JP4066928B2

JP4066928B2 - Ｒｆｍｅｍｓスイッチ

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Publication number: JP4066928B2
Application number: JP2003347181A
Authority: JP
Inventors: 浩史川合
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-12-12
Filing date: 2003-10-06
Publication date: 2008-03-26
Anticipated expiration: 2023-10-06
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Description

本発明は、例えば周辺監視レーダー用アンテナスキャン等の高周波回路モジュールに組み込まれるＲＦＭＥＭＳ（RF micro electro mechanical systems）スイッチに関するものである。

ミリ波、マイクロ波の高周波信号で用いるスイッチ素子の例として、シャント型のＲＦＭＥＭＳスイッチ（シャントスイッチ素子）が提案されている（例えば、非特許文献１参照。）。

この種のＲＦＭＥＭＳスイッチには、例えば基板上に高周波信号導通部が設けられ、また、この高周波信号導通部の少なくとも一部に対向する電極が前記基板の上方側に配置される。このＲＦＭＥＭＳスイッチでは、その電極を、静電引力を利用して基板に対して遠近方向に変位させることにより、電極と高周波信号導通部との間の静電容量を変化させる。

例えば、高周波信号導通部に形成した信号線路と前記可動する電極（可動電極）間の間隔を狭くすると、信号線路と可動電極間の静電容量が大きくなり、信号線路の高周波信号の導通がオフする。また、その逆に、信号線路と可動電極間の間隔を広くすると、信号線路と可動電極間の静電容量が小さくなり、信号線路の高周波信号の導通がオンする。つまり、この種のＲＦＭＥＭＳスイッチでは、可動電極を変位させて当該可動電極と信号線路間の静電容量を可変することにより、高周波信号導通部の高周波信号の導通オン・オフを制御することができる。

J. B.Muldavin, Student Member, IEEEら著、「High-Isolation CPW MEMS Shunt Switches-Part1: Modeling」、IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY TECHNIQUES, Vol.48. No.6June 2000, p1045-1052.

しかしながら、従来のＲＦＭＥＭＳスイッチは、可動電極が１つのスイッチ素子に１つだけ設けられる構成であり、スイッチとしての挿入損失や反射損失の低減、アイソレーション特性の向上を十分に行えない可能性があった。

本発明の目的は、スイッチとしての挿入損失や反射損失の低減、アイソレーション特性の向上を十分に行うことができるＲＦＭＥＭＳスイッチを提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明は次のような構成をもって前記課題を解決するための手段としている。すなわち、この発明は、基板と、この基板上に形成される高周波信号導通部と、基板の上方側に基板と間隔を介して配置され高周波信号導通部の少なくとも一部分に対向する単一の可動体と、この可動体に形成され高周波信号導通部に対向する可動電極と、静電引力を利用して可動体を基板に対して遠近方向に変位させる可動体変位手段とを有し、可動電極は可動体に複数形成されて互いに高周波信号導通部の信号導通方向に間隔を介して配列され、これら複数の可動電極間の高周波信号導通部が系のインピーダンスより高い特性インピーダンスを有する構成をもって、高周波信号導通部に導通される高周波信号波長の１／４以下の長さの伝送線路として機能し、前記可動体は、高周波信号に対しては絶縁体として振る舞い、かつ、低周波信号および直流信号に対しては電極として振る舞う高抵抗半導体により構成されており、基板上には可動体の一部分に対向する可動用固定電極が形成され、この可動用固定電極と、前記電極として機能する可動体とは、当該可動用固定電極と可動体間の直流電圧印加による静電引力によって可動体を可動用固定電極側に変位させる可動体変位手段を構成していることを特徴としている。

また、この発明は、基板と、この基板上に形成される高周波信号導通部と、基板の上方側に基板と間隔を介して配置され高周波信号導通部の少なくとも一部分に対向し、かつ、高周波信号導通部の信号導通方向に互いに間隔を介して配置された複数の可動体と、それぞれの可動体に形成され高周波信号導通部に対向する可動電極と、静電引力を利用して可動体を基板に対して遠近方向に変位させる可動体変位手段とを有し、複数の可動電極間の高周波信号導通部が系のインピーダンスより高い特性インピーダンスを有する構成をもって、高周波信号導通部に導通される高周波信号波長の１／４以下の長さの伝送線路として機能し、前記可動体は、高周波信号に対しては絶縁体として振る舞い、かつ、低周波信号および直流信号に対しては電極として振る舞う高抵抗半導体により構成されており、基板上には可動体の一部分に対向する可動用固定電極が形成され、この可動用固定電極と、前記電極として機能する可動体とは、当該可動用固定電極と可動体間の直流電圧印加による静電引力によって可動体を可動用固定電極側に変位させる可動体変位手段を構成していることも特徴としている。

さらに、この発明は、基板と、この基板上に形成される高周波信号導通部と、基板の上方側に基板と間隔を介して配置され高周波信号導通部の少なくとも一部分に対向し、かつ、高周波信号導通部の信号導通方向に互いに間隔を介して配置された複数の可動体と、それぞれの可動体に形成され高周波信号導通部に対向する可動電極と、静電引力を利用して可動体を基板に対して遠近方向に変位させる可動体変位手段とを有し、複数の可動電極間の高周波信号導通部が系のインピーダンスより高い特性インピーダンスを有する構成をもって、高周波信号導通部に導通される高周波信号波長の１／４以下の長さの伝送線路として機能しており、１つの可動体に複数の可動電極が形成されて、これらの可動電極が互いに高周波信号導通部の信号導通方向に互いに間隔を介して配置され、可動体は、高周波信号に対しては絶縁体として振る舞い、かつ、低周波信号および直流信号に対しては電極として振る舞う高抵抗半導体により構成されており、基板上には可動体の一部分に対向する可動用固定電極が形成され、この可動用固定電極と、前記電極として機能する可動体とは、当該可動用固定電極と可動体間の直流電圧印加による静電引力によって可動体を可動用固定電極側に変位させる可動体変位手段を構成していることも特徴とする。

