CN103392213B - 可变电容元件以及可调谐滤波器 - Google Patents

可变电容元件以及可调谐滤波器 Download PDF

Info

Publication number
CN103392213B
CN103392213B CN201280010379.3A CN201280010379A CN103392213B CN 103392213 B CN103392213 B CN 103392213B CN 201280010379 A CN201280010379 A CN 201280010379A CN 103392213 B CN103392213 B CN 103392213B
Authority
CN
China
Prior art keywords
optic filter
tunable optic
variable
capacitance element
filter according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201280010379.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103392213A (zh
Inventor
门田道雄
掘露伊保龙
木村哲也
栃下光
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN103392213A publication Critical patent/CN103392213A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103392213B publication Critical patent/CN103392213B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
    • H01G7/06—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture having a dielectric selected for the variation of its permittivity with applied voltage, i.e. ferroelectric capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/542—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material including passive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6403—Programmable filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • H03H2003/0414—Resonance frequency
    • H03H2003/0464—Resonance frequency operating on an additional circuit element, e.g. a passive circuit element connected to the resonator
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H2009/02165—Tuning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

本发明提供一种使用介电常数因施加电压而变化的电介质层、且可实现压电谐振部件、可调谐滤波器等的压电基板的小型化的可变电容元件。可变电容元件(1)具备：压电基板(2)；缓冲层(3)，其形成在所述压电基板(2)上，具有取向性；电介质层(4)，其形成在所述缓冲层(3)上，介电常数因施加电压而变化；和第1电极以及第2电极，被设置成可对所述电介质层(4)施加电场。

Description

可变电容元件以及可调谐滤波器
技术领域
本发明涉及利用了相对介电常数因施加电压而变化的电介质层的可变电容元件，更详细而言涉及利用该电介质膜且在压电基板上构成的可变电容元件，以及利用了该可变电容元件的可调谐滤波器。
背景技术
以往，电子部件中广泛使用了可改变电容的可变电容元件。作为这种的可变电容元件，例如专利文献1中公开了在陶瓷基板上作为电介质层而形成了钛酸钡锶膜的元件。
另一方面，在移动电话等移动通信设备中，强烈要求电子部件的小型化以及轻量化。为了满足这种要求，压电谐振器、压电滤波器等压电装置被广泛使用。
下述专利文献2中，作为这种压电装置的一例而公开了图19所示的压电滤波器。压电滤波器1001具有串联压电谐振器1002、并联压电谐振器1003、1004。在并联压电谐振器1003与接地电位之间连接有电感器1005。此外，在并联压电谐振器1004与接地电位之间连接有电感器1006。并且，在并联压电谐振器1003与电感器1005的连接点、和并联压电谐振器1004与电感器1006的连接点之间连接有旁路压电谐振器1007。与旁路压电谐振器1007并联连接可变电容器1008。
图20是压电滤波器1001的示意性俯视图，图21是沿着图20的A-A线的部分的示意性剖视图。压电滤波器1001利用由硅或者玻璃基板等构成的基板1009来构成。串联压电谐振器1002、并联压电谐振器1003以及1004由设置在基板1009上的压电薄膜谐振器构成。例如，如图21所示，串联压电谐振器1002以及旁路压电谐振器1007在基板1009所设置的空腔1009a、1009b上作为压电薄膜谐振器而构成。
另一方面，用于调整滤波器特性的可变电容器1008通过在设置于基板1009上的绝缘体层1010按下部电极1011、电介质层1012以及上部电极1013的顺序进行层叠来构成。专利文献1中示出了电介质层1012由钛酸钡锶(BaxSr1-xTiO3)等构成。
再者，还记载了上述绝缘体层1010由二氧化硅、氮化硅等构成，下部电极1011由与压电薄膜谐振器的下部电极相同的材料、例如Mo、Al、Ag、W或者Pt等构成。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开平11-260667号公报
专利文献2：JP特开2008-54046号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
专利文献1中，由于能够在陶瓷基板上形成将钛酸钡锶作为电介质层的可变电容元件，因此可得到小型且电容变化大的元件。
但是，钛酸钡锶的电介质层仅在氧化铝等陶瓷基板或半导体基板等的特定基板上才能良好地成膜。因此，在采用例如声表面波元件、声边界波元件、或者拉姆波(Lambwave)设备用的压电基板的情况下，在该压电基板上无法形成具有由钛酸钡锶构成的特性良好的电介质层的可变电容元件。
此外，BST的成膜温度高达800℃～900℃。因此，在由居里温度低的压电材料构成的压电基板上形成这种膜的情况下，压电特性有可能劣化。此外，还存在发生压电基板翘曲、破裂以及BST膜剥离这种问题。
专利文献2中，可变电容器由下部电极1011、强电介质层1012以及上部电极1013的层叠体形成，因此，能够使得可变电容器构成部分小型化以及薄型化。
在此，在压电装置中使用专利文献1所公开的可变电容元件的情况下，如上述那样由于无法在压电基板上形成良好的BST膜，因此需要如专利文献2所示那样，在由玻璃或硅基板构成的基板1009上，形成压电体层来构成压电薄膜谐振器，进而分别构成可变电容元件。
因此，无法实现压电装置的小型化。此外，在压电谐振器与可变电容元件间产生布线电阻，引起因寄生成分而产生的特性劣化，所得到的压电装置的特性也不够充分。
再者，在专利文献2的第4实施方式的变形例中，公开了在压电基板上构成声表面波谐振器以及由变容二极管形成的可变电容元件的可调谐滤波器。不过，在该变形例中，可变电容元件由变容二极管构成，而不是使用了上述强电介质层的可变电容器。
本发明的目的在于提供一种使用相对介电常数因施加电压而变化的电介质层、并且在压电基板上构成的可变电容元件。本发明的另一目的在于提供在压电基板上构成本发明的可变电容器、压电谐振设备的、能够实现小型化以及薄型化的可调谐滤波器。
用于解决技术问题的手段
本发明涉及的可变电容元件具备：压电基板；缓冲层，其形成在所述压电基板上，具有取向性；电介质层，其形成在所述缓冲层上，介电常数因施加电压而变化；和第1电极以及第2电极，其被设置成可对所述电介质层施加电场。
在本发明涉及的可变电容元件的某个特定方面，
所述缓冲层具有立方晶系的结晶构造，并且主要是(111)面或与(111)面等效的面在与所述压电基板表面平行的方向上取向，或者，所述缓冲层具有三方晶系或者六方晶系的结晶构造，并且主要是(001)面或与(001)面等效的面在与所述压电基板表面平行的方向上取向。该情况下，能够提供tanδ即介电损耗小的可变电容元件。
在本发明涉及的可变电容元件的其他的特定方面，所述缓冲层具有立方晶系的结晶构造，并且主要是除了(111)面以外的(11X)面或与(11X)面等效的面、或者主要是(10X)面或与(10X)面等效的面在所述压电基板上取向，或者，所述缓冲层具有三方晶系或者六方晶系的结晶构造，并且主要是(11X)面或(10X)面或者与(11X)面或(10X)面等效的面在所述压电基板上取向。该情况下，能够进一步使得可变电容元件中的电介质层的介电常数变化更大。
再者，X为整数。
在本发明涉及的可变电容元件的又一特定方面，所述缓冲层由外延膜构成。该情况下，能够形成反映了压电基板的结晶方位的缓冲层。
在本发明涉及的可变电容元件的再一特定方面，具有所述立方晶系的结晶构造的缓冲层由从W、Al、Cu、Ag、Au、Ni、Ir、SrRuO3、RuO2、TiN、ZrN、TaSiN、TiAlN、LaNiO3、SrIrO3、LaTiO2N、以及(La，Sr)TiOxNy所组成的群组中选出的至少一种材料构成，或者，具有所述三方晶系或者六方晶系的结晶构造的缓冲层由从Ru、TaN、TaSiN、TiAlN以及ZnO所组成的群组中选出的至少一种材料构成。该情况下，由于能够实现低电阻膜，因此能够兼用作电极层。
在本发明涉及的可变电容元件的又一特定方面，所述压电基板由LiNbO3或者LiTaO3构成。该情况下，能够实现小型、高度低且良好的特性。
在本发明涉及的可变电容元件的又一特定方面，构成所述电介质层的材料是BaSrTiO3。该情况下，能够提供因施加电压而静电电容发生较大变化的可变电容元件。
在本发明涉及的可变电容元件的又一特定方面，在所述电介质层中掺杂从由N、Gd、Ca、Zr、Hf以及Ge组成的群组中选出的至少一种材料，由此能够增大可变电容幅度。
本发明涉及的可调谐滤波器具备：谐振器电路部，其具备压电谐振设备，该压电谐振设备在形成有按照本发明构成的可变电容元件的所述压电基板形成，且连接于输入端子和输出端子；和所述可变电容元件，其连接于该谐振器电路部。因此，能够提供小型且薄型的可调谐滤波器。此外，能够与压电谐振设备相邻地配置获得良好的可变特性的电容元件，因此能够减少谐振设备与可变电容元件间的布线电阻，此外，能够抑制因寄生成分引起的特性劣化。由此，能够得到良好的滤波器特性。
在本发明涉及的可调谐滤波器的又一特定方面，具备多个所述压电谐振设备，由该多个压电谐振设备构成梯型电路。
在本发明涉及的可调谐滤波器的再一特定方面，所述谐振器电路部具有梯型电路结构，该梯型电路结构具备将输入端子和输出端子连接的串联臂、以及将串联臂与接地电位之间连接的并联臂，在所述串联臂以及并联臂具有至少1个以上的压电谐振器。
在本发明涉及的可调谐滤波器的又一特定方面，与所述可调谐滤波器的所述可变电容元件串联地插入直流信号截止用的电容元件。
在本发明涉及的可调谐滤波器的又一特定方面，在所述可调谐滤波器的所述可变电容元件与接地间、或者所述可变量元件与直流电源间，连接高频信号截止用的电阻或电感器。
在本发明涉及的可调谐滤波器中，上述压电谐振设备可以是SAW设备，也可以是BAW设备，或者还可以是拉姆波设备。
在本发明涉及的可调谐滤波器的又一特定方面，所述压电谐振设备是横波为主成分的SAW设备。
在本发明涉及的可调谐滤波器的又一特定方面，形成了所述可变电容元件的压电基板是旋转Y切割LiTaO3或者旋转Y切割LiNbO3，且旋转角为90°±30°。该情况下，由于得到较大的机电耦合系数，因此能够扩大可调谐滤波器的频率可变范围。
在本发明涉及的可调谐滤波器的又一特定方面，所述压电谐振设备是以厚度伸缩振动模式为主成分的BAW设备。该情况下，由于不需要IDT电极，因此能够实现与SAW相比而在耐电性方面优异的滤波器。
在本发明涉及的可调谐滤波器的又一特定方面，所述压电谐振设备是以横波型振动模式作为主成分的拉姆波设备。该情况下，由于能够获得比声表面波更大的电机械耦合系数，因此能够进一步扩大频率可变幅度。
发明的效果
在本发明涉及的可变电容元件中，在压电基板上隔着具有取向性的缓冲层，形成介电常数因施加电压而变化的电介质层，并且第1以及第2电极被设置成能够对该电介质层施加电场。因此，能够获得具备相对介电常数的可变范围大的电介质层的压电基板上的可变电容元件。此外，能够实现在使用了压电谐振器或压电滤波器等的压电基板的压电装置中组合了可变电容元件的构造的小型化、薄型化、以及特性的改善。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式涉及的可变电容元件的部分欠缺正面剖视图。
图2(a)以及(b)是表示本发明的第2实施方式涉及的可变电容元件的部分欠缺正面剖视图以及表示其电极构造的俯视图。
图3是表示在由15°Y切割LiNbO3构成的压电基板上层叠由Pt(111)膜构成的缓冲层以及BST膜、进而作为第2电极而层叠了Pt膜所构成的实施例1的可变电容元件的相对介电常数以及tanδ和施加电压的关系的图。
图4是表示在由15°Y切割LiNbO3构成的压电基板上层叠由Pt(200)膜构成的缓冲层以及BST膜、进而作为第2电极而层叠了Pt膜所构成的实施例2的可变电容元件的相对介电常数以及tanδ和施加电压的关系的图。
图5是表示具有在由15°Y切割LiNbO3构成的压电基板上层叠由Pt(111)构成的缓冲层以及BST膜的构造的实施例1的X射线衍射结果的图。
图6是表示使实施例1的面方向倾斜15°从而与LiNbO3的Y面相匹配地进行测定而得到的X射线衍射结果的图。
图7是表示使实施例2的面方向倾斜15°从而与LiNbO3的Y面相匹配地进行测定而得到的X射线衍射结果的图。
图8是表示在由-1°Y切割LiNbO3构成的压电基板上在由Pt(111)膜构成的缓冲层以及BST膜上形成了第2电极的实施例3的可变电容元件的相对介电常数以及tanδ和施加电压的关系的图。
图9是表示在由27.5°Y切割LiNbO3构成的压电基板上在由Pt(200)膜构成的缓冲层以及BST膜上形成了第2电极的实施例4的可变电容元件的相对介电常数以及tanδ和施加电压的关系的图。
图10是表示实施例3的X射线衍射结果的图。
图11是表示使实施例4的面方向倾斜27.5°从而与LiNbO3的Y面相匹配地进行测定而得到的X射线衍射结果的图。
图12(a)以及(b)是表示本发明的第1实施方式涉及的可调谐滤波器的电路图以及主要部分的部分欠缺剖视图。
图13是由图12(a)所示的压电基板上的电极构造实现的可调谐滤波器的电路图。
图14是表示在蓝宝石基板以及LiNbO3基板上形成BST膜的各构造中的施加电压与相对介电常数的关系的图。
图15是表示改变第1实施方式的可调谐滤波器中的由BST构成的可变电容器的电容的情况下的滤波器特性的变化的图。
图16是表示由本发明构成的可调谐滤波器的变形例的电路图。
图17是表示本发明的可调谐滤波器中的电路结构的其他变形例的电路图。
图18是表示本发明的可调谐滤波器中的电路结构的其他变形例的电路图。
图19是现有的压电装置的电路图。
图20是图19所示的现有的压电装置的示意性俯视图。
图21是沿着图20的A-A线的部分的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图来说明本发明的具体的实施方式，以明确本发明。
图1是用于说明本发明的第1实施方式涉及的可变电容元件的部分欠缺正面剖视图。
可变电容元件1具有压电基板2。压电基板2由LiTaO3、LiNbO3等的适当的压电材料构成。优选如后述那样，旋转Y切割LiTaO3或者旋转Y切割LiNbO3构成，并且采用旋转角为90°±30°的压电基板。在该情况下，由于机电耦合系数大，因此能够构成频率可变幅度大的可调谐滤波器。
在压电基板2上形成缓冲层3。此外，在缓冲层3上，层叠电介质层4以及第2电极5。本实施方式中，缓冲层3由Pt构成，还兼用作第1电极。因此，由于夹着电介质层4来层叠缓冲层3即第1电极、第2电极5，因此由缓冲层3、电介质层4以及第2电极5构成用于取出静电电容的电容器部分。电介质层4由相对介电常数因施加电压而变化的电介质材料构成。因此，可变电容元件1中，通过改变施加电压，能够使得静电电容变化。此外，缓冲层也可以层叠多层。
作为构成上述相对介电常数因施加电压而变化的电介质层4的材料，例如可采用BST即钛酸钡锶(BaxSr1-xTiO3，其中x为大于0且低于1的数)。
在施加电压时，BST的相对介电常数变化很大。因此，通过使用BST，能够形成可使得静电电容变化较大的可变电容元件1。
以往，认为在除了蓝宝石、MgO以外的基板上BST膜无法良好地成膜。也就是说，由于BST的成膜温度为较高的800℃～900℃，因此认为在LiTaO3或LiNbO3等的压电基板上无法直接形成。因此，认为仅在蓝宝石、MgO中能够使BST直接成膜。
本申请发明者针对这一点进行了专心研究，结果发现在使用由LiNbO3构成的压电基板2的情况下，形成由在特定方向上取向的Pt构成的缓冲层，之后在该缓冲层上使BST成膜的情况下，能够使BST良好地成膜。
本实施方式中，在压电基板2上具有立方晶的结晶构造，并且主要由(111)面在与压电基板2的表面平行的方向上取向的Pt膜来形成缓冲层3。因此，能够在该缓冲层3上通过溅射法等使得由BST构成的电介质层4直接成膜，因而，能够形成相对介电常数的可变范围大的电介质层4。
再者，本实施方式中，缓冲层3如上述那样使用(111)面在与压电基板2的表面平行的方向上取向的Pt膜。以下将该Pt膜简记为Pt(111)膜。
本实施方式中，作为缓冲层3使用上述Pt(111)膜，但缓冲层3的取向方向以及构成缓冲层3的材料并不限定于此。即，作为缓冲层3的取向方向，也可以是除了(111)、(10X)、(111)以外的(11X)等。再者，上述取向方向中的X表示整数。
此外，取向面也可以是与上述各取向面等效的面。即，与(111)面等效的面可以与压电基板2平行地取向。同样，与(10X)等效的面、与除了(111)面以外的(11X)面等效的面可以在压电基板2上取向。
此外，对于缓冲层3的结晶构造，也并不限定于立方晶系的构造，也可以具有三方晶系或者六方晶系的结晶构造。
优选：在缓冲层3具有立方晶系的结晶构造的情况下，(111)面以及与(111)面等效的面在与压电基板2平行的方向上取向，在具有三方晶系或者六方晶系的结晶构造的情况下，(001)面以及与(001)面等效的面在与压电基板2的表面平行的方向上取向。在该情况下，能够得到tanδ即介电损耗小的可变电容元件1。
此外，在缓冲层3具有立方晶系的结晶构造的情况下，期望(10X)面以及与(10X)面等效的面、或者除了(111)面以外的(11X)面或与该(11X)面等效的面在压电基板2上取向。在此，立方晶系的结晶构造中的(10X)面、或者除了(111)面以外的(11X)面的取向面成为与压电基板的Y轴垂直的面。在该情况下，能够进一步增大电介质层4中因施加电压而引起的相对介电常数的变化。同样，在具有三方晶系或者六方晶系的结晶构造的情况下，期望(11X)面或与(11X)面等效的面、或者(10X)面或与(10X)等效的面在压电基板2上取向。在此，三方晶系或者六方晶系的结晶构造中的(11X)面、或(10X)面的取向面成为与压电基板的Y轴垂直的面。在该情况下，能够增大电介质层4的因施加电压而引起的相对介电常数的变化。
其中，X为整数。
对于通过上述结晶构造以及取向方向可构成为能够减小tanδ、或者增大因施加电压引起的相对介电常数的变化，参照后述的实施例1以及实施例2进行详细说明。
此外，上述缓冲层3如上述在特定的方向上取向，但优选由通过外延生长所形成的外延膜构成。该情况下，能够反映出压电基板2的结晶方位来形成缓冲层3。因此，能够容易形成在特定的方向上取向的缓冲层3。对于形成上述缓冲层3的材料，不仅可以使用Pt，也能够使用各种材料。此外，在本实施方式中，缓冲层3兼用作第1电极。但是，构成缓冲层3的材料可以是不具有能够构成电极的程度的导电性的材料。在该情况下，也可以在缓冲层3的下面另行形成第1电极。对于构成这种第1电极的材料，能够使用Pt、Au、Ag等适当的金属。
另一方面，构成具有上述立方晶系的结晶构造的缓冲层的材料，由从W、Al、Cu、Ag、Au、Ni、Ir、SrRuO3、RuO2、TiN、ZrN、TaSiN、TiAlN、LaNiO3、SrIrO3、LaTiO2N、以及(La，Sr)TiOxNy所组成的群组中选择至少一种材料构成。该情况下，能够容易且可靠地形成在特定方向上取向的缓冲层。
此外，作为构成具有上述三方晶系或者六方晶系的结晶构造的缓冲层的材料，由从Ru、TaN、TaSiN、TiAlN以及ZnO组成的群组中选择的至少一种材料构成。该情况下，能够容易形成在上述特定方向上取向的缓冲层。
图2(a)以及(b)是用于说明本发明的第2实施方式涉及的可变电容元件6的部分欠缺正面剖视图以及表示电极构造的俯视图。
如图2(a)所示，在第2实施方式的可变电容元件6中，在压电基板2上按缓冲层3、电介质层4的顺序进行层叠。在此，缓冲层3没有兼用作第1电极。其中，压电基板2、缓冲层3以及电介质层4能够由与第1实施方式相同的材料同样地构成。因此，对于与第1实施方式相同的部分，赋予同一参照序号，省略其说明。再者，由于缓冲层3没有兼用作第1电极，因此如前述那样可以由不具有导电性的材料形成。
在本发明的第2实施方式涉及的可变电容元件6中，在电介质层4的上表面形成第1电极7以及第2电极8。第1电极7以及第2电极8是梳齿状电极，彼此的多根电极指相互插合。这样，本发明中的第1电极7以及第2电极8可以由在电介质层4的一个面层叠的一对梳齿状电极形成。
即，本发明中，第1电极以及第2电极只要被设置成隔着电介质层4而相对置，则其取向的方式没有特别限定。
接下来，参照实施例1以及实施例2来说明由于缓冲层的结晶构造以及取向方向而因施加电压引起的tanδ以及相对介电常数的变化趋势的改变。
(实施例1)
在由15°Y切割LiNbO3构成的压电基板2上，使具有立方晶系的结晶构造、且由Pt(111)膜构成的缓冲层3通过溅射法在基板温度400℃、Ar气体下形成100nm的厚度。在该缓冲层3上通过在700℃的温度下进行溅射，形成由BaSrTiO3构成的电介质层4。在该电介质层4上，通过溅射法形成由Pt形成的厚度200nm的膜构成的第2电极5，得到可变电容元件1。图3表示该可变电容元件中的介电常数以及tanδ与施加电压的关系。
根据图3可知，通过改变施加电压，从而相对介电常数以及tanδ发生变化。相对介电常数的变化率即在-5V～+5V的施加电压范围中最高的相对介电常数与最低的相对介电常数之比为2.78。
此外，利用X射线衍射对实施例1的可变电容元件进行分析，以确认取向方向。图5表示其结果。根据图5可知，出现了基于Pt(111)面的峰值，缓冲层3为Pt(111)。
在此，实际上也存在Pt(111)面以外的峰值，但是如本实施方式那样，如果缓冲层3中(111)面的峰值相对较大，则BST膜可良好地成膜。即，只要Pt(111)面主要被取向即可。这在本发明的其他实施方式中，只要各取向面主要进行成膜即可的这种意义也同样。
此外，图6表示使上述可变电容元件从水平方向面方向15°倾斜来测定X射线衍射的结果。根据图6可知，出现LiNbO3基板的(300)面的峰值。即，出现在15°Y切割LiNbO3引起的峰值。
(实施例2)
与实施例1同样，其中，作为缓冲层3而形成具有立方晶系的结晶构造、Pt(200)膜。成膜条件是通过溅射在基板温度700℃、Ar气体下进行成膜，膜厚设定为100nm。
对于其他部分，与实施例1同样进行。
图4表示实施例2中得到的可变电容元件的相对介电常数以及tanδ与施加电压的关系。根据图4可知，因施加电压的变化，而相对介电常数以及tanδ出现比实施例1大的变化。在-5V～+5V的施加电压范围中，最高的相对介电常数与最低的相对介电常数之比即相对介电常数变化率为4.17。因此，可知与实施例1相比在实施例2的情况下能够使得静电电容的可变幅度进一步增大。
对于实施例2的可变电容元件，也与实施例1同样地通过X射线衍射来确认各层的取向。图7表示其结果。根据图7可知，在实施例2中，在2θ为47°附近，出现由Pt(200)膜引起的峰值，在63°附近，出现由LiNbO3(300)基板引起的峰值。再者，图7是从可变电容元件的基板面倾斜15°、与基板Y轴方向相匹配地进行测定的结果。
(实施例3)
在由-1°Y切割的LiNbO3构成的压电基板上，形成具有立方晶系的结晶构造、由Pt(111)膜构成的缓冲层3，以下与实施例1同样地得到可变电容元件。Pt(111)膜的成膜是通过溅射在基板温度400℃、Ar气体下形成，其膜厚设定为100nm。
图8表示实施例3中得到的上述可变电容元件中的施加电压与相对介电常数以及tanδ之间的关系。根据图8可知，在施加电压发生变化时，相对介电常数以及tanδ出现变化。
此外，在-5V～+5V的施加电压范围中的介电常数变化率为3.34，比实施例1大，而比实施例2小。
对于实施例3的可变电容元件，与实施例1同样地通过X射线衍射来确认结晶方位。图10表示其结果。根据图10可知，由Pt(111)膜引起的峰值出现在2θ＝40°附近。此外，由于基板是-1°Y切割LiNbO3(由于仅倾斜-1°)，因此尽管是在与基板表面平行面的测定，但由LiNbO3(300)面引起的峰值出现在2θ＝63°附近。
(实施例4)
在由27.5°Y切割LiNbO3构成的压电基板2上，形成具有立方晶系的结晶构造、由Pt(200)膜构成的缓冲层3，以下与实施例1同样地得到可变电容元件。Pt(200)膜的成膜通过溅射在基板温度700℃、Ar气体下形成，其膜厚设定为100nm。
图9表示实施例4中得到的可变电容元件的施加电压与相对介电常数以及tanδ之间的关系。
根据图9可知，在施加电压发生变化时，相对介电常数以及tanδ出现变化。此外，在施加电压范围为-5V～+5V的范围中，相对介电常数变化率为较大的4.28。
对于实施例4中得到的可变电容元件，与实施例2同样地进行X射线衍射，来确认结晶方位。图11表示其结果。
根据图11可知，由Pt(200)引起的峰值出现在2θ＝46°附近，由LiNbO3(300)引起的峰值出现在2θ＝63°附近。再者，图11是从可变电容元件的基板面倾斜27.5°而与基板Y轴方向相匹配地进行测定的结果。
根据上述实施例1～4可知，通过变更构成缓冲层3的Pt膜的结晶方位，可改变相对介电常数的变化率和tanδ的值。即，通过实施例1和实施例2的对比可知，与Pt(111)膜相比，在使用Pt(200)膜的情况下，可增大相对介电常数的因施加电压引起的变化。另一方面，tanδ相对较大。这样，通过改变Pt膜的取向，能够得到期望的相对介电常数变化率和期望的tanδ的值。
再有，通过实施例1和实施例3的对比可知，即便形成由相同的Pt(111)膜构成的缓冲层3的情况下，通过将LiNbO3的切割角从15°变更为-1°，可提高相对介电常数以及tanδ的因施加电压引起的变化率。即，与15°Y切割的LiNbO3相比，通过使用-1°Y切割的LiNbO3，能够增大静电电容可变幅度。
同样，通过实施例2与实施例4的对比可知，与15°Y切割LiNbO3相比，使用27.5°Y切割LiNbO3可使得相对介电常数的变化率略微增大。
这样，根据实施例1～4可知，优选将缓冲层3的结晶方位以及LiNbO3等的压电基板的切割角设定为上述的范围。
此外，根据上述第1实施方式，即便在压电基板2上形成缓冲层3，形成由相对介电常数因施加电压而变化的BST构成的电介质层4的情况下，也能够构成由施加电压引起的相对介电常数变化特性良好的可变电容元件1。
(可调谐滤波器)
接下来，说明本发明的可调谐滤波器的实施方式。
图12(a)以及图13是表示作为本发明的第3实施方式的可调谐滤波器的电极构造的示意性俯视图以及电路图。
如图13所示，可调谐滤波器51具有输入端子52和输出端子53。在将输入端子52和输出端子53连结的串联臂，第1、第2串联臂谐振器S1、S2彼此串联配置。
在输入端子52与第1串联臂谐振器S1之间连接第1可变电容器C1。此外，与第1串联臂谐振器S1并联地连接第2可变电容器C2。与第2串联臂谐振器S2并联地连接第3可变电容器C3。在第2串联臂谐振器S2与输出端子53之间连接第4可变电容器C4。此外，在第1、第2串联臂谐振器S1、S2间的连接点54与接地电位之间，第5可变电容器C5以及并联臂谐振器P1彼此串联连接。与并联臂谐振器P1并联地连接第6可变电容器C6。
如上述，可调谐滤波器51具有包括第1、第2串联臂谐振器S1、S2、和并联臂谐振器P1的梯型的电路结构。
如图12(a)所示，在压电基板55上，第1、第2串联臂谐振器S1、S2以及并联臂谐振器P1分别由声表面波谐振器构成，以便具有上述电路结构。例如，若以第1串联臂谐振器S1为例，第1串联臂谐振器S1具有IDT电极56、在IDT电极56的声表面波传播方向两侧配置的反射器57、58。
第1、第2串联臂谐振器S1、S2以及并联臂谐振器P1都是由声表面波谐振器构成的压电谐振设备。因此，能够在压电基板55上仅形成构成上述声表面波谐振器的IDT电极56以及反射器57、58来构成。
此外，上述第1～第6可变电容器C1～C6在图12(a)中以矩形方块示意地表示构成部分，但是在电介质层上构成。因此，可变电容器C1～C6也能够在压电基板上仅形成几个膜而容易形成。由此，能够实现小型化以及制造工序的简化。以第2可变电容器C2构成部分为例，参照图12(b)对此进行说明。
图12(b)以剖视图示意性地表示第2可变电容器C2、构成第1串联臂谐振器S1的部分。第2可变电容器C2具有作为第1电容电极的下部电极59。在下部电极59上层叠由BST构成的电介质层60。在电介质层60上，层叠作为第2电容电极的上部电极61，使得与下部电极59隔着电介质层60而相对置。上部电极61经由布线电极62而与IDT电极56连接。
再者，为了防止上部电极61以及布线电极62与下部电极59的短路，设置成绝缘体层63与电介质层60接触。布线电极62与上部电极61连接，经由绝缘体层63的上表面而延伸至IDT电极56侧。在本实施方式中，上述下部电极59由Pt构成，上部电极61由Pt构成。
电介质层60由BST即钛酸钡锶(BaxSrl-xTiO3，其中x为大于0且低于1的数)构成。
此外，作为压电基板，特别优选欧拉角(0°，60°～120°、0°)的LiNbO3。如果是该范围，则应用所述缓冲层，可获得与实施例1至4所示的情况同样的效果。此外，在该范围中，由于获得较大的机电耦合系数、即在可调谐滤波器中能够扩大频率可变范围，因此优选。再有，如果如上述那样使用该范围的欧拉角的LiNbO3基板，则能够实现可变电容幅度2.78倍以上的可变电容器。
此外，图14是表示在-1°Y切割LiNbO3以及蓝宝石R面基板上分别形成BST膜的构造的相对介电常数与施加电压的关系的图。根据图14可知，在上述欧拉角的LiNbO3基板上形成了BST膜的构造中，获得与在蓝宝石R面基板上形成了BST膜的构造同样的相对介电常数特性。由此，根据本实施方式可知，通过在由LiNbO3构成的压电基板55上直接进行BST的成膜、或者隔着缓冲层间接地进行BST的成膜，可构成小型且良好的可变电容器。此外，图14所示的LiNbO3基板上的BST膜是掺杂了N的膜，是特性比图3、图4、图8、图9中的BST膜要好的、即相对介电常数的变化率大的BST膜。这样，也可以在BST膜中掺杂N、Gd、Ca、Zr、Hf、Ge等。该情况下，如上述能够实现大的电容变化率。再者，Gd、Ca掺杂在Ba侧，Zr、Hf、Ge掺杂在Ti侧，N掺杂在O侧。此外，其掺杂量分别为5％以下。
对于BST膜而言，因施加的电压，相对介电常数发生变化。因此，在本实施方式的可调谐滤波器51中，通过调整施加电压，能够改变第1～第6可变电容器C1～C6的电容。这样一来，能够改变可调谐滤波器的滤波特性。即，能够调整选择频率。
图15是表示使上述第1～第6可变电容器C1～C6分别成为下述的表1所示的X1～X4的组合的情况下的滤波器特性的图。
[表1]
C5 C6 C1.C4 C2.C3
X1 4pF 6pF 0.8pF 1pF
X2 4pF 5pF 0.8pF 0.8pF
X3 2pF 3pF 0.4pF 0.5pF
X4 1pF 1.2pF 0.2pF 0.2pF
根据图15可知，通过调整施加电压从而使得第1～第6可变电容器C1～C6的静电电容成为X1～X4的各组合，由此能够使得可调谐滤波器51的滤波器特性出现很大的变化，特别是频率特性。
再者，上述实施方式中，示出了由串联臂谐振器S1、S2及并联臂谐振器P1构成的梯型电路结构的可调谐滤波器，但本发明的可调谐滤波器的电路结构没有特别限定。
在图16所示的变形例中，在输入端子41与输出端子42之间连接有压电谐振器43、44。在输入端子41与接地电位之间连接有电容器C7。在输出端子42与接地电位之间也连接有电容器C8。此外，在压电谐振器43、44间的连接点65与接地电位之间连接有电感器66。并且，在输入端子41与输出端子42之间，与压电谐振器43、44并联地连接有电容器Cp。在压电谐振器43与输入端子41之间连接有可变电容器C9。与压电谐振器43并联地连接可变电容器C10。也与压电谐振器44并联地连接有可变电容器C11。此外，在压电谐振器44与输出端子42之间连接可变电容器C12。也可以使用具有这种电路结构的可调谐滤波器67。在可调谐滤波器67中，与上述实施方式同样地由使用了BST膜这种电介质层的可变电容器形成可变电容器C9～C12，由此能够实现小型化，进而由于能够在压电谐振设备附近直接形成可变电容器C9～C12，因此能够抑制因寄生成分引起的特性劣化。
此外，上述可调谐滤波器的电路结构也可以是如图17所示那样多个压电谐振器21～24被连接成具有格子(lattice)型电路结构的情况(图17中省略了与谐振器串联或者并联连接的可变电容元件)。
此外，例如在图13所示的这种本发明的可调谐滤波器中，可以在高频信号布线电路上设置直流信号截止用的电容元件，以防止除了可变电容元件以外的直流信号的泄漏，还可以设置高频信号截止用的电阻或电感器，以防止高频信号泄漏至除了可变电容元件以外的直流布线电路上。
例如，如图18所示，为了防止直流信号流入高频的信号布线电路，将直流信号截止用的电容器C21、C22插入将输入端子和串联臂连接的信号布线。再者，电容只要是能够使直流成分截止的容量即可，约100pF左右即可。该电容元件可以由BST形成。该情况下，由于能够与可变电容元件一起成膜，因此能够简化制造过程。再者，该电容元件可以是固定电容，无需是可变电容元件。
此外，如该图18所示，为了防止高频信号流入直流布线电路中，将高频信号截止用的电阻元件R0连接在直流电源与串联臂间或者接地与串联臂间。再者，电阻只要具有2～30kΩ即可。此外，电阻元件也可以是具有同样阻抗的电感器。能够通过使NiCr、TaN等的薄膜进行成膜来形成电阻。再者，该例中，示出了针对可变电容器C1而在高频信号布线上配置直流信号截止用的电容器、此外在直流信号布线上配置高频信号截止用的电阻元件或电感器元件，但针对C1以外的任意可变电容器也可以设置同样的元件。
此外，在本发明的可调谐滤波器的实施方式中，作为压电谐振设备而使用了声表面波谐振器，但并不限定于此，可以是基于BAW(BulkAcousticWave)或拉姆波的谐振器。特别地，谐振器既可以是横波为主成分的声表面波谐振器，也可以是激励出厚度伸缩振动模式的BAW谐振器。或者，还可以是激励出横波型振动模式的拉姆波设备。在任意的情况下，由于都能够增大机电耦合系数，因此能够得到频率可变幅度大的可调谐滤波器。
符号的说明
1…可变电容元件
2…压电基板
3…缓冲层
4…电介质层
5…第2电极
6…可变电容元件
7…第1电极
8…第2电极
21～24…压电谐振器
41…输入端子
42…输出端子
43、44…压电谐振器
51…可调谐滤波器
52…输入端子
53…输出端子
54…连接点
55…压电基板
56…IDT电极
57、58…反射器
59…下部电极
60…电介质层
61…上部电极
62…布线电极
63…绝缘体层
65…连接点
66…电感器
67…可调谐滤波器

Claims (15)

1.一种可调谐滤波器，其特征在于，包括：
可变电容元件，其具备：压电基板；缓冲层，其形成在所述压电基板上，具有取向性；电介质层，其形成在所述缓冲层上，相对介电常数因施加电压而变化；和第1电极以及第2电极，被设置成可对所述电介质层施加电场；以及
谐振器电路部，其具备压电谐振设备，该压电谐振设备在形成有所述可变电容元件的所述压电基板形成，且被连接于输入端子和输出端子，
所述可变电容元件被连接于所述谐振器电路部。
2.根据权利要求1所述的可调谐滤波器，其特征在于，
所述缓冲层由外延膜构成。
3.根据权利要求1所述的可调谐滤波器，其特征在于，
构成所述电介质层的材料是BaSrTiO3。
4.根据权利要求2所述的可调谐滤波器，其特征在于，
构成所述电介质层的材料是BaSrTiO3。
5.根据权利要求3所述的可调谐滤波器，其特征在于，
在所述电介质层中掺杂从由N、Gd、Ca、Zr、Hf以及Ge组成的群组中选出的至少一种材料。
6.根据权利要求4所述的可调谐滤波器，其特征在于，
在所述电介质层中掺杂从由N、Gd、Ca、Zr、Hf以及Ge组成的群组中选出的至少一种材料。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的可调谐滤波器，其特征在于，
具备多个所述压电谐振设备，由该多个压电谐振设备构成梯型电路。
8.根据权利要求7所述的可调谐滤波器，其特征在于，
所述谐振器电路部具有梯型电路结构，该梯型电路结构具备将输入端子和输出端子连接的串联臂、以及将串联臂与接地电位之间连接的并联臂，在所述串联臂以及并联臂具有至少1个以上的所述压电谐振设备。
9.根据权利要求1～6中任一项所述的可调谐滤波器，其特征在于，
与所述可调谐滤波器的所述可变电容元件串联地插入直流信号截止用的电容元件。
10.根据权利要求1～6中任一项所述的可调谐滤波器，其特征在于，
在所述可调谐滤波器的所述可变电容元件与接地间、或者所述可变电容元件与直流电源间，连接高频信号截止用的电阻或电感器。
11.根据权利要求1～6中任一项所述的可调谐滤波器，其特征在于，
所述压电谐振设备是SAW设备、BAW设备或者拉姆波设备。
12.根据权利要求11所述的可调谐滤波器，其特征在于，
所述压电谐振设备是横波为主成分的SAW设备。
13.根据权利要求12所述的可调谐滤波器，其特征在于，
形成了所述可变电容元件的压电基板是旋转Y切割LiTaO3或者旋转Y切割LiNbO3，且欧拉角为(0°，60°～120°，0°)。
14.根据权利要求11所述的可调谐滤波器，其特征在于，
所述压电谐振设备是厚度伸缩振动模式为主成分的BAW设备。
15.根据权利要求11所述的可调谐滤波器，其特征在于，
所述压电谐振设备足以横波型振动模式作为主成分的拉姆波设备。
CN201280010379.3A 2011-02-25 2012-02-14 可变电容元件以及可调谐滤波器 Active CN103392213B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-039754 2011-02-25
JP2011039754 2011-02-25
PCT/JP2012/053343 WO2012114931A1 (ja) 2011-02-25 2012-02-14 可変容量素子及びチューナブルフィルタ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103392213A CN103392213A (zh) 2013-11-13
CN103392213B true CN103392213B (zh) 2016-07-06

Family

ID=46720713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280010379.3A Active CN103392213B (zh) 2011-02-25 2012-02-14 可变电容元件以及可调谐滤波器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9230745B2 (zh)
EP (1) EP2680285A4 (zh)
JP (2) JPWO2012114931A1 (zh)
CN (1) CN103392213B (zh)
WO (1) WO2012114931A1 (zh)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5751278B2 (ja) * 2013-05-15 2015-07-22 株式会社村田製作所 圧電バルク波共振子
WO2015054742A1 (en) * 2013-10-17 2015-04-23 Royal Melbourne Institute Of Technology Piezoelectric actuation platform
KR102138345B1 (ko) 2014-10-29 2020-07-27 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 압전 모듈
DE102014118000A1 (de) * 2014-12-05 2016-06-09 Epcos Ag Anordnung mit einem DMS Filter und steiler rechter Flanke
WO2016129401A1 (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 株式会社 村田製作所 送受信モジュール
US10536134B2 (en) * 2015-05-22 2020-01-14 Kyocera Corporation Acoustic wave device and communication apparatus
US10312882B2 (en) * 2015-07-22 2019-06-04 Cindy X. Qiu Tunable film bulk acoustic resonators and filters
US9974050B2 (en) 2015-12-16 2018-05-15 Verily Life Sciences Llc Transmitter IC for single-channel Bluetooth beacon
KR102588800B1 (ko) * 2016-02-22 2023-10-13 삼성전기주식회사 음향파 필터 장치 및 이의 제조방법
US9999025B2 (en) 2016-03-08 2018-06-12 Verily Life Sciences Llc Beacon using an FBAR-based oscillator
US9934797B2 (en) * 2016-04-26 2018-04-03 Tdk Corporation Multilayer element including base multilayer body, magnetic sensor and microwave assisted magnetic head
US10212657B2 (en) * 2016-04-27 2019-02-19 Verily Life Sciences Llc Bluetooth low energy beacon with FBAR-based oscillator-per-channel
US10097387B1 (en) 2016-08-15 2018-10-09 Verily Life Sciences Llc Temperature-stable FBAR transmitter
US10581404B2 (en) * 2016-09-07 2020-03-03 Robert Bosch Gmbh Tunable lithium niobate resonators and filters via lithiation and delithiation
CN108109844B (zh) * 2016-11-25 2021-08-31 南通华表新材料科技开发有限公司 压电陶瓷电容器的增容用途
US10508364B2 (en) * 2017-03-24 2019-12-17 Zhuhai Crystal Resonance Technologies Co., Ltd. RF resonator membranes and methods of construction
US10601397B2 (en) * 2017-03-24 2020-03-24 Zhuhai Crystal Resonance Technologies Co., Ltd. RF resonator electrode and membrane combinations and method of fabrication
US10332687B2 (en) * 2017-10-23 2019-06-25 Blackberry Limited Tunable coplanar capacitor with vertical tuning and lateral RF path and methods for manufacturing thereof
US10497774B2 (en) 2017-10-23 2019-12-03 Blackberry Limited Small-gap coplanar tunable capacitors and methods for manufacturing thereof
TW201941464A (zh) * 2018-03-02 2019-10-16 美商天工方案公司 用於聲波濾波器之藍姆波迴圈電路
WO2020045442A1 (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 株式会社村田製作所 弾性波装置及びラダー型フィルタ
JP2020043380A (ja) * 2018-09-06 2020-03-19 株式会社村田製作所 フィルタおよびマルチプレクサ
JP7028342B2 (ja) * 2018-12-20 2022-03-02 株式会社村田製作所 マルチプレクサ
CN112953436B (zh) * 2021-02-08 2024-04-30 上海师范大学 一种saw-baw混合谐振器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100407574C (zh) * 2000-04-06 2008-07-30 Nxp股份有限公司 可调谐滤波器装置

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS573411A (en) * 1980-06-06 1982-01-08 Nec Corp Composite piezoelectric ceramic oscillator
US5166646A (en) * 1992-02-07 1992-11-24 Motorola, Inc. Integrated tunable resonators for use in oscillators and filters
JP3390537B2 (ja) * 1994-08-22 2003-03-24 富士通株式会社 弾性表面波フィルタ
JP3597454B2 (ja) * 1995-10-13 2004-12-08 富士通株式会社 弾性表面波装置
JPH09208394A (ja) * 1996-02-07 1997-08-12 Tdk Corp 強誘電体薄膜及び強誘電体薄膜コンデンサの製造方法
JP3599558B2 (ja) 1998-03-10 2004-12-08 シャープ株式会社 高周波用容量可変素子の製造方法及び高周波用容量可変素子
JPH11261028A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Toshiba Corp 薄膜キャパシタ
JP2000077267A (ja) * 1998-08-31 2000-03-14 Sharp Corp ニオブ酸系誘電体材料、容量可変素子及びその製造方法
JP2001035749A (ja) * 1999-07-16 2001-02-09 Murata Mfg Co Ltd 誘電体薄膜素子、薄膜キャパシタ、およびそれらの製造方法
JP2001136048A (ja) * 1999-11-09 2001-05-18 Nec Corp 弾性表面波フィルタ
US7315662B2 (en) * 2000-08-25 2008-01-01 N Gimat Co. Electronic and optical devices and methods of forming these devices
JP3889343B2 (ja) * 2001-09-21 2007-03-07 株式会社東芝 可変フィルタ
JP2007243200A (ja) * 2002-11-11 2007-09-20 Seiko Epson Corp 圧電体デバイス、液体吐出ヘッド、強誘電体デバイス及び電子機器並びにこれらの製造方法
JP2004221128A (ja) * 2003-01-09 2004-08-05 Murata Mfg Co Ltd 可変容量素子
JP2004235362A (ja) * 2003-01-29 2004-08-19 Kyocera Corp 可変容量素子の容量調整方法、共振回路の共振周波数調整方法及びフィルタの帯域調整方法
US7479847B2 (en) * 2003-11-20 2009-01-20 Panasonic Corporation Filter using piezoelectric resonator
EP1533897A3 (en) 2003-11-20 2010-06-30 Panasonic Corporation Filter using piezoelectric resonator
JP2008054046A (ja) 2006-08-24 2008-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電フィルタ及びそれを用いた共用器、通信機器
JP5208349B2 (ja) * 2004-09-03 2013-06-12 富士通株式会社 容量素子とその製造方法
JP4432972B2 (ja) * 2004-09-10 2010-03-17 株式会社村田製作所 圧電薄膜共振子
JP4315174B2 (ja) * 2006-02-16 2009-08-19 セイコーエプソン株式会社 ラム波型高周波デバイスの製造方法
JP4627269B2 (ja) * 2006-02-24 2011-02-09 日本碍子株式会社 圧電薄膜デバイスの製造方法
KR100719123B1 (ko) * 2006-07-27 2007-05-18 삼성전자주식회사 멀피 밴드 필터모듈 및 그 제조방법
JP2008085081A (ja) * 2006-09-27 2008-04-10 Kyocera Corp 可変容量コンデンサ
JP2008277425A (ja) * 2007-04-26 2008-11-13 Kyocera Corp コンデンサ
FR2922696B1 (fr) * 2007-10-22 2010-03-12 St Microelectronics Sa Resonateur a ondes de lamb
JP2009130831A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Samsung Electronics Co Ltd チューナブルフィルタ
JP2010053399A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Tokyo Institute Of Technology チューナブル素子およびその製造方法
JP2010187373A (ja) * 2009-01-19 2010-08-26 Ngk Insulators Ltd 複合基板及びそれを用いた弾性波デバイス
JP5673796B2 (ja) * 2010-04-28 2015-02-18 株式会社村田製作所 アニオン制御された誘電特性を有するペロブスカイト材料の製造方法、およびそれを用いた薄膜コンデンサ装置の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100407574C (zh) * 2000-04-06 2008-07-30 Nxp股份有限公司 可调谐滤波器装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2012114931A1 (ja) 2014-07-07
JP5825411B2 (ja) 2015-12-02
WO2012114931A1 (ja) 2012-08-30
EP2680285A1 (en) 2014-01-01
JP2015008509A (ja) 2015-01-15
US20130342285A1 (en) 2013-12-26
US9230745B2 (en) 2016-01-05
EP2680285A4 (en) 2017-09-13
CN103392213A (zh) 2013-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103392213B (zh) 可变电容元件以及可调谐滤波器
USRE47989E1 (en) Acoustic wave device
US11018652B2 (en) Tunable resonator element, filter circuit and method
US9691963B2 (en) Capacitive coupled resonator and filter device with comb electrodes and support pillars separating piezoelectric layer
CN106664068B (zh) 带通滤波器以及滤波器模块
US7786825B2 (en) Bulk acoustic wave device with coupled resonators
US10249812B2 (en) Filter and multiplexer
US9595939B2 (en) Reactance filter having a steep edge
CN105474541B (zh) 可调谐滤波器
KR102025982B1 (ko) 튜닝 가능 공진기 소자, 필터 회로 및 방법
CN104660211B (zh) 声波滤波器和双工器
CN103959647A (zh) 梯型弹性波滤波器和利用该梯型弹性波滤波器的天线共用器
US9698754B2 (en) Capacitive coupled resonator and filter device with comb electrodes and support frame separation from piezoelectric layer
US10476481B2 (en) Acoustic filtering circuitry including capacitor
WO2009041995A1 (en) Methods of contacting the top layer of a baw resonator
JP2002198777A (ja) 圧電共振子を含むフィルタ構造および構成
EP1992023A2 (en) Switchable tunable acoustic resonator using bst material
CN107005227A (zh) 弹性波装置
CN110063024B (zh) 弹性波装置
CN108023561A (zh) 包括体声波谐振器的滤波器
WO2007066608A1 (ja) 複合フィルタ
WO2010004534A1 (en) Bulk acoustic wave resonator using acoustic reflector layers as inductive or capacitive circuit element
US11646715B2 (en) Filter device, RF front-end device and wireless communication device
JP2018182455A (ja) 弾性波フィルタおよびマルチプレクサ
JP2021136613A (ja) 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant