JP2005151353A - 薄膜弾性波共振器装置の製造方法、薄膜弾性波共振器装置、薄膜弾性波フィルタ、薄膜弾性波デバイスおよび共用器 - Google Patents

Abstract

【課題】歩留まりが向上するように改良された薄膜弾性波共振器の製造方法を提供する。
【解決手段】基板４１を貫通する第１のキャビティ４２の上に、第１のキャビティ４２を跨ぐように、第１の下部電極層２２、第１の圧電体層２３、第１の上部電極層２４の順に積層された第１の薄膜弾性波共振器２１と、基板４１を貫通する第２のキャビティ４３の上に、第２のキャビティ４３を跨ぐように、第２の下部電極層３２、第２の圧電体層３３、第２の上部電極層３４の順に積層された第２の薄膜弾性波共振器３１とを少なくとも有する薄膜弾性波共振器装置に対して、第１の薄膜弾性波共振器２１の共振周波数をモニタリングしながら、基板４１の裏面側から、第１のキャビティ４２を利用して、第１の下部電極層２２の基板４１側の面の基板４１に接していない部分２２ｕをエッチングして掘り下げて、第１の薄膜弾性波共振器２１の共振周波数を調整する工程を備えた。
【選択図】図１

Description

本発明は、薄膜弾性波共振器装置の製造方法、薄膜弾性波共振器装置、薄膜弾性波フィルタ、薄膜弾性波デバイスおよび共用器に関する。例えば、最適の周波数配置が得られるように改良された薄膜弾性波フィルタや、最適の周波数配置を有する薄膜弾性波デバイスおよび共用器に関する。

携帯機器等の電子機器に内蔵される部品は、より小型化、軽量化されることが要求されている。例えば、携帯機器に使われているフィルタでは、小型であり、かつ周波数特性が精密に調整されることが要求される。

これらの要求を満たすフィルタの１つとして、薄膜弾性波共振器を用いたフィルタが知られている。

図１０（Ａ）は、従来の薄膜弾性波共振器の断面図を示している。

基板５の上に、薄膜弾性波共振器１０が設けられている。そして、薄膜弾性波共振器１０は、圧電体層１と、その上下に上部電極層２と下部電極層３を有している。基板５を貫通するキャビティ４が、下部電極層３の一部を露出させるように設けられている。基板５中にキャビティ４を設けているのは、薄膜弾性波共振器１０の自由振動を確保するためである。

図１０（Ｂ）は、薄膜弾性波共振器１０の動作を説明するための概略的な斜視図である。

薄膜弾性波共振器１０は、上部電極層２と下部電極層３の間に電界が加えられると、圧電体層１で電気エネルギーが機械エネルギーに変換される。この機械エネルギーは厚さ方向伸び振動であり、電界と同じ方向に伸び縮みを行う。これにより、薄膜弾性波共振器１０は、電子的な共振器として機能する。

さて、このような薄膜弾性波共振器は、製造工程において、複数個、一枚の基板の上に同時に形成される。その時、例えば、基板の中央部で形成された薄膜弾性波共振器と基板の中央部から離れた所に形成された薄膜弾性波共振器は、共振周波数が異なって形成される場合がある。すなわち、企図した同一の共振周波数を有する薄膜弾性波共振器が基板上でいつも均一に得られるとは限らない。しかし、一枚の基板のどの部分からも、企図した同一の共振周波数を有する薄膜弾性波共振器が得られることが、歩留まりの点で好ましい。

また、本発明が他の局面において関連する薄膜弾性波フィルタの設計では、それぞれ異なる共振周波数を備えた２つ以上の共振器を用いることが一般的であり、同一基板上に、異なる共振周波数の複数の共振器を配置し、薄膜弾性波フィルタを形成させる場合がある。

図１１（Ａ）は、これに関連する第１の従来例に係る薄膜弾性波フィルタの断面図を示している（例えば、特許文献１参照）。

基板５の表面に、キャビティ４ａおよび４ｂが設けられている。基板５上に、キャビティ４ａを跨るように第１の薄膜弾性波共振器１４が設けられ、キャビティ４ｂを跨るように第２の薄膜弾性波共振器１５が設けられている。第１の薄膜弾性波共振器１４は、キャビティ４ａに跨る下部電極層３ａを備える。第２の薄膜弾性波共振器１５は、キャビティ４ｂに跨る下部電極層３ｂを備える。そして、下部電極層３ａ、３ｂを覆うように圧電体層１が設けられている。

第１の薄膜弾性波共振器１４では、圧電体層１の上に追加的に追加圧電体層１３が設けられている。そして、第１の薄膜弾性波共振器１４では、追加圧電体層１３の上に上部電極層２ａが設けられ、第２の薄膜弾性波共振器１５では、圧電体層１の上に上部電極層２ｂが設けられている。追加的に設けられた追加圧電体層１３の厚み分、第１の薄膜弾性波共振器１４の厚みは、第２の薄膜弾性波共振器１５の厚みより厚くなり、かつ質量負荷される。したがって、第１の薄膜弾性波共振器１４は、第２の薄膜弾性波共振器１５の共振周波数よりも低い共振周波数を有するようになり、フィルタが構成される。

図１１（Ｂ）は、第２の従来例に係るフィルタの断面図を示している（例えば、特許文献２参照）。ここで、図１１（Ａ）に示すフィルタと同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明を省略する。

この第２の従来例では、第１の薄膜弾性波共振器１４において、下部電極層３ａを形成する前に底部負荷電極３ｄを形成し、その後、底部負荷電極３ｄを覆うように下部電極層３ａを形成している。底部負荷電極３ｄを追加的に設けることにより、第１の薄膜弾性波共振器１４は、第２の薄膜弾性波共振器１５の共振器周波数よりも低い共振周波数を有するようになり、フィルタが構成される。

図１１（Ｃ）は、第３の従来例に係るフィルタの断面図を示している（例えば、特許文献３参照）。ここでも、図１１（Ａ）に示すフィルタと同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明を省略する。

この第３の従来例では、第１の薄膜弾性波共振器１４において、上部電極層２ａの上に負荷電極２ｄを形成している。負荷電極２ｄを追加的に設けることにより、第１の薄膜弾性波共振器１４は、第２の薄膜弾性波共振器１５の共振周波数よりも低い共振周波数を有するようになり、フィルタが構成される。

従来の薄膜弾性波共振器は以上のように構成されており、一枚の基板のどの部分からも、企図した共振周波数を有する薄膜弾性波共振器を得られることが要望されている。
特開２００２−２９９９７９号公報 特開２００２−２９９９８０号公報 特開２００２−３３５１４１号公報

