DE1566009A1 - Mechanisches Frequenzfilter und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Mechanisches Frequenzfilter und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
- Publication number
- DE1566009A1 DE1566009A1 DE19671566009 DE1566009A DE1566009A1 DE 1566009 A1 DE1566009 A1 DE 1566009A1 DE 19671566009 DE19671566009 DE 19671566009 DE 1566009 A DE1566009 A DE 1566009A DE 1566009 A1 DE1566009 A1 DE 1566009A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- metal layer
- crystal
- resonators
- frequency filter
- zone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 45
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 29
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 7
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
IELEFUNKE N
Patentverwertungsgesellsehaft
mbH
Ulm (Donau), 16. August 1967 FE/PT-N/br U 130/67
"Mechanisches Frequenzfliter und
Verfahren zu seiner Herstellung"
Die Erfindung betrifft ein mechanisches Frequenzfliter, bestehend aus einem plattenförmigen Kristall, beispielsweise
einem Quarzkristall, bei dem die Resonatoren als auf ihren
Hauptflächen mit einer Metallschicht versehene Bereiche des
Kristalls ausgebildet sind, die durch als Koppelelemente
wirkende Kristallbereiche miteinander verbunden sind, wobei die seitlichen Abmessungen der Metallschicht sowie das Verhältnis von Stärke der als Koppelelemente wirkenden Bereiche
zu Stärke der mit einer Metallschicht versehenen Bereiche
BAD ORIGINAL - 2 -
109808/1903
- 2 - U 130/67
(Resonatoren) dl· Bandbreite dee Pilters und die Höhe der
Metallschicht die Resonanzfrequenz der Resonatoren bestimmen, und ein Verfahren zu seiner Herstellung.
Es 1st bekannt, mechanische Frfquenzfliter aus einen plattenförmigen Kristall In der welsK herzustellen, dass zwischen den einzelnen Resonatoren durch mechanische Bearbeitung, beispielsweise durch Fräsen oder Sägen, Einschnitte
angebracht werden und bass auf diese Weise die Koppelelemente erzeugt werden· De/1 NachWu. aieser bekannten Prequenxfliter
besteht darin, dass sie mechanisch nicht sehr stabil sind. Dies lässt sich einerseits aus der fertigen Struktur mit
verhältnismäßig schmalen Koppelstegen erklären andererseits
bringt aber auch die Art der Herstellung der Einschnitte die Gefahr mit sich, dass in dem Kristallkörper durch die mechanische Erschütterung Risse entstehen, die später zum Bruch
der gesamten Anordnung führen. Darüber hinaus 1st die erforderliche hohe Präzision der Resonatorabmessungen bei dem bekannten Filter nur sehr schwer zu verwirklichen.
Weiterhin wurde vorgeschlagen, mechanische Frequenzfliter
aus einem plattenförmigen Kristall durch Querschnittsänderungen zu erzeugen. Hierbei werden die QuerschnitfsSnderungen,
- 3 -109808/1903
- 3 - U 130/67
d. h. die unterschiedliche Plattenstärke des Kristalls, in den
als Resonatoren und in den als Koppelelemente dienenden Bereichen gemäss dem einen Vorschlag duroh Abtragen von Kristallmaterial und gemäss einem zweiten Vorschlag durch Aufdampfen
von Metallschichten hergestellt. Während bei Filtern, die gemäss
dem ersten Vorschlag beispielsweise in einem Ätzprozess hergestellt werden» die geforderten Abmessungen mit guter Genauigkeit
hergestellt, werden können, dafür aber der Abgleioh der einzelnen Resonatoren Schwierigkelten bereitet, liegt der
Nachteil bei Frequenzfiltern, die gemäss dem zweiten Verfahren hergestellt werden, darin, dass sich in einem Aufdampfprozess
die seitliehen Abmessungen der Resonatoren nur mit unsurelohender
Genauigkeit bestimmen lassen, da dam aufzudampfende
terial an den Maskenrässäern gestreut wiri mit ü& im Lauf
Fertigungsprozesses die Masken leicht verschmutzen und somit eine starke Streuung zwischen den Eigenschaften nacheinander
hergestellter Frequenzfilter eintritt. Bei Frequenzfiltern, bei denen die Querschnittsänderungen in einem Aufdampfprozess
erzeugt werden, ist es dagegen sehr einfach, die einzelnen Resonatoren auf die gewünschte Frequenz abzustimmen.
