JP6909059B2 - 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ - Google Patents
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Description
図5(a)は、実施例1の変形例1に係る圧電薄膜共振器の平面図、図5(b)は、図5(a)のA−A断面図である。図5(a)では、共振領域50、スペーサ18(ハッチング)、支持膜22およびパッド層26を図示し、下部電極12および上部電極16の図示を省略している。図5(b)において、スペーサ18の断面をハッチングで示し、A−A断面の奥にあるスペーサ18を白抜きで示す。以下同様である。
図6(a)は、実施例1の変形例2に係る圧電薄膜共振器の平面図、図6(b)は、図6(a)のA−A断面図である。図6(a)および図6(b)に示すように、共振領域50の長軸方向および短軸方向に導入路33が設けられている。その他の構成は実施例1の変形例1と同じであり説明を省略する。
図7(a)から図7(c)に示すように、支持膜22に薄膜部23と厚膜部24が設けられている。厚膜部24の膜厚は薄膜部23の膜厚より大きい。厚膜部24は、パッド層26と共振領域50とを横断するように設けられている。平面視において厚膜部24はパッド層26を含む。また、厚膜部24は、支持膜22の対向する辺の間に設けられている。
図8(a)から図8(d)は、実施例2の変形例2から5に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図8(a)に示すように、実施例2の変形例2では、支持膜22は膜22aおよび22bを有している。膜22bは膜22a上に設けられている。膜22aの膜厚は一定である。薄膜部23は膜22aからなり、厚膜部24は膜22aと22bからなる。その他の構成は実施例2の変形例1と同じであり説明を省略する。
図9(a)および図9(b)は、実施例2の変形例6および7に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図9(a)に示すように、実施例2の変形例6では、支持膜22は膜22aおよび22bを有している。膜22aの膜厚は一定である。膜22bは膜22a下に設けられている。薄膜部23は膜22aからなり、厚膜部24は膜22aと22bからなる。その他の構成は実施例2と同じであり説明を省略する。
実施例3は、薄膜部23および厚膜部24の平面形状を異ならせる例である。図10(a)および図10(b)は、実施例3およびその変形例1に係る圧電薄膜共振器の断面図である。
図11(a)は、実施例3の変形例2に係る圧電薄膜共振器の平面図、図11(b)は、図11(a)のA−A断面図である。図11(a)および図11(b)に示すように、厚膜部24は十字状に設けられている。支持膜22の平面形状は矩形であり、厚膜部24は矩形の4辺の間に連続して設けられている。共振領域50は全て厚膜部24である。その他の構成は実施例2の変形例1と同じであり説明を省略する。実施例3の変形例2のように、共振領域50は厚膜部24でもよい。これにより、共振領域50の支持膜22を補強できる。
図12(a)は、実施例3の変形例3に係る圧電薄膜共振器の平面図、図12(b)は、図12(a)のA−A断面図である。図12(a)および図12(b)に示すように、厚膜部24は共振領域50の両側において長軸方向に延伸して設けられ、平面視においてパッド層26を含んでいる。支持膜22の平面形状は矩形であり、厚膜部24は矩形の対向する一対の辺の間に連続して設けられている。共振領域50は全て薄膜部23である。その他の構成は実施例3の変形例2と同じであり説明を省略する。実施例3の変形例3のように、共振領域50は薄膜部23でもよい。これにより、共振特性の劣化を抑制できる。
図13(a)は、実施例3の変形例4に係る圧電薄膜共振器の平面図、図13(b)は、図13(a)のA−A断面図である。図13(a)および図13(b)に示すように、厚膜部24は共振領域50を囲むように設けられている。その他の構成は実施例3の変形例3と同じであり説明を省略する。実施例3の変形例4のように、厚膜部24が共振領域50を囲むことで、共振領域50の支持膜22を補強できる。
図14(a)は、実施例3の変形例5に係る圧電薄膜共振器の平面図、図14(b)は、図14(a)のA−A断面図である。図14(a)および図14(b)に示すように、厚膜部24は共振領域50の両側において共振領域50の短軸方向に延伸するように設けられている。その他の構成は実施例3の変形例3と同じであり説明を省略する。
