KR20190052919A - 음향파 디바이스 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 음향파 디바이스는, 일면에 음향파 발생부가 형성된 기판, 상기 음향파 발생부의 둘레를 따라 상기 기판에 배치되는 지지부, 상기 지지부에 결합되며 상기 음향파 발생부와 소정간격 이격 배치되는 보호 부재, 및 상기 보호 부재 내에 내장되는 적어도 하나의 소자를 포함한다.
Description
본 발명은 음향파 디바이스 및 그 제조방법에 관한 것이다.
대역 통과 필터(Band Pass Filter)는 여러 주파수 중 필요한 주파수 대역만 선별하여 송수신하는 통신용 기기의 핵심부품이다.
최근 대역 통과 필터로 음향파 디바이스가 폭넓게 사용되고 있다. 음향파 디바이스는 일반적으로 반도체 기판인 실리콘 웨이퍼 상에 압전 유전체 물질을 증착하여 그 압전특성을 이용함으로써 공진을 유발시키는 박막형태의 소자를 필터로 구현한다.
음향파 디바이스의 예로는 표면 음향파(Surface Acoustic Wave, SAW) 필터 및 벌크 음향파(Bulk Acoustic Wave, BAW) 필터 등이 있다.
이러한 음향파 디바이스는 기판 상에 복수 개를 실장하여 모듈 형태로 이용되고 있으며, 이용분야로는 이동통신기기, 화학 및 바이오 기기 등의 소형 경량필터, 오실레이터, 공진소자, 음향공진 질량센서 등을 들 수 있다.
본 발명의 목적은 습기나 이물이 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있는 음향파 디바이스 및 그 제조 방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 실시예에 따른 음향파 디바이스는, 일면에 음향파 발생부가 형성된 기판; 상기 기판의 일면에 배치되며 상기 음향파 발생부가 수용되는 수용 공간을 구비하는 지지부; 및 상기 지지부에 결합되며 상기 음향파 발생부와 소정간격 이격 배치되는 보호 부재;를 포함하며, 상기 보호 부재는 상기 지지부에 형성된 안착 홈에 삽입되며 상기 지지부에 결합된다.
또한 본 발명의 실시예에 따른 음향파 디바이스 제조 방법은, 일면에 음향파 발생부가 형성된 기판을 마련하는 단계; 상기 기판의 일면에 상기 음향파 발생부의 둘레를 따라 지지부와 보호 부재를 배치하는 단계; 및 상기 지지부와 상기 보호 부재를 밀봉하는 밀봉부를 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 보호 부재를 배치하는 단계는 상기 지지부에 상기 보호 부재를 부분적으로 매립하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 음향파 디바이스는 보호 부재가 지지부 내에 매립되므로, 음향파 발생부가 배치된 공간의 기밀성을 극대화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 음향파 디바이스를 개략적으로 도시한 단면도.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 음향파 디바이스의 제조 방법을 개략적으로 도시한 도면.
도 6 내지 도 9는 각각 다른 실시예에 따른 음향파 디바이스를 개략적으로 도시한 단면도.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 음향파 디바이스의 제조 방법을 개략적으로 도시한 도면.
도 6 내지 도 9는 각각 다른 실시예에 따른 음향파 디바이스를 개략적으로 도시한 단면도.
본 발명의 상세한 설명에 앞서, 이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 실시예에 불과할 뿐, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이때, 첨부된 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타내고 있음을 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략할 것이다. 마찬가지의 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었으며, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 음향파 디바이스를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 음향파 디바이스는 기판(100), 지지부(200), 보호 부재(300), 기밀층(400) 및 밀봉부(600)를 포함한다. 여기서 음향파 디바이스는 표면 음향파(Surface Acoustic Wave)필터, 벌크 음향파 (Bulk Acoustic Wave) 필터 및 듀플렉서(duplexer) 등 승인된 주파수 대역을 통과시키는 필터소자를 포함하는 개념임을 밝혀둔다.
기판(100)은 SAW 필터일 경우 압전 기판으로 구비될 수 있으며 BAW 필터일 경우 Si 기판을 사용할 수 있다. 예를 들어, 기판(100)은 LiTaO3, LiNbO3, Li2B4O7, 또는 SiO2, Silicon 등의 단결정이 사용될 수 있다. 이와 함께, PZT 계의 다결정이나 ZnO 박막이 사용될 수 있다.
다만, 음향파 디바이스에 사용되는 기판(100)은 본 실시예에 제한되지 않으며, 당업계에서 통용되는 다양한 기판으로 대체될 수 있다.
기판(100)의 일면에는 음향파 발생부(110)가 구비될 수 있다. 음향파 발생부(110)는 전기적 신호를 기계적 신호로 변환하거나 기계적 신호를 전기적 신호로 변환하는 인터디지털 트랜스듀서(InterDigital Transducer, IDT) 전극이나 압전 박막 공진자(PIEZOELECTRIC THIN FILM RESONATOR)가 구비될 수 있다.
예를 들어, 음향파 디바이스가 표면 음향파 필터로 이용되는 경우 상기 음향파 발생부(110)는 금속 전극으로 구비될 수 있고, 음향파 디바이스가 벌크 음향파 필터로 이용되는 경우 상기 음향파 발생부(110)는 압전 소자와 전극을 적층한 구조체의 형태로 형성될 수 있다.
본 실시예에 따른 음향파 발생부(110)는 압전 박막을 적층한 압전 박막 공진자로 형성된다. 따라서 음향파 발생부(110)는 아래에서부터 하부 전극, 압전층 및 상부 전극이 순서대로 적층되어 공진부를 형성한다.
그러나 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 음향파 발생부(110)가 IDT 전극인 경우, 알루미늄 또는 구리로 구비될 수 있으며, 빗살형태로 다수의 전극을 교대로 교차시킨 구조로 형성될 수 있다. 이 경우, 음향파 발생부(110)는 기판(100)상에 금속층을 형성하고, 이를 포토리소그래피(Photolithography) 방법을 통해 소정의 전극형태로 가공하여 구비될 수 있다.
기판(100)의 일면에는 지지부(200)와 전극(118)이 배치된다. 전극(118)은 기판(100)에 형성된 배선 패턴(미도시)을 통해 음향파 발생부(110)와 전기적으로 연결될 수 있다. 또한 후술되는 접속 도체(220)와 접합된다.
지지부(200)는 음향파 발생부(110)와 연결된 전극(118)을 덮는 형태로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며 전극(118)의 일부 또는 전체가 외부로 노출되도록 배치될 수도 있다.
지지부(200)는 음향파 발생부(110)의 둘레를 감싸는 형태로 연속적으로 형성될 수 있다. 따라서 지지부(200)는 내부에 음향파 발생부(110)가 배치되는 수용 공간(R)을 구비할 수 있다.
지지부(200)는 수지나 폴리머와 같은 절연성 재질로 형성된다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 필요에 따라 금속 재질로 형성할 수도 있다.
또한 지지부(200)는 기판(100)의 일면에서 소정 거리 돌출된다. 이때, 지지부(200)의 돌출 거리는 음향파 발생부(110)의 높이보다 크게 형성된다. 이에 따라 지지부(200)에 결합되는 보호 부재(300)와 음향파 발생부(110) 사이에는 간극이 형성된다.
한편, 본 실시예에 따른 지지부(200)의 구조는 상기한 구성으로 한정되지 않으며, 보호 부재(300)와 음향파 발생부(110) 사이에 간극을 형성하는 구조라면 다양하게 변경될 수 있다.
지지부(200) 내에는 적어도 하나의 접속 도체(220)가 배치된다.
접속 도체(220)는 지지부(200)를 관통하며 배치되는 도전성 부재로, 일단이 기판(100)의 전극(118)과 연결되고 타단에는 접속 단자(500)가 결합된다.
접속 도체(220)는 지지부(200)를 관통하는 구멍을 도전성 재료로 메우거나 구멍의 내면에 도전성 재료를 도포함으로써 형성될 수 있다. 접속 도체(220)를 형성하는 도전성 재료는 Cu, Ag, Au, Ni, Pt, Pd 또는 이들의 합금이 이용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
지지부(200)에는 안착 홈(202)이 구비된다.
안착 홈(202)은 후술되는 보호 부재(300)가 결합되는 홈으로, 음향파 발생부(110)가 배치되는 수용 공간(R)의 내벽을 따라 연속적으로 형성되며, 내벽의 상단 모서리를 따라 계단 형태의 홈으로 형성된다.
보다 구체적으로, 안착 홈(202)은 바닥면(B)과 측벽(S)을 포함한다. 바닥면(B)은 보호 부재(300)의 하부에 위치하여 보호 부재(300)를 지지하는 면이다. 또한 측벽(S)은 보호 부재(300)의 측면과 대면하는 면으로, 보호 부재(300)의 측면과 접촉하거나 매우 인접하게 배치될 수 있다.
본 실시예에서 바닥면(B)과 측벽(S)은 서로 수직을 이룬다. 그러나 이는 보호 부재(300)의 형상에 따라 형성된 구조로, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며 보호 부재(300)의 형상이 변경되는 경우, 바닥면(B)과 측벽(S)의 배치 구조나 형상도 변경될 수 있다.
본 실시예에서 안착 홈(202)의 깊이는 보호 부재(300)의 두께와 동일하거나 유사하게 형성될 수 있다. 따라서, 안착 홈(202)에 보호 부재(300)가 배치되는 경우, 보호 부재(300)는 지지부(200)의 상부로 돌출되지 않으며, 보호 부재(300)의 상부면은 지지부(200)와 상부면과 동일한 평면 상에 배치된다.
그러나 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며, 후술되는 실시예들과 같이 보호 부재(300)의 일부가 지지부(200)의 상부로 돌출되도록 구성하거나, 지지부의 상부면 아래로 배치되도록 구성하는 등 다양한 변형이 가능하다.
또한 보호 부재(300)가 안착 홈(202)에 안정적으로 안착될 수 있도록, 마주보는 안착 홈(202) 간의 거리는 보호 부재(300)의 너비와 동일하거나 유사하게 형성될 수 있다. 따라서, 측벽(S)의 전체적인 형상은 보호 부재(300)의 전체적인 형상과 동일하게 형성될 수 있다.
보호 부재(300)는 외부 환경으로부터 음향파 발생부(110)를 보호한다. 보호 부재(300)는 음향파 발생부(110)의 상부를 전체적으로 덮도록 구비될 수 있다.
보호 부재(300)는 편평한 기판 형태로 형성될 수 있으며, 지지부(200)의 안착 홈(202)에 안착된다.
보호 부재(300)는 지지부(200)에 의해 음향파 발생부(110)와 이격 배치된다. 따라서, 지지부(200)에 의해 음향파 발생부(110)와 보호 부재(300) 사이에는 간극이 형성되며, 이러한 간극은 음향파 디바이스 구동 시 음향파 발생부(110)의 변형 공간으로 이용된다. 이에 음향파 발생부(110)가 공진하며 변형될 때 음향파 발생부(110)는 보호 부재(300)와 접촉하지 않는다.
보호 부재(300)는 강성을 제공하기 위해 금속 재질(예컨대 구리, 니켈)로 형성될 수 있다. 본 실시예에서 보호 부재(300)는 니켈(Ni)로 형성되나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 보호 부재(300)는 니켈(Ni) 이외의 다른 금속으로 형성할 수 있으며, 복수의 금속층을 적층하여 형성하는 것도 가능하다. 또한 금속과 동등한 강성을 제공할 수 있다면 수지 등 다른 재질로 보호 부재(300)를 형성할 수도 있다.
보호 부재(300)는 지지부(200) 안착 홈(202) 내에 삽입되어 지지부(200)와 결합된다.
이에 따라 보호 부재(300)는 지지부(200)에 매립되는 형태로 지지부(200)와 결합된다.
보호 부재(300)는 지지부(200)의 안착 홈(202)이 형성하는 바닥면(B)과 측벽(S)에 모두 접촉하며 지지부(200)와 결합될 수 있다. 이 경우, 보호 부재(300)가 지지부(200)의 상부면에 안착되는 구조에 비해, 보호 부재(300)와 지지부(200) 사이의 접합 면적이 확장되므로, 접합 신뢰성을 높일 수 있다.
보호 부재(300)는 별도로 제조한 후, 지지부(200) 상에 접합할 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 후술되는 제조 방법과 같이 보호 부재(300)와 지지부(200)를 일체로 형성한 후, 기판(100)에 전사하는 등 필요에 따라 다양한 방법으로 형성될 수 있다.
접속 단자(500)는 지지부(200)의 외부면에 배치될 수 있으며, 접속 도체(220)를 매개로 하여 음향파 발생부(110)와 전기적으로 연결될 수 있다.
접속 단자(500)는 음향파 디바이스가 실장되는 메인 기판(또는 패키지 기판)과 음향파 디바이스를 전기적, 물리적으로 연결한다.
접속 단자(500)는 솔더 볼이나 솔더 범프 등의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
기밀층(400)은 보호 부재(300)와 지지부(200) 간의 접합면을 완전히 밀폐하기 위해 구비된다. 보다 구체적으로, 기밀층(400)은 보호 부재(300)와 지지부(200)가 형성하는 표면과, 후술되는 밀봉부(600) 사이에 배치되어 음향파 발생부(110)로 습기나 이물질이 침입하는 것을 방지한다.
기밀층(400)은 박막층으로 형성될 수 있다. 예를 들어 기밀층(400)은 silicon nitride (SixNy), silicon dioxide (SiO2), silicon oxy-nitride (SiOxNy), silicon carbide (SiC)로 이루어지는 군 중 적어도 하나의 성분을 포함하는 무기 절연막 또는 산화막과 같은 얇은 박막층으로 구비될 수 있다.
기밀층(400)은 화학 증착법에 의해 구비될 수 있으며, 예를 들어, 상기 기밀층(400)은 플라즈마 강화 화학 증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)으로 구비될 수 있다.
이러한 기밀층(400)을 구비함으로써, 음향파 디바이스의 방습 성능을 향상시킬 수 있다. 그러나, 후술되는 밀봉부(600)가 기밀층(400)의 기능을 충분히 수행하는 경우, 기밀층(400)은 생략될 수 있다.
밀봉부(600)는 박막의 절연체로 구비되며, 외부 환경으로부터 기밀층(400)과 지지부(200), 보호 부재(300)를 보호한다.
밀봉부(600)는 솔더 레지스트(Soler resist)와 같은 절연 물질을 기밀층(400)의 표면에 도포하여 형성할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 기밀층(400)과 용이하게 결합되며, 외부로부터 기밀층(400)을 보호할 수 있는 재질이라면 다양한 재질로 형성될 수 있다.
예를 들어, 밀봉부(600)는 에폭시(Epoxy)와 같은 열경화성 수지나, 폴리이미드(Polyimide)와 같은 열가소성 수지, 광경화성 수지 등이 이용될 수 있다. 또한, 강성을 부여하기 위해 이들 수지에 유리 섬유나 무기 필러 등과 같은 보강재가 함침된 프리프레그(prepreg)를 사용할 수도 있다.
이어서, 도 2 내지 도 5를 참조하여 도 1에 도시된 음향파 디바이스의 제조 방법을 설명한다.
먼저 도 2에 도시된 바와 같이, 캐리어 기판(10) 상에 금속층(20)을 형성한다(S01). 여기서 금속층(20)은 구리(Cu)로 형성될 수 있다. 또한 금속층(20)은 접착 테이프와 같은 접합 부재(15)를 매개로 캐리어 기판(10) 상에 배치될 수 있다.
이어서, 금속층(20) 상에 제1 마스크층(30)을 형성한 후, 제1 마스크층(30)을 부분적으로 식각하여 제1 패턴(P1)을 형성한다(S02). 제1 패턴(P1)은 제1 마스크층(30)을 관통하는 형태로 형성된다.
제1 마스크층(30)은 감광성필름(DFR, dry Film Photoresist)이나 포토레지스트(PR, Photoresist)로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 제1 마스크층(30)에 제1 패턴(P1)을 형성함에 따라, 금속층(20)의 일부는 제1 패턴(P1)을 통해 외부로 노출된다.
이어서, 제1 마스크층(30)의 제1 패턴(P1) 내에 도전성 물질을 채워 보호 부재(300)를 형성한다(S03). 본 단계는 도금 공정이나 실크 스크린 방식을 통해 수행될 수 있다. 예를 들어, 제1 패턴(P1) 내에 니켈(Ni) 도금을 수행하여 보호 부재(300)를 형성할 수 있다.
또한 보호 부재는 다수의 금속층을 적층하여 형성하는 것도 가능하다. 예를 들어 도금 공정을 통해 제1 패턴(P1) 내에 니켈(Ni) 층을 형성한 후, 그 위에 구리(Cu) 층이나 다른 도금층을 적층하여 보호 부재(300)를 형성하는 것도 가능하다.
이어서, 제1 마스크층(30)을 제거한다(S04). 이에 금속층(20) 상에는 보호 부재(300)만이 남겨진다.
이어서, 금속층(20) 상에 지지층(200a)을 적층한다(S05). 지지층(200a)은 금속층(20)과 보호 부재(300) 전체를 덮는 형태로 형성될 수 있으나, 필요에 따라 부분적으로 형성될 수도 있다.
지지층(200a)이 보호 부재(300) 전체를 덮으며 배치됨에 따라, 보호 부재(300)는 지지층(200a) 내에 매립된다. 이에 따라 보호 부재(300)는 전술한 안착 홈(도 1의 202)에 삽입된 형태로 배치된다.
또한 지지층(200a)과 보호 부재(300)는 모두 금속층(20)이 형성하는 평면 상에 배치된다. 따라서 도 1에 도시된 바와 같이 최종적으로 지지층(200a)의 상부면과 보호 부재(300)의 상부면은 모두 동일한 평면 상에 배치된다.
지지층(200a)은 후에 지지부(200)로 형성된다. 따라서, 지지층(200a)은 수지나 폴리머와 같은 절연성 재질로 형성된다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 필요에 따라 금속 재질로 형성할 수도 있다.
이어서, 지지층(200a)의 불필요한 부분을 제거하여 지지부(200)를 형성한다(S06). 이 과정에서 지지부(200)의 내부를 부분적으로 제거하여 개구(OP)를 형성한다. 개구(OP)는 지지부(200)를 완전히 관통하는 형태로 형성되며, 이에 금속층(20)은 개구(OP)를 통해 외부로 노출된다. 개구(OP)는 후에 접속 도체(220)를 형성하는 데에 이용된다.
이어서, 음향파 발생부(110)가 형성된 기판(100)을 준비한 후, 캐리어 기판(10) 상에 형성된 구조물을 기판(100)에 전사(轉寫)한다(S07). 이때 상기한 구조물은 지지부(200)가 기판(100)에 접촉하도록 전사된다.
전사가 완료되면, 캐리어 기판(10)을 제거한다(S08). 이에 금속층(20)이 외부로 노출된다. 이 단계에서 접착 부재(15)도 캐리어 기판(10)과 함께 제거된다.
이어서, 금속층(20)을 제거한다(S09). 이에 개구(OP)는 외부로 노출된다. 금속층(20)은 식각 방식으로 제거될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이어서, 개구(OP) 내에 도전성 물질을 충진하여 접속 도체(220)를 형성한다(S10). 본 단계는 도금 공정이나 실크 스크린 방식을 통해 수행될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 접속 도체(220)를 형성하기 위해, 도시되어 있지 않지만, 개구(OP) 내에 시드층(Seed layer)을 형성하는 단계가 추가적으로 수행될 수 있다.
이 경우, 금속층(20)을 제거한 표면과 개구(OP) 내에 시드층을 형성하는 단계, 시드층 상에 제2 마스크층을 형성하는 단계, 개구(OP) 내에 도전성 물질을 충진하여 접속 도체(220)를 형성하는 단계, 및 불필요한 제2 마스크층과 시드층을 제거하는 단계를 통해 접속 도체(220)를 완성할 수 있다. 이때, 시드층은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등의 재질이 이용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
이어서, 지지부(200)와 보호 부재(300)가 형성하는 표면에 기밀층(400)을 형성한다(S11). 전술한 바와 같이, 기밀층(400)은 silicon nitride (SixNy), silicon dioxide (SiO2), silicon oxy-nitride (SiOxNy), silicon carbide (SiC)로 이루어지는 군 중 적어도 하나의 성분을 포함하는 무기 절연막 또는 산화막과 같은 얇은 박막층으로 구비될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
이어서, 기밀층(400) 상에 밀봉부(600)를 형성한다(S08). 밀봉부(600)는 솔더 레지스트(Soler resist)와 같은 절연 물질을 기밀층(400)의 표면에 도포한 후, 이를 부분적으로 제거하여 접속 도체(220)를 노출시킴으로써 형성할 수 있다.
