KR20080052424A - 마이크로 스위칭 소자 및 마이크로 스위칭 소자 제조 방법 - Google Patents

마이크로 스위칭 소자 및 마이크로 스위칭 소자 제조 방법 Download PDF

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KR20080052424A
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Abstract

구동 전압을 저감하는 데에 알맞은 마이크로 스위칭 소자를 제공한다. 본 발명의 마이크로 스위칭 소자 X1은, 베이스 기판 S1과, 고정부(11)와, 고정부(11)에 고정된 고정단(12a)을 갖고 베이스 기판 S1을 따라 연장되는 가동부(12)와, 가동부(12) 상에 형성된 가동 컨택트 전극(13)과, 가동 컨택트 전극(13)에 대향하는 부위를 각각이 갖고 또한 각각이 고정부(11)에 접합되어 있는 한쌍의 고정 컨택트 전극(14)과, 가동부(12) 상에서 가동 컨택트 전극(13) 및 고정단(12a) 사이에 형성된 가동 구동 전극(15)과, 가동 구동 전극(15)에 대향하는 부위를 포함하는 고가부(16A)를 갖고 또한 고정부(11)에 접합되어 있는 고정 구동 전극(16)을 구비한다. 고가부(16A)는, 가동 구동 전극(15)측에, 복수의 단(16a')으로 이루어지는 계단 형상(16a)을 갖고, 계단 형상(16a)의 각 단(16a')은, 가동 컨택트 전극(13)으로부터 먼 단(16a')일수록 베이스 기판 S1에 가깝다.
Figure P1020070125163
컨택트 전극, 베이스 기판, 구동 전극, 고가부, 계단 형상

Description

마이크로 스위칭 소자 및 마이크로 스위칭 소자 제조 방법{MICROSWITCHING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING MICROSWITCHING DEVICE}
본 발명은, MEMS 기술을 이용하여 제조되는 미소한 스위칭 소자, 및, MEMS 기술을 이용한 스위칭 소자 제조 방법에 관한 것이다.
휴대 전화 등 무선 통신 기기의 기술 분야에서는, 고기능을 실현하기 위해 탑재되는 부품의 증가 등에 수반하여, RF 회로의 소형화에 대한 요구가 높아지고 있다. 이러한 요구에 응하기 위해, 회로를 구성하는 다양한 부품에 대해서, MEMS(micro-electromechanical systems) 기술의 이용에 의한 미소화가 진행되고 있다.
그러한 부품의 하나로서, MEMS 스위치가 알려져 있다. MEMS 스위치는, MEMS 기술에 의해 각 부위가 미소하게 형성된 스위칭 소자이며, 기계적으로 개폐하여 스위칭을 실행하기 위한 적어도 한쌍의 컨택트나, 그 컨택트 쌍의 기계적 개폐 동작을 달성하기 위한 구동 기구 등을 갖는다. MEMS 스위치는, 특히 ㎓ 오더의 고주파 신호의 스위칭에서, PIN 다이오드나 MESFET 등으로 이루어지는 스위칭 소자보다도, 열림 상태에서 높은 아이솔레이션을 나타내고 또한 닫힘 상태에서 낮은 삽입 손실 을 나타내는 경향에 있다. 이는, 컨택트쌍 간의 기계적 개리에 의해 열림 상태가 달성되는 것이나, 기계적 스위치이기 때문에 기생 용량이 적은 것에, 기인한다. MEMS 스위치에 대해서는, 예를 들면 하기의 특허 문헌1∼4에 기재되어 있다.
[특허 문헌1] 일본 특개 2004-1186호 공보
[특허 문헌2] 일본 특개 2004-311394호 공보
[특허 문헌3] 일본 특개 2005-293918호 공보
[특허 문헌4] 일본 특표 2005-528751호 공보
도 19 내지 도 23은, 종래의 마이크로 스위칭 소자의 일례인 마이크로 스위칭 소자 X3을 나타낸다. 도 19는, 마이크로 스위칭 소자 X3의 평면도이며, 도 20은, 마이크로 스위칭 소자 X3의 일부 생략 평면도이다. 도 21 내지 도 23은, 각각, 도 19의 선 XXI-XXI, 선 XXII-XXII, 및 선 XXIII-XXIII을 따라 취한 단면도이다.
마이크로 스위칭 소자 X3은, 베이스 기판 S3과, 고정부(31)와, 가동부(32)와, 컨택트 전극(33)과, 한쌍의 컨택트 전극(34)(도 20에서는 가상선으로 나타냄)과, 구동 전극(35)과, 구동 전극(36)(도 20에서는 가상선으로 나타냄)을 구비한다.
고정부(31)는, 도 21 내지 도 23에 도시한 바와 같이, 경계층(37)을 통하여 베이스 기판 S3에 접합되어 있다. 고정부(31) 및 베이스 기판 S3은 단결정 실리콘으로 이루어지고, 경계층(37)은 이산화 실리콘으로 이루어진다.
가동부(32)는, 예를 들면 도 19, 도 20, 또는 도 23에 도시되어 있는 바와 같이, 고정부(31)에 고정된 고정단(32a)과 자유단(32b)을 갖고 베이스 기판 S3을 따라 연장되고, 슬릿(38)을 통하여 고정부(31)에 둘러싸여져 있다. 또한, 가동부(32)는 단결정 실리콘으로 이루어진다.
컨택트 전극(33)은, 예를 들면 도 20 및 도 23에 도시되어 있는 바와 같이, 가동부(32)의 자유단(32b) 가까이에 형성되어 있다. 각 컨택트 전극(34)은, 도 21 및 도 23에 도시한 바와 같이, 고정부(31) 상에 세워 형성되어 있고, 또한, 컨택트 전극(33)에 대향하는 부위를 갖는다. 또한, 각 컨택트 전극(34)은, 소정의 배선(도시 생략)을 통하여 스위칭 대상의 소정의 회로에 접속되어 있다. 컨택트 전극(33, 34)은 소정의 도전 재료로 이루어진다.
