CN108631742A - 声波谐振器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

提供了一种声波谐振器及其制造方法，所述声波谐振器包括：谐振部，包括设置在第一电极和第二电极之间的压电层；以及框架部，沿所述第二电极的外边缘设置。所述框架部包括反射在所述谐振部中产生的横向波的至少三个反射部。

Description

声波谐振器及其制造方法

本申请要求于2017年3月23日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0036659号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

以下描述涉及一种声波谐振器及其制造方法。

背景技术

带通滤波器是通信装置的关键组件。带通滤波器在多个频率中选择、接收并传输需要的频带的信号。

这样的带通滤波器的典型示例包括表面声波(SAW)滤波器、体声波(BAW)滤波器和其他相似的滤波器。

在带通滤波器的这样的典型示例中，体声波滤波器是通过实现薄膜型装置获得的，在薄膜型装置中通过在提供为半导体基板的硅晶圆上沉积压电介电材料来诱发谐振。介电材料的压电特性被用于使带通滤波器起滤波器的作用。

作为其应用的领域，提供了移动通信装置、诸如化学装置和生物装置的小且轻量的滤波器、振荡器、谐振元件和声谐振质量传感器。

发明内容

提供本发明内容以按照简化的形式介绍所选择的构思，并在下面的具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

示例提供一种降低了产生的横向波的损耗率的声波谐振器及其制造方法。

根据示例，提供了一种声波谐振器，所述声波谐振器包括：谐振部，包括设置在第一电极和第二电极之间的压电层；以及框架部，沿所述第二电极的外边缘设置，其中，所述框架部包括反射在所述谐振部中产生的横向波的至少三个反射部。

所述框架部可以包括：内部框架，构造为与所述第二电极分隔开预定的距离，并且沿所述第二电极的所述外边缘设置在所述压电层上；以及外部框架，与所述第二电极连续设置，并且设置在所述压电层上以使所述内部框架埋设在所述外部框架中。

所述外部框架可以利用与所述第二电极的边缘部的材料相同的材料形成，并且与所述第二电极的所述边缘部连续地形成。

所述外部框架可以构造为具有比所述第二电极的厚度大的厚度。

所述外部框架可以构造为包括倾斜的表面。

所述内部框架可以利用介电材料形成。

所述内部框架可以利用与所述外部框架的材料相同的材料形成。

所述声波谐振器还可以包括设置在第二电极和所述框架部上的保护层。

所述声波谐振器还可以包括：连接电极，可以包括经由所述框架部连接至所述第二电极的一端以及连接至外部电极的另一端，所述连接电极具有比所述框架部的厚度小的厚度。

所述声波谐振器还可以包括：连接电极，其中，所述第一电极或所述第二电极可连接至所述连接电极的向所述压电层的外部延伸的部分，以连接至连接部和外部电极。

所述反射部构造为具有不同厚度的区域或者构造为可以具有不同层压结构或不同材料组成的区域。

所述三个反射部中最靠近所述第二电极的第一反射部以及三个反射部中最远离所述第二电极的第三反射部可以形成为具有彼此相同的层压结构和彼此相同的厚度。

设置在所述第一反射部和所述第三反射部之间的第二反射部可以包括与所述第一反射部和所述第三反射部的层压结构和厚度不同的层压结构和厚度。

根据示例，提供了一种制造声波谐振器的方法，所述方法包括：在基板上顺序地层压第一电极和压电层；在所述压电层上形成内部框架；以及在所述压电层上形成第二电极和外部框架，其中，所述外部框架形成为埋设所述外部框架中沿所述第二电极的外边缘形成的内部框架，并且形成为包括反射在通过所述第一电极、所述压电层和所述第二电极形成的谐振部中产生的横向波的至少三个反射部。

形成所述第二电极和所述外部框架的步骤可以包括：在所述压电层的包括形成有所述内部框架的区域的上部区域上形成包括统一厚度的导电层；以及部分地蚀刻所述导电层以形成具有比所述外部框架的厚度小的厚度的所述第二电极。

形成所述第二电极和所述外部框架的步骤可以包括：在所述压电层的形成有所述内部框架的上部区域上形成第一导电层，以将所述内部框架埋设在所述第一导电层中；以及在所述压电层的包括形成有所述第一导电层的区域的上部区域上形成具有统一厚度的第二导电层。

在形成所述外部框架的步骤中可以包括将所述内部框架埋设在所述外部框架中以具有倾斜的表面。

所述方法还可以包括：将所述至少三个反射部中最靠近所述第二电极的第一反射部与所述至少三个反射部中最远离所述第二电极的第三反射部形成为包括彼此相同的层压结构和彼此相同的厚度。

所述方法还可以包括：将所述第一反射部和所述第三反射部之间的第二反射部形成为包括与所述第一反射部和所述第三反射部的层压结构和厚度不同的层压结构和厚度。

其他特征和方面将通过权利要求、附图和下面的具体实施方式而显而易见。

附图说明

图1是根据示例的声波谐振器的示意性截面图。

图2是图1的部分A的放大的截面图。

图3至图8是示出根据示例的制造声波谐振器的方法的截面图。

图9示出了在制造根据示例的声波谐振器的方法中形成第二电极和外部框架的操作的变型示例。

在整个附图和具体实施方式中，相同的标号表示相同的元件。附图可以不按比例绘制，为了清晰、说明和方便起见，可以夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。

具体实施方式

提供以下具体实施方式，以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解了本申请的公开内容后，在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、变型及等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作顺序仅仅是示例，且不限于在此所阐述的示例，而是除了必须按照特定顺序发生的操作外，可在理解了本申请的公开内容后做出将是显而易见的改变。此外，为了增加清楚性和简洁性，可省略本领域中已知的特征的描述。

在此描述的特征可按照不同的形式实现，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅仅为了示出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些可行方式。

在整个说明书中，当元件(诸如层、区域或基板)被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其他元件。

如在此使用的术语“和/或”包括相关所列项中的任意一个或任意两个或更多个的任意组合。

虽然可在此使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、组件、区域、层或部分还可被称为第二构件、组件、区域、层或部分。

为了方便描述，在此可使用诸如“在……之上”、“上”、“在……之下”以及“下”的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相对术语意在除了包含附图中描绘的方位之外还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一元件位于“之上”或“上”的元件随后将相对于另一元件位于“之下”或“下”。因此，术语“在……之上”根据装置的空间方位包括“在……之上”和“在……之下”两种方位。装置还可以以其他的方式(例如，旋转90度或处于其他方位)定位，并将对在此使用的空间相对术语做出相应的解释。

在此使用的术语仅是为了描述各种示例，而不被用来限制本公开。除非上下文另外清楚地指明，否则单数形式也意在包含复数形式。术语“包含”、“包括”以及“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。

由于制造技术和/或公差，可发生附图中所示出的形状的变化。因此，在此描述的示例并不限于附图中示出的特定的形状，而是包括制造期间发生的形状上的变化。

在此描述的示例的特征可按照在理解了本申请的公开内容之后将显而易见的各种方式进行组合。此外，虽然在此描述的示例具有多种构造，但在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的其他构造是可行的。

随后，参照附图进一步详细地描述示例。

图1是根据示例的声波谐振器的示意性截面图。根据示例的声波谐振器1被提供为用于带通滤波器中的体声波(BAW)滤波器。然而，声波谐振器1可以被提供至其他类型的滤波器。声波谐振器1包括框架部20以防止在谐振部10中产生的声波中的横向波从谐振部10逸出。

例如，声波谐振器1包括框架部20以防止由于横向波从谐振部10逸出而导致的能量损失，能量损失会导致声波谐振器1的性能上的劣化。

通常，声波谐振器被构造并构建为通过增大框架部的宽度并向内反射横向波来提高减少能量损失的效率；然而，作为这样的构造的结果，在耦合常数降低的同时寄生电容增大。

因此，根据示例的声波谐振器1被构造为包括至少三个反射部20a、20b和20c以在不增加框架部20的宽度的情况下提高横向波的反射效率。

换言之，根据示例的声波谐振器1被构造为包括谐振部10，在所述谐振部10中，压电层12设置或提供在第一电极11上，第二电极13设置或提供在压电层12上。框架部20沿第二电极13的外表面或上表面(与压电层12相对的表面)的外边缘设置或提供。框架部20被构造为包括反射在谐振部10中产生的横向波的至少三个反射部20a、20b和20c。

