JP2003530705A - チューニング可能なフィルタ構成 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、互いに接続され、その少なくとも１つはチューニング可能な容量を有するキャパシタと接続された、少なくとも２つの共振器を有するチューニング可能なフィルタ構成を示す。共振器の電気特性、および全体のフィルタ特性はキャパシタの容量における変化による変化する。さらに、このようなフィルタ構成を有する送信機、受信機、移動電話機器、無線データ伝送システムがチューニング可能なバルク音響波共振器とともに開示される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 本発明は、チューニング可能なフィルタ構成に関する。この発明はさらに、チ
ューニング可能なフィルタ構成、およびチューニング可能なバルク音響波共振器
を有する送信機、受信機、移動電話装置、コードレスデータ送信システムに関す
る。

【０００２】 移動電話技術の分野の非常に急速な発展およびコードレス電話装置の絶え間の
ない小型化により、個々の構成要素に課せられる要求は増加して来ている。この
ようにして、他のシステムによる数が増加している潜在的な干渉信号から受信機
を保護するために、高周波数領域での高い選択性が必要になっている。これは、
例えば、限られた帯域の周波数のみを通過させ、その帯域よりも上あるいは下の
すべての周波数を抑制する帯域フィルタにより達成される。

【０００３】 現在、セラミック電磁共振器を備えたフィルタが、高周波領域でこの目的のた
めに使用されている。しかし、これらのフィルタの小型化は、電磁波長によって
制限されている。表面音響波（ＳＡＷ）フィルタは、実質的に小さくなるように
構成することができる。これは、音響波長が電磁波長よりも４〜５桁小さいため
である。しかし、短所は、表面音響波フィルタは、多くの場合に構造が複雑で、
複雑なハウジングで保護しなけれならないことである。

【０００４】 代わりの物がバルク音響波（ＢＡＷ）フィルタで作られる。バルク音響波フィ
ルタは、その大きさ、パワー、およびＩＣ適合性に関しては有利である。

【０００５】 原理的には、バルク音響波共振器は、３つの構成要素から作られる。第１の構
成要素は圧電層を含み、音響波を発生する。圧電層の上と下に構成された２つの
電極が、第２の構成要素である。第３の構成要素は、圧電層で発生された振動か
らキャリア基板を音響的に絶縁する働きをする。

【０００６】 共振器あるいはフィルタの特性は変化しうることが興味深い観点である。これ
は例えば、バリキャップダイオードを共振器やフィルタに結合させることにより
成される。能動要素と受動要素とを組み合わせることは、共振器あるいはフィル
タの製造中に受動要素の材料により能動要素が汚染されるという不利な点がある
。

【０００７】 代替的な可能性は米国特許５，４４６，３０６号に開示されている。これは半
導体バルク音響波共振器および、半導体基板、第１および第２の電極、その間に
位置するＡｌＮまたはＺｎＯの圧電層を有する半導体バルク音響波フィルタを開
示する。この共振器の共振周波数はＤＣ電圧が電極に印加されることにより変化
する。

【０００８】 本発明は、簡単で安価に製造することのできるチューニング可能なフィルタ構
成を提供することを目的としている。

【０００９】 この目的は、基板と、少なくとも１つがチューニング可能な容量を有するキャ
パシタに接続された少なくとも２つの相互接続され、前記半導体基板上に設けら
れた共振器の構成、を備えたチューニング可能なフィルタ構成により達成される
。

【００１０】 ＤＣ電圧が共振器の第１および第２の電極に印加されたとき、共振器の電気特
性、共振周波数、および非共振周波数は変化する。もし共振器がフィルタ構成中
にあるときは、上述のことは全体のフィルタ特性に影響を与える。キャパシタは
調整可能、すなわち、変化しうる容量値を有しているので、これらの変化は程度
の差こそあれ、強く影響される。

【００１１】 キャパシタは電圧依存性のある相対誘電率εを有する誘電材料を有しているこ
とが好ましい。

【００１２】 ある材料は印加された電圧に強い依存性を有する誘電率εを有している。電圧
依存性の誘電率εを有しているキャパシタの第１および第２の電極にＤＣ電圧を
印加したとき、誘電率の値は低下し、そして、キャパシタの容量も低下する。こ
のことは接続されるべき共振器の電気特性に対するキャパシタの影響も変化させ
る。

【００１３】 電圧依存性誘電率εを有する材料は、次の群、 Ｌａ，ＮｂまたはＭｎのドーパントを含みまたは含まず、過剰の鉛を含みまた
は含まないＰｂＴｉ_１−ｘＺｒ_ｘＯ_３（０≦ｘ≦１），ドーパントを含みまたは
含まないＢａＴｉＯ_３，ドーパントを含みまたは含まないＳｒＴｉＯ_３，Ｃａお
よびＰｂドーパントを含みまたは含まないＢａ_１−ｘＳｒ_ｘＴｉＯ_３（０＜ｘ＜ １），Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）＋ＭｇＯ，Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘＴ
ｉＯ_３−Ｐｂ_１−ｙＣａ_ｙＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｂｉがドープ
されたＣａＴｉＯ_３，Ｓｒ_ｎ＋１Ｔｉ_ｎＯ_３ｎ＋１（０＜ｎ＜５），Ｐｂ_１−ｘ Ｃａ_ｘＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１），ＶＯ_ｘ（１＜ｘ＜２．５）および／またはＳｉ
Ｏ_２を含みまたは含まないＢａ_１−ｘＳｒ_ｘＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１），ドーパン
トを含みまたは含まないＢａ_１−ｘＳｒ_ｘＺｒ_ｙＴｉ_１−ｙＯ_３（０＜ｘ＜１，
０＜ｙ＜１），過剰の鉛を含みまたは含まないＢａ_１−ｘＰｂ_ｘＴｉＯ_３（０＜ ｘ＜１），Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１），ドーパントを含みまたは
含まないＳｒＺｒ_ｘＴｉ_１−ｘＯ_３（０＜ｘ＜１），［Ｐｂ（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_{２ ／３} ）Ｏ_３］_ｘ−［ＰｂＴｉＯ_３］_１−ｘ（０＜ｘ＜１），（Ｐｂ，Ｂａ，Ｓｒ
）（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_２／３）_ｘＴｉ_ｙ（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）_１−ｙＯ_３（０ ＜ ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｐｂ_１−ｘＣａ_ｘＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１），過剰のＮ
ａ^＋を含みまたは含まない（Ｂａ_{１−ｘ＋ｙ／８}Ｓｒ_{ｘ＋ｙ／８}）_２Ｎａ_１−ｙ Ｎｂ_５Ｏ_１５（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），過剰のＫ^＋を含みまたは含まない（
Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘ）_２Ｋ_１−３ｙＳＥ_ｙＮｂ_５Ｏ_１５（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１
）ここでＳＥは希土類から選択されたイオン，Ｓｒ_２Ｂａ_４Ｔｉ_２Ｎｂ_８Ｏ_３０ ，ＶＯ_ｘ（１＜ｘ＜２．５）および／またはＣｕＯドーパントを含みまたは含ま
ないＢｉＮｂＯ_４，（Ｂｉ_２−ｘＺｎ_ｘ）（Ｎｂ_２−ｙＺｎ_ｙ）Ｏ_ｘ，Ｂｉ_２（
Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）_２Ｏ_７， ａ）Ｐｂ（Ｍｇ_１／２Ｗ_１／２）Ｏ_３， ｂ）Ｐｂ（Ｆｅ_１／２Ｎｂ_１／２）Ｏ_３， ｃ）Ｐｂ（Ｆｅ_２／３Ｗ_１／３）Ｏ_３， ｄ）Ｐｂ（Ｎｉ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３， ｅ）Ｐｂ（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３， ｆ）Ｐｂ（Ｓｃ_１／２Ｔａ_１／２）Ｏ_３， およびａ）からｆ）までの化合物と過剰の鉛およびＢａ_１−ｘＺｒ_ｘＴｉＯ_３（
０＜ｘ＜１）を含みあるいは含まないＰｂＴｉＯ_３および／またはＰｂ（Ｍｇ_{１ ／３} Ｎｂ_２／３）Ｏ_３の組み合わせ から選択されることが特に好ましい。

【００１４】 これらの材料は、その誘電率が印加された電圧に特に強く依存することを示す
。

【００１５】 共振器がバルク音響波共振器、表面音響波共振器、およびＬＣ共振器の群から
選択されたものであることが好ましい。

【００１６】 バルク音響波共振器あるいは表面音響波共振器を含むフィルタ構成は、高い品
質係数Ｑおよび高い結合係数ｋをもって製造することができる。ＬＣ共振器は単
純な方法で製造することができる。

【００１７】 共振器が薄膜技術で構成されたものであることが特に好ましい。

【００１８】 基板上に薄膜技術で共振器を形成することはこのようなフィルタ構成を小さい
寸法で得ることを可能にする。

【００１９】 バルク音響波共振器のそれぞれは、下部および上部電極とその間に配置された
圧電層を有する共振器ユニットと、前記電極と前記共振器ユニット間に位置する
反射要素を備えたことが特に好ましい。

