CN101026053A - 向下类型mems开关及其制造方法 - Google Patents

向下类型mems开关及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101026053A
CN101026053A CNA2006101467350A CN200610146735A CN101026053A CN 101026053 A CN101026053 A CN 101026053A CN A2006101467350 A CNA2006101467350 A CN A2006101467350A CN 200610146735 A CN200610146735 A CN 200610146735A CN 101026053 A CN101026053 A CN 101026053A
Authority
CN
China
Prior art keywords
static line
cavity
contact mat
exciter
dirver
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006101467350A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100555499C (zh
Inventor
权相旭
金钟硕
宋寅相
李相勋
金东均
崔晶晥
洪荣泽
金载兴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN101026053A publication Critical patent/CN101026053A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100555499C publication Critical patent/CN100555499C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H1/00—Contacts
    • H01H1/0036—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H01P1/12—Auxiliary devices for switching or interrupting by mechanical chopper
    • H01P1/127—Strip line switches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H57/00—Electrostrictive relays; Piezoelectric relays
    • H01H2057/006—Micromechanical piezoelectric relay

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)

Abstract

提供一种向下类型微电子机械系统(MEMS)开关以及制造其的方法。向下类型MEMS开关包括：形成在基片中的第一和第二空腔；形成在第一和第二空腔的上部分的第一和第二激励器；形成在基片的上表面上并且不与第一和第二空腔重叠的第一和第二固定线；和与第一固定线和第二固定线相隔预定距离，但是当驱动第一激励器和第二激励器时能够接触第一固定线和第二固定线的接触垫。在制造RF信号线之后制造通过压电被向下激励的接触垫，从而该接触垫与RF信号线共享一层。

