CN103943417A - 一种电容式rf mems开关 - Google Patents
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Abstract
一种电容式RF MEMS开关,包括衬底、位于衬底上的缓冲介质层、接地线、共面波导传输线、锚点、绝缘介质层、弹性折叠梁、上电极,所述接地线、共面波导传输线、锚点设于缓冲介质层上,所述绝缘介质层覆于所述共面波导传输线上,所述弹性折叠梁一端与锚点连接,一端与上电极连接,所述上电极与所述绝缘介质层留有间隙,所述弹性折叠梁弯曲形状为n形、弯曲个数为2个、套数为2个;所述上电极分为驱动电极板和电容上极板,所述驱动电极板和电容上极板之间通过双直梁连接。通过优化上极板的支撑结构,从而有效的降低微桥的弹性系数,从而降低电容式RF MEMS开关的驱动电压。实验证明,驱动电压可低于3V。
Description
技术领域
本设计涉及一种电容式RF MEMS开关,属于射频技术领域。
背景技术
RF MEMS开关通常采用静电驱动技术,具有能耗低(数微瓦)、偏置网络简单、开关时间较短(电极尺寸小、膜层薄)等优点,但也存在驱动电压高(30-80 V)等缺点。而移动通信设备的工作电压一般要低很多,如手机的工作电压为3.3 V,需要增加向上变换器。另外,电容式RF MEMS开关的寿命与驱动电压有很大关系,驱动电压每下降5--7V,开关的寿命可延长10年。如何降低驱动电压,不仅和开关的材料有关,还与开关的几何结构紧密相关。
发明内容
本发明的目的是通过优化上极板的支撑结构,从而有效的降低微桥的弹性系数,从而降低电容式RF MEMS开关的驱动电压。
为实现上述目的,本设计是通过以下技术手段来实现的:
一种电容式RF MEMS开关,包括衬底、位于衬底上的缓冲介质层、接地线、共面波导传输线、锚点、绝缘介质层、弹性折叠梁、上电极,所述接地线、共面波导传输线、锚点设于缓冲介质层上,所述绝缘介质层覆于所述共面波导传输线上,所述弹性折叠梁一端与锚点连接,一端与上电极连接,所述上电极与所述绝缘介质层留有间隙,其特征在于:所述弹性折叠梁弯曲形状为n形、弯曲个数为2个、套数为2个;所述上电极分为驱动电极板和电容上极板,所述驱动电极板和电容上极板之间通过双直梁连接。
优选的,所述的一种电容式RF MEMS开关,其特征在于:所述衬底材料选用高阻硅(大于1000Ω·cm),缓冲介质层材料为SiO2,绝缘介质层材料为Si3N4。
优选的,所述的一种电容式RF MEMS开关,其特征在于:所述缓冲介质层厚为1μm,所述绝缘介质层厚度为150nm。
优选的,所述的一种电容式RF MEMS开关,其特征在于:所述驱动电极板和电容上极板、所述弹性折叠梁材料为Si/Al合金。
本发明的有益效果是:本设计通过采用2套弯曲形状为n形、弯曲个数为2个的弹性折叠梁结构的,同时将上电极分为通过双直梁连接的驱动电极板和电容上极板,有效地降低了微桥的弹性系数,从而有效地降低了降低开关的驱动电压,实验证明,驱动电压可低于3V。
附图说明
图1为RF MEMS开关结构示意图,图2为弹性折叠梁结构形状示意图,图3为弹性折叠梁与上电极结构示意图。
附图标号的含义如下:1弹性折叠梁,2上电极,3锚点,4缓冲介质层,5绝缘介质层,6共面波导传输线,7接地线,8衬底,9直梁。
具体实施方式
下面将结合说明书附图,对设计作进一步的说明。
如图1--3所示,一种电容式RF MEMS开关,包括衬底8、位于衬底上的缓冲介质层4、接地线7、共面波导传输线6、锚点3、绝缘介质层5、弹性折叠梁1、上电极2,所述接地线7、共面波导传输线6、锚点3设于缓冲介质层4上,所述绝缘介质层5覆于所述共面波导传输线6上,所述弹性折叠梁1一端与锚点3连接,一端与上电极2连接,所述上电极2与所述绝缘介质层5留有间隙,其特征在于:所述弹性折叠梁1弯曲形状为n形、弯曲个数为2个、套数为2个;所述上电极2分为驱动电极板2-1和电容上极板2-2,所述驱动电极板2-1和电容上极板2-2之间通过双直梁9连接。
降低开关的驱动电压主要有三种措施:降低开关微桥的弹性系数;降低微桥与下电极间的初始间距;增大驱动电极的面积。降低微桥与下电极间的初始间距,开关工作或受到强烈振动时微桥易与信号线发生粘附而使开关失效,并且会降低开关的隔离度;增大驱动电极的面积,会增加开关的几何尺寸。本设计主要是通过开关微桥弹性支撑结构的设计优化,在保持其良好电气性能的同时,通过降低弹性系数降低开关的驱动电压。
优选的,所述的一种电容式RF MEMS开关,其特征在于:所述衬底8材料选用高阻硅(大于1000Ω·cm),缓冲介质层4材料为SiO2,绝缘介质层5材料为Si3N4。
优选的,所述的一种电容式RF MEMS开关,其特征在于:所述缓冲介质层4厚为1μm,所述绝缘介质层5厚度为150nm。
优选的,所述的一种电容式RF MEMS开关,其特征在于:所述驱动电极板2-1和电容上极板2-2、所述弹性折叠梁1材料为Si/Al合金。
以上显示和描述了本设计的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解,本设计不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本设计的原理,在不脱离本设计精神和范围的前提下,本设计还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本设计范围内。本设计要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (4)
1.一种电容式RF MEMS开关,包括衬底、位于衬底上的缓冲介质层、接地线、共面波导传输线、锚点、绝缘介质层、弹性折叠梁、上电极,所述接地线、共面波导传输线、锚点设于缓冲介质层上,所述绝缘介质层覆于所述共面波导传输线上,所述弹性折叠梁一端与锚点连接,一端与上电极连接,所述上电极与所述绝缘介质层留有间隙,其特征在于:所述弹性折叠梁弯曲形状为n形、弯曲个数为2个、套数为2个;所述上电极分为驱动电极板和电容上极板,所述驱动电极板和电容上极板之间通过双直梁连接。
2.如权利要求1所述的一种电容式RF MEMS开关,其特征在于:所述衬底材料选用高阻硅(大于1000Ω·cm),缓冲介质层材料为SiO2,绝缘介质层材料为Si3N4。
3.如权利要求2所述的一种电容式RF MEMS开关,其特征在于:所述缓冲介质层厚为1μm,所述绝缘介质层厚度为150nm。
4.如权利要求1所述的一种电容式RF MEMS开关,其特征在于:所述驱动电极板和电容上极板、所述弹性折叠梁材料为Si/Al合金。
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