【００２０】 このようなバルク音響波共振器は煩雑なリソグラフィプロセスなしに製造でき
る。これは共振器の共振周波数は圧電層の厚さにより決まるからである。さらに
、このようなバルク音響波共振器は他の形式のバルク音響波共振器、例えば、単
結晶共振器、膜を有する共振器、エアーギャップを有する共振器よりも明らかに
堅牢である。

【００２１】 好ましい実施形態では、チューニング可能な容量を有するキャパシタに接続さ
れた前記共振器は他のキャパシタにも接続されている。

【００２２】 この実施形態では、少なくとも一つのキャパシタが、前記共振器に並列接続さ
れた少なくとも一つのキャパシタに直列に接続されたことが特に好ましい。

【００２３】 この実施形態ではフィルタ特性の特に広い範囲の可能性を提供する。

【００２４】 本発明はさらに、基板と、少なくとも１つがチューニング可能な容量を有する
キャパシタに接続された少なくとも２つの相互接続され、前記半導体基板上に設
けられた共振器の構成、をその上に備えた送信機、受信機、移動電話装置、無線
データ送信システムに関する。

【００２５】 本発明はさらに、基板と、その上に設けられ、下部および上部電極との間に配
置された圧電層と、前記電極と前記共振器ユニット間に位置する反射要素とを備
え、チューニング可能な容量値を有るキャパシタに接続されたバルク音響波共振
器にも関する。

【００２６】 共振器をチューニング可能なキャパシタに接続することによって、バルク音響
波共振器の電気的特性を広い範囲にわたって調整できる。

【００２７】 この発明は、４つの図面と４つの実施の形態により以下に詳細に説明される。

【００２８】 図１において、バルク音響波フィルタの構成は、例えば、セラミック材料、ガ
ラス平坦化層を有するセラミック材料、ガラス−セラミック材料、ガラス材料、
シリコン、ＧａＡｓまたはサファイアで作られたキャリア基板１を含む。シリコ
ンまたはＧａＡｓがキャリア基板１として使用される場合には、例えばＳｉＯ_２ またはガラスの不動態化層がさらに形成される。重合体および多孔質物質を含む
グループからの音響反射物質の層である反射要素２が、キャリア基板１上に形成
される。使用される可能性のある音響反射物質は、例えば、エーロゲル、キセロ
ゲル、ガラス発泡体、発泡型接着剤、発泡合成樹脂または低密度の合成樹脂であ
る。使用される可能性のあるエーロゲルは、例えば、シリカゲルまたは多孔質Ｓ
ｉＯ_２構造体で作られた無機エーロゲル、または例えば、レゾシノール−ホルム
アルデヒドエーロゲル、メラミン−ホルムアルデヒドエーロゲルまたはフェノー
ル−ホルムアルデヒドエーロゲルのような有機エーロゲルである。使用される可
能性のあるキセロゲルは、例えば、高濃縮ポリ珪酸のような無機キセロゲル、に
かわまたは寒天のような有機キセロゲルである。使用される可能性のある発泡物
質は、例えば、ポリスチロール、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリウレ
タン、ポリイソシアネート、ポリイソシアヌレート、ポリカルボジイミド、ポリ
メタクリルイミド、ポリアクリルイミド、アクリル−ブタジエン−スチロール共
重合体、ポリプロピレンまたはポリエステルのような化学的に発泡された重合体
または物理的に発泡された重合体である。さらに、例えば、フェノール−ホルム
アルデヒド樹脂またはフラン樹脂のような発泡合成樹脂が使用される可能性があ
り、これらは炭化により高い多孔度を持つ。使用される可能性のある低密度の合
成樹脂は、例えば、架橋ポリビニルエーテル、架橋ポリアリールエーテル、ポリ
テトラフルオロエチレン、ポリ（ｐ−キシリレン）、ポリ（２−クロロ−ｐ−キ
シリレン）、ポリ（ジクロロ−ｐ−キシリレン）、ポリベンゾシクロブテン、ス
チロール−ブタジエン共重合体、エチレン−酢酸ビニル重合体または有機シロキ
サン共重合体である。

【００２９】 共振器ユニットおよびキャパシタユニットは、反射要素の上に設けられる。共
振器ユニットは、第１の電極５、圧電層６、および第２の電極７を有する。電極
電極５および７は、低音響減衰の良導電性材料で作られるのが好ましく、例えば
、Ａｇ_１−ｘＰｔ_ｘ（０＜ｘ＜１），５０ｎｍ〜１μｍ厚のＰｔ，１〜２０ｎｍ
厚のＴｉ／２０〜６００ｎｍ厚のＰｔ，１〜２０ｎｍ厚のＴｉ／２０〜６００ｎ
ｍ厚のＰｔ／１〜２０ｎｍ厚のＴｉ，Ａｌ，数パーセントのＣｕがドープされた
Ａｌ，数パーセントのＳｉがドープされたＡｌ，数パーセントのＭｇがドープさ
れたＡｌ，Ｗ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｌ，Ｔｉ／Ａｇ，Ｔｉ
／Ａｇ／Ｔｉ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｐｄ，Ｔｉ／Ａｇ_１−ｘ Ｐｔ_ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ_１−ｘＰｄ_ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ｐｔ_{１ −ｘ} Ａｌ_ｘ（０＜ｘ＜１），Ｐｔ_１−ｘＡｌ_ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐ
ｔ_１−ｘＡｌ_ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ／ＩｒＯ_ｘ （０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯ_ｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／
Ｒｕ／Ｒｕ_ｘＰｔ_１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／Ｒｕ_ｘＰｔ_１−ｘ ／ＲｕＯ_ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯ_ｘ／Ｒｕ_ｙ Ｐｔ_１−ｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ_ｘＰｔ_１−ｘ（０＜ ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ_ｘＡｌ_１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｐｔ_ｘＡｌ_１−ｘ／
Ａｇ／Ｐｔ_ｙＡｌ_１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ_ｙ（Ｒ
ｈＯ_ｘ）_１−ｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｈ／ＲｈＯ_ｘ（０ ＜ ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ_ｘＲｈ_１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｒｈ，Ｒｈ／Ｒｈ
Ｏ_２，Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ_ｙ（ＲｈＯ_ｘ）_１−ｙ／Ｐｔ_ｚＲｈ_１−ｚ（０＜ｘ＜２
，０＜ｙ＜１，０＜ｚ＜１），Ｔｉ／Ａｇ_ｘＰｔ_１−ｘ／Ｉｒ（０＜ｘ＜１），
Ｔｉ／Ａｇ_ｘＰｔ_１−ｘ／Ｉｒ／ＩｒＯ_ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／
Ａｇ_ｘＰｔ_１−ｘ／Ｐｔ_ｙＡｌ_１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ_ｘ Ｐｔ_１−ｘ／Ｒｕ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ_ｘＰｔ_１−ｘ／Ｒｕ／ＲｕＯ_ｙ （０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｃｒ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｔｉ／ＩＴＯ，
Ｔｉ／Ａｇ／Ｃｒ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ａｇ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ／ＩＴＯ，Ｔｉ／
Ｎｉ／Ａｌ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ，Ｔｉ／Ｗ／Ｔｉ，Ｗ_ｘＴｉ_１−ｘ（０＜ｘ＜ １），Ｗ_ｘＴｉ_１−ｘ／Ａｌ（Ｃｕ）（０＜ｘ＜１），Ｗ_ｘＴｉ_１−ｘ／Ａｌ（
Ｓｉ）（０＜ｘ＜１），Ｗ_ｘＴｉ_１−ｘ／Ａｌ（０＜ｘ＜１），またはＴｉ／Ｃ
ｕを含む可能性がある。

【００３０】 圧電層６に使用される材料は、例えば、ＡｌＮ，ＺｎＯ，ＬａまたはＭｎのド
ーパントを含みまたは含まないＰｂＴｉ_１−ｘＺｒ_ｘＯ_３（０＜ｘ＜１），Ｌｉ
ＮｂＯ_３，ＬｉＴａＯ_３，ＰｂＮｂ_２Ｏ_６，Ｐｂ_１−ｘＣａ_ｘＴｉＯ_３（０＜ｘ ＜ １），［Ｐｂ（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３］_ｘ−［ＰｂＴｉＯ_３］_１−ｘ（
０＜ｘ＜１），ＢａＴｉＯ_３，Ｋ_１−ｘＮａ_ｘＮｂＯ_３（０＜ｘ＜１），（Ｃｄ
，Ｎａ）ＮｂＯ_３，（Ｂｉ，Ｎａ）ＴｉＯ_３，（Ｂｉ，Ｎａ，Ｐｂ，Ｂａ）Ｔｉ
Ｏ_３，Ｂｉ_７Ｔｉ_４ＮｂＯ_２１，（Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘ）_２ＮａＮｂ_５Ｏ_１５（０ ＜ ｘ＜１），（Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘ）_２ＫＮｂ_５Ｏ_１５（０＜ｘ＜１），
ａ）Ｐｂ（Ｍｇ_１／２Ｗ_１／２）Ｏ_３， ｂ）Ｐｂ（Ｆｅ_１／２Ｎｂ_１／２）Ｏ_３， ｃ）Ｐｂ（Ｆｅ_２／３Ｗ_１／３）Ｏ_３， ｄ）Ｐｂ（Ｎｉ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３， ｅ）Ｐｂ（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３， ｆ）Ｐｂ（Ｓｃ_１／２Ｔａ_１／２）Ｏ_３， およびａ）からｆ）までの化合物と過剰の鉛を含みあるいは含まないＰｂＴｉＯ_３ およびＰｂ（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３の組み合わせ、およびポリビニルフ
ロライド（ＰＶＤＦ）である可能性がある。

