CN220858075U - 多工器、高频模块以及通信装置 - Google Patents

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Abstract

提供多工器、高频模块以及通信装置。多工器(10)具备与天线连接端子(100)连接的滤波器(11及12)，滤波器(11)具备第一串联臂谐振器和第一并联臂谐振器，第一串联臂谐振器和第一并联臂谐振器分别具有下部电极(111)、上部电极(113)以及压电层(112)，第一串联臂谐振器和第一并联臂谐振器中的至少一个谐振器由串联分割谐振器(41a及41b)构成，滤波器(12)具备第二并联臂谐振器和多个第二串联臂谐振器，第二并联臂谐振器和多个第二串联臂谐振器分别具有下部电极(111)、上部电极(113)以及压电层(112)，多个第二串联臂谐振器中的相邻的两个串联臂谐振器(45及46)各自具有的上部电极(113)彼此或者下部电极(111)彼此由一个电极形成。

Description

多工器、高频模块以及通信装置
技术领域
本实用新型涉及一种多工器、高频模块以及通信装置。
背景技术
对于支持多频段化和多模式化的高频电路，要求以低损耗且高隔离度发送接收多个高频信号。
专利文献1中公开了具有以下结构的接收模块(多工器)：通带不同的多个滤波器经由开关来与天线连接。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利申请公开第2016/0127015号说明书
实用新型内容
实用新型要解决的问题
在3GPP(Third Generation Partnership Project：第三代合作伙伴计划)中，近年来规定了包含5G(5th Generation：第五代)-NR(New Radio：新空口)的频段的高频信号的同时传输。由此，能够设想：同时发送的频段的组合正在多样化，因由所使用的频率产生的信号失真而引起发送信号或接收信号的质量劣化的情况增加。作为使发送信号或接收信号的质量劣化的信号失真的主要的模式，可以列举二阶、三阶以及四阶失真模式。因此，要求抑制多个主要的失真模式(二阶～四阶失真模式)的无用波而不是抑制特定的一个失真模式的无用波，以抑制发送信号或接收信号的质量劣化。
因此，本实用新型的目的在于提供一种能够抑制多个主要的失真模式的无用波的多工器、高频模块以及通信装置。
用于解决问题的方案
本实用新型的一个方式所涉及的多工器具备：第一滤波器，其与公共端子连接，具有包含能够在发送中利用的第一频段的第一通带；以及第二滤波器，其与公共端子连接，具有包含能够在发送中利用的第二频段的第二通带，其中，第一滤波器具备：第一串联臂谐振器，其配置于第一串联臂路径，第一串联臂路径将公共端子与用于接收第一频段的第一发送信号的第一高频输入端子连接；以及第一并联臂谐振器，其配置于第一并联臂路径，第一并联臂路径将第一串联臂路径与地连接，第一串联臂谐振器和第一并联臂谐振器分别具有：第一支承基板；第一下部电极，其配置于第一支承基板的上方；第一上部电极，其配置于第一下部电极的上方；以及第一压电层，其配置于第一下部电极与第一上部电极之间，第一串联臂谐振器和第一并联臂谐振器中的至少一个谐振器由相互串联连接的多个串联分割谐振器构成，第二滤波器具备：多个第二串联臂谐振器，多个第二串联臂谐振器配置于第二串联臂路径，第二串联臂路径将公共端子与用于接收第二频段的第二发送信号的第二高频输入端子连接；以及第二并联臂谐振器，其配置于第二并联臂路径，第二并联臂路径将第二串联臂路径与地连接，多个第二串联臂谐振器和第二并联臂谐振器分别具有：第二支承基板；第二下部电极，其配置于第二支承基板的上方；第二上部电极，其配置于第二下部电极的上方；以及第二压电层，其配置于第二下部电极与第二上部电极之间，在多个第二串联臂谐振器中的相邻的两个第二串联臂谐振器中，各第二串联臂谐振器所具有的第二上部电极彼此或者第二下部电极彼此由一个电极形成。
另外，本实用新型的一个方式所涉及的多工器具备：第一滤波器，其与公共端子连接，具有包含能够在发送中利用的第一频段的第一通带；以及第二滤波器，其与公共端子连接，具有包含能够在发送中利用的第二频段的第二通带，其中，第一滤波器具备：第一串联臂谐振器，其配置于第一串联臂路径，第一串联臂路径将公共端子与用于接收第一频段的第一发送信号的第一高频输入端子连接；以及第一并联臂谐振器，其配置于第一并联臂路径，第一并联臂路径将第一串联臂路径与地连接，第一串联臂谐振器和第一并联臂谐振器分别具有：第一支承基板；第一下部电极，其配置于第一支承基板的上方；第一上部电极，其配置于第一下部电极的上方；以及第一压电层，其配置于第一下部电极与第一上部电极之间，第一串联臂谐振器和第一并联臂谐振器中的至少一个谐振器由相互串联连接的多个串联分割谐振器构成，第二滤波器具备：第二串联臂谐振器，其配置于第二串联臂路径，第二串联臂路径将公共端子与用于接收第二频段的第二发送信号的第二高频输入端子连接；以及多个第二并联臂谐振器，多个第二并联臂谐振器分别配置于将第二串联臂路径与地连接的多个第二并联臂路径，第二串联臂谐振器和多个第二并联臂谐振器分别具有：第二支承基板；第二下部电极，其配置于第二支承基板的上方；第二上部电极，其配置于第二下部电极的上方；以及第二压电层，其配置于第二下部电极与第二上部电极之间，在多个第二并联臂谐振器中的与第二串联臂谐振器的一端直接连接的第二并联臂谐振器以及与第二串联臂谐振器的另一端直接连接的第二并联臂谐振器这两个第二并联臂谐振器中，各第二并联臂谐振器所具有的第二上部电极彼此或者第二下部电极彼此由一个电极形成。
另外，本实用新型的一个方式所涉及的多工器具备：第一滤波器，其与公共端子连接，具有包含能够在发送中利用的第一频段的第一通带；以及第二滤波器，其与公共端子连接，具有包含能够在发送中利用的第二频段的第二通带，其中，第一滤波器具备：第一串联臂谐振器，其配置于第一串联臂路径，第一串联臂路径将公共端子与用于接收第一频段的第一发送信号的第一高频输入端子连接；以及第一并联臂谐振器，其配置于第一并联臂路径，第一并联臂路径将第一串联臂路径与地连接，第一串联臂谐振器和第一并联臂谐振器分别具有：第一支承基板；第一下部电极，其配置于第一支承基板的上方；第一上部电极，其配置于第一下部电极的上方；以及第一压电层，其配置于第一下部电极与第一上部电极之间，第一串联臂谐振器和第一并联臂谐振器中的至少一个谐振器由相互串联连接的多个串联分割谐振器构成，第二滤波器具备：第二串联臂谐振器，其配置于第二串联臂路径，第二串联臂路径将公共端子与用于接收第二频段的第二发送信号的第二高频输入端子连接；以及第二并联臂谐振器，其配置于第二并联臂路径，第二并联臂路径将第二串联臂路径与地连接，第二串联臂谐振器和第二并联臂谐振器中的至少一个谐振器由相互并联连接的多个并联分割谐振器构成，多个并联分割谐振器分别具有：第二支承基板；第二下部电极，其配置于第二支承基板的上方；第二上部电极，其配置于第二下部电极的上方；以及第二压电层，其配置于第二下部电极与第二上部电极之间，多个并联分割谐振器中的一个并联分割谐振器所具有的第二上部电极与其它并联分割谐振器所具有的第二下部电极连接。
优选地，还具备第三滤波器，第三滤波器与公共端子连接，具有包含第三频段的第三通带，在同时发送第一发送信号和第二发送信号的情况下产生的二阶失真模式或四阶失真模式的无用波的频率包含于第一通带、第二通带以及第三通带中的至少任一者，并且，在同时发送第一发送信号和第二发送信号的情况下产生的三阶失真模式的无用波的频率包含于第一通带、第二通带以及第三通带中的至少任一者。
优选地，第一频段是用于5G-NR即5G新空口的n46，第二频段是用于5G-NR的n77或n78，第三频段是用于LTE即长期演进的Band3。
优选地，第一频段是用于5G-NR即5G新空口的n46，第二频段是用于5G-NR的n77，第三频段是用于LTE即长期演进的Band2。
优选地，第一频段是用于5G-NR即5G新空口的n77，第二频段是用于5G-NR的n41，第三频段是用于5G-NR的n46。
优选地，第一频段是用于5G-NR即5G新空口的n41，第二频段是用于5G-NR的n40，第三频段是用于5G-NR的n79。
优选地，第一频段是用于5G-NR即5G新空口的n79，第二频段是用于5G-NR的n77或n78，第三频段是WLAN即无线局域网或者用于5G-NR的n40。
优选地，多个串联分割谐振器在第一串联臂谐振器和第一并联臂谐振器中最靠近公共端子地连接到公共端子。
优选地，两个第二串联臂谐振器在多个第二串联臂谐振器中最靠近公共端子地连接到公共端子。
优选地，两个第二并联臂谐振器在多个第二并联臂谐振器中最靠近公共端子地连接到公共端子。
优选地，多个并联分割谐振器在第二串联臂谐振器和第二并联臂谐振器中最靠近公共端子地连接到公共端子。
优选地，第一压电层的相对介电常数比第二压电层的相对介电常数低。
优选地，第一滤波器和第二滤波器中的一个滤波器所具备的各谐振器是FBAR即薄膜体声波谐振器，第一滤波器和第二滤波器中的另一个滤波器所具备的各谐振器是SMR即固态装配谐振器，一个滤波器的通带位于比另一个滤波器的通带靠低频侧的位置。
优选地，另一个滤波器还具备电容元件，电容元件连接于以下的谐振器与公共端子之间：第一串联臂谐振器和第一并联臂谐振器中的最靠近公共端子地连接到公共端子的谐振器、或者第二串联臂谐振器和第二并联臂谐振器中的最靠近公共端子地连接到公共端子的谐振器。
