KR101188438B1 - 하향형 멤스 스위치의 제조방법 및 하향형 멤스 스위치 - Google Patents

하향형 멤스 스위치의 제조방법 및 하향형 멤스 스위치 Download PDF

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Abstract

하향형 멤스 스위치의 제조방법 및 하향형 멤스 스위치가 개시된다. 제1 및 제2공동부는 기판상에 형성되며, 제1 및 제2액츄에이터는 제1 및 제2공동부의 상부에 형성되며, 제1 및 제2고정라인은 기판의 상면에 제1 및 제2공동부와 비교차되도록 형성되며, 접속패드는 제1 및 제2고정라인의 표면으로부터 일정 거리 이격된 위치에 배치되며, 제1 및 제2액츄에이터의 구동시 제1 및 제2고정라인과 접촉가능한 형태로 형성된다. 따라서, 본 발명에 의하면, 압전력에 의해 하향하는 접속패드를 RF 신호라인과 레이어를 공유하여 제조하되 RF 신호라인 이후 제조함으로써 재구성 안테나의 성능 향상에 일조할 수 있다.
MEMS 스위치, 재구성 안테나, 멀티 밴드, 커플링

Description

하향형 멤스 스위치의 제조방법 및 하향형 멤스 스위치{Mems switch of downward type and method for producing the same}
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 하향형 멤스 스위치를 도시한 평면도,
도 2는 도 1의 지지층이 생략된 하향형 멤스 스위치의 일부를 도시한 사시도,
도 3은 도 1의 A-A' 단면도,
도 4는 도 1의 B-B' 단면도,
도 5a 내지 도 5e는 도 1에 따른 하향형 멤스 스위치의 제조과정을 설명하기 위한 도면,
도 6a는 도 1의 하향형 멤스 스위치가 적용된 재구성 안테나의 제1실시예를 도시한 도면, 그리고,
도 6b는 도 1의 하향형 멤스 스위치가 적용된 재구성 안테나의 제1실시예를 도시한 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *
100 : 하향형 멤스 스위치 120 : 제1공동부
122 : 제2공동부 130 : 제1액츄에이터
132 : 제2액츄에이터 140 : 제1고정라인
142 : 제2고정라인 150 : 접속패드
160 : 지지층
본 발명은 하향형 멤스 스위치의 제조방법 및 하향형 멤스 스위치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 압전력에 의해 하향하는 접속패드를 RF 신호라인과 레이어를 공유하여 제조하되 RF 신호라인 이후 제조하는 하향형 멤스 스위치의 제조방법 및 하향형 멤스 스위치에 관한 것이다.
재구성 안테나(Reconfigurable Antenna)는 기계적 또는 전기적인 방법으로 중심주파수, 대역폭, 이득 등 안테나의 특성을 변환하는 안테나로서, 최근에는 멀티 밴드 안테나의 제작에 응용되고 있다. 멀티 밴드 안테나가 이동통신기기에 적용되는 경우, 이동통신기기는 주파수 대역의 신호를 구분하기 위한 스위치를 구비하여야 한다.
기존의 재구성 멀티 밴드 안테나에 사용되는 스위치로는 반도체 스위치(Semiconductor Switch), 정전기 구동에 의한 정전형 스위치(Electrostatic Actuation Switch), 캔티레버 스위치(Cantilever Switch) 등을 예로 들 수 있다.
그러나, 반도체 스위치를 사용하는 경우, 반도체 스위치와 안테나를 제조하는 동안 제조 호환성과 관련된 문제가 발생하므로 동일한 기판에 반도체 스위치와 안테나를 제작하는 데 어려움이 많다(Fabrication Integration Limitation).