この発明によれば、複数の可動電極が高周波信号導通部の信号導通方向に間隔を介して配列形成されているので、次に示すような効果を得ることができる。つまり、全ての可動電極が設定の信号オン位置に配置されているときに、各可動電極にそれぞれ対向する高周波信号導通部の位置でそれぞれ反射される高周波信号は合成されることとなる。例えば、２つの合成される反射信号の位相が互いに逆相である場合には、それら反射信号は合成により互いに打ち消しあって、反射信号の合成信号の振幅を零にすることができる。このようなことを考慮して、各可動電極にそれぞれ対向する高周波信号導通部の位置でそれぞれ反射される高周波信号の合成信号の振幅が、複数の可動電極のうちのそれぞれ単一の可動電極に対向する高周波信号導通部の位置で反射された信号の振幅よりも小さく抑えられるように、各可動電極間の高周波信号導通部を介した電気的な長さ（可動電極間に位置する高周波信号導通部の電気的な長さ）を設定することによって、高周波信号導通部の高周波信号の導通オン時における高周波信号の反射信号の振幅（エネルギー）を小さく抑制することができる。これにより、反射損失を小さくすることができて、ＲＦＭＥＭＳスイッチの特性向上を図ることができる。

また、静電引力を利用して基板上の高周波信号導通部に対して遠近方向に変位する可動体が設けられ、当該可動体に形成される可動電極が互いに高周波信号の導通方向に間隔を介して複数設けられ、これら複数の可動電極間の高周波信号導通部が系のインピーダンスより高い特性インピーダンスを有する構成をもって、高周波信号導通部に導通される高周波信号波長の１／４以下の長さの伝送線路として機能する構成を備えることによって、スイッチとしての挿入損失や反射損失の低減、アイソレーション特性の向上を十分に行うことができる。

さらに、単一の可動体を有し、この可動体に複数の可動電極を形成したものにあっては、小さい消費電力でＲＦＭＥＭＳスイッチを動作でき、単一の可動体を有して該可動体に１つの可動電極を形成して成るＲＦＭＥＭＳスイッチに比べてコスト増もほとんど無く、上記のように、スイッチとしての特性向上を十分に行うことができる。

さらに、複数の可動体を有してこれらの可動体にそれぞれ可動電極を形成したものにあっては、可動体の変位制御の精度を向上させることが容易となるので、スイッチとしての特性をより一層向上させることができる。

さらに、可動体を高抵抗半導体により構成しているため、可動体は低周波信号および直流信号に対しては電極として振る舞うことができるので、可動体自体を可動体変位手段の電極として機能させることができる。これにより、可動体に可動体変位手段の電極を別に形成しなくて済むこととなるので、ＲＦＭＥＭＳスイッチの構造および製造工程の簡略化を図ることができる。また、高抵抗半導体は、高周波信号に対しては非常に低い誘電体損失を持つ性質であることから、可動体を高抵抗半導体により構成することによって、高周波信号のロスを低減することが可能となる。

さらに、対向し合う高周波信号導通部の表面と可動電極の表面とのうちの少なくとも一方には絶縁膜が形成されているものにあっては、高周波信号導通部あるいは可動電極の保護を図ることができる。また、高周波信号導通部と可動電極は接触することがないので、高周波信号導通部と可動電極の接触による接触抵抗に起因した信号のロスを確実に防止することができる。

さらに、高周波信号導通部はコプレーナー線路とマイクロストリップ線路のうちの一方側と成し、ＲＦＭＥＭＳスイッチはシャントスイッチ素子であるものにあっては、コプレーナー線路やマイクロストリップ線路を流れる高周波信号導通オン・オフを上記のように、低挿入損失、低反射損失、高アイソレーションで行うことができるシャントスイッチ素子を実現できる。

さらに、ＲＦＭＥＭＳスイッチは、互いに対向する高周波信号導通部と可動電極の少なくとも一部が互いに直接接触と離間とを行うことにより高周波信号導通部の信号の導通オン・オフを制御するものにあっては、ＬＣ共振を使用していないため、高周波信号の周波数に影響されずに帯域幅の広いアイソレーション特性を有するスイッチが可能となる。

さらに、高周波信号導通部との間に静電容量を発生させる可動電極と、この可動電極が設けられている可動体を静電引力を利用して変位させるための可動体変位用可動側電極とをそれぞれ独立に設計することができ、電極設計の自由度を高めることができる。

以下に、この発明に係る実施形態例を図面に基づいて説明する。

図１（ａ）には本発明に係るＲＦＭＥＭＳスイッチの一例が模式的な平面図により示され、図１（ｂ）には図１（ａ）のＡ−Ａ'部分の断面図が模式的に示されている。

この第１実施形態例のＲＦＭＥＭＳスイッチ１は、高周波回路に組み込まれてコプレーナー線路のスイッチ素子として機能するものである。このＲＦＭＥＭＳスイッチ１において、基板２（例えばシリコン基板やサファイア基板など）を有し、この基板２上には高周波信号導通部であるコプレーナー線路（ＣＰＷ線路）３が形成されている。このコプレーナー線路３は、信号線３ｓを２本のグランド線３g1，３g2が間隔を介し挟み込む形態で配置されて成る高周波信号伝送用の線路であり、それら線路３ｓ，３g1，３g2は、例えばＡｕ等の導体膜により構成される。また、その線路３ｓ，３g1，３g2の厚みは適宜設定されるものであるが、その一例を挙げるとすると、例えば約２μｍ程度である。この第１実施形態例では、コプレーナー線路３には例えば５ＧHz以上の高周波の信号が流れる。

また、基板２の上方側には基板２と間隔を介して上部部材（例えばガラス基板）４が配置されている。この上部部材４は固定部５（５ａ，５ｂ）を介して基板２に固定されている。さらに、基板２と上部部材４間の間隙には、単一の可動体６が、コプレーナー線路３の上方側に間隔を介し、かつ、コプレーナー線路３の信号線３ｓとグランド線３g1，３g2の一部分に共通に対向させて配置されている。この可動体６は、基板２に対して遠近方向に変位が可能となるように梁７（７ａ，７ｂ）と支持部８（８ａ，８ｂ）を介して上部部材４に支持されている。

可動体６は枠形状と成しており、可動体６における基板２側の面には、例えばＡｕ等の導体膜から成る２つの可動電極１０（１０ａ，１０ｂ）が形成されている。これらの可動電極１０ａ，１０ｂは、互いにコプレーナー線路３の信号導通方向（信号線３ｓの長手方向）に間隔を介して配列している。図２（ａ）には、基板２上に配置された可動体６の配置構成が梁７（７ａ，７ｂ）および支持部８（８ａ，８ｂ）と共に模式的な斜視図により示されており、図２（ｂ）にはそのＡ−Ａ’部分の断面図が示されている。

また、図３（ａ）には上部部材４の位置から見た可動体６および可動電極１０と、コプレーナー線路３との配置関係例が簡略化されて示され、また、図３（ｂ）には可動電極１０（１０ａ，１０ｂ）とコプレーナー線路３を横側から見た配置関係例が示されている。これらの図示の如く、可動電極１０ａ，１０ｂは、それぞれ、コプレーナー線路３のグランド線３g1から信号線３ｓを介しグランド線３g2にかけて跨ぐように、かつ、それら線路３ｓ，３g1，３g2と間隔を介し対向させて配設されている。

信号線３ｓやグランド線３g1，３g2の幅や間隔は特に限定されるものではないが、一例を挙げると、図３（ａ）に示すように、可動電極１０ａ，１０ｂ間に挟まれている領域における信号線３ｓとグランド線３g1，３g2との間の間隔（ギャップ）Ｗ１＝Ｗ３＝４１μｍであり、信号線３ｓの幅Ｗ２＝３０μｍである。これに対して、可動電極１０ａ，１０ｂ間に挟まれていない領域における信号線３ｓとグランド線３g1，３g2との間の間隔Ｗ４＝Ｗ６＝３１μｍであり、信号線３の幅Ｗ５＝５０μｍである。このように、第１実施形態例においては、可動電極１０ａ，１０ｂ間に挟まれている領域の信号線３ｓの幅を可動電極１０ａ，１０ｂ間に挟まれていない領域の信号線３ｓの幅よりも狭く形成している。また、ＲＦＭＥＭＳスイッチ１における信号線３ｓの全長は２ｍｍとしている。

図１（ｂ）に示すように、この第１実施形態例では、可動電極１０（１０ａ，１０ｂ）の表面には保護用の絶縁膜１１が形成されている。この絶縁膜１１は、例えばＳｉＮ等の絶縁体により構成され、膜厚が例えば０．１μｍ程度という如く、非常に薄い膜である。

さらにまた、上部部材４には、可動体６に対向する部位に、凹部４ａが形成されており、この凹部４ａの内壁面には可動体６に対向する可動用固定電極１２（１２ａ，１２ｂ）が形成されている。また、上部部材４には、当該上部部材４の表面から可動用固定電極１２ａ，１２ｂに至るスルーホール１３ａ，１３ｂが形成され、また、上部部材４の表面から支持部８（８ｂ）に至るスルーホール１３ｃが形成されている。さらに、上部部材４の表面には、各スルーホール１３ａ，１３ｂ，１３ｃにそれぞれ接続する電極パッド１４ａ，１４ｂ，１４ｃが形成されている。

この第１実施形態例において、可動体６は高抵抗半導体により構成されている。高抵抗半導体とは、高周波信号（例えば約５ＧHz以上の信号）に対しては絶縁体として振る舞い、低周波信号（例えば約100ｋHz以下の信号）および直流信号に対しては電極として振る舞うことができる高い抵抗率を有する半導体である。この第１実施形態例では、可動体６を構成する高抵抗半導体は、1000Ωcm以上、かつ、10000Ωcm以下の範囲内の抵抗率を有している。なお、この第１実施形態例では、梁７と支持部８は可動体６と同じ材料により構成されている。

また、高抵抗半導体の一例である高抵抗シリコンは、誘電体損失（tanδ）に関して次のような性質を有する。つまり、図８の実線Ｂに示す如く、ガラス等の絶縁体は、高周波領域において、周波数が高くなるに従って誘電体損失が大きくなる。これに対して、高抵抗シリコンは、高周波領域において絶縁体として振る舞うのに、図８の実線Ａに示すように、周波数が高くなるに従って誘電体損失が小さくなるというものである。なお、図８のグラフにおいて、実線Ａは、抵抗率2000Ωcmを持つ高抵抗シリコンに関するものであり、実線ａにより囲まれている領域内の値は実験値であり、それ以外は文献値である。また、実線Ｂはパイレックス（登録商標）ガラスに関する文献値である。

この第１実施形態例では、コプレーナー線路３を流れる信号は５ＧHz以上の高周波信号である。この高周波信号に対しては、高抵抗半導体から成る可動体６は、当該可動体６を絶縁体により構成する場合と同等、あるいは、それ以上の良好な誘電体損失の特性を有する。

前記の如く、高抵抗半導体から成る可動体６は、直流信号（直流電圧）に対しては当該可動体６自体を電極として機能させることができることから、この第１実施形態例では、電極としての可動体６と、可動用固定電極１２ａ，１２ｂとによって、可動体６を変位させる可動体変位手段が構成されている。つまり、電極パッド１４ａ，１４ｂ，１４ｃとスルーホール１３ａ，１３ｂ，１３ｃを介して外部から直流電圧（例えば５Ｖ程度の直流電圧）を可動体６と可動用固定電極１２（１２ａ，１２ｂ）との間に印加すると、当該可動体６と可動用固定電極１２間に静電引力が発生する。この静電引力によって可動体６は、図１（ｂ）の矢印Ｂに示すように、可動用固定電極１２側に引き寄せられる。このように、可動体６と可動用固定電極１２により静電引力を利用して可動体６を変位させることができる。すなわち、この第１実施形態例では、可動体６と、可動用固定電極１２とによって、可動電極１０ａ，１０ｂを同時にコプレーナー線路３に対して遠近方向の同じ方向に変位させるための可動電極変位手段が構成されている。

また、この第１実施形態例では、外部からの直流電圧が可動体６と可動用固定電極１２（１２ａ，１２ｂ）間に印加されていないときには、例えば可動電極１０上の絶縁膜１１がコプレーナー線路３に接触している、または、近接している状態となる。この状態では、可動電極１０とコプレーナー線路３間の間隔は絶縁膜１１の厚み（例えば０．１μｍ）程度というように非常に狭く、可動電極１０とコプレーナー線路３間の静電容量は大きくなる。

ところで、従来のＲＦＭＥＭＳスイッチは、例えば図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、可動電極１０は１つだけであった。なお、図１１（ａ）は、１つの可動電極１０を有するＲＦＭＥＭＳスイッチにおいて、基板２上に配置された可動体６の配置構成例を梁７（７ａ，７ｂ）および支持部８（８ａ，８ｂ）と共に斜視図により模式的に示したものである。図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＡ−Ａ'部分の断面図である。