Die geschilderten H&ehteile vermeidet das erfindungsgemässe
Frequenzfilter. Es ist dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschicht
aus zwei Zonen besteht, von denen die erste, die un-
10 9803/190 3
- 4 - U 130/67
mittelbar an die Kristalloberfläche angrenzt, die geforderten seitlichen Abmessungen aufweist und von denen die zweite
eine solche Höhe aufweist, dass die Oesamthöhe beider Zonen
die geforderte Höhe der Metallschicht ergibt.
Die Herstellung eines erfindungsgemässen Frequenzfilters erfolgt erfindungsgemäss in der Weise, dass nacheinander folgende Verfahrensschritte durchgeführt werden:
die Oberfläche des mit der erforderlichen Genauigkeit hergestellten Kristalls wird mit einer Metallschicht
Überzogen
die Metallschicht wird mit einer lichtempfindlichen Lackschicht versehen
die Lackschicht wird mit Fotomasken abgedeckt und
belichtet
die Lackschicht und die Metallschicht werden an den
durch die Maskenform bestimmten Stellen in einem Ätzprozess abgetragen, die verbliebenen Reste der
Lackschicht werden entfernt
109808/ 1903
- 5 - U 130/67
die mit einer Metallschicht versehenen und damit in ihren Abmessungen Innerhalb des Kristalls festgelegten Resonatoren werden durch Aufdampfen einer
weiteren Metallschicht auf die gewünschte Frequenz abgestimmt, wobei der zu bedampfende Bereich mit
einer Maske in der Weise begrenzt wird, dass die im Ktzprozess gewonnenen Konturen der Metallschicht
erhalten bleiben.
Zum besseren Verständnis der Erfindung wird nachstehend ein in der Zeichnung dargestelltes erfindungsgemässes Frequenzfilter,
insbesondere im Hinblick auf die einzelnen Verfahrensschritte bei seiner Herstellung, näher erläutert. Dabei
sind in den einzelnen Figuren der Zeichnung gleiche Teile
mit gleichen Bezugszeichen versehen.
Fig. 1 zeigt ein erfindungsgemässes Frequenzfilter in perspektivischer
Darstellung*
Flg. 2 zeigt einen Längsschnitt durch einen Teil des in Fig.
dargestellten Freqüenzfliters.
Bei dem in Fig. 1 dargestellten erfindungsgemässen Frequenzfilter
sind Teile der beiden Häuptflächen eines plattenförmigen
Kristalls 1 mit Metallschichten 2 versehen. Die mit Metall-
- 6 -109808/1903
SAD ORiGlNAL
- 6 - U 130/67
schichten 2 versehenen Kristallbereiche dienen dabei als ■ Resonatoren bzw. als Wandler, wenn sie mit Anschlüssen 4
versehen sind und sind über als Koppelelemente dienende Bereiche 3 miteinander verbunden.
Der Aufbau der Metallschicht über den als Resonatoren dienenden Krlstallberelohen lässt sich in Pig. 2 der Zeichnung
deutlich erkennen. Die Metallschicht 1st aus zwei Zonen 2a und 2b aufgebaut, von denen die erste Zone 2a unmittelbar
an der Oberfläche des Kristalls 1 angrenzt, während die zwei* te Zone 2b sich über der ersten Zone 2a befindet. Der nicht
mit Metallsohiohten versehene Kristallbereich zwischen den beiden in Flg. 2 dargestellten Resonatoren dient als Koppelelement 3.
