KR102138345B1 - 압전 모듈 - Google Patents

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KR102138345B1
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유타카 키시모토
야스유키 이다
히데아키 코바야시
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

압전 모듈(10)은 압전 박막(20), 고정층(30), 및 지지 기판(40)을 포함한다. 압전 박막(20)은 고정층(30)에 의해 지지 기판(40)에 지지되어 있다. 압전 박막(20)의 표면에는 기능 도체(211, 212)가 형성되어 있다. 기능 도체(211, 212)에 겹치는 영역을 포함하도록, 고정층(30)에는 틈(300)이 형성되어 있다. 지지 기판(40)의 고정층(30) 측의 면에는, 틈(300)의 영역 내에 회로 소자를 구성하는 도체 패턴(50)이 형성되어 있다.

Description

압전 모듈{PIEZOELECTRIC MODULE}
본 발명은 압전 공진기와 다른 회로 소자가 탑재된 압전 모듈에 관한 것이다.
현재, 압전 공진기를 사용한 필터가 각종 실용화되고 있다. 이와 같이 압전 공진기를 포함하는 필터 등의 압전 모듈에서는, 압전 공진기와, 다른 회로 소자를 일체화하여 구성하는 일이 있다. 여기서, 다른 회로 소자로는, 예를 들면 압전 공진기용 정합 회로를 구성하는 인덕터, 커패시터 등이다.
특허문헌 1에 기재된 필터는 기판의 표면에 압전 공진기 및 커패시터가 형성되어 있다.
일본 공개특허공보 2010-93398호
그러나 특허문헌 1에 기재된 필터의 구성에서는 기판 표면에 회로 소자가 형성되어 있기 때문에 회로 소자의 내후성이 낮아, 별도로 내후성을 향상시키는 구조를 추가해야 한다.
따라서, 이 발명의 목적은 회로 소자의 내후성을 향상시킨, 신뢰성이 높은 압전 모듈을 제공하는 것에 있다.
이 발명의 압전 모듈은, 기능 도체가 형성된 압전 박막과, 지지 기판과, 압전 박막을 지지 기판에 고정하는 고정층과, 압전 박막과 지지 기판 사이에 배치된 회로 소자를 포함한다.
이 구성에서는 보호용 부재를 별도로 마련하지 않고, 회로 소자의 내후성이 향상된다.
또한, 이 발명의 압전 모듈에서는, 회로 소자는 압전 박막 또는 지지 기판에 형성된 도체 패턴으로 이루어지는 것이 바람직하다.
이 구성에서는 실장형 부품을 사용하지 않고 회로 소자가 형성된다. 이로써, 실장형 부품을 압전 박막 또는 지지 기판에 실장하는 구조를 이용하지 않아도 되어, 실장 구조에 기인하는 불량의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 이 발명의 압전 모듈에서는, 압전 박막에서의 공진기용 전극이 형성되는 면에 직교하는 방향으로 보아, 고정층은, 기능 도체가 형성되는 영역을 포함하는 형상의 틈을 포함하고 있어도 된다.
이 구성에서는 압전 공진기의 특성이 향상된다. 따라서, 신뢰성이 높고, 보다 뛰어난 특성을 가지는 압전 모듈을 실현할 수 있다.
또한, 이 발명의 압전 모듈에서는, 도체 패턴은 틈과 겹치는 것이 바람직하다.
이 구성에서는 회로 소자와 압전 공진기가 근접 혹은 적어도 부분적으로 겹친다. 따라서, 압전 모듈을 소형으로 형성할 수 있다.
또한, 이 발명의 압전 모듈에서는, 도체 패턴의 형성 영역은 기능 도체의 형성 영역과 겹쳐 있는 것이 바람직하다.
이 구성에서는 압전 모듈을 더 소형으로 형성할 수 있다.
또한, 이 발명의 압전 모듈에서는, 도체 패턴의 형성 영역의 전체는 기능 도체의 형성 영역과 겹쳐 있다.
이 구성에서는 압전 모듈을 보다 한층 소형으로 형성할 수 있다.
또한, 이 발명의 압전 모듈에서는, 고정층은, 음향 임피던스가 다른 복수 종류의 층을 적층한 음향 반사층이어도 된다.
이 구성이어도 회로 소자의 내후성이 향상되고, 신뢰성이 높은 압전 모듈을 실현할 수 있다.
이 발명에 의하면, 회로 소자의 내후성을 향상시킨, 신뢰성이 높은 압전 모듈을 실현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 압전 모듈의 구성을 나타내는 측면 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 압전 모듈에서의 기능 도체가 형성되는 면 및 회로 소자가 형성되는 면의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 압전 모듈에서의 층간 배선의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 압전 모듈의 제조 방법에서의 각 공정에서의 형상을 나타내는 측면 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 압전 모듈의 제조 방법에서의 각 공정에서의 형상을 나타내는 측면 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 압전 모듈의 구성을 나타내는 측면 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 압전 모듈에서의 기능 도체가 형성되는 면 및 회로 소자가 형성되는 면의 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 압전 모듈의 제조 방법에서의 각 공정에서의 형상을 나타내는 측면 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 압전 모듈의 구성을 나타내는 측면 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제4 실시형태에 따른 압전 모듈의 구성을 나타내는 측면 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제4 실시형태에 따른 압전 모듈에서의 회로 소자가 형성되는 면의 평면도이다.
도 12는 본 발명의 제5 실시형태에 따른 압전 모듈의 구성을 나타내는 측면 단면도이다.
도 13은 본 발명의 제6 실시형태에 따른 압전 모듈의 구성을 나타내는 측면 단면도이다.
도 14는 본 발명의 제7 실시형태에 따른 압전 모듈의 구성을 나타내는 측면 단면도이다.
도 15는 본 발명의 제8 실시형태에 따른 압전 모듈의 구성을 나타내는 측면 단면도이다.
본 발명의 제1 실시형태에 따른 압전 모듈에 대해, 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 압전 모듈의 구성을 나타내는 측면 단면도(도 2에서의 A-A 단면도에 상당한다.)이다. 도 2(A)는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 압전 모듈에서의 기능 도체가 형성되는 면의 평면도이다. 도 2(B)는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 압전 모듈에서의 회로 소자가 형성되는 면의 평면도이다. 도 3은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 압전 모듈에서의 층간 배선의 구성을 나타내는 단면도(도 2에서의 B-B 단면도에 상당한다.)이다.
압전 모듈(10)은 압전 박막(20), 고정층(30), 및 지지 기판(40)을 포함한다. 고정층(30)은 압전 박막(20)의 이면에 접착되어 있고, 고정층(30)의 이면(압전 박막(20)이 접촉하는 면과 반대 측의 면)에는 지지 기판(40)이 접착되어 있다. 이 구성에 의해, 압전 박막(20)은 고정층(30)에 의해 지지 기판(40)에 지지되어 있다.
압전 박막(20)은 LN(LiNbO3), LT(LiTaO3) 등의 압전체이다. 고정층(30)은 SiO2 등의 절연체이다. 지지 기판(40)은 Si, 사파이어, 유리 등이다.
압전 박막(20)의 표면(고정층(30) 측의 면과 반대 측의 면)에는 기능 도체(211, 212)가 형성되어 있다. 기능 도체(211, 212)는, 압전 박막(20)의 표면에 수직인 방향으로 봤을 때, 빗살 형상이다. 기능 도체(211, 212)는 소위 IDT(Interdigital Transducer)를 형성하도록 배치되어 있다. 이 구성에 의해 압전 공진기가 구성된다.
압전 박막(20)의 표면에는 배선 도체(221, 222)가 형성되어 있다. 배선 도체(221)는 기능 도체(211)에 접속되어 있다. 배선 도체(222)는 기능 도체(212)에 접속되어 있다. 배선 도체(221, 222)는 기능 도체(211, 212)를 외부회로에 접속하는 도체이다. 기능 도체(211, 212), 배선 도체(221, 222)는 Al 등의 도전율이 높은 재료이다.
고정층(30)에는 틈(300)이 형성되어 있다. 틈(300)은 압전 박막(20), 고정층(30) 및 지지 기판(40)에 의해 둘러싸여 있다. 단, 틈(300)은 압전 박막(20)에 마련된 관통 구멍(200)에 삽입 통과되어 있다. 이 관통 구멍(200)은 틈(300)을 형성할 때에 이용되고 있다.
지지 기판(40)의 표면(고정층(30) 측)에는 도체 패턴(50)이 형성되어 있다. 도체 패턴(50)은 양단(兩端)이 인출 도체이며, 이들 양단의 인출 도체의 사이의 부분이 미앤더(meander) 형상이다. 이 구성에 의해, 도체 패턴(50)은 인덕터로서 기능한다. 도체 패턴(50)은 기능 도체(211, 212) 및 배선 도체(221, 222)와 동일한 재료이다.
도체 패턴(50)에서의 미앤더 형상의 부분은, 지지 기판(40)의 표면에 수직인 방향으로 봤을 때, 틈(300)의 영역 내에 배치되어 있다. 또한, 도체 패턴(50)에서의 미앤더 형상의 부분은, 기능 도체(211, 212)에 의해 구성되는 IDT의 영역과 겹쳐 있다.
도체 패턴(50)의 양단은, 고정층(30) 및 압전 박막(20)을 두께방향으로 관통하는 도전성 비아 홀(240)에 의해, 배선 도체(221, 222)에 접속되어 있다.
이와 같은 구성을 이용함으로써, 압전 공진기에 접속하는 회로 소자인 인덕터가 외부에 노출되지 않는다. 따라서, 인덕터의 내후성을 향상시킬 수 있다.
또한, 이와 같은 구성을 이용함으로써, 인덕터와 압전 공진기가, 지지 기판(40)의 표면에 수직인 방향으로 봤을 때, 겹친다. 따라서, 압전 공진기와, 이 압전 공진기에 접속하는 주변의 회로 소자로 이루어지는 공진 회로의 부분을 소형으로 할 수 있다. 또한, 이와 같은 구성을 이용함으로써, 인덕터와 압전 공진기가 대략 전체 면에서 겹친다. 따라서, 압전 공진기와, 이 압전 공진기에 접속하는 주변의 회로 소자로 이루어지는 공진 회로의 부분을 더 소형으로 할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 구성에서는 인덕터를 구성하는 도체 패턴(50)과 압전 공진기가 틈(300)에 의해 이간되어 있으므로, 각각의 상호 간섭을 억제할 수 있다.
이와 같은 구성으로 이루어지는 압전 모듈(10)은 다음으로 나타내는 공정에 의해 형성된다. 도 4 및 도 5는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 압전 모듈의 제조 방법에서의 각 공정에서의 형상을 나타내는 측면 단면도이다.
도 4(A)에 나타내는 바와 같이, 지지 기판(40)의 표면에 도체 패턴(50)을 형성한다. 다음으로, 도 4(B)에 나타내는 바와 같이, 지지 기판(40)의 표면에 희생층(31)을 형성한다. 희생층(31)은, 예를 들면 ZnO이다.
다음으로, 도 4(C)에 나타내는 바와 같이, 지지 기판(40)의 표면에 고정층(30)을 형성한다. 고정층(30)은, 희생층(31)을 덮도록 형성한 후에, 희생층(31)의 단차(段差)를 평탄화함으로써 형성된다. 또한, 희생층(31)의 표면에 접촉하는 고정층(30)은 평탄화 시에 모두 삭제하지 않아도 된다.
다음으로, 도 4(D)에 나타내는 바와 같이, 평탄화된 고정층(30) 및 희생층(31)의 표면에 압전 기판(P20)을 접착한다. 다음으로, 도 5(A)에 나타내는 바와 같이, 압전 기판(P20)을 연마 등에 의해 박막화하여, 압전 박막(20)을 형성한다.
다음으로, 도 5(B)에 나타내는 바와 같이, 압전 박막(20)에 기능 도체(211, 212)를 형성한다. 이때, 도시하지 않고 있지만, 배선 도체(221, 222)도 압전 박막(20)에 형성한다. 또한, 도전성 비아 홀(240)은, 기능 도체(211, 212) 및 배선 도체(221, 222)의 형성 전에, 압전 박막(20) 및 고정층(30)에 형성한다.
다음으로, 도 5(C)에 나타내는 바와 같이, 압전 박막(20)에 관통 구멍(200)을 형성한다. 그리고 관통 구멍(200)을 통해 희생층(31)을 제거한다. 예를 들면, 희생층(31)을 Ÿ‡ 에칭(wet etching)에 의해 제거한다. 이 처리에 의해, 고정층(30)에는 틈(300)이 형성된다.
이상의 제조 방법을 얻음으로써 압전 모듈(10)이 형성된다.
또한, 본 실시형태에서는 인덕터를 형성하는 양태를 나타냈지만, 커패시터, 저항 등의 다른 회로 기능을 가지는 소자를 형성해도 된다. 또한, 본 실시형태에서는 지지 기판(40)의 표면에 도체 패턴을 형성함으로써, 회로 기능을 가지는 소자를 형성하는 양태를 나타냈지만, 실장형 회로 소자를 사용해도 된다. 단, 실장형 회로 소자에서는 실장형 회로 소자가 실장되는 도체 패턴, 이 도체 패턴과 실장형 회로 소자를 접합하는 접합 부재를 필요로 한다. 따라서, 도체 패턴에 의해 회로 기능을 가지는 소자를 형성하는 양태 쪽이 실장에 의한 불량이 생기지 않아, 실장형 회로 소자, 접합 부재를 따로 사용하지 않아도 된다.
다음으로, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 압전 모듈에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 도 6은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 압전 모듈의 구성을 나타내는 측면 단면도이다. 도 7(A)는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 압전 모듈에서의 기능 도체가 형성되는 면의 평면도이다. 도 7(B)는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 압전 모듈에서의 회로 소자가 형성되는 면의 평면도이다.
본 실시형태에 따른 압전 모듈(10A)은, 회로 소자를 구성하는 도체 패턴(50A) 및 틈(300A)의 구성이 제1 실시형태에 따른 압전 모듈(10)과 다르다. 다른 구성은 제1 실시형태에 따른 압전 모듈(10)과 동일하다.
도체 패턴(50A)은 압전 박막(20)의 이면에 형성되어 있다. 압전 박막(20)의 이면에 수직인 방향으로 봤을 때, 도체 패턴(50A)은, 신장(伸長)되는 방향의 양단을 제외하고, 틈(300A)에 겹쳐 있다. 또한, 압전 박막(20)의 이면에 수직인 방향으로 봤을 때, 도체 패턴(50A)은 IDT의 영역과 겹쳐 있지 않다.
이 구성에 의해, 본 실시형태에 따른 압전 모듈(10A)은 압전 모듈(10)과 마찬가지로, 신뢰성이 높고 소형이 된다.
이와 같은 구성으로 이루어지는 압전 모듈(10A)은 다음으로 나타내는 공정에 의해 형성된다. 도 8은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 압전 모듈의 제조 방법에서의 각 공정에서의 형상을 나타내는 측면 단면도이다.
도 8(A)에 나타내는 바와 같이, 압전 기판(P20)의 이면에 도체 패턴(50A)을 형성한다. 다음으로, 도 8(B)에 나타내는 바와 같이, 압전 기판(P20)의 이면에 희생층(31A)을 형성한다. 이때, 희생층(31A)은 도체 패턴(50A)의 양단 이외를 덮도록 형성되어 있다.
다음으로, 도 8(C)에 나타내는 바와 같이, 고정층(30A)을 형성하고, 지지 기판(40)을 고정층(30A) 및 희생층(31A)에 접착한다.
다음으로, 도 8(D)에 나타내는 바와 같이, 압전 기판(P20)을 박막화하여 압전 박막(20)을 형성하고, 압전 박막(20)의 표면에 기능 도체(211, 212)를 형성한다.
다음으로, 도 8(E)에 나타내는 바와 같이, 압전 박막(20)에 관통 구멍(200)을 형성하고, 희생층(31A)을 제거함으로써 틈(300A)을 형성한다.
다음으로, 본 발명의 제3 실시형태에 따른 압전 모듈에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 도 9는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 압전 모듈의 구성을 나타내는 측면 단면도이다.
본 실시형태에 따른 압전 모듈(10B)은, 제1 실시형태에 따른 압전 모듈(10)에 대하여 고정층(30B)의 형상이 다르다. 고정층(30B)은, 도체 패턴(50)을 덮도록 지지 기판(40)의 표면의 전체 면에 형성되어 있다. 이와 같은 구성이어도 제1 실시형태에 따른 압전 모듈(10)과 마찬가지로, 압전 모듈(10B)은 신뢰성이 높고 소형이 된다.
다음으로, 본 발명의 제4 실시형태에 따른 압전 모듈에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 도 10은 본 발명의 제4 실시형태에 따른 압전 모듈의 구성을 나타내는 측면 단면도이다. 도 11은 본 발명의 제4 실시형태에 따른 압전 모듈에서의 회로 소자가 형성되는 면의 평면도이다.
본 실시형태에 따른 압전 모듈(10C)은, 제3 실시형태에 따른 압전 모듈(10B)에 대하여 회로 소자를 구성하는 도체 패턴(50C)의 배치 위치 및 형상이 다르다. 도체 패턴(50C)은 고정층(30C)에서의 틈(300)에 겹치지 않는 위치에 형성되어 있다. 이때, 도체 패턴(50C)은 틈(300)에 근접하면서 틈(300)의 외형을 대략 따르는 형상이면 된다. 도체 패턴(50C)은 미앤더 형상으로 이루어진다.
이와 같은 구성이어도 제3 실시형태에 따른 압전 모듈(10B)과 마찬가지로, 압전 모듈(10C)은 신뢰성이 높고 소형이 된다. 이와 같은 구성으로 함으로써 도체 패턴(50C)을 길게 할 수 있어, 압전 모듈(10C)의 면적의 증가를 억제하면서, 인덕턴스를 벌 수 있다.
다음으로, 본 발명의 제5 실시형태에 따른 압전 모듈에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 도 12는 본 발명의 제5 실시형태에 따른 압전 모듈의 구성을 나타내는 측면 단면도이다.
본 실시형태에 따른 압전 모듈(10D)은, 제4 실시형태에 따른 압전 모듈(10C)에 대하여 회로 소자를 구성하는 도체 패턴(50D)의 배치 위치가 다르다. 도체 패턴(50D)은 압전 박막(20)의 이면에 배치되어 있다. 이와 같은 구성이어도 제4 실시형태에 따른 압전 모듈(10C)과 마찬가지로, 압전 모듈(10D)은 신뢰성이 높고 소형이 된다.
다음으로, 본 발명의 제6 실시형태에 따른 압전 모듈에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 도 13은 본 발명의 제6 실시형태에 따른 압전 모듈의 구성을 나타내는 측면 단면도이다.
본 실시형태에 따른 압전 모듈(10E)은, 제4 실시형태에 따른 압전 모듈(10C)에 대하여 틈(300E)의 형상이 다르다. 틈(300E)은 고정층(30E) 및 지지 기판(40)을 관통하는 형상으로 형성되어 있다. 도체 패턴(50E)은 도체 패턴(50C)과 동일한 구성이다. 이와 같은 구성이어도 제4 실시형태에 따른 압전 모듈(10C)과 마찬가지로, 압전 모듈(10E)은 신뢰성이 높고 소형이 된다. 또한, 희생층을 형성하지 않고 틈을 형성할 수 있으므로, 간소한 제조 공정에 의해 압전 모듈(10E)을 형성할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 제7 실시형태에 따른 압전 모듈에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 도 14는 본 발명의 제7 실시형태에 따른 압전 모듈의 구성을 나타내는 측면 단면도이다.
본 실시형태에 따른 압전 모듈(10F)은, 제6 실시형태에 따른 압전 모듈(10E)에 대하여 회로 소자를 구성하는 도체 패턴(50F)의 배치 위치가 다르다. 도체 패턴(50F)은 압전 박막(20)의 이면에 배치되어 있다. 이와 같은 구성이어도 제6 실시형태에 따른 압전 모듈(10E)과 마찬가지로, 압전 모듈(10F)은 신뢰성이 높고 소형이 된다.
다음으로, 본 발명의 제8 실시형태에 따른 압전 모듈에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 도 15는 본 발명의 제8 실시형태에 따른 압전 모듈의 구성을 나타내는 측면 단면도이다.
본 실시형태에 따른 압전 모듈(10G)은, 제5 실시형태에 따른 압전 모듈(10D)에 대하여 고정층(30)이 음향 반사층(60)에 의해 형성되어 있는 점에서 다르다.
음향 반사층(60)은 음향 임피던스가 다른 복수의 층을 적층함으로써 형성되어 있다. 저음향 임피던스층은, 예를 들면 SiO2이며, 고음향 임피던스층은, 예를 들면 W 등의 금속, 또는 AlN, SiN 등의 유전체이다. 음향 반사층(60)은 접착층(61)에 의해 지지 기판(40)에 접착되어 있다.
이와 같은 구성이어도 제5 실시형태에 따른 압전 모듈(10D)과 마찬가지로, 압전 모듈(10G)은 신뢰성이 높고 소형이 된다.
또한, 도체 패턴(50G)은 음향 반사층(60)을 구성하는 어느 층에 마련해도 된다.
또한, 상술의 각 실시형태에서는 표면탄성파 공진기를 구성하는 양태를 나타냈지만, 판파 공진기, 벌크파 공진기를 구성하는 양태에 대해서도 상술의 도체 패턴의 형성 양태를 적용할 수 있다.
10, 10A, 10B, 10C, 10D, 10E, 10F, 10G: 압전 모듈
20: 압전 박막
30, 30A, 30B, 30C, 30E: 고정층
31, 31A: 희생층
40: 지지 기판
50, 50A, 50C, 50D, 50E, 50F, 50G: 도체 패턴
60: 음향 반사층
61: 접착층
200: 관통 구멍
211, 212: 기능 도체
221, 222: 배선 도체
240: 도전성 비아 홀
300, 300A, 300E: 틈

Claims (7)

  1. 서로 배향(背向)하는 한쪽 주면 및 다른 쪽 주면을 가지고, 상기 한쪽 주면에 기능 도체가 형성된 압전 박막과,
    상기 다른 쪽 주면 측에 위치하는 지지 기판과,
    상기 압전 박막을 상기 지지 기판에 고정하는 고정층과,
    상기 압전 박막과 상기 지지 기판 사이에 배치된 회로 소자와,
    상기 압전 박막, 상기 고정층 및 상기 지지 기판에 의해 둘러싸인 틈과,
    상기 고정층 및 상기 압전 박막을 두께방향으로 관통하는 도전성 비아 홀과,
    상기 한쪽 주면에 배치되고, 상기 기능 도체 및 상기 도전성 비아 홀과 접속되어 있는 배선 도체를 포함하고,
    상기 회로 소자는,
    상기 압전 박막의 상기 다른 쪽 주면과 마주보는 상기 지지 기판의 표면 상에 형성되며 상기 틈 내에 배치되고 인덕터로서 기능하는 도체 패턴으로 이루어지며,
    상기 도체 패턴의 양단은 상기 도전성 비아 홀과 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 압전 모듈.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 압전 박막에서의 상기 기능 도체가 형성되는 면에 직교하는 방향으로 보아,
    상기 고정층은, 상기 기능 도체가 형성되는 영역을 포함하는 형상의 상기 틈을 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 모듈.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 도체 패턴은 상기 틈과 겹치는 것을 특징으로 하는 압전 모듈.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 도체 패턴의 형성 영역은, 상기 기능 도체의 형성 영역과 겹쳐 있는 것을 특징으로 하는 압전 모듈.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 도체 패턴의 형성 영역의 전체는, 상기 기능 도체의 형성 영역과 겹쳐 있는 것을 특징으로 하는 압전 모듈.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 고정층은, 음향 임피던스가 다른 복수 종류의 층을 적층한 음향 반사층인 것을 특징으로 하는 압전 모듈.
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