CN113659954A - 一种体声波谐振器及其封装方法和电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种体声波谐振器及其封装方法和电子设备，包括：提供第一衬底，第一衬底的一侧具有谐振结构，谐振结构包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的压电层；在第一衬底的一侧形成第一导电件、第二导电件和第一封装件，第一导电件与第一电极电连接，第二导电件与第二电极电连接；提供封装基板，封装基板的一侧具有第一连接端、第二连接端和第二封装件；将第一衬底与封装基板贴合，并使第一导电件与第一连接端电连接，使第二导电件与第二连接端电连接，使第一封装件与第二封装件固定连接形成环状封装挡墙，从而不需要先采用第二衬底对第一衬底进行封装后，再与封装基板电连接，进而可以简化工艺流程，降低生产周期和成本。
Description
技术领域
本发明实施例涉及半导体技术领域，具体涉及一种体声波谐振器及其封装方法和电子设备。
背景技术
薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，简称FBAR)，又称为体声波谐振器或BAW，因具有尺寸小、工作频率高、功耗低以及品质因数高等特点，而被广泛应用于无线通信射频、生物以及医学等重要领域。
目前，大多采用晶圆级封装(Wafer Level Package，简称WLP)技术，在具有体声波谐振器的第一衬底上键合第二衬底，然后再将其整体键合在封装基板上进行封装。但是，这种封装技术的工艺流程较为复杂，导致体声波谐振器的生产周期长、生产成本较高。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种体声波谐振器及其封装方法和电子设备，以简化体声波谐振器的封装流程，降低生产周期和生产成本。
为解决上述问题，本发明实施例提供如下技术方案：
一种体声波谐振器的封装方法，包括：
提供第一衬底，所述第一衬底的一侧具有声反射结构和谐振结构，所述谐振结构至少部分覆盖所述声反射结构，所述谐振结构包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的压电层；
在所述第一衬底的一侧形成第一导电件、第二导电件和第一封装件，所述第一导电件与所述第一电极电连接，所述第二导电件与所述第二电极电连接，所述第一封装件包围所述谐振结构以及所述第一导电件和所述第二导电件；
提供封装基板，所述封装基板的一侧具有第一连接端、第二连接端和第二封装件，所述第二封装件包围所述第一连接端和所述第二连接端，且所述第二封装件与所述第一封装件对应设置；
将所述第一衬底与所述封装基板贴合，并使所述第一导电件与所述第一连接端电连接，使所述第二导电件与所述第二连接端电连接，使所述第一封装件与所述第二封装件固定连接形成环状封装挡墙。
可选的，所述第一导电件、所述第二导电件和所述第一封装件的材料相同，则在所述第一衬底的一侧形成第一导电件、第二导电件和第一封装件包括：
在所述第一衬底的一侧形成第一掩膜，所述第一掩膜具有第一镂空区域、第二镂空区域和第三镂空区域，所述第一镂空区域暴露出部分第一电极，所述第二镂空区域暴露出部分第二电极，所述第三镂空区域暴露出部分所述第一衬底；
在所述第一镂空区域形成第一导电件，在所述第二镂空区域形成第二导电件，在所述第三镂空区域形成第一封装件，其中，所述第三镂空区域包围所述堆叠结构以及所述第一镂空区域和所述第二镂空区域，以使所述第一封装件包围所述堆叠结构以及所述第一导电件和所述第二导电件；
去除所述第一衬底的一侧的掩膜。
可选的，在所述第一镂空区域形成第一导电件，在所述第二镂空区域形成第二导电件，在所述第三镂空区域形成第一封装件之前，还包括：
在所述第一衬底的一侧形成辅助层，所述辅助层包括位于所述第一镂空区域内的第一辅助层、位于所述第二镂空区域内的第二辅助层和位于所述第三镂空区域内的第三辅助层；
在所述第一掩膜表面形成第二掩膜，所述第二掩膜暴露出所述第一镂空区域内的第一辅助层、所述第二镂空区域内的第二辅助层以及所述第三镂空区域内的第三辅助层，以在所述第一辅助层表面形成所述第一导电件，在所述第二辅助层表面形成所述第二导电件，在所述第三辅助层表面形成所述第一封装件。
可选的，在所述第一镂空区域形成第一导电件，在所述第二镂空区域形成第二导电件，在所述第三镂空区域形成第一封装件之后，还包括：
在所述第一导电件表面形成第一连接件，在所述第二导电件表面形成第二连接件，在所述第一封装件表面形成第三连接件，以使所述第一导电件通过所述第一连接件与所述第一连接端电连接，使所述第二导电件通过所述第二连接件与所述第二连接端电连接，使所述第一封装件通过所述第三连接件与所述第二封装件固定连接。
可选的，在所述第一衬底的一侧形成第一封装件包括：
在所述第一衬底的一侧形成多个第一封装件，所述多个第一封装件均包围所述谐振结构以及所述第一导电件和所述第二导电件，且所述多个第一封装件在远离所述谐振结构的方向上依次排列；
其中，所述封装基板具有多个第二封装件，所述多个第二封装件与所述多个第一封装件对应设置，每个所述第一封装件与一个所述第二封装件固定连接形成一个封装挡墙。
一种体声波谐振器，应用如上任一项所述的方法封装而成，所述体声波谐振器包括：
第一衬底，所述第一衬底的一侧具有声反射结构、谐振结构、第一导电件、第二导电件和第一封装件，所述谐振结构至少部分覆盖所述声反射结构，所述谐振结构包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的压电层，所述第一导电件与所述第一电极电连接，所述第二导电件与所述第二电极电连接，所述第一封装件包围所述谐振结构以及所述第一导电件和所述第二导电件；
与所述第一衬底对应贴合的封装基板，所述封装基板的一侧具有第一连接端、第二连接端和第二封装件；所述第二封装件包围所述第一连接端和所述第二连接端，且所述第二封装件与所述第一封装件对应设置；所述第一导电件与所述第一连接端电连接，所述第二导电件与所述第二连接端电连接，所述第一封装件与所述第二封装件固定连接形成环状封装挡墙。
可选的，所述第一导电件、所述第二导电件和所述第一封装件的材料相同。
可选的，还包括第一辅助层、第二辅助层和第三辅助层；
所述第一辅助层位于所述第一电极与所述第一导电件之间，所述第二辅助层位于所述第二电极与所述第二导电件之间，所述第三辅助层位于所述第一衬底与所述第一封装件之间。
可选的，还包括第一连接件、第二连接件和第三连接件；
所述第一连接件位于所述第一导电件和所述第一连接端之间，以使所述第一导电件通过所述第一连接件与所述第一连接端电连接；
所述第二连接件位于所述第二导电件和所述第二连接端之间，以使所述第二导电件通过所述第二连接件与所述第二连接端电连接；
所述第三连接件位于所述第一封装件和所述第二封装件之间，以使所述第一封装件通过所述第三连接件与所述第二封装件固定连接。
可选的，所述第一导电件、所述第二导电件和所述第一封装件的材料包括金、锡、铜、铝中的一者或多者的合金；所述第一连接件、所述第二连接件和所述第三连接件的材料包括锡银。
可选的，所述体声波谐振器包括多个第一封装件，所述多个第一封装件均包围所述谐振结构以及所述第一导电件和所述第二导电件，且所述多个第一封装件在远离所述谐振结构的方向上依次排列；
所述封装基板具有多个第二封装件，所述多个第二封装件与所述多个第一封装件对应设置，每个所述第一封装件与一个所述第二封装件固定连接形成一个环状封装挡墙。
一种电子设备，包括如上任一项所述的体声波谐振器。
本发明实施例提供的体声波谐振器及其封装方法和电子设备，在第一衬底的一侧形成第一导电件、第二导电件和第一封装件之后，将第一衬底与封装基板对应贴合，并使第一导电件与封装基板的第一连接端电连接，使第二导电件与封装基板的第二连接端电连接，使第一封装件与封装基板的第二封装件固定连接形成环状封装挡墙，从而可以在使第一衬底和封装基板电连接的同时，形成密封谐振结构的环状封装挡墙，进而不需要先采用第二衬底对第一衬底进行封装后，再与封装基板电连接，进而可以简化工艺流程，降低生产周期和生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1至图3为现有的一种封装流程中体声波谐振器的剖面结构示意图；
图4为本发明一个实施例提供的体声波谐振器的封装方法的流程图；
图5至图10为本发明一个实施例提供的封装流程中体声波谐振器的剖面结构示意图；
图11至图12为本发明一个实施例提供的形成第一导电件、第二导电件和第一封装件的流程中的剖面结构示意图；
图13至图17为本发明一个实施例提供的形成具有辅助层的第一导电件、第二导电件和第一封装件的流程中的剖面结构示意图；
图18为本发明一个实施例提供的具有连接件的第一导电件、第二导电件和第一封装件的剖面结构示意图；
图19为本发明另一个实施例提供的体声波谐振器的剖面结构示意图；
图20为本发明另一个实施例提供的体声波谐振器的剖面结构示意图；
图21为本发明另一个实施例提供的体声波谐振器的剖面结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，大多采用晶圆级封装技术，在具有体声波谐振器的第一衬底上键合第二衬底，然后再将其整体键合在封装基板上进行封装。如图1所示，先在第一衬底10上形成谐振结构，该谐振结构包括压电层110、第一电极111和第二电极112，然后，如图2所示，将第一衬底10与第二衬底12键合，之后形成贯穿第二衬底12的第一通孔和第二通孔，并在第一通孔内形成第一导电插塞121，在第二通孔内形成第二导电插塞122，第一导电插塞121与第一电极111电连接，第二导电插塞122与第二电极112电连接，然后，如图3所示，将其与封装基板13对应电连接。
但是，这种封装方式的工艺流程较为复杂，导致体声波谐振器的生产周期长、生产成本较高。基于此，本发明提供了一种体声波谐振器及其封装方法和电子设备，以克服现有技术存在的上述问题，该封装方法包括：
提供第一衬底，所述第一衬底的一侧具有声反射结构和谐振结构，所述谐振结构至少部分覆盖所述声反射结构，所述谐振结构包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的压电层；
在所述第一衬底的一侧形成第一导电件、第二导电件和第一封装件，所述第一导电件与所述第一电极电连接，所述第二导电件与所述第二电极电连接，所述第一封装件包围所述谐振结构以及所述第一导电件和所述第二导电件；
提供封装基板，所述封装基板的一侧具有第一连接端、第二连接端和第二封装件，所述第二封装件包围所述第一连接端和所述第二连接端，且所述第二封装件与所述第一封装件对应设置；
将所述第一衬底与所述封装基板对应贴合，并使所述第一导电件与所述第一连接端电连接，使所述第二导电件与所述第二连接端电连接，使所述第一封装件与所述第二封装件固定连接形成环状封装挡墙。
本发明实施例提供的体声波谐振器及其封装方法和电子设备，在第一衬底的一侧形成第一导电件、第二导电件和第一封装件之后，将第一衬底与封装基板对应贴合，并使第一导电件与封装基板的第一连接端电连接，使第二导电件与封装基板的第二连接端电连接，使第一封装件与封装基板的第二封装件固定连接形成环状封装挡墙，从而可以在使第一衬底和封装基板电连接的同时，形成密封谐振结构的环状封装挡墙，进而不需要先采用第二衬底对第一衬底进行封装后，再与封装基板电连接，进而可以简化工艺流程，降低生产周期和生产成本。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种体声波谐振器的封装方法，如图4所示，包括：
S401：提供第一衬底，第一衬底的一侧具有声反射结构和谐振结构，谐振结构至少部分覆盖声反射结构，谐振结构包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的压电层；
如图5所示，提供第一衬底50，可选地，第一衬底50的材料为单晶硅、石英、砷化镓以及蓝宝石等。第一衬底50的一侧具有声反射结构501和谐振结构502，谐振结构502至少部分覆盖声反射结构501。可选地，声反射结构501为空腔。其中，谐振结构502包括第一电极5021、第二电极5022以及位于第一电极5021和第二电极5022之间的压电层5020。即，第一电极5021、压电层5020和第二电极5022依次设置在第一衬底50上。
需要说明的是，本发明实施例附图中，仅以第一衬底50上具有两个声反射结构501以及两个第二电极5022为例进行说明。其中一个第二电极5022与第一电极5021和压电层5020构成一个谐振结构502，该谐振结构502至少部分覆盖一个声反射结构501。另一个第二电极5022与第一电极5021和压电层5020构成另一个谐振结构502，该谐振结构502至少部分覆盖另一个声反射结构501。当然，本发明并不仅限于此，在另一些实施例中，第一衬底50的一侧可以具有一个声反射结构501和一个谐振结构502，也可以具有三个及以上个声反射结构501和谐振结构502，在此不再赘述。
本发明一些实施例中，提供第一衬底50之后，可以先在第一衬底50内部形成凹槽，之后，在凹槽内部形成牺牲层，对第一衬底50表面进行平坦化处理后，在其表面形成第一电极、压电层和第二电极，之后再通过去除牺牲层来形成声反射结构101。当然，本发明并不仅限于此，在另一些实施例中，还可以通过其他方式形成声反射结构，在此不再赘述。
需要说明的是，图5所示的结构中，仅以在第一衬底50内部形成凹槽为例进行说明，但是，本发明并不仅限于此，在另一些实施例中，还可以在第一衬底50表面形成结构层，并对结构层进行刻蚀，来在第一衬底50表面形成凹槽。
S402：在第一衬底的一侧形成第一导电件、第二导电件和第一封装件，第一导电件与第一电极电连接，第二导电件与第二电极电连接，第一封装件包围谐振结构以及第一导电件和第二导电件；
如图6所示，在第一衬底50的一侧形成第一导电件503、第二导电件504和第一封装件505。其中，第一电极5021延伸出第二电极5022和压电层5020外侧的部分为连接点，第一导电件503直接制作在该连接点表面，以使第一导电件503与第一电极5021电连接。第二导电件504直接制作在第二电极5022表面，以使第二导电件504与第二电极5022电连接。
第一封装件505制作在第一衬底50表面，本发明一些实施例中，第一封装件505也可以直接制作在第一衬底50表面，当然，本发明并不仅限于此，在另一些实施例中，也可以先在第一衬底50表面制作密封环520，然后在密封环520上制作第一封装件505，以保证第一导电件503、第二导电件504和第一封装件505的高度相同。其中，密封环520可以与第一电极5021或第二电极5022材料相同。
并且，如图7所示，第一封装件505包围谐振结构502以及第一导电件503和第二导电件504，以便第一封装件505后续形成的结构可以密封谐振结构502以及第一导电件503和第二导电件504。其中，图6为图7所示的结构沿切割线AA’的剖面结构示意图。需要说明的是，本发明实施例中仅以图7所示的结构为例进行说明，并不仅限于此。
S403：提供封装基板，封装基板的一侧具有第一连接端、第二连接端和第二封装件，第二封装件包围第一连接端和第二连接端，且第二封装件与第一封装件对应设置；
如图8所示，提供封装基板60，封装基板60的一侧具有第一连接端602、第二连接端603和第二封装件604。可选地，封装基板60为金属基板、陶瓷基板和有机基板等。
本发明一些实施例中，封装基板60具有连线层，连线层包括第一连接端602、第二连接端603、第二封装件604和互连线等。如图9所示，第一连接端602与第一导电件503对应设置，第二连接端603与第二导电件504对应设置，第二封装件604与第一封装件505对应设置，且第二封装件604包围第一连接端602和第二连接端603。其中，图8为图9所示的结构沿切割线BB’的剖面结构示意图。
需要说明的是，本发明实施例中第一衬底50上的谐振结构502可以通过封装基板60与其他的器件电连接。也就是说，本发明实施例中的封装基板60的作用主要是向第一衬底50上的谐振结构502提供电连接、保护、支撑、散热和组装等性能。
S404：将第一衬底与封装基板对应贴合，并使第一导电件与第一连接端电连接，使第二导电件与第二连接端电连接，使第一封装件与第二封装件固定连接形成环状封装挡墙。
如图10所示，将第一衬底50与封装基板60对应贴合，并使第一导电件503与第一连接端602电连接，使第二导电件504与第二连接端603电连接，使第一封装件505与第二封装件604固定连接形成环状封装挡墙。
需要说的是，本发明实施例附图中仅以环状封装挡墙的形状是方形为例进行说明，但是，本发明并不仅限于此，在另一些实施例中，环状封装挡墙的形状还可以是圆形或多边形等。
本发明一些实施例中，如图10所示，形成环状封装挡墙之后，还可以在第一封装件505外侧注入封装树脂，并对封装树脂进行固化，以形成位于第一衬底50和封装基板60之间，且包围环状封装挡墙的环状封装层601，以通过环状封装层601对环状封装挡墙及其内部的结构进行进一步地密封，以避免水汽等对环状封装挡墙等进行腐蚀。
需要说明的是，第一导电件503与第一连接端602可以直接键合电连接，如铜铜键合电连接，也可以通过焊料如锡银电连接，也可以通过导电胶电连接；第二导电件504与第二连接端603可以直接键合电连接，如铜铜键合电连接，也可以通过焊料电连接，也可以通过导电胶电连接；第一封装件505与第二封装件604可以通过焊料固定连接，也可以通过导电胶或其他强力胶固定连接。
本发明一些实施例中，第一导电件503、第二导电件504和第一封装件505的材料相同。第一连接端602、第二连接端603和第二封装件604的材料相同。可选地，第一导电件503、第二导电件504和第一封装件505的材料都为导电材料，第一连接端602、第二连接端603和第二封装件604的材料也都为导电材料。可选地，第一导电件503、第二导电件504和第一封装件505的材料包括金、锡、铜、铝中的一者或多者的合金，第一连接端602、第二连接端603和第二封装件604的材料也包括金、锡、铜、铝中的一者或多者的合金。
若第一导电件503、第二导电件504和第一封装件505的材料相同，则可以在同一步骤中形成第一导电件503、第二导电件504和第一封装件505，以简化工艺步骤，降低成本。
基于此，本发明一些实施例中，在第一衬底50的一侧形成第一导电件503、第二导电件504和第一封装件505包括：
如图11所示，在第一衬底50的一侧形成第一掩膜506，第一掩膜506具有第一镂空区域5060、第二镂空区域5061和第三镂空区域5062，第一镂空区域5060暴露出部分第一电极5021，第二镂空区域5061暴露出部分第二电极5022，第三镂空区域5062暴露出部分第一衬底50，和/或，暴露出第一衬底50表面的密封环520。
如图12所示，在第一镂空区域5060形成第一导电件503，在第二镂空区域5061形成第二导电件504，在第三镂空区域5062形成第一封装件505，其中，第三镂空区域5062包围堆叠结构502以及第一镂空区域5060和第二镂空区域5061，以使第一封装件505包围堆叠结构502以及第一导电件503和第二导电件504。之后，去除第一衬底50的一侧的掩膜，如去除第一掩膜506，形成如图6所示的结构。
本发明一些实施例中，第一导电件503、第二导电件504和第一封装件505的材料都为铜，可以采用电镀工艺或气相沉积工艺等，形成第一导电件503、第二导电件504和第一封装件505。
本发明一些实施例中，第一掩膜506的材料为二氧化硅或氮化硅等。如图13所示，在第一衬底50上形成二氧化硅膜层507后，可以通过在二氧化硅膜层507表面形成图形化的光刻胶层508，对二氧化硅膜层507进行刻蚀，来形成图11所示的第一掩膜506。需要说明的是，在形成二氧化硅膜层507之后，可以对二氧化硅膜层507表面进行减薄处理，以使第一掩膜506的表面为平整的表面。当然，本发明并不仅限于此，在另一些实施例中，第一掩膜506的材料还可以为光刻胶等。
当然，本发明并不仅限于此，在另一些实施例中，第一封装件505的材料也可以与第一导电件503和第二导电件504的材料不相同。当然，第一导电件503和第二导电件504的材料也可以不同，在此不再赘述。可选地，第一封装件505和第二封装件604的材料为非导电材料。可选地，第一封装件505和第二封装件604的材料为环氧树脂等。
在此基础上，本发明一些实施例中，在第一衬底50的一侧形成第一导电件503、第二导电件504和第一封装件505包括：先在第一衬底50的一侧形成具有第一镂空区域和第二镂空区域的第一掩膜，在第一掩膜的作用下，在第一镂空区域形成第一导电件503，在第二镂空区域形成第二导电件504，然后在第一衬底50的一侧形成第二掩膜，第二掩膜覆盖第一导电件503和第二导电件504，且第二掩膜具有第三镂空区域，第三镂空区域暴露出部分第一衬底50，在第三镂空区域形成第一封装件505。之后，去除第一掩膜和第二掩膜。当然，具体的制作流程可以根据实际情况设定，在此不再赘述。
为了提高生长的第一导电件503、第二导电件504和第一封装件505的膜层质量以及与其底部膜层的粘合力，可以在生长第一导电件503、第二导电件504和第一封装件505之前，先生长一层辅助层。
基于此，本发明一些实施例中，在第一镂空区域5060形成第一导电件503，在第二镂空区域5061形成第二导电件504，在第三镂空区域5062形成第一封装件505之前，还包括：
如图14所示，在第一衬底50的一侧形成辅助层，即在第一掩膜506表面以及第一镂空区域5060、第二镂空区域5061和第三镂空区域5062内形成辅助层，该辅助层包括第一镂空区域5060内的第一辅助层5091、第二镂空区域5061内的第二辅助层5092以及第三镂空区域5062内的第三辅助层5093。
如图15所示，在第一掩膜506表面形成第二掩膜510，第二掩膜510暴露出第一镂空区域5060内的第一辅助层5091、第二镂空区域5061内的第二辅助层5092以及第三镂空区域5062内的第三辅助层5093。
如图16所示，在第一辅助层5091表面形成第一导电件503，在第二辅助层5092表面形成第二导电件504，在第三辅助层5093表面形成第一封装件505。之后，去除第一衬底50的一侧的掩膜，即去除第一掩膜506、第二掩膜510以及第一掩膜506表面的辅助层，形成如图17所示的结构。
本发明一些实施例中，第一导电件503、第二导电件504和第一封装件505的材料为铜，辅助层即第一辅助层5091、第二辅助层5092和第三辅助层5093的材料为钛铜。
当然，本发明另一些实施例中，若第一封装件505与第一导电件503和第二导电件504的材料不相同，如第一封装件505的材料为非导电材料时，可以仅在第一镂空区域5060和第二镂空区域5061内形成辅助层，即仅在第一导电件503和第二导电件504底部形成辅助层，以提高第一导电件503和第二导电件504的膜层质量，提高第一导电件503和第二导电件504的导电性能。
本发明一些实施例中，可以在第一衬底50和封装基板60对应贴合之前，在第一导电件503、第二导电件504以及第一封装件505表面涂覆导电胶，和/或，在第一连接端602、第二连接端603和第二封装件604表面涂覆导电胶，来实现对应连接。
当然，本发明并不仅限于此，在另一些实施例中，还可以在第一导电件503、第二导电件504以及第一封装件505表面形成连接件，和/或，在第一连接端602、第二连接端603和第二封装件604表面形成连接件，来实现对应连接。
在上述任一实施例的基础上，本发明一些实施例中，在第一镂空区域5060形成第一导电件503，在第二镂空区域5061形成第二导电件504，在第三镂空区域5062形成第一封装件505之后，还包括：
如图18所示，在第一导电件503表面形成第一连接件511，在第二导电件504表面形成第二连接件512，在第一封装件505表面形成第三连接件513，如图19或图20所示，第一导电件503通过第一连接件511与第一连接端602电连接，使第二导电件504通过第二连接件512与第二连接端603电连接，使第一封装件505通过第三连接件513与第二封装件604连接。
本发明一些实施例中，第一连接件511、第二连接件512和第三连接件513的材料为焊料，该焊料包括锡银。第一导电件503、第二导电件504和第一封装件505的材料为铜。将第一衬底50和封装基板60对应贴合之后，可以通过烘烤使锡银融化，再通过冷却使锡银凝固，以实现第一导电件503与第一连接端602的固定电连接、第二导电件504与第二连接端603的固定电连接、第一封装件505与第二封装件604的固定连接。
需要说明的是，可以采用电镀工艺在第一导电件503表面、第二导电件504表面和第一封装件505表面形成锡银，采用回流工艺对锡银进行处理后，再将第一衬底50和封装基板60对应贴合。
本发明一些实施例中，可以仅具有一个第一封装件505，即仅具有一个封装挡墙，但是，本发明并不仅限于此，在另一些实施例中，还可以具有多个第一封装件505。
如图21所示，在第一衬底50的一侧形成第一封装件505包括：
在第一衬底50的一侧形成多个第一封装件505，多个第一封装件505均包围谐振结构502以及第一导电件503和第二导电件504，且多个第一封装件505在远离谐振结构502的方向上依次排列。
基于此，封装基板60也具有多个第二封装件604，多个第二封装件604与多个第一封装件505对应设置，每个第一封装件505与一个第二封装件604固定连接形成一个环状封装挡墙，以进一步提高器件的密封性能。
本发明一些实施例中，如图21所示，形成多个环状封装挡墙之后，还可以在多个第二封装件604外侧注入封装树脂，并对封装树脂进行固化，形成位于第一衬底50和封装基板60之间，且包围多个环状封装挡墙的环状封装层601，以通过环状封装层601对多个环状封装挡墙及其内部的结构进行进一步地密封，以避免水汽等对多个环状封装挡墙等进行腐蚀。
需要说明的是，本发明实施例中，可以在一大张第一衬底上，制作多个附图所示的体声波谐振器结构，然后通过划片划分为多个独立的体声波谐振器芯片。然后，再将独立的体声波谐振器芯片与封装基板贴合。当然，在将独立的体声波谐振器芯片与封装基板贴合之前，还可以对体声波谐振器芯片进行测试和修频处理，以降低体声波谐振器芯片的不良率。
本发明实施例还提供了一种体声波谐振器，应用如上任一实施例提供的方法封装而成，如图10所示，该体声波谐振器包括：
第一衬底50，第一衬底50的一侧具有声反射结构501、谐振结构502、第一导电件503、第二导电件504和第一封装件505，谐振结构502至少部分覆盖声反射结构501，谐振结构502包括第一电极5021、第二电极5022以及位于第一电极5021和第二电极5022之间的压电层5020，第一导电件503与第一电极5021电连接，第二导电件504与第二电极5022电连接，第一封装件505包围谐振结构502以及第一导电件503和第二导电件504；
与第一衬底50对应贴合的封装基板60，封装基板60的一侧具有第一连接端602、第二连接端603和第二封装件604；第二封装件604与第一封装件505对应设置，第一导电件503与第一连接端602对应设置，第二导电件504与第二连接端603对应设置，且第二封装件604包围第一连接端602和第二连接端603；第一导电件503与第一连接端602电连接，第二导电件504与第二连接端603电连接，第一封装件505与第二封装件604固定连接形成环状封装挡墙。
本发明一些实施例中，如图8所示，封装基板60具有连线层，连线层包括第一连接端602、第二连接端603、第二封装件604和连线端之间的互连线等。如图9所示，第一连接端602与第一导电件503对应设置，第二连接端603与第二导电件504对应设置，第二封装件604与第一封装件505对应设置，且第二封装件604包围第一连接端602和第二连接端603。
本发明一些实施例中，如图10所示，第一衬底50和封装基板60之间还具有包围环状封装挡墙的环状封装层601，该环状封装层601的材料为封装树脂，以通过环状封装层601对环状封装挡墙及其内部的结构进行进一步地密封，以避免水汽等对环状封装挡墙等进行腐蚀。
本发明一些实施例中，第一导电件503、第二导电件504和第一封装件505的材料相同。第一连接端602、第二连接端603和第二封装件604的材料相同。可选地，第一导电件503、第二导电件504和第一封装件505的材料都为导电材料，第一连接端602、第二连接端603和第二封装件604的材料也都为导电材料。可选地，第一导电件503、第二导电件504和第一封装件505的材料包括金、锡、铜、铝中的一者或多者的合金，第一连接端602、第二连接端603和第二封装件604的材料也包括金、锡、铜、铝中的一者或多者的合金。
为了提高生长的第一导电件503、第二导电件504和第一封装件505的膜层质量以及与其底部膜层的粘合力，本发明一些实施例中，如图19所示，体声波谐振器还包括第一辅助层5091、第二辅助层5092和第三辅助层5093。第一辅助层5091位于第一电极5021与第一导电件503之间，第二辅助层5092位于第二电极5022与第二导电件504之间，第三辅助层5093位于第一衬底50与第一封装件505之间。
在上述任一实施例的基础上，本发明的一些实施例中，如图19和20所示，体声波谐振器还包括第一连接件511、第二连接件512和第三连接件513；第一连接件511位于第一导电件503和第一连接端602之间，以使第一导电件503通过第一连接件511与第一连接端602电连接；第二连接件512位于第二导电件504和第二连接端603之间，以使第二导电件504通过第二连接件512与第二连接端603电连接；第三连接件513位于第一封装件505和第二封装件604之间，以使第一封装件505通过第三连接件513与第二封装件604固定连接。
在上述任一实施例的基础上，本发明一些实施例中，如图21所示，体声波谐振器包括多个第一封装件505，多个第一封装件505均包围谐振结构502以及第一导电件503和第二导电件504，且多个第一封装件505在远离谐振结构502的方向上依次排列。封装基板60具有多个第二封装件604，多个第二封装件604与多个第一封装件505对应设置，每个第一封装件505与一个第二封装件604固定连接形成一个环状封装挡墙。
本发明一些实施例中，如图21所示，多个第二封装件604外侧还具有位于第一衬底50和封装基板60之间，且包围多个环状封装挡墙的环状封装层601，以通过环状封装层601对多个环状封装挡墙及其内部的结构进行进一步地密封，以避免水汽等对多个环状封装挡墙等进行腐蚀。
本发明实施例还提供了一种电子设备，包括如上的体声波谐振器。该电子设备不仅包括滤波器、双工器、多工器，还包括射频前端、滤波放大模块、手机以及无人机等。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (12)
1.一种体声波谐振器的封装方法，其特征在于，包括：
提供第一衬底，所述第一衬底的一侧具有声反射结构和谐振结构，所述谐振结构至少部分覆盖所述声反射结构，所述谐振结构包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的压电层；
在所述第一衬底的一侧形成第一导电件、第二导电件和第一封装件，所述第一导电件与所述第一电极电连接，所述第二导电件与所述第二电极电连接，所述第一封装件包围所述谐振结构以及所述第一导电件和所述第二导电件；
提供封装基板，所述封装基板的一侧具有第一连接端、第二连接端和第二封装件，所述第二封装件包围所述第一连接端和所述第二连接端，且所述第二封装件与所述第一封装件对应设置；
将所述第一衬底与所述封装基板贴合，并使所述第一导电件与所述第一连接端电连接，使所述第二导电件与所述第二连接端电连接，使所述第一封装件与所述第二封装件固定连接形成环状封装挡墙。
2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一导电件、所述第二导电件和所述第一封装件的材料相同，则在所述第一衬底的一侧形成第一导电件、第二导电件和第一封装件包括：
在所述第一衬底的一侧形成第一掩膜，所述第一掩膜具有第一镂空区域、第二镂空区域和第三镂空区域，所述第一镂空区域暴露出部分第一电极，所述第二镂空区域暴露出部分第二电极，所述第三镂空区域暴露出部分所述第一衬底和/或所述第一衬底表面的密封环；
在所述第一镂空区域形成第一导电件，在所述第二镂空区域形成第二导电件，在所述第三镂空区域形成第一封装件，其中，所述第三镂空区域包围所述堆叠结构以及所述第一镂空区域和所述第二镂空区域，以使所述第一封装件包围所述堆叠结构以及所述第一导电件和所述第二导电件；
去除所述第一衬底的一侧的掩膜。
3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，在所述第一镂空区域形成第一导电件，在所述第二镂空区域形成第二导电件，在所述第三镂空区域形成第一封装件之前，还包括：
在所述第一衬底的一侧形成辅助层，所述辅助层包括位于所述第一镂空区域内的第一辅助层、位于所述第二镂空区域内的第二辅助层和位于所述第三镂空区域内的第三辅助层；
在所述第一掩膜表面形成第二掩膜，所述第二掩膜暴露出所述第一镂空区域内的第一辅助层、所述第二镂空区域内的第二辅助层以及所述第三镂空区域内的第三辅助层，以在所述第一辅助层表面形成所述第一导电件，在所述第二辅助层表面形成所述第二导电件，在所述第三辅助层表面形成所述第一封装件。
4.根据权利要求1～3任一项所述的封装方法，其特征在于，在所述第一镂空区域形成第一导电件，在所述第二镂空区域形成第二导电件，在所述第三镂空区域形成第一封装件之后，还包括：
在所述第一导电件表面形成第一连接件，在所述第二导电件表面形成第二连接件，在所述第一封装件表面形成第三连接件，以使所述第一导电件通过所述第一连接件与所述第一连接端电连接，使所述第二导电件通过所述第二连接件与所述第二连接端电连接，使所述第一封装件通过所述第三连接件与所述第二封装件固定连接。
5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述第一衬底的一侧形成第一封装件包括：
在所述第一衬底的一侧形成多个第一封装件，所述多个第一封装件均包围所述谐振结构以及所述第一导电件和所述第二导电件，且所述多个第一封装件在远离所述谐振结构的方向上依次排列；
其中，所述封装基板具有多个第二封装件，所述多个第二封装件与所述多个第一封装件对应设置，每个所述第一封装件与一个所述第二封装件固定连接形成一个封装挡墙。
6.一种体声波谐振器，其特征在于，应用权利要求1～5任一项所述的方法封装而成，所述体声波谐振器包括：
第一衬底，所述第一衬底的一侧具有声反射结构、谐振结构、第一导电件、第二导电件和第一封装件，所述谐振结构至少部分覆盖所述声反射结构，所述谐振结构包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的压电层，所述第一导电件与所述第一电极电连接，所述第二导电件与所述第二电极电连接，所述第一封装件包围所述谐振结构以及所述第一导电件和所述第二导电件；
与所述第一衬底对应贴合的封装基板，所述封装基板的一侧具有第一连接端、第二连接端和第二封装件；所述第二封装件包围所述第一连接端和所述第二连接端，且所述第二封装件与所述第一封装件对应设置；所述第一导电件与所述第一连接端电连接，所述第二导电件与所述第二连接端电连接，所述第一封装件与所述第二封装件固定连接形成环状封装挡墙。
7.根据权利要求6所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一导电件、所述第二导电件和所述第一封装件的材料相同。
8.根据权利要求7所述的体声波谐振器，其特征在于，还包括第一辅助层、第二辅助层和第三辅助层；
所述第一辅助层位于所述第一电极与所述第一导电件之间，所述第二辅助层位于所述第二电极与所述第二导电件之间，所述第三辅助层位于所述第一衬底与所述第一封装件之间。
9.根据权利要求6～8任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，还包括第一连接件、第二连接件和第三连接件；
所述第一连接件位于所述第一导电件和所述第一连接端之间，以使所述第一导电件通过所述第一连接件与所述第一连接端电连接；
所述第二连接件位于所述第二导电件和所述第二连接端之间，以使所述第二导电件通过所述第二连接件与所述第二连接端电连接；
所述第三连接件位于所述第一封装件和所述第二封装件之间，以使所述第一封装件通过所述第三连接件与所述第二封装件固定连接。
10.根据权利要求9所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一导电件、所述第二导电件和所述第一封装件的材料包括金、锡、铜、铝中的一者或多者的合金；所述第一连接件、所述第二连接件和所述第三连接件的材料包括锡银。
11.根据权利要求9所述的体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器包括多个第一封装件，所述多个第一封装件均包围所述谐振结构以及所述第一导电件和所述第二导电件，且所述多个第一封装件在远离所述谐振结构的方向上依次排列；
所述封装基板具有多个第二封装件，所述多个第二封装件与所述多个第一封装件对应设置，每个所述第一封装件与一个所述第二封装件固定连接形成一个环状封装挡墙。
12.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求6～11任一项所述的体声波谐振器。
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