しかしながら、上記いずれの従来例の場合においても、実装後に、モニタリングをしながら共振周波数を調整することはできなかった。

図１１（Ａ）に示す第１の従来例では、第１の薄膜弾性波共振器１４は、圧電体層１および追加圧電体層１３を上部電極層２ａと下部電極層３ａで挟み込む構造である。したがって、最適の周波数配置を得るために、実装後にモニタリングをしながら共振周波数を調整しようと試みても、実装後には追加圧電体層１３の膜厚を増減することができないので、共振周波数の調整はできなかった。

図１１（Ｂ）に示す第２の従来例においても、最適の周波数配置を得るために、実装後にモニタリングをしながら第１の薄膜弾性波共振器１４の共振周波数を調整しようと試みても、実装後には底部負荷電極３ｄの膜厚の増減ができないので、共振周波数の調整はできなかった。

また、図１１（Ｃ）に示す第３の従来例の構造では、実装後にモニタリングをしながら第１の薄膜弾性波共振器１４の共振周波数を調整するために、実装した状態で、負荷電極２ｄの膜厚を増減させることは、理論上は可能である。しかし、負荷電極２ｄ以外の部分をマスクして、負荷電極２ｄの膜厚を増減させる必要がある。したがって、製造プロセスが複雑になるため、実際上は製造工程において共振周波数を調整することはできなかった。

本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、一枚の基板のどの部分からも、企図した共振周波数を有する薄膜弾性波共振器が得られる、薄膜弾性波共振器装置の製造方法及び薄膜弾性波共振器装置を提供することを目的とする。

また、別の本発明は、最適の周波数配置を有する薄膜弾性波フィルタを提供することを目的とする。

また、別の本発明は、最適の周波数配置を有する薄膜弾性波フィルタを備えた薄膜弾性波デバイスおよび共用器を提供することを目的とする。

上述した課題を解決するために、第１の本発明は、
基板を貫通する第１のキャビティの上に、前記第１のキャビティを跨ぐように、第１の下部電極層、第１の圧電体層、第１の上部電極層の順に積層された第１の薄膜弾性波共振器と、前記基板を貫通する第２のキャビティの上に、前記第２のキャビティを跨ぐように、第２の下部電極層、第２の圧電体層、第２の上部電極層の順に積層された第２の薄膜弾性波共振器とを少なくとも有する薄膜弾性波共振器装置に対して、
前記第１の薄膜弾性波共振器の共振周波数をモニタリングしながら、前記基板の裏面側から、前記第１のキャビティを利用して、前記第１の下部電極層の前記基板側の面の、前記基板に接していない部分をエッチングして掘り下げて、前記第１の薄膜弾性波共振器の共振周波数を調整する工程を備えた、薄膜弾性波共振器装置の製造方法である。

第２の本発明は、
さらに、前記第２の薄膜弾性波共振器の共振周波数をモニタリングしながら、前記基板の裏面側から、前記第２のキャビティを利用して、前記第２の下部電極層の前記基板側の面の、前記基板に接していない部分をエッチングして掘り下げて、前記第２の薄膜弾性波共振器の共振周波数を調整する工程を備えた、第１の本発明の薄膜弾性波共振器装置の製造方法である。

第３の本発明は、
前記第１の下部電極層は、前記第２の下部電極層とは、同じエッチング方法を用いてもエッチング速度が異なる材質である、第１または第２の本発明の薄膜弾性波共振器装置の製造方法である。

第４の本発明は、
前記第１の下部電極層は、前記基板側から順に、第１の周波数調整層、第１の下部電極要素の２つの層で形成されており、
前記第１の周波数調整層は、前記第２の下部電極層とは、同じエッチング方法を用いてもエッチング速度が異なる材質である、第３の本発明の薄膜弾性波共振器装置の製造方法である。

第５の本発明は、
前記第２の下部電極層は、前記基板側から順に、第２の周波数調整層、第２の下部電極要素の２つの層で形成されており、
前記第２の周波数調整層は、前記第１の周波数調整層とは、同じエッチング方法を用いてもエッチング速度が異なる材質である、第４の本発明の薄膜弾性波共振器装置の製造方法である。

第６の本発明は、
基板上に形成された前記基板を貫通しない第１のキャビティの上に、前記第１のキャビティを跨ぐように、第１の下部電極層、第１の圧電体層、第１の上部電極層の順に積層された第１の薄膜弾性波共振器と、前記基板上に形成された前記基板を貫通しない第２のキャビティの上に、前記第２のキャビティを跨ぐように、第２の下部電極層、第２の圧電体層、第２の上部電極層の順に積層された第２の薄膜弾性波共振器とを少なくとも有し、前記第１のキャビティの一部が前記第１の下部電極層によって塞がれることなく外部に露出している、薄膜弾性波共振器装置に対して、
前記第１の薄膜弾性波共振器の共振周波数をモニタリングしながら、外部に露出している前記第１のキャビティの前記一部を利用して、前記第１の下部電極層の前記基板側の面の前記基板に接していない部分をエッチングして掘り下げて、前記第１の薄膜弾性波共振器の共振周波数を調整する工程を備えた、薄膜弾性波共振器装置の製造方法である。

第７の本発明は、
第１のキャビティおよび第２のキャビティが表面に形成された基板と、
前記基板上に、前記第１のキャビティを跨ぐように、第１の下部電極層、第１の圧電体層、第１の上部電極層の順に積層された第１の薄膜弾性波共振器と、
前記基板上に、前記第２のキャビティを跨ぐように、第２の下部電極層、第２の圧電体層、第２の上部電極層の順に積層された第２の薄膜弾性波共振器とを備えた薄膜弾性波共振器装置において、
前記第１の下部電極層は、前記第１のキャビティと接する部分が、前記基板と接している面よりも掘り下げられている、薄膜弾性波共振器装置である。

第８の本発明は、
複数の薄膜弾性波共振器が梯子型に構成されている薄膜弾性波フィルタにおいて、
直列に配置された前記複数の薄膜弾性波共振器の少なくとも１つと並列に配置された前記複数の薄膜弾性波共振器の少なくとも１つは、第７の本発明の第１の薄膜弾性波共振器と第２の薄膜弾性波共振器である、薄膜弾性波フィルタである。

第９の本発明は、
第８の本発明薄膜弾性波フィルタがフェイスダウン実装されている、薄膜弾性波デバイスである。

第１０の本発明は、
第８の本発明の薄膜弾性波フィルタと、
移相回路とを備えた、共用器である。

本発明により、一枚の基板のどの部分からも、企図した共振周波数を有する薄膜弾性波共振器が得られる、薄膜弾性波共振器装置の製造方法及び薄膜弾性波共振器装置を提供することができる。

また、別の本発明により、最適の周波数配置を有する薄膜弾性波フィルタを提供することができる。

また、別の本発明により、最適の周波数配置を有する薄膜弾性波フィルタを備えた薄膜弾性波デバイスおよび共用器を提供することができる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。