또한, 정전형 스위치는 일반적으로 멤스(MEMS : Micro Electro Mechanical System) 기술을 이용하여 스위치를 제작하므로 기판의 일부는 메탈을 이용하게 된다. 따라서 종래의 정전형 스위치를 사용하는 경우 안테나의 메탈과 기판의 메탈상에 Electro Magnetic Coupling 현상이 발생할 여지가 높으므로 성능 향상 및 제조, 설계 등이 난이하며, 소형화 및 저전압 구동 또한 어렵다.
한편, 캔티레버 스위치는 Piezo 방식에서 주로 사용되는 스위치로서, 멀티레이어 제조에 의한 스트레스(stress)로 인하여 초기 변위(Initial Displacement)가 발생하기 쉬우며(Difficult to control stress), 이는 정확한 스위칭 제어에 큰 제약이 된다.
또한, 캔티레버 스위치는 한 측에만 구동 레이어(Driving Layer)가 구비되므로 양측에서 구동하는 멤스 스위치에 비하여 구동력이 작으므로 성능이 떨어지며(insufficient Contact Force), 비대칭 구조(Unsymmetry)에 의하여 구동력이 작아지는 문제점이 있다.
또한, 종래의 양측에서 구동하는 멤스 스위치의 경우, 안테나 라인과 접촉되는 contact metal을 액츄에이터를 제조하기 이전에 형성함으로써 높은 커플링 현상을 발생하는 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 멤스 스위치 제조시 압전력에 의해 RF 라인과 연결되는 기판의 메탈을 스위치를 구동하는 액츄에이터 및 안테나 라인 을 제조한 후 형성함으로써 상술한 문제점들을 해소할 수 있는 하향형 멤스 스위치의 제조방법 및 하향형 멤스 스위치를 제공하는 데 있다.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 하향형 멤스 스위치의 제조방법은, (a) 기판상에 제1 및 제2공동부를 형성하는 단계; (b) 상기 제1 및 제2공동부의 상부에 제1 및 제2액츄에이터를 형성하는 단계; (c) 상기 기판의 상면에 상기 제1 및 제2공동부와 비교차되도록 제1 및 제2고정라인을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 제1 및 제2고정라인의 표면으로부터 일정 거리 이격된 위치에 배치되며, 상기 제1 및 제2액츄에이터의 구동시 상기 제1 및 제2고정라인과 접촉가능한 형태의 접속패드를 형성하는 단계;를 포함한다.
바람직하게는, (e) 상기 상부연결라인의 표면으로부터 일정 거리 이격된 위치에 상기 제1 및 제2액츄에이터의 일단과 연결되는 지지층을 형성하는 단계;를 더 포함한다.
상세하게는, 전원이 인가되면, 상기 제1 및 제2액츄에이터로부터 발생하는 압전력에 의하여 상기 상부연결라인은 상기 제1 및 제2고정라인 중 적어도 하나와 연결되도록 하향한다.
여기서, 상기 제1 및 제2고정라인은 서로 다른 대역폭의 안테나 신호라인이다.
또한, 상기 접속패드의 일정 영역은 오목형이고, 상기 일정 영역의 양측 상단은 각각 상기 제1 및 제2고정라인과 연결되도록 양측으로 돌출되는 형상을 갖는 다.
보다 상세하게는, 상기 (b) 단계는, (b1) 상기 기판 상에 상기 제1 및 제2공동부를 덮는 하부전극을 형성하는 단계; (b2) 상기 하부전극 상에 압전세라믹(piezo ceramic)으로 이루어지는 압전층을 형성하는 단계; (b3) 상기 압전층 상에 상부전극을 형성하는 단계; 및 (b4) 상기 상부전극 상에 멤브레인층을 형성하는 단계;를 포함한다.