구동 전극(35)은, 예를 들면 도 20 및 도 22에 도시되어 있는 바와 같이, 가동부(32) 상에 형성되어 있다. 또한, 이러한 구동 전극(35)과 연속하는 배선(39)이, 가동부(32) 상 및 고정부(31) 상에 걸쳐 형성되어 있다. 구동 전극(35) 및 배선(39)은 소정의 도전 재료로 이루어진다. 이러한 구동 전극(35) 및 배선(39)은, 박막 형성 기술에 의해 형성된 것이며, 형성 과정에서 구동 전극(35) 및 배선(39)에는 내부 응력이 생긴다. 이 내부 응력의 작용에 의해, 상기 구동 전극(35) 및 배선(39)과 이들이 접합하는 가동부(32)는, 도 23에 도시한 바와 같이 휘어진다. 가동부(32)의 자유단(32b)이 컨택트 전극(34)에 접근하도록, 가동부(32)에 변형 내지 휘어짐이 생기는 것이다. 자유단(32b)의 컨택트 전극(34)측에의 변위는, 가동부(32)의 길이나 스프링 상수에 따라서, 1∼10㎛ 정도이다.
구동 전극(36)은, 도 22에 잘 도시되어 있는 바와 같이, 그 양 단이 고정부(31)에 접합하여 구동 전극(35)의 상방을 걸치도록 세워 형성되어 있다. 또한, 구동 전극(36)은, 소정의 배선(도시 생략)을 통하여 그라운드 접속되어 있다. 구동 전극(36)은 소정의 도전 재료로 이루어진다.
이러한 구성의 마이크로 스위칭 소자 X3에서, 배선(39)을 통하여 구동 전극(35)에 전위를 부여하면, 구동 전극(35, 36) 사이에는 정전 인력이 발생한다. 부여 전위가 충분히 높은 경우, 베이스 기판 S3을 따라 연장되는 가동부(32)는, 컨택트 전극(33)이 양 컨택트 전극(34)에 당접할 때까지 부분적으로 탄성 변형한다. 이와 같이 하여, 마이크로 스위칭 소자 X3의 닫힘 상태가 달성된다. 닫힘 상태에서는, 컨택트 전극(33)에 의해 한쌍의 컨택트 전극(34)이 전기적으로 중개 역할되어, 전류가 그 컨택트 전극(34) 사이를 통과하는 것이 허용된다. 이와 같이 하여, 예를 들면 고주파 신호의 온 상태를 달성할 수 있다.
한편, 닫힘 상태에 있는 마이크로 스위칭 소자 X3에서, 구동 전극(35)에 대한 전위 부여를 정지함으로써 구동 전극(35, 36) 사이에 작용하는 정전 인력을 소멸시키면, 가동부(32)는 그 열림 상태 위치로 복귀하고, 컨택트 전극(33)은, 양 컨택트 전극(34)으로부터 이격한다. 이와 같이 하여, 도 21 및 도 23에 도시한 바와 같은, 마이크로 스위칭 소자 X3의 열림 상태가 달성된다. 열림 상태에서는, 한쌍의 컨택트 전극(34)이 전기적으로 분리되어, 전류가 그 컨택트 전극(34) 사이를 통과하는 것은 저지된다. 이와 같이 하여, 예를 들면 고주파 신호의 오프 상태를 달성할 수 있다.
일반적으로, 마이크로 스위칭 소자에 대해서는, 구동 전압의 저감이 강하게 기대된다. 또한, 정전 구동형의 마이크로 스위칭 소자의 구동 전압을 저감하는 유 효한 방법으로서, 구동 전극 간의 갭을 작게 설정하는 것이 고려된다. 구동 전극 간에 생기는 정전 인력은, 구동 전극 간의 거리(갭의 크기)의 2승에 반비례하고, 구동 전극 간 거리가 작을수록, 소정의 정전 인력 내지 구동력을 발생시키기 위해 요하는 전압은 작기 때문이다. 그러나, 종래의 마이크로 스위칭 소자 X3에서는, 구동 전극(35, 36) 간의 갭 G를 작게 설정함으로써 구동 전압을 충분히 저감할 수 없는 경우가 있다.
마이크로 스위칭 소자 X3에서는, 전술한 바와 같이, 가동부(32)의 자유단(32b)이 컨택트 전극(34)에 접근하도록 가동부(32)에 변형 내지 휘어짐이 생긴다. 그 때문에, 도 23에 도시한 바와 같이, 소자의 비구동 상태 내지 열림 상태에서, 구동 전극(35, 36) 간의 갭 G는, 컨택트 전극(33, 34)으로부터 멀어짐에 따라서 넓어지고 있다. 구체적으로는, 컨택트 전극(33, 34)으로부터 먼 측의 구동 전극(35) 끝부에 대응하는 구동 전극(35, 36) 간의 거리 D1은, 컨택트 전극(33, 34)에 가까운 측의 구동 전극(35) 끝부에 대응하는 구동 전극(35, 36) 간의 거리 D2보다도, 크다. 구동 전극(35)에 대하여 도 20에 도시하는 길이 L4가 200㎛이면, 거리 D1과 거리 D2의 차는 2㎛에 달하는 경우가 있다. 즉, 구동 전극(35)의 길이 L4가 200㎛이면, 거리 D2를 가능한 한 작게 설정해도, 거리 D1은 거리 D2보다도 2㎛ 큰 경우가 있는 것이다. 이러한 구동 전극(35, 36) 사이에서, 컨택트 전극(33, 34)으로부터 먼 측의 구동 전극(35) 끝부에 대응하는 개소에서 생기는 정전 인력은, 컨 택트 전극(33, 34)에 가까운 측의 구동 전극(35) 끝부에 대응하는 개소에서 생기는 정전 인력보다도, 상당 정도로 작다.
이상과 같이, 마이크로 스위칭 소자 X3에서는, 거리 D1이 거리 D2보다 부당하게 크기 때문에, 구동 전극(35, 36) 간의 갭 G를 충분히는 작게 설정할 수 없고, 따라서, 구동 전압을 충분히 저감할 수 없는 경우가 있다.
본 발명은, 이상과 같은 사정 하에서 고려한 것으로서, 구동 전압을 저감하는 데에 알맞은 마이크로 스위칭 소자, 및, 그와 같은 마이크로 스위칭 소자를 제조하기 위한 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 측면에 따르면, 마이크로 스위칭 소자가 제공된다. 이 마이크로 스위칭 소자는, 베이스 기판과, 베이스 기판에 접합되어 있는 고정부와, 고정부에 고정된 고정단을 갖고 베이스 기판을 따라 연장되는 가동부와, 가동부에서의 베이스 기판과는 반대의 측에 형성된 가동 컨택트 전극과, 가동 컨택트 전극에 대향하는 부위를 각각이 갖고 또한 각각이 고정부에 접합되어 있는 한쌍의 고정 컨택트 전극과, 가동부에서의 베이스 기판과는 반대의 측에서 가동 컨택트 전극 및 고정단의 사이에 형성된 가동 구동 전극과, 가동 구동 전극에 대향하는 부위를 포함하는 고가부를 갖고 또한 고정부에 접합되어 있는 고정 구동 전극을 구비한다. 고 가부는, 가동 구동 전극측에, 복수단으로 이루어지는 계단 형상을 갖고, 그 계단 형상의 각 단은, 가동 컨택트 전극으로부터 먼 단일수록 베이스 기판에 가깝다.
본 마이크로 스위칭 소자의 비구동 상태 내지 열림 상태에서는, 종래의 마이크로 스위칭 소자에 관하여 전술한 바와 대략 마찬가지로, 가동부에서 고정단과는 반대인 자유단이 고정 컨택트 전극에 접근하도록 가동부에 변형 내지 휘어짐이 생긴다. 그러나, 본 마이크로 스위칭 소자는, 고정 구동 전극의 고가부가 전술한 바와 같은 계단 형상(가동 컨택트 전극으로부터 먼 단일수록 베이스 기판에 가까움)을 갖기 때문에, 가동 컨택트 전극으로부터 먼 측의 구동 전극 간의 거리(제1 거리)와, 가동 컨택트 전극에 가까운 측의 구동 전극 간의 거리(제2 거리)와의 차를, 충분히 작게 하는 데에 알맞다. 나아가서는, 본 마이크로 스위칭 소자에 의하면, 제1 거리와 제2 거리를 일치시키는 것이 가능하다. 이러한 본 마이크로 스위칭 소자에서는, 구동 전극 간의 갭을 충분히 작게 설정하는 것이 가능하다. 따라서, 본 마이크로 스위칭 소자는, 구동 전압을 저감하는 데에 알맞다.
바람직하게는, 고정 구동 전극은, 고가부로부터 가동 구동 전극측으로 돌출하여 가동부에 당접 가능한 돌기부를 더 갖는다. 보다 바람직하게는, 가동부 상의 가동 구동 전극은, 돌기부에 대응하는 개소에, 가동부가 부분적으로 임하는 개구부를 갖는다. 이러한 구성은, 본 마이크로 스위칭 소자에서 고정 컨택트 전극 간이 가동 컨택트 전극에 의해 가교된 닫힘 상태를 달성할 때에, 구동 전극 간이 접촉하게 되는 것을 방지하는 데 있어서, 바람직하다.
본 발명의 제2 측면에 따르면, 베이스 기판과, 그 베이스 기판에 접합되어 있는 고정부와, 그 고정부에 고정된 고정단을 갖고 베이스 기판을 따라 연장되는 가동부와, 그 가동부에서의 베이스 기판과는 반대의 측에 형성된 가동 컨택트 전극과, 그 가동 컨택트 전극에 대향하는 부위를 각각이 갖고 또한 각각이 고정부에 접합되어 있는 한쌍의 고정 컨택트 전극과, 가동부에서의 베이스 기판과는 반대의 측에서 가동 컨택트 전극 및 고정단의 사이에 형성된 가동 구동 전극과, 그 가동 구동 전극에 대향하는 부위를 포함하는 고가부를 갖고 또한 고정부에 접합되어 있는 고정 구동 전극을 구비하고, 고가부는, 가동 구동 전극측에, 복수단으로 이루어지는 계단 형상을 갖고, 그 계단 형상의 각 단은, 가동 컨택트 전극으로부터 먼 단일수록 베이스 기판에 가까운, 마이크로 스위칭 소자를, 제1 층과, 제2 층과, 그 제1 및 제2 층 사이의 중간층으로 이루어지는 적층 구조를 갖는 재료 기판에 대하여 가공을 실시함으로써 제조하기 위한 방법이 제공된다. 본 방법은, 제1 층에서 가동부에 가공되는 제1 부위 상에 가동 컨택트 전극 및 가동 구동 전극을 형성하는 공정과, 제1 부위, 및, 제1 층에서 고정부에 가공되는 제2 부위를 마스크하는 마스크 패턴을 통하여, 제1 층에 대하여 중간층에 이르기까지 이방성 에칭 처리를 실시함으로써, 고정부 및 가동부를 형성하는 공정과, 재료 기판의 제1 층측을 덮도록 희생막을 형성하는 공정과, 희생막에서 가동 구동 전극에 대응하는 개소에, 계단 형상을 갖는 고가부를 형성하기 위한 오목부를 형성하는 공정(오목부 형성 공정)과, 한쌍의 고정 컨택트 전극 및 고정 구동 전극이 접합하게 되는 고정부 상의 영역이 노출되도록, 희생막에 복수의 개구부를 형성하는 공정과, 희생막을 개재하여 가동 구동 전극에 대향하는 부위를 포함하는 고가부를 적어도 갖고 또한 고정부에 접합 되어 있는 고정 구동 전극, 및, 희생막을 개재하여 가동 컨택트 전극에 대향하는 부위를 각각이 갖고 또한 각각이 고정부에 접합되어 있는 한쌍의 고정 컨택트 전극을 형성하는 공정(개구부 형성 공정)과, 희생막을 제거하는 공정(희생막 제거 공정)과, 제2 층 및 가동부 사이에 개재하는 중간층을 에칭 제거하는 공정(에칭 제거 공정)을 포함한다. 오목부 형성 공정과 개구부 형성 공정은, 어느 하나가 선행하여도 된다. 또한, 희생막 제거 공정과 에칭 제거 공정은, 실질적으로 단일의 과정에서 연속하여 실행하여도 된다. 본 방법에 따르면, 제1 측면에 따른 마이크로 스위칭 소자를 적절하게 제조할 수 있다.
바람직하게는, 고가부로부터 가동 구동 전극측으로 돌출하는 돌기부를 형성하기 위한 오목부를 희생막에 형성하는 공정을 더 포함한다. 본 공정은, 전술한 오목부 형성 공정보다 전에 실행하여도 되고, 오목부 형성 공정과 병행되어 실행하여도 되고, 오목부 형성 공정보다 뒤에 실행하여도 된다. 본 마이크로 스위칭 소자 제조 방법에서 본 공정을 실행하는 경우, 고가부 외에 돌기부를 갖는 고정 구동 전극이 형성되게 된다.