（実施の形態１）
図１（Ａ）は、本発明の実施の形態１の薄膜弾性波共振器装置が形成された基板の部分断面図である。まず、図１（Ａ）を用いて、本実施の形態１の薄膜弾性波共振器装置の構成について説明する。

基板４１上に、複数の薄膜弾性波共振器が設けられている。ここでは、その複数の薄膜弾性波共振器のうちの、第１の薄膜弾性波共振器２１と第２の薄膜弾性波共振器３１の部分を取り出して説明する。なお、本説明においては、同一の基板上に形成された複数の薄膜弾性波共振器を、薄膜弾性波共振器装置と呼ぶ。

第１の薄膜弾性波共振器２１は、基板４１の上に、基板４１側から順に形成された、第１の下部電極層２２、第１の圧電体層２３および第１の上部電極層２４を有している。

第２の薄膜弾性波共振器３１は、基板４１の上に、基板４１側から順に形成された、第２の下部電極層３２、第２の圧電体層３３および第２の上部電極層３４を有している。

第１の圧電体層２３および第２の圧電体層３３の材料としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）その他適当な圧電材料を用いることができる。

第１の上部電極層２４、第２の上部電極層３４および第１の下部電極層２２、第２の下部電極層３２の材料としては、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）または白金（Ｐｔ）その他適当な材料を用いることができる。

基板４１の材料としては、例えばガラス基板、シリコン基板（Ｓｉ）を用いることができる。シリコン基板を用いた場合には、図示しないが、絶縁性を確保するため、および膜の密着力を高めるために、基板４１の上に絶縁膜を形成し、その上に第１の下部電極層２２と第２の下部電極層３２を形成するのが好ましい。

基板４１には、第１の薄膜弾性波共振器２１と第２の薄膜弾性波共振器３１のそれぞれの下に、基板４１を上下に貫通する第１のキャビティ４２と第２のキャビティ４３が設けられている。第１のキャビティ４２および第２のキャビティ４３は、例えばピラミッド型の形状を有している。

次に、第１の薄膜弾性波共振器２１の共振周波数の調整方法について説明する。

薄膜弾性波共振器は、製造工程において、一枚の基板の上に複数、同時に形成される。その時、例えば、基板の中央部で形成された薄膜弾性波共振器と基板の中央部から離れた所で形成された薄膜弾性波共振器は、同一の共振周波数になるように企図したにもかかわらず、共振周波数が異なって形成される場合がある。すなわち、企図した同一の共振周波数を有する薄膜弾性波共振器が基板上でいつも均一に得られるとは限らない。

しかし、一枚の基板のどの部分からも、企図した同一の共振周波数を有する薄膜弾性波共振器が得られることが、歩留まりの点で好ましい。歩留まりを上げるためには、基板４１の上に形成された複数の薄膜弾性波共振器の全てが同じ共振周波数を有するようにする必要がある。

そこで、図１（Ａ）に示すように、例えば、第１の薄膜弾性波共振器２１が企図した共振周波数を有していない場合には、第１の下部電極層２２の下側の面の一部２２ｕを掘り下げて除去する。これにより、第１の薄膜弾性波共振器２１の共振周波数を企図したものに調整することができる。その結果、一枚の基板４１のどの部分からも、企図した共振周波数を有する同じ薄膜弾性波共振器が得られ、歩留まりが向上する。

第１の下部電極層２２の下側の面の一部２２ｕを除去する具体的方法としては、基板４１をマスクとして利用し、第１のキャビティ４２を介して第１の下部電極層２２を下側の面からエッチングする。この場合、第１のキャビティ４２以外のキャビティは、マスク等の適切な方法で保護しておくとよい。

なお、この方法は薄膜弾性波フィルタを形成する場合にも応用できる。図１（Ｂ）は、薄膜弾性波フィルタの等価回路図を示している。

例えば、図１（Ｂ）に示すように、図１（Ａ）に示した第１の薄膜弾性波共振器２１を直列に接続する共振器とし、第２の薄膜弾性波共振器３１を並列に接続する共振器とした場合、第１の下部電極層２２の下側の面の一部２２ｕを除去することにより、第１の薄膜弾性波共振器２１の厚みが、第２の薄膜弾性波共振器３１の厚みより薄くなる。したがって、第１の薄膜弾性波共振器２１の共振周波数は、第２の薄膜弾性波共振器３１の共振器の共振周波数よりも高くなるので、同一基板上に共振周波数の異なる複数の薄膜弾性波共振器を配置し、フィルタを構成できることとなる。この方法を用いると、最適の周波数配置を有するフィルタが得られる。

この場合、第１の下部電極層２２を第１の上部電極層２４より厚くすると、第１の下部電極層２２の下側の面の一部２２ｕをエッチングして周波数調整する際に、周波数調整範囲を広く取ることできる。尚且つ、エッチングにより第１の下部電極層２２が極薄となって特性劣化することを防ぐことが可能となる。

図１（Ｃ）は、実施の形態１の他の構成の薄膜弾性波共振器装置が形成された基板の部分断面図を示している。図１（Ａ）に示す薄膜弾性波共振器装置と同一または相当する部分には、同一の参照番号を付し、その説明を省略する。

図１（Ｃ）の薄膜弾性波共振器装置では、第１の薄膜弾性波共振器２１の圧電体層と第２の薄膜弾性波共振器３１の圧電体層が、第１の薄膜弾性波共振器２１および第２の薄膜弾性波共振器３１間において分断されることのない、一続きの圧電体層１００で構成されている。また、第１の薄膜弾性波共振器２１の下部電極層と第２の薄膜弾性波共振器３１の下部電極層も、第１の薄膜弾性波共振器２１および第２の薄膜弾性波共振器３１間において分断されることのない、一続きの共通の下部電極層２００で構成されている。

この図１（Ｃ）の構成においても、図１（Ａ）の構成と同様の効果が得られる。さらに、第１の薄膜弾性波共振器２１と第２の薄膜弾性波共振器３１が圧電体層１００および下部電極層２００を共有するので、製造工程が容易になるという効果も奏する。

次に、図２を用いて、本実施の形態１の薄膜弾性波共振器装置の製造方法について説明する。

図２は、本実施の形態１の薄膜弾性波共振器装置の製造工程を説明する図である。なお、図２では、一枚の基板上に形成される複数の薄膜弾性波共振器の内、周波数調整を行う第１の薄膜弾性波共振器２１の部分のみを図示している。

まず、基板４１を準備する（図２（Ａ））。次に、基板４１の上に、第１の下部電極層２２、第１の圧電体層２３、第１の上部電極層２４を設け、第１の薄膜弾性波共振器２１を形成させる（図２（Ｂ））。そして、基板４１中に、第１の下部電極層２２の下側の面の一部を露出させるように、上下に貫通する第１のキャビティ４２をエッチングによって形成させる（図２（Ｃ））。

次に、第１の下部電極層２２および第１の上部電極層２４にそれぞれ接続される、バンプ２７ａおよびバンプ２７ｂを形成させる（図２（Ｄ））。バンプ２７ａ、２７ｂの一例として、例えば半田ボールが好ましく用いられる。そして、第１の薄膜弾性波共振器２１を配線板４４へフェイスダウン実装する（図２（Ｅ））。フェイスダウン実装は、バンプ２７ａ、２７ｂを、配線板４４の電極端子４５ａ、４５ｂと接合することによって行われる。

最後に、第１の下部電極層２２と第１の上部電極層２４の間に交流電圧を印加して、第１の薄膜弾性波共振器２１の共振周波数のモニタリングを行いながら、基板４１をマスクにして、第１のキャビティ４２を通じて第１の下部電極層２２の下側の面の一部２２ｕを厚み方向にエッチングする（図２（Ｆ））。エッチングは、ウェットエッチングまたはドライエッチングで行う。

図２に示す本実施の形態１の薄膜弾性波共振器装置の製造方法では、フェイスダウン実装後に、第１の下部電極層２２の下側の面の一部２２ｕを厚み方向にエッチングできるので、第１の薄膜弾性波共振器２１の共振周波数のモニタリングを行いながら、第１の下部電極層２２の厚みを適切に調整できる。

その結果、図２（Ｅ）の工程で得られた第１の薄膜弾性波共振器２１が企図した共振周波数を有していない場合であっても、図２（Ｆ）の工程で第１の下部電極層２２の下側の面の一部２２ｕを除去することにより、共振周波数を企図したものに調整することができる。したがって、一枚の基板４１のどの部分からも、企図した共振周波数を有する薄膜弾性波共振器が得られ、歩留まりが向上する。

また、第１のキャビティ４２および第２のキャビティ４３を、基板４１を貫通する貫通孔の形状にしていることにより、製造が容易となる。

また、薄膜弾性波フィルタの製造に、本実施の形態１の薄膜弾性波共振器装置の製造方法を応用した場合には、最適の周波数配置を有するフィルタを得ることができる。

従来の薄膜弾性波フィルタの製造方法では、図１１（Ａ）に示す第１の従来例の場合には、圧電体層１および追加圧電体層１３を上部電極層２ａと下部電極層３ａで挟み込む構造であるため、実装後にモニタリングをしながら共振周波数を調整しようにも、追加圧電体層１３の膜厚を増減するということは不可能であった。また、図１１（Ｂ）に示す従来例２の場合にも、実装後にモニタリングをしながら周波数を調整しようにも、底部負荷電極３ｄの膜厚を増加させるということは不可能であった。したがって、これらの従来例では、微妙な周波数調整を行うことができず、最適の周波数配置を有するフィルタを得ることができなかった。

これらの従来の製造方法に対して、本実施の形態１の薄膜弾性波共振器装置の製造方法を応用した場合には、第１の薄膜弾性波共振器２１の共振周波数のモニタリングを行いながら、第１の下部電極層２２の厚みを適切に調整できる。その結果、第１の薄膜弾性波共振器２１の共振周波数を、より精密に調整でき、最適の周波数配置を有するフィルタを得ることができる。

（実施の形態２）
図３（Ａ）は、本発明の実施の形態２の薄膜弾性波共振器装置が形成された基板の部分断面図である。まず、図３（Ａ）を用いて、本実施の形態２の薄膜弾性波共振器装置の構成について説明する。なお、図１（Ａ）に示した実施の形態１の薄膜弾性波共振器装置と同じ構成の部分には同一の参照番号を付し、その説明を省略する。

基板４１上に、複数の薄膜弾性波共振器が設けられている。ここでは、その複数の薄膜弾性波共振器のうちの、第１の薄膜弾性波共振器２１と第２の薄膜弾性波共振器３１の部分を取り出して説明する。

第１の薄膜弾性波共振器２１は、基板４１の上に、基板４１側から順に形成された、第１の周波数調整層２９、第１の下部電極層２２、第１の圧電体層２３および第１の上部電極層２４を有している。第１の周波数調整層２９は、金属または圧電性のない誘電体で形成される。

第２の薄膜弾性波共振器３１は、基板４１の上に、基板４１側から順に形成された、第２の下部電極層３２、第２の圧電体層３３および第２の上部電極層３４を有している。なお、第１の周波数調整層２９は、第２の下部電極層３２と異なる材質で形成されており、同じエッチング方法を用いてもこれらの２つの層のエッチング速度は異なる。

なお、本実施の形態２では、第１の下部電極層２２が、本発明の第１の下部電極要素の一例であり、第１の下部電極層２２と第１の周波数調整層２９の２つの層を合わせた部分が、本発明の第１の下部電極層の一例である。

基板４１には、第１の薄膜弾性波共振器２１と第２の薄膜弾性波共振器３１のそれぞれの下に、基板４１を上下に貫通する第１のキャビティ４２と第２のキャビティ４３が設けられている。

第１の薄膜弾性波共振器２１において、第１の周波数調整層２９の下側の面の一部２９ｕは、第１の周波数調整層２９の内部に向かって掘り下げられて除去されている。

次に、第１の薄膜弾性波共振器２１および第２の薄膜弾性波共振器３１の共振周波数の調整方法について説明する。

本実施の形態２の薄膜弾性波共振器装置を製造する際に、例えば、第１の薄膜弾性波共振器２１が企図した共振周波数を有していない場合には、第１の周波数調整層２９の下側の面の一部２９ｕを除去する。これにより、第１の薄膜弾性波共振器２１の共振周波数を企図したものに調整することができる。その結果、一枚の基板４１のどの部分からも、企図した共振周波数を有する薄膜弾性波共振器が得られ、歩留まりが向上する。

第１の周波数調整層２９の厚み部分の一部２９ｕを除去する具体的な方法としては、基板４１をマスクとして、第１のキャビティ４２を介して、第１の周波数調整層２９を下側の面からエッチングする。

この方法によれば、第１の周波数調整層２９と第２の下部電極層３２はエッチング速度が異なるので、基板４１をマスクとして第１の周波数調整層２９と第２の下部電極層３２を別々にエッチングすることができるので、製造プロセスを煩雑化させるようなマスク工程は不要となる。

図１１（Ｃ）に示す第３の従来例のフィルタの製造方法では、モニタリングをしながら共振周波数を調整する場合には、負荷電極２ｄ以外の部分をマスクして、負荷電極２ｄの膜厚の増減を行う必要があり、製造プロセスが複雑になる。これに対して、本実施の形態２の薄膜弾性波共振器装置の製造方法では、基板４１をマスクとしてエッチングするだけであるので、製造プロセスが容易である。