한편, 상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 하향형 멤스 스위치는, 제1 및 제2공동부가 형성되는 기판; 상기 제1 및 제2공동부와 비교차되도록 상기 기판의 상면에 형성되는 제1 및 제2고정라인; 상기 제1 및 제2고정라인의 표면과 일정 거리 이격되어 형성되는 접속패드; 및 상기 제1 및 제2공동부의 상부에 위치하며, 전원이 공급되면 상기 접속패드를 상기 제1 및 제2고정라인 중 적어도 하나에 접촉되도록 하향시키는 제1 및 제2액츄에이터;를 포함하며, 상기 접속패드는 상기 제1 및 제2액츄에이터, 상기 제1 및 제2고정라인이 제조된 이후 제조된다.
바람직하게는, 상기 제1 및 제2액츄에이터의 일단에 연결되고, 상기 접속패드의 표면과 일정 거리 이격된 위치에 부유된 지지층;을 더 포함한다.
상세하게는, 상기 제1 및 제2액츄에이터는, 각각, 상기 기판 상에 위치하여 상기 제1 및 제2공동부를 덮는 하부전극; 상기 하부전극 상에 위치하며 압전세라믹(piezo ceramic)으로 이루어지는 압전층; 상기 압전층 상에 위치하는 상부전극; 및 상기 상부전극 상에 위치하는 멤브레인층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 하향형 멤스 스위치단계;를 포함한다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 하향형 멤스 스위치를 도시한 평면도, 도 2는 도 1의 지지층이 생략된 하향형 멤스 스위치의 일부를 도시한 사시도, 도 3은 도 1의 A-A' 단면도, 그리고 도 4는 도 1의 B-B' 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 하향형 멤스 스위치(100)는 제1 및 제2공동부(cavity)(120, 122)가 형성되는 기판(110), 제1액츄에이터(130), 제2액츄에이터(132), 제1고정라인(140), 제2고정라인(142), 접속패드(150) 및 지지층(160)을 포함하며, 후술할 Piezoelectric 방식으로 구동한다.
제1공동부(120) 및 제2공동부(122)는 기판(110)의 제1영역 및 제2영역에 서로 대칭되도록 형성되며, 일정 거리 이격되어 형성된다.
제1액츄에이터(130) 및 제2액츄에이터(132)는 각각 제1공동부(120) 및 제2공동부(122)의 상부에 형성되며, 기판(110)의 일단에 끝단이 고정된다. 도 1에 있어서, 제1 및 제2서브액츄에이터(130', 132') 측에 위치하는 제1액츄에이터(130) 및 제2액츄에이터(132)의 끝단이 기판(110)에 고정된다. 전원이 인가되면, 제1액츄에이터(130) 및 제2액츄에이터(132)는 압전력을 이용하여 접속패드(150)가 제1 및 제2고정라인(140, 142) 중 적어도 하나에 접촉되어 RF 신호를 전송하도록 하향시킨다.
이를 위하여 제1액츄에이터(130)는 제1하부전극(130a), 제1압전층(130b), 제1상부전극(130c) 및 제1멤브레인층(130d)을 가지며, 제2액츄에이터(132)는 제2하부 전극(132a), 제2압전층(132b), 제2상부전극(132c) 및 제2멤브레인층(132d)을 갖는다.
제1하부전극(130a) 및 제2하부전극(132a)은 기판(110) 상에 위치하여 제1공동부(120) 및 제2공동부(122)를 덮는다.
제1압전층(130b) 및 제2압전층(132b)은 각각 제1하부전극(130a) 및 제2하부전극(132a) 상에 위치하며 압전세라믹(piezo ceramic)으로 이루어진다. 압전세라믹은 PbO, ZrO2, TiO2를 사용하여 세라믹 제조을 통해 만들어지는 압전층으로서, PZT라고도 한다.
제1상부전극(130c) 및 제2상부전극(132c)은 각각 제1압전층(130b) 및 제2압전층(132b) 상에 위치하며, 제1멤브레인층(130d) 및 제2멤브레인층(132d)은 각각 제1압전층(130b) 및 제2압전층(132b) 상에 위치한다.
제1하부전극(130a) 및 제1상부전극(130c)은 각각 상부단자(170) 및 하부단자(171)에 의해 제1서브액츄에이터(130')와 연결되며, 제1전극패드(180) 및 제1접지패드(181)는 구동라인(190, 191)에 의해 제1서브액츄에이터(130')와 연결된다.
제2액츄에이터(132)는 제2하부전극(132a), 제2압전층(132b), 제2상부전극(132c) 및 제2멤브레인층(132d)을 가지며, 이는 제1액츄에이터(130)와 대응되므로 설명의 편의상 상세한 설명은 생략한다. 다만, 제2하부전극(132a) 및 제2상부전극(132b)은 각각 상부단자(172) 및 하부단자(173)에 의해 제2서브액츄에이터(132')와 연결되며, 제2전극패드(182) 및 제2접지패드(183)는 구동라인(192, 193)에 의해 제2서브액츄에이터(132')와 연결된다.
제1고정라인(140) 및 제2고정라인(142)은 제1공동부(120) 및 제2공동부(122)와 비교차되도록 기판(110)의 상면에 형성되며, 각 일단은 돌출형으로 형성된다. 이는, 접속패드(150)가 하향시 제1고정라인(140) 및 제2고정라인(142) 중 적어도 하나와 보다 정확히 연결되도록 하기 위함이다.
본 발명에 있어서, 제1고정라인(140) 및 제2고정라인(142)은 재구성 안테나에 적용하기 위하여, 서로 다른 대역폭의 안테나 신호라인이 사용된다. 또한, 제1고정라인(140) 및 제2고정라인(142)은 신호선과 접지가 한 면에 있는 CPW(Coplanar Waveguide) 라인을 사용한다.
접속패드(Contact Metal)(150)는 제1고정라인(140) 및 제2고정라인(142)의 표면과 일정 거리 이격되어 형성된다. 접속패드(150)는 직육면체 또는 정육면체 등 제1고정라인(140) 및 제2고정라인(142)과 연결되는 형태를 갖는다.
본 발명에 있어서, 접속패드(150)는 도 1에 도시된 바와 같이 일정 영역은 오목형이고, 일정 영역의 양측 상단은 각각 제1 및 제2고정라인(140, 142)과 연결되도록 양측으로 돌출되는 형상을 갖는다. 따라서, 접속패드(150)가 하향하면, 제1 및 제2고정라인(140, 142)의 돌출부위는 접속패드(150)의 돌출된 양측과 접촉되어 스위칭 온된다. 그러나, 이러한 돌출형태는 접속패드(150)의 일 예로서 이와 같은 형상에 한정되지 않는다.
제1고정라인(140), 제2고정라인(142) 및 접속패드(150)는 비전도성의 금속재질로서, 예를 들어, 금으로 만들어질 수 있으며, 접속패드(150)는 제1 및 제2액츄에이터(130, 132), 제1 및 제2고정라인(140, 142)이 제조된 이후 제조된다. 이는, 접속패드(150)와 제1 및 제2액츄에이터(130, 132), 또는 접속패드(150)와 제1 및 제2고정라인(140, 142) 사이 등 멤스 스위치(100) 내에서 발생할 수 있는 커플링 현상을 해소하기 위함이다.
지지층(160)은 제1 및 제2액츄에이터(130, 132)에 전원이 인가되어 압전력이 발생하는 경우, 접속패드(150)가 상향하거나 또는 떨어지는 것을 방지한다. 이를 위하여, 지지층(160)의 양단은 제1 및 제2멤브레인층(130d, 132d)의 일단에 연결되고, 접속패드(150)의 오목한 표면 또는 전체 표면과 일정 거리 이격된 위치에 형성된다. 또한, 접속패드(150)의 돌출된 부위의 상면은 지지층(160)과 접촉됨으로써 접속패드(150)의 상향을 방지할 수 있다.
도 5a 내지 도 5e는 도 1에 따른 하향형 멤스 스위치의 제조과정을 설명하기 위한 도면들이다.
먼저, 도 5a를 참조하면, 에칭(etching)에 의하여 제1 및 제2공동부(120, 122)를 형성한 후, 기판(110)의 표면에 보호층(Passivation layer)(112)과 제1 및 제2희생층(Sacrificial layer)(120a, 120b)을 증착(deposition)한다.
이어서, 제1 및 제2희생층(120a, 120b)을 폴리 레지스트(Poly Registe)로 코팅 및 패터닝한 후, 기계화학적 연마(Poly Chemical Mechanical Polishing : CMP)를 행한다. 제1 및 제2희생층(120a, 120b)으로는 Poly Si, PR 폴리머, 금속 등이 사용될 수 있다. 여기서, 제1 및 제2희생층(120a, 120b)은 일정 거리 이격되어 형성되도록 한다. 그리고, 제1 및 제2희생층(120a, 120b)을 포함하는 기판(110) 위에 하부전극(1), 압전층(2), 상부전극(3) 및 멤브레인층(4)을 순차적으로 증착하여 액츄에이터(10)를 형성한다.
이어서, 도 5b에서와 같이, 액츄에이터(10)를 패터닝하여 제1 및 제2액츄에이터(130, 132), 제1 및 제2서브액츄에이터(130', 132')를 형성하되, 제1 및 제2희생층(120a, 120b)이 형성되지 않은 기판(110)의 영역에는 제1 및 제2서브액츄에이터(130', 132')가 형성되도록 패터닝한다.
이어서, 도 5c에서와 같이, 제1 및 제2액츄에이터(130, 132)가 형성된 기판(110)에 제1 및 제2고정라인(140, 142)을 형성한다. 도 5c에는 제1고정라인(140)만이 도시되어 있다. 제1 및 제2고정라인(140, 142)은 일반적으로 CPW 라인으로 형성되며, Au와 같은 Contact Metal을 사용한다. 제1 및 제2고정라인(140, 142)의 일단은 돌출형이므로 B-B' 단면도에서 제1 및 제2액츄에이터(130, 132)보다 높은 선상에 위치한다.
이와 함께, 상부단자(170, 172)와 하부단자(171, 173)가 전원 공급 경로로써 제1액츄에이터(130)와 제1서브액츄에이터(130') 사이 및 제2액츄에이터(132)와 제2서브액츄에이터(132') 사이에 형성된다. 그리고, 제3 및 제4희생층(200a, 200b)과 seed layer(미도시)를 증착한 후, 접속패드(150)를 형성하기 위하여 도금 성형(Plating Molding)을 수행한다. 이 과정에서 제3 및 제4희생층(200a, 200b)의 두께에 의해 제1 및 제2고정라인(140, 142)과 접속패드(150) 사이의 간격을 조정할 수 있다.
이어서, 도 5d에 도시된 바와 같이, 도금 성형된 위치에 전기도금(Electroplating)에 의해 접속패드(140)를 형성한다. 여기서, 접속패드(150)의 양 단은 돌출되도록 형성되어 접속패드(150)의 양단이 하향하는 경우 각각 제1 및 제2고정라인(140, 142)의 일단에 접촉되도록 한다.
이어서, 도 5e에서와 같이, 제1 및 제2액츄에이터(130, 132), 제1 및 제2고정라인(140, 142) 및 접속패드(150)가 노출되도록 제3 및 제4희생층(200a, 200b)을 제거(removing)하고, 제1 및 제2공동부(120, 122)가 형성되도록 제1 및 제2희생층(120a, 120b)을 제거한다. 그리고, 도 5e에는 도시되지 않았으나, 접속패드(150)의 상부를 통과하는 지지층(160)의 양단이 제1 및 제2멤브레인층(130d, 132d)의 일단에 연결되도록 접속패드(150)를 형성한다.
따라서, 제1 및 제2전극패드(180, 182), 구동라인(190, 192), 제1 및 제2서브액츄에이터(130', 132'), 상부단자(170, 172) 및 하부단자(171, 173)를 통해 전원이 인가되면, 제1 및 제2액츄에이터(130, 132)는 압전력을 발생한다. 이에 의해 접속패드(150)는 하향하여 제1 및 제2고정라인(140, 142) 중 적어도 하나와 접촉되어 소정 대역폭의 RF 신호가 전송된다.
도 6a는 도 1의 하향형 멤스 스위치가 적용된 재구성 안테나의 제1실시예를 도시한 도면, 도 6b는 도 1의 하향형 멤스 스위치가 적용된 재구성 안테나의 제1실시예를 도시한 도면이다.
도 6a를 참조하면, 재구성 안테나는 멀티 밴드를 위한 다이폴 안테나(Dipole Antenna)로서, 도시된 두 개의 멤스 스위치(100)가 온되면, 두 개의 멤스 스위치(100) 사이에 있는 제1 및 제2고정라인(①,②)이 전기적으로 연결되어 제1대역폭의 RF 신호를 전송한다.
또한, 도 6b를 참조하면, 도 6a에 표기된 도면번호와 동일한 요소에 대해서는 동일한 도면번호를 기재하였으며, 다만 지지층(160) 또는 구동라인(190~193) 등의 배치만을 변경하였다. 재구성 안테나는 멀티 밴드를 위한 모노폴 안테나로서, 도시된 두 개의 멤스 스위치(100)가 온되면, 두 개의 멤스 스위치(100) 사이에 있는 고정라인(③)이 전기적으로 연결되어 제2대역폭의 RF 신호를 전송한다.
상술한 본 발명에 따르면, 안테라 라인으로 제1 및 제2고정라인(140, 142)과 접속패드(150)는 레이어를 공유하여 최종 패키징되며, 제1 및 제2고정라인(140, 142)에 접속될 접속패드(150)는 최종 단계에서 제조된다. 이로써, 각 구성요소간에 발생하는 커플링 현상은 감소되며, 저전압에서의 구동 또한 가능하게 된다.
본 발명에 따른 하향형 멤스 스위치의 제조방법 및 하향형 멤스 스위치에 의하면, Piezoelectric 방식을 이용하여 스위치를 제조함으로써 저전압 구동이 가능하며, 안테나와 스위치 제조시 발생하는 호환성의 문제가 해소되어 안테나와 스위치를 동일한 기판에 제조하는 것이 가능하다. 이로써, 패키징 비용을 줄임과 동시에 소형화 또한 가능하다.
또한, 압전력을 이용한 스위치를 이용함으로써 안테나 라인의 메탈과 기판의 메탈상에서 발생하는 Electro Magnetic 커플링 현상을 해소할 수 있으며 이로써 성능 또한 개선된다.
또한, 서로 대칭되는 두 개의 액츄에이터를 이용함으로써 초기 변위의 발생을 미연에 방지할 수 있으며 정확하게 스위칭 제어를 할 수 있으며, 대층 구조에 의하여 구동력이 축소되는 것을 방지하는 것이 가능하다.
또한, 안테나 라인과 접촉되는 접속패드(Contact Metal)를 액츄에이터를 제조한 이후 형성함으로써 커플링 현상을 축소시키는 효과가 있다.
또한, 상술한 효과를 가진 멤스 스위치를 멀티 밴드를 위한 재구성 안테나에 적용함으로써 재구성 안테나의 성능 및 재구성 안테나가 적용되는 모바일 기기 등의 성능 또한 개선되는 효과가 있다.
이상에서 대표적인 실시예를 통하여 본 발명에 대하여 상세하게 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상술한 실시예에 대하여 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도내에서 다양한 변형이 가능함을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (11)

  1. (a) 기판상에 함몰된 제1 및 제2공동부를 형성하는 단계;
    (b) 상기 제1 공동부의 상부 및 제2공동부의 상부에 각각 형성되고, 서로 대칭되는 제1 및 제2액츄에이터를 형성하는 단계;
    (c) 상기 기판의 상면에 상기 제1 및 제2공동부와 비교차되도록 제1 및 제2고정라인을 형성하는 단계; 및
    (d) 상기 제1 및 제2고정라인의 표면으로부터 일정 거리 이격된 위치에 배치되며, 상기 제1 및 제2액츄에이터의 구동시 상기 제1 및 제2고정라인과 접촉가능한 형태의 접속패드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 하향형 멤스 스위치의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    (e) 상부연결라인의 표면으로부터 일정 거리 이격된 위치에 상기 제1 및 제2액츄에이터의 일단과 연결되는 지지층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하향형 멤스 스위치의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    전원이 인가되면, 상기 제1 및 제2액츄에이터로부터 발생하는 압전력에 의하여 상부연결라인은 상기 제1 및 제2고정라인 중 적어도 하나와 연결되도록 하향하는 것을 특징으로 하는 하향형 멤스 스위치의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2고정라인은 서로 다른 대역폭의 안테나 신호라인인 것을 특징으로 하는 하향형 멤스 스위치의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 접속패드의 일정 영역은 오목형이고, 상기 일정 영역의 양측 상단은 각각 상기 제1 및 제2고정라인과 연결되도록 양측으로 돌출되는 형상인 것을 특징으로 하는 하향형 멤스 스위치의 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 (b) 단계는,
    (b1) 상기 기판 상에 상기 제1 및 제2공동부를 덮는 하부전극을 형성하는 단계;
    (b2) 상기 하부전극 상에 압전세라믹(piezo ceramic)으로 이루어지는 압전층을 형성하는 단계;
    (b3) 상기 압전층 상에 상부전극을 형성하는 단계; 및
    (b4) 상기 상부전극 상에 멤브레인층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 하향형 멤스 스위치의 제조방법.
  7. 표면으로부터 함몰된 제1 및 제2공동부가 형성되는 기판;
    상기 제1 공동부 및 제2공동부와 비교차되도록 상기 기판의 상면에 형성되는 제1 및 제2고정라인;
    상기 제1 및 제2고정라인의 표면과 일정 거리 이격되어 형성되는 접속패드; 및
    상기 제1공동부 및 제2공동부의 상부에 각각 위치하며, 전원이 공급되면 상기 접속패드를 상기 제1 및 제2고정라인 중 적어도 하나에 접촉되도록 하향시키는 서로 대칭되는 제1 및 제2액츄에이터;를 포함하며,
    상기 접속패드는 상기 제1 및 제2액츄에이터, 상기 제1 및 제2고정라인이 제조된 이후 제조되는 것을 특징으로 하는 하향형 멤스 스위치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제1 및 제2액츄에이터의 일단에 연결되고, 상기 접속패드의 표면과 일정 거리 이격된 위치에 부유된 지지층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하향형 멤스 스위치.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 제1 및 제2고정라인은 서로 다른 대역폭의 안테나 신호라인인 것을 특징으로 하는 하향형 멤스 스위치.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 접속패드의 일정 영역은 오목형이고, 상기 일정 영역의 양측 상단은 각각 상기 제1 및 제2고정라인과 연결되도록 양측으로 돌출되는 형상인 것을 특징으로 하는 하향형 멤스 스위치.
  11. 제 7항에 있어서,
    상기 제1 및 제2액츄에이터는, 각각,
    상기 기판 상에 위치하여 상기 제1 및 제2공동부를 덮는 하부전극;
    상기 하부전극 상에 위치하며 압전세라믹(piezo ceramic)으로 이루어지는 압전층;
    상기 압전층 상에 위치하는 상부전극; 및
    상기 상부전극 상에 위치하는 멤브레인층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 하향형 멤스 스위치.
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