TW201941464A - 用於聲波濾波器之藍姆波迴圈電路 - Google Patents

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Abstract

本發明之態樣係關於藍姆波元件及聲波諧振器。某些實施例係關於一聲波濾波器及一迴圈電路，該迴圈電路包含一藍姆波元件且經組態以按一特定頻率對一目標信號產生一反相信號。一些實施例係關於一聲波總成，其包含實施於一共同基板上之一體聲波諧振器及一藍姆波元件。各項實施例係關於聲波濾波器，其等包含一藍姆波諧振器及一第二聲波諧振器，其係與該藍姆波諧振器不同類型之一聲波諧振器。

Description

用於聲波濾波器之藍姆波迴圈電路
本發明之實施例係關於一種聲波濾波器。
聲波濾波器可對射頻信號濾波。一聲波濾波器可包含經配置以對一射頻信號濾波之複數個諧振器。諧振器可配置為一梯形電路。例示性聲波濾波器包含表面聲波(SAW)濾波器、體聲波(BAW)濾波器及藍姆(Lamb)波諧振器濾波器。一膜體聲波諧振器(FBAR)濾波器係一BAW濾波器之一實例。一固嵌式(solidly mounted)諧振器(SMR)濾波器係一BAW濾波器之另一實例。
可在射頻電子系統中實施聲波濾波器。例如，一行動電話之一射頻前端中之濾波器可包含聲波濾波器。兩個聲波濾波器可配置為一雙工器。
發明申請專利範圍中描述之創新各具有若干態樣，其等之單單一者不單獨作為其所要屬性。在不限制發明申請專利範圍之範疇之情況下，現簡要描述本發明之一些突出特徵。
本發明之一個態樣係一種聲波器件，其包含經組態以對一射頻信號濾波之一聲波濾波器及耦合至該聲波濾波器之一迴圈電路。該迴圈電路經組態以按一特定頻率對一目標信號產生一反相信號。該迴圈電路包含一藍姆波元件。
該聲波濾波器可包含一體聲波諧振器。該體聲波諧振器及該藍姆波元件可各包含相同壓電材料。該壓電材料可係氮化鋁。該體聲波諧振器及該藍姆波元件可共用一腔。該體聲波諧振器及該藍姆波元件可具有單獨腔。該體聲波諧振器可係一膜體聲波諧振器。
該聲波濾波器可包含一表面聲波諧振器。該聲波濾波器可包含一藍姆波諧振器。該聲波濾波器可係一接收濾波器。該聲波濾波器可係一傳輸濾波器。
該藍姆波元件可包含氮化鋁層。該藍姆波元件可包含鈮酸鋰層。該藍姆波元件可包含鉭酸鋰層。該藍姆波元件可包含在一壓電層上之一叉指形轉換器電極及安置在該壓電層上該叉指形轉換器電極之相對側上之光柵。該藍姆波元件可包含在一壓電層上之一叉指形轉換器電極，其中該叉指形轉換器電極具有自由邊緣。該藍姆波元件可在一最低階非對稱模式、一最低階對稱模式、一最低階剪切水平模式、一第一階非對稱模式、一第一階對稱模式或一第一階剪切水平模式之一或多者中操作。
該藍姆波元件及該聲波濾波器之至少一個諧振器可在一共同半導體基板上。該半導體基板可係一矽基板。
該聲波器件可進一步包含一第二聲波濾波器，其中該聲波濾波器及該第二聲波濾波器包含於一雙工器中。
本發明之另一態樣係一種射頻模組，其包含一雙工器及一射頻開關。該雙工器包含一聲波器件。該聲波器件包含一聲波濾波器及耦合至該聲波濾波器之一迴圈電路。該迴圈電路經組態以按一特定頻率對一目標信號產生一反相信號。該迴圈電路包含一藍姆波元件。該射頻開關經配置以使與該雙工器之一埠相關聯之一射頻信號通過。
該聲波濾波器可包含一膜體聲波諧振器。該膜體聲波諧振器及該藍姆波元件可在一共同基板上。該共同基板可係一矽基板。該藍姆波元件可包含氮化鋁層。
該射頻模組可進一步包括一功率放大器，其中該射頻開關耦合於該功率放大器與該雙工器之間之一信號路徑中。
該射頻開關可係一天線開關，且該雙工器之該埠可係耦合至該射頻開關之一天線埠。
本發明之另一態樣係一種無線通信器件，其包含一射頻前端及與該射頻前端通信之一天線。該射頻前端包含一聲波器件。該聲波器件包含經組態以對一射頻信號濾波之一聲波濾波器及耦合至該聲波濾波器之一迴圈電路。該迴圈電路經組態以按一特定頻率對一目標信號產生一反相信號。該迴圈電路包含一藍姆波元件。
該聲波濾波器可包含一膜體聲波諧振器。該膜體聲波諧振器及該藍姆波元件可在一共同矽基板上。
本發明之另一態樣係一種聲波總成，其包含一體聲波諧振器及一藍姆波元件。該體聲波諧振器包含定位於一第一電極與一第二電極之間之一壓電層。該體聲波諧振器及該藍姆波元件經實施於一晶粒之一共同基板上。
該聲波總成可進一步包含在該共同基板上之額外體聲波諧振器。該體聲波諧振器及該額外體聲波諧振器可包含於一帶通濾波器中。該帶通濾波器可經配置以對一射頻信號濾波。該藍姆波元件可包含於耦合至該帶通濾波器之一迴圈電路中。該迴圈電路可經組態以按一特定頻率對一目標信號產生一反相信號。
該體聲波諧振器可係一膜體聲波諧振器。該共同基板可包含矽。該藍姆波元件可包含一壓電層，該壓電層包含與該體聲波諧振器之一壓電層相同之材料。該材料可包含氮化鋁。該體聲波諧振器及該藍姆波元件可共用一腔。該體聲波諧振器及該藍姆波元件可具有單獨腔。
該體聲波諧振器可係一固嵌式諧振器。該藍姆波元件可包含一布拉格反射器。
該藍姆波元件可包含在一壓電層上之一叉指形轉換器電極及安置在該壓電層上該叉指形轉換器電極之相對側上之光柵。該藍姆波元件可包含在一壓電層上之一叉指形轉換器電極，其中該叉指形轉換器電極具有自由邊緣。
本發明之另一態樣係一種射頻模組，其包含一聲波總成及一射頻開關。該聲波總成包含一藍姆波元件及一體聲波諧振器。該體聲波諧振器及該藍姆波元件經實施於一晶粒之一共同基板上。該體聲波諧振器包含於經配置以對一射頻信號濾波之一帶通濾波器中。該射頻開關經耦合至該帶通濾波器。該射頻開關經配置以使該射頻信號通過。
該體聲波諧振器可係一膜體聲波諧振器。該共同基板可係一矽基板。該藍姆波元件可包含氮化鋁層。
本發明之另一態樣係一種無線通信器件，其包含一射頻前端及一天線。該射頻前端包含一聲波總成。該聲波總成包含一藍姆波元件及一體聲波諧振器。該藍姆波元件及該體聲波元件經實施於一晶粒之一共同基板上。該體聲波諧振器包含於經配置以對一射頻信號濾波之一帶通濾波器中。該天線與該帶通濾波器通信。
該體聲波諧振器可係一膜體聲波諧振器。該共同基板可係一矽基板。該藍姆波元件可包含氮化鋁層。
本發明之另一態樣係一種聲波濾波器，其包含一藍姆波諧振器及電耦合至該藍姆波諧振器之一第二聲波諧振器。該第二聲波諧振器係與該藍姆波諧振器不同類型之一聲波諧振器。該聲波濾波器經組態以對一射頻信號濾波。
該藍姆波諧振器及該第二聲波諧振器可實施於一晶粒之一共同基板上。該共同基板可係一矽基板。該藍姆波諧振器可包含一壓電層，該壓電層包含與該第二聲波諧振器之一壓電層相同之材料。該藍姆波諧振器之該壓電層可係氮化鋁層。
該第二聲波諧振器可係一膜體聲波諧振器。該藍姆波諧振器及該膜體聲波諧振器可共用一腔。該藍姆波諧振器及該膜體聲波諧振器可包含單獨腔。
該第二聲波諧振器可係一表面聲波諧振器。
該藍姆波諧振器可係一串聯諧振器且該第二聲波諧振器可係一並聯諧振器。該藍姆波諧振器可係一並聯諧振器且該第二聲波諧振器可係一串聯諧振器。
該聲波濾波器可進一步包含複數個額外聲波諧振器。該額外聲波諧振器可係與該第二聲波諧振器相同之類型之聲波諧振器。
該聲波濾波器可包含第一數目個聲波諧振器，其等係與該第二聲波諧振器相同之類型之聲波諧振器，其中該第一數目係該聲波濾波器之一或多個藍姆波諧振器之一第二數目之至少兩倍。
本發明之另一態樣係一種無線通信器件，其包含一聲波濾波器及與該聲波濾波器通信之一天線。該聲波濾波器經組態以對一射頻信號濾波。該聲波濾波器包含一藍姆波諧振器及一第二聲波諧振器。該藍姆波諧振器及該第二聲波諧振器經實施於一共同基板上。該第二聲波諧振器係與該藍姆波諧振器不同類型之一聲波諧振器。
該第二聲波諧振器可係一膜體聲波諧振器，且該藍姆波諧振器可包含一壓電層，該壓電層包含與該膜體波諧振器之一壓電層相同之材料。
本發明之另一態樣係一種聲波濾波器總成，其包含一第一聲波濾波器及一第二聲波濾波器。該第一聲波濾波器經組態以對一第一射頻信號濾波。該第一聲波濾波器包含實施於一晶粒之一基板上之一藍姆波諧振器。該第二聲波濾波器經組態以對一第二射頻信號濾波。該第二聲波濾波器包含實施在與該藍姆波諧振器相同之該晶粒之該基板上之一聲波諧振器。該聲波諧振器係與該藍姆波諧振器不同類型之一聲波諧振器。
該聲波諧振器可係一膜體聲波諧振器。該藍姆波諧振器可包含一壓電層，該壓電層包含與該聲波諧振器之一壓電層相同之材料。
該第一聲波濾波器及該第二聲波濾波器可在一多工器之一共同節點處耦合在一起。該多工器可係一雙工器。
出於概述本發明之目的，在本文中已描述創新之某些態樣、優點及新穎特徵。應理解，根據任何特定實施例不必達成全部此等優點。因此，可以達成或最佳化如本文中教示之一個優點或優點群組之一方式體現或實行創新而無需達成如可在本文中教示或建議之其他優點。
優先權申請案之交叉參考
本申請案根據35 U.S.C. § 119(e)規定主張2018年3月2日申請且標題為「LAMB WAVE LOOP CIRCUIT FOR ACOUSTIC WAVE FILTER」之美國臨時專利申請案第62/637,641號之優先權之權利，該申請案之全文藉此以引用的方式併入本文中。
某些實施例之以下描述呈現特定實施例之各種描述。然而，可以(例如)如由發明申請專利範圍定義且涵蓋之大量不同方式體現本文中描述之創新。在此描述中，參考圖式，其中相同元件符號可指示相同或功能上類似元件。將理解，圖中繪示之元件不一定按比例繪製。再者，將理解，某些實施例可包含多於一圖式中所繪示之元件及/或一圖式中所繪示之元件之一子集。此外，一些實施例可併入來自兩個或兩個以上圖式之特徵之任何適合組合。
一聲波濾波器可包含一迴圈電路以消除一不必要頻率分量。迴圈電路可增強一特定頻率範圍之傳輸/接收隔離及衰減。迴圈電路可將具有近似相同之振幅及一相反相位之一信號應用至待消除之一信號分量。表面聲波(SAW)迴圈電路已用於抑制SAW濾波器中之隔離及衰減。用於膜體聲波諧振器(FBAR)濾波器及其他體聲波(BAW)濾波器之一些迴圈電路已包含LC電路。此等LC電路可包含具有一相對大實體佔據面積之(若干)電容器及/或(若干)電感器及/或可實施於包含耦合至迴圈電路之BAW濾波器之一晶片外部。
揭示藍姆波迴圈電路。藍姆波迴圈電路可與BAW濾波器及/或雙工器整合。例如，氮化鋁(AlN)藍姆波迴圈電路可與氮化鋁FBAR濾波器整合。此等藍姆波迴圈電路可抑制任何所要頻率範圍之傳輸/接收(Tx/Rx)隔離及衰減。一藍姆波迴圈電路可按一所要頻率產生一反相射頻(RF)信號以消除一目標信號。本文中論述之藍姆波迴圈電路可改良RF聲波濾波器(諸如BAW濾波器(例如，FBAR濾波器或SMR濾波器)、SAW濾波器及藍姆波濾波器)之隔離及衰減。
一藍姆波元件可係一藍姆波諧振器或一藍姆波延遲線。一藍姆波元件可組合一SAW元件及一BAW元件之特徵。一藍姆波諧振器通常包含類似於一SAW諧振器之一叉指形轉換器(IDT)電極。因此，藍姆波諧振器之頻率可經微影定義。如同一BAW濾波器，一藍姆波元件可達成一相對高品質因數(Q)及一相對高相位速度。一藍姆波諧振器之相對高Q可係歸因於(例如)一懸浮結構。包含氮化鋁壓電層之一藍姆波元件可相對易於與其他電路整合，此係因為(例如)氮化鋁程序技術可與互補金屬氧化物半導體(CMOS)程序技術相容。氮化鋁藍姆波諧振器可克服與SAW諧振器相關聯之一相對低諧振頻率限制及整合挑戰且亦克服與BAW諧振器相關聯之多個頻率能力挑戰。一些藍姆波諧振器拓樸係基於來自週期性反射光柵之聲反射。一些其他藍姆波諧振器拓樸係基於來自一壓電層之懸浮自由邊緣之聲反射。
一聲波濾波器之一藍姆波迴圈電路及一BAW諧振器可實施於一共同基板上。氮化鋁藍姆波迴圈電路可在處理期間與氮化鋁FBAR濾波器及/或其他BAW濾波器直接整合以形成此等濾波器。此整合亦可針對其他適合壓電膜達成。因此，一藍姆波迴圈電路可提供一具成本效益且高效的方式以包含用於一BAW濾波器之一迴圈電路。與一BAW濾波器整合之一藍姆波迴圈電路可以具成本效益的方式經製造而具有足以用於一迴圈電路之特性。用於一BAW濾波器之一藍姆波迴圈電路可實施於一相對小實體佔據面積中。例如，一藍姆波迴圈電路可具有小於一基於LC電路之迴圈電路之一實體佔據面積。一較小實體佔據面積可降低功率消耗及/或降低製造成本。
本文中論述之一迴圈電路中之藍姆波元件可在任何適合聲波模式中操作。可用於本文中論述之藍姆波元件中之例示性聲波模式包含最低階非對稱(A0 )模式、最低階對稱(S0 )模式、最低階剪切水平(SH0 )模式、第一階非對稱(A1 )模式、第一階對稱(S1 )模式、第一階剪切水平(SH1 )模式、第二階非對稱(A2 )模式、第二階對稱(S2 )模式、第二階剪切水平(SH2 )模式及類似者。
一藍姆波元件及一不同類型之聲波諧振器可實施於一晶粒之相同基板上。藍姆波元件可包含於一迴圈電路中且不同元件可在耦合至迴圈電路之一聲波濾波器中。可在各種其他應用中實施一共同基板上之一藍姆波元件及一不同類型之聲波元件。在特定例項中，一聲波濾波器可包含實施於相同晶粒上之一藍姆波諧振器及一不同類型之聲波諧振器。例如，一聲波濾波器可包含實施於一共同基板上之一藍姆波諧振器及一FBAR。根據某些應用，一第一聲波濾波器可包含一藍姆波諧振器且一第二聲波濾波器可包含一不同類型之聲波諧振器，其中藍姆波諧振器及不同類型之聲波諧振器經實施於一共同基板上。
一迴圈電路可包含一獨立藍姆波元件。例如，可根據圖1A至圖5D之聲波器件之任何適合原理及優點實施此一藍姆波元件及耦合至迴圈電路之一聲波濾波器之一諧振器。亦可在其他應用中實施圖1A至圖5D之聲波器件。圖1A至圖5D之聲波器件之特徵之任何適合組合可彼此一起實施。
圖1A係根據一實施例之包含一膜體聲波諧振器(FBAR) 12及一藍姆波元件14之一聲波器件10之橫截面之一圖式。FBAR 12及藍姆波元件14經實施於一共同基板19上。FBAR 12可包含於一聲波濾波器中且藍姆波元件14可包含於一迴圈電路中。FBAR 12包含在一壓電基板15之相對側上之電極13A及13B。在某些例項中，藍姆波元件14可係一藍姆波諧振器。一藍姆波諧振器係一種類型之聲波諧振器。在一些例項中，藍姆波元件14可係一延遲線。一藍姆波延遲線可包含兩組叉指形轉換器。
藍姆波元件14包含一SAW諧振器及一FBAR之特徵。如繪示，藍姆波元件14包含一壓電層15、壓電層15上之一叉指形轉換器(IDT)電極16及一電極17。壓電層15可係一薄膜。壓電層15可係氮化鋁層。在其他例項中，壓電層15可係任何適合壓電層。例如，壓電層15可係鈮酸鋰層或鉭酸鋰層。藍姆波諧振器之頻率可係基於IDT電極16之幾何形狀。在一些例項中，藍姆波元件14之經繪示IDT表示兩組IDT。在某些例項中，電極17可係接地。在一些其他例項中，電極17可係浮動。一空氣腔18經安置於電極17與一基板19之間。可代替空氣腔18實施任何適合腔。基板19可係一半導體基板。例如，基板19可係一矽基板。基板19可係任何其他適合基板，諸如一石英基板、一藍寶石基板或一尖晶石基板。
在聲波器件10中，藍姆波諧振器14及FBAR 12共用一壓電層15。壓電層15之一第一部分可被視為FBAR 12之壓電層且壓電層15之一第二部分可被視為藍姆波元件14之壓電層。亦如圖1A中繪示，藍姆波諧振器14及FBAR共用一空氣腔18。在某些應用中，共用一空氣腔18可相對於實施單獨空氣腔減小一聲波器件之大小。藍姆波諧振器14及FBAR 12可安置於一共同半導體基板19上。半導體基板19可係一矽基板。
圖1B係根據一實施例之包含一FBAR 12'及一藍姆波元件14'之一聲波器件10'之橫截面之一圖式。聲波器件10'如同圖1A之聲波器件10，惟單獨空氣腔18A及18B包含於聲波器件10'中以分別用於FBAR 12'及藍姆波元件14'除外。在聲波器件10'中，針對FBAR 12'提供一第一空氣腔18A且針對藍姆波元件14'提供一第二空氣腔18B。在某些例項中，具有單獨空氣腔對於維持聲波器件10'之機械完整性及/或減少FBAR 12與藍姆波元件14之間之串擾可係有益的。
圖1C係根據一實施例之包含一FBAR 12''及一藍姆波元件14''之一聲波器件10''之橫截面之一圖式。聲波器件10''如同圖1A之聲波器件10，惟空氣腔實施於基板19'中而非圖1A之基板19上方。可藉由蝕刻基板19'之一部分而針對聲波器件10''實施一空氣腔18'。
圖1D係根據一實施例之包含一FBAR 12'''及一藍姆波元件14'''之一聲波器件10'''之橫截面之一圖式。聲波器件10'''如同圖1B之聲波器件10'，惟空氣腔實施於基板19''中而非圖1B之基板19上方。可藉由蝕刻基板19''之部分而針對聲波器件10'''實施空氣腔18A'及18B'。
圖2係根據一實施例之包含一藍姆波元件14及一固嵌式諧振器(SMR) 22之一聲波器件20之橫截面之一圖式。在聲波器件20中，SMR 22及藍姆波元件14經實施於一共同基板19上。SMR 22可包含於一聲波濾波器中且藍姆波元件14可包含於一迴圈電路中。SMR 22及藍姆波元件14可包含相同壓電材料，諸如氮化鋁(AlN)。聲波器件20之一壓電層15'可包含充當藍姆波元件14之一壓電層之一第一部分及充當SMR 22之一壓電層之一第二部分。壓電層15'可具有與圖1A之聲波器件10中之壓電層15不同之一形狀。
SMR 22包含定位於基板19與電極13B之間之一聲鏡。經繪示聲鏡包含布拉格(Bragg)反射器24。如繪示，布拉格反射器24包含交替的低阻抗層25及高阻抗層26。作為一實例，布拉格反射器24可包含二氧化矽(SiO2 )層及鎢(W)層。作為另一實例，布拉格反射器24可包含二氧化矽層及鉬(Mo)層。任何其他適合布拉格反射器可替代地或額外地包含於SMR 22中。圖2之藍姆波元件14包含其自身之一空氣腔18B。藍姆波元件14及SMR 22可安置於一共同基板19上。基板19可係一半導體基板。例如，基板19可係一矽基板。基板19可係本文中揭示之任何其他適合基板。
圖3A係根據一實施例之包含一藍姆波元件14及一表面聲波(SAW)諧振器32之一聲波器件30之橫截面之一圖式。在聲波器件30中，SAW諧振器32及藍姆波元件14經實施於一共同基板19上。SAW諧振器32可包含於一聲波濾波器中且藍姆波元件可包含於一迴圈電路中。SAW諧振器32可包含任何適合壓電層，諸如氮化鋁層、鈮酸鋰層、鉭酸鋰層或其等之任何適合組合。SAW諧振器32及藍姆波元件14可包含相同壓電材料，諸如氮化鋁、鈮酸鋰或鉭酸鋰。聲波器件30之一壓電層15''可包含充當藍姆波元件14之一壓電層之一第一部分及充當SAW諧振器32之一壓電層之一第二部分。SAW諧振器32包含壓電層15''上之一IDT電極34。壓電層15''可具有與圖1A之聲波器件10中之壓電層15不同之一形狀。藍姆波元件14及SAW 32可安置於一共同基板19上。基板19可係一半導體基板，諸如一矽基板。
圖3B係根據一實施例之包含一藍姆波元件14及一SAW諧振器32'之一聲波器件30'之橫截面之一圖式。聲波器件30'如同圖3A之聲波器件30，惟藍姆波元件14及SAW諧振器32'之各自壓電層15''及35包含不同壓電材料除外。例如，SAW諧振器32'可包含鈮酸鋰壓電層35且藍姆波元件14可包含鈮酸鋰壓電層15''。作為另一實例，SAW諧振器32'可包含鉭酸鋰壓電層35且藍姆波元件14可包含鉭酸鋰壓電層15''。
雖然聲波器件30及30'經繪示具有包含基板19上方之一腔18B之一藍姆波元件，但可實施具有基板中之一腔(例如，如同圖1B之腔18B')之類似聲波器件。
圖4A係根據一實施例之包含一藍姆波元件14及一藍姆波諧振器42之一聲波器件40之橫截面之一圖式。在聲波器件40中，藍姆波諧振器42及藍姆波元件14經實施於一共同基板19上。藍姆波諧振器42可包含於一聲波濾波器中且藍姆波元件14可包含於一迴圈電路中。藍姆波諧振器42可具有與藍姆波元件14相同或類似之結構。在一些例項中，藍姆波元件14可包含兩組IDT且藍姆波諧振器42可包含一單組IDT。藍姆波元件14及藍姆波諧振器42可共用一壓電層15。如圖4A中展示，藍姆波元件14及藍姆波諧振器42可共用一空氣腔18。在某些應用中，共用一空氣腔18可相對於實施單獨空氣腔減小一聲波器件之大小。
圖4B係根據一實施例之包含一藍姆波元件14及一藍姆波諧振器42之一聲波器件40'之橫截面之一圖式。聲波器件40'如同圖40A之聲波器件40，惟單獨空氣腔18A及18B包含於聲波器件40'中以分別用於藍姆波諧振器42及藍姆波元件14除外。在聲波器件40'中，針對藍姆波諧振器42提供一第一空氣腔18A且針對藍姆波元件14提供一第二空氣腔18B。在某些例項中，具有單獨空氣腔對於維持聲波器件40'之機械完整性及/或減少藍姆波諧振器42與藍姆波元件14之間之串擾可係有益的。
圖5A係根據一實施例之包含一藍姆波元件14及一固嵌式藍姆波諧振器52之一聲波器件50之橫截面之一圖式。在聲波器件50中，固嵌式藍姆波諧振器52及藍姆波元件14經實施於一共同基板19上。固嵌式藍姆波諧振器52可包含於一聲波濾波器中且藍姆波元件14可包含於一迴圈電路中。固嵌式藍姆波諧振器52及藍姆波元件14可包含相同壓電材料，諸如氮化鋁。聲波器件50之一壓電層15'可包含充當藍姆波元件14之一壓電層之一第一部分及充當固嵌式藍姆波諧振器52之一壓電層之一第二部分。
固嵌式藍姆波諧振器52包含一SAW諧振器及一SMR之特徵。固嵌式藍姆波諧振器52包含一下電極53、一壓電層、壓電層上之一IDT電極54及定位於基板19與電極53之間之一聲鏡。經繪示聲鏡包含布拉格反射器56。如繪示，布拉格反射器56包含交替的低阻抗層57及高阻抗層58。作為一實例，布拉格反射器56可包含二氧化矽層及鎢層。任何其他適合布拉格反射器可替代地或額外地包含於固嵌式藍姆波諧振器52中。固嵌式藍姆波諧振器52可包含(例如)氮化鋁壓電層。
圖5B係根據一實施例之包含一藍姆波元件14及固嵌式藍姆波諧振器52之一聲波器件50'之橫截面之一圖式。聲波器件50'如同圖5A之聲波器件50，惟藍姆波元件14及固嵌式藍姆波諧振器52之各自壓電層15'及59包含不同壓電材料除外。
圖5C係根據一實施例之包含一藍姆波元件14及固嵌式藍姆波諧振器52之一聲波器件50''之橫截面之一圖式。聲波器件50''如同圖5A之聲波器件50，惟空氣腔18B'經實施於基板19中而非圖5A之基板19上方。可藉由蝕刻基板19之一部分而針對聲波器件50''實施空氣腔18B'。
圖5D係根據一實施例之包含一藍姆波元件14及固嵌式藍姆波諧振器52之一聲波器件50'''之橫截面之一圖式。聲波器件50'''如同圖5C之聲波器件50''，惟藍姆波元件14及固嵌式藍姆波諧振器52之各自壓電層15'及59包含不同壓電材料除外。
一迴圈電路可包含一固嵌式藍姆波元件。例如，可根據圖6至圖10之聲波器件之任何適合原理及優點實施此一藍姆波元件及耦合至迴圈電路之一聲波濾波器之一諧振器。亦可在其他應用中實施圖6至圖10之聲波器件。圖6至圖10之聲波器件之特徵之任何適合組合可彼此一起實施。
圖6係根據一實施例之包含一固嵌式藍姆波元件64及一FBAR 12'之一聲波器件60之橫截面之一圖式。FBAR 12'及固嵌式藍姆波元件64經實施於一共同基板19上。FBAR 12'可包含於一聲波濾波器中且固嵌式藍姆波元件64可包含於一迴圈電路中。在某些例項中，固嵌式藍姆波元件64可係一固嵌式藍姆波諧振器。在一些例項中，固嵌式藍姆波元件64可係一延遲線。一藍姆波延遲線可包含兩組叉指形轉換器。
藍姆波元件64包含一SAW諧振器及一SMR之特徵。如繪示，藍姆波元件64包含一壓電層15'''、壓電層15'''上之一IDT電極16及一電極17。壓電層15'''可係氮化鋁層。在其他例項中，壓電層15'''可係任何其他適合壓電層。藍姆波元件64之頻率可係基於IDT電極16之幾何形狀。在某些例項中，電極17可係接地。在一些其他例項中，電極17可係浮動。藍姆波元件64包含定位於基板19與電極17之間之一聲鏡。經繪示聲鏡包含布拉格反射器65。如繪示，布拉格反射器65包含交替的低阻抗層66及高阻抗層67。作為一實例，布拉格反射器65可包含二氧化矽層及鎢層。作為另一實例，布拉格反射器65可包含二氧化矽層及鉬層。任何其他適合布拉格反射器可替代地或額外地包含於藍姆波元件64中。
在聲波器件60中，藍姆波元件64及FBAR 12'共用一壓電層15'''。在一些其他實施例中，藍姆波元件64及FBAR 12'可包含不同材料之壓電層。壓電層15'''可具有與在具有不同諧振器組合之其他實施例中之壓電層不同之一形狀。藍姆波元件64及FBAR 12'可安置於一共同基板19上。基板19可係一半導體基板。例如，基板19可係一半導體基板。基板19可係任何其他適合基板，諸如一石英基板、一藍寶石基板或一尖晶石基板。
圖7係根據一實施例之包含一固嵌式藍姆波元件64及一SMR 22之一聲波器件70之橫截面之一圖式。在聲波器件70中，SMR 22及藍姆波元件64經實施於一共同基板19上。SMR 22可包含於一聲波濾波器中且藍姆波元件64可包含於一迴圈電路中。固嵌式藍姆波元件64結構上類似於SMR 22，惟固嵌式藍姆波元件64包含IDT電極16且SMR 22包含具有與壓電層15'''上方之IDT電極16不同之一形狀之一電極23A。固嵌式藍姆波元件64之布拉格反射器65及SMR 22之布拉格反射器24可由基板19之材料分離。例如，一半導體基板19之半導體材料可將布拉格反射器24與布拉格反射器65分離。在某些應用中，布拉格反射器65及24可包含相同材料。在某些應用中，布拉格反射器65及24可包含不同材料。在一些應用中，布拉格反射器可在藍姆波元件64及SMR 22下方形成一共同聲鏡。在某些應用中，固嵌式藍姆波元件64及SMR 22之各自壓電層15'''及68可包含相同壓電材料。在各種應用中，固嵌式藍姆波元件64及SMR 22之各自壓電層15'''及68可包含不同壓電材料。
圖8係根據一實施例之包含一固嵌式藍姆波元件64及一SAW諧振器32之一聲波器件80之橫截面之一圖式。固嵌式藍姆波元件64及SAW諧振器32可在一共同基板19上。SAW諧振器32可包含於一聲波濾波器中且藍姆波元件64可包含於一迴圈電路中。在某些應用中，固嵌式藍姆波元件64及SAW諧振器32之各自壓電層15'''及35可包含相同壓電材料。在各種應用中，固嵌式藍姆波元件64及SAW諧振器32之各自壓電層15'''及35可包含不同壓電材料。
圖9係根據一實施例之包含一固嵌式藍姆波元件64及一藍姆波諧振器42'之一聲波器件90之橫截面之一圖式。藍姆波諧振器42'係一獨立藍姆波諧振器。固嵌式藍姆波元件64及藍姆波諧振器42'可包含相同壓電材料，諸如氮化鋁、鈮酸鋰或鉭酸鋰。在一些其他應用中，固嵌式藍姆波元件64及藍姆波諧振器42'可包含不同材料之壓電層。固嵌式藍姆波元件64及藍姆波諧振器42'可安置於一共同基板19上。藍姆波諧振器42'可包含於一聲波濾波器中且藍姆波元件64可包含於一迴圈電路中。
圖10係根據一實施例之包含一固嵌式藍姆波元件64及一固嵌式藍姆波諧振器52之一聲波器件100之橫截面之一圖式。此等固嵌式藍姆波元件可結構上類似或相同。在聲波器件100中，固嵌式藍姆波諧振器52及藍姆波元件64經實施於一共同基板19上。固嵌式藍姆波諧振器52可包含於一聲波濾波器中且藍姆波元件64可包含於一迴圈電路中。半導體基板19之半導體材料可將此等固嵌式藍姆波元件之布拉格反射器分開。在某些應用中，布拉格反射器65及56可包含相同材料。在某些應用中，布拉格反射器65及56可包含不同材料。在一些應用中，布拉格反射器可在藍姆波元件64及固嵌式藍姆波諧振器52下方形成一共同聲鏡。在某些應用中，固嵌式藍姆波元件64及固嵌式藍姆波諧振器52之各自壓電層15'''及59可包含相同壓電材料。在各種應用中，固嵌式藍姆波元件64及固嵌式藍姆波諧振器52之各自壓電層15'''及68可包含不同壓電材料。
藍姆波元件可包含在一壓電層上之一IDT電極及安置在壓電層上IDT電極之相對側上之反射光柵。反射光柵可反射由IDT電極引發之聲波以形成一諧振腔。反射光柵可包含在一壓電層上之金屬之一週期性圖案。圖11A至圖11F係具有光柵之藍姆波元件之橫截面之圖式。可使用圖11A至圖11F之藍姆波元件之任何者之任何適合原理及優點實施一迴圈電路中之一藍姆波元件。可使用圖11A至圖11F之藍姆波元件之任何者之任何適合原理及優點實施一濾波器中之一藍姆波諧振器。雖然圖11A至圖11F之藍姆波元件係獨立諧振器，但此等藍姆波諧振器之任何適合原理及優點可應用至任何其他適合藍姆波元件。
圖11A繪示包含一IDT電極112、光柵113及114、一壓電層115及一電極116之一藍姆波元件110。IDT電極112係在壓電層115上。在所繪示橫截面中，交替接地及信號金屬包含於IDT電極中。光柵113及114係在壓電層115上且安置於IDT電極112之相對側上。經繪示光柵113及114經展示為連接至接地。替代地，一或多個光柵可經傳訊及/或浮動。電極116及IDT電極112係在壓電層115之相對側上。壓電層115可係(例如)氮化鋁。電極116可係接地。
圖11B繪示一藍姆波元件110'。藍姆波元件110'如同圖11A之藍姆波元件110，惟藍姆波元件110'包含一浮動電極116'除外。
圖11C繪示在壓電層115之與IDT電極112相對之一側上無一電極之一藍姆波元件110''。藍姆波元件110''在其他方面如同圖11A之藍姆波元件110。
圖11D繪示包含在壓電層115之與其上安置IDT電極112以及光柵113及114之一第一側相對之一第二側上之一IDT電極117以及光柵118及119之一藍姆波元件110'''。針對IDT電極112及117，信號及接地電極相對於彼此偏移。
圖11E繪示包含在壓電層115之與其上安置IDT電極112以及光柵113及114之一第一側相對之一第二側上之一IDT電極117'以及光柵118及119之一藍姆波元件110''''。針對IDT電極112及117'，信號及接地電極相對於彼此對準。
圖11F繪示包含在壓電層115之與其上安置IDT電極112以及光柵113及114之一第一側相對之一第二側上之一IDT電極117''以及光柵118及119之一藍姆波元件110'''''。在所繪示橫截面中，IDT 112僅包含信號電極且IDT電極117''僅包含接地電極。
藍姆波元件可包含具有自由邊緣之一IDT電極。一壓電層之懸浮自由邊緣可提供聲波反射以形成一諧振腔。圖12A至圖12F係具有自由邊緣之藍姆波元件之橫截面之圖式。可使用圖12A至圖12F之藍姆波元件之任何者之任何適合原理及優點實施一迴圈電路中之一藍姆波元件。可使用圖12A至圖12F之藍姆波元件之任何者之任何適合原理及優點實施一濾波器中之一藍姆波諧振器。雖然圖12A至圖12F之藍姆波元件係獨立元件，但此等藍姆波元件之任何適合原理及優點可應用至其他藍姆波元件。
圖12A繪示包含IDT電極112、壓電層115及一電極116之一藍姆波元件120。IDT電極112係在壓電層115上。在所繪示橫截面中，交替接地及信號電極包含於IDT電極中。壓電層115具有在IDT電極112之相對側上之自由端。電極116及IDT電極112係在壓電層115之相對側上。壓電層115可係(例如)氮化鋁。電極116可係接地。
圖12B繪示一藍姆波元件120'。藍姆波元件120'如同圖12A之藍姆波元件120，惟藍姆波元件120'包含一浮動電極116'除外。
圖12C繪示在壓電層115之與IDT電極112相對之一側上無一電極之一藍姆波元件120''。藍姆波元件120''在其他方面如同圖12A之藍姆波元件120。
圖12D繪示包含在壓電層115之與其上安置IDT電極112之一第一側相對之一第二側上之一IDT電極117之一藍姆波元件120'''。針對IDT電極112及117，信號及接地電極相對於彼此偏移。
圖12E繪示包含在壓電層115之與其上安置IDT電極112之一第一側相對之一第二側上之一IDT電極117'之一藍姆波元件120''''。針對IDT電極112及117'，信號及接地電極相對於彼此對準。
圖12F繪示包含在壓電層115之與其上安置IDT電極112'之一第一側相對之一第二側上之一IDT電極117''之一藍姆波元件120'''''。在所繪示橫截面中，IDT電極112’僅包含信號電極且IDT電極117''僅包含接地電極。
本文中論述之藍姆波迴圈電路可耦合至一聲波濾波器。例如，一藍姆波元件可耦合至一雙工器或其他多工器(例如，一四工器、六工器、八工器等)之一聲波濾波器。圖13、圖15、圖17及圖19係繪示包含耦合至一聲波濾波器之一藍姆波迴圈電路之例示性雙工器之示意圖。參考圖1A至圖12F論述及/或在圖1A至圖12F中繪示之任何適合原理及優點可應用至圖13、圖15、圖17及圖19之例示性雙工器之任何者。圖13、圖15、圖17及圖19之實施例之任何適合原理及優點可彼此一起實施。
圖13係具有用於一傳輸濾波器132之一迴圈電路133之一雙工器130之一示意圖。雙工器130包含一傳輸濾波器132、一接收濾波器134及一迴圈電路133。傳輸濾波器132及接收濾波器134在一共同節點(其係圖13中之一天線節點)處耦合在一起。一天線135經耦合至雙工器130之共同節點。一並聯電感器L1可耦合於天線135與接地之間。
傳輸濾波器132可對在傳輸埠TX處接收之一RF信號濾波以經由天線135傳輸。一串聯電感器L2可耦合於傳輸埠TX與傳輸濾波器132之聲波諧振器之間。傳輸濾波器132係包含配置為一梯形濾波器之聲波諧振器之一聲波濾波器。傳輸濾波器132包含串聯諧振器T01、T03、T05、T07、T09及並聯諧振器T02、T04、T06、T08。傳輸濾波器132可包含任何適合數目個串聯諧振器及任何適合數目個並聯諧振器。傳輸濾波器132之聲波諧振器可包含BAW諧振器，諸如FBAR及/或SMR。在一些例項中，傳輸濾波器132之聲波諧振器可包含SAW諧振器或藍姆波諧振器。在某些應用中，傳輸濾波器132之諧振器可包含兩個或兩個以上類型之諧振器(例如，一或多個SAW諧振器及一或多個BAW諧振器)。
一迴圈電路133經耦合至傳輸濾波器132。迴圈電路133可耦合至傳輸濾波器之一輸入諧振器T01及一輸出諧振器T09。在一些其他例項中，迴圈電路133可耦合至不同於所繪示之梯形電路之一節點。迴圈電路133可將具有近似相同之振幅及一相反相位之一信號應用至待消除之一信號分量。迴圈電路133包含分別藉由電容器CAP02及CAP01耦合至傳輸濾波器132之藍姆波元件136及137。藍姆波元件136及137可一起對應於本文中揭示之任何適合藍姆波元件。例如，藍姆波元件136及137可一起對應於圖1A之藍姆波元件14，其中各藍姆波元件136及137對應於藍姆波元件14之一不同IDT電極。在此實例中，傳輸濾波器132可包含與藍姆波元件14實施於一晶粒之相同基板上之一FBAR。電容器CAP01及CAP02係可將傳輸濾波器132耦合至迴圈電路133之例示性衰減元件。在各種應用中，一衰減元件可包含一電阻器、一電感器、一電容器或其等之任何適合組合。本文中論述之一迴圈電路之藍姆波元件之任何適合原理及優點可實施於迴圈電路133中。可根據在美國專利第9,246,533號及/或美國專利第9,520,857號中描述之任何適合原理及優點實施迴圈電路133，此等專利之揭示內容之全文藉此以引用的方式併入本文中。
接收濾波器134可對藉由天線135接收之一經接收RF信號濾波且將一經濾波RF信號提供至一接收埠RX。接收濾波器134係包含配置為一梯形濾波器之聲波諧振器之一聲波濾波器。接收濾波器134包含串聯諧振器R01、R03、R05、R07、R09及並聯諧振器R02、R04、R06、R08。接收濾波器134可包含任何適合數目個串聯諧振器及任何適合數目個並聯諧振器。接收濾波器134之聲波諧振器可包含BAW諧振器，諸如FBAR及/或SMR。在一些例項中，接收濾波器134之聲波諧振器可包含SAW諧振器或藍姆波諧振器。在某些應用中，接收濾波器134之諧振器可包含兩個或兩個以上類型之諧振器(例如，一或多個SAW諧振器及一或多個BAW諧振器)。一串聯電感器L3可耦合於接收濾波器134之聲波諧振器與接收埠RX之間。
圖14係比較圖13之雙工器130之隔離與無一迴圈電路之一對應雙工器之隔離之一圖表。使用具有氮化鋁壓電層之一藍姆波諧振器之最低階對稱(S0 )藍姆波模式之聲波性質以研究用於BAW濾波器之迴圈電路。假定在模擬中此一諧振器之藍姆波S0 模式具有~9000 m/s之一速度及~2%之一K2 。在模擬中使用一帶7 BAW雙工器。圖14中之圖表指示迴圈電路133改良接收隔離。在某些例項中，改良可係約5分貝(dB)，如由圖14指示。
圖15係具有用於一接收濾波器134之一迴圈電路之一雙工器150之一示意圖。雙工器150如同圖13之雙工器130，惟雙工器150包含用於接收濾波器134之一迴圈電路153除外。一迴圈電路153經耦合至接收濾波器134。迴圈電路153可耦合至接收濾波器134之一輸入諧振器R09及一輸出諧振器R01。在一些其他例項中，迴圈電路153可耦合至不同於所繪示之接收濾波器134之梯形電路之一節點。迴圈電路153包含分別藉由電容器CAP04及CAP03耦合至接收濾波器134之藍姆波元件156及157。本文中論述之一迴圈電路之藍姆波元件之任何適合原理及優點可實施於迴圈電路153中。例如，藍姆波元件156及157可一起對應於圖14A之藍姆波元件14。
圖16A係比較圖15之雙工器150之隔離與無一迴圈電路之一對應雙工器之隔離之一圖表。使用與用於產生圖14之圖表相同之模擬假設以產生圖16A及圖16B之圖表。圖16A之圖表指示迴圈電路153改良傳輸隔離。
圖16B係比較圖15之雙工器150之接收帶拒斥與無一迴圈電路之一對應雙工器之接收帶拒斥之一圖表。此圖表繪示迴圈電路153可抑制接收帶在一較低頻率範圍之拒斥。
圖17係具有用於一傳輸濾波器132之一第一迴圈電路133及用於一接收濾波器134之一第二迴圈電路153之一雙工器170之一示意圖。圖17繪示可針對一傳輸濾波器及一接收濾波器實施單獨迴圈電路。可針對一聲波濾波器實施一迴圈電路以使聲波濾波器之參數在一規範內。例如，若一聲波濾波器原本無法滿足一隔離規範，則可實施一迴圈電路以使聲波濾波器之隔離小於-60 dB以滿足隔離規範。
圖18係比較圖17之雙工器170之隔離與無迴圈電路之一對應雙工器之隔離之一圖表。此圖表指示雙工器170之迴圈電路133及153改良傳輸隔離及接收隔離兩者。
圖19係具有一迴圈電路193之一雙工器190之一示意圖。雙工器190如同圖13之雙工器130，惟雙工器190包含跨傳輸濾波器132及接收濾波器134耦合之一迴圈電路193除外。迴圈電路193經耦合至接收埠RX及傳輸埠TX。在一些其他例項中，迴圈電路193可耦合至不同於所繪示之接收濾波器134之梯形電路之一節點及/或傳輸濾波器132之一節點。迴圈電路193包含藍姆波元件196及197。藍姆波元件196藉由電容器CAP01耦合至傳輸濾波器。藍姆波元件197藉由電容器CAP02耦合至接收濾波器134。代替電容器C01及/或電容器C02或除了電容器CAP01及/或電容器CAP02以外，可實施任何其他適合衰減元件(諸如一電阻器或一電感器)。本文中論述之一迴圈電路之藍姆波元件之任何適合原理及優點可實施於迴圈電路193中。例如，藍姆波元件196及197可一起對應於圖14A之藍姆波元件14。
本文中揭示之聲波器件可實施於聲波濾波器中。此等聲波濾波器可係經配置以對射頻信號(包含高達及包含毫米波頻率之射頻信號)濾波之帶通濾波器。在某些應用中，一聲波濾波器總成可包含：一第一濾波器，其包含一藍姆波諧振器；及一第二濾波器，其包含一不同類型之諧振器，諸如一FBAR。第一濾波器及第二濾波器可包含於一單一晶粒上。將參考圖20論述一例示性聲波濾波器總成之一示意圖。雖然為了闡釋性目的將描述具有兩個濾波器之一聲波總成，但任何適合原理及優點可應用至具有兩個以上濾波器之聲波濾波器總成。
圖20係根據一實施例之包含具有一藍姆波諧振器之一第一濾波器202及具有一不同類型之聲波諧振器之一第二濾波器204之一聲波濾波器總成200之一示意圖，其中藍姆波諧振器及不同類型之諧振器經實施於相同基板上。聲波濾波器總成200可包含圖1A至圖10之聲波器件之任何者。
第一濾波器202包含配置為一RF埠RF1與一天線埠ANT之間之一梯形濾波器之藍姆波諧振器L01、L02、L03、L04、L05、L06、L07、L08及L09。RF埠RF1可係一傳輸埠或一接收埠。第一濾波器202係具有一第一通帶且經配置以對一第一RF信號濾波之一帶通濾波器。
第二濾波器204包含配置為一RF埠RF2與一天線埠ANT之間之一梯形濾波器之聲波諧振器B01、B02、B03、B04、B05、B06、B07、B08及B09。RF埠RF2可係一傳輸埠或一接收埠。第二濾波器204係具有一第二通帶且經配置以對一第二RF信號濾波之一帶通濾波器。第二濾波器204之聲波諧振器B01至B09係與第一濾波器202之藍姆波諧振器L01至L09不同類型之一聲波諧振器。例如，第二濾波器204之聲波諧振器B01至B09可係BAW諧振器(諸如FBAR)。
第一濾波器202之藍姆波諧振器L01至L09之一些或全部可與第二濾波器204之聲波諧振器B01至B09之一些或全部實施於晶粒之相同基板上。在某些例項中，藍姆波諧振器L01至L09之一或多個諧振器包含一壓電層，該壓電層包含與聲波諧振器B01至B09之一或多者之壓電層相同之材料(例如，氮化鋁)。在一些應用中，一多工器(例如，一雙工器)可包含在一共同節點(例如，天線節點ANT)處耦合在一起之第一濾波器202及第二濾波器204。
本文中揭示之聲波器件可實施於包含一藍姆波諧振器及一不同類型之聲波諧振器之一聲波濾波器中。此一聲波濾波器可包含本文中揭示之任何適合聲波器件。聲波濾波器可係經配置以對射頻信號濾波之帶通濾波器。藍姆波諧振器及不同類型之聲波諧振器可實施於一晶粒之相同基板上。基板可係(例如)一矽基板。在一些例項中，不同類型之聲波諧振器可係一FBAR。在某些應用中，不同類型之聲波諧振器及藍姆波諧振器可包含相同壓電材料(例如，氮化鋁)之各自壓電層。將參考圖21A至圖21F論述具有一藍姆波諧振器及另一類型之聲波諧振器之例示性聲波濾波器。此等例示性聲波濾波器可達成某些應用之可期望效能及/或負載特性。此等聲波濾波器之任何適合原理及優點可彼此一起實施。再者，圖21A至圖21F之任何例示性聲波濾波器可包含根據圖1A至圖10之任何適合原理及優點之一聲波器件。
圖21A係根據一實施例之包含串聯藍姆波諧振器及其他並聯聲波諧振器之一聲波濾波器210之一示意圖。串聯藍姆波諧振器LS01、LS02、LS03、LS04及LS05以及其他並聯聲波諧振器BP01、BP02、BP03及BP04經配置為耦合於一RF埠RF與一天線埠ANT之間之一梯形濾波器。RF埠RF可係一傳輸濾波器之一傳輸埠。RF埠可係一接收濾波器之一接收埠。任何適合數目個串聯諧振器及任何適合數目個並聯諧振器可包含於聲波濾波器210中。其他並聯聲波諧振器BP01、BP02、BP03及BP04可係FBAR。在一些其他例項中，其他並聯聲波諧振器BP01、BP02、BP03及BP04可係SAW諧振器或SMR。
圖21B係根據一實施例之包含並聯藍姆波諧振器及其他串聯聲波諧振器之一聲波濾波器212之一示意圖。並聯藍姆波諧振器LP01、LP02、LP03及LP04以及其他串聯聲波諧振器BS01、BS02、BS03、BS04及BS05經配置為耦合於一RF埠RF與一天線埠ANT之間之一梯形濾波器。RF埠RF可係一傳輸濾波器之一傳輸埠。RF埠可係一接收濾波器之一接收埠。任何適合數目個串聯諧振器及任何適合數目個並聯諧振器可包含於聲波濾波器212中。其他串聯聲波諧振器BS01、BS02、BS03、BS04及BS05可係FBAR。在一些其他例項中，其他並聯聲波諧振器BS01、BS02、BS03、BS04及BS05可係SAW諧振器或SMR。
圖21C係根據一實施例之包含一串聯藍姆波諧振器LS及經由串聯藍姆波諧振器LS耦合至一天線埠ANT之其他聲波諧振器B01至B08之一聲波濾波器214之一示意圖。其他聲波諧振器B01至B08可係SAW諧振器或BAW諧振器。
圖21D係根據一實施例之包含一串聯藍姆波諧振器LS及經由串聯藍姆波諧振器LS耦合至一射頻埠RF之其他聲波諧振器B02至B09之一聲波濾波器216之一示意圖。其他聲波諧振器B02至B09可係SAW諧振器或BAW諧振器。
圖21E係根據一實施例之包含一串聯藍姆波諧振器LS及其他聲波諧振器B01至B04及B06至B09之一聲波濾波器218之一示意圖。在聲波濾波器218中，一第一其他串聯諧振器B01經耦合於串聯藍姆波諧振器LS與RF埠RF之間。在聲波濾波器218中，一第二其他串聯諧振器B09經耦合於串聯藍姆波諧振器LS與天線埠ANT之間。其他聲波諧振器B01至B04及B06至B09可係SAW諧振器或BAW諧振器。
圖21F係根據一實施例之包含一並聯藍姆波諧振器LP及其他聲波諧振器B01至B05及B07至B09之一聲波濾波器219之一示意圖。
在聲波濾波器219中，一第一其他串聯諧振器B01經耦合於並聯藍姆波諧振器LP與RF埠RF之間。在聲波濾波器219中，一第二其他串聯諧振器B09經耦合於並聯藍姆波諧振器LP與天線埠ANT之間。其他聲波諧振器B01至B05及B07至B09可係SAW諧振器或BAW諧振器。
可在各種經封裝模組中實施本文中論述之聲波器件及/或迴圈電路。現將論述其中可實施本文中論述之藍姆波迴圈電路之任何適合原理及優點之一些例示性經封裝模組。圖22A、圖22B、圖22C及圖22D係根據某些實施例之闡釋性經封裝模組之示意性方塊圖。
圖22A係包含具有一藍姆波迴圈電路之一雙工器222及一天線開關223之一模組220之一示意性方塊圖。模組220可包含圍封所繪示元件之一封裝。具有一藍姆波迴圈電路之雙工器222及天線開關223可安置於一共同封裝基板上。封裝基板可係(例如)一層壓基板。雙工器222可包含根據本文中論述之任何適合原理及優點之一藍姆波迴圈電路。天線開關223可係一多投射頻開關。天線開關223可將雙工器222之一共同節點選擇性地電耦合至模組220之一天線埠。
圖22B係包含具有一藍姆波迴圈電路之一第一濾波器222A、具有一藍姆波迴圈電路之一第二濾波器222B及一天線開關223'之一模組220'之一示意性方塊圖。模組220'繪示具有藍姆波迴圈電路之兩個不同濾波器可包含於一模組中。具有一藍姆波迴圈電路之第一濾波器222A可實施在與具有一藍姆波迴圈電路之第二濾波器222B不同之一晶粒上。天線開關223'可將第一濾波器222A及/或第二濾波器222B之一埠選擇性地電耦合至模組220'之一天線埠。