Description

向下类型MEMS开关及其制造方法
技术领域
本发明的一方面涉及一种向下类型微电子机械系统(MEMS)开关以及用于制造其的方法。更具体地讲，本发明的一方面涉及一种向下类型MEMS开关以及一种制造其的方法，其中在形成RF信号线之后生产通过压电向下激励的接触垫以与射频(RF)信号线共享一层。
背景技术
可重构的天线根据机械或电子方法来改变天线的特征，例如中心频率、带宽和增益，近来，其应用到多带天线的制造中。如果多带天线被应用到移动通信装置，则移动通信装置应包括划分频带宽度的信号的开关。
用于传统可重构多带天线的开关包括：半导体开关、通过静电力激励的静电激励开关、以及悬臂式开关。
在半导体开关的情况下，由于出现涉及半导体开关和天线之间制造兼容性的问题，因此很难在同一基片上集成制造半导体开关和天线。
通常通过微电子机械系统(MEMS)技术制造静电激励开关，因此基片的一部分采用金属。因此，可能在天线的金属和基片的金属之间出现电磁耦合现象。因此，存在性能增加、生产以及设计上的限制，并且还存在对小型化以及低电压激励的限制。
在主要用于压电方案中的悬臂式开关的情况下，由于当制造多层时产生的应力很容易引起初始位移，并且初始位移限制准确的开关控制。
悬臂式开关在一侧具有驱动层，因此比在两侧驱动的MEMS开关具有较少的驱动力，从而悬臂式开关的接触力不足。另外，由于其不对称结构降低了悬臂式开关的驱动力。
此外，在两侧驱动的传统MEMS开关的情况下，在生产激励器之前形成接触天线的接触金属，从而增加了耦合现象。
发明内容
构思出本发明来解决出现在现有技术中的上述问题，并且本发明的一方面在于提供一种向下类型MEMS开关以及一种用于制造其的方法，其在形成激励开关的激励器和天线之后形成通过压电连接到射频(RF)线的基片的金属，从而能够解决传统技术的上述缺点。
为了实现上述方面，提供一种制造向下类型微电子机械系统(MEMS)开关的方法，包括下述操作：(a)在基片中形成第一空腔和第二空腔；(b)在第一空腔和第二空腔的上部的每一个上形成第一激励器和第二激励器；(c)在基片的上表面上形成第一固定线和第二固定线，使得它们不与第一空腔和第二空腔重叠；和(d)形成与第一固定线和第二固定线的表面相隔预定距离的接触垫，但是当第一激励器和第二激励器被驱动时，接触垫可与第一固定线和第二固定线接触。
该方法可还包括操作(e)：形成与接触垫的顶面相隔预定距离的支撑层，支撑层将连接到第一激励器和第二激励器的各自一端。
如果施加电源，则通过从第一激励器和第二激励器产生的压电向下激励接触垫，从而接触垫连接到第一固定线和第二固定线中的至少一个。
第一固定线和第二固定线可以是不同带宽的天线信号线。
接触垫在预定区域下凹，并且在所述特定区域的相对上端可突出，从而接触垫连接到第一固定线和第二固定线的每一个。
操作(b)可包括：(b1)在基片上形成下电极以覆盖第一空腔和第二空腔；(b2)在下电极上形成由压电陶瓷构成的压电层；(b3)在压电层上形成上电极；和(b4)在上电极上形成薄膜层。
为了实现上述方面，提供一种向下类型MEMS开关，包括：基片，在其中形成第一空腔和第二空腔；第一固定线和第二固定线，形成在基片的上表面，并且不与第一空腔和第二空腔相交；接触垫，与第一固定线和第二固定线的表面相隔预定距离；和第一激励器和第二激励器，位于第一空腔和第二空腔的上部分，并且当施加电源时，向下激励接触垫以接触第一固定线和第二固定线中的至少一个。在形成第一激励器、第二激励器、第一固定线和第二固定线之后形成接触垫。
向下类型MEMS开关可还包括：支撑层，与接触垫的表面相隔预定距离，支撑层将连接到第一激励器和第二激励器的各自一端。
第一固定线和第二固定线可以是具有不同带宽的天线信号线。
接触垫在预定区域下凹，并且在所述预定区域的相对上端可突出，从而接触垫被连接到第一固定线和第二固定线的每一个。
第一激励器和第二激励器的每一个可包括：下电极，位于基片上，以覆盖第一空腔和第二空腔；压电层，位于下电极上，并且由压电陶瓷构成；上电极，位于压电层上；和薄膜层，位于上电极上。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述，本发明的上述和其他方面、特点和优先将会变得更加清楚，其中：
图1是示出根据本发明示例性实施例的向下类型MEMS开关的示图；
图2是去除了支撑层的图1中所示的向下类型MEMS开关的一部分的透视图；
图3是去除了支撑层的沿图1的线A-A’剖开的向下类型MEMS开关的横截面图；
图4是沿图1的线B-B’剖开的向下类型MEMS开关的横截面图；
图5A至5F是用于解释图1所示的向下类型MEMS开关的制造方法的示图；
图6A是示出根据本发明第一示例性实施例的采用图1中所示的向下类型MEMS开关的可重构天线的示图；和
图6B是示出根据本发明第二实施例的采用图2中所示的向下类型MEMS开关的可重构天线的示图。
具体实施方式
将参照附图来详细描述本发明的示例性实施例。在整个附图中，相同标号表示相同部件。为了简明，在下面的描述中，将省略包括于此的已知功能和配置的详细描述。
图1是示出根据本发明示例性实施例的向下类型MEMS开关的示图；图2是去除了支撑层的图1所示的向下类型MEMS开关的一部分的透视图；图3是去除了支撑层的沿图1的线A-A’剖开的向下类型MEMS开关的横截面图；图4是沿图1的线B-B’剖开的向下类型MEMS开关的横截面图。
参照图1至图4，向下类型MEMS开关100包括：在其中形成第一空腔120和第二空腔122的基片110、第一激励器130、第二激励器132、第一固定线140、第二固定线142、接触垫150、以及支撑层160，根据将在稍后描述的压电方案来驱动向下类型MEMS开关100。
第一空腔120和第二空腔122分别对称形成在基片110的第一区域和第二区域，并且以预定距离彼此相隔。
第一激励器130和第二激励器132分别形成在第一空腔120和第二空腔122的上部分，并且端部固定在基片110的一端。
在图1中，第一激励器130和第二激励器132与第一子激励器130’和第二子激励器132’相邻，第一激励器130和第二激励器132的端部固定在基片110上。如果施加电源，则第一激励器130和第二激励器132利用压电激励接触垫150向下移动，从而接触垫150与第一固定线140和第二固定线142中的至少一个接触以传输RF信号。
为了这样做，第一激励器130包括第一下电极130a、第一压电层130b、第一上电极130c以及第一薄膜层130d，第二激励器132包括第二下电极132a、第二压电层132b、第二上电极132c以及第二薄膜层132d。
在基片110上形成第一下电极130a和第二下电极132a，以覆盖第一空腔120和第二空腔122。
第一压电层130b和第二压电层132b分别形成在第一下电极130a和第二下电极132a上，并且用压电陶瓷制成。压电陶瓷是压电层，其使用PbO、ZrO2、和TiO2进行陶瓷制造而成，并且也称为PZT。
第一上电极130c和第二上电极132c分别形成在第一压电层130b和第二压电层132b上，并且第一薄膜层130d和第二薄膜层132d分别形成第一上电极130c和第二上电极132c。
第一下电极130a和第一上电极130c分别通过上端子170和下端子171连接到第一子激励器130’，第一电极垫180和第一接地垫181分别通过驱动线190和191连接到第一子激励器130’。
第二激励器132包括第二下电极132a、第二压电层132b、第二上电极132c以及第二薄膜层132d，与第一激励器130的结构相应。因此，为了简洁将省略其详细描述。然而，第二下电极132a和第二上电极132b分别通过上端子172和下端子173连接到第二子激励器132’，第二电极垫182和第二接地垫183分别通过驱动线192和193连接到第二子激励器132’。
第一固定线140和第二固定线142形成在基片110上，从而不穿过第一空腔120和第二空腔122，并且其每个端部突出。由于该突出结构，当接触垫150被向下激励时，接触垫150可更准确地连接到第一固定线140和第二固定线142中的至少一个。在本示例性实施例中，第一固定线140和第二固定线142采用具有不同带宽的天线信号线以应用于可重构天线。此外，第一固定线140和第二固定线142采用在一个面上具有信号线和接地的共面波导(CPW)线。
接触垫150与第一固定线140和第二固定线142的表面相隔预定距离。接触垫150被配置为六面体或正六面体，以便连接到第一固定线140和第二固定线142。
在本示例性实施例中，如图2所示，接触垫150在特定区域下凹，并且在所述特定区域的相对上端突出，从而连接到第一固定线140和第二固定线142的每一个。因此，当接触垫150被向下激励时，第一固定线140和第二固定线142的突出部分与接触垫150的两个突出端接触，从而被接通。然而，这应该不被认为是限制。接触垫150的突出配置仅仅是示例。
第一固定线140、第二固定线142以及接触垫150可用例如金的金属材料制成，并且在制造第一激励器130、第二激励器132、第一固定线140以及第二固定线142之后，形成接触垫150。这可以解决在MEMS开关100中接触垫150与第一激励器130和第二激励器132之间、或者接触垫150与第一固定线140和第二固定线之间可能发生的耦合现象。
如果当电源施加到第一激励器130和第二激励器132时产生压电，支撑层160防止接触垫150向上移动或者分开。为此，支撑层160的两端连接到第一薄膜层130d和第二薄膜层132d的各自一端，并且支撑层160与接触垫150的下凹的表面或者整个表面隔开。接触垫150的突出部分的上表面接触支撑层160，从而防止接触垫150向上移动。
图5A至5F是用于解释制造图1中所示的向下类型MEMS开关的方法的示图。
参照图5A，通过蚀刻形成第一空腔120和第二空腔122，随后钝化层112以及第一牺牲层120a和第二牺牲层122a堆积在基片110的表面。
第一牺牲层120a和第二牺牲层122a被涂上聚合光刻胶，并形成图案，随后通过聚合化学机械抛光(CMP)被抛光。第一牺牲层120a和第二牺牲层122a可包括多晶硅、PR聚合物以及金属，并且彼此相隔预定距离。下电极1、压电层2、上电极3以及薄膜层4顺序堆积在包括第一牺牲层120a和第二牺牲层122a的基片110上，从而形成激励器10。
如图5B所示，激励器10布置形成第一激励器130、第二激励器132、第一子激励器130’以及第二子激励器132’。这里，第一子激励器130’和第二子激励器132’形成在在其中没有形成第一牺牲层120a和第二牺牲层122a的基片110的区域上。
如图5C所示，第一固定线140形成在在其上形成第一激励器130和第二激励器132的基片110上。第二固定线142也形成在基片110上，但是没有在图5C中显示。第一固定线140和第二固定线142通常配置为CPW线，并且包括例如金的接触金属。第一固定线140和第二固定线142的每一个具有一个突出端，所以在沿着图1的线B-B’的横截面中，它们位于比第一激励器130和第二激励器132更高的位置。
上端子170、172和下端子171、173形成为第一激励器130和第一子激励器130’之间、以及第二激励器132和第二子激励器132’之间的电源供应通道。第三牺牲层200a、第四牺牲层200b以及接种层(未显示)被沉积，并且随后执行电镀成型以形成接触垫150。在此处理中，可取决于第三牺牲层200a和第四牺牲层200b的厚度来改变接触垫150与第一固定线140和第二固定线142之间的间隔。
如图5D所示，通过电镀在电镀成型的区域上形成接触垫150。接触垫150的相反端突出，从而如果接触垫150被向下激励，则与第一固定线140和第二固定线142的每一个的一端接触。
如图5E所示，第三牺牲层200a和第四牺牲层200b被去除，从而第一激励器130和第二激励器132、第一固定线140、第二固定线142以及接触垫150露出。如图5F所示，第一牺牲层120a和第二牺牲层122a被去除，从而第一空腔120和第二空腔122被形成。尽管没有显示在图5E中，但是接触垫150被形成，从而支撑层160的相对端可与第一薄膜层130d和第二薄膜层132d的每一个的一端接触，支撑层160横跨接触垫150的顶端。
因此，当通过第一电极垫180和第二电极垫182、驱动线190、192、第一子激励器130’、第二子激励器132’、上端子170、172、以及下端子171、173施加电源时，第一激励器130和第二激励器132产生压电。随后，接触垫150被向下激励，从而接触垫150变得与第一固定线140和第二固定线142中的至少一个接触，并且预定带宽的RF信号被传输。
图6A显示根据本发明第一示例性实施例的采用图1的向下类型MEMS开关的可重构天线，图6B显示根据本发明第二示例性实施例的采用图2的向下类型MEMS开关的可重构天线。
参照图6A，可重构天线是用于多带的偶极天线，如果两个向下类型MEMS开关100通电，则位于两个向下类型MEMS开关100之间的第一固定线①和第二固定线②彼此电连接，从而第一带宽的RF信号被传输。
在图6B中，与图6A相同的部件采用相同的标号，但是只有支撑层160或驱动线190、191、192和193的配置改变。可重构天线是用于多带的单极天线，并且如果两个向下类型MEMS开关100通电，则位于两个向下类型MEMS开关100之间的固定线③彼此电连接，从而第二频带的RF信号被传输。
根据本发明上述实施例，第一固定线140、第二固定线142和接触垫150共享一层作为将被最终封装的天线线，并且在最后阶段制造将与第一固定线140和第二固定线142接触的接触垫150。因此，可减小各个部件之间发生的耦合现象，并可通过低电压驱动MEMS开关。
如果采用根据本发明示例性实施例的向下类型MEMS开关和用于制造其的方法，则通过压电方案制造MEMS开关，从而MEMS开关被低电压驱动。此外，可解决当制造天线和开关时发生的兼容性问题，从而可在同一基片上制造天线和开关。因此，可减小封装成本，并同时最小化MEMS开关。
采用使用压电的开关，从而可解决发生在天线线的金属和基片的金属之间的电磁耦合现象。这可提高MEMS开关的性能。
采用两个对称激励器，从而可提前防止最初变形，可执行准确开关控制，并且防止由于对称结构引起的驱动力的减小。
在制造激励器之后形成与天线线接触的接触垫，从而可减小耦合现象。
此外，具有以上效果的MEMS开关被应用到用于多带的可重构天线，从而可增强可重构天线和采用可重构天线的移动装置的性能。
尽管已经参照其特定实施例显示和描述了本发明，但是本领域的技术人员应该理解，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对其进行形式和细节上的各种改变。