作为示例，反射部20a、20b和20c被构造为具有不同厚度的区域或者构造为具有不同层压结构或材料组成的区域以使彼此可区分开。

因此，框架部20在减小寄生电容形成的速率的同时，通过增大横向波的反射效率有效地减少能量损失。

然而，形成被划分为反射部20a、20b和20c的区域的结构不限于上述示例的结构。例如，构造为反射横向波的任意结构可以被用作根据示例的反射部20a、20b和20c。

图2是图1的部分A的放大的截面图。参照图1和图2，声波谐振器1包括谐振部10和框架部20。

更详细地，在使用诸如体声波(BAW)的声波谐振器1的滤波器的示例中，当声波谐振器1的品质因数(QF)改善时，滤波器具有改善的仅选择所需要的频带的特性以及改善的插入损耗和衰减性能。

为了改善声波谐振器1的品质因数，框架部20被构造为使得谐振能量可以被限制在谐振器的有效区域中。

例如，框架部20形成在声波谐振器1的外周上或上表面上以防止谐振能量的损失，从而防止声波谐振器1的品质因数的劣化。

如此，由于框架部20以连续的形状或方式形成以密封谐振部10的第二电极13，因此声波的损失减小。例如，通过阻挡声波可以在谐振部10的电极表面上沿所有方向逸出的路径，声波的损失减小。

此外，框架部20包括反射横向波的至少三个反射部20a、20b和20c以增强防止谐振能量的损失的效果。

另一方面，设置在谐振部10中的第一电极11或第二电极13可设置有用于将第一电极11或第二电极13连接到外部电极的连接电极30。

例如，根据示例的声波谐振器1包括连接电极30。连接电极30的一端通过框架部20电连接至第二电极13，连接电极30的另一端连接至外部电极。此外，外部电极用于向谐振部10施加电压。

谐振部10被构造为通过振动产生声波或者振动能量。为此，谐振部10包括第一电极11、压电层12和第二电极13。

在示例中，其上设置有谐振部10的基板2形成为硅基板或高阻硅(HRS)型基板。

气隙3形成在基板2和第一电极11之间。通过提供气隙3，第一电极11的至少部分和基板2彼此分隔开。

另一方面，膜层4形成在第一电极11的与基板2相对的一个表面上。

此外，通过在谐振部10和基板2之间设置气隙3，在谐振部10中产生的声波的反射特性得以改善。

换言之，因为气隙3是空的空间并且具有接近无穷大的阻抗，所以声波由于气隙3而保留在谐振部10中，而没有损失或被损耗。

因此，谐振部10的纵向声波损失通过气隙3显著减小，从而改善了谐振部10的品质因数(QF)。

包括在谐振部10中的第一电极11、第二电极13和压电层12通过在基板2上顺序地层压第一电极11、压电层12和第二电极13而形成。因此，压电层12设置在第一电极11和第二电极13之间。

谐振部10通过根据或基于施加到第一电极11或第二电极13的信号使压电层12谐振从而产生谐振频率和反谐振频率。

第一电极11和第二电极13可以利用诸如金、钼、钌、铝、铂、钛、钨、钯、铬、镍、铱的金属或相似的材料形成。

谐振部10使用压电层12的声波。例如，响应于施加到第一电极11或第二电极13的信号，压电层12在纵向方向上或厚度方向上产生机械振动以产生声波。

在此情况下，压电层12可以由诸如氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)、以W-ZnO为例的掺杂氧化锌、以Sc-AlN、MgZr-AlN、Cr-AlN、Er-AlN或Y-AlN为例的掺杂氮化铝或相似的材料的材料形成。

