JPH10270979A - 保護音響ミラーを含む頂部を有するバルク型音波（ｂａｗ）フィルタ - Google Patents

保護音響ミラーを含む頂部を有するバルク型音波（ｂａｗ）フィルタ

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 共振層の汚染を防止することの出来る構造を
有するバルク型音波（ＢＡＷ）フィルタを提供する。 【解決手段】 基板上に配置された少なくとも１つの共
振器構造と、この共振器構造上に配置された音響ミラー
とを有するバルク型音波（ＢＡＷ）フィルタ。この音響
ミラーは複数の層を含んでいる。音響ミラーは、共振器
により生成された音響振動が音響ミラーの上面を越えた
場所に到達するのを実質的に防止するものである。音響
ミラーは、環境汚染物質が共振器に接触することも防止
する。表面取り付けすることのできるＢＡＷコンポーネ
ントも開示されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バルク型音波（Bu
lk Acoustic Wave（ＢＡＷと略記））フィルタに係り、
特に、音響ミラーを有するＢＡＷフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】表面取り付け技術（Surface Mount Tech
nology（ＳＭＴと略記）を使って集積回路を組み立てる
技術が知られている。この技術を実施するには、例え
ば、基板へのハンダクリームの塗布、この基板への回路
コンポーネントの配置、ハンダ付け、及び清掃を含む種
々の工程を必要とする。これらの工程を実行するとき、
例えば、ハンダ、溶剤、或いは組立プロセス中に回路コ
ンポーネントを汚染する可能性のあるその他の種類の材
料から回路コンポーネントを保護することがしばしば必
要となる。
【０００３】無線通信装置に小型で高性能のフィルタを
使う必要があるために表面弾性波（Surface Acoustic W
ave （ＳＡＷ））フィルタが広く使われるようになって
いる。当業者に知られているように、組立中及びその後
の使用の際に通常はＳＡＷフィルタの層の表面を外部の
汚染物質から保護する必要がある。組立時にこれらの層
の表面を保護する１つの公知の方法は、例えば、密封環
境でフリップチップ技術を使ってフィルタを組み立てる
ことを含む。この手法を実行すると時間がかかることが
わかる。
【０００４】ＳＡＷフィルタの層表面を保護するもう一
つの公知方法は密封されるセラミック・パッケージにＳ
ＡＷフィルタを封入することを含む。この様に封入した
後、そのＳＡＷフィルタを回路基板に表面取り付けする
ことができる。残念なことに、パッケージのコストが全
体としての製造コストを著しく増大させる可能性があ
り、この手法は高コストとなりがちである。
【０００５】幸いなことに、他の種類の高性能音響フィ
ルタ即ちバルク型音波（ＢＡＷ）フィルタを使用するこ
とによって、密封セラミック・パッケージ及び／又は密
封環境を使用することに伴う欠点を回避することができ
る。ＢＡＷフィルタは、通常、数個のＢＡＷ共振器を含
んでいる。ＢＡＷフィルタでは、音波はこのフィルタの
層表面に対して垂直な方向に伝播する。対照的に、ＳＡ
Ｗフィルタの中を伝播する音波はこのフィルタの層表面
に平行に伝播する。その結果として、当業者なら分かる
ように、ＳＡＷフィルタの性能は、その層表面が汚染さ
れたり外部の要素によって傷つけられたりすると、同様
に汚染されたＢＡＷフィルタの性能よりも悪くなりそう
である。
【０００６】ＢＡＷフィルタは、種々の公知の種類のＢ
ＡＷ共振器を含むように製造され得るものである。それ
らの公知の種類のＢＡＷ共振器は３つの基本部分から成
る。そのうちの第１の部分は、音波を発生させるために
使用されるものであって、音響活動性の圧電層を含んで
いる。この層は、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、或いはそ
の他の、薄膜として製造することのできる適当な圧電材
料から成る。第２の部分は、前記圧電層の両面に形成さ
れる電極を含む。ＢＡＷ共振器の第３の部分は、圧電層
により生成される振動から基板を音響的に絶縁させるた
めのメカニズムを含む。通常は、ＢＡＷ共振器は、薄膜
技術（例えば、スパッタリング、化学蒸着、など）によ
り、シリコン、ガリウム砒素、或いはガラスの基板の上
に作られる。ＢＡＷ共振器は、例えば水晶共振子のそれ
に似ている直列共振及び並列共振を示す。ＢＡＷ共振器
の共振周波数は、通常、デバイスの層の厚みにより約
０．５ＧＨｚから５ＧＨｚの範囲にある。
【０００７】当業者であれば分かるであろうが、ＢＡＷ
フィルタを形成する層のうちの少なくともいずれかは空
気にさらされることがある。汚染性の或いは有害な外来
の物質がそれらの層のいずれかに接触すると、ＢＡＷフ
ィルタの性能が低下する可能性がある。この問題を回避
するために、それらの層は通常は反密封性のパッケージ
を用いて保護される。従って、それらの表面を保護する
ための新規で安価な技術を提供することが望ましい。ま
た、公知の種類のＢＡＷフィルタの層及び空気界面に取
って代わる、音波を反射するための境界面を設けるよう
にＢＡＷフィルタを製造することも望ましい。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、バル
ク型音波（ＢＡＷ）フィルタの共振層を汚染したり或い
はこの共振層に有害な影響を及ぼしたりする可能性のあ
る物質にこの共振層がさらされるのを防止するための安
価な方法を提供することである。
【０００９】本発明の他の目的は、ＢＡＷフィルタの中
から発生した音波がそれを越えて伝播しないようにこの
音波を反射する保護層を提供することである。
【００１０】本発明の他の目的は、表面取り付けするこ
とのできるＢＡＷ装置を提供することである。
【００１１】本発明のその他の目的及び利点は、図面と
以下の解説とを考察すれば明らかとなる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に従って構成され
た保護性の音響ミラーを含む頂部を有するバルク型音波
（ＢＡＷ）フィルタによって上記の課題及びその他の課
題が解決され、本発明の目的が実現される。
【００１３】本発明の１実施例では、ＢＡＷフィルタ
は、基板と、この基板の上に配置された第１音響ミラー
とを有する。この実施例では、この第１音響ミラーの表
面上に複数の共振器が互いに隣り合って配置される。第
２音響ミラーがその複数の共振器上に配置され、保護パ
ッシベーション層がこの第２音響ミラーの上に置かれ
る。
【００１４】第２音響ミラーは３つの層、即ち上層、中
層、及び下層から成る。これらの層は、各々、例えば四
分の一波長にほぼ等しい厚みを有する。上層及び下層
は、例えば、シリコン（Ｓｉ）、ポリシリコン、アルミ
ニウム（Ａｌ）、或いはポリマなどの、音響インピーダ
ンスの低い物質から、好ましくは、構成される。中層
は、例えば、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、或いは
タングステン（Ｗ）などの、音響インピーダンスの高い
物質から、好ましくは構成される。保護パッシベーショ
ン層は、二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）、エポキシ、“グロッ
プトップ（glop top) ”材料（例えば、加熱後に硬化す
る、エポキシをベースとした粘性流体）、或いはその他
の適当な保護性の材料で構成され得るものである。
【００１５】複数の共振器はＢＡＷ共振器である。この
共振器の各々は、第１音響ミラーのの上に位置する第１
の下側電極と、この下側電極と第１音響ミラーの一部分
との上に位置する圧電層と、この圧電層の種々の部分と
第１音響ミラーの一部分の上に形成される第２の上側電
極とを有する。第１の共振器の上側電極の一部分は、接
点パッドを設けるために露出される。同様に、第２の共
振器の上側電極の一部分も第２の接点パッドを設けるた
めに露出される。本発明の１実施例では、１つ以上の接
地パッドも設けられ、第１音響ミラー上に配置される。
接地パッドは、第３の共振器の上側電極と第４の共振器
の下側電極とに電気的に結合される。本発明のこの実施
例でも、第１共振器の下側電極は第２共振器及び第３共
振器の各々の下側電極に電気的に結合され、第４共振器
の上側電極は第２共振器の上側電極に結合される。
【００１６】本発明の他の実施例では、第２音響ミラー
は各ＢＡＷ共振器の上側電極の上面を完全に覆い、ＢＡ
Ｗフィルタには露出された接点パッドは設けられない。
この実施例のＢＡＷフィルタは、ＢＡＷフィルタの外面
に形成される接点（即ち、電極）を包含する。本発明の
好ましい実施例では、１つの接点が第１共振器の上側電
極に電気的に結合され、もう一つの接点が第２共振器の
上側電極に電気的に結合され、もう一つの接点が第３共
振器の上側電極と第４共振器の下側電極とに電気的に結
合される。本発明のもう一つの実施例では、追加の接点
が設けられ、それも第３共振器の上側電極と第４共振器
の下側電極とに電気的に結合される。この接点はＢＡＷ
フィルタを外部の回路に電気的に接続することを可能に
し、更にＢＡＷフィルタを配線基板に表面取り付けする
ことを可能にする。
【００１７】本発明のもう一つの実施例では、積み重ね
水晶構造を有するＢＡＷフィルタが設けられる。この種
のフィルタは積み重ね水晶フィルタ（Stacked Crystal
Filter（ＳＣＦと略記））と呼ばれる。このＳＣＦは、
基板と、第１の、下側の音響ミラーと、第２の、上側の
音響ミラーと、上記のものと同様の保護パッシベーショ
ン層とを包含する。ＳＣＦは、第１の、下側の共振器
と、第２の上側の共振器とも有する。その下側の共振器
は、下側の音響ミラーの上に配置される。上側の共振器
は第１共振器の上に配置され、この様にして共振器の積
み重ね構造が形成される。第１の、下側の共振器は、圧
電層と、下側電極と、グランド電極とを包含している。
圧電層は、グランド電極のいろいろな部分と下側電極と
の間に位置する。第２の、上側の共振器は、グランド電
極と、圧電層と、上側電極とを包含する。圧電層は、グ
ランド電極のいろいろな部分と上側電極との間に配置さ
れる。圧電層と電極とは、上記のものと同様の材料と同
様の厚みとを有する。
【００１８】本発明の１実施例では、第２音響ミラー及
び保護パッシベーション層はＳＣＦの電極の種々の部分
を覆わず、それらの電極の露出した部分は接点パッドを
提供する。本発明の別の実施例では、第２音響ミラーは
それらの電極を完全に覆い、接点はＳＣＦ構造の外面に
設けられ、これによりＳＣＦを外部の回路に結合したり
配線基板に表面取り付けしたりすることができる。
【００１９】ＢＡＷフィルタ内で第２の音響ミラーを使
用すると、従来技術のフィルタと比べて幾つかの利点が
得られる。例えば、本発明の第２音響ミラーは、圧電層
が作り出した音波が第２音響ミラーの上面へ伝播しない
ように音波を反射する。従って、何らかの材料が保護パ
ッシベーション層と接触している場合、反射された音波
はその材料には到達しない。第２音響ミラーを使用する
ことのもう一つの利点は、汚染物が共振器の層と接触す
るのを第２音響ミラーが妨げることである。更に、第２
の音響ミラーを含むＢＡＷ共振器を製造するコストは、
通常は、共振器の層を保護するために半密封パッケージ
などの公知技術を使用するコストよりは相当少ない。
【００２０】本発明は、他の面においては、ＢＡＷフィ
ルタを製造し、それを回路基板上で組み付ける方法を提
供する。この方法は、（Ａ）基板上に第１の、下側の音
響ミラーを形成し、（Ｂ）少なくとも１つの共振器をそ
の下側の音響ミラー上に形成するステップを含む。その
少なくとも１つの共振器は、例えば、下側の音響ミラー
の表面上に配置された複数の隣り合う共振器、又は積み
重ね水晶構造を形成する積み重ね共振器対を包含するこ
とができる。入力パッド、出力パッド、及び接続パッド
を設けるために、共振器の電極のいろいろな部分から接
点パッドを形成することもできる。次のステップ（Ｃ）
は、少なくとも１つの共振器の上に頂部音響ミラーを形
成する工程を含む。この頂部音響ミラーは、上記の第２
音響ミラーと類似するものである。
【００２１】本発明の方法は、更に（Ｄ）頂部音響ミラ
ーの一番上の層の上に保護パッシベーション層を形成し
て、接点パッドが設けられる場合にはステップ（Ｃ）及
び（Ｄ）で形成された層をパターン化して接点パッドの
ための穴を作るステップを含む。保護パッシベーション
層及び接点パッドも、上記のものと同様である。その
後、選択された手法を用いてフィルタを回路基板に組み
付けるステップ（Ｅ）が実行される。選択された組み付
け手法がオンボード組み付け法（an on-board assembly
technique）であるならば、ステップ（Ｆ１）及び（Ｆ
２）が実行される。ステップ（Ｆ１）では、ウェーハを
切断してチップにする。ステップ（Ｆ２）では、接合ワ
イヤでこのチップを回路基板の回路に結合させる。
【００２２】ステップ（Ｅ）で選択される組み付け手法
がフリップチップ法であるならば、ステップ（Ｇ１）及
び（Ｇ２）が実行される。ステップ（Ｇ１）では、例え
ばバンプ金属（a bump metal）の真空蒸着（例えば蒸
発）又はハンダの電気化学メッキ法を使ってハンダ・バ
ンプ（solder bumps）をフィルタの接点パッド上に形成
する。次にウェーハを切断してチップにする。その後、
ブロック（Ｇ２）で、フリップチップ法を用いて、回路
基板の選択された接点にこのチップを結合させる。ステ
ップ（Ｅ）で選択される組み付け手法が表面取り付け法
である場合には、ステップ（Ｈ１）及び（Ｈ２）が実行
される。ステップ（Ｈ１）では、ウェーハを切断してチ
ップにして、フィルタの外面上に接点を形成する。その
後、ステップ（Ｈ２）において、表面取り付け法を用い
てこのチップを回路基板の選択された接点パッドに結合
させる。
【００２３】本発明の上記特徴及びその他の特徴は、添
付図面と関連させて、本発明に関する以下の詳しい解説
を読めば、いっそう明らかとなる。
【００２４】
【発明の実施の形態】ここで、異なる図に現われている
同じ参照符号が付された要素は同じ要素であるが、明細
書では全ての図について引用されるとは限らない。
【００２５】図１及び２に、膜又はブリッジ構造２８を
有するＢＡＷ共振器２０の断面図（横から見た図）及び
上面図がそれぞれ示されている。ＢＡＷ共振器２０は、
圧電層２２、第１保護層３８ｂ、第２保護層３８ａ、第
１電極２４、第２電極２６、膜２８、エッチング窓４０
ａ及び４０ｂ、エアギャップ３４、及び基板３６から成
る。圧電層２２は、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、或い
は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの、薄膜として作る
ことのできる圧電材料から成る。膜２８は２つの層、即
ち、上層３０及び下層３２から成る。上層３０は、例え
ば、ポリシリコン（ポリ−ｓｉ）或いは窒化アルミニウ
ム（ＡｌＮ）から成り、下層３２は例えば二酸化珪素
（ＳｉＯ2 ）或いはガリウム砒素（ＧａＡｓ）から成
る。基板３６は、例えば、シリコン（Ｓｉ），Ｓｉ
Ｏ2 ，ＧａＡｓ、或いはガラスなどの材料から成る。エ
ッチング窓４０ａ及び４０ｂを通して、膜の層が基板３
６に付された後に基板３６の一部分がエッチングされて
エアギャップ３４が形成される。
【００２６】図５を参照すると、ＢＡＷ共振器２１が示
されている。ＢＡＷ共振器２１は図１に示されているも
のと似ているが、犠牲層３９が付加されている。共振器
２１が作られるとき、膜２８が付される前に犠牲層３９
が基板３６の上に付される。共振器の全ての層が形成さ
れた後、エアギャップ３４を形成するためにエッチング
窓４０ａ及び４０ｂを通して犠牲層３９が除去される。
【００２７】共振器２０及び２１の両方で、圧電層２２
は、電極２４及び２６にかけられた電圧に応答して振動
する。膜２８とエアギャップ３４との境界面に達した振
動は、この境界面から反射されて膜２８に戻る。この様
にして、エアギャップ３４は、圧電層２２により生成さ
れた振動を基板３６から絶縁させる。
【００２８】図６に、もう一つのＢＡＷ共振器２３が示
されている。この共振器２３は図１のＢＡＷ共振器２１
と似ている構造を有するけれども、保護層３８ａが１つ
だけ設けられていて膜２８及びエアギャップ３４が音響
ミラー７０に置き換えられている点では異なっており、
この音響ミラーは圧電層２２により生成された振動を音
響的に基板３６から絶縁させるものである。
【００２９】音響ミラー７０は、奇数個の層（例えば、
３〜９層）から成る。図６に示されている音響ミラー７
０は３つの層、即ち上層７０ａ、中層７０ｂ、及び下層
７０ｃから成る。各層７０ａ，７０ｂ及び７０ｃは、例
えば、四分の一波長にほぼ等しい厚みを有する。上層７
０ａ及び下層７０ｃは、例えば、シリコン（Ｓｉ）、ポ
リシリコン、アルミニウム（Ａｌ）、或いはポリマなど
の、音響インピーダンスの低い材料から成る。また、中
層７０ｂは、例えば、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍ
ｏ）、或いはタングステン（Ｗ）などの、音響インピー
ダンスの高い材料から成る。連続する層同士の音響イン
ピーダンスの比は、基板のインピーダンスが低い値に変
換され得るほどに充分に大きい。その結果として、基板
３６をいろいろな高音響インピーダンス材料や低音響イ
ンピーダンス材料（例えば、Ｓｉ，ＳｉＯ2 ，ＧａＡ
ｓ、ガラス、或いはセラミック材料など）で構成するこ
とができる。
【００３０】連続する層同士の音響インピーダンスの比
がどのように基板のインピーダンスを低い値に変換し得
るのかは、音響ミラーの層を模した典型的構造７１を示
す図７を考察すれば分かる。構造７１は、音響ミラー層
のインピーダンスを表わすインピーダンスを有する高イ
ンピーダンス伝送線及び低インピーダンス伝送線の数個
の組Ｌ1,Ｌ2,Ｌ3 …Ｌn-1 を含む。各伝送線は四分の一
波長の長さである。伝送線の組Ｌ1 及びＬ3 は、低イン
ピーダンスを持っていて、例えば、音響ミラー７０の下
層７０ｃ及び上層７０ａを、又はその逆に上層及び下層
を、表わしている。組Ｌ2 の伝送線は高インピーダンス
を有し、例えば、音響ミラー７０の中層７０ｂを表わ
す。基板３６のインピーダンスを表わす負荷インピーダ
ンスＺ2 も示されている。組Ｌn-1 及びＬn も図７に示
されていて、音響ミラー７０に４つ以上の層が含まれる
