CN107094000A - 声波谐振器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种声波谐振器及制造该声波谐振器的方法。所述声波谐振器包括：谐振部，包括设置在第一电极上的压电层和设置在所述压电层上的第二电极；框架，沿所述谐振部的边缘设置在所述第二电极上，其中，所述框架包括内表面和外表面，并且所述内表面包括两个斜面。

Description

声波谐振器及其制造方法
本申请要求于2016年2月18日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0018983号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
下面的描述涉及一种声波谐振器。下面的描述还涉及一种制造这样的声波谐振器的方法。
背景技术
根据无线通信装置的小型化的趋势，射频组件技术的小型化已变得十分地理想。射频组件技术的小型化示例可包括使用制造半导体薄膜晶圆的技术的呈体声波(BAW)谐振器的形式的滤波器。
体声波(BAW)谐振器是这样一种谐振器：具有薄膜的元件通过在硅晶圆(作为半导体基板)上沉积压电介电材料并利用压电介电材料的压电特性产生谐振而被实现为滤波器。
体声波(BAW)谐振器的应用包括小且轻量化的滤波器、振荡器、谐振元件、声波谐振质量传感器和在移动通信装置、化学和生物装置以及其他适合的技术装置中的其他应用。
同时，已经进行了对用于改进BAW谐振器的特性和性能的各种结构形状和功能的研究。相应地，也已经开展对制造BAW谐振器的方法和各种结构的研究。
发明内容
提供该发明内容以简化形式来介绍选择的构思，以下在具体实施方式中进一步描述该构思。本发明内容无意限定所要求保护的主题的主要特征或必要特征，也无意用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总的方面中，一种声波谐振器包括：谐振部，包括设置在第一电极上的压电层和设置在所述压电层上的第二电极；框架，沿所述谐振部的边缘设置在所述第二电极上，其中，所述框架包括内表面和外表面，并且所述内表面包括两个斜面。
所述两个斜面中的每个可包括不同的倾斜角。
所述框架的内表面可包括从所述第二电极延伸的第一斜面和从所述第一斜面延伸的第二斜面。
所述第一斜面的倾斜角可小于所述第二斜面的倾斜角。
所述框架的外表面可以是竖直表面或倾斜表面。
所述框架还可包括使所述第二斜面与外表面彼此连接的顶表面。
所述框架还可包括具有第一斜面的第一框架和具有第二斜面并设置在所述第一框架上的第二框架。
所述框架可由与所述第二电极的材料相同的材料形成。
所述谐振部形成在膜层上并通过气隙与基板分开。
所述框架可沿所述谐振部的边缘形成为环状。
在另一总的方面，一种制造声波谐振器的方法包括：在基板上堆叠第一电极和压电层；在压电层上堆叠导电层；在导电层上形成包括两个斜面的框架层；通过使框架层和导电层图案化来完成第二电极和框架。
两个斜面中的每个可包括不同的倾斜角。
框架层的形成可包括：在导电层上形成包括第一斜面的第一框架层；在第一框架层上形成包括第二斜面的第二框架层。
框架层的形成可包括通过利用剥离工艺或干蚀刻工艺来形成第一框架层和第二框架层。
第二电极和框架的完成可包括：除去导电层的一部分和框架层的一部分；减小位于谐振部的外部上的导电层的厚度和框架层的厚度。
所述方法还可包括：通过除去压电层的一部分来暴露第一电极；在第一电极和第二电极中的每个上形成连接电极。
在另一总的方面中，一种制造声波谐振器的方法包括：在基板上堆叠第一电极和压电层；在压电层上形成包括第一斜面的第一框架；在第一框架上形成包括第二斜面的第二框架；在压电层、第一框架和第二框架上堆叠导电层；执行导电层的图案化来形成第二电极并进一步形成第一框架和第二框架。
第一斜面和第二斜面中的每个可包括不同的倾斜角。
通过下面的具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将是显而易见的。
附图说明
图1是根据示例的声波谐振器的截面图。
图2是图1的示例的A部分的放大截面图。
图3至图9是示出根据示例的制造声波谐振器的方法的示图。
图10是示意性地示出根据另一示例的声波谐振器的截面图。
图11至图14是示出根据另一示例的制造声波谐振器的方法的示图。
图15是示出根据示例的声波谐振器的S参数性能的曲线图。
在所有的附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按比例绘制，并且为了清楚、说明及方便起见，附图中元件的相对尺寸、比例和描绘可被放大。
具体实施方式
提供以下具体实施方式，以帮助读者获得在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后,在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及其等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作顺序仅仅是示例，并且其并不局限于在此所阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作外，可做出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的改变。此外，为了更加清楚和简洁，可省去本领域中公知的特征的描述。
在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供了在此描述的示例，仅用于说明实现在此描述的方法、设备和/或系统的在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的诸多可能方式中的一些。
在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“位于”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，所述元件可以直接“位于”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件或直接“结合到”另一元件，或者可存在介于他们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接位于”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于他们之间的其他元件。
如在此使用的，术语“和/或”包括任何两个或更多个相关联的所列项目中的任何一个以及任何组合。
虽然可在此使用诸如“第一”、“第二”、“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语所限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、组件、区域、层或部分也可称作第二构件、组件、区域、层或部分。
为了便于描述，可在此使用空间关系术语(诸如“在……之上”、“上面”、“在……之下”和“下面”)以描述如图中示出的一个元件相对于另一元件的关系。这样的空间关系术语意图除了包括图中所示的方位之外，还包括装置在使用或操作时的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一元件位于“之上”或“上面”的元件将相对于另一元件位于“之下”或“下面”。因此，术语“在……之上”根据装置的空间方位而包含“在……之上”和“在……之下”两种方位。装置也可以以其他方式定位(例如，旋转90度或处于其他方位)，并可对在此使用的空间关系术语做出相应解释。
在此使用的术语仅用于描述各种示例，而不用于限制本公开。除非上下文中另外清楚地指明，否则单数冠词也意于包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所述的特征、数量、操作、构件、元件和/或他们的组合，而不排除存在或增加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或他们的组合。
由于制造技术和/或公差，可出现附图中所示的形状的变化。因此，在此描述的示例不限于附图中所示的特定形状，而是包括在制造期间出现的形状上的改变。
在理解本申请的公开内容之后将显而易见的是，在此描述的示例的特征可以以各种方式结合。此外，尽管在此描述的示例具有各种构造，但是在理解本申请的公开内容之后将显而易见的是，其他构造是可能的。
在此使用的诸如“第一导电类型”和“第二导电类型”的表达可以指诸如N型导电和P型导电的相对的导电类型，在此使用这样的表达所描述的示例也包括互补的示例。例如，第一导电类型为N而第二导电类型为P的示例包括第一导电类型为P而第二导电类型为N的示例。
本公开的一方面可提供一种具有改进性能的声波谐振器以及制造所述声波谐振器的方法。
图1是根据示例的声波谐振器的截面图。图2是图1的示例的A部分的放大截面图。
参照图1和图2的示例，根据示例的声波谐振器100包括基板110和谐振部120。
可在基板110和谐振部120之间形成气隙130。此外，谐振部120可形成在膜层150上，以通过气隙130与基板110分开。
基板110可形成为硅基板或绝缘体上硅(SOI，silicon on insulator)型基板。
在图1的示例中，谐振部120可包括第一电极121、压电层123和第二电极125。谐振部120可通过彼此自下而上顺序地堆叠第一电极121、压电层123和第二电极125而形成。因此，压电层123位于第一电极121和第二电极125之间。
因为谐振部120形成在膜层150上，所以膜层150、第一电极121、压电层123和第二电极125可顺序地形成在基板110上。
例如，谐振部120可响应于施加到第一电极121和第二电极125的信号使压电层123谐振，以分别产生谐振频率和反谐振频率。
例如，第一电极121和第二电极125各自可由诸如金(Au)、钼(Mo)、钌(Ru)、铝(Al)、铂(Pt)、钛(Ti)、钨(W)、钯(Pd)、铬(Cr)、镍(Ni)或其他适合的类似金属形成。
谐振部120可利用压电层123的声波。例如，当信号被施加到第一电极121和第二电极125时，可沿压电层123的厚度方向产生机械振动，以产生声波。
这里，可使用诸如氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)、石英或类似的适合的材料作为压电层123的材料。
当所施加的信号的波长的一半与压电层123的厚度一致时，可出现压电层123的谐振现象。由于当出现谐振现象时电阻抗显著地改变，因此根据示例的声波谐振器可用作能够选择频率的滤波器。
例如，为了改善声波谐振器的品质因数，可使谐振部120位于通过气隙130与基板110分开的位置。
例如，通过在谐振部120与基板110之间形成气隙130，通过压电层123产生的声波可不受基板110的影响。
此外，由谐振部120产生的声波的反射特性可通过气隙130的存在而被改善。因为作为空的空间的气隙130具有近似于无穷大的阻抗值，所以声波不会在气隙130中损耗并可保留在谐振部120中。
例如，第一电极121和第二电极125可形成为延伸到谐振部120的外侧，第一连接电极180和第二连接电极190可分别连接到第一电极121和第二电极125的延伸部分中的每个。
例如，第一连接电极180和第二连接电极190可设置为确认谐振器和滤波器的特性，并且相应地执行需要的频率微调(frequency trimming)。然而，第一连接电极180和第二连接电极190的功能不限于这些示例，第一连接电极180和第二连接电极190还可提供其他适合的有益作用。
此外，在图1的示例中，框架170可位于谐振部120上。
例如，框架170可沿谐振部120的边缘形成为环状。然而，框架170的形状不限于如所描述的环状，而是还可形成为多个不连续的弧形的形状。
例如，声波谐振器100可利用框架170将指向谐振部120的外部的水平弹性波反射到谐振部120的内部，从而防止弹性波的能量损耗。相应地，因为被反射的水平弹性波减小了将产生的能量损耗，所以根据图1的示例的声波谐振器100可确保高的Q因数和kt 2。例如，Q因数可以指表示谐振器的相对于其中心频率的带宽的品质因数，kt 2可以指电磁耦合的系数。
因此，高Q因数可改善在实现滤波器或双工器中其他频带的阻止特性。此外，高kt 2可确保使在发送和接收数据时数据的传输量和速率增大的带宽。
在各个示例中，框架170可由压电材料、介电材料或金属形成。例如，框架170可由具有氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、二氧化硅(SiO2)、二氧化钛(TiO2)、钌(Ru)、钼(Mo)、金(Au)、钛(Ti)、铜(Cu)、钨(W)和铝(Al)中的一种或更多种作为主要成分的合成材料形成。然而，这些仅是示例材料，并且在其他示例中适当地使用其他材料。
因此，根据本示例的框架170可通过利用溅射工艺或沉积工艺形成框架层、然后通过利用剥离工艺或干蚀刻工艺除去不需要的部分而形成。此外，框架170可由与第二电极125的材料相同的材料形成，并且可另外地形成为形成第二电极125的工艺的一部分。
此外，如图2的示例中所示，根据本示例的框架170可包括内表面S1和S2、外表面S4和顶表面S3。
在这样的示例中，框架170的内表面S1和S2可包括具有不同倾斜角θ1和θ2的至少两个斜面S1和S2。在此示例中，当基板110的顶表面设置为水平表面时，倾斜角θ1和θ2表示与水平表面形成的角。
因此，相应地，框架170的内表面可分为第一斜面S1和第二斜面S2。结果是，框架170可分为包括第一斜面S1的第一框架171和包括第二斜面S2的第二框架172。
因此，第一斜面S1可以是从第二电极125延伸的斜面，第二斜面S2可以从第一斜面S1延伸，并且可位于比第一斜面S1高的位置。
此外，根据本示例的框架170的第一斜面S1的倾斜角θ1可形成为小于第二斜面S2的倾斜角θ2。
在这样的示例中，顶表面S3可位于第二斜面S2与外表面S4之间，并且可形成为水平表面。然而，顶表面S3不限于水平表面，其他构造是可能的。
此外，框架170的外表面S4可使顶表面S3与第二电极125彼此连接，并且可形成为竖直表面的形式或倾斜表面的形式。
如此，由于框架170包括多个斜面S1和S2，因此结果是，根据本示例的声波谐振器100可提供超过传统声波谐振器的改进性能。
图15是示出根据示例的声波谐振器的S参数性能的曲线图，并且示出全部的声波谐振器(即，具有传统框架的第一声波谐振器和另一声波谐振器(即，根据本示例的第二声波谐振器))的S参数。
在这样的示例中，传统框架指的是内表面形成为竖直表面的框架。
参照图15的曲线图，可见的是，与根据现有技术的第一声波谐振器相比，根据本示例的第二声波谐振器具有改善的衰减(约1.5dB)。此外，在实验中测量到kt 2提高了0.2％、Q因数提高了400。因此，在使用根据本示例性实施例的框架170的示例中，可见的是，可确保较高的Q因数和kt 2，并且可为根据示例的声波谐振器相应地提供改善的性能。
接下来，将描述根据示例的制造声波谐振器的方法。
图3至图9是示出根据示例的制造声波谐振器的方法的示图。
首先，参照图3的示例，可在基板110上形成蚀刻阻止层140。
当除去牺牲层131以形成如图1的示例中所示的气隙130时，蚀刻阻止层140可用于保护基板110。例如，蚀刻阻止层140可由二氧化硅膜、氮化硅膜等形成，但不限于此，并且蚀刻阻止层140可由另外的材料形成。
接下来，可在蚀刻阻止层140上形成牺牲层131。
这样的牺牲层131可通过之后的蚀刻工艺除去，以形成如图1中所示的气隙130。牺牲层131可由诸如多晶硅、聚合物等的材料形成。
接下来，可在牺牲层131上形成膜层150。如图1的示例中所示，膜层150可放置在气隙130之上，以用于帮助保持气隙130的形状并帮助支撑谐振部120的结构。
接下来，如图4的示例中所示，可在膜层150上顺序地形成第一电极121和压电层123。
例如，第一电极121可通过在膜层150的整个顶表面上沉积导电层、然后例如通过图案化而除去不需要的部分而形成。此外，压电层123可通过在第一电极121上沉积压电材料而形成。
根据本示例，第一电极121可由钼(Mo)形成。然而，第一电极121的材料不限于这样的材料，第一电极121可适当地由诸如金、钌、铝、铂、钛、钨、钯、铬、镍和其他金属的各种金属形成。
根据本示例，压电层123可由氮化铝(AlN)形成。然而，压电层123的材料不限于此特定材料，压电层123还可由诸如氧化锌(ZnO)、石英等的各种其他适合的压电材料形成。
接下来，如图4中所示，可在压电层123上形成用于形成如图1中所示的第二电极125的导电层125a。例如，导电层125a可沉积在压电层123的整个顶表面上。
根据本示例，用于形成第二电极125的导电层125a可由钌(Ru)形成。然而，导电层125a的材料不限于此特定材料，导电层125a还可由诸如金(Au)、钼(Mo)、钌(Ru)、铝(Al)、铂(Pt)、钛(Ti)、钨(W)、钯(Pd)、铬(Cr)、镍(Ni)等的各种其他适合的金属形成。
接下来，如图5的示例中所示，为了形成框架170，可在导电层125a上形成第一框架层171a。
例如，第一框架层171a可通过剥离工艺形成。在这样的示例中，图5中所示的第一框架层171a可通过以下步骤实现：在谐振部120的某一区域中沉积光致抗蚀剂并使光致抗蚀剂图案化以形成第一掩膜层，沉积导体层以覆盖导电层125a和第一掩膜层，然后除去第一掩膜层。
同时，可选择地，第一框架层171a还可通过干蚀刻工艺形成。例如，第一框架层171a可通过以下工艺形成：在谐振部120的整个区域上沉积导体层的工艺、在导体层上沉积光致抗蚀剂并使光致抗蚀剂图案化以形成掩膜层(未示出)的工艺、利用掩膜层对导体层执行干蚀刻以完成第一框架层的工艺以及除去掩膜层的工艺。
接下来，如图6的示例中所示，可在第一框架层171a上形成第二框架层172a。
第二框架层172a还可通过剥离工艺形成。例如，图6的示例中所示的第二框架层172a可通过以下步骤实现：在谐振部120的某一区域中沉积光致抗蚀剂并使光致抗蚀剂图案化以形成第二掩膜层，沉积导体层以覆盖第一框架层171a和第二掩膜层的全部，然后除去第二掩膜层。
同时，可选择地，第二框架层172a还可通过干蚀刻工艺形成。例如，第二框架层172a可通过以下工艺形成：在谐振部120的整个区域上沉积导体层的工艺、在导体层上沉积光致抗蚀剂并使光致抗蚀剂图案化以形成掩膜层的工艺、利用掩膜层对导体层执行干蚀刻以完成第二框架层的工艺以及除去掩膜层的工艺。
在此示例中，第一框架层171a和第二框架层172a可通过调节第一掩膜层和第二掩膜层的尺寸和形状而形成为具有不同的斜面S1和S2。
接下来，如图7的示例中所示，可在第二框架层172a上沉积光致抗蚀剂，可通过光刻工艺执行图案化，然后在使用图案化的光致抗蚀剂作为掩膜的同时，可除去第二框架层172a、第一框架层171a和导电层125a的不需要的部分。
第二框架层172a、第一框架层171a和导电层125a全部可由相同的材料形成。因此，在本操作中，第二框架层172a、第一框架层171a和导电层125a的不需要的部分可被共同地除去。然而，在第二框架层172a、第一框架层171a和导电层125a由不同材料形成的示例中，第二框架层172a、第一框架层171a和导电层125a也可按照需要被分别地除去。
接下来，如图8的示例中所示，可通过显著地减小设置在如图1中所示的谐振部120的外部处的导电层125a的厚度来完成第二电极125的形成。
本操作可利用光刻工艺来执行。例如，可不完全除去设置在谐振部120的外部处的导电层125a，并且通过调节蚀刻时间仅减小其厚度，从而可形成第二电极125并且可完成框架170。
同时，可适当地省略本操作。
接下来，如图9的示例中所示，在压电层123被部分地除去之后，可形成连接电极180和190。
例如，可利用光刻工艺除去部分压电层123。
在这样的示例中，第一连接电极180可通过在第一电极121上沉积金(Au)、铜(Cu)或其他类似的材料(诸如适合的金属)而形成。
类似地，第二连接电极190可通过在第二电极125上沉积金(Au)、铜(Cu)或其他类似的材料(诸如适合的金属)而形成。
接着，在利用连接电极180和190确认谐振部120和滤波器的特性以及执行需要的频率微调之后，然后可形成气隙130。
气隙130可通过除去图9的示例中所示的牺牲层131而形成。因此，可完成图1的示例中所示的声波谐振器的形成。这里，牺牲层131可通过利用蚀刻法除去。
在根据具有如上所述的构造的示例的制造声波谐振器的方法中，顺序地形成两个框架层，使得可在框架的内表面上形成两个斜面。相应地，框架的斜面中的每个可容易地形成为具有期望的倾斜角。
同时，根据本公开的声波谐振器和制造声波谐振器的方法不限于前面所提到的示例，而是可按照各种方式进行修改，以提供其他示例。
图10是示意性地示出根据另一示例的声波谐振器的截面图。
参照图10的示例，根据本示例的声波谐振器的框架170的第一斜面S1的倾斜角θ1可形成为大于第二斜面S2的倾斜角θ2。
此外，框架170的顶表面可能被省略，框架170的外表面S4可使第二斜面S2与第二电极125彼此连接，并且可形成为竖直表面的形式或倾斜表面的形式。
因此，根据本示例的声波谐振器100的框架170可以以各种形式进行修改，只要声波谐振器100的内表面形成为具有如上讨论的多个斜面即可。
图11至图14是示意性地示出根据另一示例的制造声波谐振器的方法的示图。
参照图11至图14，在根据本示例的制造声波谐振器的方法中，第一电极121和压电层123可首先顺序地形成在如图3的示例中所示的膜层150上。
如图11的示例中所示，可在压电层123上形成第一框架171。例如，第一框架171可通过在压电层上形成导体层、然后除去不需要的部分而形成。此外，与上面描述的示例类似，第一框架171可通过剥离工艺或干蚀刻工艺形成。因此，第一框架171可具有第一斜面S1。
如图12中所示，可在第一框架171上形成第二框架172。与第一框架171的形成类似，第二框架172可通过剥离工艺或干蚀刻工艺形成。因此，第二框架172可具有第二斜面S2。
如图13的示例中所示，然后可形成用于形成第二电极的导电层125a。导电层125a可通过在第一压电层123和第一框架171以及第二框架172的所有顶表面的整体上沉积导体层而形成。在此示例中，导电层125a可由与第一框架171和第二框架172的材料相同的材料形成。
如图14中所示，可通过除去导电层125a的不需要的部分来完成第二电极125。例如，可利用光刻工艺来执行导电层125a的部分除去。
接下来，可利用图9的示例中所示的工艺来完成图1的示例中所示的声波谐振器100的形成。
如上面所阐述的，根据示例，因为声波谐振器和制造声波谐振器的方法是针对具有比传统声波谐振器高的Q因数和kt 2的声波谐振器，所以相应地提供了改善的性能。
虽然本公开包括具体示例，但是在理解本申请的公开内容之后将明显的是，在不脱离权利要求以及其等同物的精神和范围的情况下，可在形式和细节方面对这些示例做出各种改变。在此描述的示例仅被视为描述意义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述被视为适用于其他示例中的类似的特征或方面。如果按照不同的顺序执行描述的技术、和/或如果按照不同的方式来组合所描述的系统、结构、装置或电路、和/或由其他组件或其等同物来替换或增添所描述的系统、结构、装置或电路，则可实现合理的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物限定，并且权利要求及其等同物的范围内的全部改变将被理解为被包括在本公开中。

Claims (18)

1.一种声波谐振器，包括：
谐振部，包括设置在第一电极上的压电层和设置在所述压电层上的第二电极；以及
框架，沿所述谐振部的边缘设置在所述第二电极上，
其中，所述框架包括内表面和外表面，
所述内表面包括两个斜面。
2.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述两个斜面中的每个包括不同的倾斜角。
3.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述框架的内表面包括从所述第二电极延伸的第一斜面和从所述第一斜面延伸的第二斜面。
4.根据权利要求3所述的声波谐振器，其中，所述第一斜面的倾斜角小于所述第二斜面的倾斜角。
5.根据权利要求3所述的声波谐振器，其中，所述框架的外表面是竖直表面或倾斜表面。
6.根据权利要求3所述的声波谐振器，其中，所述框架还包括使所述第二斜面与外表面彼此连接的顶表面。
7.根据权利要求3所述的声波谐振器，其中，所述框架还包括具有第一斜面的第一框架和具有第二斜面并设置在所述第一框架上的第二框架。
8.根据权利要求3所述的声波谐振器，其中，所述框架由与所述第二电极的材料相同的材料形成。
9.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述谐振部形成在膜层上并通过气隙与基板分开。
10.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述框架沿所述谐振部的边缘形成为环状。
11.一种制造声波谐振器的方法，所述方法包括：
在基板上堆叠第一电极和压电层；
在压电层上堆叠导电层；
在导电层上形成包括两个斜面的框架层；以及
通过使框架层和导电层图案化来完成第二电极和框架。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，两个斜面中的每个包括不同的倾斜角。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，框架层的形成包括：
在导电层上形成包括第一斜面的第一框架层；
在第一框架层上形成包括第二斜面的第二框架层。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，框架层的形成包括通过利用剥离工艺或干蚀刻工艺来形成第一框架层和第二框架层。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，第二电极和框架的完成包括：
除去导电层的一部分和框架层的一部分；
减小位于谐振部的外部上的导电层的厚度和框架层的厚度。
16.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括：
通过除去压电层的一部分来暴露第一电极；
在第一电极和第二电极中的每个上形成连接电极。
17.一种制造声波谐振器的方法，所述方法包括：
在基板上堆叠第一电极和压电层；
在压电层上形成包括第一斜面的第一框架；
在第一框架上形成包括第二斜面的第二框架；
在压电层、第一框架和第二框架上堆叠导电层；以及
执行导电层的图案化来形成第二电极并进一步形成第一框架和第二框架。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，第一斜面和第二斜面中的每个包括不同的倾斜角。
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