Die Herstellung des erfindungsgemässen Filters erfolgt nun in der Welse, dass zunächst der plattenförmige Kristall in
den gewünschten Abmessungen und mit der erforderlichen Oberfläohengüte hergestellt wird, wobei entsprechend der Art des
verwendeten Kristalls selbstverständlich auf die Kristall·
orientierung zu achten ist. Die Oberfläche des Kristalls wird anschliessend mit einer Metallschicht bedeckt. Das Aufbringen
der Metallschicht erfolgt dabei vorzugsweise in einem Oilvanisierungsverfahren oder auch durch Aufdampfen im Vakuum. An-
SAD ORIGINAL - 7 -
109808/1903
- 7 - U 130/67
schliessend wird die Metallschicht nit einer lichtempfindlichen Lackschicht versehen« mit Fotomasken abgedeckt und
belichtet* Durch die Fotomasken werden die genauen seitlichen Abmessungen der Metallschiohten 2 Über den als Resonatoren dienenden Krlstallbereiohen festgelegt. In einem weiteren Verfahrenssohritt wird die Metallschicht an den durch
die Maskenform bestimmten Stellen in einem Ätzprozess abgetragen und die verbliebenen Reste der Lacksehloht werden
entfernt. Die Höhe der Metallschicht, die sich nunmehr über
den als Resonatoren bzw. Wandlern dienenden Bereichen des
Kristalls befindete ist etwas geringer gewählt als die endgültig erforderliche Höhe. Nach den geschilderten Verfahrensschritten ist die Zone 1 der Metallschicht mit hoher Oenauigkelt ihrer seitlichen Abmessungen fertiggestellt, und für
das fertige Filter 1st damit die geforderte Bandbreite, die
bekanntermassen von den seitlichen Abmessungen der Resonatoren und Koppelelemente bestimmt wird, festgelegt. In einem
abschliessenden Verfahrensschritt wird nunmehr die Höhe der
Metallschichten durch Aufdampfen der zweiten Zone 2b auf das erforderliche Mass gebracht. Da die seitlichen Abmessungen
der Resonatoren und Koppelelemente bereits festliegen, ist es bei dem Aufdampfprozess nicht mehr erforderlich, dass die Konturen der zweiten Zone 2b mit hoher Präzision festgelegt wer-
■ . ■ ■
109808/i 9 03
SAD ORIGINAL
- 8 - U 1^0/67
den. In dem Aufdampfprozess erfolgt gleichzeitig die endgültige Abstimmung der Frequenz der Resonatoren In der Weise,
dass die dem fertigzustellenden Resonator benachbarten Resonatoren durch eine leitende Verbindung ihrer Metallbeläge
kurzgeschlossen werden und dass die Resonanzfrequenz des abzustimmenden
Resonators ebenfalls über an die Metallschichten angelegte Kontakte während des Aufdampfprozesses laufend überwacht
wird. Um dieses besonders leicht durchführen zu können ist es in Weiterbildung der Erfindung günstig, die Metallschichten,
wie in Pig. 3 dargestellt, mit Stegen 4 zu versehen, die für den Abgleichvorgang als Elektroden dienen. Die
Erzeugung der Stege 4 kann dabei bereits während des Fotomaskierungsprozesses
bzw. während des Ätzprozesses erfolgen. Dagegen wird die Stärke der Stege 4 während des Aufdampf-Prozesses
für die zweite Zone der Metallschicht nicht weiter erhöht.
Wird in vorteilhafter Weiterbildung der Erfindung die erste
Zone in einem Oalvanisierungsverfahren aufgebracht, so ergibt
sich gegenüber dem bereits vorgeschlagenen mechanischen Frequenzfilter, bei dem die Querschnittsänderungen in einem
einzigen Aufdampfprozess erzeugt werden, ein weiterer Vorteil.
Durch die amorphe Struktur aufgedampfter Metallschichten sind
BAD 109808/1903
.-■9 - U 130/67
bei diesen -starke* Alterungsersoheinungen zu beobachten.
Wenn bei dem erfindungsgemässen Prequenzfliter die erste
Zone 2a der Metallschicht in einem Galvanfeierungsprozess
aufgebracht wird und im wesentlichen schon die endgültige
Höhe der gesamten Metallschicht aufweist« wird der Einfluss
dieser Alterungserseheinungen stark vermindert. Natürlich
kann man auch schon die erste Zone aufdampfen, doch 1st dann im allgemeinen vor dem Aufdampfen der zweiten Zone ein Temperprozess zur künstlichen Alterung erforderlich.
- 10 10 9 8 0 8/1903 SAD original
Claims (1)
- - 10 - ü 130/67Patentansprüche1. Mechanisches Frequenzfilter bestehend aus einem plattenförmigen Kristall, beispielsweise einem Quarzkristall, bei dem die Resonatoren als auf ihren Hauptflächen mit einer Metallschicht versehene Bereiche des Kristalls ausgebildet sind, die durch als Koppelelemente wirkende Kristallbereiche miteinander verbunden sind, wobei die seitlichen Abmessungen der Metallschicht sowie das Verhältnis von Stärke der als Koppelelemente wirkenden Bereiche zu Stärke der mit einer Metallschicht versehenen Bereiche (Resonatoren) die Bandbreite des Filters und die Höhe der Metallschicht die Resonanzfrequenz der Resonatoren bestimmen, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschicht (2) aus zwei Zonen (2a und 2b) besteht, von denen die erste (2a), die unmittelbar an die Kristalloberfläche angrenzt, die geforderten seitlichen Abmessungen aufweist und von denen die zweite (2b) eine solche Höhe aufweist, dass die Gesamthöhe beider Zonen (2a und 2b) die geforderte Höhe der Metallschicht (2) ergibt.2. Mechanisches Frequenzfilter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Zone (2a) aus galvanisch abge-ORIGINAL - 11 -109808/1903- 11 - U 150/67echiedenem Material besteht und dass die zweite Zone (2b) aus aufgedampftem Material besteht.JJ. Mechanisches Frequenzfilter nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Zone (2a) aus aufgedampftem und gegebenenfalls getempertem Material besteht und dass die zweite Zone (2b) aus aufgedampftem Material besteht.4. Mechanisches Frequenzfilter nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3* dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschichten (2) der Resonatoren mit Stegen (4) versehen sind, die als Anschlusselektroden dienen.5. Verfahren zur Herstellung eines mechanischen Frequenzfilters nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass nacheinander folgende Verfahrensschritte durchgeführt werden:die Oberfläche des mit der erforderlichen Genauigkeit hergestellten Kristalls wird mit einer Metallschicht überzogendie Metallschicht wird mit einer lichtempfindlichen iLaekschicht versehen- 12 -109808/1903 ΛΠ1ΛΙΚ1Α1BAD ORIGINAL- 12 - U 120/67die Laokschicht wird mit Fotomasken abgedeckt und belichtetdie Lackschicht und die Metallschioht werden an d*en durch die Maskenforra bestimmten Stellen in einem Ätzprozess abgetragen, die verbliebenen Reste der Lackschicht werden entferntdie mit einer Metallschicht versehenen und daanifc ihren Abmessungen innerhalb des Kristalls fe#t#e;leg;-ten Resonatoren werden durch Aufdampfen einea? weiterem Metallschicht auf die gewünschte Frequenz abgestimmt, wobei der zu bedampfende Bereich mit einer Ma«fce ta- dser Weise begrenzt wird, dass die im Ätzprozess gewonnenen Konturen der MetallSchicht erhalten bleiben-109808/1903
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19671566009 DE1566009A1 (de) | 1967-08-26 | 1967-08-26 | Mechanisches Frequenzfilter und Verfahren zu seiner Herstellung |
GB38256/68A GB1168240A (en) | 1967-08-26 | 1968-08-09 | Improvements in or relating to Electromechanical Frequency Selective Crystal Filters |
FR1577106D FR1577106A (de) | 1967-08-26 | 1968-08-23 | |
US00192330A US3760471A (en) | 1967-08-26 | 1971-10-26 | Method of making an electromechanical filter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19671566009 DE1566009A1 (de) | 1967-08-26 | 1967-08-26 | Mechanisches Frequenzfilter und Verfahren zu seiner Herstellung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1566009A1 true DE1566009A1 (de) | 1971-02-18 |