Claims (12)

1、一种制造向下类型微电子机械系统(MEMS)开关的方法，包括：
(a)在基片中形成第一空腔和第二空腔；
(b)在第一空腔的上部分形成第一激励器，并在第二空腔的上部分形成第二激励器；
(c)在基片的上表面上形成第一固定线和第二固定线，使得它们不与第一空腔和第二空腔重叠；和
(d)形成与第一固定线和第二固定线的表面相隔预定距离的接触垫，而当第一激励器和第二激励器被驱动时，接触垫可与第一固定线和第二固定线接触。
2、如权利要求1所述的方法，还包括：
(e)形成与接触垫的顶面相隔预定距离的支撑层，支撑层将连接到第一激励器和第二激励器。
3、如权利要求1所述的方法，其中，如果施加电源，则通过从第一激励器和第二激励器产生的压电向下激励接触垫，从而接触垫连接到第一固定线和第二固定线中的至少一个。
4、如权利要求1所述的方法，其中，第一固定线和第二固定线是每个具有不同带宽的天线信号线。
5、如权利要求1所述的方法，其中，接触垫在预定区域下凹，并且在所述特定区域的相对上端突出，从而接触垫连接到第一固定线和第二固定线的每一个。
6、如权利要求1所述的方法，其中，操作(b)包括：
(b1)在基片上形成下电极以覆盖第一空腔和第二空腔；
(b2)在下电极上形成包括压电陶瓷的压电层；
(b3)在压电层上形成上电极；和
(b4)在上电极上形成薄膜层。
7、一种向下类型微电子机械系统(MEMS)开关，包括：
基片，在其中形成第一空腔和第二空腔；
第一固定线和第二固定线，形成在基片的上表面，并且不与第一空腔和第二空腔交叉；
接触垫，与第一固定线和第二固定线的表面相隔预定距离；和
第一激励器和第二激励器，分别位于第一空腔和第二空腔的上部分，并且当施加电源时，向下激励接触垫以接触第一固定线和第二固定线中的至少一个。
8、如权利要求7所述的向下类型MEMS开关，还包括：
支撑层，与接触垫的表面相隔预定距离，支撑层将连接到第一激励器和第二激励器。
9、如权利要求7所述的向下类型MEMS开关，其中，第一固定线和第二固定线是具有不同带宽的天线信号线。
10、如权利要求7所述的向下类型MEMS开关，其中，接触垫在预定区域下凹，并且在所述预定区域的相对上端突出，从而接触垫被连接到第一固定线和第二固定线的每一个。
11、如权利要求7所述的向下类型MEMS开关，其中，第一激励器和第二激励器的每一个包括：
下电极，位于基片上，以覆盖第一空腔和第二空腔之一；
压电层，位于下电极上，并且包括压电陶瓷；
上电极，位于压电层上；和
薄膜层，位于上电极上。
12、如权利要求7所述的向下类型MEMS开关，其中，在形成第一激励器、第二激励器、第一固定线和第二固定线之后形成接触垫。
CNB2006101467350A 2006-02-20 2006-11-16 向下类型mems开关及其制造方法 Expired - Fee Related CN100555499C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060016308 2006-02-20
KR1020060016308A KR101188438B1 (ko) 2006-02-20 2006-02-20 하향형 멤스 스위치의 제조방법 및 하향형 멤스 스위치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101026053A true CN101026053A (zh) 2007-08-29
CN100555499C CN100555499C (zh) 2009-10-28