【００３１】 ２つのキャパシタＣ_ＡおよびＣ_Ｂは反射要素２の上で共振器ユニットの近くに
設けられる。キャパシタＣ_Ａはチューニング可能な容量を有しており、電圧依存
性の誘電率εを持つ誘電体８を有している。キャパシタＣ_Ｂはチューニング可能
な容量を有している必要はなく、誘電体４を有している 共振器の電極５および７は、キャパシタＣ_ＡおよびＣ_Ｂの一方の電極を形成す
るときに同時に形成される。

【００３２】 したがって、電極７は、チューニング可能な容量を有するキャパシタＣ_Ａの下
部電極を形成するように構成されていてもよい。誘電体８はキャパシタＣ_Ａの下
部電極の上に設けられ、上部電極９はキャパシタＣ_Ａの上部電極を形成するよう
に、誘電体８の上に設けられる。

【００３３】 誘電体８は電圧依存性の誘電率εを持つ、例えば次の群、 Ｌａ，ＮｂまたはＭｎのドーパントを含みまたは含まず、過剰の鉛を含みまた
は含まないＰｂＴｉ_１−ｘＺｒ_ｘＯ_３（０≦ｘ≦１），ドーパントを含みまたは
含まないＢａＴｉＯ_３，ドーパントを含みまたは含まないＳｒＴｉＯ_３，Ｃａお
よびＰｂドーパントを含みまたは含まないＢａ_１−ｘＳｒ_ｘＴｉＯ_３（０＜ｘ＜ １），Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）＋ＭｇＯ，Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘＴ
ｉＯ_３−Ｐｂ_１−ｙＣａ_ｙＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｂｉがドープ
されたＣａＴｉＯ_３，Ｓｒ_ｎ＋１Ｔｉ_ｎＯ_３ｎ＋１（０＜ｎ＜５），Ｐｂ_１−ｘ Ｃａ_ｘＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１），ＶＯ_ｘ（１＜ｘ＜２．５）および／またはＳｉ
Ｏ_２を含みまたは含まないＢａ_１−ｘＳｒ_ｘＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１），ドーパン
トを含みまたは含まないＢａ_１−ｘＳｒ_ｘＺｒ_ｙＴｉ_１−ｙＯ_３（０＜ｘ＜１，
０＜ｙ＜１），過剰の鉛を含みまたは含まないＢａ_１−ｘＰｂ_ｘＴｉＯ_３（０＜ ｘ＜１），Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１），ドーパントを含みまたは
含まないＳｒＺｒ_ｘＴｉ_１−ｘＯ_３（０＜ｘ＜１），［Ｐｂ（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_{２ ／３} ）Ｏ_３］_ｘ−［ＰｂＴｉＯ_３］_１−ｘ（０＜ｘ＜１），（Ｐｂ，Ｂａ，Ｓｒ
）（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_２／３）_ｘＴｉ_ｙ（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）_１−ｙＯ_３（０ ＜ ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｐｂ_１−ｘＣａ_ｘＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１），過剰のＮ
ａ^＋を含みまたは含まない（Ｂａ_{１−ｘ＋ｙ／８}Ｓｒ_{ｘ＋ｙ／８}）_２Ｎａ_１−ｙ Ｎｂ_５Ｏ_１５（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），過剰のＫ^＋を含みまたは含まない（
Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘ）_２Ｋ_１−３ｙＳＥ_ｙＮｂ_５Ｏ_１５（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１
）ここでＳＥは希土類から選択されたイオン，Ｓｒ_２Ｂａ_４Ｔｉ_２Ｎｂ_８Ｏ_３０ ，ＶＯ_ｘ（１＜ｘ＜２．５）および／またはＣｕＯドーパントを含みまたは含ま
ないＢｉＮｂＯ_４，（Ｂｉ_２−ｘＺｎ_ｘ）（Ｎｂ_２−ｙＺｎ_ｙ）Ｏ_ｘ，Ｂｉ_２（
Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）_２Ｏ_７， ａ）Ｐｂ（Ｍｇ_１／２Ｗ_１／２）Ｏ_３， ｂ）Ｐｂ（Ｆｅ_１／２Ｎｂ_１／２）Ｏ_３， ｃ）Ｐｂ（Ｆｅ_２／３Ｗ_１／３）Ｏ_３， ｄ）Ｐｂ（Ｎｉ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３， ｅ）Ｐｂ（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３， ｆ）Ｐｂ（Ｓｃ_１／２Ｔａ_１／２）Ｏ_３， およびａ）からｆ）までの化合物と過剰の鉛およびＢａ_１−ｘＺｒ_ｘＴｉＯ_３（
０＜ｘ＜１）を含みあるいは含まないＰｂＴｉＯ_３および／またはＰｂ（Ｍｇ_{１ ／３} Ｎｂ_２／３）Ｏ_３の組み合わせ から選択される。

【００３４】 キャパシタＣ_Ａの電極９は、例えば、次の材料、 Ａｇ_１−ｘＰｔ_ｘ（０＜ｘ＜１），５０ｎｍ〜１μｍ厚のＰｔ，１〜２０ｎｍ厚
のＴｉ／２０〜６００ｎｍ厚のＰｔ，１〜２０ｎｍ厚のＴｉ／２０〜６００ｎｍ
厚のＰｔ／１〜２０ｎｍ厚のＴｉ，Ａｌ，数パーセントのＣｕがドープされたＡ
ｌ，数パーセントのＳｉがドープされたＡｌ，数パーセントのＭｇがドープされ
たＡｌ，Ｗ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｌ，Ｔｉ／Ａｇ，Ｔｉ／
Ａｇ／Ｔｉ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｐｄ，Ｔｉ／Ａｇ_１−ｘＰ
ｔ_ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ_１−ｘＰｄ_ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ｐｔ_{１− ｘ} Ａｌ_ｘ（０＜ｘ＜１），Ｐｔ_１−ｘＡｌ_ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ_１−ｘ Ａｌ_ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ／ＩｒＯ_ｘ （０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯ_ｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒ
ｕ／Ｒｕ_ｘＰｔ_１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／Ｒｕ_ｘＰｔ_１−ｘ／
ＲｕＯ_ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯ_ｘ／Ｒｕ_ｙＰ
ｔ_１−ｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ_ｘＰｔ_１−ｘ（０＜ｘ ＜ １），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ_ｘＡｌ_１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｐｔ_ｘＡｌ_１−ｘ／Ａ
ｇ／Ｐｔ_ｙＡｌ_１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ_ｙ（Ｒｈ
Ｏ_ｘ）_１−ｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｈ／ＲｈＯ_ｘ（０＜ ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ_ｘＲｈ_１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｒｈ，Ｒｈ／ＲｈＯ_２ ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ_ｙ（ＲｈＯ_ｘ）_１−ｙ／Ｐｔ_ｚＲｈ_１−ｚ（０＜ｘ＜２，
０＜ｙ＜１，０＜ｚ＜１），Ｔｉ／Ａｇ_ｘＰｔ_１−ｘ／Ｉｒ（０＜ｘ＜１），Ｔ
ｉ／Ａｇ_ｘＰｔ_１−ｘ／Ｉｒ／ＩｒＯ_ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／Ａ
ｇ_ｘＰｔ_１−ｘ／Ｐｔ_ｙＡｌ_１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ_ｘ Ｐｔ_１−ｘ／Ｒｕ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ_ｘＰｔ_１−ｘ／Ｒｕ／ＲｕＯ_ｙ（
０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｃｒ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｔｉ／ＩＴＯ，Ｔ
ｉ／Ａｇ／Ｃｒ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ａｇ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎ
ｉ／Ａｌ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ，Ｔｉ／Ｗ／Ｔｉ，Ｗ_ｘＴｉ_１−ｘ（０＜ｘ＜１
），Ｗ_ｘＴｉ_１−ｘ／Ａｌ（Ｃｕ）（０＜ｘ＜１），Ｗ_ｘＴｉ_１−ｘ／Ａｌ（Ｓ
ｉ）（０＜ｘ＜１），Ｗ_ｘＴｉ_１−ｘ／Ａｌ（０＜ｘ＜１），Ａｌ，Ｃｕをドー
プしたＡｌ，ＭｇをドープしたＡｌ，ＳｉをドープしたＡｌ，またはＴｉ／Ｃｕ
を含む可能性がある。

【００３５】 他のキャパシタＣ_Ｂは下部電極３，誘電体４，および上部電極５を有している
。共振器の下部電極５は例えば、このキャパシタの上部電極を形成するのと同じ
ように構成することができる。

【００３６】 キャパシタＣ_Ａの誘電体４は例えば、次の材料、 例えばＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｓｉ_ｘＯ_ｙＮ_ｚ（０＜ｘ＜１，０ ＜ ｙ＜１，０＜ｚ＜１）、ＳｉＯ_２／Ｓｉ_３Ｎ_４／ＳｉＯ_２，Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘ ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１），Ｍｎドーパントを含みあるいは含まないＳｒＴｉ_{１− ｘ} Ｚｒ_ｘＯ_３（０＜ｘ＜１），ＢａＯ−Ｌｎ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２（Ｌｎ＝Ｌａ．Ｃ
ｅ，Ｎｄ，ＳｍまたはＥｕ），Ａｌ_２Ｏ_３，Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０，Ｍｎドーパン
トを含みあるいは含まないＢａ_２Ｔｉ_９−ｘＺｒ_ｘＯ_２０（０＜ｘ＜１），Ｂａ
Ｔｉ_５Ｏ_１１，ＢａＴｉ_４Ｏ_９，Ｎｂ_２Ｏ_５，ＴｉＯ_２，（Ｔａ_２Ｏ_５）_ｘ−（
Ａｌ_２Ｏ_３）_１−ｘ（０＜ｘ＜１），（Ｔａ_２Ｏ_５）_ｘ．（ＴｉＯ_２）_１−ｘ（
０＜ｘ＜１），（Ｔａ_２Ｏ_５）_ｘ−（Ｎｂ_２Ｏ_５）_１−ｘ（０＜ｘ＜１），（Ｔ
ａ_２Ｏ_５）_ｘ−（ＳｉＯ_２）_１−ｘ（０＜ｘ＜１），（Ｓｒ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚ
ｒ）Ｏ_３，ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｎｄ_２Ｏ_３−Ｇｄ_２Ｏ_３−Ｎｂ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２，
ＣａＳｍ_２Ｔｉ_５Ｏ_１４，Ｚｒ（Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ_４，ＢａＯ−ＰｂＯ−ＣａＯ−
Ｎｄ_２Ｏ_３−Ｐｒ_２Ｏ_３−Ｂｉ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２，Ｂａ（Ｚｒ，Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ_３ ，ＣａＴｉＯ_３−ＬａＡｌＯ_３，（Ｂｉ_３（Ｎｉ_２Ｎｂ）Ｏ_９）_１−ｘ（Ｂｉ_２ （ＺｎＮｂ_{２（１＋ｄ）ｙ}Ｏ_{３＋６ｙ＋５ｙｄ}）_ｘ（０＜ｘ＜１，０．５＜ｙ ＜ １．５，−０．０５＜ｄ＜０．０５），ＶＯ_ｘ（０＜ｘ＜２．５）のドーパン
トを含みあるいは含まないＢｉＮｂＯ_４，Ｂａ（Ｚｒ，Ｔａ）Ｏ_３，（Ｂｉ_{２− ｘ} Ｚｎ_ｘ）（Ｚｎ_２−ｙＮｂ_ｙ）Ｏ_７（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）あるいはＢｉ_２ （Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）_２Ｏ_７ で構成されても良い。

【００３７】 下部電極３は例えば、次の材料、 Ａｇ_１−ｘＰｔ_ｘ（０＜ｘ＜１），５０ｎｍ〜１μｍ厚のＰｔ，１〜２０ｎｍ厚
のＴｉ／２０〜６００ｎｍ厚のＰｔ，１〜２０ｎｍ厚のＴｉ／２０〜６００ｎｍ
厚のＰｔ／１〜２０ｎｍ厚のＴｉ，Ａｌ，数パーセントのＣｕがドープされたＡ
ｌ，数パーセントのＳｉがドープされたＡｌ，数パーセントのＭｇがドープされ
たＡｌ，Ｗ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｌ，Ｔｉ／Ａｇ，Ｔｉ／
Ａｇ／Ｔｉ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｐｄ，Ｔｉ／Ａｇ_１−ｘＰ
ｔ_ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ_１−ｘＰｄ_ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ｐｔ_{１− ｘ} Ａｌ_ｘ（０＜ｘ＜１），Ｐｔ_１−ｘＡｌ_ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ_１−ｘ Ａｌ_ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ／ＩｒＯ_ｘ （０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯ_ｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒ
ｕ／Ｒｕ_ｘＰｔ_１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／Ｒｕ_ｘＰｔ_１−ｘ／
ＲｕＯ_ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯ_ｘ／Ｒｕ_ｙＰ
ｔ_１−ｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ_ｘＰｔ_１−ｘ（０＜ｘ ＜ １），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ_ｘＡｌ_１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｐｔ_ｘＡｌ_１−ｘ／Ａ
ｇ／Ｐｔ_ｙＡｌ_１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ_ｙ（Ｒｈ
Ｏ_ｘ）_１−ｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｈ／ＲｈＯ_ｘ（０＜ ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ_ｘＲｈ_１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｒｈ，Ｒｈ／ＲｈＯ_２ ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ_ｙ（ＲｈＯ_ｘ）_１−ｙ／Ｐｔ_ｚＲｈ_１−ｚ（０＜ｘ＜２，
０＜ｙ＜１，０＜ｚ＜１），Ｔｉ／Ａｇ_ｘＰｔ_１−ｘ／Ｉｒ（０＜ｘ＜１），Ｔ
ｉ／Ａｇ_ｘＰｔ_１−ｘ／Ｉｒ／ＩｒＯ_ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／Ａ
ｇ_ｘＰｔ_１−ｘ／Ｐｔ_ｙＡｌ_１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ_ｘ Ｐｔ_１−ｘ／Ｒｕ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ_ｘＰｔ_１−ｘ／Ｒｕ／ＲｕＯ_ｙ（
０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｃｒ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｔｉ／ＩＴＯ，Ｔ
ｉ／Ａｇ／Ｃｒ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ａｇ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎ
ｉ／Ａｌ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ，Ｔｉ／Ｗ／Ｔｉ，Ｗ_ｘＴｉ_１−ｘ（０＜ｘ＜１
），Ｗ_ｘＴｉ_１−ｘ／Ａｌ（Ｃｕ）（０＜ｘ＜１），Ｗ_ｘＴｉ_１−ｘ／Ａｌ（Ｓ
ｉ）（０＜ｘ＜１），Ｗ_ｘＴｉ_１−ｘ／Ａｌ（０＜ｘ＜１），Ａｌ，Ｃｕをドー
プしたＡｌ，ＭｇをドープしたＡｌ，ＳｉをドープしたＡｌ，またはＴｉ／Ｃｕ
を含む可能性がある。

【００３８】 代替的に、キャパシタＣ_Ａの下部電極、およびキャパシタＣ_Ｂの上部電極は、
異なる導電層を堆積させたものであっても良い。

【００３９】 有機または無機材料、あるいはこれらの材料の組み合わせでなる保護層１０を
、フィルタ構成全体の上に形成することができる。使用される有機材料は、例え
ば、ポリベンゾシクロブテンまたはポリイミドである可能性があり、および使用
される無機材料は、例えば、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２またはＳｉ_ｘＯ_ｙＮ_ｚ（０＜ ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０＜ｚ＜１）である可能性がある。

【００４０】 保護層１０を貫通して電極３、５，７および第２の電極に達するコンタクト孔
かエッチングにより開けられる。例えば、Ｃｒ／ＣｕまたはＣｒ／Ｃｕ／Ｎｉ／
Ａｕがコンタクト孔内で成長される。フィルタ入力、フィルタ出力、および接地
へのコンタクトはバンプエンドコンタクトによりなされる。さらに、１ないし１
００Ｖの範囲のＤＣ電圧は誘電体８の層厚に応じて、キャパシタＣ_Ａの２つの電
極７、９に印加される。

【００４１】 共振器ユニットおよびキャパシタは、共振器ユニットの圧電層６、キャパシタ
Ｃ_ＡおよびＣ_Ｂの誘電層４，８のバイアを通して、電気的に内部接続される。

【００４２】 代替として、反射要素２および６は、交互に高インピーダンスと低インピーダ
ンスである、各層が共振波長λの１／４の厚さを有するいくつかの層で構成する
ことができる。低音響インピーダンスの材料は、例えば、有機または無機のエー
ロゲル、有機または無機のキセロゲル、ガラス発泡体、発泡型接着剤、発泡合成
樹脂または低密度の合成樹脂、またはＳｉＯ_２である可能性がある。高音響イン
ピーダンスの材料は、例えば、ＨｆＯ_２、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ／
Ｗ／Ｔｉ、Ｗ_ｘＴｉ_１−ｘ（０＜ｘ＜１）、ダイアモンド、ＡｌＮ，Ｔａ_２Ｏ_５ 、Ｐｔ、Ｔｉ／Ｐｔ、または例えば高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）のような高
密度の合成樹脂である可能性がある。共振器の下部電極５を同時に反射要素２の
λ／４層の上部層とすることもできる。

【００４３】 本発明の更なる実施形態においては、第２の反射要素をバルク音響波共振器の
上部電極７の上に設けることができる。

【００４４】 更なる代替例として、例えばアクリル酸にかわまたはエポキシドにかわで作ら
れた追加の接着層を、反射要素２とキャリア基板１の間に形成する。アクリル酸
にかわは、例えば、接着工程中に重合するアクリルまたはメタクリル単量体を含
むことができる。

【００４５】 さらに、層の厚さが３０から３００ｎｍの間であるＳｉＯ_２の層を、多孔質Ｓ
ｉＯ_２で作られた反射要素２の上および／または下に形成することができる。こ
れらのＳｉＯ_２層、反射要素２，および第２の反射要素は基板１の全領域上、あ
るいは共振ユニットの領域のように部分的に設けることができる。

【００４６】 さらに、全体のフィルタ構成に、少なくとも１つの第１および第２の電流供給
用コンタクトを設けることができる。電流供給コンタクトは例えば、Ｃｒ／Ｃｕ
、Ｎｉ／ＳｎまたはＣｒ／Ｃｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／ＳｎまたはＣｒ／Ｎｉ、Ｐｂ／Ｓ
ｎ、またはＣｒ／Ｃｕ，Ｎｉ／Ａｕの電気メッキＳＭＤエンドコンタクトまたは
Ｃｒ／ＣｕあるいはＣｒ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕのバンプエンドコンタクト、または
コンタクトパッドとして用いることができる。

【００４７】 もし望むならば、例えば、単結晶共振器、膜を備えた共振器またはエアギャッ
プを有する共振器などをバルク音響波共振器の代わりに用いることができ、また
、表面音響波フィルタをチューニング可能なフィルタ構成内に電極３，５および
圧電層４の設計を対応して変えるならば用いることができる。コイルとキャパシ
タより構成されるＬＣ共振器を用いることも可能である。

【００４８】 構成および集積についての代替的な実施形態は当業者に知られている。したが
って、例えば、チューニング可能なフィルタ構成は、２つ以上の共振器を有する
ことも可能である。２つ以上の共振器がチューニング可能なフィルタ構成中のチ
ューニング可能な容量値を持つキャパシタと接続されるようにすることもできる
。共振器が複数のキャパシタと接続されるときには、キャパシタは多くの回路の
変形例において共振器と接続されることができる。

【００４９】 図２は２つの共振器Ｒ１およびＲ２を持つ構成を示す。このフィルタ構成は本
発明の多くの可能な実施形態から一つだけを抜き出したもので、フィルタ入力１
１とフィルタ出力１２との間に接続された直列共振器Ｒ１と並列共振器Ｒ２を有
している。キャパシタＣ１は共振器Ｒ１に並列に接続され、キャパシタＣ２は共
振器Ｒ１の下流側でキャパシタＣ２に直列に接続されている。キャパシタＣ３は
並列共振器Ｒ２に直列に下流側で接続され、キャパシタＣ４は共振器Ｒ２に並列
に接続されている。直列キャパシタＣ３の第２の端子は接地されている。キャパ
シタＣ１およびＣ３はトリミング可能な容量値を有している。

【００５０】 図３は図２にしたがった回路を有するフィルタ構成および電極３、５、７、９
誘電体４、８および圧電層６の可能な設計を示す模式的平面図である。

【００５１】 本発明が実際にどのように実現しているかを示す例を表した本発明の実施の形
態が以下に詳細に説明される。

【００５２】 実施形態１ アクリル酸にかわの接着層がガラス基板の上に存在し、その上に３００ｎｍ厚
のＳｉＯ_２層、多孔質ＳｉＯ_２層の反射要素、および３０ｎｍ厚のＳｉＯ_２層が
存在する。Ｐｔ／Ｔｉの電極５がＳｉＯ_２層上に存在する。ＰｂＺｒ_０．３５Ｔ
ｉ_０．６５Ｏ_３の圧電層６が第１の電極５の上に位置し、Ｔｉ／Ｐｔ電極７が圧
電層６の上に設けられている。圧電層６および２つの電極５，７は堆積され、２
つの共振器Ｒ１およびＲ２が形成されるように構成されている。電極５は共振器
Ｒ２に隣接するキャパシタＣ４の上部電極をも構成するように堆積され、構成さ
れている。電極７はバルク音響波共振器Ｒ２の領域においてキャパシタＣ２の上
部電極とともにキャパシタＣ１の下部電極を形成するように、およびバルク音響
波共振器Ｒ２の領域においてキャパシタＣ３の下部電極を形成するように堆積さ
れ、構成される。５％のランタンドーピングを含むＰｂＺｒ_０．５３Ｔｉ_{０．４ ７} Ｏ_３の誘電体８がキャパシタＣ１，Ｃ３の下部電極の上にあり、Ｐｔ／Ｔｉの
上部電極９はそれぞれの誘電体８の上に設けられている。キャパシタＣ２および
Ｃ４のそれぞれはＰｔ／Ｔｉの上部電極に加えてＳｉ_３Ｎ_４の誘電体および４％
のＣｕがドープされたＡｌ下部電極３を備えている。

【００５３】 ＳｉＯ_２の保護層１０が、フィルタ構成全体の上に設けられている。電極３，
５，７，９へのコンタクトホールが、エッチングにより保護層１０に開けられて
いる。Ｃｒ／Ｃｕ／ＮＩ／Ａｕのバンプエンドコンタクトがコンタクトホール内
に成長している。

【００５４】 共振器Ｒ１の領域中の電極５に対するバンプエンドコンタクトは、フィルタ構
成のフィルタ入力１１に対するコンタクトとして作用し、共振器Ｒ２の領域にお
ける電極３に対するそれぞれのバンプエンドコンタクトはフィルタ構成のフィル
タ出力１２に対するコンタクトとして作用する。さらに、キャパシタＣ３の領域
中の電極９に対するバンプエンドコンタクトは接地されている。

【００５５】 キャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４および共振器Ｒ１およびＲ２は圧電層６，
誘電体８，および誘電体４中の適当なバイアを通して電気的に内部接続される。
キャパシタＣ１は共振器Ｒ１に並列接続されるが、キャパシタＣ２は共振器Ｒ１
の下流側で直列に接続される。キャパシタＣ３は共振器Ｒ２の下流側で直列に接
続され、キャパシタＣ４は共振器Ｒ２に並列に接続される。

【００５６】 ２つの共振器Ｒ１およびＲ２は、共振器Ｒ１の共振周波数が共振器Ｒ２の非共
振周波数に対応するように、チューニングされる。フィルタ構成のフィルタ特性
はキャパシタＣ１、Ｃ２にＤＣ電圧を印加することにより変化する。これは誘電
体８中の誘電材料の相対誘電率εが変化するためである。数ボルトのＤＣ電圧の
印加はキャパシタＣ１およびＣ３の容量値を係数１０まで減少させることができ
る。その結果、共振器Ｒ１およびＲ２の共振周波数および非共振周波数はシフト
され、フィルタ構成のフィルタ曲線は数％シフトする。キャパシタＣ１およびＣ
３の電極７および９にはＤＣ電圧がバンプエンドコンタクトを介して印加される
。

【００５７】 図４はこのようなシフトの例を示す。直列共振器Ｒ１は１ＧＨｚの共振周波数
を有し、並列共振器Ｒ２は共振周波数０．９５０３５ＧＨｚを有している。キャ
パシタＣ１およびＣ３の電極にＤＣ電圧が印加されないときの４つのキャパシタ
は次の容量値を有している：Ｃ１＝２ｐＦ，Ｃ２＝１００ｐＦ，Ｃ３＝１００ｐ
Ｆ，Ｃ４＝１０ｐＦ。このフィルタ構成のフィルタ特性は曲線１３により示され
ている。２０ＶのＤＣ電圧が印加された後には、Ｃ１およびＣ３の容量値は係数
１０で減少し、フィルタの帯域は高周波領域にシフトする。曲線１４はこの新た
なフィルタ特性に関連する。

【００５８】 結果として得られるフィルタ構成は、移動電話で、フィルタ帯域が変化しうる
チューニング可能な帯域フィルタとして使用される。

【００５９】 実施形態２ アクリル酸にかわの接着層がガラス基板の上に存在し、その上に３００ｎｍ厚
のＳｉＯ_２層、多孔質ＳｉＯ_２層の反射要素、および３０ｎｍ厚のＳｉＯ_２層が
存在する。Ｐｔ／Ｔｉの電極５がＳｉＯ_２層上に存在する。ＡｌＮの圧電層６が
第１の電極５の上に位置し、Ｔｉ／Ｐｔ電極７が圧電層６の上に設けられている
。圧電層６および２つの電極５，７は堆積され、直列共振器Ｒ１および並列共振
器Ｒ２を有するフィルタ構成が形成されるように構成されている。電極５は共振
器Ｒ２に隣接するキャパシタＣ４の上部電極をも構成するように堆積され、構成
されている。電極７はバルク音響波共振器Ｒ２の領域においてキャパシタＣ２の
上部電極とともにキャパシタＣ１の下部電極を形成するように、およびバルク音
響波共振器Ｒ２の領域においてキャパシタＣ３の下部電極を形成するように堆積
され、構成される。５％のランタンドーピングを含むＰｂＺｒ_０．５３Ｔｉ_{０． ４７} Ｏ_３の誘電体８がキャパシタＣ１，Ｃ３の下部電極の上にあり、Ｐｔ／Ｔｉ
の上部電極９はそれぞれの誘電体８の上に設けられている。キャパシタＣ２およ
びＣ４のそれぞれはＰｔ／Ｔｉの上部電極に加えてＳｉ_３Ｎ_４の誘電体および４
％のＣｕがドープされたＡｌ下部電極３を備えている。