場合の層を表わしている。符号“ｎ”は偶数を表わす。
隣り合う伝送線の組（例えば、連続する層）の音響イン
ピーダンスの比は、負荷インピーダンスＺ2 を電極２４
と音響ミラー７０の上層７０ａとの境界面でのインピー
ダンスを表わす最小インピーダンスＺ1 に変換するのに
充分な大きさを持っている。しかし、その比が小さい場
合には、負荷インピーダンスＺ2 を最小インピーダンス
に変換するために追加の層が必要である。
【００３１】もう一度図６の装置２３を参照する。圧電
層２２が振動するとき、その振動は電極２４と上層７０
ａとの境界面により基板３６から実質的に絶縁される。
【００３２】音響ミラー７０を構成する層の数は奇数で
あるのが好ましいけれども、場合によっては偶数個の層
を設けてもよいことに留意するべきである。例えば、１
つ以上の粘着性の層を、電極２４と上層７０ａとの間
に、及び／又は基板３６と下層７０ｃとの間に、これら
の層を互いに接着させるために設けることができる。そ
の粘着性の層は任意の適当な接着材料で形成できる。当
業者であれば分かるであろうが、この装置に使用される
接着剤は、例えば、その接着剤の層を囲む層の厚み、そ
の囲む層に含まれる材料の種類、その囲む層を作るため
にために使われる付着プロセスの種類、及び圧電層２２
を形成するときの環境条件（例えば温度）、などのいろ
いろな要素に依存する。
【００３３】図３に、他の種類のＢＡＷ共振器８０の横
断面が示されている。共振器８０は、圧電層８２、上側
電極８４、下側電極８６、膜８８、及び、ヴァイア９２
を有する基板９０から成っている。共振器８０及び共振
器２０は、両方ともに、それぞれの装置の圧電層２２及
び８２が生成した音響振動を空気界面によって反射する
という意味で、同様に機能する。これらの共振器２０及
び８０の主な違いは、それぞれの空気界面を作るために
使われる方法である。例えば、共振器８０では、層８
４，８６，８２、及び８８の全てが形成された後に、基
板の一部分が基板９０の下からエッチングにより除去さ
れてヴァイア９２が形成される。
【００３４】図４は他の種類の共振器８０’を示してお
り、この共振器は、上層８４’と、圧電層８２’と、下
側電極８６’と、ヴァイア９２’及び膜８８’を含む基
板９０’とから成っている。膜８８’は、基板９０’の
材料の一部を下から除去することによって形成される。
共振器８０’は図３の共振器８０と同様に機能する。
【００３５】上記の共振器を形成する層のうちの少なく
とも一部は空気にさらされてもよい。
【００３６】本発明は、ＢＡＷフィルタの層の表面を保
護するための新規で安価な手法を開発した。その手法
は、露出する共振器の層の表面が汚染されたり傷ついた
りするのを防止するための、現在利用できる手法を使用
することに伴う大きなコストを回避する。本発明の手法
では、公知の種類のＢＡＷ共振器の空気界面に取って代
わる、音波を反射する境界面が設けられることとなるよ
うにＢＡＷフィルタを製造することが可能である。
【００３７】本発明に従って構成されたバルク型音波
（ＢＡＷ）フィルタの上面を示す図９と、図９の線８−
８に沿って描かれたフィルタ１の横断面の側面を示す図
８を見ると本発明の１実施例を理解することができる。
始めに図８を参照すると、ＢＡＷフィルタ１は、基板１
３と、基板１３の上に位置する第１音響ミラー１７と、
第１共振器７と、第２共振器１２とから成っている。第
１共振器７及び第２共振器１２は第１音響ミラー１７の
上に位置している。第２音響ミラー１８は第１及び第２
の共振器７及び１２の上に配置されている。また、図８
及び図９には示されていないけれども、第２音響ミラー
１８を第１音響ミラー１７の一部分の上に配置すること
もできる。保護パッシベーション層３が第２音響ミラー
１８の上に配置されている。
【００３８】第１の、下側の音響ミラー１７は３つの
層、即ち、上層１４、中層１５、及び下層１６から成っ
ている。各層１４，１５及び１６は、例えば、ＢＡＷフ
ィルタ１の共振周波数での四分の一波長にほぼ等しい厚
みを有する。上層１４及び下層１６は、例えば、シリコ
ン（Ｓｉ）、ポリシリコン、アルミニウム（Ａｌ）、又
はポリマなどの、音響インピーダンスの低い材料で構成
される。また、中層１５は、例えば、金（Ａｕ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）、又はタングステン（Ｗ）などの、音響
インピーダンスの高い材料で構成される。従って、中層
１５の音響インピーダンスは上層１４の音響インピーダ
ンスより大きい。同様に、中層１５の音響インピーダン
スは下層１６の音響インピーダンスより大きい。
【００３９】好ましくは、層１５の音響インピーダンス
の、層１４のそれに対する比と、層１５の音響インピー
ダンスの、層１６のそれに対する比とは、基板１３のイ
ンピーダンスが低い値に変換されるのを可能にするほど
に充分に大きい。しかし、例えば、これらの層１４，１
５、及び１６を形成するのに使われる材料が、それらの
比を、基板１３のインピーダンスを所望の低い値に変換
するのに必要な比より小さくするような材料である場合
には、このインピーダンスを所望の低い値に変換するた
めに第１音響ミラー１７の中に追加の層を設けることが
できる。第１音響ミラー１７の中には奇数個の層が含ま
れているのが好ましいけれども、実際上は、必要なら
ば、下側電極１９を上層１４にしっかりと接着させ、且
つ／又は下層１６を基板１３にしっかりと接着させるた
めに、１つ以上の接着剤層を設けてもよい。上記のよう
に、例えば、その接着剤の層を囲む層の厚み、その囲む
層に含まれる材料の種類、その囲む層を作るためにため
に使われる付着プロセスの種類、及び圧電層２２を付け
るときの環境条件（例えば温度）、などのいろいろな要
素に依存して、接着剤層は随意の適当な接着材料を含む
ことができる。しかし、共振器の層は付着された後に互
いにしっかりと接着し合うので接着剤層は設ける必要は
ない。
【００４０】共振器７及び１２のうちの少なくとも一方
が振動させられる時、その振動は第１音響ミラー１７に
よって基板１３から実質的に絶縁される。振動がこの様
に絶縁され、ＢＡＷフィルタ１の製作時に基板１３をエ
ッチングする必要がないので、例えばＳｉ，ＳｉＯ２，
ＧａＡｓ、ガラス、或いはセラミック材料などの、イン
ピーダンスの低いいろいろな材料で基板１３を構成する
ことができる。しかし、第１音響ミラー１７の層１４，
１５、及び１６を介してインピーダンス変換が行われる
ので、基板１３を高インピーダンス材料で構成すること
もできる。
【００４１】本発明のこの実施例では、第２の、上側或
いは頂部の音響ミラー１８も、３つの層、即ち、上層
４，中層５、及び下層６から成っている。これらの層
は、各々、例えば四分の一波長にほぼ等しい厚みを持っ
ている。上層４及び下層６は、例えば、シリコン（Ｓ
ｉ）、ポリシリコン、アルミニウム（Ａｌ）、或いはポ
リマなどの、音響インピーダンスの低い材料から成る。
また、中層５は、例えば、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍ
ｏ）、或いはタングステン（Ｗ）などの、音響インピー
ダンスの高い材料から成る。ＢＡＷフィルタ１の頂部を
保護する保護パッシベーション層３は、０．２μｍ又は
それ以上の厚みを有する。保護パッシベーション層は、
例えば、エポキシ、ＳｉＯ2 、“グロップトップ（glop
top) ”材料（例えば、加熱後に硬化する、エポキシを
ベースとした粘性流体）、或いはその他の適当な保護性
の材料で構成され得るものである。第２音響ミラー１８
で３つの層が使用されているのは例示にすぎなくて、前
述したように、もっと多数の奇数個の層を使用すること
もできる。また、下層６を共振器７及び１２の上面にし
っかりと接着させるために、且つ／又は上層４を保護パ
ッシベーション層３にしっかりと接着させるために、必
要に応じて１つ以上の接着剤層を設けてもよい。
【００４２】第１及び第２の共振器７及び１２はＢＡＷ
共振器である。これらの共振器７及び１２は、各々、
（１）第１音響ミラー１７の上に位置する下側電極１９
のそれぞれの部分と、（２）下側電極１９のそれぞれの
部分と第１音響ミラー１７のそれぞれの部分との上に位
置する圧電層９と、（３）圧電層９の部分と第１音響ミ
ラー１７のそれぞれの部分の上とに形成された上側電極
８とを含んでいる。第１共振器７の上側電極８の一部分
は、第２音響ミラー１８により覆われてはおらず、また
保護パッシベーション層３によっても覆われてはいなく
て、第１接点パッド１０を設けるために露出されてい
る。同様に、第２共振器１２の上側電極８の一部分は、
第２音響ミラー１８により覆われてはおらず、また保護
パッシベーション層３によっても覆われてはいなくて、
第２接点パッド１１を設けるために露出されている。ま
た、図９を参照すると、共振器１２のこの上側電極８の
もう１つの部分は、後述する共振器１２’の上側電極を
形成している。
【００４３】ＢＡＷフィルタ１の接点パッド１０は、フ
ィルタ１の入力及び出力をそれぞれ提供する。接点パッ
ド１０及び１１により、ワイヤ又はハンダ接合或いはそ
の他の適当な手法を用いてＢＡＷフィルタ１を外部回路
に電気的に結合させることができる。例えば、図１１を
参照すると、接合ワイヤ１１２を介して接点パッド１０
及び１１を回路基板１０６のそれぞれの接点パッド１０
２ａ及び１０２ｂに結合させることができる。また、例
えば、図２４を参照すると、フリップチップ法によりハ
ンダ・バンプ１１４を介して接点パッド１０及び１１を
回路基板１０６の接点パッド１０２ａ及び１０２ｂに結
合させることができる。
【００４４】図９を参照すると、フィルタ１は第１及び
第２の共振器７及び１２の他に第３共振器７’及び第４
共振器１２’も含んでいる。第３及び第４の共振器７’
及び１２’は共振器７及び１２と同様のコンポーネント
から構成されている。図９にはグランド接点パッド
（Ｇ）も示されている。グランド接点パッド（Ｇ）は、
第３共振器７’の上側電極８に接続されていて、第２音
響ミラー１８によっても保護パッシベーション層３によ
っても覆われていない。グランド接点パッド（Ｇ）は、
第４共振器１２’の下側電極１９の一部分にも結合され
ている。図９から分かるように、フィルタ１は梯子の形
態を有する。フィルタ１の略図が図１１に示されてい
る。
【００４５】フィルタ１は他の形態を持っていてもよ
い。例えば、図１０は、本発明の他の実施例に従って構
成されたフィルタ１ａの横断面を示す上面図である。本
発明のこの実施例では、フィルタ１ａは図９に示されて
いるフィルタ１と同様のコンポーネントから構成されて
いるけれども、単一のグランド接点パッド（Ｇ）の替わ
りに２つのグランド接点パッド（Ｇ１）及び（Ｇ２）が
設けられている点で異なっている。グランド接点パッド
（Ｇ１）及び（Ｇ２）は、第２音響ミラー１８によって
も保護パッシベーション層３によっても覆われてはいな
い。両方のグランド接点パッド（Ｇ１）及び（Ｇ２）が
共振器７’の上側電極８と共振器１２’の下側電極１９
とに結合されている。フィルタ１ａの略図が図１２に示
されている。
【００４６】図１３及び図１４は、本発明のもう一つの
実施例に従って構成されたＢＡＷフィルタ２の、それぞ
れ、横断面の側面図及び横断面の上面図を示す。図１３
及び図１４のＢＡＷフィルタ２は、図８及び図９のＢＡ
Ｗフィルタ１と同様の層から成っている。しかし、本発
明のこの実施例では、図８及び図９の接点パッド１０，
１１及び（Ｇ）を形成した電極の部分は第２音響ミラー
１８によって完全に覆われている（このことは共振器
７’及び１２’については図示されていない）。従っ
て、露出した接点パッド１０，１１及び（Ｇ）は設けら
れていない。しかし、ＢＡＷフィルタ２は、ＢＡＷフィ
ルタ２の外面上に配置された接点（即ち電極）１９ａ，
１９ｂ、及び１９ｃを含んでいる。
【００４７】図１６は、ＢＡＷフィルタ２の斜視図であ
り、共振器７’及び１２’を含むフィルタ２の領域から
上側の音響ミラー１８及び保護層３が除去されている
（共振器７’及び１２’の圧電層９と上側電極８と下側
電極１９とだけが図１６に示されている）。接点１９ａ
及び１９ｂはＢＡＷフィルタ２の対向する外面に配置さ
れ、接点１９ｃはＢＡＷフィルタ２の他の外面上に配置
されている。接点１９ａ及び１９ｂは、保護パッシベー
ション層３、第１及び第２の音響ミラー１７及び１８、
基板１３のそれぞれの部分と、共振器７及び１２の一方
の電極８の一部分とに隣接している。接点１９ａは第１
共振器７の上側電極８に電気的に結合され、接点１９ｂ
は第２共振器１２の上側電極８に電気的に結合されてい
る。
【００４８】接点１９ｃは、保護パッシベーション層
３、第１及び第２の音響ミラー１７及び１８、及び基板
１３のそれぞれの部分に隣接しており、第３共振器７’
の上側電極８と第４共振器１２’の下側電極１９とに電
気的に結合されている。各接点１９ａ，１９ｂ、及び１
９ｃは、例えば金（Ａｕ）などの電導性の材料で構成さ
れる。接点１９ａ，１９ｂ、及び１９ｃにより、ＢＡＷ
フィルタ２を外部の回路に電気的に結合させることがで
きる。
【００４９】接点１９ａ，１９ｂ、及び１９ｃを配置し
てあるために、表面取り付け法によってＢＡＷフィルタ
２を回路基板に取り付けることができるので、回路組立
を簡単化することができる。例えば、図１８、図２１、
及び図２２を参照すると（図２１、図２２はＢＡＷフィ
ルタ２の横断面を表わす）、接点１９ａ，１９ｂ、及び
１９ｃを回路基板１０６のそれぞれの接点パッド１０２
ａ，１０２ｂ、及び１０２ｃにハンダ付けすることによ
ってＢＡＷフィルタ２を回路基板１０６に表面取り付け
することができる。これにより接点１９ａ，１９ｂ、及
び１９ｃを回路基板の配線１００に電気的に結合させる
ことができる。接点１９ａ，１９ｂ、及び１９ｃは、更
に、組立時及びその後の使用の際に遭遇する可能性のあ
る例えばハンダ１０４又は溶剤などの環境汚染物質から
ＢＡＷフィルタ２を少なくとも部分的に絶縁させるのに
役立つことも分かる。
【００５０】ＢＡＷフィルタ２は他の形態を持つことも
できる。図１５は、本発明のもう一つの実施例に従って
構成されたＢＡＷフィルタ２ａの断面を上から見た図で
ある。図１５の線１３−１３に沿って描かれたＢＡＷフ
ィルタ２ａの断面を横から見た図が図１３に示されてい
る。ＢＡＷフィルタ２ａは図８及び図１０のＢＡＷフィ
ルタ１ａと同様の層から形成されている。しかし、本発
明のこの実施例では、図８及び図１０の接点パッド１
０，１１，（Ｇ１）、及び（Ｇ２）を形成した電極の部
分は第２音響ミラー１８によって完全に覆われており
（このことは共振器７’及び１２’については図示され
ていない）、露出した接点パッド１０，１１，（Ｇ
１）、及び（Ｇ２）は設けられていない。
【００５１】図１７は、ＢＡＷフィルタ２ａの斜視図で
あり、上側の音響ミラー１８と保護層３とは、共振器
７’及び１２’を含むフィルタ２ａの領域から除去され
ている。ＢＡＷフィルタ２ａは、上記のものと同様の接
点１９ａ及び１９ｂを含んでおり、更に接点１９ｄ及び
１９ｅも含んでいる。接点１９ａ及び１９ｂはフィルタ
２ａの対向する外面上に配置されており、接点１９ｄ及
び１９ｅもフィルタ２ａの対向する外面上に配置されて
いる。接点１９ａ，１９ｂ，１９ｄ、及び１９ｅは、例
えば金（Ａｕ）などの電導性の材料から成っている。接
点１９ａは第１共振器７の上側電極８に電気的に結合さ
れ、接点１９ｂは第２共振器１２の上側電極８に電気的
に結合されている。また、接点１９ｄ及び１９ｅは、各
々、第３共振器７’の上側電極８と第４共振器１２’の
下側電極１９とに電気的に結合されている。接点１９
ａ，１９ｂ，１９ｄ、及び１９ｅにより、ＢＡＷフィル
タ２を外部の回路に電気的に結合させることができる。
【００５２】接点１９ａ，１９ｂ，１９ｄ、及び１９ｅ
を配置してあるので、ＢＡＷフィルタ２ａを表面取り付
け法によって回路基板に取り付けることができ、これで
回路の組立工程を簡単化することができることが分か
る。例えば、図１９、図２１、及び図２２を参照すると
（図２１及び図２２はＢＡＷフィルタ２ａの断面を表わ
す）、接点１９ａ，１９ｂ，１９ｄ、及び１９ｅを回路
基板１０６のそれぞれの接点パッド１０２ａ，１０２
ｂ，１０２ｄ、及び１０２ｅにハンダ付けすることによ
ってＢＡＷフィルタ２ａを回路基板１０６に表面取り付
けすることができる。これにより、接点１９ａ，１９
ｂ，１９ｄ、及び１９ｅを回路基板の配線１００に電気
的に結合させることができる。接点１９ａ，１９ｂ，１
９ｄ、及び１９ｅは、更に、組立時及びその後の使用の
際に遭遇する可能性のある例えばハンダ１０４又は溶剤
などの環境汚染物質からＢＡＷフィルタ２ａを少なくと
も部分的に絶縁させるのに役立つことも分かる。
【００５３】図２５−図２７は、本発明のもう一つの実
施例、即ち、積み重ねフィルタ構造を有するＢＡＷフィ
ルタ１１６を表わす図である。フィルタ１１６は“積み
重ね水晶フィルタ”（ＳＣＦと略記）とも呼ばれる。Ｓ
ＣＦは２部分装置であって、直列共振のみを示す。ＳＣ
Ｆ１１６は、基板１３と、第１の、下側の音響ミラー１
７と、第２の、上側の音響ミラー１８と、保護パッシベ
ーション層３とを含んでおり、これらは上記のものと同
様のものである。ＳＣＦ１１６は、第１の、下側の共振
器１１１、及び、第２の、上側の共振器１０９も有す
る。下側電極１１１は下側の音響ミラー１７の上に配置
されている。上側電極１０９は、第１共振器１１１の上
に配置され、この様にして共振器の積み重ね構造が形成
されている。
【００５４】第１の、下側の共振器１１１は、圧電層１
１０、下側電極１９、及びグランド電極８’を含んでい
る。圧電層１１０は、グランド電極８’の幾つかの部分
と電極１９との間に位置している。第２の、上側の共振
器１０９はグランド電極８’と、圧電層１０８と、上側
電極８とを含んでいる。圧電層１０８は、グランド電極
８’の幾つかの部分と上側電極８との間に配置されてい
る。圧電層１０８及び１１０及び電極８，８’、及び１
９は、上記のものと同様の材料から成っていて、上記の
ものと同様の厚みを持つことができる。
【００５５】第２音響ミラー１８は、共振器積み重ね構
造と第１音響ミラーの幾つかの部分とを覆っている。図
２５から分かるように、グランド電極８’の一部分は、
第２音響ミラー１８によっても、また保護パッシベーシ
ョン層３によっても覆われていなくて、グランド接点パ
ッド８''を設けるために露出されている。同様に、図２
７から分かるように、上側電極８及び下側電極１９の一
部分も、第２音響ミラー１８によっても、また保護パッ
シベーション層３によっても覆われていなくて、第１及
び第２の接点パッド１０及び１１をそれぞれ設けるため
に露出されている。接点パッド８”、１０及び１１によ
り、ワイヤ接合又はハンダ接合、或いはその他の適当な
手法を用いてＳＣＦ１１６を外部の回路に電気的に結合
させることができる。例えば、図２９を参照すると、接
合ワイヤ１１２を介して接点パッド１０及び１１を回路
基板１０６のそれぞれの接点パッド１０２ａ及び１０２
ｂに結合させることができる。また、例えば、図３０を
参照すると、フリップチップ法を用いてハンダ・バンプ
１１４を介して接点パッド１０及び１１を回路基板１０
６の接点パッド１０２ａ及び１０２ｂに結合させること
ができる。図２９及び図３０には示されていないけれど
も、ＳＣＦ１１６の接点パッド８''をこれらの手法を用
いて回路基板１０６に結合させることもできる。
【００５６】図２８は、本発明のもう一つの実施例に従
って構成されたＳＣＦ１１８の断面を示している。ＳＣ
Ｆ１１８は図２５−図２７のＳＣＦ１１６と同様の構造
を持っている。しかし、本発明のこの実施例では、ＳＣ
Ｆ１１６の接点パッド１０，８''、及び１１を形成した
電極８，８’、及び１９の部分は、第２音響ミラー１８
によって完全に覆われている。従って、露出した接点パ
ッド１０，８''、及び１１は設けられていない。しか
し、ＳＣＦ１１８は、ＳＣＦ１１８の対向する外面上に
配置された接点１９ａ及び１９ｂ（即ち、電極）を包含
している。各接点１９ａ及び１９ｂは、保護パッシベー
ション層３、第１及び第２の音響ミラー１７及び１８、
基板１３のそれぞれの部分に隣接するとともに、電極８
及び１９のそれぞれの部分に隣接している。各接点１９
ａ及び１９ｂは、例えば金（Ａｕ）で構成される。接点
１９ａは下側電極１９に電気的に結合され、接点１９ｂ
は上側電極８に電気的に結合されている。接点１９ａ及
び１９ｂにより、ＳＣＦ１１８を外部の回路に電気的に
結合させることができる。例えば、図３１を参照する
と、接点１９ａ及び１９ｂによりＳＣＦを回路基板１０
６に表面取り付けすることができる。接点１９ａ及び１
９ｂを回路基板１０６のそれぞれの接点パッド１０２ａ
及び１０２にハンダ付けし、これにより接点１９ａ及び
１９ｂを回路基板の配線１００に電気的に結合させるこ
とによって、この表面取り付けを実現することができ
る。また、接点１９ａ及び１９ｂは、更に、組立時及び
その後の使用の際に遭遇する可能性のある例えばハンダ
１０４又は溶剤などの環境汚染物質からＳＣＦ１１８を
少なくとも部分的に絶縁させるのに役立つことも分か
る。
【００５７】以上に、本発明の幾つかの実施例について
説明をしたけれども、上記のＢＡＷフィルタ１，１ａ，
２、及び２ａ、及びＳＣＦ１１６及び１１８は、具体的
アプリケーションに必要なフィルタの性能に依存して、
上記の圧電層及び電極より多数の或いは少数の圧電層及
び電極を持ってもよいことに注意しなければならない。
また、これらの装置の第１及び第２の音響ミラー１７及
び１８は各々４層以上の層から成っていてもよい。例え
ば、連続する層が高インピーダンス及び低インピーダン
スを交互に持つように全ての層が排列される限りは、第
１及び第２の音響ミラー１７及び１８は各々追加の２
層、４層、６層、或いはもっと多くの層を持つことがで
きる。また、上側の音響ミラー１７及び下側の音響ミラ
ー１８をフィルタ構造のそれぞれの部分にしっかり接着
させるために、必要ならば接着剤層を設けてもよい。上
記のＢＡＷフィルタ１，１ａ, ２、及び２ａの形態は本
発明の範囲を限定することを意図したものではなくて、
他の形態を設けることもできることに更に注意しなけれ
ばならない。例えば、ＢＡＷフィルタ１，１ａ, ２、及
び２ａは、上記の共振器、接点パッド、及び／又は外部
接点より多数の或いは少数の共振器、接点パッド、及び
／又は外部接点を包含することができる。
【００５８】第２の（即ち、上側の）音響ミラーを用い
ると、例えば図６に示されているような、音響ミラーを
１つだけ包含している装置と比べて幾つかの利点が得ら
れる。第２音響ミラーを採用することの１つの利点は、
以下の解説から分かる。
【００５９】例えば、ＢＡＷフィルタ１，１ａ, ２、及
び２ａの共振器７，１２，７’、及び１２’のいずれか
１つの上側電極８と下側電極１９とに電圧をかけると、
伝場がこれらの電極８及び１９の間に生じて圧電層９を
振動させる。同様に、ＳＣＦ１１６及び１１８のいずれ
か１つの電極８及び１９に電圧をかけると、これらの共
振器８及び１９の各々とグランド電極８’との間に電場
が生じて圧電層１０８及び１１０を振動させる。その結
果として、これらのフィルタ内で振動している各圧電層
からそれぞれのフィルタの第１の、下側の音響ミラー１
７に向かう方向に音波が伝播する。少なくとも部分的に
は第１音響ミラー１７の層１４，１５、及び１６のイン
ピーダンスに起因して、第１音響ミラー１７は、それら
の音響振動の少なくとも一部分を、基板１３に向かわな
い方向へ反射する。その結果として、音波のうちの反射
された部分は基板１３には到達しない。この様にして、
第１音響ミラー１７は、それぞれのフィルタ１，１ａ,
２，２ａ, １１６、及び１１の中で振動している圧電層
により生成された振動を基板１３から絶縁させる。
【００６０】振動している各圧電層から、第２音響ミラ
ー１８に向かう方向にも音波が伝播する。第２音響ミラ
ー１８は第１音響ミラー１７と同様に機能する。具体的
に述べると、少なくとも部分的には、第２音響ミラー１
８を形成する層４，５及び６のインピーダンスに起因し
て、第２音響ミラー１８は、音響振動を、保護パッシベ
ーション層３に向かわない方向に反射し、また、ＢＡＷ
フィルタ２，ＢＡＷフィルタ２ａ、又はＳＣＦ１１８が
使用される場合には外部接点（例えば、１９ａ及び１９
ｂ）に向かわない方向に音響振動を反射する。その結果
として、反射された音波は、それぞれの装置のそれらの
部分には到達せず、従って第２音響ミラー１８と保護パ
ッシベーション層３との境界面に到達しない。また、Ｂ
ＡＷフィルタ２及び２ａ、並びに図２８のＳＣＦ１１８
でも、第２音響ミラー１８は、反射された音波が第２音
響ミラー１８と、それぞれの装置の上側部分に位置する
接点（例えば、接点１９ａ及び１９ｂ）の部分との間の
境界面に到達するのを阻止する。例えば、何らかの材料
が装置１，１ａ, ２，２ａ, １１６、及び１１８のいず
れかの保護パッシベーション層３上に置かれたりするな
どして保護パッシベーション層３と接触している場合に
は、音波のうちの反射された部分はその材料には到達し
ない。この様にして、第２音響ミラー１８は、この材料
を圧電層により生成される音波から絶縁させる。
【００６１】第２音響ミラー１８を採用することの第２
の利点は、第２音響ミラー１８がＢＡＷフィルタ１，１
ａ, ２、及び２ａの共振器７，１２，７’、及び１２’
のほぼ全てと、ＳＣＦ１１６及び１１８の共振器１０９
及び１１１のほぼ全てとを覆い、従って溶剤などがこれ
らの装置に接触して汚染したり傷つけたりするのを防止
することである。第２音響ミラー１８がこの様にこれら
の層を保護するので、これらの層のために例えば半密封
パッケージなどの他の形の保護手段を設ける必要はな
い。従って、その様な他の形の保護手段に伴うコストは
不要であり、装置の総製造コストが相当少なくなる。更
に、本発明はＳＡＷ共振器フィルタの替わりにＢＡＷフ
ィルタを採用するものであり、そのＢＡＷフィルタを保
護するための保護パッケージは不要であるので、ＳＡＷ
フィルタが使用される場合に一般に実行する必要のあ
る、それらのフィルタを接合ワイヤを介してパッケージ
のピンに接続する工程は、不要である。その結果とし
て、本発明のＢＡＷフィルタは、保護パッケージを必要
とするフィルタ（例えば、ＳＡＷフィルタ）より小さな
寄生成分（例えば、寄生キャパシタンス）を示す可能性
がある。更に、本発明のＢＡＷフィルタ１，１ａ, ２、
及び２ａ並びにＳＣＦ１１６及び１１８を保護するため
のパッケージは不要であるので、それらの個々の装置の
全体としてのサイズは、例えば個々の半密封パッケージ
付きフィルタより小さくなる可能性がある。
【００６２】本発明の種々の実施例が提供する他の利点
は、保護のために何らかの形の半密封パッケージを必要
とするＳＡＷフィルタにではなくて、ＢＡＷフィルタに
第２音響ミラーが採用されていることである。例えば、
ＳＡＷ装置に音響ミラー又は反射器が採用されたとする
と、音波はＳＡＷフィルタの中でこのフィルタの層の表
面に平行な方向に伝播するので、その音響ミラーは指間
メタライゼーション・パターン（inter-digital metall
ization patterns）を包含する必要があろう。残念なこ
とに、その様な指間メタライゼーション・パターンが存
在するならば、そのＳＡＷ装置に保護用の密封パッケー
ジを使用しなければならない。
【００６３】本発明は、他の面において、ＢＡＷフィル
タを製造してこのフィルタを回路基板に組み付ける方法
を提供する。図１９の論理流れ図を参照すると、その方
法は、基板上に第１の、下側の音響ミラーを形成するス
テップ（Ａ）を含んでいる。次のステップ（Ｂ）は、少
なくとも１つの共振器を下側音響ミラー上に形成するス
テップを含む。その少なくとも１つの共振器は、上記の
ものと同様の１個又は数個のＢＡＷ共振器を含むことが
できる。例えば、下側音響ミラーの上面に、互いに隣接
させて２個以上の共振器を形成することができる。ま
た、例えば、下側音響ミラーの上面に共振器の積み重ね
構造を形成して積み重ね水晶構造を作ることができる。
入力パッド、出力パッド、及び接地パッドを設けるため
に共振器の電極のいろいろな部分から接点パッドを形成
することもできる。
【００６４】次のステップ（Ｃ）として、第２の、上側
の音響ミラーを前述の少なくとも１つの共振器の相当の
部分の上に形成する。この上側音響ミラーをこのフィル
タの、例えば下側音響ミラーの一部分を含む他の部分の
上に形成してもよい。ステップ（Ｃ）は、第１の、下側
の層を前述の少なくとも１つの共振器の上とこの下側音
響ミラーの一部分の上とに形成し、第２の、中間の層を
この下層の上に形成し、第３の、上側の層をこの中間層
の上に形成するステップを含む。この下層、中層、及び
上層は、上記のものと同様の上側音響ミラーを形成す
る。例えば、下層と上層とは、シリコン、ポリシリコ
ン、アルミニウム、或いはポリマ材料などの、音響イン
ピーダンスの低い材料を含む。また、例えば、中層は、
金、モリブデン、或いはタングステンなどの、音響イン
ピーダンスの高い材料を含む。
【００６５】この方法は、更にステップ（Ｄ）で上側音
響ミラーの上層の上に保護パッシベーション層を形成
し、接点パッドが設けられる場合にはその接点パッドの
ための穴を形成するためにステップ（Ｃ）及び（Ｄ）で
形成された層をパターン化するステップを含む。保護パ
ッシベーション層と接点パッドも上記のものと同様であ
る。上側音響ミラーは、前述の少なくとも１つの共振器
を傷つける可能性のある外来の材料がこの共振器に接触
するのを防止する。これらのステップに従ってウェーハ
上に２個以上のＢＡＷフィルタを作ることができること
が分かる。
【００６６】その後、ブロック（Ｅ）で選択される組み
付け法により、フィルタを回路基板に組み付ける。ブロ
ック（Ｅ）で選択される組み付け法がオンボード組み付
け法であるならば、ステップ（Ｆ１）及び（Ｆ２）を実
行する。ステップ（Ｆ１）では、ウェーハを切断してチ
ップにする。ステップ（Ｆ２）では、そのチップを接合
ワイヤで回路基板の回路に結合させる。
【００６７】ブロック（Ｅ）で選択される組み付け法が
フリップチップ法であるならば、ステップ（Ｇ１）及び
（Ｇ２）を実行する。ステップ（Ｇ１）では、例えば、
バンプ金属の真空蒸着（例えば、蒸発）又はハンダの電
気化学メッキによってハンダ・バンプをフィルタの接点
パッド上に形成する。次にウェーハを切断してチップに
する。その後、ステップ（Ｇ２）で、回路基板の選択さ
れた接点にフリップチップ法でそれらのチップを結合さ
せる。
【００６８】ブロック（Ｅ）で選択される組み付け法が
表面取り付け法である場合には、ステップ（Ｈ１）及び
（Ｈ２）を実行する。ステップ（Ｈ１）では、ウェハを
切断してチップにし、フィルタのいろいろな部分の上に
接点を形成する。それらの接点は、上記の接点（例えば
接点１９ａ及び１９ｂ）と同様のものであって、例え
ば、在来の表面取り付け個別コンポーネントの端子を形
成するために使われる方法と同様の銀浸せき法でこの接
点を形成することができる。その後、ステップ（Ｈ２）
で、表面取り付け法により回路基板の選択された接点パ
ッドにこのチップを結合させる。すでに説明したよう
に、上側音響ミラーは、前述の少なくとも１つの共振器
を傷つける可能性のある外来の材料がこの共振器に接触
するのを防止する。
【００６９】本発明をその好ましい実施例に関して具体
的に図示し説明をしたけれども、本発明の範囲から逸脱
することなくその形及び細部を変更し得ることを当業者
は理解するであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】膜とエアギャップとを包含する典型的なバルク
音波（ＢＡＷ）共振器の横断面を示す。
【図２】図１のＢＡＷ共振器の上面図である。
【図３】ヴァイアを有する基板を包含する典型的なＢＡ
Ｗ共振器の横断面図である。
【図４】基板の一部分に形成されたヴァイア及び膜を有
する典型的なＢＡＷ共振器の横断面図である。
【図５】犠牲層を含む典型的なＢＡＷ共振器の横断面図
である。
【図６】音響ミラーを含む典型的なＢＡＷ共振器の横断
面図である。
【図７】本発明の音響ミラーの層インピーダンスを表わ
す高インピーダンス伝送線及び低インピーダンス伝送線
を示す。
【図８】本発明に従って構成されたＢＡＷフィルタの横
断面の側面図である。
【図９】本発明に従って構成されたＢＡＷフィルタの横
断面の上面図であり、図８の横断面図は図９の線８−８
に沿って描かれており、図９では上側の音響ミラー及び
保護層は取り除かれている。
【図１０】本発明の他の実施例に従って構成されたＢＡ
Ｗフィルタの横断面の上面図であり、図１０では上側の
音響ミラー及び保護層は除去されており、このＢＡＷフ
ィルタのもう一つの横断面の側面図が図８で表されてお
り、図８の横断面図は線８−８に沿って描かれている。
【図１１】図８及び図９のＢＡＷフィルタの略図であ
る。
【図１２】図８及び図１０のＢＡＷフィルタの略図であ
る。
【図１３】本発明の他の実施例に従って構成されたＢＡ
Ｗフィルタの横断面の側面図である。
【図１４】本発明の他の実施例に従って構成されたＢＡ
Ｗフィルタの横断面の上面図であり、図１３の横断面図
は図１４の線１３−１３に沿って描かれており、図１４
では上側の音響ミラー及び保護層は除去されている。
【図１５】本発明の他の実施例に従って構成されたＢＡ
Ｗフィルタの横断面の上面図であり、図１５では上側の
音響ミラー及び保護層は除去されており、このＢＡＷフ
ィルタの横断面の側面図は図１３により表されており、
図１３の横断面図は図１５の線１３−１３に沿って描か
れている。
【図１６】図１３及び図１４のＢＡＷフィルタの斜視図
である。
【図１７】図１３及び図１５のＢＡＷフィルタの斜視図
である。
【図１８】回路基板に表面取り付けされた図１６のＢＡ
Ｗフィルタを示す。
【図１９】回路基板に表面取り付けされた図１７のＢＡ
Ｗフィルタを示す。
【図２０】本発明の方法の論理流れ図である。
【図２１】回路基板に表面取り付けされた本発明のＢＡ
Ｗフィルタの横断面を示す。
【図２２】回路基板に表面取り付けされた図２１のＢＡ
Ｗフィルタの横断面の正面図である。
【図２３】接合ワイヤによって回路基板の接点に結合さ
れた図８のＢＡＷフィルタを示す。
【図２４】フリップチップ法によって回路基板の接点に
結合された後の、図８のＢＡＷフィルタを示す。
【図２５】本発明の実施例に従って構成された積み重ね
水晶フィルタ（ＳＣＦ）の横断面図であり、このＳＣＦ
の頂部は音響ミラーを包含している。
【図２６】図２５のＳＣＦの一部分を、音響ミラーを除
去して示す上面図である。
【図２７】図２５の線２７−２７に沿って描かれた、図
２５の積み重ね水晶フィルタの横断面を示す。
【図２８】本発明の他の実施例に従って構成された積み
重ね水晶フィルタの横断面を示す。
【図２９】接合ワイヤによって回路基板の接点に結合さ
れた図２７の積み重ね水晶フィルタを示す。
【図３０】フリップチップ法により回路基板の接点に結
合された後の、図２７の積み重ね水晶フィルタを示す。
【図３１】回路基板に表面取り付けされた図２８の積み
重ね水晶フィルタを示す。
【符号の説明】
１３，３６，９０，９０’： 基板 １０６： 回路基板 ２０，２１，２３，８０： ＢＡＷ共振器 １７，１８，７０ ： 音響ミラー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０４Ｒ 17/00 ３３０ Ｈ０４Ｒ 17/00 ３３０Ｚ

Claims (42)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に配置された少なくとも１つの共
    振器構造と、この少なくとも１つの共振器構造上に配置
    された音響ミラーとを有することを特徴とするバルク型
    音波（ＢＡＷ）フィルタ。
  2. 【請求項２】 前記音響ミラーは複数の層から成ること
    を特徴とする請求項１に記載のＢＡＷフィルタ。
  3. 【請求項３】 前記複数の層の各々は、四分の一波長に
    ほぼ等しい厚みを有することを特徴とする請求項２に記
    載のＢＡＷフィルタ。
  4. 【請求項４】 前記音響ミラーは、音響インピーダンス
    の低い材料を含む上層と、音響インピーダンスの高い材
    料を含む中層と、音響インピーダンスの低い材料を含む
    下層とから成ることを特徴とする請求項１に記載のＢＡ
    Ｗフィルタ。
  5. 【請求項５】 前記上層及び下層は、シリコン、ポリシ
    リコン、アルミニウム、及びポリマ材料のうちの１つか
    ら成り、前記中層は金、モリブデン、及びタングステン
    のうちの１つから成ることを特徴とする請求項４に記載
    のＢＡＷフィルタ。
  6. 【請求項６】 前記音響ミラー上に形成された保護パッ
    シベーション層を更に有することを特徴とする請求項１
    に記載のＢＡＷフィルタ。
  7. 【請求項７】 前記保護パッシベーション層は、エポキ
    シ、グロップトップ材料、及び二酸化珪素のうちの１つ
    から成っていて、少なくとも０．２μｍの厚みを有する
    ことを特徴とする請求項６に記載のＢＡＷフィルタ。
  8. 【請求項８】 前記少なくとも１つの共振器構造は、接
    点パッドを設けるために露出される部分を有する少なく
    とも１つの電極を包含しており、前記接点パッドは前記
    少なくとも１つの共振器構造を接合ワイヤを介して配線
    基板に結合させるためのものであることを特徴とする請
    求項１に記載のＢＡＷフィルタ。
  9. 【請求項９】 前記少なくとも１つの共振器構造は、接
    点パッドを設けるために露出される部分を有する少なく
    とも１つの電極を包含しており、前記接点パッドは前記
    少なくとも１つの共振器構造をフリップチップ法により
    配線基板に結合させるためのものであることを特徴とす
    る請求項１に記載のＢＡＷフィルタ。
  10. 【請求項１０】 前記ＢＡＷフィルタは前記基板上に配
    置された複数の共振器構造を有し、前記複数の共振器構
    造の各々は複数の電極を包含し、第１の前記共振器構造
    の第１の前記電極の一部分は第１の接点パッドを設ける
    ために露出されており、第２の前記共振器構造の第１の
    前記電極の一部分は第２接点パッドを設けるために露出
    されており、前記ＢＡＷフィルタは更に前記基板上に配
    置された第３接点パッドを有し、前記第３接点パッドは
    露出されて第３及び第４の前記共振器構造の各々の第１
    の前記電極に電気的に結合されており、前記第１、第２
    及び第３の接点パッドはそれぞれ前記第１，第２及び第
    ３の共振器構造を配線基板に結合させるためのものであ
    ることを特徴とする請求項１に記載のＢＡＷフィルタ。
  11. 【請求項１１】 前記基板上に配置された第４接点パッ
    ドを更に有し、前記第４接点パッドは露出されて前記第
    ３及び第４の共振器構造の各々の前記第１の電極に電気
    的に結合され、前記第４接点パッドは前記第３及び第４
    の共振器構造を配線基板に結合させるためのものである
    ことを特徴とする請求項１０に記載のＢＡＷフィルタ。
  12. 【請求項１２】 前記ＢＡＷフィルタは前記基板上に配
    置された複数の共振器構造を有し、前記共振器構造の各
    々は少なくとも２つの電極を含んでおり、前記ＢＡＷフ
    ィルタは更に前記ＢＡＷフィルタの外面上に配置された
    複数の接点を有し、前記接点のうちの少なくとも２つは
    前記共振器構造のうちの少なくとも２つの共振器構造の
    電極にそれぞれ電気的に結合されており、前記接点は前
    記ＢＡＷフィルタを配線基板に表面取り付けするための
    ものであることを特徴とする請求項１に記載のＢＡＷフ
    ィルタ。
  13. 【請求項１３】 前記音響ミラーは、前記少なくとも１
    つの共振器構造により生成された音響振動が前記音響ミ
    ラーの上面を越えた場所に到達するのを実質的に防止す
    ることを特徴とする請求項１に記載のＢＡＷフィルタ。
  14. 【請求項１４】 前記音響ミラーは、環境汚染物質が前
    記少なくとも１つの共振器構造に接触するのを防止する
    ことを特徴とする請求項１に記載のＢＡＷフィルタ。
  15. 【請求項１５】 前記音響ミラーは前記ＢＡＷフィルタ
    の１対の音響ミラーのうちの上側のものであり、前記１
    対の音響ミラーのうちの下側のものは前記少なくとも１
    つの共振器構造と前記基板との間に形成されていること
    を特徴とする請求項１に記載のＢＡＷフィルタ。
  16. 【請求項１６】 前記少なくとも１つの共振器構造は積
    み重ねられた複数の共振器を含むことを特徴とする請求
    項１に記載のＢＡＷフィルタ。
  17. 【請求項１７】 前記ＢＡＷフィルタは前記基板上に配
    置された複数の共振器構造を有し、前記複数の共振器構
    造の各々は複数の電極を包含し、前記ＢＡＷフィルタは
    更に前記ＢＡＷフィルタの外面上に配置された複数の接
    点を有し、第１の前記共振器構造の第１の前記電極は第
    １の前記接点に電気的に結合されており、第２の前記共
    振器構造の第１の前記電極は第２の前記接点に電気的に
    結合されており、第３の前記共振器構造の第１の前記電
    極は第３の前記接点に電気的に結合されており、第４の
    前記共振器構造の第１の前記電極は前記第３接点に電気
    的に結合されていることを特徴とする請求項１に記載の
    ＢＡＷフィルタ。
  18. 【請求項１８】 前記第１共振器構造の第２の前記電極
    は前記第２及び第３の共振器構造の各々の第２の前記電
    極に結合されており、前記第４共振器構造の第２の前記
    電極は前記第２共振器構造の前記第１電極に結合されて
    いることを特徴とする請求項１７に記載のＢＡＷフィル
    タ。
  19. 【請求項１９】 前記第３及び第４の共振器構造の前記
    第１電極は第４の前記接点にも電気的に結合されている
    ことを特徴とする請求項１７に記載のＢＡＷフィルタ。
  20. 【請求項２０】 基板と；この基板上に配置された第１
    音響ミラーと；この第１音響ミラーの一部分の上に配置
    された少なくとも１つの共振器構造と；この少なくとも
    １つの共振器構造の上に配置された第２音響ミラーとを
    有することを特徴とするバルク型音波（ＢＡＷ）フィル
    タ。
  21. 【請求項２１】 前記第１及び第２の前記音響ミラーの
    うちの少なくとも一方は、音響インピーダンスの低い材
    料を含む上層と、音響インピーダンスの高い材料を含む
    中層と、音響インピーダンスの低い材料を含む下層とか
    ら成ることを特徴とする請求項２０に記載のＢＡＷフィ
    ルタ。
  22. 【請求項２２】 前記上層及び下層は、シリコン、ポリ
    シリコン、アルミニウム、及びポリマ材料のうちの１つ
    から成り、前記中層は金、モリブデン、及びタングステ
    ンのうちの１つから成ることを特徴とする請求項２１に
    記載のＢＡＷフィルタ。
  23. 【請求項２３】 前記第２音響ミラー上に形成された保
    護パッシベーション層を更に有することを特徴とする請
    求項２０に記載のＢＡＷフィルタ。
  24. 【請求項２４】 前記保護パッシベーション層は、エポ
    キシ、グロップトップ材料、及び二酸化珪素のうちの１
    から成っていて、少なくとも０．２μｍの厚みを有する
    ことを特徴とする請求項２３に記載のＢＡＷフィルタ。
  25. 【請求項２５】 前記少なくとも１つの共振器構造は、
    接点パッドを設けるために露出された部分を有する少な
    くとも１つの電極を包含しており、前記接点パッドは前
    記少なくとも１つの共振器構造を接合ワイヤを介して配
    線基板に結合させるためのものであることを特徴とする
    請求項２０に記載のＢＡＷフィルタ。
  26. 【請求項２６】 前記少なくとも１つの共振器構造は、
    接点パッドを設けるために露出された部分を有する少な
    くとも１つの電極を包含しており、前記接点パッドは前
    記少なくとも１つの共振器構造をフリップチップ法によ
    り配線基板に結合させるためのものであることを特徴と
    する請求項２０に記載のＢＡＷフィルタ。
  27. 【請求項２７】 前記ＢＡＷフィルタは前記基板上に配
    置された複数の共振器構造を有し、前記複数の共振器構
    造の各々は複数の電極を包含し、第１の前記共振器構造
    の第１の前記電極の一部分は第１の接点パッドを設ける
    ために露出されており、第２の前記共振器構造の第１の
    前記電極の一部分は第２接点パッドを設けるために露出
    されており、前記ＢＡＷフィルタは更に前記基板上に配
    置された第３接点パッドを有し、前記第３接点パッドは
    露出されて第３及び第４の前記共振器構造の各々の第１
    の前記電極に電気的に結合されており、前記第１、第２
    及び第３の接点パッドはそれぞれ前記第１、第２及び第
    ３の共振器構造を配線基板に結合させるためのものであ
    ることを特徴とする請求項２０に記載のＢＡＷフィル
    タ。
  28. 【請求項２８】 前記基板上に配置された露出した第４
    接点パッドを更に有し、前記第４接点パッドは前記第３
    及び第４の共振器構造の各々の前記第１の電極に電気的
    に結合され、前記第４接点パッドは前記第３及び第４の
    共振器構造を配線基板に結合させるためのものであるこ
    とを特徴とする請求項２７に記載のＢＡＷフィルタ。
  29. 【請求項２９】 前記ＢＡＷフィルタは前記基板上に配
    置された複数の共振器構造を有し、前記共振器構造の各
    々は少なくとも２つの電極を含んでおり、前記ＢＡＷフ
    ィルタは更に前記ＢＡＷフィルタの外面上に配置された
    複数の接点を有し、前記接点のうちの少なくとも２つは
    前記共振器構造のうちの少なくとも２つの共振器構造の
    電極にそれぞれ電気的に結合されており、前記接点は前
    記ＢＡＷフィルタを配線基板に表面取り付けするための
    ものであることを特徴とする請求項２０に記載のＢＡＷ
    フィルタ。
  30. 【請求項３０】 前記ＢＡＷフィルタは前記基板上に配
    置された複数の共振器構造を有し、前記複数の共振器構
    造の各々は複数の電極を包含し、前記ＢＡＷフィルタは
    更に前記ＢＡＷフィルタの外面上に配置された複数の接
    点を有し、第１の前記共振器構造の第１の前記電極は第
    １の前記接点に電気的に結合されており、第２の前記共
    振器構造の第１の前記電極は第２の前記接点に電気的に
    結合されており、第３の前記共振器構造の第１の前記電
    極は第３の前記接点に電気的に結合されており、第４の
    前記共振器構造の第１の前記電極は前記第３接点に電気
    的に結合されていることを特徴とする請求項２０に記載
    のＢＡＷフィルタ。
  31. 【請求項３１】 前記第３及び第４の共振器構造の前記
    第１電極は第４の前記接点にも電気的に結合されている
    ことを特徴とする請求項３０に記載のＢＡＷフィルタ。
  32. 【請求項３２】 前記少なくとも１つの共振器構造は積
    み重ねられた複数の共振器を含んでいて、積み重ね水晶
    フィルタ構造を形成していることを特徴とする請求項２
    ０に記載のＢＡＷフィルタ。
  33. 【請求項３３】 ＢＡＷフィルタを製作してこのＢＡＷ
    フィルタを回路基板に組み付ける方法において：基板上
    に第１音響ミラーを形成するステップと；この第１音響
    ミラー上に少なくとも１つの共振器構造を形成するステ
    ップと；この少なくとも１つの共振器構造の少なくとも
    相当の部分の上に第２音響ミラーを形成するステップと
    を有することを特徴とする方法。
  34. 【請求項３４】 前記第２音響ミラーを形成するステッ
    プは：音響インピーダンスの低い材料を含む第１の層を
    前記共振器と、前記第１音響ミラーの一部分との上に形
    成し；音響インピーダンスの高い材料を含む第２の層を
    前記第１の層の上に形成し；音響インピーダンスの低い
    材料を含む第３の層を前記第２の層の上に形成するステ
    ップを含むことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
  35. 【請求項３５】 音響インピーダンスの低い前記材料は
    シリコン、ポリシリコン、アルミニウム、及びポリマ材
    料のうちの１つを含んでおり、音響インピーダンスの高
    い前記材料は金、モリブデン、及びタングステンのうち
    の１つを含むことを特徴とする請求項３４に記載の方
    法。
  36. 【請求項３６】 前記第２音響ミラー上に保護パッシベ
    ーション層を形成すステップを更に有することを特徴と
    する請求項３３に記載の方法。
  37. 【請求項３７】 前記共振器構造を形成するステップと
    前記第２音響ミラーを形成するステップとの間に、前記
    第１音響ミラー上に接点パッドを形成するステップが実
    行されることを特徴とする請求項３３に記載の方法。
  38. 【請求項３８】 前記ＢＡＷフィルタの外面上に接点を
    形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項３
    ３に記載の方法。
  39. 【請求項３９】 前記少なくとも１つの共振器構造を形
    成するステップは、隣り合う複数の共振器を前記第１音
    響ミラー上に形成することによって実行されることを特
    徴とする請求項３３に記載の方法。
  40. 【請求項４０】 前記少なくとも１つの共振器構造を形
    成するステップは、積み重ね水晶構造を形成するために
    共振器の積み重ね構造を形成することによって実行され
    ることを特徴とする請求項３３に記載の方法。
  41. 【請求項４１】 表面取り付けすることのできるバルク
    型音波（ＢＡＷ）装置において：基板と；少なくとも１
    つのＢＡＷ共振器構造と；前記基板と前記少なくとも１
    つのＢＡＷ共振器との間に配置された第１音響絶縁器
    と；前記少なくとも１つのＢＡＷ共振器の上に配置され
    た第２音響絶縁器と；前記装置を配線基板に表面取り付
    けするために前記ＢＡＷ装置の外面上に配置された複数
    の電極とを有することを特徴とする装置。
  42. 【請求項４２】 前記共振器構造は、積み重ねられた複
    数の共振器から成ることを特徴とする請求項４１に記載
    の表面取り付けすることのできるＢＡＷ装置。
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Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001089236A (ja) * 1999-07-07 2001-04-03 Koninkl Philips Electronics Nv バルク音響波フィルタ
JP2002041052A (ja) * 2000-05-23 2002-02-08 Agere Systems Guardian Corp 音響素子の音響反射材
KR20030032401A (ko) * 2001-10-18 2003-04-26 한국쌍신전기주식회사 압전박막형 공진기 및 그 제조방법
JP2003530750A (ja) * 2000-04-06 2003-10-14 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 共振器を有するチューニング可能なフィルタ構成
JP2003530705A (ja) * 2000-04-06 2003-10-14 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ チューニング可能なフィルタ構成
US6717335B2 (en) 2000-11-27 2004-04-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Composite vibration device
US6774729B2 (en) 2002-05-21 2004-08-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Composite-material vibrating device
JP2005006304A (ja) * 2003-06-09 2005-01-06 Agilent Technol Inc 薄膜バルク音響共鳴器における圧電結合係数の制御して製造される装置
JP2005509348A (ja) * 2001-11-06 2005-04-07 インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト フィルタ装置およびその製造方法
US6954117B2 (en) 2003-10-30 2005-10-11 Tdk Corporation Electronic component including piezo-electric resonator mounted by face-down bonding with a required die shear strength
JP2005311567A (ja) * 2004-04-20 2005-11-04 Sony Corp フィルタ装置及び送受信機
JP2006513648A (ja) * 2003-01-20 2006-04-20 エプコス　アクチエンゲゼルシャフト 小さな基板面の電気構成素子
JP2006311181A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Fujitsu Media Device Kk 圧電薄膜共振器およびフィルタ
US7145417B2 (en) 2002-03-29 2006-12-05 Fujitsu Limited Filter chip and filter device
US7154206B2 (en) 2002-07-31 2006-12-26 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device and method for manufacturing same
US7173361B2 (en) 2004-01-07 2007-02-06 Tdk Corporation Film bulk acoustic wave resonator
JP2007514341A (ja) * 2003-10-30 2007-05-31 アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 堅固に実装される積層型圧電薄膜共振器
US7282388B2 (en) 2003-09-15 2007-10-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method of manufacturing wafer level package type FBAR device
JP2008011483A (ja) * 2006-05-30 2008-01-17 Kyocera Corp 音響波共振子およびフィルタならびに通信装置
JP2012516120A (ja) * 2009-01-26 2012-07-12 サイマティクス ラボラトリーズ コーポレーション 保護された共振器
JP5147932B2 (ja) * 2008-03-04 2013-02-20 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振器、フィルタ、通信モジュール、および通信装置
WO2013062203A1 (ko) * 2011-10-25 2013-05-02 삼성전자주식회사 박막 벌크 음향 공진기 및 박막 벌크 음향 공진기의 제조방법
WO2016136327A1 (ja) * 2015-02-27 2016-09-01 株式会社日立製作所 超音波振動子ユニット
US9735338B2 (en) 2009-01-26 2017-08-15 Cymatics Laboratories Corp. Protected resonator
US9899593B2 (en) 2012-01-18 2018-02-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Bulk acoustic wave resonator

Families Citing this family (191)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6087198A (en) * 1998-02-12 2000-07-11 Texas Instruments Incorporated Low cost packaging for thin-film resonators and thin-film resonator-based filters
US6081171A (en) * 1998-04-08 2000-06-27 Nokia Mobile Phones Limited Monolithic filters utilizing thin film bulk acoustic wave devices and minimum passive components for controlling the shape and width of a passband response
FI108583B (fi) 1998-06-02 2002-02-15 Nokia Corp Resonaattorirakenteita
FI106894B (fi) 1998-06-02 2001-04-30 Nokia Mobile Phones Ltd Resonaattorirakenteita
US5942958A (en) * 1998-07-27 1999-08-24 Tfr Technologies, Inc. Symmetrical piezoelectric resonator filter
JP2000209063A (ja) * 1998-11-12 2000-07-28 Mitsubishi Electric Corp 薄膜圧電素子
FI113211B (fi) * 1998-12-30 2004-03-15 Nokia Corp Balansoitu suodatinrakenne ja matkaviestinlaite
US6262637B1 (en) * 1999-06-02 2001-07-17 Agilent Technologies, Inc. Duplexer incorporating thin-film bulk acoustic resonators (FBARs)
DE19947081A1 (de) * 1999-09-30 2001-04-05 Infineon Technologies Ag Akustischer Spiegel und Verfahren zu dessen Herstellung
US6339276B1 (en) * 1999-11-01 2002-01-15 Agere Systems Guardian Corp. Incremental tuning process for electrical resonators based on mechanical motion
FI107661B (fi) 1999-11-29 2001-09-14 Nokia Mobile Phones Ltd Menetelmä balansoidun suotimen keskitaajuuden säätämiseksi ja joukko balansoituja suotimia
US6466107B2 (en) * 1999-12-14 2002-10-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ladder filter comprising stacked piezoelectric resonators
US6746577B1 (en) 1999-12-16 2004-06-08 Agere Systems, Inc. Method and apparatus for thickness control and reproducibility of dielectric film deposition
US6524971B1 (en) 1999-12-17 2003-02-25 Agere Systems, Inc. Method of deposition of films
US6441703B1 (en) * 2000-01-18 2002-08-27 Texas Instruments Incorporated Multiple frequency acoustic reflector array and monolithic cover for resonators and method
US6377136B1 (en) * 2000-02-04 2002-04-23 Agere Systems Guardian Corporation Thin film resonator filter having at least one component with different resonant frequency sets or electrode capacitance
US6323744B1 (en) * 2000-02-04 2001-11-27 Agere Systems Guardian Corp. Grounding of TFR ladder filters
US7296329B1 (en) 2000-02-04 2007-11-20 Agere Systems Inc. Method of isolation for acoustic resonator device
US6437667B1 (en) 2000-02-04 2002-08-20 Agere Systems Guardian Corp. Method of tuning thin film resonator filters by removing or adding piezoelectric material
US6306313B1 (en) 2000-02-04 2001-10-23 Agere Systems Guardian Corp. Selective etching of thin films
US6693033B2 (en) 2000-02-10 2004-02-17 Motorola, Inc. Method of removing an amorphous oxide from a monocrystalline surface
US6392257B1 (en) * 2000-02-10 2002-05-21 Motorola Inc. Semiconductor structure, semiconductor device, communicating device, integrated circuit, and process for fabricating the same
DE10007577C1 (de) * 2000-02-18 2001-09-13 Infineon Technologies Ag Piezoresonator
ATE438952T1 (de) * 2000-02-22 2009-08-15 Nxp Bv Verfahren zur herstellung eines auf einem trägersubstrat geformten piezoelektrischen filters mit einem akustischen resonator auf einer akustischen reflektorschicht
JP2004503920A (ja) * 2000-05-31 2004-02-05 モトローラ・インコーポレイテッド 半導体デバイスおよび該半導体デバイスを製造する方法
GB0014963D0 (en) * 2000-06-20 2000-08-09 Koninkl Philips Electronics Nv A bulk acoustic wave device
US6590236B1 (en) 2000-07-24 2003-07-08 Motorola, Inc. Semiconductor structure for use with high-frequency signals
AU2001277001A1 (en) * 2000-07-24 2002-02-05 Motorola, Inc. Heterojunction tunneling diodes and process for fabricating same
US6555946B1 (en) * 2000-07-24 2003-04-29 Motorola, Inc. Acoustic wave device and process for forming the same
US6355498B1 (en) 2000-08-11 2002-03-12 Agere Systems Guartian Corp. Thin film resonators fabricated on membranes created by front side releasing
JP4049239B2 (ja) * 2000-08-30 2008-02-20 Ｔｄｋ株式会社 表面弾性波素子を含む高周波モジュール部品の製造方法
US6377137B1 (en) * 2000-09-11 2002-04-23 Agilent Technologies, Inc. Acoustic resonator filter with reduced electromagnetic influence due to die substrate thickness
US6486751B1 (en) 2000-09-26 2002-11-26 Agere Systems Inc. Increased bandwidth thin film resonator having a columnar structure
US6493497B1 (en) 2000-09-26 2002-12-10 Motorola, Inc. Electro-optic structure and process for fabricating same
US6638838B1 (en) 2000-10-02 2003-10-28 Motorola, Inc. Semiconductor structure including a partially annealed layer and method of forming the same
US6674291B1 (en) * 2000-10-30 2004-01-06 Agere Systems Guardian Corp. Method and apparatus for determining and/or improving high power reliability in thin film resonator devices, and a thin film resonator device resultant therefrom
US6587212B1 (en) 2000-10-31 2003-07-01 Agere Systems Inc. Method and apparatus for studying vibrational modes of an electro-acoustic device
US6501121B1 (en) 2000-11-15 2002-12-31 Motorola, Inc. Semiconductor structure
US6743731B1 (en) 2000-11-17 2004-06-01 Agere Systems Inc. Method for making a radio frequency component and component produced thereby
GB0029090D0 (en) * 2000-11-29 2001-01-10 Univ Cranfield Improvements in or relating to filters
US6559471B2 (en) 2000-12-08 2003-05-06 Motorola, Inc. Quantum well infrared photodetector and method for fabricating same
US6550664B2 (en) * 2000-12-09 2003-04-22 Agilent Technologies, Inc. Mounting film bulk acoustic resonators in microwave packages using flip chip bonding technology
US6496085B2 (en) * 2001-01-02 2002-12-17 Nokia Mobile Phones Ltd Solidly mounted multi-resonator bulk acoustic wave filter with a patterned acoustic mirror
US6518860B2 (en) * 2001-01-05 2003-02-11 Nokia Mobile Phones Ltd BAW filters having different center frequencies on a single substrate and a method for providing same
US6424238B1 (en) 2001-01-08 2002-07-23 Motorola, Inc. Acoustic wave filter and method of forming the same
US6509813B2 (en) * 2001-01-16 2003-01-21 Nokia Mobile Phones Ltd. Bulk acoustic wave resonator with a conductive mirror
US20020096683A1 (en) * 2001-01-19 2002-07-25 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating GaN devices utilizing the formation of a compliant substrate
US6515402B2 (en) * 2001-01-24 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Array of ultrasound transducers
US7435613B2 (en) * 2001-02-12 2008-10-14 Agere Systems Inc. Methods of fabricating a membrane with improved mechanical integrity
US6673646B2 (en) 2001-02-28 2004-01-06 Motorola, Inc. Growth of compound semiconductor structures on patterned oxide films and process for fabricating same
US6483229B2 (en) * 2001-03-05 2002-11-19 Agilent Technologies, Inc. Method of providing differential frequency adjusts in a thin film bulk acoustic resonator (FBAR) filter and apparatus embodying the method
KR100865652B1 (ko) * 2001-05-11 2008-10-29 우베 고산 가부시키가이샤 압전 박막 공진자
JP2002368571A (ja) * 2001-06-11 2002-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電振動素子及びそれを用いたフィルタ
US6709989B2 (en) 2001-06-21 2004-03-23 Motorola, Inc. Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon
US20030010992A1 (en) * 2001-07-16 2003-01-16 Motorola, Inc. Semiconductor structure and method for implementing cross-point switch functionality
US6531740B2 (en) 2001-07-17 2003-03-11 Motorola, Inc. Integrated impedance matching and stability network
US6646293B2 (en) 2001-07-18 2003-11-11 Motorola, Inc. Structure for fabricating high electron mobility transistors utilizing the formation of complaint substrates
US6693298B2 (en) 2001-07-20 2004-02-17 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating epitaxial semiconductor on insulator (SOI) structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form same
US6855992B2 (en) * 2001-07-24 2005-02-15 Motorola Inc. Structure and method for fabricating configurable transistor devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form the same
US6585424B2 (en) 2001-07-25 2003-07-01 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating an electro-rheological lens
US6594414B2 (en) 2001-07-25 2003-07-15 Motorola, Inc. Structure and method of fabrication for an optical switch
US6667196B2 (en) 2001-07-25 2003-12-23 Motorola, Inc. Method for real-time monitoring and controlling perovskite oxide film growth and semiconductor structure formed using the method
US6589856B2 (en) 2001-08-06 2003-07-08 Motorola, Inc. Method and apparatus for controlling anti-phase domains in semiconductor structures and devices
US6639249B2 (en) 2001-08-06 2003-10-28 Motorola, Inc. Structure and method for fabrication for a solid-state lighting device
US6673667B2 (en) 2001-08-15 2004-01-06 Motorola, Inc. Method for manufacturing a substantially integral monolithic apparatus including a plurality of semiconductor materials
US20030036217A1 (en) * 2001-08-16 2003-02-20 Motorola, Inc. Microcavity semiconductor laser coupled to a waveguide
DE10147075A1 (de) * 2001-09-25 2003-04-30 Infineon Technologies Ag Piezoelektrisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US6778038B2 (en) * 2001-10-05 2004-08-17 Tdk Corporation Piezoelectric resonant filter, duplexer, and method of manufacturing same
DE10149542A1 (de) * 2001-10-08 2003-04-17 Infineon Technologies Ag BAW-Resonator
DE10150253A1 (de) * 2001-10-11 2003-04-30 Infineon Technologies Ag Piezoelektrisches Bauelement
US20030071327A1 (en) * 2001-10-17 2003-04-17 Motorola, Inc. Method and apparatus utilizing monocrystalline insulator
DE10155927A1 (de) * 2001-11-14 2003-06-05 Infineon Technologies Ag Passivierter BAW-Resonator und BAW-Filter
DE10163462A1 (de) * 2001-12-21 2003-07-03 Epcos Ag Symmetrisch arbeitendes Reaktanzfilter
TW525284B (en) * 2002-03-01 2003-03-21 Advanced Semiconductor Eng Bump process
JP3830843B2 (ja) * 2002-03-28 2006-10-11 株式会社東芝 薄膜圧電共振子
DE10321701B4 (de) * 2002-05-24 2009-06-10 Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo Längsgekoppelte piezoelektrische Multi-Mode-Volumenwellenfiltervorrichtung, längsgekoppelter piezoelektrischer Multi-Mode-Volumenwellenfilter und elektronische Komponente
DE10225202B4 (de) * 2002-06-06 2017-06-01 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit einem Anpassnetzwerk
US20040012037A1 (en) * 2002-07-18 2004-01-22 Motorola, Inc. Hetero-integration of semiconductor materials on silicon
US6828713B2 (en) * 2002-07-30 2004-12-07 Agilent Technologies, Inc Resonator with seed layer
US20040021529A1 (en) * 2002-07-30 2004-02-05 Bradley Paul D. Resonator with protective layer
US6894360B2 (en) * 2002-07-30 2005-05-17 Agilent Technologies, Inc. Electrostatic discharge protection of thin-film resonators
US20040027030A1 (en) * 2002-08-08 2004-02-12 Li-Peng Wang Manufacturing film bulk acoustic resonator filters
US6944922B2 (en) * 2002-08-13 2005-09-20 Trikon Technologies Limited Method of forming an acoustic resonator
DE10239317A1 (de) * 2002-08-27 2004-03-11 Epcos Ag Resonator und Bauelement mit hermetischer Verkapselung
JP2004120016A (ja) * 2002-09-20 2004-04-15 Fujitsu Media Device Kk フィルタ装置
US7034387B2 (en) * 2003-04-04 2006-04-25 Chippac, Inc. Semiconductor multipackage module including processor and memory package assemblies
US20040069991A1 (en) * 2002-10-10 2004-04-15 Motorola, Inc. Perovskite cuprate electronic device structure and process
US20040070312A1 (en) * 2002-10-10 2004-04-15 Motorola, Inc. Integrated circuit and process for fabricating the same
DE10256116B4 (de) * 2002-11-29 2005-12-22 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung desselben
DE10301261B4 (de) 2003-01-15 2018-03-22 Snaptrack, Inc. Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US6965128B2 (en) * 2003-02-03 2005-11-15 Freescale Semiconductor, Inc. Structure and method for fabricating semiconductor microresonator devices
US7020374B2 (en) * 2003-02-03 2006-03-28 Freescale Semiconductor, Inc. Optical waveguide structure and method for fabricating the same
US20040164315A1 (en) * 2003-02-25 2004-08-26 Motorola, Inc. Structure and device including a tunneling piezoelectric switch and method of forming same
US7275292B2 (en) * 2003-03-07 2007-10-02 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate
US20040227578A1 (en) * 2003-05-14 2004-11-18 Miikka Hamalainen Acoustic resonance-based frequency synthesizer using at least one bulk acoustic wave (BAW) or thin film bulk acoustic wave (FBAR) device
KR100646135B1 (ko) * 2003-07-21 2006-11-23 쌍신전자통신주식회사 실리콘 체적탄성파 소자 및 그 제조방법
JP2005117641A (ja) 2003-09-17 2005-04-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電体共振器、それを用いたフィルタ及び共用器
KR100616511B1 (ko) * 2003-09-24 2006-08-29 삼성전기주식회사 Ｆｂａｒ 소자 및 그 제조 방법
KR100662865B1 (ko) * 2003-10-08 2007-01-02 삼성전자주식회사 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법
JP2005129610A (ja) * 2003-10-22 2005-05-19 Tdk Corp 電子部品
JP2005136534A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Tdk Corp 薄膜バルク波共振器
US7242270B2 (en) * 2003-10-30 2007-07-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Decoupled stacked bulk acoustic resonator-based band-pass filter
US7019605B2 (en) * 2003-10-30 2006-03-28 Larson Iii John D Stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwidth
US6946928B2 (en) * 2003-10-30 2005-09-20 Agilent Technologies, Inc. Thin-film acoustically-coupled transformer
US7362198B2 (en) * 2003-10-30 2008-04-22 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd Pass bandwidth control in decoupled stacked bulk acoustic resonator devices
DE602004000851T2 (de) * 2003-10-30 2007-05-16 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Akustisch gekoppelter Dünnschicht-Transformator mit zwei piezoelektrischen Elementen, welche entgegengesetzte C-Axen Orientierung besitzten
FR2863789B1 (fr) * 2003-12-12 2006-09-29 St Microelectronics Sa Dispositif de resonateur acoustique
US7615833B2 (en) 2004-07-13 2009-11-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator package and method of fabricating same
US7388454B2 (en) * 2004-10-01 2008-06-17 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure
US8981876B2 (en) * 2004-11-15 2015-03-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements
US7202560B2 (en) 2004-12-15 2007-04-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry
US7791434B2 (en) * 2004-12-22 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric
US7427819B2 (en) * 2005-03-04 2008-09-23 Avago Wireless Ip Pte Ltd Film-bulk acoustic wave resonator with motion plate and method
US7369013B2 (en) * 2005-04-06 2008-05-06 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using filled recessed region
US7436269B2 (en) * 2005-04-18 2008-10-14 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically coupled resonators and method of making the same
US7443269B2 (en) 2005-07-27 2008-10-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method and apparatus for selectively blocking radio frequency (RF) signals in a radio frequency (RF) switching circuit
US7868522B2 (en) 2005-09-09 2011-01-11 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Adjusted frequency temperature coefficient resonator
US7362035B2 (en) * 2005-09-22 2008-04-22 The Penn State Research Foundation Polymer bulk acoustic resonator
US7391286B2 (en) * 2005-10-06 2008-06-24 Avago Wireless Ip Pte Ltd Impedance matching and parasitic capacitor resonance of FBAR resonators and coupled filters
US7737807B2 (en) 2005-10-18 2010-06-15 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators
US7423503B2 (en) * 2005-10-18 2008-09-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating film acoustically-coupled transformer
US7525398B2 (en) * 2005-10-18 2009-04-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically communicating data signals across an electrical isolation barrier
US7675390B2 (en) * 2005-10-18 2010-03-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator
US7425787B2 (en) 2005-10-18 2008-09-16 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single insulated decoupled stacked bulk acoustic resonator with acoustically-resonant electrical insulator
US7463499B2 (en) 2005-10-31 2008-12-09 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte Ltd. AC-DC power converter
JP2007129391A (ja) * 2005-11-02 2007-05-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 音響共振器及びフィルタ
US7561009B2 (en) * 2005-11-30 2009-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation
US7612636B2 (en) * 2006-01-30 2009-11-03 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Impedance transforming bulk acoustic wave baluns
US7746677B2 (en) * 2006-03-09 2010-06-29 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. AC-DC converter circuit and power supply
US20070210724A1 (en) * 2006-03-09 2007-09-13 Mark Unkrich Power adapter and DC-DC converter having acoustic transformer
US7479685B2 (en) * 2006-03-10 2009-01-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Electronic device on substrate with cavity and mitigated parasitic leakage path
WO2007119556A1 (ja) * 2006-04-05 2007-10-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. 圧電共振子及び圧電フィルタ
DE102006023165B4 (de) * 2006-05-17 2008-02-14 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines akustischen Spiegels aus alternierend angeordneten Schichten hoher und niedriger akustischer Impedanz
US7629865B2 (en) 2006-05-31 2009-12-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters
US7508286B2 (en) * 2006-09-28 2009-03-24 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. HBAR oscillator and method of manufacture
US20080202239A1 (en) * 2007-02-28 2008-08-28 Fazzio R Shane Piezoelectric acceleration sensor
US20090079514A1 (en) * 2007-09-24 2009-03-26 Tiberiu Jamneala Hybrid acoustic resonator-based filters
US7791435B2 (en) * 2007-09-28 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single stack coupled resonators having differential output
US8089195B2 (en) * 2007-12-17 2012-01-03 Resonance Semiconductor Corporation Integrated acoustic bandgap devices for energy confinement and methods of fabricating same
US7732977B2 (en) * 2008-04-30 2010-06-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Transceiver circuit for film bulk acoustic resonator (FBAR) transducers
US7855618B2 (en) * 2008-04-30 2010-12-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers
JP4586897B2 (ja) * 2008-06-24 2010-11-24 株式会社村田製作所 分波器
US8291559B2 (en) * 2009-02-24 2012-10-23 Epcos Ag Process for adapting resonance frequency of a BAW resonator
US9255912B2 (en) * 2009-04-29 2016-02-09 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Monolithic FBAR-CMOS structure such as for mass sensing
US8248185B2 (en) * 2009-06-24 2012-08-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure comprising a bridge
US8902023B2 (en) * 2009-06-24 2014-12-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion
US8330556B2 (en) * 2009-11-23 2012-12-11 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Passivation layers in acoustic resonators
US20110121916A1 (en) * 2009-11-24 2011-05-26 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Hybrid bulk acoustic wave resonator
US8193877B2 (en) * 2009-11-30 2012-06-05 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Duplexer with negative phase shifting circuit
US9243316B2 (en) 2010-01-22 2016-01-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation
US8796904B2 (en) 2011-10-31 2014-08-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer
US9197185B2 (en) * 2010-04-29 2015-11-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Resonator device including electrodes with buried temperature compensating layers
US9479139B2 (en) 2010-04-29 2016-10-25 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Resonator device including electrode with buried temperature compensating layer
US20110304412A1 (en) * 2010-06-10 2011-12-15 Hao Zhang Acoustic Wave Resonators and Methods of Manufacturing Same
US8830012B2 (en) 2010-09-07 2014-09-09 Wei Pang Composite bulk acoustic wave resonator
US8610333B2 (en) * 2010-09-24 2013-12-17 Wei Pang Acoustic wave devices
US8962443B2 (en) 2011-01-31 2015-02-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same
US9203374B2 (en) 2011-02-28 2015-12-01 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator comprising a bridge
US9154112B2 (en) 2011-02-28 2015-10-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge
US9425764B2 (en) 2012-10-25 2016-08-23 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features
US9083302B2 (en) 2011-02-28 2015-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator
US9148117B2 (en) 2011-02-28 2015-09-29 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements
US9048812B2 (en) 2011-02-28 2015-06-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer
US9136818B2 (en) 2011-02-28 2015-09-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked acoustic resonator comprising a bridge
US8575820B2 (en) 2011-03-29 2013-11-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator
US9444426B2 (en) 2012-10-25 2016-09-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature
US20120293278A1 (en) * 2011-05-20 2012-11-22 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator comprising distributed bragg reflector
US9154111B2 (en) * 2011-05-20 2015-10-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Double bulk acoustic resonator comprising aluminum scandium nitride
US9917567B2 (en) 2011-05-20 2018-03-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising aluminum scandium nitride
US8350445B1 (en) 2011-06-16 2013-01-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge
US8922302B2 (en) 2011-08-24 2014-12-30 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator formed on a pedestal
WO2014062936A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Cmos-integrated jfet for dense low-noise bioelectronic platforms
WO2014210307A1 (en) 2013-06-26 2014-12-31 Edrees Hassan Co-integrated bulk acoustic wave resonators
JP2016195305A (ja) * 2015-03-31 2016-11-17 太陽誘電株式会社 弾性波フィルタ、分波器、およびモジュール
US10177736B2 (en) 2015-05-29 2019-01-08 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Bulk acoustic wave resonator comprising multiple acoustic reflectors
US10135415B2 (en) * 2015-12-18 2018-11-20 Texas Instruments Incorporated Method to reduce frequency distribution of bulk acoustic wave resonators during manufacturing
US10200013B2 (en) 2016-02-18 2019-02-05 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed acoustic wave filter device
US10361677B2 (en) 2016-02-18 2019-07-23 X-Celeprint Limited Transverse bulk acoustic wave filter
US10128813B2 (en) 2016-04-21 2018-11-13 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Bulk acoustic wave (BAW) resonator structure
US10804880B2 (en) 2018-12-03 2020-10-13 X-Celeprint Limited Device structures with acoustic wave transducers and connection posts
US10840884B2 (en) * 2018-05-24 2020-11-17 Qualcomm Incorporated Bulk acoustic wave (BAW) and passive-on-glass (POG) filter co-integration
US11482979B2 (en) 2018-12-03 2022-10-25 X Display Company Technology Limited Printing components over substrate post edges
US20210002128A1 (en) 2018-12-03 2021-01-07 X-Celeprint Limited Enclosed cavity structures
US11274035B2 (en) 2019-04-24 2022-03-15 X-Celeprint Limited Overhanging device structures and related methods of manufacture
US10790173B2 (en) 2018-12-03 2020-09-29 X Display Company Technology Limited Printed components on substrate posts
US11528808B2 (en) 2018-12-03 2022-12-13 X Display Company Technology Limited Printing components to substrate posts
CN113497596B (zh) * 2020-04-08 2023-05-12 诺思(天津)微系统有限责任公司 体声波谐振器、体声波谐振器组件、滤波器及电子设备
US20220052667A1 (en) * 2020-08-14 2022-02-17 Qorvo Us, Inc. Electronic device with solder interconnect and multiple material encapsulant
US12074583B2 (en) 2021-05-11 2024-08-27 X Display Company Technology Limited Printing components to adhesive substrate posts
DE102022203972A1 (de) * 2022-04-25 2023-10-26 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Volumenakustische Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer volumenakustischen Vorrichtung
US20240113063A1 (en) * 2022-09-30 2024-04-04 Texas Instruments Incorporated Radiator layers for ultrasonic transducers

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL277613A (ja) * 1961-04-26 1900-01-01
US3189851A (en) * 1962-06-04 1965-06-15 Sonus Corp Piezoelectric filter
US3293557A (en) * 1964-03-19 1966-12-20 Bell Telephone Labor Inc Elastic wave devices utilizing mixed crystals of potassium tantalatepotassium niobate
US3422371A (en) * 1967-07-24 1969-01-14 Sanders Associates Inc Thin film piezoelectric oscillator
DE1566009A1 (de) * 1967-08-26 1971-02-18 Telefunken Patent Mechanisches Frequenzfilter und Verfahren zu seiner Herstellung
US3486046A (en) * 1968-10-17 1969-12-23 Westinghouse Electric Corp Thin film piezoelectric resonator
US3696312A (en) * 1970-06-30 1972-10-03 Ibm Cyclotron resonance devices controllable by electric fields
US3686579A (en) * 1971-06-21 1972-08-22 Zenith Radio Corp Solid-state, acoustic-wave amplifiers
US3723920A (en) * 1971-06-24 1973-03-27 Gte Automatic Electric Lab Inc Crystal filter assembly
FR2151727A5 (ja) * 1971-09-10 1973-04-20 Thomson Csf
FR2182295A5 (ja) * 1972-04-25 1973-12-07 Thomson Csf
SE384958B (sv) * 1974-07-19 1976-05-24 Philips Svenska Ab Sett for overforing av information i en transponderanleggning samt anordning for utforande av settet
JPS5213793A (en) * 1975-07-22 1977-02-02 Kinsekishiya Kenkyusho:Kk Piezoelectric oscillator
AT353506B (de) * 1976-10-19 1979-11-26 List Hans Piezoelektrischer resonator
GB1592010A (en) * 1977-01-12 1981-07-01 Suwa Seikosha Kk Contour vibrator
CH630747A5 (fr) * 1979-01-18 1982-06-30 Ebauches Sa Procede d'ajustement de la frequence d'un resonateur et resonateur a frequence ajustee obtenu par la mise en oeuvre de ce procede.
JPS56100510A (en) * 1980-01-16 1981-08-12 Clarion Co Ltd Elastic surface wave device
US4320365A (en) * 1980-11-03 1982-03-16 United Technologies Corporation Fundamental, longitudinal, thickness mode bulk wave resonator
JPS58137317A (ja) * 1982-02-09 1983-08-15 Nec Corp 圧電薄膜複合振動子
US4556812A (en) * 1983-10-13 1985-12-03 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Acoustic resonator with Al electrodes on an AlN layer and using a GaAs substrate
US4502932A (en) * 1983-10-13 1985-03-05 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Acoustic resonator and method of making same
JPS60189307A (ja) * 1984-03-09 1985-09-26 Toshiba Corp 圧電薄膜共振器およびその製造方法
JPS6276913A (ja) * 1985-09-30 1987-04-09 Toshiba Corp 薄膜弾性波装置
US4897618A (en) * 1989-06-05 1990-01-30 The Curran Company Harmonic frequency selecting circuit
US5162691A (en) * 1991-01-22 1992-11-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Cantilevered air-gap type thin film piezoelectric resonator
US5233259A (en) * 1991-02-19 1993-08-03 Westinghouse Electric Corp. Lateral field FBAR
US5153476A (en) * 1991-03-11 1992-10-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Acoustic vibrator with variable sensitivity to external acceleration
US5185589A (en) * 1991-05-17 1993-02-09 Westinghouse Electric Corp. Microwave film bulk acoustic resonator and manifolded filter bank
US5294898A (en) * 1992-01-29 1994-03-15 Motorola, Inc. Wide bandwidth bandpass filter comprising parallel connected piezoelectric resonators
US5166646A (en) * 1992-02-07 1992-11-24 Motorola, Inc. Integrated tunable resonators for use in oscillators and filters
JPH05299970A (ja) * 1992-04-17 1993-11-12 Murata Mfg Co Ltd 圧電ラダーフィルタ
US5382930A (en) * 1992-12-21 1995-01-17 Trw Inc. Monolithic multipole filters made of thin film stacked crystal filters
US5373268A (en) * 1993-02-01 1994-12-13 Motorola, Inc. Thin film resonator having stacked acoustic reflecting impedance matching layers and method
US5332943A (en) * 1993-10-21 1994-07-26 Bhardwaj Mahesh C High temperature ultrasonic transducer device
US5446306A (en) * 1993-12-13 1995-08-29 Trw Inc. Thin film voltage-tuned semiconductor bulk acoustic resonator (SBAR)
JPH07170144A (ja) * 1993-12-15 1995-07-04 Murata Mfg Co Ltd 表面実装型電子部品
US5587620A (en) * 1993-12-21 1996-12-24 Hewlett-Packard Company Tunable thin film acoustic resonators and method for making the same
US5422533A (en) * 1994-03-09 1995-06-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Piezoelectric resonator
US5629906A (en) * 1995-02-15 1997-05-13 Hewlett-Packard Company Ultrasonic transducer
US5596239A (en) * 1995-06-29 1997-01-21 Motorola, Inc. Enhanced quality factor resonator
US5692279A (en) * 1995-08-17 1997-12-02 Motorola Method of making a monolithic thin film resonator lattice filter
US5646583A (en) * 1996-01-04 1997-07-08 Rockwell International Corporation Acoustic isolator having a high impedance layer of hafnium oxide

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001089236A (ja) * 1999-07-07 2001-04-03 Koninkl Philips Electronics Nv バルク音響波フィルタ
JP2003530705A (ja) * 2000-04-06 2003-10-14 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ チューニング可能なフィルタ構成
JP2003530750A (ja) * 2000-04-06 2003-10-14 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 共振器を有するチューニング可能なフィルタ構成
JP2002041052A (ja) * 2000-05-23 2002-02-08 Agere Systems Guardian Corp 音響素子の音響反射材
DE10158110B4 (de) * 2000-11-27 2010-07-01 Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo-shi Mehrschichtiges Schwingungsbauelement
US6717335B2 (en) 2000-11-27 2004-04-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Composite vibration device
CN1322670C (zh) * 2000-11-27 2007-06-20 株式会社村田制作所 组合振动装置
KR20030032401A (ko) * 2001-10-18 2003-04-26 한국쌍신전기주식회사 압전박막형 공진기 및 그 제조방법
JP2005509348A (ja) * 2001-11-06 2005-04-07 インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト フィルタ装置およびその製造方法
US7145417B2 (en) 2002-03-29 2006-12-05 Fujitsu Limited Filter chip and filter device
US6774729B2 (en) 2002-05-21 2004-08-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Composite-material vibrating device
US7513022B2 (en) 2002-07-31 2009-04-07 Kyocera Corporation Method for manufacturing surface acoustic wave device
US7154206B2 (en) 2002-07-31 2006-12-26 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device and method for manufacturing same
US8022556B2 (en) 2003-01-20 2011-09-20 Epcos Ag Electrical component having a reduced substrate area
JP2006513648A (ja) * 2003-01-20 2006-04-20 エプコス　アクチエンゲゼルシャフト 小さな基板面の電気構成素子
JP2005006304A (ja) * 2003-06-09 2005-01-06 Agilent Technol Inc 薄膜バルク音響共鳴器における圧電結合係数の制御して製造される装置
JP4624005B2 (ja) * 2003-06-09 2011-02-02 アバゴ・テクノロジーズ・ワイヤレス・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 薄膜バルク音響共鳴器における圧電結合係数を制御して製造される装置
US7282388B2 (en) 2003-09-15 2007-10-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method of manufacturing wafer level package type FBAR device
JP2007514341A (ja) * 2003-10-30 2007-05-31 アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 堅固に実装される積層型圧電薄膜共振器
US6954117B2 (en) 2003-10-30 2005-10-11 Tdk Corporation Electronic component including piezo-electric resonator mounted by face-down bonding with a required die shear strength
US7173361B2 (en) 2004-01-07 2007-02-06 Tdk Corporation Film bulk acoustic wave resonator
JP2005311567A (ja) * 2004-04-20 2005-11-04 Sony Corp フィルタ装置及び送受信機
JP2006311181A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Fujitsu Media Device Kk 圧電薄膜共振器およびフィルタ
JP4550658B2 (ja) * 2005-04-28 2010-09-22 富士通メディアデバイス株式会社 圧電薄膜共振器およびフィルタ
JP2008011483A (ja) * 2006-05-30 2008-01-17 Kyocera Corp 音響波共振子およびフィルタならびに通信装置
JP5147932B2 (ja) * 2008-03-04 2013-02-20 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振器、フィルタ、通信モジュール、および通信装置
US8653908B2 (en) 2008-03-04 2014-02-18 Taiyo Yuden Co., Ltd. Film bulk acoustic resonator, filter, communication module and communication apparatus
JP2012516120A (ja) * 2009-01-26 2012-07-12 サイマティクス ラボラトリーズ コーポレーション 保護された共振器
US9735338B2 (en) 2009-01-26 2017-08-15 Cymatics Laboratories Corp. Protected resonator
WO2013062203A1 (ko) * 2011-10-25 2013-05-02 삼성전자주식회사 박막 벌크 음향 공진기 및 박막 벌크 음향 공진기의 제조방법
US10079589B2 (en) 2011-10-25 2018-09-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film bulk acoustic resonator and method for manufacturing same
US9899593B2 (en) 2012-01-18 2018-02-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Bulk acoustic wave resonator
WO2016136327A1 (ja) * 2015-02-27 2016-09-01 株式会社日立製作所 超音波振動子ユニット
JP2016163132A (ja) * 2015-02-27 2016-09-05 株式会社日立製作所 超音波振動子ユニット
US10672972B2 (en) 2015-02-27 2020-06-02 Hitachi, Ltd. Ultrasonic transducer unit

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