圖22C係包含一功率放大器225、一開關226及具有一藍姆波迴圈電路之一雙工器222之一模組224之一示意性方塊圖。功率放大器225可放大一射頻信號。開關226可將功率放大器225之一輸出選擇性地電耦合至雙工器222之一傳輸埠。雙工器222可包含根據本文中論述之任何適合原理及優點之一藍姆波迴圈電路。
圖22D係包含功率放大器225、一開關226、具有一藍姆波迴圈電路之一雙工器222及一天線開關223之一模組227之一示意性方塊圖。模組227類似於圖22C之模組224，惟模組227另外包含天線開關223除外。
可在各種經封裝模組中實施本文中揭示之具有一藍姆波諧振器及/或另一類型之聲波諧振器之聲波濾波器。現將論述其中可實施本文中論述之具有一藍姆波諧振器及一不同類型之聲波諧振器之聲波濾波器之任何適合原理及優點之一些例示性經封裝模組。圖23A、圖23B及圖23C係根據某些實施例之闡釋性經封裝模組之示意性方塊圖。
圖23A係包含具有一藍姆波諧振器及另一類型之聲波諧振器之一或多個濾波器232之一模組230之一示意性方塊圖。一或多個濾波器232可包含結合圖20至圖21F揭示之特徵之任何適合組合。模組230可包含圍封所繪示元件之一封裝。具有一藍姆波諧振器及另一類型之聲波諧振器之一或多個濾波器232及天線開關233可安置於一共同封裝基板上。封裝基板可係(例如)一層壓基板。天線開關233可係一多投射頻開關。天線開關233可將濾波器232之任何適合數目個一或多者選擇性地電耦合至模組230之一天線埠。
圖23B係包含一功率放大器235、一開關236及具有一藍姆波諧振器及另一類型之聲波諧振器之一或多個濾波器232之一模組234之一示意性方塊圖。功率放大器235可放大一射頻信號。開關236可將功率放大器235之一輸出選擇性地電耦合至雙工器232之一傳輸埠。可根據本文中論述之任何適合原理及優點實施具有一藍姆波諧振器及另一類型之聲波諧振器之一或多個濾波器232。
圖23C係包含功率放大器235、一開關236、具有一藍姆波諧振器及另一類型之聲波諧振器之一或多個濾波器232以及一天線開關233之一模組237之一示意性方塊圖。模組237類似於圖23B之模組234，惟模組237另外包含天線開關233除外。
圖24係根據一或多項實施例之包含具有一或多個藍姆波元件之濾波器243之一無線通信器件240之一示意性方塊圖。例如，濾波器243可包含具有根據本文中揭示之任何適合原理及優點之一藍姆波迴圈電路之一雙工器。濾波器243可包含具有一藍姆波諧振器之一第一濾波器及具有一不同類型之聲波諧振器之一第二濾波器，其中藍姆波諧振器及不同類型之聲波諧振器經實施於一晶粒之一共同基板上。在某些例項中，濾波器243可包含包含一藍姆波諧振器及一不同類型之聲波諧振器之一濾波器。
無線通信器件240可係任何適合無線通信器件。例如，一無線通信器件240可係一行動電話，諸如一智慧型電話。如所繪示，無線通信器件240包含一天線241、包含濾波器243之一RF前端242、一RF收發器244、一處理器245、一記憶體246及一使用者介面。天線241可傳輸由RF前端242提供之RF信號。天線241可接收RF信號且將經接收RF信號提供至RF前端242以供處理。
RF前端242可包含一或多個功率放大器、一或多個低雜訊放大器、RF開關、接收濾波器、傳輸濾波器、雙工濾波器、一多工器之濾波器、一雙工器或其他頻率多工電路之濾波器或其等之任何適合組合。可根據本文中揭示之任何適合原理及優點實施RF前端242之濾波器243。RF前端242可傳輸且接收與任何適合通信標準相關聯之RF信號。可在RF前端242中實施本文中論述之聲波器件及/或藍姆波迴圈電路之任何者。
RF收發器244可將RF信號提供至RF前端242以供放大及/或其他處理。RF收發器244亦可處理由RF前端242之一低雜訊放大器提供之一RF信號。RF收發器244與處理器245通信。處理器245可係一基帶處理器。處理器245可針對無線通信器件240提供任何適合基帶處理功能。記憶體246可由處理器245存取。記憶體246可儲存無線通信器件240之任何適合資料。使用者介面247可係任何適合使用者介面，諸如具有觸控螢幕能力之一顯示器。
可結合行動器件(諸如蜂巢式手機)實施上文描述之任何實施例。實施例之原理及優點可用於可獲益於本文中描述之任何實施例之任何系統或裝置(諸如任何上行鏈路無線通信器件)。本文中之教示適用於各種系統。雖然本發明包含一些例示性實施例，但本文中描述之教示可應用至各種結構。可結合經組態以處理在自約30 kHz至300 GHz之一範圍中(諸如在自約450 MHz至8.5 GHz之一範圍中)之信號之RF電路實施本文中論述之任何原理及優點。
可在各種電子器件中實施本發明之態樣。電子器件之實例可包含(但不限於)消費型電子產品、消費型電子產品之部分，諸如經封裝射頻模組、上行鏈路無線通信器件、無線通信基礎設施、電子測試設備等。電子器件之實例可包含(但不限於)：諸如一智慧型電話之一行動電話、諸如一智慧型手錶或一耳機之一穿戴式運算器件、一電話、一電視、一電腦監視器、一電腦、一數據機、一手持式電腦、一膝上型電腦、一平板電腦、一微波爐、一冰箱、諸如一汽車電子系統之一車輛電子系統、一立體聲系統、一數位音樂播放器、一無線電、諸如一數位相機之一相機、一攜帶型記憶體晶片、一洗衣器、一乾衣器、一洗衣/乾衣器、一影印機、一傳真機、一掃描器、一多功能周邊器件、一手錶、一時鐘等。此外，電子器件可包含未完成產品。
除非背景內容明確另外要求，否則貫穿描述及發明申請專利範圍，字詞「包括(comprise/comprising)」、「包含(include/including)」及類似者應理解為一包含性意義而非一排他性或詳盡性意義；即「包含，但不限於」之意義。如本文中大體上使用之字詞「耦合」係指可直接連接或經由一或多個中間元件連接之兩個或兩個以上元件。同樣地，如本文中通常使用之字詞「連接」係指可直接連接或藉由一或多個中間元件連接之兩個或兩個以上元件。另外，字詞「本文」、「上文」、「下文」及具有類似意思之詞當用於本申請案中時應係指本申請案整體且非本申請案之任何特定部分。在背景內容允許之情況下，使用單數或複數之上文實施方式中之字詞亦可分別包含複數或單數。字詞「或」涉及兩個或兩個以上品項之一清單，該字詞涵蓋字詞之全部以下解譯：清單中之任何品項、清單中之全部品項及清單中之品項之任何組合。
再者，除非另外具體陳述或除非在如所使用之本背景內容內理解，否則本文中所使用之條件語言，尤其諸如「可」、「可以」、「可能」、「能夠」、「例如」、「舉例而言」、「諸如」及類似者通常旨在傳達某些實施例包含(而其他實施例不包含)某些特徵、元件及/或狀態。因此，此條件語言通常不旨在暗示特徵、元件及/或狀態以一或多項實施例所需之任何方式或一或多項實施例一定包含用於在具有或不具有作者輸入或提示之情況下決定在任何特定實施例中是否包含或執行此等特徵、元件及/或狀態之邏輯。
雖然已描述某些實施例，但此等實施例僅藉由實例表示，且不旨在限制本發明之範疇。實際上，可以各種其他形式體現本文中描述之新穎裝置、方法及系統；此外，可對本文中描述之方法及系統之形式做出各種省略、置換及改變而不脫離本發明之精神。例如，雖然區塊以一給定配置呈現，但替代實施例可執行具有不同組件及/或電路拓樸之類似功能性，且可刪除、移動、添加、細分、組合及/或修改一些區塊。可以各種不同方式實施此等區塊之各者。可組合上文描述之各項實施例之元件及動作之任何適合組合以提供進一步實施例。隨附發明申請專利範圍及其等等效物旨在涵蓋如將落在本發明之範疇及精神內之此等形式或修改。
10‧‧‧聲波器件
10'‧‧‧聲波器件
10''‧‧‧聲波器件
10'''‧‧‧聲波器件
12‧‧‧膜體聲波諧振器(FBAR)
12'‧‧‧膜體聲波諧振器(FBAR)
12''‧‧‧薄膜體聲諧振器(FBAR)
12'''‧‧‧薄膜體聲諧振器(FBAR)
13A‧‧‧電極
13B‧‧‧電極
14‧‧‧藍姆波元件
14'‧‧‧藍姆波元件
14''‧‧‧藍姆波元件
14'''‧‧‧藍姆波元件
15‧‧‧壓電基板/壓電層
15'‧‧‧壓電層
15''‧‧‧壓電層
15'''‧‧‧壓電層
16‧‧‧叉指形轉換器(IDT)電極
17‧‧‧電極
18‧‧‧空氣腔
18'‧‧‧空氣腔
18A‧‧‧第一空氣腔
18A'‧‧‧空氣腔
18B‧‧‧第二空氣腔
18B'‧‧‧空氣腔
19‧‧‧共同基板
19'‧‧‧基板
19''‧‧‧基板
20‧‧‧聲波器件
22‧‧‧固嵌式諧振器(SMR)
24‧‧‧布拉格(Bragg)反射器
25‧‧‧低阻抗層
26‧‧‧高阻抗層
30‧‧‧聲波器件
30'‧‧‧聲波器件
32‧‧‧表面聲波(SAW)諧振器
32'‧‧‧表面聲波(SAW)諧振器
34‧‧‧叉指形轉換器(IDT)電極
35‧‧‧壓電層
40‧‧‧聲波器件
40'‧‧‧聲波器件
42‧‧‧藍姆波諧振器
42'‧‧‧藍姆波諧振器
50‧‧‧聲波器件
50'‧‧‧聲波器件
50''‧‧‧聲波器件
50'''‧‧‧聲波器件
52‧‧‧固嵌式藍姆波諧振器
53‧‧‧下電極
54‧‧‧叉指形轉換器(IDT)電極
56‧‧‧布拉格反射器
57‧‧‧低阻抗層
58‧‧‧高阻抗層
59‧‧‧壓電層
60‧‧‧聲波器件
64‧‧‧固嵌式藍姆波元件
65‧‧‧布拉格反射器
66‧‧‧低阻抗層
67‧‧‧高阻抗層
68‧‧‧壓電層
70‧‧‧聲波器件
80‧‧‧聲波器件
90‧‧‧聲波器件
100‧‧‧聲波器件
110‧‧‧藍姆波元件
110'‧‧‧藍姆波元件
110''‧‧‧藍姆波元件
110'''‧‧‧藍姆波元件
110''''‧‧‧藍姆波元件
110'''''‧‧‧藍姆波元件
112‧‧‧叉指形轉換器(IDT)電極
112'‧‧‧叉指形轉換器(IDT)電極
113‧‧‧光柵
114‧‧‧光柵
115‧‧‧壓電層
116‧‧‧電極
116'‧‧‧浮動電極
117‧‧‧叉指形轉換器(IDT)電極
117'‧‧‧叉指形轉換器(IDT)電極
117''‧‧‧叉指形轉換器(IDT)電極
118‧‧‧光柵
119‧‧‧光柵
120‧‧‧藍姆波元件
120'‧‧‧藍姆波元件
120''‧‧‧藍姆波元件
120'''‧‧‧藍姆波元件
120''''‧‧‧藍姆波元件
120'''''‧‧‧藍姆波元件
130‧‧‧雙工器
132‧‧‧傳輸濾波器
133‧‧‧迴圈電路
134‧‧‧接收濾波器
135‧‧‧天線
136‧‧‧藍姆波元件
137‧‧‧藍姆波元件
150‧‧‧雙工器
153‧‧‧迴圈電路
156‧‧‧藍姆波元件
157‧‧‧藍姆波元件
170‧‧‧雙工器
190‧‧‧雙工器
193‧‧‧迴圈電路
196‧‧‧藍姆波元件
197‧‧‧藍姆波元件
200‧‧‧聲波濾波器總成
202‧‧‧第一濾波器
204‧‧‧第二濾波器
210‧‧‧聲波濾波器
212‧‧‧聲波濾波器
214‧‧‧聲波濾波器
216‧‧‧聲波濾波器
218‧‧‧聲波濾波器
219‧‧‧聲波濾波器
220‧‧‧模組
220'‧‧‧模組
222‧‧‧雙工器
222A‧‧‧第一濾波器
222B‧‧‧第二濾波器
223‧‧‧天線開關
223'‧‧‧天線開關
224‧‧‧模組
225‧‧‧功率放大器
226‧‧‧開關
227‧‧‧模組
230‧‧‧模組
232‧‧‧濾波器
233‧‧‧天線開關
234‧‧‧模組
235‧‧‧功率放大器
236‧‧‧開關
237‧‧‧模組
240‧‧‧無線通信器件
241‧‧‧天線
242‧‧‧射頻(RF)前端
243‧‧‧濾波器
244‧‧‧射頻(RF)收發器
245‧‧‧處理器
246‧‧‧記憶體
247‧‧‧使用者介面
ANT‧‧‧天線埠
B01‧‧‧聲波諧振器
B02‧‧‧聲波諧振器
B03‧‧‧聲波諧振器
B04‧‧‧聲波諧振器
B05‧‧‧聲波諧振器
B06‧‧‧聲波諧振器
B07‧‧‧聲波諧振器
B08‧‧‧聲波諧振器
B09‧‧‧聲波諧振器
BP01至BP04‧‧‧並聯聲波諧振器
BS01至BS05‧‧‧串聯聲波諧振器
CAP01‧‧‧電容器
CAP02‧‧‧電容器
CAP03‧‧‧電容器
CAP04‧‧‧電容器
L1‧‧‧並聯電感器
L2‧‧‧串聯電感器
L3‧‧‧串聯電感器
L01‧‧‧藍姆波諧振器
L02‧‧‧藍姆波諧振器
L03‧‧‧藍姆波諧振器
L04‧‧‧藍姆波諧振器
L05‧‧‧藍姆波諧振器
L06‧‧‧藍姆波諧振器
L07‧‧‧藍姆波諧振器
L08‧‧‧藍姆波諧振器
L09‧‧‧藍姆波諧振器
LP‧‧‧並聯藍姆波諧振器
LP01至LP04‧‧‧並聯藍姆波諧振器
LS‧‧‧串聯藍姆波諧振器
LS01至LS05‧‧‧串聯藍姆波諧振器
R01‧‧‧串聯諧振器/輸出諧振器
R02‧‧‧並聯諧振器
R03‧‧‧串聯諧振器
R04‧‧‧並聯諧振器
R05‧‧‧串聯諧振器
R06‧‧‧並聯諧振器
R07‧‧‧串聯諧振器
R08‧‧‧並聯諧振器
R09‧‧‧串聯諧振器/輸入諧振器
RF1‧‧‧射頻(RF)埠
T01‧‧‧串聯諧振器/輸入諧振器
T02‧‧‧並聯諧振器
T03‧‧‧串聯諧振器
T04‧‧‧並聯諧振器
T05‧‧‧串聯諧振器
T06‧‧‧並聯諧振器
T07‧‧‧串聯諧振器
T08‧‧‧並聯諧振器
T09‧‧‧串聯諧振器/輸出諧振器
TX‧‧‧傳輸埠
RX‧‧‧接收埠
現將參考隨附圖式藉由非限制性實例描述本發明之實施例。
圖1A係根據一實施例之包含一共同基板上之一藍姆波元件及一膜體聲波諧振器(FBAR)之一聲波器件之橫截面之一圖式。
圖1B係根據另一實施例之包含一共同基板上之一藍姆波元件及一FBAR之一聲波器件之橫截面之一圖式。
圖1C係根據另一實施例之包含一共同基板上之一藍姆波元件及一FBAR之一聲波器件之橫截面之一圖式。
圖1D係根據另一實施例之包含一共同基板上之一藍姆波元件及一FBAR之一聲波器件之橫截面之一圖式。
圖2係根據一實施例之包含一基板上之一藍姆波元件及一固嵌式諧振器(SMR)之一聲波器件之橫截面之一圖式。
圖3A係根據一實施例之包含一共同基板上之一藍姆波元件及一表面聲波(SAW)諧振器之一聲波器件之橫截面之一圖式。
圖3B係根據另一實施例之包含一共同基板上之一藍姆波元件及一SAW諧振器之一聲波器件之橫截面之一圖式。
圖4A係根據一實施例之包含一共同基板上之一藍姆波元件及一藍姆波諧振器之一聲波器件之橫截面之一圖式。
圖4B係根據另一實施例之包含一共同基板上之一藍姆波元件及一藍姆波諧振器之一聲波器件之橫截面之一圖式。
圖5A係根據一實施例之包含一共同基板上之一藍姆波元件及一固嵌式藍姆波諧振器之一聲波器件之橫截面之一圖式。
圖5B係根據另一實施例之包含一共同基板上之一藍姆波元件及一固嵌式藍姆波諧振器之一聲波器件之橫截面之一圖式。
圖5C係根據另一實施例之包含一共同基板上之一藍姆波元件及一固嵌式藍姆波諧振器之一聲波器件之橫截面之一圖式。
圖5D係根據另一實施例之包含一共同基板上之一藍姆波元件及一固嵌式藍姆波諧振器之一聲波器件之橫截面之一圖式。
圖6係根據一實施例之包含一共同基板上之一固嵌式藍姆波元件及一FBAR之一聲波器件之橫截面之一圖式。
圖7係根據一實施例之包含一共同基板上之一固嵌式藍姆波元件及一SMR之一聲波器件之橫截面之一圖式。
圖8係根據一實施例之包含一共同基板上之一固嵌式藍姆波元件及一SAW諧振器之一聲波器件之橫截面之一圖式。
圖9係根據一實施例之包含一共同基板上之一固嵌式藍姆波元件及一藍姆波諧振器之一聲波器件之橫截面之一圖式。
圖10係根據一實施例之包含一共同基板上之一固嵌式藍姆波元件及一固嵌式藍姆波諧振器之一聲波器件之橫截面之一圖式。
圖11A至圖11F係具有光柵之藍姆波元件之橫截面之圖式。圖11A繪示具有一接地電極之一藍姆波元件。圖11B繪示具有一浮動電極之一藍姆波元件。圖11C繪示在一壓電層之與一叉指形轉換器(IDT)電極相對之一側上無一電極之一藍姆波元件。圖11D繪示另一藍姆波元件。圖11E繪示另一藍姆波元件。圖11F繪示另一藍姆波元件。
圖12A至圖12F係具有自由邊緣之藍姆波元件之橫截面之圖式。圖12A繪示具有一接地電極之一藍姆波元件。圖12B繪示具有一浮動電極之一藍姆波元件。圖12C繪示在一壓電層之與一IDT電極相對之一側上無一電極之一藍姆波元件。圖12D繪示另一藍姆波元件。圖12E繪示另一藍姆波元件。圖12F繪示另一藍姆波元件。
圖13係根據一實施例之具有用於一傳輸濾波器之一迴圈電路之一雙工器之一示意圖。
圖14係比較圖13之雙工器之隔離與無一迴圈電路之一對應雙工器之隔離之一圖表。
圖15係根據一實施例之具有用於一接收濾波器之一迴圈電路之一雙工器之一示意圖。
圖16A係比較圖15之雙工器之隔離與無一迴圈電路之一對應雙工器之隔離之一圖表。
圖16B係比較圖15之雙工器之接收帶拒斥與無一迴圈電路之一對應雙工器之接收帶拒斥之一圖表。
圖17係根據一實施例之具有用於一傳輸濾波器之一第一迴圈電路及用於一接收濾波器之一第二迴圈電路之一雙工器之一示意圖。
圖18係比較圖17之雙工器之隔離與無迴圈電路之一對應雙工器之隔離之一圖表。
圖19係根據一實施例之具有耦合於一傳輸濾波器之一傳輸埠與一接收濾波器之一接收埠之間之一迴圈電路之一雙工器之一示意圖。
圖20係根據一實施例之包含具有一藍姆波諧振器之一第一濾波器及具有一不同類型之聲波諧振器之一第二濾波器之一聲波濾波器總成之一示意圖，其中藍姆波諧振器及不同類型之諧振器經實施於相同基板上。
圖21A係根據一實施例之包含串聯藍姆波諧振器及其他並聯聲波諧振器之一聲波濾波器之一示意圖。
圖21B係根據一實施例之包含並聯藍姆波諧振器及其他串聯聲波諧振器之一聲波濾波器之一示意圖。
圖21C係根據一實施例之包含一串聯藍姆波諧振器及經由串聯藍姆波諧振器耦合至一天線埠之其他聲波諧振器之一聲波濾波器之一示意圖。
圖21D係根據一實施例之包含一串聯藍姆波諧振器及經由串聯藍姆波諧振器耦合至一射頻埠之其他聲波諧振器之一聲波濾波器之一示意圖。
圖21E係根據一實施例之包含一串聯藍姆波諧振器及其他聲波諧振器之一聲波濾波器之一示意圖。
圖21F係根據一實施例之包含一並聯藍姆波諧振器及其他聲波諧振器之一聲波濾波器之一示意圖。
圖22A係根據一實施例之包含一天線開關及具有一藍姆波迴圈電路之一雙工器之一模組之一示意性方塊圖。
圖22B係根據一實施例之包含一天線開關及具有一藍姆波迴圈電路之複數個濾波器之一模組之一示意性方塊圖。
圖22C係根據一實施例之包含一功率放大器、一開關及具有一藍姆波迴圈電路之一雙工器之一模組之一示意性方塊圖。
圖22D係根據一實施例之包含功率放大器、一開關、具有一藍姆波迴圈電路之一雙工器及一天線開關之一模組之一示意性方塊圖。