优选地，第一频段和第二频段中的包含于另一个滤波器的通带的频段是用于5G-NR即5G新空口的n41、n77、n78或n79。
另外，本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备：前述多工器；模块基板，多工器配置于模块基板；第一功率放大器，第一功率放大器的输出端与第一滤波器的输入端连接，第一功率放大器配置于模块基板；以及第二功率放大器，第二功率放大器的输出端与第二滤波器的输入端连接，第二功率放大器配置于模块基板，第一滤波器和第二滤波器中的一个滤波器所具备的各谐振器是FBAR即薄膜体声波谐振器，第一滤波器和第二滤波器中的另一个滤波器所具备的各谐振器是SMR即固态装配谐振器，第一功率放大器及第二功率放大器中的同一个滤波器的输入端相连接的功率放大器与另一个滤波器之间的距离小于第一功率放大器及第二功率放大器中的同一个滤波器的输入端相连接的功率放大器与一个滤波器之间的距离。
另外，本实用新型的一个方式所涉及的通信装置具备：天线；RF信号处理电路即射频信号处理电路，其处理由天线发送接收的高频信号；以及在天线与RF信号处理电路之间传输高频信号的前述多工器、或者前述高频模块。
实用新型的效果
根据本实用新型，能够提供能够抑制多个主要的失真模式的无用波的多工器、高频模块以及通信装置。
附图说明
图1是实施方式所涉及的多工器、高频模块以及通信装置的电路框图。
图2A是示出实施方式1所涉及的滤波器的构造的第一例的概要立体图。
图2B是示出实施方式1所涉及的滤波器的构造的第二例的概要立体图。
图3是示出实施方式1所涉及的第一滤波器的构造的电路结构图。
图4是示出实施方式1所涉及的第二滤波器的电路结构图以及邻接的串联臂谐振器的层叠构造的图。
图5是示出实施方式1的变形例所涉及的第二滤波器的电路结构图和并联分割谐振器的层叠构造的图。
图6是实施方式2所涉及的多工器、高频模块以及通信装置的电路框图。
图7A是示出实施方式2所涉及的高频模块中的发送信号和四阶失真模式无用波的传播状态的图。
图7B是示出实施方式2所涉及的高频模块中的发送信号和三阶失真模式无用波的传播状态的图。
图8是实施方式2的变形例所涉及的多工器的电路结构图。
图9是示出实施方式2所涉及的高频模块中的弹性波滤波器和功率放大器的配置的概要俯视图。
具体实施方式
下面，使用附图来详细说明本实用新型的实施方式。此外，以下所说明的实施方式均表示总括性或具体性的例子。以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置及连接方式等是一例，其主旨并不在于限定本实用新型。
此外，各图是为了示出本实用新型而适当进行了强调、省略或者比率的调整的示意图，未必严格地进行了图示，存在与实际的形状、位置关系以及比率不同的情况。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的附图标记，有时省略重复的说明或者简化重复的说明。
在本公开中，“连接”是指不仅包括通过连接端子和/或布线导体来直接连接的情况，还包括经由其它电路元件来电连接的情况。另外，“连接于A与B之间”是指在将A与B连接的路径上连接于A及B。
(实施方式1)
[1.1多工器10、高频模块1以及通信装置5的电路结构]
图1是实施方式1所涉及的多工器10、高频模块1以及通信装置5的电路框图。如图1所示，通信装置5具备高频模块1、天线2、RF信号处理电路(RFIC)3以及基带信号处理电路(BBIC)4。高频模块1在天线2与RFIC 3之间传输高频信号。高频模块1的详细的电路结构将在后面叙述。
天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，发送从高频模块1输出的高频信号，另外，从外部接收高频信号后将该高频信号向高频模块1输出。
RFIC 3是处理高频信号的信号处理电路的一例。具体地说，RFIC 3将经由高频模块1的接收路径输入的高频接收信号通过下变频等进行信号处理，将进行该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 4。另外，RFIC 3将从BBIC 4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将进行该信号处理后生成的高频发送信号输出到高频模块1的发送路径。另外，RFIC 3具有对高频模块1所具有的开关和放大器等进行控制的控制部。此外，RFIC 3的作为控制部的功能的一部分或全部也可以安装于RFIC 3的外部，例如可以安装于BBIC 4或高频模块1。
BBIC 4是使用频率比高频模块1所传输的高频信号的频率低的中间频带来进行信号处理的基带信号处理电路。作为利用BBIC 4处理的信号，例如使用用于图像显示的图像信号和/或用于经由扬声器进行通话的声音信号。
此外，在本实施方式所涉及的通信装置5中，天线2和BBIC 4并不是必需的构成要素。
接着，说明高频模块1的详细的结构。如图1所示，高频模块1具备多工器10、功率放大器21及22、以及高频输入端子110及120。
高频输入端子110及120是用于从高频模块1的外部接收高频发送信号的端子。
多工器10配置于天线2与RFIC 3之间，对从天线2输入的接收信号进行分波，另外，对从RFIC 3输入的发送信号进行合成。多工器10具备滤波器11及12、开关15以及天线连接端子100。
天线连接端子100是公共端子的一例，与天线2及开关15连接。
滤波器11是第一滤波器的一例，经由开关15来与天线连接端子100连接，具有包含能够在发送中利用的第一频段的第一通带。
滤波器12是第二滤波器的一例，经由开关15来与天线连接端子100连接，具有包含能够在发送中利用的第二频段的第二通带。
此外，第一频段和第二频段是指由标准化组织等(例如3GPP、IEEE(Institute ofElectrical and Electronics Engineers：电气与电子工程师协会)等)为使用无线接入技术(RAT：Radio Access Technology)构建的通信系统预先定义的频段。在本实施方式中，作为通信系统，例如能够使用LTE(Long term Evolution：长期演进)系统、5G-NR系统以及WLAN(Wireless Local Area Network：无线局域网)系统等，但并不限定于这些系统。
开关15具有两个SPST(Single Pole Single Throw：单刀单掷)型的开关元件。端子15a与天线连接端子100连接。端子15b及15c分别与滤波器11及12连接。根据该结构，开关15例如基于来自RFIC 3的控制信号，对天线连接端子100与滤波器11的连接及不连接进行切换，对天线连接端子100与滤波器12的连接及不连接进行切换。此外，开关15所具有的开关元件的数量能够根据多工器10所具有的滤波器的数量来适当设定。
功率放大器21是第一功率放大器的一例，连接于滤波器11与高频输入端子110之间，能够对从高频输入端子110输入的第一频段的发送信号进行放大。
功率放大器22是第二功率放大器的一例，连接于滤波器12与高频输入端子120之间，能够对从高频输入端子120输入的第二频段的发送信号进行放大。
此外，在多工器10中，也可以没有开关15。在该情况下，滤波器11及12也可以与天线连接端子100直接连接。
此外，也可以在滤波器11与功率放大器21之间和/或滤波器12与功率放大器22之间插入阻抗匹配电路。另外，也可以在天线连接端子100与滤波器11之间和/或天线连接端子100与滤波器12之间插入阻抗匹配电路。
[1.2BAW谐振器的构造]
在此，说明构成滤波器11及12的弹性波谐振器的构造。
滤波器11及12是体声波(BAW：Bulk Acoustic Wave)滤波器的一例，是包括一个以上的BAW谐振器的滤波器。
图2A是示出实施方式1所涉及的滤波器11或12的构造的第一例(滤波器13A)的概要立体图。在该图中，示出了构成滤波器13A的一个以上的BAW谐振器之一。构成滤波器13A的一个以上的BAW谐振器分别是SMR(Solidly Mounted Resonator：固态装配谐振器)。如该图所示，构成滤波器13A的SMR型的BAW谐振器例如具备Si基板116、下部电极111、上部电极113、压电层112、低声阻抗膜114以及高声阻抗膜115。Si基板116是支承基板的一例。在Si基板116的上方，配置有具有低声阻抗膜114和高声阻抗膜115交替层叠而成的构造的声多层膜。在声多层膜的上方，配置有下部电极111。在下部电极111的上方，配置有上部电极113。压电层112配置于下部电极111与上部电极113之间。根据该构造，SMR型的BAW谐振器利用配置于Si基板116与下部电极111、上部电极113及压电层112之间的声多层膜的布拉格(Bragg)反射来将体声波限制于声多层膜的上方。
在上述结构中，当在下部电极111与上部电极113之间输入了高频信号时，在两个电极之间产生电位差，由此，压电层112变形，从而产生下部电极111、压电层112以及上部电极113这样的层叠方向的体声波。在此，使压电层112的膜厚与滤波器13A的通带的波长对应，由此只有具有想要通过的频率分量的高频信号通过滤波器13A。
图2B是示出实施方式1所涉及的滤波器11或12的构造的第二例(滤波器13B)的概要立体图。在该图中，示出了构成滤波器13B的一个以上的BAW谐振器之一。构成滤波器13B的一个以上的BAW谐振器分别是FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator：薄膜体声波谐振器)。如该图所示，构成滤波器13B的FBAR型的BAW谐振器例如具备Si基板116、下部电极111、上部电极113以及压电层112。Si基板116是支承基板的一例。在Si基板116的上方，配置有下部电极111。在下部电极111的上方，配置有上部电极113。压电层112配置于下部电极111与上部电极113之间。并且，滤波器13B在Si基板116具有腔体117。根据该构造，产生在下部电极111与上部电极113之间激励的层叠方向的体声波。
在上述结构中，当在下部电极111与上部电极113之间输入了高频信号时，在两个电极之间产生电位差，由此，压电层112变形，从而产生下部电极111、压电层112以及上部电极113这样的层叠方向的体声波。在此，使压电层112的膜厚与滤波器13B的通带的波长对应，由此只有具有想要通过的频率分量的高频信号通过滤波器13B。
[1.3滤波器11及12的构造]
在滤波器11的第一通带位于比滤波器12的第二通带靠低频侧的位置的情况下，优选的是，滤波器11所具有的弹性波谐振器是FBAR，滤波器12所具有的弹性波谐振器是SMR。
与SMR相比，FBAR的高阶模式的无用波水平低。由此，通过用FBAR构成低频侧的滤波器11，能够抑制有可能在高频侧的滤波器12的通带内产生的高阶模式的无用波。另外，滤波器11能够利用腔体117来使压电层112自由振动，因此能够提高谐振Q值且能够减少插入损耗。由此，能够减少滤波器11及12的插入损耗，因此能够实现低损耗的多工器10。
另外，在通信装置5中，有时根据所使用的频段，想通过增加发送功率的高功率模式来提高通信性能。在此，高功率模式是指例如以+23dBm的功率等级3以及成为功率等级3以上的功率的功率等级2进行通信的模式。当在高功率模式下使高频模块1进行动作的情况下，高频模块1的发热量变大，因此搭载于高频模块1的电路部件的散热性重要。
与此相对地，本实施方式所涉及的多工器10由具有散热性比声表面波(SAW：Surface Acoustic Wave)谐振器的散热性高的BAW谐振器的滤波器11及12构成，因此能够提高散热性。
并且，SMR由于声多层膜的存在而确立了经由Si基板116的散热路径，因此与FBAR相比散热性高。
根据该观点，使高功率模式的发送信号通过的滤波器优选由SMR构成。作为使用高功率模式的频段，可以列举用于5G-NR的n41、n77、n78或n79。
此外，滤波器11及12可以由同一芯片形成，或者也可以形成于同一封装。滤波器11及12由同一芯片形成具体是指，滤波器11及12形成于连续的一个Si基板116上、或者使用连续的一个压电层112。
接着，说明滤波器11及12的电路结构。
图3是示出实施方式1所涉及的滤波器11A的构造的电路结构图。滤波器11A是第一滤波器的一例，具备串联分割谐振器41a及41b、串联臂谐振器42及43以及并联臂谐振器51及52。
串联分割谐振器41a及41b以及串联臂谐振器42及43是第一串联臂谐振器的一例，配置于将端子15b与高频输入端子110连接的第一串联臂路径。并联臂谐振器51及52是第一并联臂谐振器的一例，分别配置于将第一串联臂路径与地连接的两个第一并联臂路径。串联分割谐振器41a及41b是将一个串联臂谐振器串联分割所得到的分割谐振器。此外，在串联分割谐振器41a及41b的连接节点没有连接电路元件。
构成滤波器11A的串联分割谐振器41a及41b、串联臂谐振器42及43以及并联臂谐振器51及52均为FBAR、或者均为SMR。也就是说，串联分割谐振器41a及41b、串联臂谐振器42及43以及并联臂谐振器51及52分别具有：Si基板116(第一支承基板)；下部电极111(第一下部电极)，其配置于Si基板116的上方；上部电极113(第一上部电极)，其配置于下部电极111的上方；以及压电层112(第一压电层)，其配置于下部电极111与上部电极113之间。
由BAW谐振器构成的滤波器11A具有抑制三阶的失真模式的无用波的产生这样的特性。在SAW谐振器的梳齿状电极中，功率集中于电极指，与此相对地，在BAW谐振器中，由于功率分散于压电层整体而难以产生非线性失真。因此，在BAW谐振器中，与偶数阶的失真相比抑制奇数阶的失真的能力高。并且，在滤波器11A中，串联臂谐振器之一是由串联分割谐振器41a及41b构成的，因此串联分割谐振器41a及41b各自的电极面积成为没有串联分割的串联臂谐振器的电极面积的4倍。由此，能够减小串联分割谐振器41a及41b的功率密度，因此能够抑制从滤波器11A向端子15b侧输出的高频信号的非线性，因此能够有效地抑制三阶的失真模式的无用波的流出。
此外，也可以是，在滤波器11A中，代替一个串联臂谐振器用串联分割谐振器41a及41b构成，而是一个并联臂谐振器用两个串联分割谐振器构成，。
据此，在滤波器11A中，并联臂谐振器之一由两个串联分割谐振器构成，因此两个串联分割谐振器各自的电极面积成为没有串联分割的并联臂谐振器的电极面积的4倍。由此，能够减小两个串联分割谐振器的功率密度，因此能够抑制从滤波器11A向端子15b侧输出的高频信号的非线性。由此，滤波器11A能够有效地抑制三阶的失真模式的无用波的流出。
另外，串联分割谐振器41a及41b在串联分割谐振器41a及41b、串联臂谐振器42及43以及并联臂谐振器51及52中最靠近端子15b地连接到端子15b。
据此，能够减小最靠近端子15b地连接到端子15b的谐振器的功率密度。因此，能够抑制从滤波器11A向端子15b侧输出的高频信号的非线性，因此能够有效地抑制失真模式的无用波的流出。
图4是示出实施方式1所涉及的滤波器12A的电路结构图以及邻接的串联臂谐振器45及46的层叠构造的图。滤波器12A是第二滤波器的一例，具备串联臂谐振器45、46及47以及并联臂谐振器55及56。
串联臂谐振器45～47是第二串联臂谐振器的一例，配置于将端子15c与高频输入端子120连接的第二串联臂路径。并联臂谐振器55及56是第二并联臂谐振器的一例，分别配置于将第二串联臂路径与地连接的两个第二并联臂路径。
构成滤波器12A的串联臂谐振器45～47以及并联臂谐振器55及56均为FBAR、或者均为SMR。也就是说，串联臂谐振器45～47以及并联臂谐振器55及56分别具有：Si基板116(第二支承基板)；下部电极111(第二下部电极)，其配置于Si基板116的上方；上部电极113(第二上部电极)，其配置于下部电极111的上方；以及压电层112(第二压电层)，其配置于下部电极111与上部电极113之间。
在此，如图4的(b)所示，在第二串联臂路径上直接连接的串联臂谐振器45及46所具有的下部电极111彼此直接连接。换言之，在第二串联臂路径上直接连接的串联臂谐振器45及46所具有的下部电极111彼此由一个电极形成。据此，形成于下部电极111与上部电极113之间的压电层112的晶体在下部电极111上例如进行c轴取向(从下部电极111向上部电极113的方向进行c轴取向)。与此相对地，滤波器12A中的高频电流例如在串联臂谐振器45中沿从上部电极113向下部电极111的朝向流动，在串联臂谐振器46中沿从下部电极111向上部电极113的朝向流动。也就是说，在串联臂谐振器45及46中，极化方向与高频电流的流向成为相反的方向。由此，能够将在串联臂谐振器45与串联臂谐振器46之间产生的偶数阶的失真相互抵消地使弹性波传播。由此，滤波器12A能够有效地抑制二阶和四阶的失真模式的无用波的流出。
此外，具有上述的电极结构的串联臂谐振器45及46在串联臂谐振器45～47中最靠近端子15c地连接到端子15c。
据此，能够有效地抑制最靠近端子15c地连接到端子15c的谐振器的二阶和四阶的失真模式的无用波的流出。
根据本实施方式所涉及的多工器10，滤波器11A能够有效地抑制三阶的失真模式的无用波的流出，滤波器12A能够有效地抑制二阶和四阶的失真模式的无用波的流出。由此，多工器10能够抑制多个主要的失真模式的无用波。
此外，在滤波器12A的上述结构中，也可以代替构成为在第二串联臂路径上直接连接的串联臂谐振器45及46所具有的下部电极111彼此由一个电极形成，而是构成为在第二串联臂路径上直接连接的串联臂谐振器45及46所具有的上部电极113彼此由一个电极形成。
另外，也可以是，在滤波器12A中，在第二串联臂路径上直接连接的串联臂谐振器46及47所具有的下部电极111彼此或者上部电极113彼此由一个电极形成。
另外，也可以是，在滤波器12A中，与串联臂谐振器46的一端直接连接的并联臂谐振器55以及与串联臂谐振器46的另一端直接连接的并联臂谐振器56这两个并联臂谐振器各自所具有的上部电极113彼此或者下部电极111彼此由一个电极形成。其中，直接连接的上部电极113彼此或者下部电极111彼此与地连接。
据此，滤波器12A中的高频电流例如在并联臂谐振器55中沿从上部电极113向下部电极111的朝向流动，在并联臂谐振器56中沿从下部电极111向上部电极113的朝向流动。也就是说，在并联臂谐振器55及56中，极化方向与高频电流的流向成为相反的方向。由此，能够将在并联臂谐振器55与并联臂谐振器56之间产生的偶数阶的失真相互抵消地使弹性波传播。由此，滤波器12A能够有效地抑制二阶和四阶的失真模式的无用波的流出。
此外，也可以是，具有上述的电极结构的并联臂谐振器55及56在多个并联臂谐振器中最靠近端子15c地连接到端子15c。
据此，能够有效地抑制最靠近端子15c地连接到端子15c的谐振器的二阶和四阶的失真模式的无用波的流出。
图5是示出实施方式1的变形例所涉及的滤波器12B的电路结构图和并联分割谐振器45a及45b的层叠构造的图。滤波器12B是第二滤波器的一例，具备并联分割谐振器45a及45b、串联臂谐振器46及47以及并联臂谐振器55及56。
并联分割谐振器45a及45b以及串联臂谐振器46及47是第二串联臂谐振器的一例，配置于将端子15c与高频输入端子120连接的第二串联臂路径。并联臂谐振器55及56是第二并联臂谐振器的一例，分别配置于将第二串联臂路径与地连接的两个第二并联臂路径。并联分割谐振器45a及45b是将一个串联臂谐振器并联分割所得到的分割谐振器。
构成滤波器12B的并联分割谐振器45a及45b、串联臂谐振器46及47以及并联臂谐振器55及56均为FBAR、或者均为SMR。也就是说，并联分割谐振器45a及45b、串联臂谐振器46及47以及并联臂谐振器55及56分别具有：Si基板116(第二支承基板)；下部电极111(第二下部电极)，其配置于Si基板116的上方；上部电极113(第二上部电极)，其配置于下部电极111的上方；以及压电层112(第二压电层)，其配置于下部电极111与上部电极113之间。
在此，如图5的(b)所示，并联分割谐振器45a所具有的上部电极113与并联分割谐振器45b所具有的下部电极111连接。另外，并联分割谐振器45a所具有的下部电极111与并联分割谐振器45b所具有的上部电极113连接。据此，形成于下部电极111与上部电极113之间的压电层112的晶体在下部电极111上例如进行c轴取向(从下部电极111向上部电极113的方向进行c轴取向)。与此相对地，滤波器12B中的高频电流例如在并联分割谐振器45a中沿从下部电极111向上部电极113的朝向流动，在并联分割谐振器45b中沿从上部电极113向下部电极111的朝向流动。也就是说，在并联分割谐振器45a及45b中，极化方向与高频电流的流向成为相反的方向。由此，能够将在并联分割谐振器45a与并联分割谐振器45b之间产生的偶数阶的失真来相互抵消地使弹性波传播。由此，滤波器12B能够有效地抑制二阶和四阶的失真模式的无用波的流出。
根据本实施方式的变形例所涉及的多工器10，滤波器11A能够有效地抑制三阶的失真模式的无用波的流出，滤波器12B能够有效地抑制二阶和四阶的失真模式的无用波的流出。由此，变形例所涉及的多工器10能够抑制多个主要的失真模式的无用波。
此外，并联分割谐振器45a及45b在并联分割谐振器45a及45b、串联臂谐振器46及47以及并联臂谐振器55及56中最靠近端子15c地连接到端子15c。
据此，能够有效地抑制最靠近端子15c地连接到端子15c的谐振器的二阶和四阶的失真模式的无用波的流出。
另外，在滤波器12B的上述结构中，也可以是，串联臂谐振器46及47以及并联臂谐振器55及56中的至少一者由两个并联分割谐振器构成，该两个并联分割谐振器中的一个并联分割谐振器所具有的上部电极113与另一个并联分割谐振器所具有的下部电极111连接。
据此，滤波器12B能够有效地抑制二阶和四阶的失真模式的无用波的流出。
另外，在本实施方式所涉及的多工器10中，构成滤波器11A的BAW谐振器的压电层112(第一压电层)的相对介电常数也可以比构成滤波器12A的BAW谐振器的压电层112(第二压电层)的相对介电常数低。作为相对介电常数比第二压电层的相对介电常数低的第一压电层，例如，可以列举含有氮化铝的压电层。另外，作为相对介电常数比第一压电层的相对介电常数高的第二压电层，例如可以列举含有铌酸锂或钽酸锂的压电层。
据此，通过将滤波器11A的BAW谐振器串联分割来使面积大从而提高耐电性，另一方面，能够通过使滤波器12A的压电层112的相对介电常数相对地高来使滤波器12A的BAW谐振器的面积小。这样，多工器10能够不使滤波器11A与滤波器12A加在一起的面积大型化地抑制多个主要的失真模式的无用波。
(实施方式2)
本实施方式所涉及的多工器相对于实施方式1所涉及的多工器10具有被公共连接的滤波器的数量增加的结构。
[2.1多工器10A、高频模块1A以及通信装置5A的电路结构]
图6是实施方式2所涉及的多工器10A、高频模块1A以及通信装置5A的电路框图。如图6所示，通信装置5A具备高频模块1A、天线2、RFIC 3以及BBIC4。本实施方式所涉及的通信装置5A与实施方式1所涉及的通信装置5相比，只有高频模块1A的结构不同。下面，说明高频模块1A的结构。
如图6所示，高频模块1A具备多工器10A、功率放大器21及22、低噪声放大器31、高频输入端子110及120以及高频输出端子130。本实施方式所涉及的高频模块1A与实施方式1所涉及的高频模块1相比，不同之处在于多工器10A的结构以及附加了高频输出端子130和低噪声放大器31。下面，对于本实施方式所涉及的高频模块1A，省略对与实施方式1所涉及的高频模块1相同的结构的说明，以不同的结构为中心进行说明。
高频输出端子130是用于向高频模块1A的外部提供高频接收信号的端子。
多工器10A具备滤波器11、12及13、开关16以及天线连接端子100。
滤波器13是第三滤波器的一例，经由开关16来与天线连接端子100连接，具有包含第三频段的第三通带。
此外，第三频段是指由标准化组织等(例如3GPP、IEEE等)为使用RAT构建的通信系统预先定义的频段。在本实施方式中，作为通信系统，例如能够使用LTE系统、5G-NR系统以及WLAN系统等，但并不限定于这些系统。
开关16具有3个SPST型的开关元件。各开关元件的一个端子与天线连接端子100连接。各开关元件的另一个端子分别与滤波器11、12或13连接。根据该结构，开关16例如基于来自RFIC 3的控制信号，对天线连接端子100与滤波器11的连接及不连接进行切换，对天线连接端子100与滤波器12的连接及不连接进行切换，对天线连接端子100与滤波器13的连接及不连接进行切换。此外，开关16所具有的开关元件的数量能够根据多工器10A所具有的滤波器的数量来适当设定。
低噪声放大器31连接于滤波器13与高频输出端子130之间，能够对从天线连接端子100输入的、通过了滤波器13的接收信号进行放大。
此外，在多工器10A中，也可以没有开关16。在该情况下，滤波器11、12及13也可以与天线连接端子100直接连接。
此外，也可以在滤波器13与低噪声放大器31之间插入阻抗匹配电路。另外，也可以在天线连接端子100与滤波器13之间插入阻抗匹配电路。
滤波器13也可以是SAW滤波器、BAW滤波器、使用了电感器及电容器的LC谐振滤波器、使用了弹性波谐振器、电感器及电容器的混合滤波器以及电介质滤波器中的任一者，并且不限定于这些滤波器。
[2.2多工器10A的耐信号失真性]
在高频模块1A中，在同时发送从功率放大器21输出的第一频段的第一发送信号(频率f1)以及从功率放大器21输出的第二频段的第二发送信号(频率f2)的情况下，一个功率放大器的发送信号绕入到另一个功率放大器(或滤波器)，该绕入的一个功率放大器的发送信号和另一个功率放大器的发送信号在滤波器11或12以及功率放大器21或22中混合从而发生互调失真(InterModulation Distortion，以下有时记为IMD)。另外，从功率放大器21输出的第一发送信号由于功率放大器21和滤波器11中的非线性动作而产生谐波(Harmonic Distortion：谐波失真，以下有时记为HD)。另外，从功率放大器22输出的第二发送信号由于功率放大器22和滤波器12中的非线性动作而产生谐波(HD)。在此，将互调失真IMD和谐波HD统称为失真模式的无用波。上述失真模式的无用波中的二阶、三阶以及四阶的失真模式的无用波与其它阶数的失真模式的无用波相比功率水平高。
因此，当二阶、三阶以及四阶的主要的失真模式的无用波的频率流入高频模块1A的信号路径时，会产生如下问题：无法满足高频模块1A中的规定的信号质量水平、或者接收灵敏度下降。
对于上述的主要的失真模式的无用波，多工器10A具有以下那样的特性。
滤波器11具有抑制三阶的失真模式的无用波的产生这样的特性。另一方面，滤波器12具有抑制二阶和四阶的失真模式的无用波的产生这样的特性。
[2.3高频模块1A的信号传播状态]
图7A是示出实施方式2所涉及的高频模块1A中的发送信号和四阶失真模式无用波的传播状态的图。在该图中，示出了如下状态：从功率放大器21输出的第一发送信号(频率f1)经由开关16向滤波器12或功率放大器22流入后，该第一发送信号(频率f1)和从功率放大器22输出的第二发送信号(频率f2)产生了IMD4(2×f1-2×f2)。该IMD4的频率包含于滤波器12的第二通带。因此，IMD4的无用波与第二发送信号一起从天线连接端子100输出。然而，如上所述，由BAW谐振器构成的滤波器12具有抑制二阶和四阶的失真模式的无用波的产生这样的特性，因此能够抑制上述IMD4的无用波从滤波器12输出。
图7B是示出实施方式2所涉及的高频模块1A中的发送信号和三阶失真模式无用波的传播状态的图。在该图中，示出了如下状态：从功率放大器22输出的第二发送信号(频率f2)经由开关16向滤波器11或功率放大器21流入后，该第二发送信号(频率f2)和从功率放大器21输出的第一发送信号(频率f1)产生了IMD3(2×f2-f1)。该IMD3的频率包含于滤波器13的第三通带。因此，IMD3的无用波经由开关16及滤波器13向低噪声放大器31流入。然而，如上所述，由BAW谐振器构成的滤波器11具有抑制三阶的失真模式的无用波的产生这样的特性，因此能够抑制上述IMD3的无用波从滤波器11输出。
也就是说，在本实施方式所涉及的多工器10A中，在同时发送第一频段的第一发送信号和第二频段的第二发送信号的情况下产生的二阶失真模式或四阶失真模式的无用波的频率包含于第一通带、第二通带以及第三通带中的至少任一者，并且，在同时发送第一发送信号和第二发送信号的情况下产生的三阶失真模式的无用波的频率包含于第一通带、第二通带以及第三通带中的至少任一者。
即使在该情况下，多工器10A具备与滤波器11相比抑制二阶失真模式及四阶失真模式的无用波的能力高的滤波器12、以及与滤波器12相比抑制三阶失真模式的无用波的能力高的滤波器11，因此能够使多个主要的(二阶、三阶、四阶)失真模式的无用波平滑化并抑制该无用波。
在表1中例示了第一频段、第二频段以及第三频段(或第四频段)的组合、以及由于该组合而产生的IMD2、IMD3及IMD4。
[表1]
在表1所示的例1中，第一频段是用于5G-NR的n46(5.150GHz-5.925GHz)，第二频段是用于5G-NR的n77(3.3GHz-4.2GHz)或n78(3.3GHz-3.8GHz)，第三频段是用于LTE的Band3。此时，在同时发送第一发送信号和第二发送信号的情况下，IMD2的频率包含于第三频段，IMD3的频率包含于第三频段，IMD4的频率包含于第一频段和第二频段。
另外，在表1所示的例2中，第一频段是用于5G-NR的n46，第二频段是用于5G-NR的n77，第三频段是用于LTE的Band2。此时，在同时发送第一发送信号和第二发送信号的情况下，IMD2的频率包含于第三频段，IMD3的频率包含于第三频段，IMD4的频率包含于第一频段和第二频段。
另外，在表1所示的例3中，第一频段是用于5G-NR的n77，第二频段是用于5G-NR的n41(2.496GHz-2.690GHz)，第三频段是用于5G-NR的n46。此时，在同时发送第一发送信号和第二发送信号的情况下，IMD3的频率包含于第三频段，IMD4的频率包含于第一频段和第二频段。
另外，在表1所示的例4中，第一频段是用于5G-NR的n41，第二频段是用于5G-NR的n40(2.3GHz-2.4GHz)，第三频段是用于5G-NR的n79(4.4GHz-5.0GHz)。此时，在同时发送第一发送信号和第二发送信号的情况下，IMD3的频率包含于第一频段和第二频段，IMD4的频率包含于第三频段。
另外，在表1所示的例5中，第一频段是用于5G-NR的n79，第二频段是用于5G-NR的n77或n78，第三频段是用于5G-NR的n40或WLAN。此时，在同时发送第一发送信号和第二发送信号的情况下，IMD3的频率包含于第三频段，IMD4的频率包含于第三频段。
此外，也可以是，本实施方式所涉及的多工器10A除了具备滤波器11、滤波器12以及滤波器13以外，还具备与天线连接端子100连接的、具有包含第四频段的第四通带的第四滤波器，在同时发送第一频段的第一发送信号和第二频段的第二发送信号的情况下产生的二阶失真模式或四阶失真模式的无用波的频率包含于第一通带、第二通带、第三通带以及第四通带中的至少任一者，并且，在同时发送第一发送信号和第二发送信号的情况下产生的三阶失真模式的无用波的频率包含于第一通带、第二通带、第三通带以及第四通带中的至少任一者。
即使在上述结构中，多工器10A也能够抑制多个主要的(二阶、三阶、四阶)失真模式的无用波。
在该情况下，在表1所示的例6中，第一频段是用于5G-NR的n46，第二频段是用于5G-NR的n77或n78，第三频段是WLAN，第四频段是用于LTE的Band1。此时，在同时发送第一发送信号和第二发送信号的情况下，IMD3的频率包含于第三频段，IMD4的频率包含于第四频段。
另外，在表1所示的例7中，第一频段是用于5G-NR的n46，第二频段是用于5G-NR的n79，第三频段是WLAN或用于5G-NR的n77，第四频段是用于LTE的Band1。此时，在同时发送第一发送信号和第二发送信号的情况下，IMD3的频率包含于第三频段，IMD4的频率包含于第四频段。
另外，在表1所示的例8中，第一频段是用于5G-NR的n96(5.925GHz-6.425GHz)，第二频段是用于5G-NR的n46，第三频段是用于5G-NR的n77，第四频段是用于LTE的Band1。此时，在同时发送第一发送信号和第二发送信号的情况下，IMD3的频率包含于第三频段，IMD4的频率包含于第四频段。
[2.4SMR型的BAW滤波器]
接着，说明在实施方式2的变形例所涉及的多工器10B中第一滤波器(滤波器13A)的BAW谐振器是SMR的情况下的构造。
图8是实施方式2的变形例所涉及的多工器10B的电路结构图。如该图所示，多工器10B具备滤波器13A、12及13、开关16以及天线连接端子100。本变形例所涉及的多工器10B与实施方式2所涉及的多工器10A相比，只有是BAW滤波器的第一滤波器的结构不同。下面，对于本变形例所涉及的多工器10B，省略对与实施方式2所涉及的多工器10A相同的结构的说明，以不同的结构为中心进行说明。
滤波器13A是第一滤波器的一例，具备电容元件40、串联臂谐振器42及43、串联分割谐振器51a及51b以及并联臂谐振器52。
串联臂谐振器42及43是第一串联臂谐振器的一例，配置于将开关16的第一选择端子与高频输入端子110连接的第一串联臂路径。串联分割谐振器51a及51b是第一并联臂谐振器的一例，是将一个并联臂谐振器串联分割所得到的分割谐振器，串联分割谐振器51a及51b配置于将第一串联臂路径与地连接的第一并联臂路径。并联臂谐振器52是第一并联臂谐振器的一例，配置于将第一串联臂路径与地连接的第一并联臂路径。串联臂谐振器42及43、串联分割谐振器51a及51b以及并联臂谐振器52分别是SMR。
电容元件40连接于串联臂谐振器42及43、串联分割谐振器51a及51b以及并联臂谐振器52中的最靠近开关16的第一选择端子地连接到该第一选择端子的谐振器(串联臂谐振器42和串联分割谐振器51a)与第一选择端子之间。
根据电容元件40的配置，与弹性波谐振器相比非线性低的电容元件40配置于最靠天线连接端子100侧的位置，由此能够有效地抑制失真模式的无用波从滤波器13A向天线连接端子100侧的流出。
此外，也可以是，在滤波器12是SMR的情况下，在构成滤波器12的第二串联臂谐振器及第二并联臂谐振器中的最靠近开关16的第二选择端子地连接到该第二选择端子的谐振器与第二选择端子之间连接有电容元件。
据此，能够有效地抑制失真模式的无用波从滤波器12向天线连接端子100侧的流出。
[2.5高频模块1A的配置结构]
接着，说明构成高频模块1A的电路部件的配置结构。
图9是示出实施方式2所涉及的高频模块1A中的滤波器13A(第一滤波器)及滤波器13B(第二滤波器)以及功率放大器21及22的配置的概要俯视图。
如图9所示，高频模块1A除了具备图6所示的高频模块1A以外，还具备模块基板60。
模块基板60是在主面上安装滤波器13A及13B以及功率放大器21及22的基板。作为模块基板60，例如使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(Low TemperatureCo-fired Ceramics：LTCC)基板、高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics：HTCC)基板、部件内置基板、具有重新布线层(Redistribution Layer：RDL)的基板、或者印刷电路板等。
在此，滤波器13A是第一滤波器的一例，滤波器13A所具备的BAW谐振器是SMR。另外，滤波器13B是第二滤波器的一例，滤波器13B所具备的BAW谐振器是FBAR。
如图9所示，在俯视模块基板60的主面的情况下，滤波器13A与功率放大器22之间的距离Db小于滤波器13B与功率放大器22之间的距离Ds。
由FBAR构成的滤波器13B的散热性比由SMR构成的滤波器13A的散热性低。也就是说，相比于滤波器13A，滤波器13B更容易在传输发送信号时发生温度上升的情况。与此相对地，根据高频模块1A的上述配置结构，滤波器13B与功率放大器22之间的距离相对地大，因此对于因来自功率放大器22的发热引起的高频模块1A的温度上升，能够将滤波器13B的温度上升抑制得小。由此，能够提供抑制了因温度上升引起的特性劣化且能够进行更低损耗的信号传输的高频模块1A。
此外，滤波器13A和滤波器13B也可以在同一封装内进行层叠。由此，能够使高频模块1A小型化。在该情况下，在对封装内进行截面观察时，相比于滤波器13A而言，滤波器13B与功率放大器22之间的距离相对地大，由此能够使滤波器13B的温度上升小。或者，通过将滤波器13A层叠在比滤波器13B更靠近模块基板60的安装面侧的位置，来使滤波器13B与功率放大器22之间的距离相对地大，从而能够使滤波器13B的温度上升小。
此外，在本变形例中，第一滤波器由SMR构成，第二滤波器由FBAR构成，但也可以是，第一滤波器由FBAR构成，第二滤波器由SMR构成。在该情况下，在俯视模块基板60的主面的情况下，第二滤波器与功率放大器22之间的距离Db小于第一滤波器与功率放大器22之间的距离Ds。
据此，对于因来自功率放大器22的发热引起的高频模块1A的温度上升，能够将第一滤波器的温度上升抑制得小。由此，能够提供能够进行更低损耗的信号传输的高频模块1A。
(效果等)
以上，实施方式所涉及的多工器10具备：滤波器11，其与天线连接端子100连接，具有包含能够在发送中利用的第一频段的第一通带；以及滤波器12，其与天线连接端子100连接，具有包含能够在发送中利用的第二频段的第二通带。滤波器11具备：第一串联臂谐振器，其配置于第一串联臂路径，该第一串联臂路径将天线连接端子100与高频输入端子110连接；以及第一并联臂谐振器，第一并联臂谐振器分别配置于将第一串联臂路径与地连接的第一并联臂路径。第一串联臂谐振器和第一并联臂谐振器分别具有：Si基板116；下部电极111，其配置于Si基板116的上方；上部电极113，其配置于下部电极111的上方；以及压电层112，其配置于下部电极111与上部电极113之间。第一串联臂谐振器和第一并联臂谐振器中的至少一个谐振器由相互串联连接的多个串联分割谐振器41a及41b构成。滤波器12具备：多个第二串联臂谐振器，多个第二串联臂谐振器配置于第二串联臂路径，该第二串联臂路径将天线连接端子100与高频输入端子120连接；以及第二并联臂谐振器，其配置于第二并联臂路径，该第二并联臂路径将第二串联臂路径与地连接。第二并联臂谐振器和多个第二串联臂谐振器分别具有：Si基板116；下部电极111，其配置于Si基板116的上方；上部电极113，其配置于下部电极111的上方；以及压电层112，其配置于下部电极111与上部电极113之间。在多个第二串联臂谐振器中的相邻的两个串联臂谐振器45及46中，各串联臂谐振器所具有的上部电极113彼此或者下部电极111彼此由一个电极形成。
据此，滤波器11能够有效地抑制三阶的失真模式的无用波的流出，滤波器12能够有效地抑制二阶和四阶的失真模式的无用波的流出。由此，多工器10能够抑制多个主要的失真模式的无用波。
另外，实施方式所涉及的多工器具备：滤波器11，其与天线连接端子100连接，具有包含能够在发送中利用的第一频段的第一通带；以及滤波器12，其与天线连接端子100连接，具有包含能够在发送中利用的第二频段的第二通带。滤波器11具备：第一串联臂谐振器，其配置于第一串联臂路径；以及第一并联臂谐振器，第一并联臂谐振器分别配置于第一并联臂路径。滤波器12具备：第二串联臂谐振器，其配置于第二串联臂路径；以及多个第二并联臂谐振器，多个第二并联臂谐振器分别配置于第二并联臂路径。第二串联臂谐振器和多个第二并联臂谐振器分别具有：Si基板116；下部电极111，其配置于Si基板116的上方；上部电极113，其配置于下部电极111的上方；以及压电层112，其配置于下部电极111与上部电极113之间。在多个第二并联臂谐振器中的与串联臂谐振器46的一端直接连接的并联臂谐振器55以及与串联臂谐振器46的另一端直接连接的并联臂谐振器56这两个并联臂谐振器中，各并联臂谐振器所具有的上部电极113彼此或者下部电极111彼此由一个电极形成。
据此，滤波器11能够有效地抑制三阶的失真模式的无用波的流出，滤波器12能够有效地抑制二阶和四阶的失真模式的无用波的流出。由此，多工器10能够抑制多个主要的失真模式的无用波。
另外，实施方式所涉及的多工器具备：滤波器11，其与天线连接端子100连接，具有包含能够在发送中利用的第一频段的第一通带；以及滤波器12，其与天线连接端子100连接，具有包含能够在发送中利用的第二频段的第二通带。滤波器11具备：第一串联臂谐振器，其配置于第一串联臂路径；以及第一并联臂谐振器，第一并联臂谐振器分别配置于第一并联臂路径。滤波器12具备：第二串联臂谐振器，其配置于第二串联臂路径；以及第二并联臂谐振器，其配置于第二并联臂路径。第二串联臂谐振器和第二并联臂谐振器中的至少一个谐振器由相互并联连接的并联分割谐振器45a及45b构成，第二串联臂谐振器和第二并联臂谐振器分别具有：Si基板116；下部电极111，其配置于Si基板116的上方；上部电极113，其配置于下部电极111的上方；以及压电层112，其配置于下部电极111与上部电极113之间。并联分割谐振器45a所具有的上部电极113与并联分割谐振器45b所具有的下部电极111连接。
据此，滤波器11能够有效地抑制三阶的失真模式的无用波的流出，滤波器12能够有效地抑制二阶和四阶的失真模式的无用波的流出。由此，多工器10能够抑制多个主要的失真模式的无用波。
另外，也可以是，多工器10A还具备滤波器13，该滤波器13与天线连接端子100连接，具有包含第三频段的第三通带，在同时发送第一频段的第一发送信号和第二频段的第二发送信号的情况下产生的二阶失真模式或四阶失真模式的无用波的频率包含于第一通带、第二通带以及第三通带中的至少任一者，并且，在同时发送第一发送信号和第二发送信号的情况下产生的三阶失真模式的无用波的频率包含于第一通带、第二通带以及第三通带中的至少任一者。
据此，多工器10A具备与滤波器11相比抑制二阶失真模式和四阶失真模式的无用波的能力高的滤波器12、以及与滤波器12相比抑制三阶失真模式的无用波的能力高的滤波器11，因此能够使多个主要的(二阶、三阶、四阶)失真模式的无用波平滑化并抑制该无用波。
另外，也可以是，在多工器10A中，第一频段是用于5G-NR的n46，第二频段是用于5G-NR的n77或n78，第三频段是用于LTE的Band3。
另外，也可以是，在多工器10A中，第一频段是用于5G-NR的n46，第二频段是用于5G-NR的n77，第三频段是用于LTE的Band2。
另外，也可以是，在多工器10A中，第一频段是用于5G-NR的n77，第二频段是用于5G-NR的n41，第三频段是用于5G-NR的n46。
另外，也可以是，在多工器10A中，第一频段是用于5G-NR的n41，第二频段是用于5G-NR的n40，第三频段是用于5G-NR的n79。
另外，也可以是，在多工器10A中，第一频段是用于5G-NR的n79，第二频段是用于5G-NR的n77或n78，第三频段是用于5G-NR的n40或WLAN。
另外，也可以是，在多工器10中，串联分割谐振器41a及41b在第一串联臂谐振器和第一并联臂谐振器中最靠近天线连接端子100地连接到天线连接端子100。
据此，能够减小最靠近天线连接端子100地连接到天线连接端子100的谐振器的功率密度。因此，能够抑制从滤波器11A向端子15b侧输出的高频信号的非线性，因此能够有效地抑制失真模式的无用波的流出。
另外，也可以是，在多工器10中，串联臂谐振器45及46在多个第二串联臂谐振器中最靠近天线连接端子100地连接到天线连接端子100。
据此，能够有效地抑制最靠近天线连接端子100地连接到天线连接端子100的谐振器的二阶和四阶的失真模式的无用波的流出。
另外，也可以是，在多工器10中，并联臂谐振器55及56在多个第二并联臂谐振器中最靠近天线连接端子100地连接到天线连接端子100。
据此，能够有效地抑制最靠近天线连接端子100地连接到天线连接端子100的谐振器的二阶和四阶的失真模式的无用波的流出。
另外，也可以是，在多工器10中，多个并联分割谐振器45a及45b在第二串联臂谐振器和第二并联臂谐振器中最靠近天线连接端子100地连接到天线连接端子100。
据此，能够有效地抑制最靠近天线连接端子100地连接到天线连接端子100的谐振器的二阶和四阶的失真模式的无用波的流出。
另外，也可以是，在多工器10中，滤波器11A的压电层112的相对介电常数比滤波器12A的压电层112的相对介电常数低。
据此，通过将滤波器11A的BAW谐振器串联分割来使面积大从而提高耐电性，另一方面，能够通过使滤波器12A的压电层112的相对介电常数相对地高来使滤波器12A的BAW谐振器的面积小。这样，多工器10能够不使滤波器11A与滤波器12A加在一起的面积大型化地抑制多个主要的失真模式的无用波。
另外，也可以是，在多工器10中，滤波器11及12中的一个滤波器所具备的各谐振器是FBAR，滤波器11及12中的另一个滤波器所具备的各谐振器是SMR，滤波器11及12中的一个滤波器的通带位于比滤波器11及12中的另一个滤波器的通带靠低频侧的位置。
据此，通过用FBAR构成低频侧的滤波器，能够抑制有可能在高频侧的滤波器的通带内产生的高阶模式的无用波。另外，FBAR型的滤波器能够利用腔体117来使压电层112自由振动，因此能够提高谐振Q值且能够减少插入损耗。由此，能够减少滤波器11及12的插入损耗，因此能够实现低损耗的多工器10。
另外，也可以是，在多工器10中，滤波器11及12中的SMR型的滤波器还具备电容元件40，该电容元件40连接于串联臂谐振器和并联臂谐振器中的最靠近天线连接端子100地连接到天线连接端子100的谐振器与天线连接端子100之间。
据此，与弹性波谐振器相比非线性低的电容元件40配置于最靠天线连接端子100侧的位置，由此能够有效地抑制失真模式的无用波从SMR型的滤波器向天线连接端子100侧的流出。
另外，也可以是，在多工器10中，滤波器11及12中的SMR型的滤波器的通带所包含的频段是用于5G-NR的n41、n77、n78或n79。
据此，SMR由于声多层膜的存在而确立了经由Si基板116的散热路径，从而与FBAR相比散热性高，因此能够提供散热性提高了的支持高功率的多工器10。
另外，也可以是，实施方式所涉及的高频模块1A具备：多工器10A；模块基板60，多工器10A于配置模块基板60；功率放大器21，功率放大器21的输出端与滤波器13A的输入端连接，功率放大器21配置于模块基板60；以及功率放大器22，功率放大器22的输出端与滤波器13B的输入端连接，功率放大器22配置于模块基板60，其中，滤波器13A及13B中的一个滤波器所具备的各谐振器是FBAR，滤波器13A及13B中的另一个滤波器所具备的各谐振器是SMR，同滤波器13A及13B中的一个滤波器的输入端相连接的功率放大器与滤波器13A及13B中的另一个滤波器之间的距离小于同滤波器13A及13B中的一个滤波器的输入端相连接的功率放大器与滤波器13A及13B中的一个滤波器之间的距离。
据此，对于因来自的功率放大器的发热引起的高频模块1A的温度上升，能够将FBAR型的滤波器的温度上升抑制得小。由此，能够提供能够进行更低损耗的信号传输的高频模块1A。
另外，通信装置5具备：天线2；RFIC 3，其处理由天线2发送接收的高频信号；以及在天线2与RFIC 3之间传输高频信号的多工器10或高频模块1。
由此，能够提供能够抑制多个主要的失真模式的无用波的通信装置5。
(其它实施方式)
以上，关于本实用新型所涉及的多工器、高频模块以及通信装置，列举了实施方式和变形例并进行了说明，但本实用新型并不限定于上述实施方式和变形例。将上述实施方式和变形例中的任意的构成要素进行组合而实现的其它实施方式、在不脱离本实用新型的主旨的范围内对上述实施方式实施本领域技术人员所想到的各种变形而得到的变形例、内置有本实用新型所涉及的多工器、高频模块以及通信装置的各种设备也包含于本实用新型。
例如，也可以是，在上述实施方式和变形例所涉及的多工器、高频模块以及通信装置中，在电路元件之间连接有电感器和电容器等匹配元件以及开关电路。此外，电感器中也可以包括将电路元件之间连接的布线所引起的布线电感器。
产业上的可利用性
本实用新型作为能够应用于包含用于LTE、5G-NR以及WLAN的频段的多频段系统的多工器、高频模块以及通信装置，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。
附图标记说明
1、1A：高频模块；2：天线；3：RF信号处理电路(RFIC)；4：基带信号处理电路(BBIC)；5、5A：通信装置；10、10A、10B：多工器；11、11A、12、12A、12B、13、13A、13B：滤波器；15、16：开关；15a、15b、15c：端子；21、22：功率放大器；31：低噪声放大器；40：电容元件；41a、41b、51a、51b：串联分割谐振器；42、43、45、46、47：串联臂谐振器；45a、45b：并联分割谐振器；51、52、55、56：并联臂谐振器；60：模块基板；100：天线连接端子；110、120：高频输入端子；111：下部电极；112：压电层；113：上部电极；114：低声阻抗膜；115：高声阻抗膜；116：Si基板；117：腔体；130：高频输出端子。

Claims (41)

1.一种多工器，其特征在于，具备：
第一滤波器，其与公共端子连接，具有包含能够在发送中利用的第一频段的第一通带；以及
第二滤波器，其与所述公共端子连接，具有包含能够在发送中利用的第二频段的第二通带，
其中，所述第一滤波器具备：
第一串联臂谐振器，其配置于第一串联臂路径，所述第一串联臂路径将所述公共端子与用于接收所述第一频段的第一发送信号的第一高频输入端子连接；以及
第一并联臂谐振器，其配置于第一并联臂路径，所述第一并联臂路径将所述第一串联臂路径与地连接，
所述第一串联臂谐振器和所述第一并联臂谐振器分别具有：
第一支承基板；
第一下部电极，其配置于所述第一支承基板的上方；
第一上部电极，其配置于所述第一下部电极的上方；以及
第一压电层，其配置于所述第一下部电极与所述第一上部电极之间，
所述第一串联臂谐振器和所述第一并联臂谐振器中的至少一个谐振器由相互串联连接的多个串联分割谐振器构成，
所述第二滤波器具备：
多个第二串联臂谐振器，所述多个第二串联臂谐振器配置于第二串联臂路径，所述第二串联臂路径将所述公共端子与用于接收所述第二频段的第二发送信号的第二高频输入端子连接；以及
第二并联臂谐振器，其配置于第二并联臂路径，所述第二并联臂路径将所述第二串联臂路径与地连接，
所述多个第二串联臂谐振器和所述第二并联臂谐振器分别具有：
第二支承基板；
第二下部电极，其配置于所述第二支承基板的上方；
第二上部电极，其配置于所述第二下部电极的上方；以及
第二压电层，其配置于所述第二下部电极与所述第二上部电极之间，
在所述多个第二串联臂谐振器中的相邻的两个第二串联臂谐振器中，各第二串联臂谐振器所具有的所述第二上部电极彼此或者所述第二下部电极彼此由一个电极形成。
2.根据权利要求1所述的多工器，其特征在于，
还具备第三滤波器，所述第三滤波器与所述公共端子连接，具有包含第三频段的第三通带，
在同时发送所述第一发送信号和所述第二发送信号的情况下产生的二阶失真模式或四阶失真模式的无用波的频率包含于所述第一通带、所述第二通带以及所述第三通带中的至少任一者，并且，在同时发送所述第一发送信号和所述第二发送信号的情况下产生的三阶失真模式的无用波的频率包含于所述第一通带、所述第二通带以及所述第三通带中的至少任一者。
3.根据权利要求2所述的多工器，其特征在于，
所述第一频段是用于5G-NR即5G新空口的n46，
所述第二频段是用于5G-NR的n77或n78，
所述第三频段是用于LTE即长期演进的Band3。
4.根据权利要求2所述的多工器，其特征在于，
所述第一频段是用于5G-NR即5G新空口的n46，
所述第二频段是用于5G-NR的n77，
所述第三频段是用于LTE即长期演进的Band2。
5.根据权利要求2所述的多工器，其特征在于，
所述第一频段是用于5G-NR即5G新空口的n77，
所述第二频段是用于5G-NR的n41，
所述第三频段是用于5G-NR的n46。
6.根据权利要求2所述的多工器，其特征在于，
所述第一频段是用于5G-NR即5G新空口的n41，
所述第二频段是用于5G-NR的n40，
所述第三频段是用于5G-NR的n79。
7.根据权利要求2所述的多工器，其特征在于，
所述第一频段是用于5G-NR即5G新空口的n79，
所述第二频段是用于5G-NR的n77或n78，
所述第三频段是WLAN即无线局域网或者用于5G-NR的n40。
8.根据权利要求1所述的多工器，其特征在于，
所述多个串联分割谐振器在所述第一串联臂谐振器和所述第一并联臂谐振器中最靠近所述公共端子地连接到所述公共端子。
9.根据权利要求1所述的多工器，其特征在于，
所述两个第二串联臂谐振器在所述多个第二串联臂谐振器中最靠近所述公共端子地连接到所述公共端子。
10.根据权利要求1所述的多工器，其特征在于，
所述第一压电层的相对介电常数比所述第二压电层的相对介电常数低。
11.根据权利要求1所述的多工器，其特征在于，
所述第一滤波器和所述第二滤波器中的一个滤波器所具备的各谐振器是FBAR即薄膜体声波谐振器，
所述第一滤波器和所述第二滤波器中的另一个滤波器所具备的各谐振器是SMR即固态装配谐振器，
所述一个滤波器的通带位于比所述另一个滤波器的通带靠低频侧的位置。
12.根据权利要求11所述的多工器，其特征在于，
所述另一个滤波器还具备电容元件，所述电容元件连接于以下的谐振器与所述公共端子之间：所述第一串联臂谐振器和所述第一并联臂谐振器中的最靠近所述公共端子地连接到所述公共端子的谐振器、或者所述第二串联臂谐振器和所述第二并联臂谐振器中的最靠近所述公共端子地连接到所述公共端子的谐振器。
13.根据权利要求11所述的多工器，其特征在于，
所述第一频段和所述第二频段中的包含于所述另一个滤波器的通带的频段是用于5G-NR即5G新空口的n41、n77、n78或n79。
14.一种多工器，其特征在于，具备：
第一滤波器，其与公共端子连接，具有包含能够在发送中利用的第一频段的第一通带；以及
第二滤波器，其与所述公共端子连接，具有包含能够在发送中利用的第二频段的第二通带，
其中，所述第一滤波器具备：
第一串联臂谐振器，其配置于第一串联臂路径，所述第一串联臂路径将所述公共端子与用于接收所述第一频段的第一发送信号的第一高频输入端子连接；以及
第一并联臂谐振器，其配置于第一并联臂路径，所述第一并联臂路径将所述第一串联臂路径与地连接，
所述第一串联臂谐振器和所述第一并联臂谐振器分别具有：
第一支承基板；
第一下部电极，其配置于所述第一支承基板的上方；
第一上部电极，其配置于所述第一下部电极的上方；以及
第一压电层，其配置于所述第一下部电极与所述第一上部电极之间，
所述第一串联臂谐振器和所述第一并联臂谐振器中的至少一个谐振器由相互串联连接的多个串联分割谐振器构成，
所述第二滤波器具备：
第二串联臂谐振器，其配置于第二串联臂路径，所述第二串联臂路径将所述公共端子与用于接收所述第二频段的第二发送信号的第二高频输入端子连接；以及
多个第二并联臂谐振器，所述多个第二并联臂谐振器分别配置于将所述第二串联臂路径与地连接的多个第二并联臂路径，
所述第二串联臂谐振器和所述多个第二并联臂谐振器分别具有：
第二支承基板；
第二下部电极，其配置于所述第二支承基板的上方；
第二上部电极，其配置于所述第二下部电极的上方；以及
第二压电层，其配置于所述第二下部电极与所述第二上部电极之间，
在所述多个第二并联臂谐振器中的与所述第二串联臂谐振器的一端直接连接的第二并联臂谐振器以及与所述第二串联臂谐振器的另一端直接连接的第二并联臂谐振器这两个第二并联臂谐振器中，各第二并联臂谐振器所具有的所述第二上部电极彼此或者所述第二下部电极彼此由一个电极形成。
15.根据权利要求14所述的多工器，其特征在于，
还具备第三滤波器，所述第三滤波器与所述公共端子连接，具有包含第三频段的第三通带，
在同时发送所述第一发送信号和所述第二发送信号的情况下产生的二阶失真模式或四阶失真模式的无用波的频率包含于所述第一通带、所述第二通带以及所述第三通带中的至少任一者，并且，在同时发送所述第一发送信号和所述第二发送信号的情况下产生的三阶失真模式的无用波的频率包含于所述第一通带、所述第二通带以及所述第三通带中的至少任一者。
16.根据权利要求15所述的多工器，其特征在于，
所述第一频段是用于5G-NR即5G新空口的n46，
所述第二频段是用于5G-NR的n77或n78，
所述第三频段是用于LTE即长期演进的Band3。
17.根据权利要求15所述的多工器，其特征在于，
所述第一频段是用于5G-NR即5G新空口的n46，
所述第二频段是用于5G-NR的n77，
所述第三频段是用于LTE即长期演进的Band2。
18.根据权利要求15所述的多工器，其特征在于，
所述第一频段是用于5G-NR即5G新空口的n77，
所述第二频段是用于5G-NR的n41，
所述第三频段是用于5G-NR的n46。
19.根据权利要求15所述的多工器，其特征在于，
所述第一频段是用于5G-NR即5G新空口的n41，
所述第二频段是用于5G-NR的n40，
所述第三频段是用于5G-NR的n79。
20.根据权利要求15所述的多工器，其特征在于，
所述第一频段是用于5G-NR即5G新空口的n79，
所述第二频段是用于5G-NR的n77或n78，
所述第三频段是WLAN即无线局域网或者用于5G-NR的n40。
21.根据权利要求14所述的多工器，其特征在于，
所述多个串联分割谐振器在所述第一串联臂谐振器和所述第一并联臂谐振器中最靠近所述公共端子地连接到所述公共端子。
22.根据权利要求14所述的多工器，其特征在于，
所述两个第二并联臂谐振器在所述多个第二并联臂谐振器中最靠近所述公共端子地连接到所述公共端子。
23.根据权利要求14所述的多工器，其特征在于，
所述第一压电层的相对介电常数比所述第二压电层的相对介电常数低。
24.根据权利要求14所述的多工器，其特征在于，
所述第一滤波器和所述第二滤波器中的一个滤波器所具备的各谐振器是FBAR即薄膜体声波谐振器，
所述第一滤波器和所述第二滤波器中的另一个滤波器所具备的各谐振器是SMR即固态装配谐振器，
所述一个滤波器的通带位于比所述另一个滤波器的通带靠低频侧的位置。
25.根据权利要求24所述的多工器，其特征在于，
所述另一个滤波器还具备电容元件，所述电容元件连接于以下的谐振器与所述公共端子之间：所述第一串联臂谐振器和所述第一并联臂谐振器中的最靠近所述公共端子地连接到所述公共端子的谐振器、或者所述第二串联臂谐振器和所述第二并联臂谐振器中的最靠近所述公共端子地连接到所述公共端子的谐振器。
26.根据权利要求24所述的多工器，其特征在于，
所述第一频段和所述第二频段中的包含于所述另一个滤波器的通带的频段是用于5G-NR即5G新空口的n41、n77、n78或n79。
27.一种多工器，其特征在于，具备：
第一滤波器，其与公共端子连接，具有包含能够在发送中利用的第一频段的第一通带；以及
第二滤波器，其与所述公共端子连接，具有包含能够在发送中利用的第二频段的第二通带，
其中，所述第一滤波器具备：
第一串联臂谐振器，其配置于第一串联臂路径，所述第一串联臂路径将所述公共端子与用于接收所述第一频段的第一发送信号的第一高频输入端子连接；以及
第一并联臂谐振器，其配置于第一并联臂路径，所述第一并联臂路径将所述第一串联臂路径与地连接，
所述第一串联臂谐振器和所述第一并联臂谐振器分别具有：
第一支承基板；
第一下部电极，其配置于所述第一支承基板的上方；
第一上部电极，其配置于所述第一下部电极的上方；以及
第一压电层，其配置于所述第一下部电极与所述第一上部电极之间，
所述第一串联臂谐振器和所述第一并联臂谐振器中的至少一个谐振器由相互串联连接的多个串联分割谐振器构成，
所述第二滤波器具备：
第二串联臂谐振器，其配置于第二串联臂路径，所述第二串联臂路径将所述公共端子与用于接收所述第二频段的第二发送信号的第二高频输入端子连接；以及
第二并联臂谐振器，其配置于第二并联臂路径，所述第二并联臂路径将所述第二串联臂路径与地连接，
所述第二串联臂谐振器和所述第二并联臂谐振器中的至少一个谐振器由相互并联连接的多个并联分割谐振器构成，
所述多个并联分割谐振器分别具有：
第二支承基板；
第二下部电极，其配置于所述第二支承基板的上方；
第二上部电极，其配置于所述第二下部电极的上方；以及
第二压电层，其配置于所述第二下部电极与所述第二上部电极之间，
所述多个并联分割谐振器中的一个并联分割谐振器所具有的所述第二上部电极与其它并联分割谐振器所具有的所述第二下部电极连接。
28.根据权利要求27所述的多工器，其特征在于，
还具备第三滤波器，所述第三滤波器与所述公共端子连接，具有包含第三频段的第三通带，
在同时发送所述第一发送信号和所述第二发送信号的情况下产生的二阶失真模式或四阶失真模式的无用波的频率包含于所述第一通带、所述第二通带以及所述第三通带中的至少任一者，并且，在同时发送所述第一发送信号和所述第二发送信号的情况下产生的三阶失真模式的无用波的频率包含于所述第一通带、所述第二通带以及所述第三通带中的至少任一者。
29.根据权利要求28所述的多工器，其特征在于，
所述第一频段是用于5G-NR即5G新空口的n46，
所述第二频段是用于5G-NR的n77或n78，
所述第三频段是用于LTE即长期演进的Band3。
30.根据权利要求28所述的多工器，其特征在于，
所述第一频段是用于5G-NR即5G新空口的n46，
所述第二频段是用于5G-NR的n77，
所述第三频段是用于LTE即长期演进的Band2。
31.根据权利要求28所述的多工器，其特征在于，
所述第一频段是用于5G-NR即5G新空口的n77，
所述第二频段是用于5G-NR的n41，
所述第三频段是用于5G-NR的n46。
32.根据权利要求28所述的多工器，其特征在于，
所述第一频段是用于5G-NR即5G新空口的n41，
所述第二频段是用于5G-NR的n40，
所述第三频段是用于5G-NR的n79。
33.根据权利要求28所述的多工器，其特征在于，
所述第一频段是用于5G-NR即5G新空口的n79，
所述第二频段是用于5G-NR的n77或n78，
所述第三频段是WLAN即无线局域网或者用于5G-NR的n40。
34.根据权利要求27所述的多工器，其特征在于，
所述多个串联分割谐振器在所述第一串联臂谐振器和所述第一并联臂谐振器中最靠近所述公共端子地连接到所述公共端子。
35.根据权利要求27所述的多工器，其特征在于，
所述多个并联分割谐振器在所述第二串联臂谐振器和所述第二并联臂谐振器中最靠近所述公共端子地连接到所述公共端子。
36.根据权利要求27所述的多工器，其特征在于，
所述第一压电层的相对介电常数比所述第二压电层的相对介电常数低。
37.根据权利要求27所述的多工器，其特征在于，
所述第一滤波器和所述第二滤波器中的一个滤波器所具备的各谐振器是FBAR即薄膜体声波谐振器，
所述第一滤波器和所述第二滤波器中的另一个滤波器所具备的各谐振器是SMR即固态装配谐振器，
所述一个滤波器的通带位于比所述另一个滤波器的通带靠低频侧的位置。
38.根据权利要求37所述的多工器，其特征在于，
所述另一个滤波器还具备电容元件，所述电容元件连接于以下的谐振器与所述公共端子之间：所述第一串联臂谐振器和所述第一并联臂谐振器中的最靠近所述公共端子地连接到所述公共端子的谐振器、或者所述第二串联臂谐振器和所述第二并联臂谐振器中的最靠近所述公共端子地连接到所述公共端子的谐振器。
39.根据权利要求37所述的多工器，其特征在于，
所述第一频段和所述第二频段中的包含于所述另一个滤波器的通带的频段是用于5G-NR即5G新空口的n41、n77、n78或n79。
40.一种高频模块，其特征在于，具备：
根据权利要求1～39中的任一项所述的多工器；
模块基板，所述多工器配置于所述模块基板；
第一功率放大器，所述第一功率放大器的输出端与所述第一滤波器的输入端连接，所述第一功率放大器配置于所述模块基板；以及
第二功率放大器，所述第二功率放大器的输出端与所述第二滤波器的输入端连接，所述第二功率放大器配置于所述模块基板，
所述第一滤波器和所述第二滤波器中的一个滤波器所具备的各谐振器是FBAR即薄膜体声波谐振器，
所述第一滤波器和所述第二滤波器中的另一个滤波器所具备的各谐振器是SMR即固态装配谐振器，
所述第一功率放大器及所述第二功率放大器中的同所述一个滤波器的输入端相连接的功率放大器与所述另一个滤波器之间的距离小于所述第一功率放大器及所述第二功率放大器中的同所述一个滤波器的输入端相连接的功率放大器与所述一个滤波器之间的距离。
41.一种通信装置，其特征在于，具备：
天线；
RF信号处理电路即射频信号处理电路，其处理由所述天线发送接收的高频信号；以及
在所述天线与所述RF信号处理电路之间传输所述高频信号的根据权利要求1～39中的任一项所述的多工器、或者根据权利要求40所述的高频模块。
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