Family
ID=5677939
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19671566009 Pending DE1566009A1 (de) | 1967-08-26 | 1967-08-26 | Mechanisches Frequenzfilter und Verfahren zu seiner Herstellung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3760471A (de) |
DE (1) | DE1566009A1 (de) |
FR (1) | FR1577106A (de) |
GB (1) | GB1168240A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3138761A1 (de) * | 1981-09-29 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von ueberlappungsgewichteten interdigitalstrukturen |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50120286A (de) * | 1974-03-05 | 1975-09-20 | ||
US4070502A (en) * | 1976-05-05 | 1978-01-24 | Vig John R | Method of treating piezoelectric resonators |
JPS5323589A (en) * | 1976-08-18 | 1978-03-04 | Seiko Epson Corp | Crystal vibrator |
US4112147A (en) * | 1977-05-13 | 1978-09-05 | Western Electric Company, Inc. | Method of manufacturing a monolithic crystal filter |
DE2823540C2 (de) * | 1977-06-08 | 1985-04-18 | Kinseki Ltd., Tokio/Tokyo | Piezoelektrischer Mehrfachresonator |
JPS57188121A (en) * | 1981-05-15 | 1982-11-19 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Frequency adjusting method of coupling oscillator |
US4371598A (en) * | 1981-07-06 | 1983-02-01 | Motorola, Inc. | Method for fabricating aligned patterns on the opposed surfaces of a transparent substrate |
EP0459631B1 (de) * | 1990-04-27 | 1998-08-12 | Seiko Epson Corporation | In AT-Richtung geschnittenes Kristalloszillatorelement und sein Herstellungsverfahren |
EP0818882A3 (de) * | 1996-07-10 | 1999-12-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelektrische Vorrichtung mit eingefangener Energie und Herstellungsverfahren dazu |
US6051907A (en) * | 1996-10-10 | 2000-04-18 | Nokia Mobile Phones Limited | Method for performing on-wafer tuning of thin film bulk acoustic wave resonators (FBARS) |
US5873154A (en) * | 1996-10-17 | 1999-02-23 | Nokia Mobile Phones Limited | Method for fabricating a resonator having an acoustic mirror |
AU4270097A (en) * | 1996-10-17 | 1998-05-11 | Nokia Mobile Phones Limited | Method for fabricating fbars on glass substrates |
US5872493A (en) * | 1997-03-13 | 1999-02-16 | Nokia Mobile Phones, Ltd. | Bulk acoustic wave (BAW) filter having a top portion that includes a protective acoustic mirror |
US5910756A (en) * | 1997-05-21 | 1999-06-08 | Nokia Mobile Phones Limited | Filters and duplexers utilizing thin film stacked crystal filter structures and thin film bulk acoustic wave resonators |
US5894647A (en) * | 1997-06-30 | 1999-04-20 | Tfr Technologies, Inc. | Method for fabricating piezoelectric resonators and product |
JPH11168338A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-06-22 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子、圧電共振子の周波数調整方法および通信機器 |
US6081171A (en) * | 1998-04-08 | 2000-06-27 | Nokia Mobile Phones Limited | Monolithic filters utilizing thin film bulk acoustic wave devices and minimum passive components for controlling the shape and width of a passband response |
WO2000063978A2 (en) * | 1999-04-20 | 2000-10-26 | Seagate Technology Llc | Electrode patterning for a differential pzt activator |
US6339276B1 (en) * | 1999-11-01 | 2002-01-15 | Agere Systems Guardian Corp. | Incremental tuning process for electrical resonators based on mechanical motion |
JP2001196883A (ja) * | 1999-11-01 | 2001-07-19 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振素子の周波数調整方法 |
US6307447B1 (en) * | 1999-11-01 | 2001-10-23 | Agere Systems Guardian Corp. | Tuning mechanical resonators for electrical filter |
US6476536B1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-11-05 | Nokia Corporation | Method of tuning BAW resonators |
US6441702B1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-08-27 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Method and system for wafer-level tuning of bulk acoustic wave resonators and filters |
DE10162580A1 (de) * | 2001-12-19 | 2003-07-17 | Infineon Technologies Ag | Piezoelektrischer Schwingkreis, Verfahren zu dessen Herstellung und Filteranordnung |
FR2853473B1 (fr) * | 2003-04-01 | 2005-07-01 | St Microelectronics Sa | Composant electronique comprenant un resonateur et procede de fabrication |
US8291559B2 (en) * | 2009-02-24 | 2012-10-23 | Epcos Ag | Process for adapting resonance frequency of a BAW resonator |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2765765A (en) * | 1952-09-03 | 1956-10-09 | Robert R Bigler | Apparatus for the manufacture of piezoelectric crystals |
US3363119A (en) * | 1965-04-19 | 1968-01-09 | Clevite Corp | Piezoelectric resonator and method of making same |
US3384768A (en) * | 1967-09-29 | 1968-05-21 | Clevite Corp | Piezoelectric resonator |
US3487318A (en) * | 1967-11-08 | 1969-12-30 | Motorola Inc | Mode coupled discriminator |
-
1967
- 1967-08-26 DE DE19671566009 patent/DE1566009A1/de active Pending
-
1968
- 1968-08-09 GB GB38256/68A patent/GB1168240A/en not_active Expired
- 1968-08-23 FR FR1577106D patent/FR1577106A/fr not_active Expired
-
1971
- 1971-10-26 US US00192330A patent/US3760471A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3138761A1 (de) * | 1981-09-29 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von ueberlappungsgewichteten interdigitalstrukturen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1168240A (en) | 1969-10-22 |
US3760471A (en) | 1973-09-25 |
FR1577106A (de) | 1969-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1566009A1 (de) | Mechanisches Frequenzfilter und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE1791285B2 (de) | Verfahren zum Nachstimmen piezoelektrischer Resonatoren und nach dem Verfahren nachgestimmte piezoelektrische Resonatoren | |
DE4116295C2 (de) | Zusammengesetztes elektronisches Bauteil und Verfahren zur Frequenzjustierung | |
DE3789881T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Photomasken und Photomaske. | |
DE69215642T2 (de) | Dielektrische Resonatorvorrichtung und deren Herstellungsverfahren | |
DE2945533A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines verdrahtungssystems und mit einem derartigen verdrahtungssystem versehene halbleiteranordnung | |
DE4132150C2 (de) | Feldemissionselement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE3025477A1 (de) | Elektronisches bauteil | |
DE1817434C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Leitungsanordnung | |
DE2903872C2 (de) | Verfahren zur Ausbildung von Mustern mittels Maskenbedampfungstechnik | |
DE102014112372B3 (de) | Filterchip und Verfahren zur Herstellung eines Filterchips | |
DE2936887A1 (de) | Piezoelektrische stimmgabel | |
DE2256624C3 (de) | Quarzkristallschwinger und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE69300615T2 (de) | Mehrschichtige Leiterplatte und Herstellungsverfahren. | |
DE4008920C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines longitudinal schwingenden mechanischen Koppelfilters und mechanisches Koppelfilter | |
DE3151630A1 (de) | Feuchtigkeitsfuehler und verfahren zu seiner herstellung | |
DE2607837A1 (de) | Wandler fuer elastische oberflaechenwellen | |
CH620662A5 (de) | ||
DE2616480A1 (de) | Verfahren zur herstellung von siebmaterial | |
DE2361804A1 (de) | Verfahren zur herstellung von supraleitenden kontakten und schaltkreisen mit josephson-elementen | |
DE2920356C2 (de) | ||
DE102016100925B4 (de) | Filterschaltung | |
DE2451486C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von integrierten Halbleiteranordnungen | |
DE2814592A1 (de) | Quarzresonator | |
DE69129957T2 (de) | In AT-Richtung geschnittenes Kristalloszillatorelement und sein Herstellungsverfahren |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OHJ | Non-payment of the annual fee |