도 1 내지 도 5는, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 마이크로 스위칭 소자 X1을 도시한다. 도 1은, 마이크로 스위칭 소자 X1의 평면도이며, 도 2는, 마이크로 스위칭 소자 X1의 일부 생략 평면도이다. 도 3 내지 도 5는, 각각, 도 1의 선III-III, 선IV-IV, 및 선 V-V를 따라 취한 단면도이다.
마이크로 스위칭 소자 X1은, 베이스 기판 S1과, 고정부(11)와, 가동부(12) 와, 컨택트 전극(13)과, 한쌍의 컨택트 전극(14)(도 2에서는 가상선으로 나타냄)과, 구동 전극(15)과, 구동 전극(16)(도 2에서는 가상선으로 나타냄)을 구비한다.
고정부(11)는, 도 3 내지 도 5에 도시한 바와 같이, 경계층(17)을 통하여 베이스 기판 S1에 접합되어 있다. 또한, 고정부(11)는, 단결정 실리콘 등의 실리콘 재료로 이루어진다. 고정부(11)를 구성하는 실리콘 재료는, 1000Ω·㎝ 이상의 저항율을 갖는 것이 바람직하다. 경계층(17)은 예를 들면 이산화 실리콘으로 이루어진다.
가동부(12)는, 예를 들면 도 1, 도 2, 또는 도 5에 도시되어 있는 바와 같이, 고정부(11)에 고정된 고정단(12a)과 자유단(12b)을 갖고 베이스 기판 S1을 따라 연장되고, 슬릿(18)을 통하여 고정부(11)에 둘러싸여져 있다. 가동부(12)에 대하여 도 3 및 도 4에 도시하는 두께 T는 예를 들면 15㎛ 이하이다. 또한, 가동부(12)에 대해서, 도 2에 도시하는 길이 L1은 예를 들면 500∼1200㎛이며, 길이 L2는 예를 들면 100∼400㎛이다. 슬릿(18)의 폭은 예를 들면 1.5∼2.5㎛이다. 가동부(12)는, 예를 들면 단결정 실리콘으로 이루어진다.
컨택트 전극(13)은, 본 발명에서의 가동 컨택트 전극이며, 도 2에 잘 도시되어 있는 바와 같이, 가동부(12) 상에서 자유단(12b) 가까이에 형성되어 있다. 컨택트 전극(13)의 두께는 예를 들면 0.5∼2.0㎛이다. 이러한 두께 범위는, 컨택트 전극(13)의 저저항화를 도모하는 데 있어서 바람직하다. 컨택트 전극(13)은, 소정의 도전 재료로 이루어지고, 예를 들면, Mo 기초막과 그 위의 Au막으로 이루어지는 적층 구조를 갖는다.
각 컨택트 전극(14)은, 본 발명에서의 고정 컨택트 전극이며, 도 3 및 도 5에 도시한 바와 같이, 고정부(11) 상에 세워 형성되어 있고, 또한, 컨택트 전극(13)에 대향하는 돌기부(14a)를 갖는다. 돌기부(14a)의 돌출 길이는 예를 들면 0.5∼5㎛이다. 또한, 각 컨택트 전극(14)은, 소정의 배선(도시 생략)을 통하여 스위칭 대상의 소정의 회로에 접속되어 있다. 컨택트 전극(14)의 구성 재료로서는, Au를 채용할 수 있다.
구동 전극(15)은, 본 발명에서의 가동 구동 전극이며, 도 2에 잘 도시되어 있는 바와 같이, 가동부(12) 상에 형성되어 있다. 구동 전극(15)에 대해서, 도 2에 도시하는 길이 L3은 예를 들면 50∼300㎛이다. 또한, 이러한 구동 전극(15)과 연속하는 배선(19)이, 가동부(12) 상 및 고정부(11) 상에 걸쳐 형성되어 있다. 구동 전극(15) 및 배선(19)의 구성 재료로서는, 컨택트 전극(13)의 구성 재료와 동일한 것을 채용할 수 있다.
이러한 구동 전극(15) 및 배선(19)은, 후술한 바와 같이 박막 형성 기술에 의해 형성된 것이며, 형성 과정에서 구동 전극(15) 및 배선(19)에는 내부 응력이 생긴다. 이 내부 응력의 작용에 의해, 해당 구동 전극(15) 및 배선(19)과 이들이 접합하는 가동부(12)는, 도 5에 도시한 바와 같이 휘어진다. 가동부(12)의 자유단(12b)이 컨택트 전극(14)에 접근하도록, 가동부(12)에 변형 내지 휘어짐이 생기는 것이다. 자유단(12b)의 컨택트 전극(14)측에의 변위는, 가동부(12)의 길이나 스프링 상수에 따라서, 예를 들면 1∼10㎛이다.
구동 전극(16)은, 본 발명에서의 고정 구동 전극이며, 도 4에 잘 도시되어 있는 바와 같이, 그 양 단이 고정부(11)에 접합하여 구동 전극(15)의 상방을 걸치도록 세워 형성되어서 고가부(16A)를 갖는다. 도 5 외에 도 6에 도시한 바와 같이, 고가부(16A)는, 구동 전극(15)측에, 복수의 단(16a')으로 이루어지는 계단 형상(16a)을 갖는다. 도 6은, 베이스 기판 S1측으로부터 본 구동 전극(16) 단체의 평면도이다. 계단 형상(16a)의 각 단(16a')은, 컨택트 전극(13)으로부터 먼 단일수록 베이스 기판 S1에 가깝다. 본 실시 형태에서의 단수는 3이지만, 4 이상의 단수를 설정하여도 된다. 또한, 컨택트 전극(13)으로부터 먼 측의 구동 전극(15) 끝부에 대응하는 구동 전극(15, 16) 사이의 도 5에 도시하는 거리 D1, 및, 컨택트 전극(13)에 가까운 측의 구동 전극(15) 끝부에 대응하는 구동 전극(15, 16) 간의 거리 D2는, 예를 들면 1∼3㎛이다. 거리 D1과 거리 D2의 차는, 바람직하게는 0.2㎛ 이하이다. 이러한 구동 전극(16)은, 소정의 배선(도시 생략)을 통하여 그라운드 접속되어 있다. 구동 전극(16)의 구성 재료로서는, 컨택트 전극(14)의 구성 재료와 동일한 것을 채용할 수 있다.
이러한 구성의 마이크로 스위칭 소자 X1에서, 배선(19)을 통하여 구동 전극(15)에 전위를 부여하면, 구동 전극(15, 16) 사이에는 정전 인력이 발생한다. 부여 전위가 충분히 높은 경우, 가동부(12)는, 컨택트 전극(13)이 한쌍의 컨택트 전극(14)에 당접하는 위치까지 탄성 변형한다. 이와 같이 하여, 마이크로 스위칭 소자 X1의 닫힘 상태가 달성된다. 닫힘 상태에서는, 컨택트 전극(13)에 의해 한쌍의 컨택트 전극(14)이 전기적으로 중개 역할되어, 전류가 컨택트 전극(14) 사이를 통과하는 것이 허용된다. 이와 같이 하여, 예를 들면 고주파 신호의 온 상태를 달성할 수 있다.
한편, 닫힘 상태에 있는 마이크로 스위칭 소자 X1에서, 구동 전극(15)에 대한 전위 부여를 정지함으로써 구동 전극(15, 16) 사이에 작용하는 정전 인력을 소멸시키면, 가동부(12)는 그 열림 상태 위치로 복귀하고, 컨택트 전극(13)은, 양 컨택트 전극(14)으로부터 이격한다. 이와 같이 하여, 도 3 및 도 5에 도시한 바와 같은, 마이크로 스위칭 소자 X1의 열림 상태가 달성된다. 열림 상태에서는, 한쌍의 컨택트 전극(14)이 전기적으로 분리되어, 전류가 컨택트 전극(14) 사이를 통과하는 것은 저지된다. 이와 같이 하여, 예를 들면 고주파 신호의 오프 상태를 달성할 수 있다. 또한, 이러한 열림 상태에 있는 마이크로 스위칭 소자 X1에 대해서는, 전술한 닫힘 상태 실현 방법에 의해 다시 닫힘 상태로 절환하는 것이 가능하다.
마이크로 스위칭 소자 X1에서는, 이상과 같이 하여, 양 컨택트 전극(14)에 대하여 컨택트 전극(13)이 접촉하고 있는 닫힘 상태와, 양 컨택트 전극(14)으로부터 컨택트 전극(13)이 이격하고 있는 열림 상태를, 선택적으로 절환할 수 있다.
마이크로 스위칭 소자 X1의 비구동 상태 내지 열림 상태에서는, 가동부(12)에 변형 내지 휘어짐이 생기고 있다. 그러나, 마이크로 스위칭 소자 X1은, 구동 전극(16)의 고가부(16A)가 전술한 바와 같은 계단 형상(16a)(컨택트 전극(13)으로 부터 먼 단(16a')일수록 베이스 기판 S1에 가까움)을 갖기 때문에, 컨택트 전극(13)으로부터 먼 측의 구동 전극(15, 16) 간의 거리 D1과, 컨택트 전극(13)에 가까운 측의 구동 전극(15, 16) 간의 거리 D2의 차를, 충분히 작게 하는 데에 알맞다. 나아가서는, 마이크로 스위칭 소자 X1에 의하면, 거리 D1과 거리 D2를 일치시키는 것이 가능하다. 구동 전극(15, 16) 사이에 생기는 정전 인력은, 구동 전극(15, 16) 간의 거리(갭 G의 크기)의 2승에 반비례하고, 구동 전극(15, 16)간 거리가 작을수록, 소정의 정전 인력 내지 구동력을 발생시키기 위하여 요하는 전압은 작은 바, 이러한 마이크로 스위칭 소자 X1은, 구동 전극(15, 16) 간의 갭 G를 충분히 작게 설정하는 것이 가능하며, 따라서, 구동 전압을 저감하는 데에 알맞다.
도 7 내지 도 11은, 마이크로 스위칭 소자 X1의 제조 방법을, 도 5에 상당하는 단면의 변화로서 나타낸다. 본 방법에서는, 우선, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같은 재료 기판 S1'을 준비한다. 재료 기판 S1'는, SOI(silicon on insulator) 기판이며, 제1 층(21), 제2 층(22), 및, 이들 사이의 중간층(23)으로 이루어지는 적층 구조를 갖는다. 본 실시 형태에서는, 예를 들면, 제1 층(21)의 두께는 15㎛이며, 제2 층(22)의 두께는 525㎛이고, 중간층(23)의 두께는 4㎛이다. 제1 층(21)은, 예를 들면 단결정 실리콘으로 이루어지고, 고정부(11) 및 가동부(12)로 가공된다. 제2 층(22)은, 예를 들면 단결정 실리콘으로 이루어지고, 베이스 기판 S1로 가공된다. 중간층(23)은, 예를 들면 이산화 실리콘으로 이루어지고, 경계층(17)으로 가공된다.
다음으로, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1 층(21) 상에 도체막(24)을 형성한다. 예를 들면, 스퍼터링법에 의해, 제1 층(21) 상에 Mo를 성막하고, 계속해서 그 위에 Au를 성막한다. Mo막의 두께는 예를 들면 30㎚이며, Au막의 두께는 예를 들면 500㎚이다.
다음으로, 도 7의 (c)에 도시한 바와 같이, 포토리소그래피법에 의해 도체막(24) 상에 레지스트 패턴(25, 26)을 형성한다. 레지스트 패턴(25)은, 전술한 컨택트 전극(13)에 대응하는 패턴 형상을 갖는다. 레지스트 패턴(26)은, 전술한 구동 전극(15) 및 배선(19)에 대응하는 패턴 형상을 갖는다.
다음으로, 도 8의 (a)에 도시한 바와 같이, 레지스트 패턴(25, 26)을 마스크로서 이용하여 도체막(24)에 대하여 에칭 처리를 실시함으로써, 제1 층(21) 상에, 컨택트 전극(13), 구동 전극(15), 및 배선(19)을 형성한다. 본 공정에서의 에칭 방법으로서는, 이온 밀링(예를 들면 Ar 이온에 의한 물리적 에칭)을 채용할 수 있다. 뒤에 나오는 금속 재료에 대한 에칭 방법으로서도 이온 밀링을 채용할 수 있다.
다음으로, 레지스트 패턴(25, 26)을 제거한 후, 도 8의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1 층(21)에 에칭 처리를 실시함으로써 슬릿(18)을 형성한다. 구체적으로는, 포토리소그래피법에 의해 제1 층(21) 상에 소정의 레지스트 패턴을 형성한 후, 해당 레지스트 패턴을 마스크로서 이용하여, 제1 층(21)에 대하여 이방성의 에칭 처리를 실시한다. 에칭 방법으로서는, 반응성 이온 에칭을 채용할 수 있다. 본 공정에서, 고정부(11) 및 가동부(12)가 패턴 형성되게 된다.
다음으로, 도 8의 (c)에 도시한 바와 같이, 슬릿(18)을 막도록, 재료 기판 S1'의 제1 층(21)측에 희생층(27)을 형성한다. 희생층 재료로서는 예를 들면 이산화 실리콘을 채용할 수 있다. 또한, 희생층(27)을 형성하기 위한 방법으로서는, 예를 들면 플라즈마 CVD법이나 스퍼터링법을 채용할 수 있다.
다음으로, 도 9의 (a)에 도시한 바와 같이, 희생층(27)에서 구동 전극(15)에 대응하는 개소에, 오목부(27a)를 형성한다. 구체적으로는, 포토리소그래피법에 의해 희생층(27) 상에 소정의 레지스트 패턴을 형성한 후, 그 레지스트 패턴을 마스크로서 이용하여 희생층(27)에 대하여 에칭 처리를 실시한다. 에칭 방법으로서는, 웨트 에칭을 채용할 수 있다. 웨트 에칭을 위한 에칭액으로서는, 예를 들면 버퍼드 불산(BHF)을 채용할 수 있다. 뒤에 나오는 오목부에 대해서도, 오목부(27a)와 마찬가지로 하여 형성할 수 있다. 오목부(27a)는, 전술한 구동 전극(16)의 고가부(16A)에서의 계단 형상(16a)의 하나의 단에 대응한 것이며, 오목부(27a)의 깊이는 예를 들면 0.5∼3㎛이다.
다음으로, 도 9의 (b)에 도시한 바와 같이, 희생층(27)에서 구동 전극(15)에 대응하는 개소에, 오목부(27b)를 형성한다. 오목부(27b)는, 계단 형상(16a)의 하나의 단에 대응한 것이며, 오목부(27b)의 깊이는 예를 들면 0.2∼1㎛이다.
다음으로, 도 9의 (c)에 도시한 바와 같이, 희생층(27)에서 구동 전극(15)에 대응하는 개소에, 오목부(27c)를 형성한다. 오목부(27c)는, 계단 형상(16a)의 하나의 단에 대응한 것이며, 오목부(27c)의 깊이는 예를 들면 0.2∼1㎛이다.
다음으로, 도 10의 (a)에 도시한 바와 같이, 희생층(27)에서 컨택트 전 극(13)에 대응하는 개소에 오목부(27d)를 형성한다. 오목부(27d)는, 컨택트 전극(14)의 돌기부(14a)를 형성하기 위한 것이며, 오목부(27d)의 깊이는 0.5∼5㎛이다.
다음으로, 도 10의 (b)에 도시한 바와 같이, 희생층(27)을 패터닝하여 개구부(27e)를 형성한다. 구체적으로는, 포토리소그래피법에 의해 희생층(27) 상에 소정의 레지스트 패턴을 형성한 후, 그 레지스트 패턴을 마스크로서 이용하여 희생층(27)에 대하여 에칭 처리를 실시한다. 에칭 방법으로서는, 웨트 에칭을 채용할 수 있다. 개구부(27e)는, 고정부(11)에서 컨택트 전극(14)이 접합할 영역을 노출시키기 위한 것이다. 본 공정에서는, 희생층(27)을 패터닝하여, 고정부(11)에서 구동 전극(16)이 접합할 영역을 노출시키기 위한 도면 외의 개구부도 더불어서 형성한다.
다음으로, 재료 기판 S1'에서 희생층(27)이 형성되어 있는 측의 표면에 통전용의 기초막(도시 생략)을 형성한 후, 도 10의 (c)에 도시한 바와 같이 레지스트 패턴(28)을 형성한다. 기초막은, 예를 들면, 스퍼터링법에 의해 두께(50㎚의 Mo를 성막하고, 계속해서 그 위에 두께 500㎚의 Au를 성막함으로써 형성할 수 있다. 레지스트 패턴(28)은, 컨택트 전극(14)에 대응하는 개구부(28a) 및 구동 전극(16)에 대응하는 개구부(28b)를 갖는다.
다음으로, 도 11의 (a)에 도시한 바와 같이, 컨택트 전극(14) 및 구동 전극(16)을 형성한다. 구체적으로는, 기초막에서 레지스트 패턴(28)에 의해서는 덮여져 있지 않은 개소에, 전기 도금법에 의해 예를 들면 Au를 성장시킨다.
다음으로, 도 11의 (b)에 도시한 바와 같이, 레지스트 패턴(28)을 에칭 제거한다. 이 후, 전기 도금용의 전술한 기초막에서 노출되어 있는 부분을 에칭 제거한다. 이들 에칭 제거에서는, 각각, 웨트 에칭을 채용할 수 있다.
다음으로, 도 11의 (c)에 도시한 바와 같이, 희생층(27) 및 중간층(23)의 일부를 제거한다. 구체적으로는, 희생층(27) 및 중간층(23)에 대하여 웨트 에칭 처리를 실시한다. 본 에칭 처리에서는, 우선 희생층(27)이 제거되고, 그 후, 슬릿(18)에 임하는 개소로부터 중간층(23)의 일부가 제거된다. 이 에칭 처리는, 가동부(12)의 전체와 제2 층(22) 사이에 적절하게 공극이 형성된 후에 정지한다. 이와 같이 하여, 중간층(23)에서 경계층(17)이 잔존 형성된다. 또한, 제2 층(22)은, 베이스 기판 S1을 구성하게 된다.
본 공정을 거치면, 가동부(12)에 휘어짐이 생긴다. 전술한 바와 같이 하여 형성된 구동 전극(15) 및 배선(19)에는, 그 형성 과정에서 내부 응력이 생기고 있고, 이 내부 응력의 작용에 의해, 해당 구동 전극(15) 및 배선(19)과 이들이 접합하는 가동부(12)가 휘는 것이다. 구체적으로는, 가동부(12)의 자유단(12b)이 컨택트 전극(14)에 접근하도록, 가동부(12)에 변형 내지 휘어짐이 생긴다.
다음으로, 필요에 따라, 컨택트 전극(14) 및 구동 전극(16)의 하면에 부착되어 있는 기초막의 일부(예를 들면 Mo막)를 웨트 에칭에 의해 제거한 후, 초임계 건조법에 의해 소자 전체를 건조한다. 초임계 건조법에 의하면, 가동부(12)가 베이스 기판 S1 등에 들러붙게 되는 스틱킹 현상을 적절하게 회피할 수 있다.
이상과 같이 하여, 마이크로 스위칭 소자 X1을 제조할 수 있다. 본 방법에 서는, 컨택트 전극(13)에 대향하는 부위를 갖는 컨택트 전극(14)에 대해서, 도금법에 의해 희생층(27) 상에 두껍게 형성할 수 있다. 그 때문에, 한쌍의 컨택트 전극(14)에 대해서는, 원하는 저저항을 실현하기 위한 충분한 두께를 설정하는 것이 가능하다. 두꺼운 컨택트 전극(14)은, 마이크로 스위칭 소자 X1의 삽입 손실을 저감하는 데 있어서 바람직하다.
도 12 내지 도 16은, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 마이크로 스위칭 소자 X2를 나타낸다. 도 12는, 마이크로 스위칭 소자 X2의 평면도이며, 도 13은, 마이크로 스위칭 소자 X2의 일부 생략 평면도이다. 도 14 내지 도 16은, 각각, 도 12의 선 XIV-XIV, 선 XV-XV, 및 선 XVI-XVI를 따라 취한 단면도이다.
마이크로 스위칭 소자 X2는, 베이스 기판 S1과, 고정부(11)와, 가동부(12)와, 컨택트 전극(13)과, 한쌍의 컨택트 전극(14)(도 13에서는 가상선으로 나타냄)과, 구동 전극(15')과, 구동 전극(16')(도 13에서는 가상선으로 나타냄)을 구비한다. 마이크로 스위칭 소자 X2는, 구동 전극(15)과는 서로 다른 구동 전극(15')을 구비하고, 또한, 구동 전극(16)과는 서로 다른 구동 전극(16')을 구비하는 점에서, 마이크로 스위칭 소자 X1과 서로 다르다.
구동 전극(15')은, 본 발명에서의 가동 구동 전극이며, 도 13에 잘 도시되어 있는 바와 같이 가동부(12) 상에 형성되어 있다. 구동 전극(15')은 개구부(15a)를 갖고, 그 외형은 본 실시 형태에서는 8각형이다. 구동 전극(15')에 관한 그 밖의 구성은, 구동 전극(15)과 마찬가지이다.
구동 전극(16')은, 본 발명에서의 고정 구동 전극이며, 도 15에 잘 도시되어 있는 바와 같이, 그 양 단이 고정부(11)에 접합하고 구동 전극(15')의 상방을 걸치도록 세워 형성되어 고가부(16A)를 갖는다. 도 16 외에 도 17에 도시한 바와 같이, 고가부(16A)는, 구동 전극(15')측에, 복수의 단(16a')으로 이루어지는 계단 형상(16a)을 갖는다. 도 17은, 베이스 기판 S1측으로부터 본 구동 전극(16')의 평면도이다. 구동 전극(16')은, 또한, 고가부(16A)로부터 구동 전극(15')측으로 돌출하는 복수의 돌기부(16B)를 갖는다. 각 돌기부(16B)는, 마이크로 스위칭 소자 X2의 닫힘 상태에서 가동부(12)에 당접 가능하게 형성되어 있다. 도 13에서는, 가동부(12)에 대하여 돌기부(16B)가 당접 가능한 개소를 흑 베타로 나타낸다. 구동 전극(16')이나 그 계단 형상(16a)에 관한 그 밖의 구성에 대해서는, 구동 전극(16)에 관하여 전술한 바와 마찬가지이다.
마이크로 스위칭 소자 X2의 비구동 상태 내지 열림 상태에서는, 가동부(12)에 변형 내지 휘어짐이 생기고 있다. 그러나, 마이크로 스위칭 소자 X2는, 구동 전극(16')의 고가부(16A)가 전술한 바와 같은 계단 형상(16a)(컨택트 전극(13)으로부터 먼 단(16a')일수록 베이스 기판 S1에 가까움)을 갖기 때문에, 컨택트 전극(13)으로부터 먼 측의 구동 전극(15', 16') 간의 거리 D1과, 컨택트 전극(13)에 가까운 측의 구동 전극(15', 16') 간의 거리 D2의 차를, 충분히 작게 하는 데에 알맞다. 따라서, 마이크로 스위칭 소자 X2는, 마이크로 스위칭 소자 X1과 마찬가지로, 구동 전극(15', 16') 간의 갭 G를 충분히 작게 설정하는 것이 가능하며, 따라서, 구동 전압을 저감하는 데에 알맞다.
부가적으로, 마이크로 스위칭 소자 X2에서는, 그 닫힘 상태 시에, 돌기부(16B)가 예를 들면 도(18)에 도시한 바와 같이 가동부(12)에 당접하는 것에 의해, 구동 전극(15', 16')이 단락하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 마이크로 스위칭 소자의 평면도.
도 2는 도 1에 도시하는 마이크로 스위칭 소자의 일부 생략 평면도.
도 3은 도 1의 선 III-III를 따라 취한 단면도.
도 4는 도 1의 선 IV-IV를 따라 취한 단면도.
도 5는 도 1의 선 V-V를 따라 취한 단면도.
도 6은 베이스 기판측으로부터 본 구동 전극(고정 구동 전극) 단체의 평면도.
도 7은 도 1에 도시하는 마이크로 스위칭 소자의 제조 방법에서의 일부의 공정을 도시하는 도면.
도 8은 도 7의 후에 이어지는 공정을 도시하는 도면.
도 9는 도 8의 후에 이어지는 공정을 도시하는 도면.
도 10은 도 9의 후에 이어지는 공정을 도시하는 도면.
도 11은 도 10의 후에 이어지는 공정을 도시하는 도면.
도 12는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 마이크로 스위칭 소자의 평면도.
도 13은 도 12에 도시하는 마이크로 스위칭 소자의 일부 생략 평면도.
도 14는 도 12의 선 XIV-XIV를 따라 취한 단면도.
도 15는 도 12의 선 XV-XV를 따라 취한 단면도.
도 16은 도 12의 선 XVI-XVI를 따라 취한 단면도.
도 17은 베이스 기판측으로부터 본 구동 전극(고정 구동 전극) 단체의 평면 도.
도 18은 도 12에 도시하는 마이크로 스위칭 소자의 닫힘 상태를 도시하는 단면도.
도 19는 종래의 마이크로 스위칭 소자의 평면도.
도 20은 도 19에 도시하는 마이크로 스위칭 소자의 일부 생략 평면도.
도 21은 도 19의 선 XXI-XXI를 따라 취한 단면도.
도 22은 도 19의 선 XXII-XXII를 따라 취한 단면도.
도 23은 도 19의 선 XXIII-XXIII를 따라 취한 단면도.
<도면의 부호에 대한 부호의 설명>
X1, X2, X3 : 마이크로 스위칭 소자
S1, S3 : 베이스 기판
11, 31 : 고정부
12, 32 : 가동부
12a, 32a : 고정단
12b, 32b : 자유단
13, 14, 33, 34 : 컨택트 전극
14a : 돌기부
15, 16, 15', 16', 35, 36 : 구동 전극
16A : 고가부
16a : 계단 형상
16a' : 단
16B : 돌기부
17, 37 : 경계층
18 : 슬릿
G : 갭

Claims (5)

  1. 베이스 기판과,
    상기 베이스 기판에 접합되어 있는 고정부와,
    상기 고정부에 고정된 고정단을 갖고 상기 베이스 기판을 따라 연장되는 가동부와,
    상기 가동부에서의 상기 베이스 기판과는 반대의 측에 형성된 가동 컨택트 전극과,
    상기 가동 컨택트 전극에 대향하는 부위를 각각이 갖고 또한 각각이 상기 고정부에 접합되어 있는 한쌍의 고정 컨택트 전극과,
    상기 가동부에서의 상기 베이스 기판과는 반대의 측에서 상기 가동 컨택트 전극 및 상기 고정단의 사이에 형성된 가동 구동 전극과,
    상기 가동 구동 전극에 대향하는 부위를 포함하는 고가부(高架部)를 갖고 또한 상기 고정부에 접합되어 있는 고정 구동 전극
    을 구비하고,
    상기 고가부는, 상기 가동 구동 전극측에, 복수단으로 이루어지는 계단 형상을 갖고, 그 계단 형상의 각 단은, 상기 가동 컨택트 전극으로부터 먼 단일수록 상기 베이스 기판에 가까운 마이크로 스위칭 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 고정 구동 전극은, 상기 고가부로부터 상기 가동 구동 전극측으로 돌출하는 돌기부를 더 갖는 마이크로 스위칭 소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 가동부 상의 상기 가동 구동 전극은, 상기 돌기부에 대응하는 개소에, 상기 가동부가 부분적으로 임하는 개구부를 갖는 마이크로 스위칭 소자.
  4. 베이스 기판과, 그 베이스 기판에 접합되어 있는 고정부와, 그 고정부에 고정된 고정단을 갖고 상기 베이스 기판을 따라 연장되는 가동부와, 그 가동부에서의 상기 베이스 기판과는 반대의 측에 형성된 가동 컨택트 전극과, 그 가동 컨택트 전극에 대향하는 부위를 각각이 갖고 또한 각각이 상기 고정부에 접합되어 있는 한쌍의 고정 컨택트 전극과, 상기 가동부에서의 상기 베이스 기판과는 반대의 측에서 상기 가동 컨택트 전극 및 상기 고정단의 사이에 형성된 가동 구동 전극과, 그 가동 구동 전극에 대향하는 부위를 포함하는 고가부를 갖고 또한 상기 고정부에 접합되어 있는 고정 구동 전극을 구비하고, 상기 고가부는, 상기 가동 구동 전극측에, 복수단으로 이루어지는 계단 형상을 갖고, 그 계단 형상의 각 단은, 상기 가동 컨택트 전극에 가까운 단일수록 상기 베이스 기판으로부터 먼, 마이크로 스위칭 소자를, 제1 층과, 제2 층과, 그 제1 및 제2 층 사이의 중간층으로 이루어지는 적층 구조를 갖는 재료 기판에 대하여 가공을 실시함으로써 제조하기 위한 방법으로서,
    상기 제1 층에서 가동부로 가공되는 제1 부위 상에 가동 컨택트 전극 및 가 동 구동 전극을 형성하는 공정과,
    상기 제1 부위, 및, 상기 제1 층에서 고정부로 가공되는 제2 부위를 마스크 하는 마스크 패턴을 통하여, 상기 제1 층에 대하여 상기 중간층에 이르기까지 이방성 에칭 처리를 실시함으로써, 고정부 및 가동부를 형성하는 공정과,
    상기 재료 기판의 상기 제1 층측을 덮도록 희생막을 형성하는 공정과,
    상기 희생막에서 상기 가동 구동 전극에 대응하는 개소에, 계단 형상을 갖는 고가부를 형성하기 위한 오목부를 형성하는 공정과,
    한쌍의 고정 컨택트 전극 및 고정 구동 전극이 접합하게 되는, 상기 고정부 상의 영역이 노출되도록, 상기 희생막에 복수의 개구부를 형성하는 공정과,
    상기 희생막을 개재하여 상기 가동 구동 전극에 대향하는 부위를 포함하는 고가부를 적어도 갖고 또한 상기 고정부에 접합되어 있는 고정 구동 전극, 및, 상기 희생막을 개재하여 상기 가동 컨택트 전극에 대향하는 부위를 각각이 갖고 또한 각각이 상기 고정부에 접합되어 있는 한쌍의 고정 컨택트 전극을 형성하는 공정과,
    상기 희생막을 제거하는 공정과,
    상기 제2 층 및 상기 가동부 사이에 개재하는 중간층을 에칭 제거하는 공정
    을 포함하는 마이크로 스위칭 소자 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 고가부로부터 상기 가동 구동 전극측으로 돌출하는 돌기부를 형성하기 위한 오목부를 상기 희생막에 형성하는 공정을 더 포함하는 마이크로 스위칭 소자 제조 방법.
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