이어서, 노출된 접속 도체(220)에 접속 단자(500)를 형성하여 도 1에 도시된 음향파 디바이스를 완성한다.
한편 본 실시예에서는 캐리어 기판(10)에 지지부(200)까지 형성한 후 이를 기판(100)에 전사하는 방법을 예로 들었으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 지지부(200)를 캐리어 기판(10)에 형성하지 않고 기판(100) 상에 직접 형성한 후, 캐리어 기판(10)에 형성된 보호 부재(300)를 기판(100)의 지지부(200) 상에 전사하는 등 다양한 변형이 가능하다.
또한 캐리어 기판(10)을 이용하기 않고, 기판(100) 상에 각 부재들을 순차적으로 적층하며 음향파 디바이스를 형성하는 등 다양한 변형이 가능하다.
이상과 같이 구성되는 본 실시예에 따른 음향파 디바이스는 보호 부재가 지지부의 외부로 돌출되지 않고 지지부 내에 배치되며, 이에 보호 부재와 지지부의 표면은 동일한 평면 상에 배치된다.
따라서, 보호 부재와 지지부 사이에 형성되는 틈이나 단차로 인해 기밀층이나 밀봉부에 균열이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 이에 음향파 발생부가 배치된 공간의 기밀성을 극대화할 수 있다.
또한 기밀층이나 밀봉부가 평면 상에 배치되므로, 전체적으로 동일한 두께로 형성될 수 있다. 따라서, 굴곡을 따라 기밀층이나 밀봉부가 형성되는 경우에 비해 기밀 신뢰성을 높일 수 있으며 제조가 용이하다.
한편, 본 발명의 구성은 전술한 실시예에 한정되지 않으며, 다양한 변형이 가능하다.
도 6 내지 도 9는 각각 다른 실시예에 따른 음향파 디바이스를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6을 참조하면, 음향파 디바이스는 보호 부재(300)의 두께가 안착 홈(202)의 깊이보다 얇게 형성된다. 이에 따라, 도면을 기준으로 보호 부재(300)의 상부면은 지지부(200)의 상부면보다 낮은 위치에 배치된다.
본 실시예의 보호 부재(300)는 전술한 S09 단계 또는 S10 단계에서 보호 부재(300)의 일부를 식각함으로써 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 도 7을 참조하면, 음향파 디바이스는 보호 부재(300)의 두께가 안착 홈(202)의 깊이보다 두껍게 형성된다. 이에 따라 도면을 기준으로 보호 부재(300)의 상부면은 지지부(200)의 상부면보다 높은 위치에 배치된다.
본 실시예의 보호 부재(300)는 전술한 S09 단계 또는 S10 단계에서 보호 부재(300)의 상부면에 금속층을 적층함으로써 형성함으로써 형성될 수 있다. 이때 금속층은 도금 공정을 통해 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
이처럼 보호 부재(300)의 두께는 필요에 따라 다양한 형태로 구현할 수 있다.
도 8을 참조하면, 음향파 디바이스는 기밀층(400)이 지지부(200)의 측면으로 연장 형성된다.
또한 도 9를 참조하면, 음향파 디바이스는 기밀층(400)이 지지부(200)와 밀봉부(600) 사이에 배치되지 않고, 지지부(200)와 밀봉부(600)가 형성하는 표면을 따라 배치된다.
이처럼 기밀층(400)은 음향파 발생부(110)로 습기나 이물질이 침입하는 것을 방지할 수만 있다면 다양한 형태로 배치될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
100: 기판
110: 음향파 발생부
200: 지지부
220: 접속 도체
300: 보호 부재
400: 기밀층
500: 접속 단자
600: 밀봉부
110: 음향파 발생부
200: 지지부
220: 접속 도체
300: 보호 부재
400: 기밀층
500: 접속 단자
600: 밀봉부
Claims (16)
- 일면에 음향파 발생부가 형성된 기판;
상기 기판의 일면에 배치되며, 상기 음향파 발생부가 수용되는 수용 공간을 구비하는 지지부; 및
상기 지지부에 결합되며, 상기 음향파 발생부와 소정간격 이격 배치되는 보호 부재;
를 포함하며,
상기 보호 부재는 상기 지지부에 형성된 안착 홈에 삽입되며 상기 지지부에 결합되는 음향파 디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 안착 홈은,
상기 수용 공간을 형성하는 상기 지지부의 내벽을 따라 연속적으로 형성되는 음향파 디바이스.
- 제2항에 있어서, 상기 안착 홈은,
상기 지지부 내벽의 모서리를 따라 계단 형태의 홈으로 형성되는 음향파 디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 보호 부재의 외부면은,
상기 지지부의 외부면보다 높거나 낮게 배치되는 음향파 디바이스.
- 제1항에 있어서,
상기 보호 부재와 상기 지지부가 형성하는 표면을 덮으며 배치되는 밀봉부를 더 포함하는 음향파 디바이스.
- 제5항에 있어서, 상기 밀봉부는,
절연체로 형성되는 음향파 디바이스.
- 제5항에 있어서,
상기 보호 부재와 상기 지지부가 형성하는 표면과, 상기 밀봉부 사이에 배치되어 상기 음향파 발생부로 습기나 이물질이 침입하는 것을 방지하는 기밀층을 더 포함하는 음향파 디바이스.
- 제7항에 있어서, 상기 기밀층은,
상기 지지부의 측면으로 연장 형성되는 음향파 디바이스.
- 제8항에 있어서, 상기 기밀층은,
무기 절연막 또는 박막 필름으로 형성되는 음향파 디바이스.
- 제5항에 있어서,
상기 지지부와 밀봉부가 형성하는 표면을 따라 배치되어 상기 음향파 발생부로 습기나 이물질이 침입하는 것을 방지하는 기밀층을 더 포함하는 음향파 디바이스.
- 일면에 음향파 발생부가 형성된 기판을 마련하는 단계;
상기 기판의 일면에 상기 음향파 발생부의 둘레를 따라 지지부와 보호 부재를 배치하는 단계; 및
상기 지지부와 상기 보호 부재를 밀봉하는 밀봉부를 형성하는 단계;
를 포함하며,
상기 보호 부재를 배치하는 단계는 상기 지지부에 상기 보호 부재를 부분적으로 매립하는 단계를 포함하는 음향파 디바이스 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 보호 부재를 형성하는 단계는,
캐리어 기판 상에 보호 부재를 마련하는 단계;
상기 보호 부재의 테두리를 따라 지지부를 형성하는 단계;
상기 보호 부재와 상기 지지부를 상기 기판의 일면에 전사하는 단계; 및
상기 캐리어 기판을 제거하는 단계;
를 포함하는 음향파 디바이스 제조 방법.
- 제12항에 있어서,
상기 캐리어 기판 상에 금속층을 형성하는 단계;
상기 금속층 상에 제1 마스크층을 형성하고 패터닝하여 제1 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 제1 패턴 내에 도전성 물질을 채워 상기 보호 부재를 형성하는 단계;
를 더 포함하는 음향파 디바이스 제조 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 지지부를 형성하는 단계는,
상기 지지부에 개구를 형성하는 단계를 더 포함하는 음향파 디바이스 제조 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 지지부와 보호 부재를 배치하는 단계 이후,
상기 개구에 도전성 물질을 충진하여 접속 도체를 형성하는 단계를 더 포함하는 음향파 디바이스 제조 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 밀봉부를 형성하기 전에,
상기 음향파 발생부로 습기나 이물질이 침입하는 것을 방지하기 위해 상기 지지부와 상기 보호 부재의 표면을 따라 기밀층을 형성하는 단계를 더 포함하는 음향파 디바이스 제조 방법.
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