JP2008118480A - 圧電薄膜デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、基板(10)内に貫通電極(30)を形成する工程と、貫通電極(30)を形成する工程の後、基板(10)の表面に貫通電極30に接続し、圧電膜(24)を挟み下部電極(22)と上部電極(26)とが対向するメンブレン部(20)を形成する工程と、を有することを特徴とする圧電薄膜デバイスおよびその製造方法である。
【選択図】図5
Description
12 空隙
14 配線層
16 基板の凹部
20 メンブレン部
22 下部電極
24 圧電膜
26 上部電極
30 貫通電極
31 シード層
32 メッキ層
38 外部端子
40 キャップ部
42 キャップ部の凹部
44 シーリングド部
46 キャビティ
Claims (13)
- 基板内に貫通電極を形成する工程と、
前記貫通電極を形成する工程の後、前記基板の表面に前記貫通電極に接続し、圧電膜を挟み下部電極と上部電極とが対向するメンブレン部を形成する工程と、を有することを特徴とする圧電薄膜デバイスの製造方法。 - 前記貫通電極を形成する工程は、前記基板の表面に凹部を形成する工程と、前記凹部に前記貫通電極を埋め込む工程と、を含み、
前記貫通電極が露出するように前記基板を裏面より除去する工程を有することを特徴とする請求項1記載の圧電薄膜デバイスの製造方法。 - 前記凹部を形成する工程は、ドライエッチングを用い前記凹部を形成する工程であることを特徴とする請求項2記載の圧電薄膜デバイスの製造方法。
- 前記凹部に前記貫通電極を埋め込む工程は、前記凹部内にシード層を形成する工程と、前記シード層上に電界メッキを行いメッキ層を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項2または3記載の圧電薄膜デバイスの製造方法。
- 前記メンブレン部となるべき領域の前記基板上に空隙を形成する工程を有することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の圧電薄膜デバイスの製造方法。
- 前記基板上に前記メンブレン部を気密封止するキャップ部を形成する工程を具備することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項記載の圧電薄膜デバイスの製造方法。
- 前記キャップ部の前記メンブレン部に対向領域に凹部を有することを特徴とする請求項6記載の圧電薄膜デバイスの製造方法。
- 前記キャップ部を形成する工程は、前記基板と前記キャップ部を、金属を用いた接合、ガラスフリットを用いた接合、接着剤を用いた接合および陽極接合のいずれかで接合することを特徴とする請求項6または7記載の圧電薄膜デバイスの製造方法。
- 前記キャップ部を形成する工程は、前記基板上に前記メンブレン部を囲うように柱状樹脂部を形成する工程と、前記柱状樹脂部上に屋根樹脂部を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項6記載の圧電薄膜デバイスの製造方法。
- 前記柱状樹脂部と前記屋根樹脂部とを覆うように保護膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項9記載の圧電薄膜デバイスの製造方法。
- 基板に埋め込まれ、前記基板と同じ厚さを有する貫通電極と、
前記基板上に設けられ、圧電膜を挟み下部電極と上部電極とが対向するメンブレン部と、
前記基板および前記貫通電極上に形成され、前記メンブレン部と前記貫通電極とを接続するための配線層と、を具備することを特徴とする圧電薄膜デバイス。 - 前記基板上に設けられ、前記メンブレン部を密閉するキャップ部を具備することを特徴とする請求項11記載の圧電薄膜デバイス。
- 前記基板は、前記メンブレン部に相当する領域に空隙を有することを特徴とする請求項11または12記載の圧電薄膜デバイス。
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