Family

ID=38427945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006101467350A Expired - Fee Related CN100555499C (zh) 2006-02-20 2006-11-16 向下类型mems开关及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8018308B2 (zh)
JP (1) JP4402682B2 (zh)
KR (1) KR101188438B1 (zh)
CN (1) CN100555499C (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102142335A (zh) * 2010-12-24 2011-08-03 东南大学 一种射频开关
CN107840303A (zh) * 2016-09-19 2018-03-27 亚德诺半导体集团 用于mems开关器件的保护方案
CN109911845A (zh) * 2019-03-07 2019-06-21 无锡众创未来科技应用有限公司 一种低功耗静电驱动式rf mems开关的制造方法
WO2020192664A1 (zh) * 2019-03-25 2020-10-01 华为技术有限公司 一种射频开关和天线

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8461948B2 (en) * 2007-09-25 2013-06-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Electronic ohmic shunt RF MEMS switch and method of manufacture
KR101368016B1 (ko) 2008-04-11 2014-02-26 엘지전자 주식회사 멤즈 스위치
EP2332253B1 (en) * 2008-09-23 2013-05-01 Nxp B.V. Device with a micro electromechanical structure
US8314467B1 (en) 2009-02-20 2012-11-20 Rf Micro Devices, Inc. Thermally tolerant electromechanical actuators
US8570122B1 (en) 2009-05-13 2013-10-29 Rf Micro Devices, Inc. Thermally compensating dieletric anchors for microstructure devices
TWI380509B (en) * 2009-07-16 2012-12-21 Htc Corp Planar reconfigurable antenna
GB201215512D0 (en) 2012-08-31 2012-10-17 Ibm Four terminal nano-electromechanical switch with a single mechanical contact
GB2505467A (en) 2012-08-31 2014-03-05 Ibm Dynamic logic gate comprising a nano-electro-mechanical switch
DE102014202763B4 (de) 2014-02-14 2016-11-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mikro-Elektro-Mechanisches System und Verfahren zum Herstellen desselben
JP6617480B2 (ja) * 2015-09-02 2019-12-11 Tdk株式会社 圧電型ｍｅｍｓスイッチ
JP6575241B2 (ja) * 2015-09-02 2019-09-18 Tdk株式会社 圧電型ｍｅｍｓスイッチ及び圧電型ｍｅｍｓスイッチの製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57115735A (en) 1981-01-09 1982-07-19 Omron Tateisi Electronics Co Piezoelectric relay
DE19736674C1 (de) * 1997-08-22 1998-11-26 Siemens Ag Mikromechanisches elektrostatisches Relais und Verfahren zu dessen Herstellung
US6127744A (en) * 1998-11-23 2000-10-03 Raytheon Company Method and apparatus for an improved micro-electrical mechanical switch
JP2001076605A (ja) * 1999-07-01 2001-03-23 Advantest Corp 集積型マイクロスイッチおよびその製造方法
US6359374B1 (en) * 1999-11-23 2002-03-19 Mcnc Miniature electrical relays using a piezoelectric thin film as an actuating element
JP3538109B2 (ja) * 2000-03-16 2004-06-14 日本電気株式会社 マイクロマシンスイッチ
KR20040092228A (ko) * 2003-04-25 2004-11-03 엘지전자 주식회사 저전압 마이크로 스위치
FR2858459B1 (fr) * 2003-08-01 2006-03-10 Commissariat Energie Atomique Commutateur micro-mecanique bistable, methode d'actionnement et procede de realisation correspondant
US7414500B2 (en) * 2004-02-17 2008-08-19 De Los Santos Hector J High-reliability micro-electro-mechanical system (MEMS) switch apparatus and method
JP4447940B2 (ja) * 2004-02-27 2010-04-07 富士通株式会社 マイクロスイッチング素子製造方法およびマイクロスイッチング素子
US20070278075A1 (en) * 2004-07-29 2007-12-06 Akihisa Terano Capacitance Type Mems Device, Manufacturing Method Thereof, And High Frequency Device
JP4417861B2 (ja) * 2005-01-31 2010-02-17 富士通株式会社 マイクロスイッチング素子
KR100744543B1 (ko) * 2005-12-08 2007-08-01 한국전자통신연구원 미세전자기계적 구조 스위치 및 그 제조방법
KR100785084B1 (ko) * 2006-03-30 2007-12-12 삼성전자주식회사 압전형 ｍｅｍｓ 스위치 및 그 제조방법