【００６０】 ＳｉＯ_２の保護層１０が、フィルタ構成全体の上に設けられている。電極３，
５，７，９へのコンタクトホールが、エッチングにより保護層１０に開けられて
いる。Ｃｒ／Ｃｕ／ＮＩ／Ａｕのバンプエンドコンタクトがコンタクトホール内
に成長している。

【００６１】 共振器Ｒ１の領域中の電極５に対するバンプエンドコンタクトは、フィルタ構
成のフィルタ入力１１に対するコンタクトとして作用し、共振器Ｒ２の領域にお
ける電極３に対するそれぞれのバンプエンドコンタクトはフィルタ構成のフィル
タ出力１２に対するコンタクトとして作用する。さらに、キャパシタＣ３の領域
中の電極９に対するバンプエンドコンタクトは接地されている。

【００６２】 キャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４および共振器Ｒ１およびＲ２は圧電層６，
誘電体８，および誘電体４中の適当なバイアを通して電気的に内部接続される。
キャパシタＣ１は共振器Ｒ１に並列接続されるが、キャパシタＣ２は共振器Ｒ１
の下流側で直列に接続される。キャパシタＣ３は共振器Ｒ２の下流側で直列に接
続され、キャパシタＣ４は共振器Ｒ２に並列に接続される。

【００６３】 ２つの共振器Ｒ１およびＲ２は、共振器Ｒ１の共振周波数が共振器Ｒ２の非共
振周波数に対応するように、チューニングされる。フィルタ構成のフィルタ特性
はキャパシタＣ１、Ｃ２にＤＣ電圧を印加することにより変化する。これは誘電
体８中の誘電材料の相対誘電率εが変化するためである。数ボルトのＤＣ電圧の
印加はキャパシタＣ１およびＣ３の容量値を係数１０まで減少させることができ
る。その結果、共振器Ｒ１およびＲ２の共振周波数および非共振周波数はシフト
され、フィルタ構成のフィルタ曲線は数％シフトする。キャパシタＣ１およびＣ
３の電極７および９にはＤＣ電圧がバンプエンドコンタクトを介して印加される
。

【００６４】 結果として得られるフィルタ構成は、移動電話で、フィルタ帯域が変化しうる
チューニング可能な帯域フィルタとして使用される。

【００６５】 実施形態３ ガラス基板上にＡｌＮおよびＳｉＯ_２の交番λ／４層の反射要素２が存在する
。Ｐｔ／Ｔｉの電極５が反射要素２の上に存在する。ＡｌＮの圧電層６が電極５
の上に位置し、Ｔｉ／Ｐｔ電極７が圧電層６の上に設けられている。圧電層６お
よび２つの電極５，７は堆積され、直列共振器Ｒ１および並列共振器Ｒ２を有す
るフィルタ構成が形成されるように構成されている。電極５は共振器Ｒ２に隣接
するキャパシタＣ４の上部電極をも構成するように堆積され、構成されている。
電極７はバルク音響波共振器Ｒ２の領域においてキャパシタＣ２の上部電極とと
もにキャパシタＣ１の下部電極を形成するように、およびバルク音響波共振器Ｒ
２の領域においてキャパシタＣ３の下部電極を形成するように堆積され、構成さ
れる。５％のランタンドーピングを含むＰｂＺｒ_０．５３Ｔｉ_０．４７Ｏ_３の誘
電体８がキャパシタＣ１，Ｃ３の下部電極の上にあり、Ｐｔ／Ｔｉの上部電極９
はそれぞれの誘電体８の上に設けられている。キャパシタＣ２およびＣ４のそれ
ぞれはＰｔ／Ｔｉの上部電極に加えてＳｉ_３Ｎ_４の誘電体および４％のＣｕがド
ープされたＡｌ下部電極３を備えている。

【００６６】 Ｓｉ_３Ｎ_４の保護層１０が、フィルタ構成全体の上に設けられている。電極３
，５，７，９へのコンタクトホールが、エッチングにより保護層１０に開けられ
ている。Ｃｒ／Ｃｕ／ＮＩ／Ａｕのバンプエンドコンタクトがコンタクトホール
内に成長している。

【００６７】 共振器Ｒ１の領域中の電極５に対するバンプエンドコンタクトは、フィルタ構
成のフィルタ入力１１に対するコンタクトとして作用し、共振器Ｒ２の領域にお
ける電極３に対するそれぞれのバンプエンドコンタクトはフィルタ構成のフィル
タ出力１２に対するコンタクトとして作用する。さらに、キャパシタＣ３の領域
中の電極９に対するバンプエンドコンタクトは接地されている。

【００６８】 キャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４および共振器Ｒ１およびＲ２は圧電層６，
誘電体８，および誘電体４中の適当なバイアを通して電気的に内部接続される。
キャパシタＣ１は共振器Ｒ１に並列接続されるが、キャパシタＣ２は共振器Ｒ１
の下流側で直列に接続される。キャパシタＣ３は共振器Ｒ２の下流側で直列に接
続され、キャパシタＣ４は共振器Ｒ２に並列に接続される。

【００６９】 ２つの共振器Ｒ１およびＲ２は、共振器Ｒ１の共振周波数が共振器Ｒ２の非共
振周波数に対応するように、チューニングされる。フィルタ構成のフィルタ特性
はキャパシタＣ１、Ｃ２にＤＣ電圧を印加することにより変化する。これは誘電
体８中の誘電材料の相対誘電率εが変化するためである。数ボルトのＤＣ電圧の
印加はキャパシタＣ１およびＣ３の容量値を係数１０まで減少させることができ
る。その結果、共振器Ｒ１およびＲ２の共振周波数および非共振周波数はシフト
され、フィルタ構成のフィルタ曲線は数％シフトする。キャパシタＣ１およびＣ
３の電極７および９にはＤＣ電圧がバンプエンドコンタクトを介して印加される
。

【００７０】 結果として得られるフィルタ構成は、移動電話で、フィルタ帯域が変化しうる
チューニング可能な帯域フィルタとして使用される。

【００７１】 実施形態４ ガラス基板上にＴａ_２Ｏ_５およびＳｉＯ_２の交番λ／４層の反射要素２が存在
する。Ｐｔ／Ｔｉの電極５が反射要素２の上に存在する。ＡｌＮの圧電層６が電
極５の上に位置し、Ｔｉ／Ｐｔ電極７が圧電層６の上に設けられている。圧電層
６および２つの電極５，７は堆積され、直列共振器Ｒ１および並列共振器Ｒ２を
有するフィルタ構成が形成されるように構成されている。電極５は共振器Ｒ２に
隣接するキャパシタＣ４の上部電極をも構成するように堆積され、構成されてい
る。電極７はバルク音響波共振器Ｒ２の領域においてキャパシタＣ２の上部電極
とともにキャパシタＣ１の下部電極を形成するように、およびバルク音響波共振
器Ｒ２の領域においてキャパシタＣ３の下部電極を形成するように堆積され、構
成される。５％のランタンドーピングを含むＰｂＺｒ_０．５３Ｔｉ_０．４７Ｏ_３ の誘電体８がキャパシタＣ１，Ｃ３の下部電極の上にあり、Ｐｔ／Ｔｉの上部電
極９はそれぞれの誘電体８の上に設けられている。キャパシタＣ２およびＣ４の
それぞれはＰｔ／Ｔｉの上部電極に加えてＳｉ_３Ｎ_４の誘電体および４％のＣｕ
がドープされたＡｌ下部電極３を備えている。

【００７２】 Ｓｉ_３Ｎ_４の保護層１０が、フィルタ構成全体の上に設けられている。電極３
，５，７，９へのコンタクトホールが、エッチングにより保護層１０に開けられ
ている。Ｃｒ／Ｃｕ／ＮＩ／Ａｕのバンプエンドコンタクトがコンタクトホール
内に成長している。

【００７３】 共振器Ｒ１の領域中の電極５に対するバンプエンドコンタクトは、フィルタ構
成のフィルタ入力１１に対するコンタクトとして作用し、共振器Ｒ２の領域にお
ける電極３に対するそれぞれのバンプエンドコンタクトはフィルタ構成のフィル
タ出力１２に対するコンタクトとして作用する。さらに、キャパシタＣ３の領域
中の電極９に対するバンプエンドコンタクトは接地されている。

【００７４】 キャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４および共振器Ｒ１およびＲ２は圧電層６，
誘電体８，および誘電体４中の適当なバイアを通して電気的に内部接続される。
キャパシタＣ１は共振器Ｒ１に並列接続されるが、キャパシタＣ２は共振器Ｒ１
の下流側で直列に接続される。キャパシタＣ３は共振器Ｒ２の下流側で直列に接
続され、キャパシタＣ４は共振器Ｒ２に並列に接続される。

【００７５】 ２つの共振器Ｒ１およびＲ２は、共振器Ｒ１の共振周波数が共振器Ｒ２の非共
振周波数に対応するように、チューニングされる。フィルタ構成のフィルタ特性
はキャパシタＣ１、Ｃ２にＤＣ電圧を印加することにより変化する。これは誘電
体８中の誘電材料の相対誘電率εが変化するためである。数ボルトのＤＣ電圧の
印加はキャパシタＣ１およびＣ３の容量値を係数１０まで減少させることができ
る。その結果、共振器Ｒ１およびＲ２の共振周波数および非共振周波数はシフト
され、フィルタ構成のフィルタ曲線は数％シフトする。キャパシタＣ１およびＣ
３の電極７および９にはＤＣ電圧がバンプエンドコンタクトを介して印加される
。

