平行於連接彈簧的側邊)。也就是，此結構可減少吸附電壓和拉出電壓之間的滯後現象。當製造元件時，該上部電極受到所謂的“V-形變”，為V形。無可避免的，該元件無法達到預期的特性。

當犧牲層固化時產生之收縮導致V-形變。具有一狹縫之上部電極結構，具有小的機械剛性。因此，V-形變為施加力於上部電極構造的結果。因此，很難實現具有狹縫的結構。

本實施例是設計以抑制由狹縫所造成的V-形變，不僅抑制V-形變，且對熱切換有高耐受性。

根據一些實施例之MEMS裝置將於後參考圖式予以描述。

第一實施例

圖3、圖4A和圖4B說明根據第一實施例之MEMS裝置。圖3是一平面示意圖顯示該MEMS裝置的結構。圖4A是顯示圖3中沿著A-A’線之剖面圖。圖4B是顯示圖3中沿著B-B’線之剖面圖。

在圖4A和4B中，數字10表示一支撐基板，其包含一矽基板11和一由氧化矽(SiO₂ )所構成之絕緣膜12且形成於該矽基板11上。該支撐基板10可包含元件，例如，構成邏輯電路和記憶體電路之場效電晶體。

在該支撐基板10上，配置一下部電極(第一電極)20且作為固定電極。該下部電極20是由例如，鋁(Al)或鋁合金所構成，且分成多個部件(例如：二個部件，或左右部件)。該下部電極20連接至與該下部電極相同材所構成的接線(未圖示)，且更進一步至各個電路。該下部電極20的材料不限於鋁或鋁合金。該下部電極20可以是由銅(Cu)、金(Au)、鉑金(Pt)或類似物所構成。

電容器絕緣膜41是由，例如，氮化矽(SiN)所形成，覆蓋下部電極20的表面所構成的。該電容器絕緣膜41的材料不限於氮化矽。該電容器絕緣膜41可以是由高k值膜所代替，其比SiOx和SiN具有較大的介電常數。

在該下部電極20之上方，配置一上部電極30(第二電極)，面對該下部電極20。該上部電極30為矩形且大於該下部電極20，且形成重疊於該下部電極20。因此，該上部電極30的側端位於下部電極20側端的外側。該上部電極30是由，例如，鋁、鋁合金、銅、金或鉑金之延 展性材料所構成。由任何延展性材料之組成，由應力造成破裂前受到塑性變形。該上部電極30的材料不限於延展性材料。上部電極30可以是由脆性材料如鎢(W)所構成。

該上部電極30是由第一彈簧部件(懸臂部件)33固定於配置在支撐基板10之固定部件35，其在該上部電極30的縱長方向的兩側彼此相對。該第一彈簧部件33是，例如，氮化矽膜，彎曲的形狀且具彈性。該第一彈簧部件33能使該上部電極30向上下移動。該下部電極20具有凹槽在這樣的位置以致下部電極20無任何一部分可以存在於該上部電極30和第一彈簧部件33的接點或在這些接點之下。如此可避免該上部電極30在與該第一彈簧部件33的接點受到形變的影響。然而，下部電極20不必一定具有凹槽。

該第一彈簧部件33是由脆性材料所構成。由任何脆性材料所構成之構件在由應力造成破裂前幾乎不遭受塑性變形(改變形狀)。

該第一彈簧部件33的材料不限於氮化矽膜。該第一彈簧部件33可以由氧化矽膜代替。更進一步，該第一彈簧部件33可由如多晶矽、矽、鉬(Mo)或鋁鈦(Al-Ti)合金之導電性材料所構成。鋁鈦合金可含其它元素。總之，該第一彈簧部件33的材料不限於一脆性材料，也可由一延展性材料代替。

該上部電極30，其一部分由導電性材料所構成的第 二彈簧部件34連接至配置在基板10之固定部件35。該第二彈簧部件34可與上部電極30電傳導，且由與上部電極相同之具導電性之脆性材料所構成的。更詳細來說，該第二彈簧部件34是由，例如，鋁、主要由鋁構成的合金，或如銅、金或鉑金之金屬所構成的。該固定部件35是由，例如，導電性且與該第二彈簧部件34相同之材料所構成的。

可設置一穹丘層(未圖式)，在其覆蓋的空間，該上部電極30、彈簧部件33和彈簧部件34可以移動。該下部電極20可分成左右部件，以改善該MEMS裝置之高頻特性。該下部電極20不須一定如此分開。此外，該第二彈簧部件34可被固定於一個固定部件(未圖式)，其不同於該固定部件35，非上述之固定部件35。

以上所描述的是本實施例的基本結構。除了上述特徵，該上部電極30具有一狹縫31和橋狀部件32。更精確來說，該上部電極30具有一狹縫31平行延伸至該彈簧部件33的兩側且延伸於該上部電極30的縱長方向。狹縫31開口於上部電極30的上和下表面，和上部電極30的中心部。橋狀部件32(舉例來說，四部件)配置於該上部電極30上，各個越過狹縫31且延伸於狹縫31。該橋狀部件32是由脆性材料所構成的，且為由例如氮化矽所構成的絕緣膜。各個橋狀部件32固定於該上部電極30，於任一端的下表面。

該上部電極30的中心部距離配置在兩側的彈簧部33 比該上部電極30的其他任何部分有更大的空間，且當被拉出時從該彈簧部件33受到較小的力。若該中心部被吸向下部電極20，該上部電極30很難被拉出。由於該上部電極30在中心部具有一狹縫31，而該中心部不被吸引。因此可提高拉出電壓。

該橋狀部件32設置以增強該上部電極30的那部的剛性，其具有狹縫31且具低剛性。這有助於抑制該上部電極30的部分的V-形變。該MEMS裝置配置橋狀部件32於狹縫31，以抑制該上部電極30的V-形變。

該上部電極30在狹縫31和連接至上部電極30的彈簧部件33的那端之間具有孔洞36。同樣地，該下部電極20具有孔洞26，分別與孔洞36對齊。上部電極30的孔洞36較下部電極20的孔洞26直徑小。該上部電極30覆蓋下部電極20，且在每一部分具有孔洞36。上部電極30的孔洞36用來移除在上部電極30下面的犧牲層。然而，該上部電極30不必具有孔洞36，因為該犧牲層可經由狹縫31被移除。進一步來說，該下部電極20可不具孔洞26。

製造此結構的處理流程將參照圖5A至5H來說明。圖5A至5H是在圖3中沿著B-B’線之剖面圖。在這些圖式中，為了簡化說明，僅圖示出被該狹縫分隔之半電極之一。

首先，如圖5A所示，在該支撐基板10的整個表面形成一電極材料(如，鋁合金)層，該支撐基板10包含一 矽基板11和一形成於該矽基板11上的氧化矽膜12。然後，電極材料層圖案化，從而形成一電容器之下部電極20和固定部件之電極25。由氮化矽或類似物所構成之電容器絕緣膜41，覆蓋電極20和25。然後在該電容器絕緣膜41製造孔洞。這些孔洞是必要的，用以形成固定部件和一薄膜穹丘，這將會稍後描述之。

其次，供應如聚醯亞氨之有機材料至該構造的整個表面上，從而形成第一犧牲層42如圖5B所示。該第一犧牲層42圖案化，留下的空間將會被移除，以提供該上部電極和下部電極間的空間。

如圖5C所示，鋁合金沉積而形成導電膜30a，其將被製成上部電極。由氮化矽所製成的第一彈簧部件33，形成連接導電膜30a的部位，其為固定部件和上部電極。第一彈簧部件33，橋狀部件32是使用氮化矽所構成的，亦即，跟第一彈簧部件33相同的材料。