そして、本実施の形態２の薄膜弾性波共振器装置の製造の際には、図３（Ａ）で、第２の薄膜弾性波共振器３１もまた企図した共振周波数を有していない場合には、基板４１をマスクとして、第２のキャビティ４３を介して、第２の下部電極層３２を下側の面からエッチングすることにより、第２の薄膜弾性波共振器３１の共振周波数も調整できる。

なお、この技術は、実施の形態１と同様に、薄膜弾性波フィルタの製造にも応用できる。
図３（Ｂ）は、薄膜弾性波フィルタの等価回路図を示している。図３（Ｂ）に示すように、図３（Ａ）に示した第１の薄膜弾性波共振器２１を並列に接続する共振器とし、第２の薄膜弾性波共振器３１を直列に接続する共振器とした場合に、第１の周波数調整層２９および第２の下部電極層３２の厚みを調整することにより、最適の周波数配置を有する薄膜弾性波フィルタが得られる。

次に、図４を用いて、本実施の形態２の薄膜弾性波共振器装置の製造方法について説明する。

図４は、本実施の形態２の薄膜弾性波共振器装置の製造工程を説明する図である。なお、図４では、一枚の基板上に形成される複数の薄膜弾性波共振器の内、周波数調整を行う第１の薄膜弾性波共振器２１のみを図示して説明する。

まず、基板４１を準備する（図４（Ａ））。次に、基板４１上に、下から順に第１の周波数調整層２９、第１の下部電極層２２、第１の圧電体層２３、第１の上部電極層２４を設け、第１の薄膜弾性波共振器２１を形成させる（図４（Ｂ））。そして、基板４１中に、第１の周波数調整層２９の下側の面の一部を露出させるように、上下に貫通する第１のキャビティ４２をエッチングによって形成させる（図４（Ｃ））。

次に、第１の下部電極層２２および第１の上部電極層２４にそれぞれ接続されるバンプ２７ａおよびバンプ２７ｂを形成させる（図４（Ｄ））。バンプ２７ａ、２７ｂの一例として、例えば半田ボールが好ましく用いられる。そして、第１の薄膜弾性波共振器２１を配線板４４へフェイスダウン実装する（図４（Ｅ））。フェイスダウン実装は、バンプ２７ａ、２７ｂを、配線板４４の電極端子４５ａ、４５ｂと接合することによって行われる。

最後に、第１の下部電極層２２と第１の上部電極層２４の間に交流電圧を印加して、第１の薄膜弾性波共振器２１の共振周波数のモニタリングを行いながら、基板４１をマスクにして、第１のキャビティ４２を通じて第１の周波数調整層２９の下側の面の一部２９ｕを厚み方向にエッチングする（図４（Ｆ））。エッチングはウェットエッチングまたはドライエッチングで行う。

本実施の形態２の薄膜弾性波共振器装置の製造方法は、基板４１をマスクとしてエッチングするだけであるので、製造プロセスを簡略化することができる。なお、レーザ照射によりエッチングを行ってもよい。

本実施の形態２の薄膜弾性波共振器装置の製造方法は、フェイスダウン実装後に、基板４１をマスクとして、第１の周波数調整層２９の下側の面の一部２９ｕを厚み方向にエッチングできるので、第１の薄膜弾性波共振器２１の周波数のモニタリングを行いながら、第１の周波数調整層２９の厚みを適切に調整できる。これにより、第１の薄膜弾性波共振器２１の共振周波数を企図したものに調整することができる。その結果、一枚の基板４１のどの部分からも、企図した共振周波数を有する薄膜弾性波共振器が得られるようになり、歩留まりが向上する。

また、薄膜弾性波フィルタの製造に、本実施の形態２の薄膜弾性波共振器装置の製造方法を応用した場合には、最適の周波数配置を有するフィルタを得ることができる。

なお、本実施の形態２の製造方法では、フェイスダウン実装する前に第１のキャビティ４２を形成させているが、フェイスダウン実装後に第１のキャビティ４２を形成させてもよい。そして、第１のキャビティ４２を形成させる時に、第１の周波数調整層２９をエッチングしてもよい。

なお、本実施の形態２の説明では、第１の薄膜弾性波共振器２１と第２の薄膜弾性波共振器３１の２種類の共振器について説明したが、第１の薄膜弾性波共振器２１とは第１の周波数調整層２９のエッチング速度が異なる第１の薄膜弾性波共振器２１と同じ構成の共振器が、複数種類、同一基板上にあってもよい。この場合、エッチング速度の異なる第１の周波数調整層を有する第１の薄膜弾性波共振器ごとに、個別にエッチングをすることができる。

（実施の形態３）
図５は、本発明の実施の形態３の薄膜弾性波共振器装置が形成された基板の部分断面図である。図５を用いて、本実施の形態３の薄膜弾性波共振器装置の構成について説明する。なお、図１（Ａ）に示した実施の形態１の薄膜弾性波共振器装置と同じ構成の部分には同一の参照番号を付し、その説明を省略する。

基板４１上に、複数の薄膜弾性波共振器が設けられている。ここでは、その複数の薄膜弾性波共振器のうちの、第１の薄膜弾性波共振器２１と第２の薄膜弾性波共振器３１を取り出して説明する。

第１の薄膜弾性波共振器２１は、基板４１の上に、基板４１側から順に形成された、第１の周波数調整層２９、第１の下部電極層２２、第１の圧電体層２３および第１の上部電極層２４を有している。

第２の薄膜弾性波共振器３１は、基板４１の上に、基板４１側から順に形成された、第２の周波数調整層３９、第２の下部電極層３２、第２の圧電体層３３および第２の上部電極層３４を有している。なお、第２の周波数調整層３９は、第１の周波数調整層２９と異なる材質で形成されており、同じエッチング方法を用いてもこれらの２つの層のエッチング速度は異なる。

なお、本実施の形態３では、第１の下部電極層２２が、本発明の第１の下部電極要素の一例であり、第１の下部電極層２２と第１の周波数調整層２９の２つの層を合わせた部分が、本発明の第１の下部電極層の一例である。また、第２の下部電極層３２が、本発明の第２の下部電極要素の一例であり、第２の下部電極層３２と第２の周波数調整層３９の２つの層を合わせた部分が、本発明の第２の下部電極層の一例である。

基板４１には、第１の薄膜弾性波共振器２１と第２の薄膜弾性波共振器３１のそれぞれの下に、基板４１を上下に貫通する第１のキャビティ４２と第２のキャビティ４３が設けられている。

第１の薄膜弾性波共振器２１において、第１の周波数調整層２９の下側の面の一部２９ｕは、第１の周波数調整層２９の内部に向かって掘り下げられて除去されている。また、第２の薄膜弾性波共振器３１において、第２の周波数調整層３９の下側の面の一部３９ｕは、第２の周波数調整層３９の内部に向かって掘り下げられて除去されている。