その１つだけ設けられた可動電極１０と、コプレーナー線路３との配置関係は、図１２（ａ）の平面図および図１２（ｂ）の側面図および図１４（ａ）の斜視図に示すようになる。また、図１３（ａ）には図１２（ｂ）に示される可動電極１０およびコプレーナー線路３の等価回路が示されている。なお、これらの図において、Ｃ_１は可動電極１０とグランド線３g1間の静電容量を示し、Ｃ_２は可動電極１０とグランド線３g2間の静電容量を示し、Ｃ_３は可動電極１０と信号線３ｓ間の静電容量を示している。また、Ｌ_Ｓ１，Ｒ_Ｓ１は、それぞれ、可動電極１０のグランド線３g1側のインダクタンス値、抵抗値を示し、Ｌ_Ｓ２，Ｒ_Ｓ２は、それぞれ、可動電極１０のグランド線３g2側のインダクタンス値、抵抗値を示す。

図１３（ａ）の等価回路を整理すると、図１３（ｂ）（図１４（ｂ））に示すように表すことができる。なお、近似的に、静電容量Ｃは、Ｃ＝１／（（１／（Ｃ_１＋Ｃ_２））＋（１／Ｃ_３））の数式に基づくものである。インダクタンスＬ_Ｓは、Ｌ_Ｓ＝１／（（１／Ｌ_Ｓ１）＋（１／Ｌ_Ｓ２））の数式に基づくものである。抵抗Ｒ_Ｓは、Ｒ_Ｓ＝１／（（１／Ｒ_Ｓ１）＋（１／Ｒ_Ｓ２））の数式に基づくものである。

第１実施形態例のＲＦＭＥＭＳスイッチ１においても、１つの可動電極１０だけに注目すると、一つの可動電極１０とコプレーナー線路３の等価回路は上記と同様である。この第１実施形態例の場合、２つの可動電極１０（１０ａ，１０ｂ）を、互いにコプレーナー線路３の信号導通方向に間隔を介して配列していることから、それら可動電極１０ａ，１０ｂと、コプレーナー線路３との等価回路は、図４（ａ）に示すようになる。

第１実施形態例のＲＦＭＥＭＳスイッチ１では、可動体６が基板２側に下がっていて可動電極１０とコプレーナー線路３間の間隔が狭く、当該可動電極１０とコプレーナー線路３間の静電容量Ｃが大きくなったときに、図４（ａ）の等価回路におけるＬＣの直列共振周波数ｆが信号線３ｓを流れる高周波信号の周波数と同じ又は近い値になるように（つまり、可動電極１０のダウン時の等価直列容量をＣ_ＤＯＷＮとしたときに、ｆ＝１／｛２π√（Ｌ_Ｓ・Ｃ_ＤＯＷＮ）｝となるように）設計される。なお、一般に、図１１に示した構成の可動電極１０を１つだけ有するＲＦＭＥＭＳスイッチも、図１３（ｂ）に示した等価回路において同様の設計が行われる。

その結果、可動電極１０のダウン時は、信号線３ｓ側から可動電極１０を介してグランド側を見たときのＬＣ回路部分のインピーダンス（可動電極１０の近傍のコプレーナー線路３の信号線３ｓとグランド間のインピーダンス）が非常に小さくなり、極小値（Ｒｓ＝０．１〜１Ω）となる。つまり、信号線３ｓから可動電極１０を介してグランド側を見たときに短絡と等価な状態となる。これにより、コプレーナー線路３を導通している高周波信号は、可動電極１０に対向するコプレーナー線路３の位置で図４（ｂ）の等価回路図の矢印Ｄのように反射されることとなって、コプレーナー線路３の高周波信号の導通がオフする。

また、可動体６が基板２から離れる方向に（つまり、上側に）変位して、可動電極１０とコプレーナー線路３間の間隔が例えば３μｍ程度に広がると、可動電極１０とコプレーナー線路３間の静電容量Ｃが小さくなり、信号線３ｓ側から可動電極１０を介してグランド側を見たときのインピーダンスが非常に大きくなる。つまり、信号線３ｓから可動電極１０を介してグランド側を見たときにオープンと等価な状態となる。これにより、図４（ｃ）の等価回路図の矢印Ｕに示されるように、コプレーナー線路３の信号の導通はオンする。

換言すれば、この第１実施形態例のＲＦＭＥＭＳスイッチ１では、可動電極１０がコプレーナー線路３に近付いて設定の信号オフ位置に配置されたときに、コプレーナー線路３の高周波信号は可動電極１０に対向する位置で反射することとなり、コプレーナー線路３の高周波信号の導通がオフする。また、可動電極１０がコプレーナー線路３から離れる方向に変位して設定の信号オン位置に配置されたときには、コプレーナー線路３の高周波信号の導通がオンする。

ところで、第１実施形態例では、２つ可動電極１０ａ，１０ｂ間のコプレーナー線路３が、系のインピーダンスより高い特性インピーダンスを有する構成をもって、コプレーナー線路３に導通される高周波信号の波長の１／４以下の長さの伝送線路として機能することを特徴としている。これにより、２つ可動電極１０ａ，１０ｂ間のコプレーナー線路３は整合回路として機能する。

具体的には、２つの可動電極１０ａ，１０ｂ間に位置するコプレーナー線路３の特性インピーダンスおよび線路長は、可動電極１０ａ，１０ｂがアップ時に、最も信号が通りやすくなるように、つまり、反射が極小になるように、以下のような式（１）、（２）にしたがって最適設計（整合設計）が行われる。

Ｚ_１＝Ｚ_０／ｓｉｎθ・・・・・（１）

１／（ωＣ_ＵＰ）−ωＬ_Ｓ＝Ｚ_０／ｃｏｓθ・・・・・（２）

ここで、Ｚ_０は系のインピーダンスである。θは２つの可動電極１０（１０ａ，１０ｂ）間のコプレーナー線路３の電気的な長さ（電気長）であり、θが９０度でλ／４となる（λはコプレーナー線路３に導通される高周波信号波長）。また、ωはコプレーナー線路３に導通される高周波信号の角周波数である。Ｃ_ＵＰは可動電極１０（１０ａ，１０ｂ）アップ時における可動電極一つ当たりの等価直列容量である。Ｌ_ｓは可動電極一つ当たりの等価直列インダクタンスである。