圖23A係根據一實施例之包含一天線開關及包含一藍姆波諧振器及另一類型之聲波諧振器之一或多個濾波器之一模組之一示意性方塊圖。
圖23B係根據一實施例之包含一功率放大器、一開關及包含一藍姆波諧振器及另一類型之聲波諧振器之一或多個濾波器之一模組之一示意性方塊圖。
圖23C係根據一實施例之包含功率放大器、一開關、包含一藍姆波諧振器及另一類型之聲波諧振器之一或多個濾波器以及一天線開關之一模組之一示意性方塊圖。
圖24係根據一實施例之包含具有一藍姆波元件之一濾波器之一無線通信器件之一示意性方塊圖。

Claims (60)

  1. 一種聲波器件，其包括： 一聲波濾波器，其經組態以對一射頻信號濾波；及 一迴圈電路，其耦合至該聲波濾波器，該迴圈電路經組態以按一特定頻率對一目標信號產生一反相信號，且該迴圈電路包含一藍姆波元件。
  2. 如請求項1之聲波器件，其中該聲波濾波器包含一體聲波諧振器。
  3. 如請求項2之聲波器件，其中該體聲波諧振器及該藍姆波元件各包含相同壓電材料。
  4. 如請求項3之聲波器件，其中該壓電材料包含氮化鋁。
  5. 如請求項2之聲波器件，其中該體聲波諧振器及該藍姆波元件共用一腔。
  6. 如請求項2之聲波器件，其中該體聲波諧振器係一膜體聲波諧振器。
  7. 如請求項1之聲波器件，其中該藍姆波元件包含氮化鋁層。
  8. 如請求項1之聲波器件，其中該藍姆波元件包含在一壓電層上之一叉指形轉換器電極及安置在該壓電層上該叉指形轉換器電極之相對側上之光柵。
  9. 如請求項1之聲波器件，其中該藍姆波元件包含在一壓電層上之一叉指形轉換器電極，該叉指形轉換器電極具有自由邊緣。
  10. 如請求項1之聲波器件，其中該藍姆波元件及該聲波濾波器之至少一個諧振器係在一共同半導體基板上。
  11. 如請求項1之聲波器件，其進一步包括一第二聲波濾波器，該聲波濾波器及該第二聲波濾波器包含於一雙工器中。
  12. 一種射頻模組，其包括： 一雙工器，其包含一聲波器件，該聲波器件包含一聲波濾波器及耦合至該聲波濾波器之一迴圈電路，該迴圈電路經組態以按一特定頻率對一目標信號產生一反相信號，且該迴圈電路包含一藍姆波元件；及 一射頻開關，其經配置以傳遞與該雙工器之一埠相關聯之一射頻信號。
  13. 如請求項12之射頻模組，其中該聲波濾波器包含一膜體聲波諧振器。
  14. 如請求項13之射頻模組，其中該膜體聲波諧振器及該藍姆波元件係在一共同基板上。
  15. 如請求項14之射頻模組，其中該共同基板係一矽基板。
  16. 如請求項14之射頻模組，其中該藍姆波元件包含氮化鋁層。
  17. 如請求項12之射頻模組，其進一步包括一功率放大器，該射頻開關耦合於該功率放大器與該雙工器之間之一信號路徑中。
  18. 如請求項12之射頻模組，其中該射頻開關係一天線開關，且該雙工器之該埠係耦合至該射頻開關之一天線埠。
  19. 一種無線通信器件，其包括： 一射頻前端，其包含一聲波器件，該聲波器件包含經組態以對一射頻信號濾波之一聲波濾波器及耦合至該聲波濾波器之一迴圈電路，該迴圈電路經組態以按一特定頻率對一目標信號產生一反相信號，且該迴圈電路包含一藍姆波元件；及 一天線，其與該射頻前端通信。
  20. 如請求項19之無線通信器件，其中該聲波濾波器包含一膜體聲波諧振器，且該膜體聲波諧振器及該藍姆波元件係在一共同矽基板上。
  21. 一種聲波總成，其包括： 一體聲波諧振器，其包含定位於一第一電極與一第二電極之間之一壓電層；及 一藍姆波元件，該體聲波諧振器及該藍姆波元件實施於一晶粒之一共同基板上。
  22. 如請求項21之聲波總成，其進一步包括在該共同基板上之額外體聲波諧振器，該體聲波諧振器及該額外體聲波諧振器包含於一帶通濾波器中，且該帶通濾波器經配置以對一射頻信號濾波。
  23. 如請求項22之聲波總成，其中該藍姆波元件包含於耦合至該帶通濾波器之一迴圈電路中，該迴圈電路經組態以按一特定頻率對一目標信號產生一反相信號。
  24. 如請求項21之聲波總成，其中該體聲波諧振器係一膜體聲波諧振器。
  25. 如請求項21之聲波總成，其中該共同基板包含矽。
  26. 如請求項21之聲波總成，其中該藍姆波元件包含一壓電層，該壓電層包含與該體聲波諧振器之一壓電層相同之材料。
  27. 如請求項26之聲波總成，其中該材料包含氮化鋁。
  28. 如請求項21之聲波總成，其中該體聲波諧振器及該藍姆波元件共用一腔。
  29. 如請求項21之聲波總成，其中該體聲波諧振器及該藍姆波元件具有單獨腔。
  30. 如請求項21之聲波總成，其中該體聲波諧振器係一固嵌式諧振器。
  31. 如請求項21之聲波總成，其中該藍姆波元件包含一布拉格反射器。
  32. 如請求項21之聲波總成，其中該藍姆波元件包含在一壓電層上之一叉指形轉換器電極及安置在該壓電層上該叉指形轉換器電極之相對側上之光柵。
  33. 如請求項21之聲波總成，其中該藍姆波元件包含在一壓電層上之一叉指形轉換器電極，該叉指形轉換器電極具有自由邊緣。
  34. 一種射頻模組，其包括： 一聲波總成，其包含一藍姆波元件及一體聲波諧振器，該體聲波諧振器及該藍姆波元件實施於一晶粒之一共同基板上，且該體聲波諧振器包含於經配置以對一射頻信號濾波之一帶通濾波器中；及 一射頻開關，其耦合至該帶通濾波器，該射頻開關經配置以使該射頻信號通過。
  35. 如請求項34之射頻模組，其中該體聲波諧振器係一膜體聲波諧振器。
  36. 如請求項34之射頻模組，其中該共同基板係一矽基板。
  37. 如請求項34之射頻模組，其中該藍姆波元件包含氮化鋁層。
  38. 一種無線通信器件，其包括： 一射頻前端，其包含一聲波總成，該聲波總成包含一藍姆波元件及一體聲波諧振器，該藍姆波元件及該體聲波元件經實施於一晶粒之一共同基板上，且該體聲波諧振器包含於經配置以對一射頻信號濾波之一帶通濾波器中；及 一天線，其與該帶通濾波器通信。
  39. 如請求項38之無線通信器件，其中該體聲波諧振器係一膜體聲波諧振器。
  40. 如請求項39之無線通信器件，其中該共同基板係一矽基板且該藍姆波元件包含氮化鋁層。
  41. 一種聲波濾波器，其包括： 一藍姆波諧振器；及 一第二聲波諧振器，其電耦合至該藍姆波諧振器，該第二聲波諧振器係與該藍姆波諧振器不同類型之一聲波諧振器，該聲波濾波器經組態以對一射頻信號濾波。
  42. 如請求項41之聲波濾波器，其中該藍姆波諧振器及該第二聲波諧振器經實施於一晶粒之一共同基板上。
  43. 如請求項42之聲波濾波器，其中該共同基板係一矽基板。
  44. 如請求項42之聲波濾波器，其中該藍姆波諧振器包含一壓電層，該壓電層包含與該第二聲波諧振器之一壓電層相同之材料。
  45. 如請求項44之聲波濾波器，其中該藍姆波諧振器之該壓電層係氮化鋁層。
  46. 如請求項41之聲波濾波器，其中該第二聲波諧振器係一膜體聲波諧振器。
  47. 如請求項46之聲波濾波器，其中該藍姆波諧振器及該膜體聲波諧振器共用一腔。
  48. 如請求項46之聲波濾波器，其中該藍姆波諧振器及該膜體聲波諧振器包含單獨腔。
  49. 如請求項41之聲波濾波器，其中該第二聲波諧振器係一表面聲波諧振器。
  50. 如請求項41之聲波濾波器，其中該藍姆波諧振器係一串聯諧振器且該第二聲波諧振器係一並聯諧振器。
  51. 如請求項41之聲波濾波器，其中該藍姆波諧振器係一並聯諧振器且該第二聲波諧振器係一串聯諧振器。
  52. 如請求項41之聲波濾波器，其進一步包括複數個額外聲波諧振器，該等額外聲波諧振器係與該第二聲波諧振器相同之類型之聲波諧振器。
  53. 如請求項52之聲波濾波器，其中該聲波濾波器包含第一數目個聲波諧振器，其等係與該第二聲波諧振器相同之類型之聲波諧振器，該第一數目係該聲波濾波器之一或多個藍姆波諧振器之一第二數目之至少兩倍。
  54. 一種無線通信器件，其包括： 一聲波濾波器，其經組態以對一射頻信號濾波，該聲波濾波器包含一藍姆波諧振器及一第二聲波諧振器，該藍姆波諧振器及該第二聲波諧振器經實施於一共同基板上，且該第二聲波諧振器係與該藍姆波諧振器不同類型之一聲波諧振器；及 一天線，其與該聲波濾波器通信。
  55. 如請求項54之無線通信器件，其中該第二聲波諧振器係一膜體聲波諧振器，且該藍姆波諧振器包含一壓電層，該壓電層包含與該膜體聲波諧振器之一壓電層相同之材料。
  56. 一種聲波濾波器總成，其包括： 一第一聲波濾波器，其經組態以對一第一射頻信號濾波，該第一聲波濾波器包含實施於一晶粒之一基板上之一藍姆波諧振器；及 一第二聲波濾波器，其經組態以對一第二射頻信號濾波，該第二聲波濾波器包含實施在與該藍姆波諧振器相同之該晶粒之該基板上之一聲波諧振器，該聲波諧振器係與該藍姆波諧振器不同類型之一聲波諧振器。
  57. 如請求項56之聲波濾波器總成，其中該聲波諧振器係一膜體聲波諧振器。
  58. 如請求項56之聲波濾波器總成，其中該藍姆波諧振器包含一壓電層，該壓電層包含與該聲波諧振器之一壓電層相同之材料。
  59. 如請求項56之聲波濾波器總成，其中該第一聲波濾波器及該第二聲波濾波器在一多工器之一共同節點處耦合在一起。
  60. 如請求項59之聲波濾波器總成，其中該多工器係一雙工器。
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