本実施の形態３の薄膜弾性波共振器装置の製造の際には、たとえ、得られた第１の薄膜弾性波共振器２１の共振周波数が企図した周波数のものと異なっていたとしても、第１の周波数調整層２９の下側の面の一部２９ｕを除去することにより、第１の薄膜弾性波共振器２１の共振周波数の調整を行うことができる。同様に、第２の薄膜弾性波共振器３１の共振周波数が企図した周波数のものと異なっていた場合にも、第２の周波数調整層３９の下側の面の一部３９ｕを除去することにより、第２の薄膜弾性波共振器３１の共振周波数の調整を行うことができる。その結果、一枚の基板４１のどの部分からも、企図した共振周波数を有する薄膜弾性波共振器が得られ、歩留まりが向上する。

第１の周波数調整層２９の厚み部分の一部２９ｕを除去する具体的な方法としては、基板４１をマスクとして、第１のキャビティ４２を介して、第１の周波数調整層２９の下側の面の一部２９ｕをエッチングすることにより、第１の周波数調整層２９の厚み部分の一部を除去する。また、第２の周波数調整層３９の厚み部分の一部３９ｕを除去する具体的な方法としては、基板４１をマスクとして、第２のキャビティ４３を介して、第２の周波数調整層３９の下側の面の一部３９ｕをエッチングすることにより、第２の周波数調整層３９の厚み部分の一部を除去する。

本実施の形態３の薄膜弾性波共振器装置の製造方法では、第１の周波数調整層２９と第２の周波数調整層３９のエッチング速度が異なるため、別途マスクをしなくても、基板４１をマスクとしてエッチングすることができる。そのため、製造プロセスを煩雑化させるようなマスク工程は不要となる。

なお、実施の形態１の薄膜弾性波共振器装置の製造方法と同様に、本実施の形態３の薄膜弾性波共振器装置の製造方法の技術も薄膜弾性波フィルタを形成する場合に応用できる。

なお、本実施の形態３の説明では、第１の薄膜弾性波共振器２１と第２の薄膜弾性波共振器３１の２種類の共振器について説明したが、第１の周波数調整層２９と第２の周波数調整層３９のいずれともエッチング速度が異なる、第１の薄膜弾性波共振器２１および第２の薄膜弾性波共振器３１と同じ構成の共振器が、さらに複数種類、同一基板上にあってもよい。つまり、３種類以上の周波数調整層のエッチング速度が異なる薄膜弾性波共振器が、同一基板上にあってもよい。この場合、エッチング速度の異なる周波数調整層を有する薄膜弾性波共振器ごとに、個別にエッチングをすることができる。

（実施の形態４）
図６（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態４の薄膜弾性波共振器が形成された基板の部分断面図である。なお、図１（Ａ）に示した実施の形態１の薄膜弾性波共振器と同じ構成の部分には同一の参照番号を付し、その説明を省略する。

本実施の形態４の薄膜弾性波共振器は、実施の形態１の薄膜弾性波共振器とは、キャビティの形状が異なっている。

基板４１上に、複数の薄膜弾性波共振器が設けられている。ここでは、その複数の薄膜弾性波共振器のうちの、共振周波数を調整する必要のある第１の薄膜弾性波共振器２１のみを取り出して説明する。

図１（Ａ）に示した実施の形態１の薄膜弾性波共振器では、第１のキャビティ４２および第２のキャビティ４３は上方向に向かって細るピラミッド形状であったが、本実施の形態４の図６（Ａ）に示す第１の薄膜弾性波共振器２１では、キャビティ１４１の断面形状が長方形となっている。断面形状が長方形のキャビティ１４１は、基板４１の下部からのドライエッチングによって形成される。キャビティ１４１を通じて、第１の下部電極層２２の一部を下側から除去し、第１の薄膜弾性波共振器２１の共振周波数の調整を行うことは実施の形態１と同様である。

また、図６（Ｂ）に示すように、基板４１の表面にキャビティ１４２を形成してもよい。キャビティ１４２は、基板４１を貫通していないが、このように基板４１の表面だけにキャビティ１４２を形成させても、第１の薄膜弾性波共振器２１の自由振動を確保できる。キャビティ１４２を通じて、第１の下部電極層２２の一部が下側から除去され、共振周波数の調整が行われている。

図６（Ｃ）は、図６（Ｂ）における矢印Ｋ方向から見た矢視図である。図６（Ｃ）に示すように、第１の薄膜弾性波共振器２１はキャビティ１４２を完全に覆うのではなく、キャビティ１４２の一部１４２ｓは露出している。なお、キャビティ１４２の一部１４２ｓは、本発明の、外部に露出しているキャビティの一部の一例である。なお、図６（Ｂ）は、図６（Ｃ）のＪ−Ｊ’断面図である。

次に、図７を用いて、本実施の形態４の薄膜弾性波共振器装置の製造方法について説明する。

図７は、本実施の形態４の図６（Ｂ）、（Ｃ）に示す薄膜弾性波共振器の製造工程を説明する図である。

まず、基板４１の表面にキャビティ１４２を設ける（図７（Ａ））。次に、キャビティ１４２の中に、後に除去される犠牲層４６を埋め込む（図７（Ｂ））。犠牲層４６は、例えば、ガラスで形成される。

次に、基板４１上に、キャビティ１４２を跨ぐように、下から順に、第１の下部電極層２２、第１の圧電体層２３、第１の上部電極層２４を設ける（図７（Ｃ））。その後、図６（Ｃ）に示すキャビティ１４２の一部露出している部分１４２ｓを除いて、第１の下部電極層２２および第１の上部電極層２４を覆うように、基板４１上にエッチングストッパ層７０を設ける。エッチングストッパ層７０は、第１の薄膜弾性波共振器２１の振動を妨げないように極薄く形成する。エッチングストッパ層７０の材料として、例えば第１の圧電体層２３に用いられているものと同じもの、若しくは後述する第１の下部電極層２２をエッチングする液で溶解しない材料が選ばれる。

次に、キャビティ１４２の一部露出している部分１４２ｓを通じて、キャビティ１４２の中の犠牲層４６を除去する（図７（Ｄ））。犠牲層４６の除去は、フッ化水素を用いる溶解または他の方法で行われる。そして、犠牲層４６の除去により、空洞が形成される。

次に、バンプ２７ａ、２７ｂを形成すべき部分のエッチングストッパ層７０をマスクを用いて除去し、その後、第１の下部電極層２２および第１の上部電極層２４にそれぞれ接続されるバンプ２７ａおよびバンプ２７ｂを形成させる（図７（Ｅ））。バンプの一例として、例えば半田ボールが好ましく用いられる。そして、第１の薄膜弾性波共振器２１を配線板４４へフェイスダウン実装する（図７（Ｆ））。フェイスダウン実装は、バンプ２７ａ、２７ｂを、配線板４４の電極端子４５ａ、４５ｂと接合することによって行われる。

最後に、第１の下部電極層２２と第１の上部電極層２４の間に交流電圧を印加して、第１の薄膜弾性波共振器２１の共振周波数のモニタリングを行いながら、基板４１をマスクにして、キャビティ１４２を通じて第１の下部電極層２２の下側の面の一部２２ｕを厚み方向にエッチングする。エッチングはウェットエッチングで行う。

本実施の形態４の薄膜弾性波共振器装置の製造方法では、図７（Ｆ）の工程で得られた第１の薄膜弾性波共振器２１が企図した共振周波数を有していない場合であっても、フェイスダウン実装後の図７（Ｆ）の工程で、第１の下部電極層２２の下側の面の一部２２ｕを、第１の下部電極層２２の内部に向かって除去することにより、第１の薄膜弾性波共振器２１の共振周波数を企図したものに調整することができる。したがって、一枚の基板４１のどの部分からも、企図した共振周波数を有する薄膜弾性波共振器が得られ、歩留まりが向上する。また、基板４１をマスクに利用するので、製造プロセスを煩雑化させるようなマスク工程は不要となる。

なお、本実施の形態４の薄膜弾性波共振器装置の製造方法を、フィルタの製造に応用した場合には、最適の周波数配置を有するフィルタを得ることができる。

なお、図６（Ｂ）に示すような、基板４１を貫通していない形状のキャビテイと、図１Ａ）の実施の形態１で示したような基板４１を貫通するような形状のキャビティとが、一枚の基板上に混在していてもかまわない。

（実施の形態５）
図８は、本発明の実施の形態５の薄膜弾性波共振器装置の製造工程を説明する図である。なお、図８では、基板の上に形成される複数の薄膜弾性波共振器の内、周波数調整を行う第１の薄膜弾性波共振器２１の部分のみを図示しており、その部分について説明する。

本実施の形態５の薄膜弾性波共振器装置の製造方法は、基板上の構造が、図３に示す実施の形態２の第１の周波数調整層２９を有する第１の薄膜弾性波共振器２１の構造であり、キャビティの形状が、図６（Ｂ）に示すキャビテイ１４２と同一の形状の構造である、薄膜弾性波共振器装置の製造方法である。

まず、その表面に空洞であるキャビティ１４２が設けられた基板４１を準備する（図８（Ａ））。次に、キャビティ１４２内に、後にエッチング除去される犠牲層４６を埋め込む（図８（Ｂ））。犠牲層４６は、例えばガラスで形成される。

次に、基板４１の上に、キャビティ１４２を跨ぐように、第１の周波数調整層２９、第１の下部電極層２２、第１の圧電体層２３および第１の上部電極層２４を形成させる（図８（Ｃ））。そして、キャビティ１４２内から犠牲層４６を除去する（図８（Ｄ））。

次に、第１の下部電極層２２および第１の上部電極層２４にそれぞれ接続される、バンプ２７ａおよびバンプ２７ｂを形成させる（図８（Ｅ））。バンプ２７ａ、２７ｂの一例として、例えば半田ボールが好ましく用いられる。そして、第１の薄膜弾性波共振器２１を配線板４４へフェイスダウン実装する（図８（Ｆ））。フェイスダウン実装は、バンプ２７ａ、２７ｂを、配線板４４の電極端子４５ａ、４５ｂと接合することによって行われる。

最後に、第１の下部電極層２２と第１の上部電極層２４の間に交流電圧を印加して、第１の薄膜弾性波共振器２１の共振周波数のモニタリングを行いながら、基板４１をマスクにして、キャビティ１４２を通じて第１の周波数調整層２９の下側の面の一部２９ｕを厚み方向にエッチングする（図８（Ｇ））。エッチングはウェットエッチングで行う。

本実施の形態５の薄膜弾性波共振器装置の製造方法を用いることにより、図８（Ｆ）の工程で得られた第１の薄膜弾性波共振器２１が企図した共振周波数を有していない場合であっても、フェイスダウン実装後に、第１の周波数調整層２９の下側の面の一部２９ｕを、第１の周波数調整層２９の内部に向かって除去することにより、第１の薄膜弾性波共振器２１の共振周波数を企図したものに調整することができる。したがって、一枚の基板のどの部分からも、企図した共振周波数を有する薄膜弾性波共振器が得られ、歩留まりが向上する。また、基板４１をマスクに利用するので、製造プロセスを煩雑化させるようなマスク工程は不要となる。

なお、本実施の形態５の薄膜弾性波共振器装置の製造方法を、フィルタの製造に応用した場合には、最適の周波数配置を有するフィルタを得ることができる。

（実施の形態６）
図９は、本発明の実施の形態６の共用器の等価回路図である。図９を用いて、本実施の形態６の共用器について説明する。

本実施の形態６の共用器は、Ｔｘフィルタ（送信フィルタ）と、Ｒｘフィルタ（受信フィルタ）と、移相回路で構成されている。移相回路は、図９に示すように、例えば２つの伝送線路から構成される。ＴｘフィルタおよびＲｘフィルタは、例えば、図１（Ｂ）の本発明の実施の形態１に示したフィルタを含むものである。これらのＴｘフィルタおよびＲｘフィルタは、最適の周波数配置を有するフィルタにされているので、特性の優れた共振器を得ることができる。

なお、今回開示した各実施の形態に示した構成、方法等はすべての点で例示であって制限的なものではない。

以上に説明したように、本発明の薄膜弾性波共振器によれば、得られた薄膜弾性波共振器が企図した共振周波数を有していない場合であっても、共振周波数の調整部材となるキャビティの直上にある層をエッチングするので、共振周波数を企図したものに調整することができる。したがって、一枚の基板のどの部分からも、企図した共振周波数を有する薄膜弾性波共振器が得られ、歩留まりが向上するという効果を奏する。

本発明の薄膜弾性波フィルタは、共振周波数の調整が行われた薄膜弾性波共振器を用いているので、最適の周波数配置を有する薄膜弾性波フィルタとなる。

また、本発明の薄膜弾性波デバイスは、薄膜弾性波フィルタがフェイスダウン実装されているので、共振周波数のモニタリングを行いながら、共振周波数の調整が可能となる。

また、本発明の共用器は、最適の周波数配置を有する薄膜弾性波フィルタを用いているので、特性の優れた共用器となる。

また、本発明の薄膜弾性波共振器装置の製造方法は、得られた薄膜弾性波共振器が企図した共振周波数を有するものでない場合であっても、共振周波数の調整部材となるキャビティの直上にある層をエッチングするので、共振周波数を企図したものに調整することができる。したがって、一枚の基板のどの部分からも、企図した共振周波数を有する薄膜弾性波共振器が得られ、歩留まりが向上するという効果を奏する。

