JP5213887B2 - 弾性表面波素子 - Google Patents
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Description
止構造を有し、安定して作動させることができる弾性表面波素子に関するものである。
に間隔を開けて対向させて実装することにより、必要な動作空間を確保することが行なわれてきた。また、近年は、デバイスを個片化する前のいわゆる多数個取りウェハ上に、キャビティを有するシリコンウェハやガラスウェハ等から成る封止用の別ウェハを配置し、デバイスを封止するキャビティ内に動作空間を確保する構成も提案されている。なお、これらの封止のための基板と封止用部材との接合には、フリットガラス,BCB(ベンゾシクロブテン)樹脂,熱可塑性樹脂等の接着材を使用することが提案されている(例えば、非特許文献1,非特許文献2,特許文献1を参照。)。
のチップを犠牲材料で覆い、次に、その犠牲材料を覆い、パッドを露出させて樹脂材料から成る封止材を形成して、その上面から犠牲材料にかけて貫通孔を形成し、次にその貫通孔を通して犠牲材料をエッチングにより除去した後、封止材の上面をシーリング樹脂で覆って貫通孔を塞ぐことによって、封止材とシーリング樹脂とで内部の空間にチップを封止する構造が提案されている。これによれば、樹脂材料を用いてウエハレベルで半導体チップを封止することができ、パッドにボンディングワイヤを接続することによって、基板と封止材との間を通して引き出された配線導体を介して圧電デバイスチップを動作させることができる。
バイスに使用される材料が耐熱性の点から限定されるという問題点があるほか、接合部の残留応力が大きくなることにより接合部の強度劣化等が生じるという問題点がある。
いう問題点がある。
の材料からなる段差等がない状態で封止部材が良好に密着し接合することができるため、封止部材の空間内に収容された機械的駆動部を長期にわたって良好に安定して気密に封止することができるため、気密封止の信頼性に優れたデバイス装置となる。
いてもよいし、その外周の全部が空間5内に露出するように配置されていてもよい。
し、これをドライエッチングやリフトオフの手法により配線パターンに加工することによって形成される。
温度で貫通導体7を形成して、配線導体4と接続するとともに貫通孔6を封止することができる。
れ込むことが効果的に防止できる。なお、メッキ法の場合は密着層にスパッタリングや蒸着等の薄膜形成技術を使用するため、貫通孔6のような凹形状の部分の内部への薄膜のカバレッジを考慮すると、空間5の高さが約300μm以下のときに有効である。
封止部材の上面から配線導体に至る金属材料から成る貫通導体を形成して塞ぐ工程とを具備することから、封止部材の内側に空間を形成するのに従来のように基板上に配置されたデバイス上または機械的駆動部上にガラス基板等のバルク材料を実装する必要がなく、またその空間は犠牲材料によって所望の形状・大きさのものを容易に形成することができ、気密信頼性に優れデバイスの機械的駆動部の動作の安定性にも優れた本発明のデバイス装置を得ることができる。
た。
μmの貫通孔6を1チップあたり3個形成した。
しない範囲で種々の変更を加えることは何ら差し支えない。
2・・・機械的動作部(MEMSデバイスの駆動部、または圧電デバイスの発振部、または弾性表面波デバイスの共振部)
3・・・封止部材
4・・・配線導体
5・・・空間
6・・・貫通孔
7・・・貫通導体
8・・・被着層
9・・・犠牲材料
Claims (3)
- 基板と、
前記基板上に配置された弾性表面波デバイスの共振部と、
前記基板上に配置され前記共振部に接続された配線導体と、
前記基板との間に前記共振部を収容する空間を設けて形成された、樹脂材料からなる封止部材と、
前記封止部材の上面から前記空間内に貫通する貫通孔を埋める金属材料から成り、前記配線導体に接続されるとともにメッキ法によって形成された貫通導体と、を備え、
前記封止部材の上面は研磨されることによって平滑化されており、
前記貫通導体は、前記基板の上面のうち前記封止部材と前記空間との境界部に位置しており、前記貫通導体の側面の一部が前記空間に露出しているとともに、前記貫通導体の前記空間より外側に位置している部分の側面が厚み方向全体に亘って前記封止部材に接していることを特徴とする弾性表面波素子。 - 前記封止部材の前記空間側の内面に、無機絶縁材料から成る被着層が形成されていることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波素子。
- 前記貫通導体と前記封止部材との間には、前記貫通導体の金属材料と前記封止部材の樹脂材料との密着性を向上させるための接着層が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の弾性表面波素子。
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