図15(a)は、実施例3の変形例6に係る圧電薄膜共振器の平面図、図15(b)は、図15(a)のA−A断面図である。図15(a)および図15(b)に示すように、支持膜22の平面形状は矩形であり、共振領域50の両側に設けられた2つの厚膜部24はそれぞれ矩形の3辺の間に連続して設けられている。その他の構成は実施例3の変形例3と同じであり説明を省略する。
図16(a)は、実施例3の変形例7に係る圧電薄膜共振器の平面図、図16(b)は、図16(a)のA−A断面図である。図16(a)および図16(b)に示すように、支持膜22の平面形状は矩形であり、共振領域50の両側に設けられた2つの厚膜部24はそれぞれ矩形の接続する2辺の間に連続して設けられている。その他の構成は実施例3の変形例3と同じであり説明を省略する。
図17(a)は、実施例3の変形例8に係る圧電薄膜共振器の平面図、図17(b)は、図17(a)のA−A断面図である。図17(a)および図17(b)に示すように、スペーサ18は共振領域50の周りに複数設けられ、厚膜部24はスペーサ18間に連続して設けられている。支持膜22の平面形状は矩形であり、スペーサ18は矩形の4頂点に対応する位置に設けられている。厚膜部24は、4つのスペーサ18間に連続して設けられている。その他の構成は実施例2と同じであり説明を省略する。実施例3の変形例8のように、スペーサ18間に連続して厚膜部24を設けることで、支持膜22をより補強できる。
図18(a)は、実施例3の変形例9に係る圧電薄膜共振器の平面図、図18(b)は、図18(a)のA−A断面図である。図18(a)および図18(b)に示すように、1つの支持膜22に複数の共振領域50が設けられている。複数の共振領域50の両側に厚膜部24が設けられ、複数の共振領域50の間に厚膜部24が設けられている。共振領域50の両側の厚膜部24と共振領域50間の厚膜部24は接続されている。その他の構成は実施例3の変形例5と同じであり説明を省略する。複数の共振領域50の両側に厚膜部24を設けることで、複数の共振領域50における支持膜22を補強することができる。複数の共振領域50の間に厚膜部24を設けることで、支持膜22を補強することができる。
図19(a)は、実施例3の変形例10に係る圧電薄膜共振器の平面図、図19(b)は、図19(a)のA−A断面図である。図19(a)および図19(b)に示すように、複数の共振領域50の間に厚膜部24が設けられている。その他の構成は実施例3の変形例9と同じであり説明を省略する。
図21(a)は、実施例4の変形例1に係る圧電薄膜共振器の平面図、図21(b)は、図21(a)のA−A断面図である。図21(a)および図21(b)に示すように、厚膜部24はスペーサ18から共振領域50の反対側の支持膜22の端部に延伸している。その他の構成は実施例4と同じであり説明を省略する。実施例4の変形例1のように、線状の厚膜部24がスペーサ18からスペーサ18と反対側の支持膜22の端部まで延伸する。これにより、支持膜22を補強できる。
図22(a)は、実施例4の変形例2に係る圧電薄膜共振器の平面図、図22(b)は、図22(a)のA−A断面図である。図22(a)および図22(b)に示すように、支持膜22の平面形状は矩形であり、スペーサ18は矩形の一辺に沿って設けられ、厚膜部24は矩形の他の辺に沿って設けられている。その他の構成は実施例4と同じであり説明を省略する。実施例4の変形例2のように、支持膜22の矩形形状のうちスペーサ18が設けられていない辺に沿って厚膜部24が設けられている。これにより、支持膜22を補強できる。
図23(b)に示すように、圧電膜14に挿入膜28が挿入されている。挿入膜28は共振領域50の外周領域の少なくとも一部に設けられ、共振領域50の中央領域に設けられていない。その他の構成は実施例5と同じであり説明を省略する。実施例5の変形例1では、挿入膜28によりQ値等を向上できる。挿入膜28としては、酸化シリコン膜のように圧電膜14よりヤング率および/または音響インピーダンスの小さい材料を用いることが好ましい。挿入膜28は下部電極12と上部電極16との間に設けられていればよい。
図24は、実施例5の変形例2に係る圧電薄膜共振器の平面図である。図24に示すように、共振領域50の平面形状は辺が互いに非平行な四角形である。その他の構成は実施例1から5およびその変形例と同じであり説明を省略する。実施例5の変形例2のように、共振領域50の形状は多角形でもよい。
図26は、実施例6の変形例1に係るフィルタの平面図である。図27(a)および図27(b)は、図26のA−A断面図である。図26、図27(a)および図27(b)に示すように、単一基板10および単一の支持膜22上に、直列共振器S1からS4および並列共振器P1からP3が設けられている。各共振器間は、下部電極12および上部電極16を介し電気的に接続されている。
図28は、実施例6の変形例2に係るフィルタの平面図である。図28に示すように、支持膜22の平面形状は矩形でなく、共振領域50、下部電極12および上部電極16の形状に沿った形状である。その他の構成は実施例6の変形例2と同じであり説明を省略する。
12 下部電極
14 圧電膜
16 上部電極
18 スペーサ
22 支持膜
23 薄膜部
24 厚膜部
26 パッド層
30 空隙
40 送信フィルタ
42 受信フィルタ
50 共振領域
Claims (15)
- 基板と、
前記基板上に設けられたスペーサと、
前記スペーサ上に前記基板との間に空隙が形成されるように設けられた支持膜と、
前記支持膜上に設けられ、平面視において前記空隙と重なる領域における前記支持膜の最も薄い膜厚より厚い膜厚を有する下部電極と、
前記下部電極上に設けられた圧電膜と、
前記圧電膜上に、前記下部電極とで前記圧電膜の少なくとも一部を挟む共振領域が平面視において前記空隙と重なるように設けられた上部電極と、
を具備し、
前記支持膜は、1つの共振領域内に薄膜部と前記薄膜部より厚い厚膜部とを有する圧電薄膜共振器。 - 前記共振領域内の前記厚膜部の面積は前記共振領域の面積の1/2以下である請求項1に記載の圧電薄膜共振器。
- 前記下部電極の膜厚は、前記共振領域内における前記支持膜の最も厚い膜厚より大きい請求項1または2に記載の圧電薄膜共振器。
- 前記1つの共振領域内において前記支持膜の上面は平坦である請求項1から3のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器。
- 基板と、
前記基板上に設けられたスペーサと、
前記スペーサ上に前記基板との間に空隙が形成されるように設けられた支持膜と、
前記支持膜上に設けられ、平面視において前記空隙と重なる領域における前記支持膜の最も薄い膜厚より厚い膜厚を有する下部電極と、
前記下部電極上に設けられた圧電膜と、
前記圧電膜上に、前記下部電極とで前記圧電膜の少なくとも一部を挟む共振領域が平面視において前記空隙と重なるように設けられた上部電極と、
を具備し、
前記支持膜は、薄膜部と前記薄膜部より厚い厚膜部とを有し、
前記スペーサは、前記共振領域を囲むように複数設けられ、
平面視において、前記厚膜部は、前記複数のスペーサのうち一対のスペーサの間の領域から、別の一対のスペーサの間の領域にかけて設けられている圧電薄膜共振器。 - 基板と、
前記基板上に設けられたスペーサと、
前記スペーサ上に前記基板との間に空隙が形成されるように設けられた支持膜と、
前記支持膜上に設けられ、平面視において前記空隙と重なる領域における前記支持膜の最も薄い膜厚より厚い膜厚を有する下部電極と、
前記下部電極上に設けられた圧電膜と、
前記圧電膜上に、前記下部電極とで前記圧電膜の少なくとも一部を挟む共振領域が平面視において前記空隙と重なるように設けられた上部電極と、
を具備し、
前記支持膜は、薄膜部と前記薄膜部より厚い厚膜部とを有し、
前記スペーサは、前記共振領域を囲むように複数設けられ、
平面視において、前記厚膜部は、前記複数のスペーサのうち少なくとも2つの間に連続して設けられている圧電薄膜共振器。 - 基板と、
前記基板上に設けられたスペーサと、
前記スペーサ上に前記基板との間に空隙が形成されるように設けられた支持膜と、
前記支持膜上に設けられ、平面視において前記空隙と重なる領域における前記支持膜の最も薄い膜厚より厚い膜厚を有する下部電極と、
前記下部電極上に設けられた圧電膜と、
前記圧電膜上に、前記下部電極とで前記圧電膜の少なくとも一部を挟む共振領域が平面視において前記空隙と重なるように設けられた上部電極と、
を具備し、
前記支持膜は、薄膜部と前記薄膜部より厚い厚膜部とを有し、
前記共振領域外において、前記下部電極および前記上部電極の少なくとも一方の電極上に平面視において前記少なくとも一方の電極に重なるように設けられ、平面視において前記空隙と重なるパッドを具備し、
平面視において前記厚膜部は前記パッドの少なくとも一部に重なるように設けられている圧電薄膜共振器。 - 基板と、
前記基板上に設けられたスペーサと、
前記スペーサ上に前記基板との間に空隙が形成されるように設けられた支持膜と、
前記支持膜上に設けられ、平面視において前記空隙と重なる領域における前記支持膜の最も薄い膜厚より厚い膜厚を有する下部電極と、
前記下部電極上に設けられた圧電膜と、
前記圧電膜上に、前記下部電極とで前記圧電膜の少なくとも一部を挟む共振領域が平面視において前記空隙と重なるように設けられた上部電極と、