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102142335A (zh) * 2010-12-24 2011-08-03 东南大学 一种射频开关
CN107840303A (zh) * 2016-09-19 2018-03-27 亚德诺半导体集团 用于mems开关器件的保护方案
CN107840303B (zh) * 2016-09-19 2020-07-14 亚德诺半导体集团 用于mems开关器件的保护方案
CN109911845A (zh) * 2019-03-07 2019-06-21 无锡众创未来科技应用有限公司 一种低功耗静电驱动式rf mems开关的制造方法
WO2020192664A1 (zh) * 2019-03-25 2020-10-01 华为技术有限公司 一种射频开关和天线
CN111740187A (zh) * 2019-03-25 2020-10-02 华为技术有限公司 一种射频开关和天线
CN111740187B (zh) * 2019-03-25 2021-10-19 华为技术有限公司 一种射频开关和天线

Also Published As

Publication number Publication date
CN100555499C (zh) 2009-10-28
KR101188438B1 (ko) 2012-10-08
JP4402682B2 (ja) 2010-01-20
US20070195464A1 (en) 2007-08-23
JP2007227353A (ja) 2007-09-06
KR20070083063A (ko) 2007-08-23
US8018308B2 (en) 2011-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100555499C (zh) 向下类型mems开关及其制造方法
KR101092536B1 (ko) 압전형 ｒｆ 멤스 소자 및 그 제조방법
KR100923846B1 (ko) 마이크로 미러 소자
EP1788603B1 (en) RF MEMS switch and method for fabricating the same
KR20070013950A (ko) 정전기력 및 압전력에 의해 구동되는 멤스 스위치
US7656071B2 (en) Piezoelectric actuator for tunable electronic components
EP1672662B1 (en) MEMS switch and method of fabricating the same
JP2007535797A (ja) マイクロマシン技術（ｍｅｍｓ）スイッチ用のビーム
JP4580745B2 (ja) 圧電駆動型ｍｅｍｓ装置
KR20030073432A (ko) 멤스소자 및 그의 제작방법
EP1672661A2 (en) MEMS switch and method of fabricating the same
JP3942619B2 (ja) 光偏向素子
KR20050096803A (ko) 마이크로 스위칭 소자 및 마이크로 스위칭 소자 제조 방법
US20220311112A1 (en) Mems phase shifter and manufacturing method thereof
KR100633101B1 (ko) 비대칭 스프링 강성을 갖는 ｒｆ 멤스 스위치
KR100958503B1 (ko) 마이크로 스위칭 소자 및 마이크로 스위칭 소자 제조 방법
KR100516278B1 (ko) 접점 개폐기 및 접점 개폐기를 구비한 장치
US8723061B2 (en) MEMS switch and communication device using the same
KR100668614B1 (ko) 압전 구동 방식 저항형 ｒｆ ｍｅｍｓ 스위치 및 그 제조방법
JP4628275B2 (ja) マイクロスイッチング素子およびマイクロスイッチング素子製造方法
JP6617480B2 (ja) 圧電型ｍｅｍｓスイッチ
KR100997685B1 (ko) 압전형 ｒｆ ｍｅｍｓ 스위치 및 그 제조 방법
KR100323715B1 (ko) 마이크로 스위치 및 그 제조방법
JP2013114755A (ja) スイッチ装置及びその製造方法
CN117916190A (zh) Mems开关器件及电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20091028

Termination date: 20141116

EXPY Termination of patent right or utility model