換言すれば、この第１実施形態例では、可動電極１０（１０ａ，１０ｂ）のアップ時（可動電極１０（１０ａ，１０ｂ）が設定の信号オン位置に配置されているとき）において、２つの可動電極１０ａ，１０ｂ間に位置するコプレーナー線路３の電気的な長さ（電気長）が、コプレーナー線路３を導通する高周波信号波長λの１／４又はそのλ／４から設定の許容範囲を越えない値となるように、可動電極１０のアップ時における可動電極１０とコプレーナー線路３間の静電容量Ｃ_ＵＰを考慮して、可動電極１０ａ，１０ｂ間のコプレーナー線路３の物理的な長さ等が設計される。なお、可動電極１０ａ，１０ｂ間に位置するコプレーナー線路３部分の電気的な長さとは、物理的な長さとは異なり、コプレーナー線路３を導通する高周波信号にとっての電気的な長さであり、コプレーナー線路３を導通する高周波信号の周波数に応じて変化するものである。また、その可動電極１０ａ，１０ｂ間のコプレーナー線路３部分の電気的な長さには、可動電極１０ａ，１０ｂとコプレーナー線路３間の静電容量Ｃ（Ｃ_ＵＰ）が関与しており、その静電容量Ｃ（Ｃ_ＵＰ）が関与する分、可動電極１０ａ，１０ｂ間のコプレーナー線路３部分の電気的な長さは、そのコプレーナー線路３部分の物理的な長さよりも長くなっている。

この第１実施形態例では、可動電極１０ａ，１０ｂとコプレーナー線路３間の静電容量Ｃ（Ｃ_ＵＰ）を考慮した、可動電極１０ａ，１０ｂ間のコプレーナー線路３部分の電気的な長さ（ここでは、可動電極１０ａ，１０ｂ間のコプレーナー線路３を介した電気的な長さという）が、コプレーナー線路３を導通している高周波信号波長λの１／４又はそのλ／４から設定の許容範囲を越えない値となるように、設計されるので、可動電極１０のアップ時において、高周波信号の反射を非常に小さく抑制することができる。それというのは、次に示すような理由による。

つまり、可動電極１０ａ，１０ｂがアップの状態にあるとき（コプレーナー線路３の高周波信号の導通がオン状態であるとき）において、可動電極１０とコプレーナー線路３間に僅かながら静電容量Ｃ_ＵＰが生じているために、コプレーナー線路３を導通している高周波信号の一部が、図４（ｃ）の矢印ｄに示されるように、可動電極１０ａ，１０ｂに対向するコプレーナー線路３の位置でそれぞれ反射してしまう。この第１実施形態例では、２つの可動電極１０ａ，１０ｂが設けられているので、例えば、可動電極１０ａから可動電極１０ｂに向かう方向に高周波信号が通電しているとした場合には、可動電極１０ｂに対向するコプレーナー線路３の位置で反射した高周波信号（反射信号Ｓb）は可動電極１０ａ側に戻って、可動電極１０ａに対向するコプレーナー線路３の位置で反射した高周波信号（反射信号Ｓa）と合成されることとなる。

この第１実施形態例では、可動電極１０ａ，１０ｂ間のコプレーナー線路３部分の電気的な長さが、高周波信号波長λの１／４又はその近傍となるように設計されているので、反射信号Ｓbは、反射信号Ｓaと合成する際に、その反射信号Ｓaよりもλ／２又はその近傍の長さ分だけ進んだ信号となる。つまり、反射信号Ｓaが例えば図４（ｄ）の実線Ｓaに示されるような波形を有している場合に、その反射信号Ｓaと合成する反射信号Ｓbは、例えば図４（ｄ）の点線Ｓbに示される波形のように、反射信号Ｓaと逆相又はほぼ逆相となる。このため、反射信号Ｓaと反射信号Ｓbは合成により互いに打ち消しあって、その合成信号の振幅は零又はほぼ零となる。

このように、この第１実施形態例では、可動電極１０を２つ設け、それら可動電極１０ａ，１０ｂ間のコプレーナー線路３部分の電気的な長さが、高周波信号波長λの１／４又はその近傍となるように設計したので、コプレーナー線路３の高周波信号の導通がオン状態であるときにおいて、可動電極１０が１つだけしか設けられておらず図１４（ａ）、（ｂ）の矢印Ｄに示されるように反射信号が１つだけである構成のものに比べて、反射信号Ｓa，Ｓbの合成によって合成の反射信号の振幅を小さく抑制することができることとなる。

ここで、最適設計（整合設計）の一具体例を、図３（ａ）を参照しながら説明する。Ｚ_０＝５０Ω（例えば、信号線３ｓの線路幅Ｗ５が５０μｍで、信号線３ｓとグランド線３g1，３g2の間隔（ギャップ）Ｗ４、Ｗ６が３１μｍの場合）、θ＝５３°（例えば可動電極１０ａ，１０ｂ間の信号線３ｓの長さｌ_２が２３２μｍで高周波信号周波数が７６．５ＧＨｚの場合）、Ｚ_１＝６３Ω（例えば、可動電極１０ａ，１０ｂ間の信号線３ｓの線路幅Ｗ２が３０μｍで、信号線３ｓとグランド線３g1，３g2の間隔Ｗ１、Ｗ３が４１μｍの場合）、ｌ_１＝８４４μｍ、ｌ_３＝９２４μｍ、Ｒ_Ｓ＝０．２５Ω、Ｃ_ＵＰ＝２０ｆＦ、Ｌ_Ｓ＝４３．２８ｐＨとする。この場合、高周波信号周波数と挿入損失の関係は図５の特性線ａに示すようになり、高周波信号周波数と反射損失の関係は図６の特性線ａに示すようになる。なお、図３（ａ）は模式図であり、ｌ_１、ｌ_２、ｌ_３は、上記値に対応した長さに示されていない。

図５、図６の特性線ｂは、図１１に示したような、１つの可動電極１０を有するＲＦＭＥＭＳスイッチ１における挿入損失の周波数特性と反射損失の周波数特性をそれぞれ示している。この特性線ｂは、Ｚ_０＝５０Ωとし、Ｒ_ｓ，Ｃ_ＵＰ，Ｌ_ｓが、それぞれ、上記同様のＲ_ｓ＝０．２５Ω、Ｃ_ＵＰ＝２０ｆＦ、Ｌ_ｓ＝４３．２８ｐＨとし、図１１（ａ）に示すｌ_１、ｌ_２の長さをそれぞれ、ｌ_１＝１０００μｍ、ｌ_２＝１０００μｍとした条件の下で、求められたものである。

図５、図６に示すように、第１実施形態例のＲＦＭＥＭＳスイッチ１では、複数の可動電極１０（１０ａ，１０ｂ）を同時に変位させることにより、１つの可動電極１０を有する構成のものに比べて、コプレーナー線路３に入力される高周波信号波長が７６．５ＧＨｚを中心にして反射損失を格段に向上でき、また、挿入損失も低減することができる。

さらに、第１実施形態例において、可動電極１０ａ，１０ｂのダウン時には、信号は遮断される。このときのアイソレーション特性は図７の特性線ａに示すようになる。これに対して、可動電極１０を１つだけ設けて成るＲＦＭＥＭＳスイッチにおいては、アイソレーション特性は図７の特性線ｂに示すようになる。それら特性線ａ，ｂに示されるように、この第１実施形態例のＲＦＭＥＭＳスイッチ１は、可動電極１０を１つだけ設けて成るＲＦＭＥＭＳスイッチよりも、アイソレーション特性を向上できている。なお、図７の特性線ａ，ｂは、それぞれ、Ｃ_ＤＯＷＮ＝１００ｆＦとした以外は、図５、図６の特性線ａ，ｂを求めた条件と同じ条件でアイソレーションを求めた結果である。

以上のように、この第１実施形態例のＲＦＭＥＭＳスイッチ１は、スイッチとしての挿入損失や反射損失の低減、アイソレーション特性の向上を十分に行うことができる。

また、この第１実施形態例では、単一の可動体６に２つの可動電極１０を形成しており、この可動体６を支持する梁７や支持部８の構成等は１つの可動電極１０を有するＲＦＭＥＭＳスイッチと同様に形成できるし、小さい消費電力で２つの可動電極１０ａ，１０ｂを同時に動かしてスイッチング動作できる。

さらに、この第１実施形態例では、可動体６が高抵抗半導体により構成されているので、前記の如く、可動体６自体が可動体変位手段の電極として機能することができる。これにより、可動体６に、可動体変位手段を構成するための電極を形成しなくてすむので、ＲＦＭＥＭＳスイッチ１の構造および製造工程の簡略化をより一層図ることができ、ＲＦＭＥＭＳスイッチ１の低コスト化を図ることができる。

また、高抵抗半導体から成る可動体６は、高周波信号に対しては絶縁体の如く振る舞い、その誘電体損失（tanδ）は絶縁体と同等、あるいは、それ以上に良好となることから、高周波信号の伝搬ロスを低減することができる。近年、信号は高周波化の傾向にあり、可動体６を絶縁体により構成すると、信号の高周波化により可動体６の誘電体損失は大きくなって（図８の実線Ｂ参照）、可動体６に因る信号の伝搬ロスの増加が懸念される。これに対して、この第１実施形態例では、可動体６を高抵抗半導体により構成することにより、信号が高周波化するにつれて可動体６の誘電体損失が小さくなる（図８の実線Ａ参照）。このことから、信号の高周波化によって、可動体６に因る信号の伝搬ロスを低減することができる。このように、この第１実施形態例の構成は、今後、非常に有効となるものである。

さらに、例えば仮にコプレーナー線路３と可動電極１０（１０ａ，１０ｂ）が直接接触により結合する構成とすると、ＬＣ共振を使用していないため、高周波信号の周波数に影響されずに帯域幅の広いアイソレーション特性を有するスイッチを構成することが可能となる。しかし、その一方で、抵抗値Ｒ_Ｓに接触抵抗成分が含まれて抵抗値Ｒ_Ｓが大きくなってしまう。これにより、信号のロスが増加する。これに対して、この第１実施形態例では、コプレーナー線路３と可動電極１０（１０ａ，１０ｂ）は静電容量を介して結合する構成であるので、コプレーナー線路３と可動電極１０（１０ａ，１０ｂ）間に接触抵抗は発生せず、信号のロスを抑制することができる。

以下に、第２実施形態例を説明する。なお、この第２実施形態例の説明において、第１実施形態例と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部分の重複説明は省略する。

この第２実施形態例では、図１に示したような、可動体６を外部と導通させるためのスルーホール１３ｃと電極パッド１４ｃが省略されている。この構成により、可動体６は電気的に浮遊した構成となっている。この構成以外の構成は第１実施形態例と同様であり、第１実施形態例と同様の効果を奏することができる。また、第２実施形態例は、スルーホール１３ｃと電極パッド１４ｃを省略した構成により、第１実施形態例の構成よりも、構造を簡略化することができる。また、製造コストを低減することができる。

以下に、第３実施形態例を説明する。なお、この第３実施形態例の説明において、第１や第２の各実施形態例と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部分の重複説明は省略する。

この第３実施形態例では、可動用固定電極１２を可動体６の上方側に設けるのではなく、図９に示すように、可動用固定電極１２（１２ａ，１２ｂ）は、可動体６の下方側、つまり、基板２上に、可動体６の一部分に対向させて設けられている。第１や第２の各実施形態例では、可動用固定電極１２を可動体６の上方側に配置するために上部部材４が形成されていたが、この第３実施形態例では、可動用固定電極１２が基板２上に形成される構成であるために、上部部材４を設けなくとも済むので、当該上部部材４は省略されている。また、可動体６は、上部部材４に支持されるのに代えて、梁７を介して、基板２に固定されている固定部１６（１６ａ，１６ｂ）に支持されている。

この第３実施形態例では、可動用固定電極１２は可動体６上に形成されているために、可動体６と可動用固定電極１２間に直流電圧を印加すると、可動体６は基板２側に引き寄せられる構成となる。このため、可動体６と可動用固定電極１２間に直流電圧を印加していないときには、図９に示すように、可動電極１０上の絶縁膜１１と、コプレーナー線路３との間には間隙が形成されて可動電極１０のアップ状態となり、可動電極１０とコプレーナー線路３間の静電容量が小さくなって、コプレーナー線路３の高周波信号の導通がオンする。また、可動体６と可動用固定電極１２間に直流電圧を印加したときには、可動体６が基板２側に引き寄せられて可動電極１０はダウン状態となって可動電極１０とコプレーナー線路３間の静電容量が大きくなり、これにより、コプレーナー線路３の高周波信号の導通はオフする。

この第３実施形態例では、上部部材４を省略することができるので、構造および製造工程の簡略化を図ることができる。

なお、この第３実施形態例では、上部部材４が省略されていたが、例えば可動体６の保護や気密封止を図る観点から、この第３実施形態例の如く可動用固定電極１２を基板２上に形成する構成とした場合においても、第１や第２の各実施形態例と同様に上部部材４およびその固定部５を設けてもよい。

なお、この発明は第１〜第３の各実施形態例に限定されるものではなく、様々な実施の形態を採り得る。例えば、第１や第２の各実施形態例では、上部部材４を基板２に固定する固定部５は基板２の両端側にそれぞれ設けられていたが、固定部５の配設形態は特に限定されるものではなく、例えば可動体６の配設領域を囲うように、基板２の四辺に沿った態様で設けてもよい。このような配設形態の固定部５と、上部部材４とを設けると、可動体６の配設領域を気密封止できるので好ましい。

また、第１〜第３の各実施形態例では、高周波信号導通部として、コプレーナー線路が設けられている例を示したが、高周波信号導通部として、コプレーナー線路以外の例えばマイクロストリップ線路等の線路を形成してもよい。

さらに、各実施形態例では、可動体６を構成する高抵抗半導体として、高抵抗のシリコンを例に挙げたが、シリコン以外の例えばＧａＡｓ等の高抵抗の半導体により、可動体６を構成してもよいものである。

さらに、第１〜第３の各実施形態例では、可動電極１０上に絶縁膜１１が形成されていたが、例えば、絶縁膜１１を可動電極１０に設けるのに代えて、コプレーナー線路３における少なくとも可動電極１０に対向する部分に絶縁膜１１を形成してもよいし、また、対向し合う可動電極１０とコプレーナー線路３の両方の表面に絶縁膜１１を形成してもよい。

さらに、第１〜第３の各実施形態例では、１つの可動体６に２つの可動電極１０を形成したが、１つの可動体６に３つ以上の可動電極１０を形成してもよい。また、１つの可動体６に１つの可動電極１０を形成し、この可動体６を複数設けることによって、複数の可動電極１０を互いに高周波信号導通部の信号導通方向に間隔を介して配列してもよい。さらに、複数の可動電極１０を形成した可動体６を複数設けることにより、複数の可動電極１０を互いに高周波信号導通部の信号導通方向に間隔を介して配列してもよい。３つ以上の可動電極１０が配列形成される場合には、可動電極１０が設定の信号オン位置に配置されているときに、各可動電極１０にそれぞれ対向する高周波信号導通部の位置でそれぞれ反射される高周波信号の合成信号の振幅が、複数の可動電極１０のうちのそれぞれ単一の可動電極１０に対向する高周波信号導通部の位置で反射された信号の振幅よりも小さく抑えられるように、各可動電極１０間の高周波信号導通部を介した電気的な長さが設定される。

さらに、第１〜第３の各実施形態例はシャントスイッチとしたが、互いに対向するコプレーナー線路３等の高周波信号導通部と可動電極１０の少なくとも一部が互いに直接接触と離間を行うことにより高周波信号導通部の高周波信号の導通オン・オフを制御する構成としてもよい。この場合には、例えば２つの可動電極１０ａ，１０ｂを設けて形成されるＲＦＭＥＭＳスイッチの等価回路は図１０（ａ）、（ｂ）のようになる。

つまり、図１０（ａ）の等価回路は、可動電極１０ａ，１０ｂがコプレーナー線路３に直接接触しているとき（可動電極１０ａ，１０ｂが設定の信号オフ位置に配置されているとき）のものである。この場合には、コプレーナー線路３の信号線３ｓが可動電極１０ａ，１０ｂを介して直接的にグランドに短絡することにより、可動電極１０ａ，１０ｂが接触しているコプレーナー線路３の位置で高周波信号が図１０（ａ）の矢印Ｄのように反射して、コプレーナー線路３の高周波信号の導通がオフする。

また、図１０（ｂ）の等価回路は、可動電極１０ａ，１０ｂがコプレーナー線路３から離れて可動電極１０ａ，１０ｂが設定の信号オン位置に配置されているときのものである。この場合には、可動電極１０ａ，１０ｂとコプレーナー線路３間の静電容量Ｃ_ＵＰが小さくなって、信号線３ｓから可動電極１０ａ，１０ｂ（静電容量Ｃ_ＵＰ）を介してグランドを見たときにオープンと等価な状態となる。これにより、コプレーナー線路３の高周波信号の導通はオンとなる。このように可動電極１０ａ，１０ｂのアップ時には、可動電極１０ａ，１０ｂがコプレーナー線路３に直接接触するタイプのものも、第１〜第３の各実施形態例に示すようなシャントスイッチも、同様な状態となる。

可動電極１０ａ，１０ｂがコプレーナー線路３に直接接触する構成を有する場合にも、第１〜第３の各実施形態例と同様に、可動電極１０ａ，１０ｂが設定の信号オン位置に配置されているときにおいて、可動電極１０ａ，１０ｂ間のコプレーナー線路３を介した電気的な長さが、コプレーナー線路３を導通する高周波信号波長λの１／４、又は、そのλ／４から予め定めた許容範囲を越えない長さとなるように、可動電極１０ａ，１０ｂ間の物理的な間隔や、可動電極１０ａ，１０ｂが設定の信号オン位置に配置されているときの可動電極１０ａ，１０ｂとコプレーナー線路３間の間隔や、可動電極１０ａ，１０ｂ間に位置する部分のコプレーナー線路３の物理的な長さ等を設定する。これにより、可動電極１０（１０ａ，１０ｂ）がコプレーナー線路３に直接接触するタイプのものであっても、第１〜第３の各実施形態例と同様に、挿入損失および反射損失の向上を図ることができる。なお、可動電極１０がコプレーナー線路３に直接接触するタイプのものにあっては、アイソレーションの周波数特性は、図７の点線に示される特性線ｃのように、コプレーナー線路３に導通する高周波信号の周波数によらずにアイソレーションがほぼ一定となる。可動電極１０がコプレーナー線路３に直接接触するタイプのものにあっても、可動電極１０を複数設けることによって、アイソレーションの向上を図ることができる。