を具備し、
前記支持膜は、薄膜部と前記薄膜部より厚い厚膜部とを有し、
1つの前記支持膜に前記共振領域が複数設けられ、
前記スペーサは、複数設けられ、
前記複数の共振領域は、前記複数のスペーサのうち前記複数の共振領域の配列方向に隣接するスペーサ間に設けられ、
前記厚膜部は、前記複数の共振領域の前記配列方向に直交する方向の両側にそれぞれ前記直交する方向からみて前記複数の共振領域に重なるように連続して設けられ、前記複数の共振領域に設けられていない圧電薄膜共振器。 - 基板と、
前記基板上に設けられたスペーサと、
前記スペーサ上に前記基板との間に空隙が形成されるように設けられた支持膜と、
前記支持膜上に設けられ、平面視において前記空隙と重なる領域における前記支持膜の最も薄い膜厚より厚い膜厚を有する下部電極と、
前記下部電極上に設けられた圧電膜と、
前記圧電膜上に、前記下部電極とで前記圧電膜の少なくとも一部を挟む共振領域が平面視において前記空隙と重なるように設けられた上部電極と、
を具備し、
前記支持膜は、薄膜部と前記薄膜部より厚い厚膜部とを有し、
1つの前記支持膜に前記共振領域が複数設けられ、
前記スペーサは、複数設けられ、
前記複数の共振領域は、前記複数のスペーサのうち前記複数の共振領域の配列方向に隣接するスペーサ間に設けられ、
前記複数の共振領域間には前記スペーサは設けられておらず、
前記厚膜部は、前記複数の共振領域の間に設けられ、前記複数の共振領域に設けられていない圧電薄膜共振器。 - 基板と、
前記基板上に設けられたスペーサと、
前記スペーサ上に前記基板との間に空隙が形成されるように設けられた支持膜と、
前記支持膜上に設けられ、平面視において前記空隙と重なる領域における前記支持膜の最も薄い膜厚より厚い膜厚を有する下部電極と、
前記下部電極上に設けられた圧電膜と、
前記圧電膜上に、前記下部電極とで前記圧電膜の少なくとも一部を挟む共振領域が平面視において前記空隙と重なるように設けられた上部電極と、
を具備し、
前記支持膜は、薄膜部と前記薄膜部より厚い厚膜部とを有し、
1つの前記支持膜において、前記スペーサは、前記共振領域に対して一方の側に設けられ、前記共振領域に対して一方の側の反対の側には設けられておらず、
前記厚膜部は、前記スペーサと前記スペーサの反対側の前記支持膜の端部との間に連続的に設けられている圧電薄膜共振器。 - 基板と、
前記基板上に設けられたスペーサと、
前記スペーサ上に前記基板との間に空隙が形成されるように設けられた支持膜と、
前記支持膜上に設けられ、平面視において前記空隙と重なる領域における前記支持膜の最も薄い膜厚より厚い膜厚を有する下部電極と、
前記下部電極上に設けられた圧電膜と、
前記圧電膜上に、前記下部電極とで前記圧電膜の少なくとも一部を挟む共振領域が平面視において前記空隙と重なるように設けられた上部電極と、
を具備し、
前記支持膜は、薄膜部と前記薄膜部より厚い厚膜部とを有し、
1つの前記支持膜において、前記スペーサは、前記共振領域に対して一方の側に設けられ、前記共振領域に対して一方の側の反対の側には設けられておらず、
前記厚膜部は、前記支持膜の外周のうち前記スペーサが設けられていない領域に沿って設けられ、前記共振領域内に設けられていない圧電薄膜共振器。 - 前記共振領域外において、前記下部電極および前記上部電極の少なくとも一方上に設けられたパッドを具備し、
平面視において前記スペーサは前記パッドの少なくとも一部に重なるように設けられている請求項1から11のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器。 - 前記圧電膜は窒化アルミニウムを主成分とし、前記支持膜は、窒化アルミニウム膜、酸化アルニミウム膜、窒化シリコン膜およびダイヤモンドライクカーボン膜の少なくとも1つを含む請求項1から12のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器。
- 請求項1から請求項13のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器を含むフィルタ。
- 請求項14に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。
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JP7190313B2 (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
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