如圖5D所示，該導電膜30a圖案化，從而形成一上部電極30和固定部件35。

接下來，施加如聚醯亞氨之有機材料至該構造的整個表面上，從而形成在圖5E所示之第二犧牲層43。該第二犧牲層43圖案化，留下的空間將會被移除，以提供該上部電極30和第一彈簧部件33上面的空間。

接下來，如圖5F所示，形成一個如氧化矽膜之保護膜45。該保護膜45圖案化，留下僅覆蓋上部電極30和第一彈簧部件33的部分，且在該保護膜45產生孔洞。這 些孔洞將被用來移除第二犧牲層43。

再者，如圖5G所示，第一犧牲層42和第二犧牲層43被移除。如此可使上部電極30和彈簧部件44向上和向下移動。

然後，如圖5H所示，形成一密封薄膜46且圖案化，形成一防潮薄膜47且圖案化。結果，形成一薄膜穹丘，其封裝該MEMS區域。

在此構造，V-形變很大程度取決於是否配置橋狀部件32。圖6A和6B顯示具有橋狀部件32的結構。圖7A和7B顯示不具橋狀部件32的比較結構。注意，圖6A和圖7A是該上部電極的平面圖，而圖6B和圖7B是該上部電極的剖面圖。

如圖6A所示，在具有橋的裝置中，該橋狀部件32可提高的上部電極30具有狹縫31部分的剛度。故，如圖6B所示，該上部電極30的V-形變被抑制住。

如圖7A所示，在不具有橋的裝置中，上部電極30的V-形變如在圖7B所示的V-形變一樣。該裝置必然無法發揮它所預期的特性。也就是說，如果該上部電極30是V-形變，浮動，該電容器的電容值將會增加，比起其他方式，改變範圍較窄。

該上部電極30因以下的原因而受到V-形變，且因以下原因而被抑制。在形成第二犧牲層43的過程中，首先施加材枓，形成一個層43，且如此形成的層43固化。當該層43固化時，產生收縮，施加一應力至該電極材料。 所以，該電極材料是彈性變形。當犧牲層43被移除時，該電極材料恢復到初始的形狀。此時，施加一力，推壓該上部電極30的兩端。該上部電極30在切出狹縫31的部分則如圖7B所示般產生V-形變。在此實施例中，配置數個橋狀部件32於狹縫31上，以提高該上部電極30具有狹縫31部分的剛度。因而可抑制形變。

第一彈簧部件33是浮動(未固定的，或不固定於任何物體上)於上部電極30和固定部件35之間。該第一彈簧部件33在浮動狀態水平延伸，在該第一電極30之上表面和該固定部件35邊緣之上。亦即，從該上部電極30到各個固定部件35，該第一彈簧部件33幾乎是平放的。

除了配置該橋狀部件32之外，當該犧牲層43固化時，如此被製造之彈簧部件33傳導應力至電極材料，和上部電極30的部分。因此，橋狀部件32達到優勢只要使用該第一彈簧部件33。

圖8顯示本實施例的優點。更精確地，圖8顯示若該上部電極不具狹縫的裝置的拉出電壓，若該上部電極具有一狹縫的裝置的拉出電壓，和若該上部電極具有一狹縫且橋狀部件32越過該狹縫的裝置的拉出電壓。

如從圖8所見的，裝置中若該上部電極具有一狹縫和該上部電極具有一狹縫且橋狀部件32越過該狹縫，其拉出電壓高於該上部電極不具狹縫的情況。若上部電極具有一狹縫，拉出電壓的確會提高，但V-形變將會變大。若該上部電極具有一狹縫且橋狀部件32越過該狹縫，不僅 是拉出電壓將會提高，而且V-形變也可被抑制。

如上面所述，上部電極30具有狹縫31且配置橋狀部件32。該上部電極30具有狹縫31的部份的V-形變因而被抑制住。因此，該裝置可以產生高拉出電壓，同時可維持對熱切換之高耐受性。

