JP4402682B2 - 下向型memsスイッチの製造方法及び下向型memsスイッチ - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 51
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010291 electrical method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/0036—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/12—Auxiliary devices for switching or interrupting by mechanical chopper
- H01P1/127—Strip line switches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H57/00—Electrostrictive relays; Piezoelectric relays
- H01H2057/006—Micromechanical piezoelectric relay
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Description
120 第1空洞部
122 第2空洞部
130 第1アクチュエータ
132 第2アクチュエータ
140 第1固定ライン
142 第2固定ライン
150 接続パッド
160 保持層
Claims (10)
- (a)平板状の基板の上に第1及び第2空洞部を形成するステップであって、
− 前記第1及び第2空洞部の双方は、前記基板の一の中心線上に形成され、
− 前記第1及び第2空洞部のそれぞれは、互いに所定距離を置いて前記基板上に形成された凹所とされ、
− 前記第1及び第2空洞部のそれぞれは、前記基板の端部から間隔を置いて形成されている、
第1及び第2空洞部を形成するステップと、
(b)前記第1及び第2空洞部の上部に第1及び第2アクチュエータを形成するステップと、
(c)前記基板の上面に前記第1及び第2空洞部と交差しないように第1及び第2固定ラインを形成するステップであって、
− 前記第1及び第2固定ラインは、前記第1空洞部と第2空洞部との間を通り、前記基板の一の中心線に直交する中心線上に形成され、
− 前記第1及び第2固定ラインは、前記第1及び第2空洞部から離隔して形成されている、
第1及び第2固定ラインを形成するステップと、
(d)前記第1及び第2固定ラインの表面から一定の距離で離隔された位置に配置され、前記第1及び第2アクチュエータの駆動時、前記第1及び第2固定ラインと接触可能となるように一定領域は凹状であり、前記一定領域の両側領域は各々前記第1及び第2固定ラインと接続されるように突出される形状を有する接続パッドを形成するステップと、
を含むことを特徴とする下向型MEMSスイッチの製造方法。 - (e)前記接続パッドの表面から一定の距離で離隔された位置に前記第1及び第2アクチュエータの一端と連結され、前記接続パッドの突出された領域の上面と接触され、前記凹状の領域とは離隔された位置に保持層を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の下向型MEMSスイッチの製造方法。
- 電源が印加されると、前記第1及び第2アクチュエータから発生する圧電力によって、前記接続パッドは前記第1及び第2固定ラインのうち少なくとも一つと接続されるように下向き駆動されることを特徴とする請求項1に記載の下向型MEMSスイッチの製造方法。
- 前記第1及び第2固定ラインは、互いに異なる帯域幅のアンテナ信号ラインであることを特徴とする請求項1に記載の下向型MEMSスイッチの製造方法。
- 前記(b)ステップは、
(b1)前記基板の上に前記第1及び第2空洞部を覆う下部電極を形成するステップと、
(b2)前記下部電極の上に圧電セラミックから成る圧電層を形成するステップと、
(b3)前記圧電層の上に上部電極を形成するステップと、
(b4)前記上部電極の上にメンブレイン層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の下向型MEMSスイッチの製造方法。 - 第1及び第2空洞部が形成される平板状の基板であって、
− 前記第1及び第2空洞部の双方は、前記基板の一の中心線上に形成され、
− 前記第1及び第2空洞部のそれぞれは、互いに所定距離を置いて前記基板上に形成された凹所とされ、
− 前記第1及び第2空洞部のそれぞれは、前記基板の端部から間隔を置いて形成されている、
基板と、
前記第1及び第2空洞部と交差しないように前記基板の上面に形成される第1及び第2固定ラインであって、
− 前記第1及び第2固定ラインは、前記第1空洞部と第2空洞部との間を通り、前記基板の一の中心線に直交する中心線上に形成され、
− 前記第1及び第2固定ラインは、前記第1及び第2空洞部から離隔して形成されている、
第1及び第2固定ラインと、
前記第1及び第2固定ラインの表面から一定の距離で離隔されて形成される接続パッドと、
前記第1及び第2空洞部の上部に位置し、電源が供給されると前記接続パッドを前記第1及び第2固定ラインのうち少なくとも一つに接触されるように下向き駆動する第1及び第2アクチュエータと、
を含み、
前記接続パッドは、前記第1及び第2アクチュエータの駆動時、前記第1及び第2固定ラインと接触可能となるように一定領域は凹状であり、前記一定領域の両側領域は各々前記第1及び第2固定ラインと接続されるように突出される形状を有することを特徴とする下向型MEMSスイッチ。 - 前記第1及び第2アクチュエータの一端に連結され、前記接続パッドの表面から一定の距離で離隔された位置に浮遊され、前記接続パッドの突出された領域の上面と接触され、前記凹状の領域とは離隔された位置に形成される保持層を更に含むことを特徴とする請求項6に記載の下向型MEMSスイッチ。
- 前記第1及び第2固定ラインは、互いに異なる帯域幅のアンテナ信号ラインであることを特徴とする請求項6に記載の下向型MEMSスイッチ。
- 前記第1及び第2アクチュエータの各々は、
前記基板の上に位置し前記第1及び第2空洞部を覆う下部電極と、
前記下部電極の上に位置し圧電セラミックから成る圧電層と、
前記圧電層の上に位置する上部電極と、
前記上部電極の上に位置するメンブレイン層と、
を含むことを特徴とする請求項6に記載の下向型MEMSスイッチ。 - 前記接続パッドは、前記第1及び第2アクチュエータ、前記第1及び第2固定ラインが製造された後に製造されることを特徴とする請求項6に記載の下向型MEMSスイッチ。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060016308A KR101188438B1 (ko) | 2006-02-20 | 2006-02-20 | 하향형 멤스 스위치의 제조방법 및 하향형 멤스 스위치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007227353A JP2007227353A (ja) | 2007-09-06 |
JP4402682B2 true JP4402682B2 (ja) | 2010-01-20 |
Family
ID=38427945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006332332A Expired - Fee Related JP4402682B2 (ja) | 2006-02-20 | 2006-12-08 | 下向型memsスイッチの製造方法及び下向型memsスイッチ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8018308B2 (ja) |
JP (1) | JP4402682B2 (ja) |
KR (1) | KR101188438B1 (ja) |
CN (1) | CN100555499C (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8461948B2 (en) * | 2007-09-25 | 2013-06-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Electronic ohmic shunt RF MEMS switch and method of manufacture |
KR101368016B1 (ko) | 2008-04-11 | 2014-02-26 | 엘지전자 주식회사 | 멤즈 스위치 |
US8624137B2 (en) * | 2008-09-23 | 2014-01-07 | Nxp, B.V. | Device with a micro electromechanical structure |
US8680955B1 (en) | 2009-02-20 | 2014-03-25 | Rf Micro Devices, Inc. | Thermally neutral anchor configuration for an electromechanical actuator |
US8570122B1 (en) | 2009-05-13 | 2013-10-29 | Rf Micro Devices, Inc. | Thermally compensating dieletric anchors for microstructure devices |
TWI380509B (en) * | 2009-07-16 | 2012-12-21 | Htc Corp | Planar reconfigurable antenna |
CN102142335A (zh) * | 2010-12-24 | 2011-08-03 | 东南大学 | 一种射频开关 |
GB201215512D0 (en) | 2012-08-31 | 2012-10-17 | Ibm | Four terminal nano-electromechanical switch with a single mechanical contact |
GB2505467A (en) | 2012-08-31 | 2014-03-05 | Ibm | Dynamic logic gate comprising a nano-electro-mechanical switch |
DE102014202763B4 (de) | 2014-02-14 | 2016-11-10 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mikro-Elektro-Mechanisches System und Verfahren zum Herstellen desselben |
JP6575241B2 (ja) * | 2015-09-02 | 2019-09-18 | Tdk株式会社 | 圧電型memsスイッチ及び圧電型memsスイッチの製造方法 |
JP6617480B2 (ja) * | 2015-09-02 | 2019-12-11 | Tdk株式会社 | 圧電型memsスイッチ |
US10529518B2 (en) * | 2016-09-19 | 2020-01-07 | Analog Devices Global | Protection schemes for MEMS switch devices |
CN109911845A (zh) * | 2019-03-07 | 2019-06-21 | 无锡众创未来科技应用有限公司 | 一种低功耗静电驱动式rf mems开关的制造方法 |
CN111740187B (zh) * | 2019-03-25 | 2021-10-19 | 华为技术有限公司 | 一种射频开关和天线 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57115735A (en) | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Omron Tateisi Electronics Co | Piezoelectric relay |
DE19736674C1 (de) * | 1997-08-22 | 1998-11-26 | Siemens Ag | Mikromechanisches elektrostatisches Relais und Verfahren zu dessen Herstellung |
US6127744A (en) * | 1998-11-23 | 2000-10-03 | Raytheon Company | Method and apparatus for an improved micro-electrical mechanical switch |
JP2001076605A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-03-23 | Advantest Corp | 集積型マイクロスイッチおよびその製造方法 |
US6359374B1 (en) * | 1999-11-23 | 2002-03-19 | Mcnc | Miniature electrical relays using a piezoelectric thin film as an actuating element |
JP3538109B2 (ja) * | 2000-03-16 | 2004-06-14 | 日本電気株式会社 | マイクロマシンスイッチ |
KR20040092228A (ko) * | 2003-04-25 | 2004-11-03 | 엘지전자 주식회사 | 저전압 마이크로 스위치 |
FR2858459B1 (fr) * | 2003-08-01 | 2006-03-10 | Commissariat Energie Atomique | Commutateur micro-mecanique bistable, methode d'actionnement et procede de realisation correspondant |
US7414500B2 (en) * | 2004-02-17 | 2008-08-19 | De Los Santos Hector J | High-reliability micro-electro-mechanical system (MEMS) switch apparatus and method |
JP4447940B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2010-04-07 | 富士通株式会社 | マイクロスイッチング素子製造方法およびマイクロスイッチング素子 |
JPWO2006011239A1 (ja) * | 2004-07-29 | 2008-05-01 | 株式会社日立メディアエレクトロニクス | 容量型mems素子とその製造方法、及び高周波装置 |
JP4417861B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2010-02-17 | 富士通株式会社 | マイクロスイッチング素子 |
KR100744543B1 (ko) * | 2005-12-08 | 2007-08-01 | 한국전자통신연구원 | 미세전자기계적 구조 스위치 및 그 제조방법 |
KR100785084B1 (ko) * | 2006-03-30 | 2007-12-12 | 삼성전자주식회사 | 압전형 mems 스위치 및 그 제조방법 |
-
2006
- 2006-02-20 KR KR1020060016308A patent/KR101188438B1/ko active IP Right Grant
- 2006-10-17 US US11/581,435 patent/US8018308B2/en active Active
- 2006-11-16 CN CNB2006101467350A patent/CN100555499C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-08 JP JP2006332332A patent/JP4402682B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8018308B2 (en) | 2011-09-13 |
US20070195464A1 (en) | 2007-08-23 |
KR101188438B1 (ko) | 2012-10-08 |
CN100555499C (zh) | 2009-10-28 |
CN101026053A (zh) | 2007-08-29 |
KR20070083063A (ko) | 2007-08-23 |
JP2007227353A (ja) | 2007-09-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090414 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090714 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131106 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |