CN112332802A - 发射滤波器和双工器 - Google Patents
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims abstract description 101
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 61
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6406—Filters characterised by a particular frequency characteristic
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
- H03H9/6496—Reducing ripple in transfer characteristic
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- Acoustics & Sound (AREA)
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Abstract
本申请涉及一种发射滤波器和双工器，该发射滤波器包括通过将位于发射端和天线端之间串联的至少一个声表面波谐振器替换为体声波谐振器，从而能够提高声表面波滤波器的功率耐受性。
Description
【技术领域】
本申请涉及滤波器领域，具体涉及一种发射滤波器和双工器。
【背景技术】
随着无线通信的迅猛发展，手机等通讯设备对滤波器的要求越来越高，例如滤波器需要具有更好的功率耐受性、更小的尺寸、更加优良的电性能等。
声表面波(surfaceacousticwave，SAW)滤波器由于具有高性能、小体积、轻重量、高可靠性等特点被广泛应用，随着无线通信系统的发展，使得其所需滤波器的频率越来越高，而SAW滤波器随着频率变高，使得叉指电极中的叉指条变细，且相邻叉指条之间的间距变小，从而使得SAW滤波器在加载高功率时，容易发生短路或者断路，导致SAW滤波器失效，因此，提高SAW滤波器的功率耐受性是滤波器研究过程中急需解决的核心问题。
【发明内容】
本申请的目的在于提供一种发射滤波器和双工器，能有效提高SAW滤波器的功率耐受性。
根据本申请的第一方面，提供了一种发射滤波器，连接在发射端与天线端之间，包括串联的多个谐振器和并联的多个谐振器，所述串联的多个谐振器中的至少一个为体声波谐振器，剩余的谐振器为声表面波谐振器。
其中，所述至少一个体声波谐振器从所述发射端向所述天线端的方向依次设置。
其中，所述至少一个体声波谐振器为所述串联的多个谐振器中面积最小的一个或者多个。
其中，所述并联的多个谐振器中的至少一个为体声波谐振器。
其中，所述发射滤波器包括键合衬底、第一膜层结构和第二膜层结构，所述第一膜层结构设置于所述键合衬底的第一表面形成声表面波谐振器，所述第二膜层结构设置于所述键合衬底的第二表面形成体声波谐振器，所述第一表面和所述第二表面相对设置。
其中，所述第一膜层结构包括叉指电极，所述第二膜层结构包括第一电极层，所述发射滤波器还包括导电柱，所述导电柱贯穿所述键合衬底，所述叉指电极与所述第一电极层通过导电柱连接，且导电柱的一端部与所述叉指电极连接，另一端部与所述第一电极层连接。
根据本申请的另一方面，提供了一种双工器，包括：
发射滤波器，用于射频信号的滤波，设置于发射端和天线端之间，包括串联的多个谐振器和并联的多个谐振器，所述串联的多个谐振器中的至少一个为体声波谐振器，剩余的谐振器为声表面波谐振器；
接收滤波器，设置在所述天线端与接收端之间。
其中，所述至少一个体声波谐振器从所述发射端向所述天线端的方向依次设置。
其中，所述至少一个体声波谐振器为所述串联的多个谐振器中面积最小的一个或者多个。
其中，所述接收滤波器包括纵向耦合双模结构声表面波滤波器，和/或所述接收滤波器包括串联的多个声表面波谐振器和并联的多个声表面波谐振器。
本申请的有益效果是：区别于现有技术，本申请中的发射滤波器和双工器，通过将位于发射端和天线端之间串联的至少一个声表面波谐振器替换为体声波谐振器，由于体声波谐振器的功率耐受性高于声表面波谐振器的功率耐受性，从而提高了发射端的SAW滤波器以及双工器的功率耐受性。
【附图说明】
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的发射滤波器的一种结构示意图；
图2是图1中的发射滤波器中的声表面波谐振器的俯视示意图；
图3是本申请实施例提供的发射滤波器的另一种结构示意图；
图4是本申请实施例提供的发射滤波器的又一种结构示意图；
图5是本申请实施例提供的发射滤波器的又一种结构示意图；
图6是本申请实施例提供的发射滤波器的一种剖视示意图；
图7是本申请实施例提供的发射滤波器的另一种剖视示意图；
图8是本申请实施例提供的发射滤波器的又一种剖视示意图；
图9是本申请实施例提供的双工器的一种结构示意图；
图10是本申请实施例提供的双工器的另一种结构示意图；
图11是本申请实施例提供的双工器的又一种结构示意图；
图12是本申请实施例提供的双工器的又一种结构示意图；
图13是本申请实施例提供的双工器的又一种结构示意图。
【具体实施方式】
下面结合附图和实施例，对本申请作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本申请，但不对本申请的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本申请的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
需要理解的是，在本申请的描述中，术语“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确本实施中限定。
请参见图1、图2，图1为本申请实施例提供的发射滤波器的一种结构示意图，图2为图1中的发射滤波器中的声表面波谐振器的俯视示意图。一种发射滤波器10，连接在发射端TX和天线端ANT之间，包括串联的多个谐振器和并联的多个谐振器，多个串联的谐振器中的至少一个为体声波谐振器11，剩余的谐振器为声表面波谐振器12。其中，发射滤波器中串联的多个谐振器和并联的多个谐振器可以采用梯形(Ladder Type)级联拓扑结构。
在一种实现方式中，如图1所示，发射滤波器为梯形级联结构，即发射滤波器包括位于发射端TX和天线端ANT之间的串联支路上的谐振器，在两个串联的谐振器的连接处，并联支路上的谐振器一端与两个串联的谐振器的连接处连接，另一端接地GND。
需要说明的是，串联的谐振器指设置在发射端与天线端之间的支路上的谐振器，并联的谐振器指一端连接在两个串联的谐振器的连接处、另一端接地的谐振器；或者并联的谐振器指一端连接在发射端与串联谐振器的连接处、另一端接地的谐振器；或者并联的谐振器指一端连接在串联谐振器与天线端的连接处、另一端接地的谐振器。
在一种实现方式中，在设置体声波谐振器时，可以使得至少一个体声波谐振器从发射端向天线端的方向依次设置，使得靠近发射端的谐振器的功率耐受性较好，从而提高发射滤波器整体的功率耐受性。
本实施例中，在从发射端向天线端的方向依次设置体声波谐振器时，考虑到信号输入时，靠近发射端TX处的串联谐振器会受到较大的电压或者电流冲击，因此，设置于靠近发射端TX处的谐振器需要具有较好的功率耐受性，因此将靠近发射端TX处的串联声表面波谐振器替换为体声波谐振器，具体的，如图1所示，发射端TX与天线端ANT之间最靠近发射端TX的串联谐振器为体声波谐振器11，即从发射端TX至无线端ANT,体声波谐振器11设置于发射端TX和最靠近发射端TX的第一个并联支路上的声表面波谐振器12之间。
在本实施例中，在采用体声波谐振器替换声表面波谐振器时，还存在多个体声波谐振器从发射端向天线端依次设置。例如，如图3所示，多个体声波谐振器11为两个。
在本实施例中，在设置体声波谐振器时，考虑到工艺的复杂性和成本，使得在发射滤波器中功率耐受性较差的位置设置体声波谐振器，其余位置设置声表面波谐振器，如图1或3所示。
在另一种实现方式中，考虑到声表面波谐振器的面积较小时，声表面波谐振器的功率耐受性较差，而体声波谐振器的功率耐受性远高于声表面波谐振器，因此将面积较小的声表面波谐振器替换为体声波谐振器，至少一个体声波谐振器为串联的多个谐振器中面积最小的一个或者多个，即在设计发射滤波器时，可以判断各个谐振器的面积大小，在确定面积最小的谐振器后，使该谐振器为体声波谐振器，或者确定面积最小的一个谐振器，以及面积倒数第二小的谐振器，使这两个面积最小的谐振器为体声波谐振器，容易理解的，当多个串联的谐振器有三个及以上时，面积最小的多个依次为面积最小，面积倒数第二小的，面积倒数第三小的等等。
在设计过程中，可以根据声表面波谐振器的叉指电极的数量，叉指电极的孔径、叉指电极的指条宽度，相邻叉指电极之间的间距确定声表面波谐振器的面积，从而确定面积最小的一个或者多个谐振器。
请参阅图4，图4为发射滤波器的另一种结构示意图，发射滤波器10连接在发射端TX和天线端ANT之间，体声波谐振器包括设置于发射端TX和天线端ANT之间的第一体声波谐振器111和第二体声波谐振器112，第一体声波谐振器111设置于相邻两个串联的声表面波谐振器12a之间，第二体声波谐振器112设置于最靠近天线端ANT的串联支路上的声表面波谐振器12a与天线端ANT之间。考虑到在发射滤波器中将声表面波谐振器替换为体声波谐振器时，根据各个声表面波谐振器的功率耐受性设置体声波谐振器，例如初始设计时(例如通过实验已知)位于第一体声波谐振器111和第二体声波谐振器112的位置的声表面波谐振器的功率耐受性较低，则采用第一体声波谐振器和第二体声波谐振器替换声表面波谐振器，从而提高发射滤波器的功率耐受性。
在图4中，发射滤波器10包括两个位于发射端TX和天线端ANT的串联支路上的声表面波谐振器12a和三个位于发射端TX和接地端GND的并联支路上的声表面波谐振器12b，位于发射端TX和天线端ANT之间的第一体声波谐振器111设置于串联支路上的第一个声表面波谐振器12a和串联支路上的第二个声表面波谐振器12a之间，位于发射端TX和天线端ANT之间的第二体声波谐振器112设置于串联支路上的第二个声表面波谐振器12a和天线端ANT之间，但在实际发射滤波器中，会存在串联支路上的声表面波谐振器的数量大于2的情况，则在设置串联支路上的体声波谐振器时，可以根据各声表面波谐振器的功率耐受性来设置体声波谐振器，例如处于串联支路上的第三个和第五个声表面波谐振器的功率耐受性较差，则将发射滤波器上处于串联支路上的第三和第五个声表面波谐振器替换为体声波谐振器，从而提高发射滤波器的功率耐受性；还可以根据各声表面波谐振器的设计面积选择替换的声表面波谐振器，考虑到声表面波谐振器的面积较小时，其功率耐受性较差，因此可以采用体声波谐振器替换面积较小的声表面波谐振器，从而提高发射滤波器的功率耐受性。
需要说明的是，串联支路上声表面波谐振器12a与并联支路上的声表面波谐振器12b的标号仅表示声表面波谐振器的设置位置不同，不表示串联支路上的声表面波谐振器与并联支路上的声表面波谐振器结构不同。本申请实施例不限定体声波谐振器的数量，发射滤波器的串联支路上的谐振器可以全部为体声波谐振器，从而提高发射滤波器的功率耐受性。
在其他实现方式中，前述两种实现方式可以组合使用，即可以同时选择串联的多个谐振器中的靠近发射端的谐振器和面积最小的一个或多个设置为体声波谐振器，剩余的为表面声波谐振器。例如，可以选择将串联的多个谐振器中的面积最小的一个和最靠近发射端的谐振器同时设置为体声波谐振器，剩余的为声表面波谐振器；也可以选择将串联的多个谐振器中的面积倒数第二小的一个和最靠近发射端的谐振器同时设置为体声波谐振器，剩余的为声表面波谐振器；也可以选择将串联的多个谐振器中的面积最小的一个和靠近(而非最靠近)发射端的谐振器同时设置为体声波谐振器，剩余的为声表面波谐振器等等。容易理解地，面积最小的一个和最靠近发射端的谐振器可能为同一谐振器或不同的两个谐振器。面积倒数第二小的和最靠近发射端的谐振器可能为同一谐振器等等。
在本实施例中，体声波谐振器可以包括薄膜体声波谐振器和固态装配型体声波谐振器，体声波谐振器的基片的导热系数远大于声表面波谐振器的压电基片的导热系数，使得体声波谐振器的导热性能优于声表面波谐振器的导热性能，同时，体声波谐振器的功率密度小于声表面波谐振器的功率密度，使得采用体声波谐振器替换声表面波谐振器，可以提高发射滤波器的功率耐受性。
在本实施例中，如图5所示，多个并联谐振器中的至少一个为体声波谐振器11，即在设置体声波谐振器时，还可以使得并联支路上的谐振器为体声波谐振器，从而进一步提高发射滤波器的功率耐受性。
请参阅图6、图7，图6为本申请实施例提供的发射滤波器的一种剖视示意图，图7为本申请实施例提供的发射滤波器的另一种剖视示意图。一种发射滤波器10，包括键合衬底215、第一膜层结构211、第二膜层结构214，第一膜层结构211设置于键合衬底215的第一表面形成声表面波谐振器，第二膜层结构214设置于键合衬底215的第二表面形成体声波谐振器，第一表面和第二表面相对设置。具体的，键合衬底215包括第一衬底212、第二衬底213，通过将第一衬底和第二衬底键合形成键合衬底，使得第一膜层结构和第二膜层结构设置在键合衬底的第一表面和第二表面，从而使得相对于现有的平面设计的发射滤波器，降低了发射滤波器的体积。
在本实施例中，如图2所示，声表面波谐振器12包括压电基板121、金属膜层结构的反射栅122和叉指电极123。
在本实施例中，第一衬底212的材料为具有压电特性的材料，例如，铌酸锂(LiNbO3)或者钽酸锂(LiTaO3)。第二衬底213的材料为半导体材料，例如，硅(Si)、锗(Ge)。
在本实施例中，发射滤波器10还包括贯穿键合衬底215的导电柱231，导电柱231电连接第一膜层结构211和第二膜层结构214，导电柱231的材料包括铝、钨、钼等金属材料。
在本实施例中，第一膜层结构211包括叉指电极222、第一凸点221，第一凸点221与叉指电极222连接，用于将第一膜层结构211与其他器件电连接，第一衬底212和叉指电极222组成声表面波谐振器。叉指电极222的材料包括铝、钼等金属材料。第一凸点221的材料包括铜、锡等导电材料。
在本实施例中，第二膜层结构214包括第一电极层241、压电层242、第二电极层243、反射结构248，反射结构248位于第一电极层241与第二衬底213之间，图7中的反射结构248为位于第一电极层241和第二衬底213之间的空腔，导电柱231的一端部与叉指电极222连接，另一端部与第一电极层241连接；在第二膜层结构包括固态装配型谐振结构时，反射结构包括交替层叠设置的第一介质层和第二介质层，其中，第一介质层的声阻抗和第二介质层的声阻抗不同；在第二膜层结构包括空腔型薄膜体声波谐振结构时，反射结构可以包括：第二衬底的第二表面向下凹陷形成的第二空腔，第二空腔位于第一电极层和键合衬底的第二表面之间。
在本实施例中，第一电极层241的材料包括铝、钼、钌、铱、铂等金属材料或者多种金属组成的合金。第二电极层243的材料包括铝、钼、钌、铱、铂等金属材料或者多种金属组成的合金。压电层242的材料包括氮化铝、氧化锌、钽酸锂、锆钛酸铅、钛酸钡等具有压电特性的材料，压电层242的材料还包括掺杂过渡金属和稀有金属的压电材料，例如掺钪的氮化铝。
在本实施例中，发射滤波器10还包括支撑层245、保护层246，支撑层245与第二电极层243接触，保护层246设置于支撑层245下，且覆盖第二电极层243，保护层246与第二电极层243之间存在空隙247，空隙247用于反射声波。保护层246的材料包括金属、陶瓷、有机物等，通过设置保护层，使得保护层可以对第一电极层、压电层和第二电极层形成的共振区域进行遮挡和保护。
在本实施例中，发射滤波器10还包括第二凸点244，第二凸点244与第二电极层243连接，用于第二膜层结构与其他器件电连接，第二凸点244的材料包括铜、锡等导电材料。
在本实施例中，如图8所示，声表面波谐振器结构与体声波谐振器结构可以在同一基片的同一表面制备，在基板251上设有绝缘层252，在绝缘层252上设有第一电极层253和第一压电层256，在第一电极层253上设有第二压电层254，在第二压电层254上设有第二电极层255，在第一压电层256上设有叉指电极257，在基板251和绝缘层252中设有空腔258和空腔259。
请参阅图9、图10、图11、图12、图13，图9为本申请实施例提供的双工器的一种结构示意图，图10为本申请实施例提供的双工器的另一种结构示意图，图11为本申请实施例提供的双工器的又一种结构示意图，图12为本申请实施例提供的双工器的又一种结构示意图，图13为本申请实施例提供的双工器的又一种结构示意图。一种双工器30，包括发射滤波器31和接收滤波器32，发射滤波器31用于射频信号的滤波，设置于发射端TX和天线端ANT之间，包括串联的多个谐振器和并联的多个谐振器，多个串联的谐振器中的至少一个为体声波谐振器11，剩余的谐振器为声表面波谐振器12，接收滤波器32设置于天线端ANT和接收端RX之间，通过在双工器中的发射滤波器上将声表面波谐振器替换为体声波谐振器，使得双工器的功率耐受性提高。
在本实施例中，发射滤波器中串联的多个谐振器中的至少一个体声波谐振器从发射端向天线端的方向依次设置，剩余谐振器为声表面波谐振器。接收滤波器包括串联的多个声表面波谐振器和并联的多个声表面波谐振器，即接收滤波器采用梯形级联结构，从而使得双工器中靠近发射端的谐振器的功率耐受性较好，提高双工器的功率耐受性。如图9所示，发射端TX与天线端ANT之间最靠近射频TX的谐振器为体声波谐振器11，接收滤波器32包括串联的多个声表面波谐振器12和并联的多个声表面波谐振器12，接收滤波器为梯形级联设置的声表面波滤波器，通过将发射滤波器中最靠近发射端处的声表面波谐振器替换为体声波谐振器，使得双工器中的发射滤波器的功率耐受性提高，从而提高了双工器的功率耐受性。
在本实施例中，发射滤波器中串联的多个谐振器中的至少一个体声波谐振器从发射端向天线端的方向依次设置，剩余谐振器为声表面波谐振器。接收滤波器包括纵向耦合双模结构声表面波谐振器(即DMS滤波器，也称为双重模式声表面波滤波器)。如图10所示，发射端TX与天线端ANT之间最靠近发射端TX的谐振器为体声波谐振器11，接收滤波器32为DMS滤波器，通过将发射滤波器中最靠近发射端处的声表面波谐振器替换为体声波谐振器，使得双工器中的发射滤波器的功率耐受性提高，从而提高了双工器的功率耐受性。
在本实施例中，发射滤波器中串联的多个谐振器中的至少一个体声波谐振器为串联的多个谐振器中面积最小的一个或者多个，剩余谐振器为声表面波谐振器。接收滤波器为DMS滤波器。如图11所示，发射滤波器31包括设置在发射端TX和天线端ANT之间的第一体声波谐振器111和第二体声波谐振器112，第一体声波谐振器111设置于相邻两个声表面波谐振器12之间，第二体声波谐振器112设置于最靠近天线端ANT的声表面波谐振器12与天线端ANT之间，接收滤波器32包括为DMS滤波器，对于接收滤波器为纵向耦合双模结构的声表面波滤波器，通过采用第一体声波谐振器和第二体声波谐振器替换面积最小和倒数第二小的声表面波谐振器，提高了发射滤波器和双工器的功率耐受性。
在本实施例中，如图12所示，发射滤波器31包括位于串联支路上的第三体声波谐振器113和第四体声波谐振器114，第三体声波谐振器113设置于发射端TX与最接近发射端TX的声表面波谐振器12之间，第四体声波谐振器114设置于相邻两个声表面波谐振器12之间，接收滤波器32为DMS滤波器，通过将发射滤波器中功率耐受性较低的声表面波谐振器替换为体声波谐振器，例如处于第一和第三个谐振器位置的声表面波谐振器替换为第三体声波谐振器113和第四体声波谐振器114，使得发射滤波器和双工器的功率耐受性提高。
在本实施例中，如图13所示，发射滤波器31中的体声波谐振器11设置于发射端TX与最接近发射端TX的声表面波谐振器12之间，体声波谐振器11也可以是用于替换原发射滤波器中的面积最小或者功率耐受性最低的声表面波谐振器的，接收滤波器32为DMS滤波器、串联的多个声表面波谐振器和并联的声表面波谐振器的组合形成的滤波器。通过使用体声波谐振器替换串联的多个谐振器中靠近发射端或者面积最小或者功率耐受性最低的声表面波谐振器，提高了发射滤波器的功率耐受性，从而提高了双工器的功率耐受性。
需要说明的是，图1、图3至图5、图9至图13中GND表示该处接地。发射滤波器31中的并联的多个谐振器中的至少一个也可以为体声波谐振器，如前所述，这里不再赘述。
在其他实现方式中，采用梯形级联结构的接受滤波器，其串联的多个谐振器的至少一个也可以为体声波谐振器，剩余的谐振器为声表面波谐振器，通过将发射滤波器和接收滤波器中的声表面波谐振器替换为体声波谐振器，从而分别提高了发射滤波器和接收滤波器的功率耐受性，从而提高了双工器的功率耐受性。
在本实施例中，本申请实施例还提供一种发射滤波器的制备方法，包括：
提供第一衬底和第二衬底；
键合第一衬底和第二衬底形成键合衬底；
在键合衬底的第一表面形成第一膜层结构；
在键合衬底的第二表面形成第二膜层结构，其中，第一表面和第二表面相对设置。
在本实施例中，在键合衬底的第一表面形成第一膜层结构后的步骤，还包括：在键合衬底的第二表面形成贯穿键合衬底的通孔，在通孔内形成导电柱，其中，导电柱电连接第一膜层结构和第二膜层结构。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种发射滤波器，连接在发射端与天线端之间，包括串联的多个谐振器和并联的多个谐振器，其特征在于，所述串联的多个谐振器中的至少一个为体声波谐振器，剩余的谐振器为声表面波谐振器。
2.根据权利要求1所述的发射滤波器，其特征在于，所述至少一个体声波谐振器从所述发射端向所述天线端的方向依次设置。
3.根据权利要求1所述的发射滤波器，其特征在于，所述至少一个体声波谐振器为所述串联的多个谐振器中面积最小的一个或者多个。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的发射滤波器，其特征在于，所述并联的多个谐振器中的至少一个为体声波谐振器。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的发射滤波器，其特征在于，所述发射滤波器包括键合衬底、第一膜层结构和第二膜层结构，所述第一膜层结构设置于所述键合衬底的第一表面形成声表面波谐振器，所述第二膜层结构设置于所述键合衬底的第二表面形成体声波谐振器，所述第一表面和所述第二表面相对设置。
6.根据权利要求5所述的发射滤波器，其特征在于，所述第一膜层结构包括叉指电极，所述第二膜层结构包括第一电极层，所述发射滤波器还包括导电柱，所述导电柱贯穿所述键合衬底，且导电柱的一端部与所述叉指电极连接，另一端部与所述第一电极层连接。
7.一种双工器，其特征在于，包括：
发射滤波器，用于射频信号的滤波，设置于发射端和天线端之间，包括串联的多个谐振器和并联的多个谐振器，所述串联的多个谐振器中的至少一个为体声波谐振器，剩余的谐振器为声表面波谐振器；
接收滤波器，设置在所述天线端与接收端之间。
8.根据权利要求7所述的双工器，其特征在于，所述至少一个体声波谐振器从所述发射端向所述天线端的方向依次设置。
9.根据权利要求7所述的双工器，其特征在于，所述至少一个体声波谐振器为所述串联的多个谐振器中面积最小的一个或者多个。
10.根据权利要求7-9任一项所述的双工器，其特征在于，所述接收滤波器包括纵向耦合双模结构声表面波滤波器，和/或所述接收滤波器包括串联的多个声表面波谐振器和并联的多个声表面波谐振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011300475.4A CN112332802A (zh) | 2020-11-19 | 2020-11-19 | 发射滤波器和双工器 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN202011300475.4A CN112332802A (zh) | 2020-11-19 | 2020-11-19 | 发射滤波器和双工器 |
Publications (1)
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|---|---|
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Family
ID=74321534
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011300475.4A Pending CN112332802A (zh) | 2020-11-19 | 2020-11-19 | 发射滤波器和双工器 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN112332802A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113659954A (zh) * | 2021-08-19 | 2021-11-16 | 苏州汉天下电子有限公司 | 一种体声波谐振器及其封装方法和电子设备 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170179920A1 (en) * | 2015-12-22 | 2017-06-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
| CN109983695A (zh) * | 2016-10-28 | 2019-07-05 | 天工方案公司 | 包括两种类型的声波谐振器的声波滤波器 |
| TW201941464A (zh) * | 2018-03-02 | 2019-10-16 | 美商天工方案公司 | 用於聲波濾波器之藍姆波迴圈電路 |
| CN110380706A (zh) * | 2018-04-12 | 2019-10-25 | 天工方案公司 | 包括两种类型的声波谐振器的滤波器 |
-
2020
- 2020-11-19 CN CN202011300475.4A patent/CN112332802A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170179920A1 (en) * | 2015-12-22 | 2017-06-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
| CN109983695A (zh) * | 2016-10-28 | 2019-07-05 | 天工方案公司 | 包括两种类型的声波谐振器的声波滤波器 |
| TW201941464A (zh) * | 2018-03-02 | 2019-10-16 | 美商天工方案公司 | 用於聲波濾波器之藍姆波迴圈電路 |
| CN110380706A (zh) * | 2018-04-12 | 2019-10-25 | 天工方案公司 | 包括两种类型的声波谐振器的滤波器 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113659954A (zh) * | 2021-08-19 | 2021-11-16 | 苏州汉天下电子有限公司 | 一种体声波谐振器及其封装方法和电子设备 |
| CN113659954B (zh) * | 2021-08-19 | 2023-10-27 | 苏州汉天下电子有限公司 | 一种体声波谐振器及其封装方法和电子设备 |
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