因為橋狀部件32是由氮化矽膜所構成的，而使該裝置更進一步在以下方面有優勢。當該上部電極30受到拉伸應力時，由氮化矽膜所作成的橋狀部件32受到壓縮應力。施加一力至該上部電極30，向上彎曲具有狹縫31之上部電極30的部分，成凸面狀。該力拉升上部電極30，提高拉出電壓。

第二實施例

參考圖9至圖14描述一更改電極圖案之第二實施例。

越過該上部電極30的狹縫31之橋狀部件32的數量不限於4。並且，可以設置如圖9所示兩個橋狀部件或如圖10所示六個橋狀部件。在圖9裝置中，該兩個橋狀部件32位於如同把狹縫31分成三等份相同長度之位置。在圖10裝置中，三個橋狀部件32位於該下部電極20左半部之上方，且剩餘的三個橋狀部件32位於該下部電極20右半部之上方。無論該裝置之結構如何，期可達到類似該第一實施例之優點。

如圖11所示，每個短狹縫37可切成直角相交於狹縫 31。該短狹縫37形成於該上部電極30之兩部分，其位於該上部電極30長邊分開的第一彈簧部件33間。即，狹縫37位於一區，其來自該彈簧部件33施加之力於拉出時減小。該拉出電壓可因此比其他方式提高更多。並且，如圖12所示，該下部電極20可不用被細分，或可維持單一個。

此外，該下部電極20可以沒有孔洞26。圖13顯示一裝置，其中該下部電極20沒有孔洞26且分成兩部分，即左和右半部。圖14顯示一裝置，其中該下部電極20沒有孔洞26且為單一，沒分成細部。而且，如圖13和圖14所示，該上部電極30不必要重疊該下部電極20。也就是說，儘管電極20和30維持彼此重疊，該下部電極20之邊緣可向外延伸出該上部電極30。

在圖9至圖10所示之任一裝置中，該上部電極30為一狹縫31與橋狀部件32，且該V-形變因此被抑制在該上部電極30具有狹縫31的部分。因此，該裝置可達到類似於該第一實施例之優點。

(修改實施例)

該發明不限於上述之實施例。

在任何上述之實施例中，懸臂部件僅在該上部電極之兩端，彼此相對。但是，懸臂部件可在該上部電極之任一段作為輔助懸臂部件。

該橋狀部件之材料不限於氮化矽膜。材料可根據該裝 置之規格需要而改變。該橋狀部件可由不同於該上部電極之材料製成。在這事例中，該橋狀部件受到一不同於該上部電極所受到之應力。如此可拉出該上部電極30。假如該橋狀部件由例如具有壓縮應力小於該上部電極30之材料所形成，將施加一力來向上彎曲該上部電極具有狹縫31之部份成凸面狀。此力可拉拔該上部電極。而且，由脆性材料所製成之橋狀部件幾乎沒有塑性變形(改變形狀)，且能有效的抑制該電極之形變。此外，由和該第一彈簧部件相同材料製成之橋狀部件能以和該第一彈簧部件相同之步驟來形成，促進該裝置之製造。並且，橋狀部件之數量能依需要而改變，符合該裝置之規格。

現在為止所描述之任何實施例為一微機電系統(MEMS)電容器，作為具有可變電容之元件。該發明也能應用於高頻使用之開關元件。並且，該支撐基板不限於矽基板與形成於該支撐基板上之氧化矽膜所組成之基板，且可由玻璃所形成之絕緣基板來取代。

儘管某些實施例已被描述，這些實施例僅以作為例子描述，並不限制本發明之範圍。甚至，於此描述之新實施例可以其他不同形式實施；而且，於此描述實施例之不同的省略，取代和改變之形式在不偏離本發明精神下可變更。申請專利範圍與其等同物用來包含如此形式或修改將屬於本發明之範圍與精神。

20‧‧‧下部電極

30‧‧‧上部電極

26‧‧‧孔洞

36‧‧‧孔洞

31‧‧‧狹縫

33‧‧‧第一彈簧部件

35‧‧‧固定部件

34‧‧‧第二彈簧部件

32‧‧‧橋狀部件

Claims (20)

1. 一種微機電系統裝置，包含：一第一電極，配置於支撐基板上；一第二電極，相對於該第一電極且於相反於該第一電極的方向可移動；及懸臂部件，其每一個連接至該第二電極的側邊，彼此相對且各自支撐該第二電極，其中，該第二電極具有一狹縫，平行延伸至連接該懸臂部件之該側邊且在正面與背面皆有開口，且該第二電極具有至少一橋狀部件，延伸於該狹縫之上，越過該狹縫且由與該第二電極不同之材料所構成。
2. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中，該橋狀部件是由具有比該第二電極之材料較大的壓縮應力或較小拉伸應力的材料所構成。
3. 根據申請專利範圍第2項之裝置，其中，該橋狀部件是由絕緣膜所構成。
4. 根據申請專利範圍第3項之裝置，其中，該第二電極是由鋁或鋁合金所構成，且該橋狀部份是由氮化矽膜所構成。
5. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中，該狹縫是設於該第二電極的中心部。
6. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中，該第一電極和該第二電極構成一開關元件。
7. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中，形成一 電容器絕緣膜，覆蓋該第一電極，且該第一電極和該第二電極構成一可變電容器元件。
8. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中，該第一電極分成多個部件。
9. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中，該支撐基板包含一矽基板和一形成於該矽基板上之氧化矽膜。
10. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中，該支撐基板具有固定部件，且該懸臂部件之一端連接至該第二電極，其另一端連至該固定部件。
11. 一種微機電系統裝置，包含：一第一電極，配置於支撐基板上；一矩形第二電極，相對於該第一電極，該第二電極相反於該第一電極方向可移動且在中心部具有一狹縫，該狹縫在正面和背面皆有開口且在縱長的方向延伸；懸臂部件，每一個連接至該第二電極之較長側邊，該懸臂部件彼此相對且各自支撐該第二電極；以及橋狀部件，延伸於該狹縫上，越過該狹縫且由與該第二電極不同之材料所構成。
12. 根據申請專利範圍第11項之裝置，其中，該橋狀部件是由具有比該第二電極之材料較大的壓縮應力或較小拉伸應力的材料所構成。
13. 根據申請專利範圍第12項之裝置，其中，該橋狀部件是由絕緣膜所構成。
14. 根據申請專利範圍第13項之裝置，其中，該第 二電極是由鋁或鋁合金所構成，且該橋狀部份是由氮化矽膜所構成。
15. 根據申請專利範圍第11項之裝置，其中，該第一電極和該第二電極構成一開關元件。
16. 根據申請專利範圍第11項之裝置，其中，形成一電容器絕緣膜，覆蓋該第一電極，且該第一電極和該第二電極構成一可變電容器元件。
17. 根據申請專利範圍第11項之裝置，其中，該第一電極分成多個部件。
18. 根據申請專利範圍第11項之裝置，其中，該支撐基板包含一矽基板和一形成於該矽基板上之氧化矽膜。
19. 根據申請專利範圍第11項之裝置，其中，該支撐基板具有固定部件，且該懸臂部件之一端連接至該第二電極，其另一端連至該固定部件。
20. 一種微機電系統之製造方法，包含：施加第一電極之材料於支撐基板；圖案化該第一電極之該材料，藉以形成第一電極；形成犧牲層於該第一電極上；施加第二電極之材料於該第一電極上；圖案化該第二電極之該材料，藉以形成第二電極，且製造一狹縫，該狹縫平行延伸至該第二電極的彼此相對的兩側邊且在該第二電極的正面和背面皆形成開口；在該第二電極之該材料圖案化之前，形成懸臂部件，其連接至該第二電極的彼此相對的兩側邊，且橋狀部件越 過該狹縫；以及在該第二電極之該材料圖案化之後，移除該犧牲層。