第１実施形態例のＲＦＭＥＭＳスイッチを説明するための図である。第１実施形態例のＲＦＭＥＭＳスイッチにおける可動体の配置構成を示す説明図である。第１実施形態例のＲＦＭＥＭＳスイッチを構成する可動電極とコプレーナー線路を抜き出して当該可動電極とコプレーナー線路の配置関係の一例を模式的に示すモデル図である。第１実施形態例のＲＦＭＥＭＳスイッチを構成する可動電極とコプレーナー線路部分の等価回路図を用いて、第１実施形態例のＲＦＭＥＭＳスイッチの動作例を説明するための図である。第１実施形態例の構成から得られる効果の一つを説明するための信号導通時における挿入損失の周波数特性の一例を示すグラフである。第１実施形態例の構成から得られる効果の一つを説明するための信号導通時における反射損失の周波数特性の一例を示すグラフである。第１実施形態例の構成から得られる効果の一つを説明するための信号遮断時のアイソレーションの周波数特性の一例を示すグラフである。高抵抗半導体における周波数と誘電体損失（tanδ）の関係例をガラスの場合と比較して示すグラフである。第３実施形態例のＲＦＭＥＭＳスイッチを説明するための説明図である。可動電極が高周波信号導通部との直接接触と離間によって高周波信号導通部の高周波信号の導通オン・オフを制御するタイプのスイッチの動作例を説明するための等価回路図である。可動電極が１つだけしか設けられていない構成を持つＲＦＭＥＭＳスイッチの可動体の配置構成例を説明するための図である。図１１に示す可動体に設けられている可動電極とコプレーナー線路の配置関係の一例を示すモデル図である。図１１の構成を持つＲＦＭＥＭＳスイッチの可動電極とコプレーナー線路部分の等価回路図である。図１１、図１２の構成を持つＲＦＭＥＭＳスイッチにおける信号導通オン・オフ状態を説明するための模式図である。

符号の説明

１ＲＦＭＥＭＳスイッチ
２基板
３コプレーナー線路
４上部部材
６可動体
１０可動電極
１１絶縁膜
１２可動用固定電極

Claims

基板と、この基板上に形成される高周波信号導通部と、基板の上方側に基板と間隔を介して配置され高周波信号導通部の少なくとも一部分に対向する単一の可動体と、この可動体に形成され高周波信号導通部に対向する可動電極と、静電引力を利用して可動体を基板に対して遠近方向に変位させる可動体変位手段とを有し、可動電極は可動体に複数形成されて互いに高周波信号導通部の信号導通方向に間隔を介して配列され、これら複数の可動電極間の高周波信号導通部が系のインピーダンスより高い特性インピーダンスを有する構成をもって、高周波信号導通部に導通される高周波信号波長の１／４以下の長さの伝送線路として機能し、前記可動体は、高周波信号に対しては絶縁体として振る舞い、かつ、低周波信号および直流信号に対しては電極として振る舞う高抵抗半導体により構成されており、基板上には可動体の一部分に対向する可動用固定電極が形成され、この可動用固定電極と、前記電極として機能する可動体とは、当該可動用固定電極と可動体間の直流電圧印加による静電引力によって可動体を可動用固定電極側に変位させる可動体変位手段を構成していることを特徴とするＲＦＭＥＭＳスイッチ。
基板と、この基板上に形成される高周波信号導通部と、基板の上方側に基板と間隔を介して配置され高周波信号導通部の少なくとも一部分に対向し、かつ、高周波信号導通部の信号導通方向に互いに間隔を介して配置された複数の可動体と、それぞれの可動体に形成され高周波信号導通部に対向する可動電極と、静電引力を利用して可動体を基板に対して遠近方向に変位させる可動体変位手段とを有し、複数の可動電極間の高周波信号導通部が系のインピーダンスより高い特性インピーダンスを有する構成をもって、高周波信号導通部に導通される高周波信号波長の１／４以下の長さの伝送線路として機能し、前記可動体は、高周波信号に対しては絶縁体として振る舞い、かつ、低周波信号および直流信号に対しては電極として振る舞う高抵抗半導体により構成されており、基板上には可動体の一部分に対向する可動用固定電極が形成され、この可動用固定電極と、前記電極として機能する可動体とは、当該可動用固定電極と可動体間の直流電圧印加による静電引力によって可動体を可動用固定電極側に変位させる可動体変位手段を構成していることを特徴とするＲＦＭＥＭＳスイッチ。
基板と、この基板上に形成される高周波信号導通部と、基板の上方側に基板と間隔を介して配置され高周波信号導通部の少なくとも一部分に対向し、かつ、高周波信号導通部の信号導通方向に互いに間隔を介して配置された複数の可動体と、それぞれの可動体に形成され高周波信号導通部に対向する可動電極と、静電引力を利用して可動体を基板に対して遠近方向に変位させる可動体変位手段とを有し、複数の可動電極間の高周波信号導通部が系のインピーダンスより高い特性インピーダンスを有する構成をもって、高周波信号導通部に導通される高周波信号波長の１／４以下の長さの伝送線路として機能しており、１つの可動体に複数の可動電極が形成されて、これらの可動電極が互いに高周波信号導通部の信号導通方向に互いに間隔を介して配置され、可動体は、高周波信号に対しては絶縁体として振る舞い、かつ、低周波信号および直流信号に対しては電極として振る舞う高抵抗半導体により構成されており、基板上には可動体の一部分に対向する可動用固定電極が形成され、この可動用固定電極と、前記電極として機能する可動体とは、当該可動用固定電極と可動体間の直流電圧印加による静電引力によって可動体を可動用固定電極側に変位させる可動体変位手段を構成していることを特徴とするＲＦＭＥＭＳスイッチ。
可動体の上方側に間隔を介して対向する上部部材が配設されており、可動用固定電極を基板上に設けるのに代えて、可動用固定電極はその上部部材に可動体の少なくとも一部分に対向させて形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２又は請求項３記載のＲＦＭＥＭＳスイッチ。
対向し合う高周波信号導通部の表面と可動電極の表面とのうちの少なくとも一方には保護用の絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一つに記載のＲＦＭＥＭＳスイッチ。
高周波信号導通部はコプレーナー線路とマイクロストリップ線路のうちの一方側と成し、ＲＦＭＥＭＳスイッチは、可動電極と高周波信号導通部間の静電容量変化を利用して高周波信号導通部であるコプレーナー線路又はマイクロストリップ線路の信号の導通オン・オフを制御するシャントスイッチ素子であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１つに記載のＲＦＭＥＭＳスイッチ。
ＲＦＭＥＭＳスイッチは、互いに対向する高周波信号導通部と可動電極の少なくとも一部が互いに直接接触と離間とを行うことにより高周波信号導通部の信号の導通オン・オフを制御するスイッチ素子であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１つに記載のＲＦＭＥＭＳスイッチ。