当施加的信号的波长的一半与压电层12的厚度一致时，压电层12发生谐振现象。

此外，当发生谐振现象时，因为电阻抗突然改变，所以根据示例的声波谐振器1被构造为能够选择频率的滤波器。

谐振频率由压电层12的厚度、压电层12的固有声波速度以及围绕压电层12的第一电极11和第二电极13确定。例如，随着压电层12的厚度进一步减小，谐振频率增大。

另一方面，例如，当压电层12被构造为仅仅或唯一地设置在谐振部10内时，由压电层12形成的声波向谐振部10的外面或外部的泄露显著减少。

谐振部10还包括保护层5。保护层5覆盖第二电极13使得第二电极13没有暴露至外部环境。例如，声波谐振器1包括设置在第二电极13和框架部20上的保护层5。

第一电极11或第二电极13连接至连接电极30的向压电层12的外部延伸的至少部分，以连接至连接部和外部电极。

在此示例中，连接部是用于施加并接收诱发振动的能量和电信号的构造。

框架部20防止在谐振部10中产生的声波的损耗。

更详细地，为了防止在谐振部10中产生的声波在横向方向上的损失，框架部20反射声波。

例如，当在谐振部10中产生的声波传输至框架部20时，框架部20将产生的声波反射回谐振部10的内部，因此，防止了声波的损失。

为此，框架部20设置在谐振部10的至少一个电极上。作为示例，框架部20设置在第二电极13上。

框架部20以框架部反射在谐振部10中产生的声波的方式以突出的形状设置在谐振部10上。

例如，框架部20具有突出的形状以设置为环绕与气隙3对应的区域或设置为围绕气隙3。

如此，由于框架部20以从谐振部10突出的形状形成，因此声波被框架部反射。例如，在框架部20的具有相对大的厚度的部分中，诸如弹性波的声波的传播环境改变，使得声波以与第二电极13的方式不同的方式被框架部反射。

此外，由于框架部20包括反射由谐振部10产生的横向波的至少三个反射部20a、20b和20c，因此，横向波的反射效率增大。

换言之，因为框架部20中包括至少三个反射部20a、20b和20c，因此，横向波可以被反射至少三次，使得横向波的反射效率可以在不增大框架部20的宽度的情况下增大。

因此，框架部20形成为具有包括内部框架21和外部框架22的多框架结构，使得框架部20包括至少三个反射部20a、20b和20c。

例如，声波谐振器1的框架部20包括与第二电极13分隔开预定的距离的内部框架21。内部框架21沿第二电极13的外边缘形成在压电层12上。声波谐振器1的框架部20还包括与第二电极13连续形成并且以将内部框架21埋设在框架部20中的方式设置在压电层12上的外部框架22。

在这样的结构中，反射部20a、20b和20c通过其具有不同厚度的区域彼此区分开，并且还通过其具有不同层压结构的区域彼此区分开，但不限于此。

在一个示例中，在三个反射部中，最靠近第二电极13的第一反射部与最远离第二电极13的第三反射部形成为具有彼此相同的层压结构和彼此相同的厚度，同时设置在第一反射部和第三反射部之间的第二反射部具有与第一反射部和第三反射部的层压结构和厚度不同的层压结构和厚度。

在另一示例中，以示例的方式在图2中示出，三个反射部20a、20b和20c可以具有不同的层压结构和厚度。

一旦形成外部框架21，内部框架21便被埋设在外部框架22中。因此，外部框架22具有具有不同厚度的至少三个区域，或者具有具有不同层压结构的至少三个区域。内部框架21形成为从压电层12向上突出。如上所述具有不同厚度或不同层压结构的区域变为反射横向波的反射部20a、20b和20c。

外部框架22由与第二电极13的材料相同的材料形成，使得外部框架22与第二电极13的形成一起形成。因此，外部框架22形成为与第二电极13的边缘连续。

在另一示例中，即使当外部框架22连续形成并且第二电极13是外部框架22的边缘，第二电极13也形成为具有比外部框架22的厚度小的厚度。

此外，由于外部框架22形成为具有倾斜的表面，因此防止在将保护层5覆在第二电极13上的工艺中在保护层5中出现裂纹。

换言之，根据示例的声波谐振器1的外部框架22包括至少一个倾斜的表面。

然而，根据各种示例，外部框架22不总是包括倾斜的表面，而是还以其上表面和侧表面彼此垂直的形状形成。

另一方面，为了通过框架部20减小寄生电容的增大速率，内部框架21由介电材料形成。例如，根据示例的声波谐振器1的内部框架21由介电材料形成。

换言之，当内部框架21由介电材料形成时，形成寄生电容的第一电极11和外部框架22之间的距离增大，以减小寄生电容的产生的速率。

在另一示例中，声波谐振器1的内部框架21也由与外部框架22的材料相同的材料形成。

连接电极30用于将谐振部10的电极连接至外部电极。

在谐振部10的电极中，连接至与框架部20设置在一起的第二电极13的连接电极30形成为具有比框架部20的厚度小的厚度，以显著减小框架部20的对称性的劣化。

例如，连接电极30具有比框架部20的厚度小的厚度以保持框架部20的与声波的传输特性相关的对称。

在下文中，将描述根据示例的制造声波谐振器1的方法。

图3至图8是示出根据示例的制造声波谐振器1的方法的截面图。参照图3至图8，根据示例的制造声波谐振器1的方法包括：在基板2上顺序地层压第一电极11和压电层12、在压电层12上形成内部框架21以及在压电层12上形成第二电极13和外部框架22。

以使沿第二电极13的外边缘形成的内部框架21埋设在其中的方式设置外部框架22，以因而具有至少三个反射部20a、20b和20c。

如图3和图4中所示，层压第一电极11、压电层12和第二电极13中的第一电极11和压电层12。

图3示出了在层压第一电极11和压电层12之前的状态。首先在基板2上层压牺牲层3a和膜层4。在此示例中，还在膜层4和牺牲层3a之间设置有单独的绝缘层(未示出)，所述单独的绝缘层是与第二电极13上的保护层5不同的保护层。

图4示出了在层压牺牲层3a和膜层4之后层压第一电极11和压电层12的状态。

如上所述，为了在谐振部10的基板2和第一电极11之间形成气隙3，在基板2和第一电极11之间形成牺牲层3a。在此示例中，由二氧化硅、多晶硅、聚合物等形成牺牲层3a。通过蚀刻工艺去除牺牲层3a以形成气隙3。

通过在包括牺牲层3a的基板2上沉积导电层来形成第一电极11，所述导电层(未示出)与形成第二电极13的导电层13a不同。以与此相似的方式，通过在第一电极11上沉积压电材料来形成压电层12。

可以使用诸如钼(Mo)、金、钌、铝、铂、钛、钨、钯、铬、镍、铱等的各种金属形成第一电极11。

可以使用诸如氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、以W-ZnO为例的掺杂氧化锌、以Sc-AlN、MgZr-AlN、Cr-AlN、Er-AlN或Y-AlN为例的掺杂氮化铝等的各种压电材料形成压电层12。

在此示例中，使用通过经由光刻工艺执行图案化而获得的需要的图案然后使用图案化的光刻胶作为掩膜去除不必要的部分来形成第一电极11和压电层12。

在图5中示出了形成内部框架21的操作。在此示例中，在形成框架部20的操作中，通过在压电层12上沉积用于形成内部框架21的材料来形成内部框架21。

如此，以突出的形状在压电层12上形成内部框架21，并且由与第二电极13的材料相同的材料或介电材料形成内部框架21。

在将用于形成内部框架21的材料沉积在压电层上之后，使用通过执行光刻工艺获得的需要的图案来执行形成内部框架21的操作。

作为示例，形成内部框架21的操作包括将内部框架21形成为包括至少一个倾斜的表面，或者形成上表面和侧表面彼此垂直的内部框架21，使得内部框架21不包括倾斜的表面。

形成第二电极13和外部框架22的操作包括在压电层12上形成第二电极13和外部框架22。以将内部框架21埋设在外部框架22中这样的方式来形成外部框架22。

因此，外部框架22形成为包括具有不同厚度的至少三个反射部20a、20b或20c以反射横向波。因为外部框架22通过沉积工艺和蚀刻工艺与第二电极13一起形成，因此外部框架由与第二电极13的材料相同的材料形成，并与第二电极的边缘部连续地形成。