一枚の基板のどの部分からも、企図した共振周波数を有する薄膜弾性波共振器が得られ、携帯機器および通信機器などの用途に適用できる。

（Ａ）本発明の実施の形態１の薄膜弾性波共振器装置が形成された基板の部分断面図、（Ｂ）本発明の実施の形態１の薄膜弾性波共振器を薄膜弾性波フィルタとして応用した場合の等価回路図、（Ｃ）本発明の実施の形態１の他の構成の薄膜弾性波共振器装置が形成された基板の部分断面図 本発明の実施の形態１の薄膜弾性波共振器装置の製造方法の工程説明図 （Ａ）本発明の実施の形態２の薄膜弾性波共振器装置が形成された基板の部分断面図、（Ｂ）本発明の実施の形態２の薄膜弾性波共振器を薄膜弾性波フィルタとして応用した場合の等価回路図 本発明の実施の形態２の薄膜弾性波共振器装置の製造方法の工程説明図 本発明の実施の形態３の薄膜弾性波共振器装置が形成された基板の部分断面図 （Ａ）本発明の実施の形態４の薄膜弾性波共振器の断面図、（Ｂ）本発明の実施の形態４の他の構成例における薄膜弾性波共振器の断面図、（Ｃ）図６（Ｂ）における矢印Ｋ方向から見た矢視図 本発明の実施の形態４の薄膜弾性波共振器装置の製造方法の工程説明図 本発明の実施の形態５の薄膜弾性波共振器装置の製造方法の工程説明図 本発明の実施の形態６の共用器の等価回路図 （Ａ）従来の薄膜弾性波共振器の断面図、（Ｂ）従来の薄膜弾性波共振器の動作を説明するための概略的な斜視図 （Ａ）第１の従来例に係るフィルタの断面図、（Ｂ）第２の従来例に係るフィルタの断面図、（Ｃ）第３の従来例に係るフィルタの断面図

符号の説明

２１ 第１の薄膜弾性波共振器
２２ 第１の下部電極層
２２ｕ 第１の下部電極層の下側の面の一部
２３ 第１の圧電体層
２４ 第１の上部電極層
３１ 第２の薄膜弾性波共振器
３２ 第２の下部電極層
３３ 第２の圧電体層
３４ 第２の上部電極層
４１ 基板
４２ 第１のキャビティ
４３ 第２のキャビティ

Claims (10)

1. 基板を貫通する第１のキャビティの上に、前記第１のキャビティを跨ぐように、第１の下部電極層、第１の圧電体層、第１の上部電極層の順に積層された第１の薄膜弾性波共振器と、前記基板を貫通する第２のキャビティの上に、前記第２のキャビティを跨ぐように、第２の下部電極層、第２の圧電体層、第２の上部電極層の順に積層された第２の薄膜弾性波共振器とを少なくとも有する薄膜弾性波共振器装置に対して、
   前記第１の薄膜弾性波共振器の共振周波数をモニタリングしながら、前記基板の裏面側から、前記第１のキャビティを利用して、前記第１の下部電極層の前記基板側の面の、前記基板に接していない部分をエッチングして掘り下げて、前記第１の薄膜弾性波共振器の共振周波数を調整する工程を備えた、薄膜弾性波共振器装置の製造方法。
2. さらに、前記第２の薄膜弾性波共振器の共振周波数をモニタリングしながら、前記基板の裏面側から、前記第２のキャビティを利用して、前記第２の下部電極層の前記基板側の面の、前記基板に接していない部分をエッチングして掘り下げて、前記第２の薄膜弾性波共振器の共振周波数を調整する工程を備えた、請求項１に記載の薄膜弾性波共振器装置の製造方法。
3. 前記第１の下部電極層は、前記第２の下部電極層とは、同じエッチング方法を用いてもエッチング速度が異なる材質である、請求項１または２に記載の薄膜弾性波共振器装置の製造方法。
4. 前記第１の下部電極層は、前記基板側から順に、第１の周波数調整層、第１の下部電極要素の２つの層で形成されており、
   前記第１の周波数調整層は、前記第２の下部電極層とは、同じエッチング方法を用いてもエッチング速度が異なる材質である、請求項３に記載の薄膜弾性波共振器装置の製造方法。
5. 前記第２の下部電極層は、前記基板側から順に、第２の周波数調整層、第２の下部電極要素の２つの層で形成されており、
   前記第２の周波数調整層は、前記第１の周波数調整層とは、同じエッチング方法を用いてもエッチング速度が異なる材質である、請求項４に記載の薄膜弾性波共振器装置の製造方法。
6. 基板上に形成された前記基板を貫通しない第１のキャビティの上に、前記第１のキャビティを跨ぐように、第１の下部電極層、第１の圧電体層、第１の上部電極層の順に積層された第１の薄膜弾性波共振器と、前記基板上に形成された前記基板を貫通しない第２のキャビティの上に、前記第２のキャビティを跨ぐように、第２の下部電極層、第２の圧電体層、第２の上部電極層の順に積層された第２の薄膜弾性波共振器とを少なくとも有し、前記第１のキャビティの一部が前記第１の下部電極層によって塞がれることなく外部に露出している、薄膜弾性波共振器装置に対して、
   前記第１の薄膜弾性波共振器の共振周波数をモニタリングしながら、外部に露出している前記第１のキャビティの前記一部を利用して、前記第１の下部電極層の前記基板側の面の前記基板に接していない部分をエッチングして掘り下げて、前記第１の薄膜弾性波共振器の共振周波数を調整する工程を備えた、薄膜弾性波共振器装置の製造方法。
7. 第１のキャビティおよび第２のキャビティが表面に形成された基板と、
   前記基板上に、前記第１のキャビティを跨ぐように、第１の下部電極層、第１の圧電体層、第１の上部電極層の順に積層された第１の薄膜弾性波共振器と、
   前記基板上に、前記第２のキャビティを跨ぐように、第２の下部電極層、第２の圧電体層、第２の上部電極層の順に積層された第２の薄膜弾性波共振器とを備えた薄膜弾性波共振器装置において、
   前記第１の下部電極層は、前記第１のキャビティと接する部分が、前記基板と接している面よりも掘り下げられている、薄膜弾性波共振器装置。
8. 複数の薄膜弾性波共振器が梯子型に構成されている薄膜弾性波フィルタにおいて、
   直列に配置された前記複数の薄膜弾性波共振器の少なくとも１つと並列に配置された前記複数の薄膜弾性波共振器の少なくとも１つは、請求項７に記載の第１の薄膜弾性波共振器と第２の薄膜弾性波共振器である、薄膜弾性波フィルタ。
9. 請求項８に記載の薄膜弾性波フィルタがフェイスダウン実装されている、薄膜弾性波デバイス。
10. 請求項８に記載の薄膜弾性波フィルタと、
    移相回路とを備えた、共用器。
    

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