【００７６】 結果として得られるフィルタ構成は、移動電話で、フィルタ帯域が変化しうる
チューニング可能な帯域フィルタとして使用される。

【００７７】 実施形態５ ＳｉＯ_２パッシベーション層を有するシリコン基板上にＴａ_２Ｏ_５およびＳｉ
Ｏ_２の交番λ／４層の反射要素２が存在する。Ｔｉ／Ｐｔの電極５が反射要素２
の上に存在する。ＡｌＮの圧電層６が電極５の上に位置し、Ｔｉ／Ｐｔ電極７が
圧電層６の上に設けられている。圧電層６および２つの電極５，７は堆積され、
直列共振器Ｒ１および並列共振器Ｒ２を有するフィルタ構成が形成されるように
構成されている。電極５は共振器Ｒ２に隣接するキャパシタＣ４の上部電極をも
構成するように堆積され、構成されている。電極７はバルク音響波共振器Ｒ２の
領域においてキャパシタＣ２の上部電極とともにキャパシタＣ１の下部電極を形
成するように、およびバルク音響波共振器Ｒ２の領域においてキャパシタＣ３の
下部電極を形成するように堆積され、構成される。５％のランタンドーピングを
含むＰｂＺｒ_０．５３Ｔｉ_０．４７Ｏ_３の誘電体８がキャパシタＣ１，Ｃ３の下
部電極の上にあり、Ｐｔ／Ｔｉの上部電極９はそれぞれの誘電体８の上に設けら
れている。キャパシタＣ２およびＣ４のそれぞれはＰｔ／Ｔｉの上部電極に加え
てＳｉ_３Ｎ_４の誘電体およびＴｉ／Ｐｔの下部電極３を備えている。

【００７８】 Ｓｉ_３Ｎ_４の保護層１０が、フィルタ構成全体の上に設けられている。電極３
，５，７，９へのコンタクトホールが、エッチングにより保護層１０に開けられ
ている。Ｃｒ／Ｃｕ／ＮＩ／Ａｕのバンプエンドコンタクトがコンタクトホール
内に成長している。

【００７９】 共振器Ｒ１の領域中の電極５に対するバンプエンドコンタクトは、フィルタ構
成のフィルタ入力１１に対するコンタクトとして作用し、共振器Ｒ２の領域にお
ける電極３に対するそれぞれのバンプエンドコンタクトはフィルタ構成のフィル
タ出力１２に対するコンタクトとして作用する。さらに、キャパシタＣ３の領域
中の電極９に対するバンプエンドコンタクトは接地されている。

【００８０】 キャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４および共振器Ｒ１およびＲ２は圧電層６，
誘電体８，および誘電体４中の適当なバイアを通して電気的に内部接続される。
キャパシタＣ１は共振器Ｒ１に並列接続されるが、キャパシタＣ２は共振器Ｒ１
の下流側で直列に接続される。キャパシタＣ３は共振器Ｒ２の下流側で直列に接
続され、キャパシタＣ４は共振器Ｒ２に並列に接続される。

【００８１】 ２つの共振器Ｒ１およびＲ２は、共振器Ｒ１の共振周波数が共振器Ｒ２の非共
振周波数に対応するように、チューニングされる。フィルタ構成のフィルタ特性
はキャパシタＣ１、Ｃ２にＤＣ電圧を印加することにより変化する。これは誘電
体８中の誘電材料の相対誘電率εが変化するためである。数ボルトのＤＣ電圧の
印加はキャパシタＣ１およびＣ３の容量値を係数１０まで減少させることができ
る。その結果、共振器Ｒ１およびＲ２の共振周波数および非共振周波数はシフト
され、フィルタ構成のフィルタ曲線は数％シフトする。キャパシタＣ１およびＣ
３の電極７および９にはＤＣ電圧がバンプエンドコンタクトを介して印加される
。

【００８２】 結果として得られるフィルタ構成は、移動電話で、フィルタ帯域が変化しうる
チューニング可能な帯域フィルタとして使用される。

【００８３】 実施形態６ ＳｉＯ_２パッシベーション層を有するシリコン基板上にＴａ_２Ｏ_５およびＳｉ
Ｏ_２の交番λ／４層の反射要素２が存在する。Ｔｉ／Ｐｔの電極５が反射要素２
の上に存在する。ＡｌＮの圧電層６が電極５の上に位置し、Ｔｉ／Ｐｔ電極７が
圧電層６の上に設けられている。圧電層６および２つの電極５，７は堆積され、
直列共振器Ｒ１および並列共振器Ｒ２を有するフィルタ構成が形成されるように
構成されている。電極５は共振器Ｒ２に隣接するキャパシタＣ４の上部電極をも
構成するように堆積され、構成されている。電極７はバルク音響波共振器Ｒ２の
領域においてキャパシタＣ２の上部電極とともにキャパシタＣ１の下部電極を形
成するように、およびバルク音響波共振器Ｒ２の領域においてキャパシタＣ３の
下部電極を形成するように堆積され、構成される。５％のランタンドーピングを
含むＰｂＺｒ_０．５３Ｔｉ_０．４７Ｏ_３の誘電体８がキャパシタＣ１，Ｃ３の下
部電極の上にあり、Ｐｔ／Ｔｉの上部電極９はそれぞれの誘電体８の上に設けら
れている。キャパシタＣ２およびＣ４のそれぞれはＰｔ／Ｔｉの上部電極に加え
てＳｉ_３Ｎ_４の誘電体、および別に堆積され、４％のＣｕがドープされたＡｌ下
部電極３を備えている。

【００８４】 Ｓｉ_３Ｎ_４の保護層１０が、フィルタ構成全体の上に設けられている。電極３
，５，７，９へのコンタクトホールが、エッチングにより保護層１０に開けられ
ている。Ｃｒ／Ｃｕ／ＮＩ／Ａｕのバンプエンドコンタクトがコンタクトホール
内に成長している。

【００８５】 共振器Ｒ１の領域中の電極５に対するバンプエンドコンタクトは、フィルタ構
成のフィルタ入力１１に対するコンタクトとして作用し、共振器Ｒ２の領域にお
ける電極３に対するそれぞれのバンプエンドコンタクトはフィルタ構成のフィル
タ出力１２に対するコンタクトとして作用する。さらに、キャパシタＣ３の領域
中の電極９に対するバンプエンドコンタクトは接地されている。

【００８６】 キャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４および共振器Ｒ１およびＲ２は圧電層６，
誘電体８，および誘電体４中の適当なバイアを通して電気的に内部接続される。
キャパシタＣ１は共振器Ｒ１に並列接続されるが、キャパシタＣ２は共振器Ｒ１
の下流側で直列に接続される。キャパシタＣ３は共振器Ｒ２の下流側で直列に接
続され、キャパシタＣ４は共振器Ｒ２に並列に接続される。

【００８７】 ２つの共振器Ｒ１およびＲ２は、共振器Ｒ１の共振周波数が共振器Ｒ２の非共
振周波数に対応するように、チューニングされる。フィルタ構成のフィルタ特性
はキャパシタＣ１、Ｃ２にＤＣ電圧を印加することにより変化する。これは誘電
体８中の誘電材料の相対誘電率εが変化するためである。数ボルトのＤＣ電圧の
印加はキャパシタＣ１およびＣ３の容量値を係数１０まで減少させることができ
る。その結果、共振器Ｒ１およびＲ２の共振周波数および非共振周波数はシフト
され、フィルタ構成のフィルタ曲線は数％シフトする。キャパシタＣ１およびＣ
３の電極７および９にはＤＣ電圧がバンプエンドコンタクトを介して印加される
。

【００８８】 結果として得られるフィルタ構成は、移動電話で、フィルタ帯域が変化しうる
チューニング可能な帯域フィルタとして使用される。

【００８９】 第１の電極３および反射要素２のある部分の上に存在する。Ｐｔ／Ｔｉの第２の
電極５が圧電層４および反射要素２のある部分上に設けられている。圧電層４お
よび２つの電極３、５は堆積され、図２にしたがった２つの共振器３，５が形成
されるように構成されている。ＳｉＯ_２の保護層７が、フィルタ構成全体の上に
設けられている。第１の電極および第２電極５へのコンタクトホールを、エッチ
ングを用いて保護層７に開けられている。Ｃｒ／Ｃｕ／ＮＩ／Ａｕのバンプエン
ドコンタクトがコンタクトホール内に成長している。共振器Ｒ１の領域中の電極
５に対するバンプエンドコンタクトは、フィルタ構成の入力８に対するコンタク
トとして作用し、共振器Ｒ１の領域共振器Ｒ２の領域における電極３に対するそ
れぞれのバンプエンドコンタクトはフィルタ構成の出力９に対するコンタクトと
して作用する。さらに、共振器Ｒ２の領域中の電極５に対するバンプエンドコン
タクトは接地されている。ＤＣ電圧がこれらのバンプエンドコンタクトを介して
電極３、５に印加されている。

【００９０】 ２つの共振器Ｒ１およびＲ２は、共振器Ｒ１の共振周波数が共振器Ｒ２の非共
振周波数に対応するように、チューニングされる。フィルタ構成のフィルタ特性
は２つの共振器にＤＣ電圧を印加することにより変化する。これは圧電層４中の
誘電材料の誘電率εが減少するためである。チューニング可能な共振器の共振周
波数および非共振周波数はそれによってシフトする。

【００９１】 結果として得られるフィルタ構成は、移動電話でチューニング可能な帯域フィ
ルタとして使用される。

【図面の簡単な説明】

【図１】 ２つのキャパシタに接続されたチューニング可能なフィルタ構成のバルク音響
波共振器を示す断面図である。

【図２】 チューニング可能なフィルタ構成の実施形態を示す回路図である。

【図３】 図２に示す回路構成を有するチューニング可能なフィルタ構成を示す平面図で
ある。

【図４】 チューニング可能なフィルタ構成のフィルタ曲線を示すグラフである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート、エフ．ミルソン オランダ国5656、アーアー、アインドーフ ェン、プロフ．ホルストラーン、６ (72)発明者 ハンス、ピー．レーブル オランダ国5656、アーアー、アインドーフ ェン、プロフ．ホルストラーン、６ (72)発明者 ライナー、キーウィット オランダ国5656、アーアー、アインドーフ ェン、プロフ．ホルストラーン、６ (72)発明者 ウベ、マッケンス オランダ国5656、アーアー、アインドーフ ェン、プロフ．ホルストラーン、６ (72)発明者 マルティヌス、エイチ．ダブリュ．エム． バン、デルデン オランダ国5656、アーアー、アインドーフ ェン、プロフ．ホルストラーン、６ (72)発明者 ウイルヘルム、ジー．ハーマン オランダ国5656、アーアー、アインドーフ ェン、プロフ．ホルストラーン、６ (72)発明者 オラフ、ウニッケ オランダ国5656、アーアー、アインドーフ ェン、プロフ．ホルストラーン、６ Ｆターム(参考） 5J024 AA02 BA04 DA01 DA25 EA03 5J108 AA02 BB04 CC11 EE03 JJ02

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板と、 少なくとも１つがチューニング可能な容量を有するキャパシタに接続された少
   なくとも２つの相互接続され、前記半導体基板上に設けられた共振器の構成、 を備えたチューニング可能なフィルタ構成。
2. 【請求項２】 前記キャパシタは電圧依存性誘電率を有する材料でなる誘電体を備えたことを
   特徴とする請求項１に記載のチューニング可能なフィルタ構成。
3. 【請求項３】 前記電圧依存性誘電率を有する材料でなる誘電体は、次の群、 Ｌａ，ＮｂまたはＭｎのドーパントを含みまたは含まず、過剰の鉛を含みまた
   は含まないＰｂＴｉ_１−ｘＺｒ_ｘＯ_３（０≦ｘ≦１），ドーパントを含みまたは
   含まないＢａＴｉＯ_３，ドーパントを含みまたは含まないＳｒＴｉＯ_３，Ｃａお
   よびＰｂドーパントを含みまたは含まないＢａ_１−ｘＳｒ_ｘＴｉＯ_３（０＜ｘ＜ １），Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）＋ＭｇＯ，Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘＴ
   ｉＯ_３−Ｐｂ_１−ｙＣａ_ｙＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｂｉがドープ
   されたＣａＴｉＯ_３，Ｓｒ_ｎ＋１Ｔｉ_ｎＯ_３ｎ＋１（０＜ｎ＜５），Ｐｂ_１−ｘ Ｃａ_ｘＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１），ＶＯ_ｘ（１＜ｘ＜２．５）および／またはＳｉ
   Ｏ_２を含みまたは含まないＢａ_１−ｘＳｒ_ｘＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１），ドーパン
   トを含みまたは含まないＢａ_１−ｘＳｒ_ｘＺｒ_ｙＴｉ_１−ｙＯ_３（０＜ｘ＜１，
   ０＜ｙ＜１），過剰の鉛を含みまたは含まないＢａ_１−ｘＰｂ_ｘＴｉＯ_３（０＜ ｘ＜１），Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１），ドーパントを含みまたは
   含まないＳｒＺｒ_ｘＴｉ_１−ｘＯ_３（０＜ｘ＜１），［Ｐｂ（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_{２ ／３} ）Ｏ_３］_ｘ−［ＰｂＴｉＯ_３］_１−ｘ（０＜ｘ＜１），（Ｐｂ，Ｂａ，Ｓｒ
   ）（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_２／３）_ｘＴｉ_ｙ（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）_１−ｙＯ_３（０ ＜ ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｐｂ_１−ｘＣａ_ｘＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１），過剰のＮ
   ａ^＋を含みまたは含まない（Ｂａ_{１−ｘ＋ｙ／８}Ｓｒ_{ｘ＋ｙ／８}）_２Ｎａ_１−ｙ Ｎｂ_５Ｏ_１５（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），過剰のＫ^＋を含みまたは含まない（
   Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘ）_２Ｋ_１−３ｙＳＥ_ｙＮｂ_５Ｏ_１５（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１
   ）ここでＳＥは希土類から選択されたイオン，Ｓｒ_２Ｂａ_４Ｔｉ_２Ｎｂ_８Ｏ_３０ ，ＶＯ_ｘ（１＜ｘ＜２．５）および／またはＣｕＯドーパントを含みまたは含ま
   ないＢｉＮｂＯ_４，（Ｂｉ_２−ｘＺｎ_ｘ）（Ｎｂ_２−ｙＺｎ_ｙ）Ｏ_ｘ，Ｂｉ_２（
   Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）_２Ｏ_７， ａ）Ｐｂ（Ｍｇ_１／２Ｗ_１／２）Ｏ_３， ｂ）Ｐｂ（Ｆｅ_１／２Ｎｂ_１／２）Ｏ_３， ｃ）Ｐｂ（Ｆｅ_２／３Ｗ_１／３）Ｏ_３， ｄ）Ｐｂ（Ｎｉ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３， ｅ）Ｐｂ（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３， ｆ）Ｐｂ（Ｓｃ_１／２Ｔａ_１／２）Ｏ_３， およびａ）からｆ）までの化合物と過剰の鉛およびＢａ_１−ｘＺｒ_ｘＴｉＯ_３（
   ０＜ｘ＜１）を含みあるいは含まないＰｂＴｉＯ_３および／またはＰｂ（Ｍｇ_{１ ／３} Ｎｂ_２／３）Ｏ_３の組み合わせ、 から選択されたものであることを特徴とする請求項２に記載のチューニング可
   能なフィルタ構成。
4. 【請求項４】 前記共振器がバルク音響波共振器、表面音響波共振器、およびＬＣ共振器の群
   から選択されたものであることを特徴とする請求項１に記載のチューニング可能
   なフィルタ構成。
5. 【請求項５】 前記共振器が薄膜技術で構成されたものであることを特徴とする請求項４に記
   載のチューニング可能なフィルタ構成。
6. 【請求項６】 前記バルク音響波共振器のそれぞれは、下部および上部電極とその間に配置さ
   れた圧電層を有する共振器ユニットと、前記電極と前記共振器ユニット間に位置
   する反射要素を備えたことを特徴とする請求項４に記載のチューニング可能なフ
   ィルタ構成。
7. 【請求項７】 チューニング可能な容量を有するキャパシタに接続された前記共振器は他のキ
   ャパシタにも接続されていることを特徴とする請求項１に記載のチューニング可
   能なフィルタ構成。
8. 【請求項８】 少なくとも一つのキャパシタが、前記共振器に並列接続された少なくとも一つ
   のキャパシタに直列に接続されたことを特徴とするチューニング可能なフィルタ
   構成。
9. 【請求項９】 基板と、少なくとも１つがチューニング可能な容量を有するキャパシタに接続
   された少なくとも２つの相互接続され、前記半導体基板上に設けられた共振器の
   構成、をその上に備えた移動電話装置。
10. 【請求項１０】 基板と、少なくとも１つがチューニング可能な容量を有するキャパシタに接続
    された少なくとも２つの相互接続され、前記半導体基板上に設けられた共振器の
    構成、をその上に備えた送信機。
11. 【請求項１１】 基板と、少なくとも１つがチューニング可能な容量を有するキャパシタに接続
    された少なくとも２つの相互接続され、前記半導体基板上に設けられた共振器の
    構成、をその上に備えた受信機。
12. 【請求項１２】 基板と、少なくとも強誘電性材料でなる圧電部品を含み、ＤＣ電源が接続され
    た、相互接続された少なくとも２つの共振器をその上に備えたチューニング可能
    なフィルタ構成とを備えた無線データ送信システム。
13. 【請求項１３】 基板と、その上に設けられ、下部および上部電極との間に配置された圧電層と
    、前記電極と前記共振器ユニット間に位置する反射要素とを備え、チューニング
    可能な容量値を有るキャパシタに接続されたバルク音響波共振器。