参照图6和图7，通过在压电层12和第一电极11上形成导电层13a，通过光刻工艺将导电层13a顺序地图案化，然后通过使用光刻胶作为掩膜来执行蚀刻而获得需要的图案来形成第二电极13。

可以使用诸如钌(Ru)、金、钼、铝、铂、钛、钨、钯、铬、镍、铱等的各种金属来形成上述第二电极13。

作为示例，当执行蚀刻工艺来形成第二电极13时，外部框架22设置为不被蚀刻的部分，并且外部框架22具有比第二电极13的厚度大的厚度。

如此，形成第二电极13和外部框架22的操作包括：在压电层12的包含形成有内部框架21的区域的上部区域上形成具有统一厚度的导电层13a，并且部分地蚀刻导电层13a以形成具有比外部框架22的厚度小的厚度的第二电极13。

在此示例中，图6中示出了形成导电层13a的操作，在图7中示出了形成具有比外部框架22的厚度小的厚度的第二电极13的操作。

在形成具有比外部框架22的厚度小的厚度的第二电极13的操作中，将导电层13a蚀刻为具有第二电极13的形式，并且与此同时，还经由蚀刻形成连接电极30。

例如，经由蚀刻将连接电极30形成为具有比外部框架22的厚度小的厚度以防止外部框架22的对称性的劣化。

在形成连接电极30之后，形成发送并接收电信号的连接部。

通过由蚀刻去除保护层5的部分以形成孔来将连接至第一电极11或第二电极13的连接电极30暴露至外部，并且在孔中沉积金(Au)、铜(Cu)等来形成连接部。

作为另一示例，还通过在内部框架21的外围区域中形成的第一导电层22a以及与第二电极13连续形成并且形成直至与内部框架21的区域相对应的区域的第二导电层22b来形成外部框架22。

换言之，如图9中所示，形成第二电极13和外部框架22的操作包括：在其上形成有内部框架21的压电层22上方形成第一导电层22a以使内部框架21埋设在第一导电层22a中，以及在压电层12的包括形成有第一导电层22a的区域的区域上形成具有统一的厚度的第二导电层22b。

如图8中所示，在第二电极13和外部框架22上形成保护层5。

在此示例中，保护层5由绝缘材料形成，绝缘材料的示例包括氧化硅基材料、氮化硅基材料和氮化铝基材料。

参照图8，谐振部10通过在其中形成气隙3来改善声波的反射特性。换言之，由于气隙3是空的空间并且具有接近无穷大的阻抗，因此声波通过气隙3保留在谐振部10中而没有损失声波。

为此，去除形成在基板2和第一电极11或膜层之间的牺牲层3a。通过干蚀刻去除牺牲层3a，但是不限于此。

例如，当牺牲层3a由多晶硅形成时，通过使用诸如二氟化氙(XeF₂)等的干蚀刻气体来去除牺牲层3a。

如上所阐述的，在根据示例的声波谐振器中，谐振部中产生的横向波可以被反射至少三次，从而可以减小产生的横向波的外部排出和损失。

另外，在根据示例的声波谐振器的情况下，可以减小由框架部而导致的寄生电容的产生。作为示例，当内部框架21由介电材料形成时，与框架仅由金属形成的情况相比，可以减小寄生电容。

虽然本公开包括特定的示例，但在理解了本申请的公开内容之后将显而易见的是，在不脱离权利要求及它们的等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式上和细节上的各种变化。在此描述的示例将仅被认为描述性含义，而非出于限制的目的。每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其他示例中的类似特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术，和/或如果以不同的方式组合描述的系统、架构、装置或者电路中的组件和/或用其他组件或者它们的等同物进行替换或者补充描述的系统、架构、装置或者电路中的组件，则可获得适当的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及它们的等同物限定，并且在权利要求及它们的等同物的范围内的所有变化将被解释为包括在本公开中。

Claims (19)

1.一种声波谐振器，所述声波谐振器包括：

谐振部，包括设置在第一电极和第二电极之间的压电层；以及

框架部，沿所述第二电极的外边缘设置，

其中，所述框架部包括反射在所述谐振部中产生的横向波的至少三个反射部。

2.如权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述框架部包括：

内部框架，构造为与所述第二电极分隔开预定的距离，并且沿所述第二电极的所述外边缘设置在所述压电层上；以及

外部框架，与所述第二电极连续设置，并且设置在所述压电层上以使所述内部框架埋设在所述外部框架中。

3.如权利要求2所述的声波谐振器，其中，所述外部框架利用与所述第二电极的边缘部的材料相同的材料形成，并且与所述第二电极的所述边缘部连续地形成。

4.如权利要求2所述的声波谐振器，其中，所述外部框架构造为具有比所述第二电极的厚度大的厚度。

5.如权利要求2所述的声波谐振器，其中，所述外部框架构造为包括倾斜的表面。

6.如权利要求2所述的声波谐振器，其中，所述内部框架利用介电材料形成。

7.如权利要求2所述的声波谐振器，其中，所述内部框架利用与所述外部框架的材料相同的材料形成。

8.如权利要求1所述的声波谐振器，所述声波谐振器还包括：

保护层，设置在所述第二电极和所述框架部上。

9.如权利要求1所述的声波谐振器，所述声波谐振器还包括：

连接电极，包括经由所述框架部连接至所述第二电极的一端以及连接至外部电极的另一端，所述连接电极具有比所述框架部的厚度小的厚度。

10.如权利要求1所述的声波谐振器，所述声波谐振器还包括：

连接电极，其中，所述第一电极或所述第二电极连接至所述连接电极的向所述压电层的外部延伸的部分，以连接至连接部和外部电极。

11.如权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述至少三个反射部构造为具有不同厚度的区域或者构造为具有不同层压结构或不同材料组成的区域。

12.如权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述至少三个反射部中最靠近所述第二电极的第一反射部以及所述至少三个反射部中最远离所述第二电极的第三反射部形成为具有彼此相同的层压结构和彼此相同的厚度。

13.如权利要求12所述的声波谐振器，其中，设置在所述第一反射部和所述第三反射部之间的第二反射部包括与所述第一反射部和所述第三反射部的层压结构和厚度不同的层压结构和厚度。

14.一种制造声波谐振器的方法，所述方法包括：

在基板上顺序地层压第一电极和压电层；

在所述压电层上形成内部框架；以及

在所述压电层上形成第二电极和外部框架，

其中，所述外部框架形成为埋设在所述外部框架中沿所述第二电极的外边缘形成的所述内部框架，并且形成为包括反射在通过所述第一电极、所述压电层和所述第二电极形成的谐振部中产生的横向波的至少三个反射部。

15.如权利要求14所述的方法，其中，形成所述第二电极和所述外部框架的步骤包括：

在所述压电层的包括形成有所述内部框架的区域的上部区域上形成具有统一厚度的导电层；以及

部分地蚀刻所述导电层以形成具有比所述外部框架的厚度小的厚度的所述第二电极。

16.如权利要求14所述的方法，其中，形成所述第二电极和所述外部框架的步骤包括：

在所述压电层的形成有所述内部框架的上部区域上形成第一导电层，以将所述内部框架埋设在所述第一导电层中；以及

在所述压电层的包括形成有所述第一导电层的区域的上部区域上形成具有统一厚度的第二导电层。

17.如权利要求14所述的方法，其中，在形成所述外部框架的步骤中，包括将所述内部框架埋设在所述外部框架中以具有倾斜的表面。

18.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括：

将所述至少三个反射部中最靠近所述第二电极的第一反射部与所述至少三个反射部中最远离所述第二电极的第三反射部形成为具有彼此相同的层压结构和相同的厚度。

19.如权利要求18所述的方法，所述方法还包括：

将所述第一反射部和所述第三反射部之间的第二反射部形成为包括与所述第一反射部和所述第三反射部的层压结构和厚度不同的层压结构和厚度。